JPWO2020100219A1 - 高周波増幅器および高周波増幅器モジュール - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、実施の形態1に係る高周波増幅器モジュールが備えるFETチップ1の接続部を示す概念図であり、FETチップ1と母基板4との接続部を示している。実施の形態1に係る高周波増幅器モジュールは、FETチップ1、ヒートシンク2、金属ピラー3a,3b,3c,3dおよび母基板4を備える。また、実施の形態1に係る高周波増幅器は、FETチップ1および金属ピラー3a,3b,3cを備える。
FETチップ1となる基板上に、ゲートフィンガ5−1〜5−10、ソースフィンガ6−1〜6−4およびドレインフィンガ7−1〜7−5を含むFET構造を形成する。
上記FET構造が形成された基板面の全面に薄膜誘電体14を堆積させた後に、ソースフィンガ6−1〜6−4の上部にある薄膜誘電体14のみをエッチングすることにより、ソースフィンガ6−1〜6−4の上部を露出させる。この後、ソースフィンガ6−1〜6−4の上部のみを露出させた薄膜誘電体14の上部全面に再配線層15を形成し、再配線層15の上部全面に金属ピラー3bを形成する。これらの工程により、図3に示した断面構造を有した高周波増幅器を形成することができる。
ただし、実施の形態1における金属ピラー3bは、ゲートフィンガ5−1〜5−10、ソースフィンガ6−1〜6−4およびドレインフィンガ7−1〜7−5が形成された上記領域の略全面を覆うことが可能な断面形状を有していればよい。例えば、金属ピラー3bは、FETチップ1において櫛歯状電極が形成された領域の略全面を、当該領域の中央部を中心とした円で覆う円柱状の部材であってもよい。この場合、櫛歯状電極が形成された領域の全面を薄膜誘電体14で覆い、さらに再配線層15で覆うことが望ましい。
図4は、実施の形態2に係る高周波増幅器モジュールを示す断面矢示図であり、実施の形態2に係る高周波増幅器モジュールを図2のA−A線で切った断面を示している。図4において、図1から図3までと同一の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。また、ヒートシンク2の記載を省略している。
図6は、実施の形態3に係る高周波増幅器モジュールを示す断面矢示図であり、実施の形態3に係る高周波増幅器モジュールを図2のA−A線で切った断面を示している。図6において、図1から図3までと同一の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。また、ヒートシンク2の記載を省略している。
Claims (6)
- 複数のフィンガ電極が並列配置された櫛歯状電極を有するトランジスタと、
導電性および放熱性を有し、薄膜誘電体を介して前記櫛歯状電極を覆うピラー部材と、
を備えたことを特徴とする高周波増幅器。 - 前記櫛歯状電極は、複数のゲートフィンガ、複数のソースフィンガおよび複数のドレインフィンガであり、
前記ピラー部材は、前記ソースフィンガと電気的に接続され、前記薄膜誘電体を介して前記ゲートフィンガおよび前記ドレインフィンガとは電気的に絶縁されていること
を特徴とする請求項1記載の高周波増幅器。 - 前記ソースフィンガの上部から前記ゲートフィンガの上部へ延びるソースフィールドプレートを備えたこと
を特徴とする請求項2記載の高周波増幅器。 - 前記薄膜誘電体と前記ピラー部材との間に設けられ、前記ソースフィンガと前記ピラー部材とを電気的に接続する再配線層と、
前記再配線層に形成されて、少なくとも前記ゲートフィンガと前記ドレインフィンガとの間に配置されたソースフィールドプレートと、
を備えたことを特徴とする請求項2記載の高周波増幅器。 - 前記薄膜誘電体は、前記ドレインフィンガを覆う部分が厚くなっていること
を特徴とする請求項2記載の高周波増幅器。 - 請求項1から請求項5のいずれか1項記載の高周波増幅器と、
前記トランジスタに設けられたヒートシンクと、
前記櫛歯状電極と電気的に接続される機能回路を有した母基板と、
を備えたことを特徴とする高周波増幅器モジュール。
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