JPWO2020026959A1 - 樹脂基板、および樹脂基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

樹脂基板（１０１）は、第１主面（ＶＳ１）を有する樹脂基材（１０）と、第１主面（ＶＳ１）に形成される電極パッド（Ｐ１，Ｐ２）、回路用導体パターン（３１，３２）、レジスト膜（２１）、カバーレイフィルム（１）を備える。レジスト膜（２１）は、頂点を有する先細り形状の複数の突出部（ＰＲ１，ＰＲ２）を外周に有する。回路用導体パターン（３１，３２）の一部はレジスト膜（２１）に覆われ、カバーレイフィルム（１）は、レジスト膜（２１）の突出部（ＰＲ１，ＰＲ２）を含む一部と、回路用導体パターンの露出部（ＥＣＰ１，ＥＣＰ２）とを覆う。突出部（ＰＲ１，ＰＲ２）は、回路用導体パターン（３１，３２）の露出部（ＥＣＰ１，ＥＣＰ２）を挟む位置に配置される。

Description

本発明は、樹脂基板と、その製造方法に関し、特に、樹脂基材の表面にレジスト膜およびカバーレイフィルムを備える樹脂基板と、その製造方法に関する。

従来、樹脂基材の表面に形成される導体パターン（電極パッドや回路用の導体パターン等）を保護するため、可撓性のある樹脂基材の表面にカバーレイフィルムを貼り付けることが一般的に行われている（特許文献１）。そして、伸縮性の高いカバーレイフィルムを用いることにより、樹脂基材の可撓性が損なわれることなく、可撓性を確保した樹脂基板を実現できる。しかし、伸縮性を有するカバーレイフィルムは、樹脂基材の表面に貼り付ける際に変形やズレが生じやすく、パターニングの精度が低い。

一方、フォトリソグラフィによってパターニングされるレジスト膜は、パターニングの精度は高いが、伸縮性は低い。そのため、このようなレジスト膜を樹脂基材の表面に形成した場合、樹脂基板の可撓性が低下してしまう。

特開２００５−３４０３８２号公報

上述した樹脂基板の可撓性の低下を解消するため、樹脂基材の表面に形成された電極パッドの周辺（樹脂基材のうち曲げない部分）にのみレジスト膜を形成し、レジスト膜の一部を覆うように、それ以外の部分の樹脂基材の表面にカバーレイフィルムを貼り付けることが考えられる。

しかし、レジスト膜の一部をカバーレイフィルムで覆う場合、レジスト膜の外周とカバーレイフィルムとの境界に沿って微小な隙間が形成されやすく、外部からの水分（例えば、電極パッドへのめっき処理のためのめっき液等）が上記隙間に浸入することがある。そして、浸入した水分により、樹脂基材の表面に配置された回路用の導体パターンの腐食等が発生し、樹脂基板の電気的特性に変化が生じる虞がある。

本発明の目的は、樹脂基材上のレジスト膜の一部を、カバーレイフィルムで覆う構成において、レジスト膜とカバーレイフィルムとの隙間への水分の浸入を抑制することにより、上記水分の浸入に起因する電気的特性の変化を抑制した樹脂基板を提供することにある。

本発明の樹脂基板は、
主面を有する樹脂基材と、
前記主面に形成される電極パッドと、
前記主面に沿って突出する複数の突出部を外周に有し、前記主面に形成され、前記電極パッドの外周全体を覆うように配置されるレジスト膜と、
前記主面に形成され、一部が前記レジスト膜に覆われる回路用導体パターンと、
前記主面に形成され、前記レジスト膜の前記複数の突出部を含む一部と、前記回路用導体パターンのうち前記レジスト膜から露出する露出部の一部とを覆うカバーレイフィルムと、
を備え、
前記複数の突出部は、頂点を有する先細り形状であり、
前記複数の突出部の少なくとも２つは、前記回路用導体パターンの前記露出部を挟む位置に配置されることを特徴とする。

先細り形状である突出部の頂点付近では、レジスト膜の外周に沿って（追従させて）カバーレイフィルムを貼り付けやすい。そのため、先細り形状である突出部の頂点付近では、樹脂基材とレジスト膜の外周とカバーレイフィルムとの境界における隙間が生じ難い。そして、回路用導体パターンのうちレジスト膜から露出する露出部を複数の突出部で挟むことにより、上記隙間に浸入した水分が回路用導体パターンにまで達することが抑制される。したがって、この構成により、浸入した水分に起因する回路用導体パターンの腐食等が抑制され、樹脂基板の特性変化を抑制することができる。

本発明の樹脂基板の製造方法は、
主面に電極パッドおよび回路用導体パターンが形成された、樹脂基材を形成する基材形成工程と、
前記基材形成工程の後に、前記主面に沿って突出する複数の突出部を外周に有し、前記電極パッドの外周全体、および前記回路用導体パターンの一部を覆うように配置されるレジスト膜を、前記主面に形成するレジスト膜形成工程と、
前記レジスト膜形成工程の後に、前記レジスト膜の前記複数の突出部を含む一部と、前記回路用導体パターンのうち前記レジスト膜から露出する露出部の一部とを覆うカバーレイフィルムを、前記主面に形成する、フィルム形成工程と、
を備え、
前記複数の突出部は、頂点を有する先細り形状であり、
前記複数の突出部の少なくとも２つは、前記回路用導体パターンの前記露出部を挟む位置に配置されることを特徴とする。

上記製造方法によれば、レジスト膜の外周とカバーレイフィルムとの隙間に水分が浸入することに起因する特性変化を抑制した、樹脂基板を容易に得ることができる。

本発明によれば、樹脂基材上のレジスト膜の一部を、カバーレイフィルムで覆う構成において、レジスト膜とカバーレイフィルムとの隙間への水分の浸入を抑制することにより、上記水分の浸入に起因する電気的特性の変化を抑制した樹脂基板を実現できる。

図１（Ａ）は第１の実施形態に係る樹脂基板１０１の第１端部の拡大平面図であり、図１（Ｂ）はカバーレイフィルム１を取り除いた状態の樹脂基板１０１の第１端部を示す拡大平面図である。 図２（Ａ）は図１（Ａ）におけるＡ−Ａ断面図であり、図２（Ｂ）は図１（Ａ）におけるＢ−Ｂ断面図である。 図３（Ａ）は比較例である樹脂基板１００の第１端部を示す拡大平面図であり、図３（Ｂ）は図３（Ａ）におけるＣ−Ｃ断面図である。 図４（Ａ）は第２の実施形態に係る樹脂基板１０２の第１端部の拡大平面図であり、図４（Ｂ）はカバーレイフィルム１を取り除いた状態の樹脂基板１０２の第１端部を示す拡大平面図である。 図５は、第３の実施形態に係る樹脂基板１０３Ａの突出部ＰＲ１０Ａを示した拡大平面図である。 図６（Ａ）は第３の実施形態に係る別の樹脂基板１０３Ｂの突出部ＰＲ１０Ｂを示した拡大平面図であり、図６（Ｂ）は第３の実施形態に係る別の樹脂基板１０３Ｃの突出部ＰＲ１０Ｃを示した拡大平面図である。 図７は、第４の実施形態に係る樹脂基板１０４の第１端部の拡大平面図である。 図８（Ａ）は第５の実施形態に係る樹脂基板１０５の第１端部の拡大平面図であり、図８（Ｂ）はカバーレイフィルム１を取り除いた状態の樹脂基板１０５の第１端部を示す拡大平面図である。

以降、図を参照して幾つかの具体的な例を挙げて、本発明を実施するための複数の形態を示す。各図中には同一箇所に同一符号を付している。要点の説明または理解の容易性を考慮して、便宜上実施形態を分けて示すが、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換または組み合わせが可能である。第２の実施形態以降では第１の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。

《第１の実施形態》
図１（Ａ）は第１の実施形態に係る樹脂基板１０１の第１端部の拡大平面図であり、図１（Ｂ）はカバーレイフィルム１を取り除いた状態の樹脂基板１０１の第１端部を示す拡大平面図である。図２（Ａ）は図１（Ａ）におけるＡ−Ａ断面図であり、図２（Ｂ）は図１（Ａ）におけるＢ−Ｂ断面図である。図１（Ａ）では、構造を分かりやすくするため、カバーレイフィルム１をドットパターンで示している。また、図１（Ｂ）では、回路用導体パターン３１，３２の露出部をハッチングで示しており、突出部ＰＲ１，ＰＲ２をクロスハッチングで示している。なお、図示省略するが、樹脂基板１０１の第２端部も第１端部と同様の構造である。

樹脂基板１０１は、樹脂基材１０、電極パッドＰ１，Ｐ２、回路用導体パターン３１，３２、レジスト膜２１、カバーレイフィルム１等を備える。

樹脂基材１０は、熱可塑性樹脂を主材料とし、長手方向がＸ軸方向に一致する略矩形の平板である。図示省略するが、樹脂基材１０は、複数の絶縁基材層を積層して形成されてなる。樹脂基材１０は、例えば液晶ポリマー（ＬＣＰ）またはポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）を主材料とする平板である。

樹脂基材１０は、第１領域Ｆ１および第２領域Ｆ２を有する。第２領域Ｆ２の樹脂基材１０の厚み（Ｚ軸方向の厚み）は、第１領域Ｆ１の樹脂基材１０の厚みよりも少ない。そのため、樹脂基材１０の第２領域Ｆ２は、第１領域Ｆ１よりも曲がり易く、可撓性を有する。第２領域Ｆ２は、樹脂基板１０１を他の回路基板等に接続する際に、可撓性を利用して折り曲げられる部分（フレキシブル部）であり、第１領域Ｆ１は折り曲げない部分（リジッド部）である。

また、樹脂基材１０は、互いに対向する第１主面ＶＳ１と第２主面ＶＳ２Ａ，ＶＳ２Ｂとを有する。図２（Ａ）および図２（Ｂ）に示すように、第１主面ＶＳ１は、第１領域Ｆ１と第２領域Ｆ２とに亘って形成される面である。第２主面ＶＳ２Ａは、第１領域Ｆ１に形成される面であり、第２主面ＶＳ２Ｂは、第２領域Ｆ２に形成される面である。

電極パッドＰ１，Ｐ２は、第１主面ＶＳ１に形成される矩形の導体パターンである。電極パッドＰ１，Ｐ２はいずれも第１領域Ｆ１に配置されている。回路用導体パターン３１，３２は、樹脂基材１０の第１主面ＶＳ１に形成される線状の導体パターンである。回路用導体パターン３１，３２は、第１方向（Ｘ軸方向）に延伸し、互いに並走している。図１（Ｂ）等に示すように、回路用導体パターン３１の一端は電極パッドＰ１に接続され、回路用導体パターン３２の一端は電極パッドＰ２に接続されている。電極パッドＰ１，Ｐ２および回路用導体パターン３１，３２は、例えばＣｕ等の導体パターンである。本実施形態に係る回路用導体パターン３１，３２は信号線である。

レジスト膜２１は、第１主面ＶＳ１に形成される略矩形の保護膜である。レジスト膜２１は、第１領域Ｆ１に配置され、電極パッドＰ１，Ｐ２の外周全体、および回路用導体パターン３１，３２の一部（第１領域Ｆ１に位置する部分）を覆うように配置されている。レジスト膜２１は、例えばエポキシ樹脂膜である。

図１（Ｂ）および図２（Ａ）等に示すように、レジスト膜２１は、第１主面ＶＳ１に沿って突出する複数の突出部ＰＲ１，ＰＲ２を外周に有する。複数の突出部ＰＲ１，ＰＲ２は、１つの頂点を有する先細り形状であり、導体パターンの平面形状とは異なる形状であって、いずれも同じ形状をしている。より具体的には、複数の突出部ＰＲ１，ＰＲ２は、第１方向（＋Ｘ方向）に延伸する、頂点が鋭角の線形テーパーである。２つの突出部ＰＲ１，ＰＲ２は、略矩形であるレジスト膜２１の第１辺（図１（Ａ）および図１（Ｂ）におけるレジスト膜２１の右辺）側に配置されている。本実施形態では、２つの突出部ＰＲ１，ＰＲ２が、保護したい回路用導体パターン３１，３２の露出部ＥＣＰ１，ＥＣＰ２の近傍に配置され、且つ、回路用導体パターン３１，３２の露出部ＥＣＰ１，ＥＣＰ２の形成領域の中心線を基準にして、Ｙ軸方向に略対称配置されている。

カバーレイフィルム１は、可撓性を有し、第１主面ＶＳ１の略全体に形成されている（貼り付けられている）矩形の保護フィルムである。カバーレイフィルム１は、レジスト膜２１の複数の突出部ＰＲ１，ＰＲ２を含む一部と、回路用導体パターン３１，３２のうちレジスト膜２１から露出する露出部ＥＣＰ１，ＥＣＰ２（図１（Ｂ）を参照）とを覆っている。なお、カバーレイフィルム１は、電極パッドＰ１，Ｐ２が配置された位置に応じた矩形の開口Ｒ１を有する。そのため、図１（Ａ）および図２（Ｂ）等に示すように、カバーレイフィルム１が第１主面ＶＳ１の略全面を覆うように形成されたとしても、レジスト膜２１の一部および電極パッドＰ１，Ｐ２の一部が外部に露出する。カバーレイフィルム１は、例えばポリイミド（ＰＩ）製フィルムである。

図１（Ｂ）に示すように、複数の突出部ＰＲ１，ＰＲ２の２つは、回路用導体パターン３１，３２の露出部ＥＣＰ１，ＥＣＰ２を挟む位置に配置されている。また、図１（Ａ）に示すように、カバーレイフィルム１は、レジスト膜２１の外周全体を覆っている。

次に、２つの突出部ＰＲ１，ＰＲ２を、回路用導体パターン３１，３２の露出部ＥＣＰ１，ＥＣＰ２を挟む位置に配置することによる利点について、比較例を挙げて説明する。図３（Ａ）は比較例である樹脂基板１００の第１端部を示す拡大平面図であり、図３（Ｂ）は図３（Ａ）におけるＣ−Ｃ断面図である。なお、図３（Ａ）では、構造を分かりやすくするため、カバーレイフィルム１を取り除いた状態で示している。

図３（Ａ）に示すように、樹脂基板１００が備えるレジスト膜２０は、突出部を外周に有していない。樹脂基板１００のそれ以外の構成については、樹脂基板１０１と同じである。

本発明のように、第１主面ＶＳ１に形成されたレジスト膜の外周の少なくとも一部を、カバーレイフィルム１で覆う場合には、レジスト膜の外周とカバーレイフィルム１との境界（図２（Ａ）および図３（Ｂ）の境界Ｅ１を参照）に沿って微小な隙間が形成されやすく、この隙間に沿って外部からの水分（例えば、電極パッドＰ１，Ｐ２へのめっき処理に使用されるめっき液等）が浸入することがある（図３（Ａ）中の矢印を参照）。そして、浸入した水分が回路用導体パターン３１，３２にまで達すると、回路用導体パターン３１，３２の腐食等が発生して、特性変化（例えば、複数の回路用導体パターンが異なる電位を有する場合には複数の回路用導体パターン同士の短絡や容量変化、回路用導体パターンの腐食材と他の導体との間に容量を形成したりする等）が生じる虞がある。

これに対して、本実施形態に係る樹脂基板１０１では、先細り形状の複数の突出部ＰＲ１，ＰＲ２を外周に有するレジスト膜２１を備える。先細り形状である突出部ＰＲ１，ＰＲ２の頂点付近では、レジスト膜２１の外周に沿って（追従させて）カバーレイフィルム１を貼り付けやすい。そのため、先細り形状である突出部ＰＲ１，ＰＲ２の頂点付近では、樹脂基材１０とレジスト膜２１の外周とカバーレイフィルム１との境界における隙間が生じ難い。

そして、２つの突出部ＰＲ１，ＰＲ２を、回路用導体パターン３１，３２の露出部ＥＣＰ１，ＥＣＰ２を挟む位置に配置することにより、上記隙間に浸入した水分が、回路用導体パターン３１，３２の露出部ＥＣＰ１，ＥＣＰ２にまで達することが抑制される。したがって、この構成により、浸入した水分に起因する回路用導体パターン３１，３２の腐食等が抑制され、樹脂基板の特性変化を抑制することができる。

なお、本実施形態では、突出部ＰＲ１，ＰＲ２が、１つの頂点を有する先細り形状である例を示したが、突出部の平面形状はこれに限定されるものではない。後に詳述するように、突出部の平面形状は、例えば、台形のように複数の頂点を有する先細り形状でもよい。但し、本実施形態のように、突出部が１つの頂点を有する先細り形状である方が、複数の頂点を有する先細り形状の突出部よりも、頂点（先端部）付近の密着度（樹脂基材１０とレジスト膜２１とカバーレイフィルム１との密着度）が強まるため、上記境界に隙間を生じにくくできる。したがって、突出部は、複数の頂点を有する先細り形状よりも、１つの頂点を有する先細り形状の方が好ましい。

なお、本実施形態のように複数の回路用導体パターン３１，３２の露出部ＥＣＰ１，ＥＣＰ２が近接して配置されている場合には、複数の回路用導体パターン３１，３２を挟むように２つの突出部が配置されていることが好ましい。これにより、少ない突出部（２つの突出部）で水分の浸入に起因する樹脂基板の特性変化を抑制できる。

また、本実施形態では、カバーレイフィルム１がレジスト膜２１の外周全体を覆っている。この構成によれば、カバーレイフィルムがレジスト膜２１の外周全体を覆っていない場合に比べて、樹脂基材１０とレジスト膜２１の外周とカバーレイフィルム１との境界における隙間に、外部の水分が浸入することを抑制できる。

さらに、本実施形態では、突出部ＰＲ１，ＰＲ２を除くレジスト膜２１が、リジッド部である第１領域Ｆ１にのみ形成されている。この構成により、フレキシブル部である第２領域Ｆ２の可撓性を確保した樹脂基板を得ることができる。なお、突出部は第２領域Ｆ２に配置されることが好ましい。具体的に説明すると、フレキシブル部である第２領域Ｆ２は屈曲性（可撓性）を持たせるため、カバーレイフィルム１を設けることが好ましい。しかし、可撓性を有する第２領域Ｆ２においては、樹脂基材１０とレジスト膜２１の外周とカバーレイフィルム１との境界に隙間が生じやすい。そのため、突出部は第２領域Ｆ２に配置されていることが好ましい。

本実施形態に係る樹脂基板１０１は、例えば次の工程で製造される。

まず、樹脂基材１０の第１主面ＶＳ１に、電極パッドＰ１，Ｐ２および回路用導体パターン３１，３２を形成する。具体的には、樹脂基材１０の第１主面ＶＳ１に、金属箔（例えばＣｕ箔）をラミネートし、その金属箔をフォトリソグラフィでパターニングすることで、樹脂基材１０の第１主面ＶＳ１に電極パッドＰ１，Ｐ２および回路用導体パターン３１，３２を形成する。樹脂基材１０は、例えば液晶ポリマー（ＬＣＰ）またはポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）を主材料とする平板である。

第１主面ＶＳ１に電極パッドＰ１，Ｐ２および回路用導体パターン３１，３２が形成された樹脂基材１０を形成するこの工程が、本発明の「基材形成工程」の一例である。

なお、樹脂基材１０は複数の絶縁基材層の積層体でもよい。その場合には、後に第１主面ＶＳ１となる絶縁基材層の表面に電極パッドＰ１，Ｐ２および回路用導体パターン３１，３２を形成した後、複数の絶縁基材層を積層し、積層した複数の絶縁基材層を加熱プレスすることにより、樹脂基材１０を形成できる。

次に、樹脂基材１０の第１主面ＶＳ１にレジスト膜２１を形成する。具体的には、樹脂基材１０の第１主面ＶＳ１に熱硬化性樹脂を塗布し、その樹脂をフォトリソグラフィでパターニングすることで、所望の形状のレジスト膜を形成する。レジスト膜２１は、第１主面ＶＳ１に沿って突出する複数の突出部ＰＲ１，ＰＲ２を外周に有し、電極パッドＰ１，Ｐ２の外周全体、および回路用導体パターン３１，３２の一部を覆うように配置される。なお、複数の突出部ＰＲ１，ＰＲ２は頂点を有する先細り形状である。また、複数の突出部ＰＲ１，ＰＲ２の２つは、回路用導体パターン３１，３２のうちレジスト膜２１から露出する露出部を挟む位置に配置される。レジスト膜２１は、例えばエポキシ樹脂膜である。

「基材形成工程」の後に、レジスト膜２１を第１主面ＶＳ１に形成するこの工程が、本発明の「レジスト膜形成工程」の一例である。

次に、樹脂基材１０のカバーレイフィルム１を第１主面ＶＳ１に形成する。具体的には、樹脂基材１０の第１主面ＶＳ１の略全面に、接着材付きの保護フィルムを貼り付ける。カバーレイフィルム１は、レジスト膜２１の複数の突出部ＰＲ１，ＰＲ２を含む一部と、回路用導体パターン３１，３２の露出部を覆うように配置される。カバーレイフィルム１は、電極パッドＰ１，Ｐ２が配置された位置に応じた開口Ｒ１を有する。そのため、カバーレイフィルム１が第１主面ＶＳ１の略全面を覆うように形成されたとしても、レジスト膜２１の一部および電極パッドＰ１，Ｐ２の一部が外部に露出する。カバーレイフィルム１は、例えばポリイミド（ＰＩ）製フィルムである。

「レジスト膜形成工程」の後に、カバーレイフィルム１を第１主面ＶＳ１に形成するこの工程が、本発明の「フィルム形成工程」の一例である。

上記製造方法によれば、レジスト膜２１の外周とカバーレイフィルム１との隙間に水分が浸入することに起因する特性変化を抑制した、樹脂基板１０１を容易に得ることができる。

《第２の実施形態》
第２の実施形態では、突出部の形状が、第１の実施形態で示した突出部ＰＲ１，ＰＲ２とは異なる例を示す。

図４（Ａ）は第２の実施形態に係る樹脂基板１０２の第１端部の拡大平面図であり、図４（Ｂ）はカバーレイフィルム１を取り除いた状態の樹脂基板１０２の第１端部を示す拡大平面図である。図４（Ａ）では、構造を分かりやすくするため、カバーレイフィルム１をドットパターンで示している。また、図４（Ｂ）では、回路用導体パターン３１，３２の露出部をハッチングで示しており、突出部ＰＲ１Ａ，ＰＲ２Ａをクロスハッチングで示している。図示省略するが、樹脂基板１０２の第２端部も第１端部と同様の構造である。

樹脂基板１０２は、複数の突出部ＰＲ１Ａ，ＰＲ２Ａを外周に有するレジスト膜２２を備える点で、第１の実施形態に係る樹脂基板１０１と異なる。樹脂基板１０２のその他の構成は、樹脂基板１０１と同じである。

図４に示すように、複数の突出部ＰＲ１Ａ，ＰＲ２Ａは、複数の頂点を有する先細り形状であり、いずれも同じ形状をしている。より具体的には、複数の突出部ＰＲ１Ａ，ＰＲ２Ａは、先細りの台形である。

このような構成でも、第１の実施形態に係る樹脂基板１０１と同様の作用・効果を奏する。

《第３の実施形態》
第３の実施形態では、突出部の形状が、第１の実施形態で示した突出部ＰＲ１，ＰＲ２と異なる例を示す。

図５は、第３の実施形態に係る樹脂基板１０３Ａの突出部ＰＲ１０Ａを示した拡大平面図である。図６（Ａ）は第３の実施形態に係る別の樹脂基板１０３Ｂの突出部ＰＲ１０Ｂを示した拡大平面図であり、図６（Ｂ）は第３の実施形態に係る別の樹脂基板１０３Ｃの突出部ＰＲ１０Ｃを示した拡大平面図である。

樹脂基板１０３Ａは、突出部ＰＲ１０Ａを外周に有するレジスト膜２３Ａを備える点で、第１の実施形態に係る樹脂基板１０１と異なる。樹脂基板１０３Ａのその他の構成は、樹脂基板１０１と同じである。

図５に示すように、突出部ＰＲ１０Ａは、頂点が鋭角の指数関数のような形状のテーパー（指数関数テーパー）である。図示省略するが、突出部ＰＲ１０Ａ以外の突出部も同じ形状をしている。

樹脂基板１０３Ｂは、突出部ＰＲ１０Ｂを外周に有するレジスト膜２３Ｂを備える点で、第１の実施形態に係る樹脂基板１０１と異なる。樹脂基板１０３Ｂのその他の構成は、樹脂基板１０１と同じである。

図６（Ａ）に示すように、突出部ＰＲ１０Ｂは、頂点が鋭角で二段階に折れ曲がる先細り形状である。図示省略するが、突出部ＰＲ１０Ｂ以外の突出部も同じ形状をしている。

樹脂基板１０３Ｂは、突出部ＰＲ１０Ｃを外周に有するレジスト膜２３Ｃを備える点で、第１の実施形態に係る樹脂基板１０１と異なる。樹脂基板１０３Ｃのその他の構成は、樹脂基板１０１と同じである。

図６（Ｂ）に示すように、突出部ＰＲ１０Ｃは、頂点が鋭角で三段階に折れ曲がる先細り形状である。図示省略するが、突出部ＰＲ１０Ｃ以外の突出部も同じ形状をしている。

図６（Ａ）および図６（Ｂ）に示す突出部ＰＲ１０Ｂ，ＰＲ１０Ｃのように、突出部が二段階以上に折れ曲がっていてもよい。但し、突出部が二段階以上に折れ曲がる形状の場合、頂点に向かってより尖るように曲がる形状を、本発明における「先細り形状」と言う。具体的には、突出部の頂点が鋭角であり、且つ、突出部の頂点から延びる線分と交わる線分とのなす角αが１８０°未満である形状を言う。

《第４の実施形態》
第４の実施形態では、３つ以上の突出部を有する樹脂基板の例を示す。

図７は、第４の実施形態に係る樹脂基板１０４の第１端部の拡大平面図である。図７では、構造を分かりやすくするため、カバーレイフィルム１Ａをドットパターンで示している。なお、図示省略するが、樹脂基板１０４の第２端部も第１端部と同様の構造である。

樹脂基板１０４は、第１主面に沿って突出する３つの突出部ＰＲ１，ＰＲ２，ＰＲ３を外周に有するレジスト膜２４を備える点で、第１の実施形態に係る樹脂基板１０１と異なる。また、樹脂基板１０４では、カバーレイフィルム１Ａがレジスト膜２４の外周全体を覆っていない点で、第１の実施形態に係る樹脂基板１０１と異なる。樹脂基板１０４のその他の構成は、樹脂基板１０１と同じである。

以下、第１の実施形態に係る樹脂基板１０１と異なる部分について説明する。

図７に示すように、突出部ＰＲ３は、突出部ＰＲ１，ＰＲ２と同様、頂点が鋭角の線形テーパーである。突出部ＰＲ１，ＰＲ２，ＰＲ３は、いずれも同じ形状をしている。突出部ＰＲ３は、突出部ＰＲ１と突出部ＰＲ２との間に配置されており、回路用導体パターン３１の露出部と回路用導体パターン３２の露出部との間に配置されている。

図７に示すように、カバーレイフィルム１Ａは、レジスト膜２４の外周全体を覆ってはいない。

本実施形態で示したように、カバーレイフィルム１Ａは、レジスト膜２４の外周全体を覆っていなくてもよい。但し、外部からの水分の浸入を抑制するという点では、カバーレイフィルムがレジスト膜の外周全体を覆っている構成が好ましい。

本実施形態で示したように、樹脂基板は３以上の突出部を有していてもよい。また、複数の突出部のうち少なくとも２つが、回路用導体パターンの露出部を挟む位置に配置されるのであれば、他の突出部の配置は任意である。但し、本実施形態のように突出部ＰＲ３を、回路用導体パターン３１の露出部と回路用導体パターン３２の露出部との間に配置することにより、回路用導体パターン３１，３２とが異なる電位を有する場合に、外部からの水分の浸入に起因する回路用導体パターン３１，３２間での短絡の発生がさらに抑制される。

なお、回路用導体パターン３１の露出部と回路用導体パターン３２の露出部との間に意図しない隙間が生じると、特性変化が発生する虞がある。例えば、上記隙間の発生により、回路用導体パターン３１，３２との間の誘電率に変化が生じ、回路用導体パターン３１，３２間の容量が変動してしまう。そして、このことは回路用導体パターンが高周波用である場合に特に顕著となる。そのため、意図しない隙間の発生を抑制するという点で、突出部を、複数の回路用導体パターンの間または回路用導体パターン上に配置することが好ましい。

《第５の実施形態》
第５の実施形態では、突出部の延伸方向が、以上に示した樹脂基板とは異なる例を示す。

図８（Ａ）は第５の実施形態に係る樹脂基板１０５の第１端部の拡大平面図であり、図８（Ｂ）はカバーレイフィルム１を取り除いた状態の樹脂基板１０５の第１端部を示す拡大平面図である。図８（Ａ）では、構造を分かりやすくするため、カバーレイフィルム１をドットパターンで示している。また、図８（Ｂ）では、回路用導体パターン３１，３２の露出部をハッチングで示しており、突出部ＰＲ１Ｂ，ＰＲ２Ｂをクロスハッチングで示している。なお、図示省略するが、樹脂基板１０５の第２端部も第１端部と同様の構造である。

樹脂基板１０５は、突出部ＰＲ１Ｂ，ＰＲ２Ｂを外周に有するレジスト膜２５を備える点で、第１の実施形態に係る樹脂基板１０１と異なる。樹脂基板１０５のその他の構成は、樹脂基板１０１と同じである。

複数の突出部ＰＲ１Ｂ，ＰＲ２Ｂは、いずれも１つの頂点を有する先細り形状である。より具体的には、突出部ＰＲ１Ｂは、＋Ｙ方向（第１方向に直交する第２方向）に延伸する頂点が鋭角の線形テーパーであり、略矩形であるレジスト膜２５の第２辺（図８（Ａ）および図８（Ｂ）におけるレジスト膜２５の上辺）側に配置されている。また、突出部ＰＲ２Ｂは、−Ｙ方向（第２方向）に延伸する頂点が鋭角の線形テーパーであり、レジスト膜２５の第３辺（図８（Ａ）および図８（Ｂ）におけるレジスト膜２５の下辺）側に配置されている。本実施形態では、２つの突出部ＰＲ１Ｂ，ＰＲ２Ｂが、保護したい回路用導体パターン３１，３２の露出部ＥＣＰ１，ＥＣＰ２の形成領域の中心線を基準にして、Ｙ軸方向に略対称配置されている。

図８（Ａ）および図８（Ｂ）に示すように、複数の突出部ＰＲ１Ｂ，ＰＲ２Ｂの二つは、回路用導体パターン３１，３２の露出部ＥＣＰ１，ＥＣＰ２を挟む位置に配置されている。

上述したように、第１主面ＶＳ１に形成されたレジスト膜の外周をカバーレイフィルム１で覆う場合には、レジスト膜の外周とカバーレイフィルム１との境界に水分が浸入することがある。そして、浸入した水分がレジスト膜の外周とカバーレイフィルムとの境界に沿って回り込んで回路用導体パターン３１，３２まで達すると（図８中の矢印を参照）、回路用導体パターン３１，３２が腐食する虞がある。これに対して、本実施形態のように、（樹脂基材１０とレジスト膜２５とカバーレイフィルム１との境界に隙間を生じにくい）突出部ＰＲ１Ｂ，ＰＲ２Ｂを、浸入した上記水分の回り込み経路の途中に配置することにより、浸入した水分に起因する回路用導体パターン３１，３２の腐食等が抑制される。

本実施形態に示すように、２つの突出部ＰＲ１Ｂ，ＰＲ２Ｂが第２方向（回路用導体パターン３１，３２が延伸する第１方向に直交する方向）に延伸する構成でも、上記２つの突出部が回路用導体パターン３１，３２の露出部ＥＣＰ１，ＥＣＰ２を挟む位置に配置されていれば、第１の実施形態に係る樹脂基板１０１と同様の作用・効果を奏する。

《その他の実施形態》
以上に示した各実施形態では、樹脂基材１０が、長手方向がＸ軸方向に一致する略矩形の平板である例を示したが、樹脂基材１０の形状は本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。樹脂基材は、例えば平面形状が多角形、円形、楕円形、円弧状、Ｌ字形、Ｕ字形、Ｙ字形、Ｔ字形、クランク形等であってもよい。

以上に示した各実施形態では、樹脂基材１０が、熱可塑性樹脂を主材料とする平板の例を示したが、この構成に限定されるものではない。樹脂基材１０は熱硬化性樹脂を主材料とする平板でもよい。また、樹脂基材１０は、複数の樹脂の複合積層体であってもよく、例えばガラス／エポキシ基板等の熱硬化性樹脂シートと、熱可塑性樹脂シートとが積層されて形成される構成でもよい。また、樹脂基材１０は、複数の基材層を加熱プレス（一括プレス）してその表面同士を融着するものに限らず、各基材層間に接着材層を有する構成でもよい。

また、以上の示した各実施形態では、樹脂基材１０が複数の基材層の積層体である例を示したが、この構成に限定されるものではない。樹脂基材１０は単層の平板でもよい。

以上に示した各実施形態では、略矩形のレジスト膜を備える樹脂基板の例を示したが、レジスト膜の平面形状はこれに限定されるものではない。レジスト膜の平面形状は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能であり、例えば多角形、円形、楕円形、円弧状、Ｌ字形、Ｕ字形、Ｙ字形、Ｔ字形、クランク形等であってもよい。

以上に示した各実施形態では、カバーレイフィルム１，１Ａが、第１主面ＶＳ１の略全体に形成されている（貼り付けられている）矩形のフィルムである例を示したが、この構成に限定されるものではない。カバーレイフィルムは、第１主面ＶＳ１の略全体に形成される必要はなく、第１主面ＶＳ１の一部のみに形成される構成でもよい。また、カバーレイフィルムの平面形状は矩形に限定されるものではなく、例えば多角形、円形、楕円形、円弧状、リング状、Ｌ字形、Ｕ字形、Ｙ字形、クランク形であってもよい。

以上に示した各実施形態では、樹脂基材１０の第１主面ＶＳ１のみに、レジスト膜およびカバーレイフィルムが形成される例を示したが、この構成に限定されるものではない。レジスト膜およびカバーレイフィルムは樹脂基材１０の第２主面に形成されていてもよい。

樹脂基板の回路構成は、以上に示した各実施形態で説明した回路に限定されるものではない。樹脂基板には、例えば、各種伝送線路（例えば、ストリップライン、マイクロストリップライン、コプレーナライン等）が構成されていてもよい。また、樹脂基板には、例えば、インダクタ、キャパシタや各種フィルタ（ローパスフィルタ、ハイパスフィルタ、バンドパスフィルタ、バンドエリミネーションフィルタ）等の周波数フィルタが導体パターンで形成されていてもよい。また、樹脂基板には、チップ部品等の各種部品が主面に実装または埋設されていてもよい。

なお、以上に示した各実施形態では、矩形の２つの電極パッドＰ１，Ｐ２を備える樹脂基板の例を示したが、この構成に限定されるものではない。電極パッドＰ１，Ｐ２の個数、形状、配置は、樹脂基板の回路構成に応じて適宜変更可能である。電極パッドＰ１，Ｐ２の平面形状は、例えば、多角形、円形、楕円形、円弧状、リング状、Ｌ字形、Ｕ字形、Ｙ字形、クランク形であってもよい。

さらに、以上に示した各実施形態では、電極パッドＰ１，Ｐ２が、信号用の電極である例を示したが、本発明の「電極パッド」の用途はこれに限定されるものではない。電極パッドは、例えばグランドに接続するためのグランド電極でもよく、他の部材に対する位置決め用の補助電極でもよい。

以上に示した各実施形態では、回路用導体パターン３１，３２が信号線である例を示したが、回路用導体パターン３１，３２はこれに限定されるものではない。回路用導体パターンは、例えばコイルを形成する導体パターンであってもよく、キャパシタを形成するキャパシタ電極であってもよい。

また、以上に示した各実施形態では、樹脂基材１０の第１主面ＶＳ１にのみ導体パターンが形成される樹脂基板の例を示したが、この構成に限定されるものではない。樹脂基材１０の第２主面や内部に導体パターンが形成されていてもよい。

最後に、上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではない。当業者にとって変形および変更が適宜可能である。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲内と均等の範囲内での実施形態からの変更が含まれる。

Ｅ１…境界
ＥＣＰ１，ＥＣＰ２…回路用導体パターンの露出部
Ｆ１…樹脂基材の第１領域
Ｆ２…樹脂基材の第２領域
Ｐ１，Ｐ２…電極パッド
ＰＲ１，ＰＲ１Ａ，ＰＲ１Ｂ，ＰＲ２，ＰＲ２Ａ，ＰＲ２Ｂ，ＰＲ３，ＰＲ１０Ａ，ＰＲ１０Ｂ，ＰＲ１０Ｃ…突出部
Ｒ１…カバーレイフィルムの開口
ＶＳ１…樹脂基材の第１主面
ＶＳ２Ａ，ＶＳ２Ｂ…樹脂基材の第２主面
１，１Ａ…カバーレイフィルム
１０…樹脂基材
２０，２１，２２，２３Ａ，２３Ｂ，２３Ｃ，２４…レジスト膜
３１，３２…回路用導体パターン
１００，１０１，１０２，１０３Ａ，１０３Ｂ，１０３Ｃ，１０４，１０５…樹脂基板

Claims (12)

1. 主面を有する樹脂基材と、
   前記主面に形成される電極パッドと、
   前記主面に沿って突出する複数の突出部を外周に有し、前記主面に形成され、前記電極パッドの外周全体を覆うように配置されるレジスト膜と、
   前記主面に形成され、一部が前記レジスト膜に覆われる回路用導体パターンと、
   前記主面に形成され、前記レジスト膜の前記複数の突出部を含む一部と、前記回路用導体パターンのうち前記レジスト膜から露出する露出部の一部とを覆うカバーレイフィルムと、
   を備え、
   前記複数の突出部は、頂点を有する先細り形状であり、
   前記複数の突出部の少なくとも２つは、前記回路用導体パターンの前記露出部を挟む位置に配置される、樹脂基板。
2. 前記複数の突出部は、それぞれ複数の前記頂点を有する先細り形状である、請求項１に記載の樹脂基板。
3. 前記回路用導体パターンは、第１方向に延伸し、
   前記複数の突出部のうち少なくとも２つは、前記第１方向に直交する第２方向に延伸する、請求項１または２に記載の樹脂基板。
4. 前記先細り形状は線形テーパーである、請求項１から３のいずれかに記載の樹脂基板。
5. 前記先細り形状は指数関数テーパーである、請求項１から３のいずれかに記載の樹脂基板。
6. 前記複数の突出部の前記先細り形状は、いずれも同じ形状である、請求項１から５のいずれかに記載の樹脂基板。
7. 前記複数の突出部の数は３以上である、請求項１から６のいずれかに記載の樹脂基板。
8. 前記カバーレイフィルムは、前記レジスト膜の外周全体を覆う、請求項１から７のいずれかに記載の樹脂基板。
9. 主面に電極パッドおよび回路用導体パターンが形成された、樹脂基材を形成する基材形成工程と、
   前記基材形成工程の後に、前記主面に沿って突出する複数の突出部を外周に有し、前記電極パッドの外周全体、および前記回路用導体パターンの一部を覆うように配置されるレジスト膜を、前記主面に形成するレジスト膜形成工程と、
   前記レジスト膜形成工程の後に、前記レジスト膜の前記複数の突出部を含む一部と、前記回路用導体パターンのうち前記レジスト膜から露出する露出部の一部とを覆うカバーレイフィルムを、前記主面に形成する、フィルム形成工程と、
   を備え、
   前記複数の突出部は、頂点を有する先細り形状であり、
   前記複数の突出部の少なくとも２つは、前記回路用導体パターンの前記露出部を挟む位置に配置される、樹脂基板の製造方法。
10. 前記複数の突出部は、それぞれ複数の前記頂点を有する先細り形状である、請求項９に記載の樹脂基板の製造方法。
11. 前記回路用導体パターンは、第１方向に延伸し、
    前記複数の突出部のうち少なくとも２つは、前記第１方向に直交する第２方向に延伸する、請求項９または１０に記載の樹脂基板の製造方法。
12. 前記カバーレイフィルムは、前記レジスト膜の外周全体を覆う、請求項９から１１のいずれかに記載の樹脂基板の製造方法。

Images