JPWO2019073801A1 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
1.半導体装置の第1の実施の形態
1.1 半導体装置の断面図
1.2 半導体装置の製造方法
2.第1実施の形態の変形例
2.1 第1変形例
2.2 第2変形例
3.半導体装置の第2の実施の形態
4.半導体装置の第3の実施の形態
5.半導体装置の第4の実施の形態
6.半導体装置の第5及び第6実施の形態
7.応用例
<1.1 半導体装置の断面図>
図1は、本技術を適用した半導体装置の第1実施の形態の構成例を示す断面図である。
次に、図3および図4を参照して、図1に示した半導体装置1の製造方法について説明する。
<2.1 第1変形例>
図6は、第1実施の形態の第1変形例を示す断面図である。
図7は、第1実施の形態の第2変形例を示す断面図である。
図8は、本技術を適用した半導体装置の第2実施の形態の構成例を示す断面図である。
図9は、本技術を適用した半導体装置の第3実施の形態の構成例を示す断面図である。
図10は、本技術を適用した半導体装置の第4実施の形態の構成例を示す断面図である。
図11および図12は、本技術を適用した半導体装置の第5及び第6実施の形態の構成例を示す断面図である。
本開示に係る技術は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット、建設機械、農業機械(トラクター)などのいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。
(1)
表面または表裏面に1層以上の配線を含む配線層が形成されたガラス基板と、
前記ガラス基板に形成された開口部の内側に配置された電子部品と、
前記ガラス基板の前記配線と前記電子部品とを接続する再配線と
を備える半導体装置。
(2)
前記ガラス基板の表面または表裏面において前記配線層が形成されていない領域である配線層未形成領域の開口幅は、前記ガラス基板に形成された前記開口部の開口幅よりも広く構成された
前記(1)に記載の半導体装置。
(3)
前記ガラス基板に形成された前記開口部の前記電子部品以外の領域には、少なくとも樹脂が充填されるように構成された
前記(1)または(2)に記載の半導体装置。
(4)
前記再配線に接続する端子部が形成された面と反対側である前記電子部品の裏面側に、放熱伝導材が充填されるように構成された
前記(1)乃至(3)のいずれかに記載の半導体装置。
(5)
前記配線層は、前記ガラス基板の表面のみに形成され、
前記放熱伝導材は、前記ガラス基板の裏面に到達する高さまで充填されるように構成された
前記(4)に記載の半導体装置。
(6)
前記配線層は、前記ガラス基板の表裏面に形成され、
前記放熱伝導材は、前記ガラス基板の裏面の前記配線層に到達する高さまで充填されるように構成された
前記(4)に記載の半導体装置。
(7)
前記ガラス基板の裏面側に、放熱板をさらに備える
前記(1)乃至(6)のいずれかに記載の半導体装置。
(8)
前記放熱板は、導電性材料で形成され、グランド端子としても機能する
前記(7)に記載の半導体装置。
(9)
前記ガラス基板には、前記開口部が複数形成されており、
複数の前記開口部それぞれの内側に、前記電子部品が配置されている
前記(1)乃至(8)のいずれかに記載の半導体装置。
(10)
前記配線層の前記配線を用いて、アンテナ回路、フィルタ回路、受動素子の少なくとも1つが形成されている
前記(1)乃至(9)のいずれかに記載の半導体装置。
(11)
前記電子部品は、アンテナ、フィルタ、パワーアンプ、スイッチ、低ノイズアンプ、フェーズシフタ、ミキサ、PLL、または、受動素子のいずれかを少なくとも含む部品である
前記(1)乃至(10)のいずれかに記載の半導体装置。
(12)
前記配線層は、前記ガラス基板の表面側のみに形成され、
前記ガラス基板の裏面側に、ディスクリート部品をさらに備える
前記(1)乃至(11)のいずれかに記載の半導体装置。
(13)
前記配線層は、前記ガラス基板の表裏面の両方に形成され、
前記ガラス基板の裏面側の前記配線層の上に、半導体素子をさらに備える
前記(1)乃至(11)のいずれかに記載の半導体装置。
(14)
ガラス基板の表面または表裏面に、1層以上の配線を含む配線層を形成し、
前記ガラス基板に開口部を形成して、前記開口部の内側に電子部品を配置し、
前記ガラス基板の前記配線と前記電子部品とを接続する再配線を形成する
半導体装置の製造方法。
(15)
前記ガラス基板の表面または表裏面の前記配線層を覆うレジストを形成し、
前記レジストが形成されていない領域の前記ガラス基板を除去して、前記ガラス基板に前記開口部を形成し、
前記ガラス基板に形成された前記開口部の開口幅は、前記レジストの未形成領域の開口幅よりも広く形成される
前記(14)に記載の半導体装置の製造方法。
(16)
前記開口部の端面から前記配線層の端面までの平面方向の距離は、前記レジストの端面から前記配線層の端面までの平面方向の距離よりも短い
前記(15)に記載の半導体装置の製造方法。
(17)
前記開口部の内側に前記電子部品を配置した後、前記電子部品の裏面に樹脂を充填し、さらに、前記樹脂の一部を除去して、放熱伝導材を充填する
前記(14)乃至(16)のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
(18)
前記開口部の内側に前記電子部品を配置する際、ブロック形状の放熱伝導材を前記電子部品の裏面に貼り付けた前記電子部品を前記開口部の内側に配置し、前記ブロック形状の放熱伝導材の周囲に樹脂を充填する
前記(14)乃至(16)のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
Claims (18)
- 表面または表裏面に1層以上の配線を含む配線層が形成されたガラス基板と、
前記ガラス基板に形成された開口部の内側に配置された電子部品と、
前記ガラス基板の前記配線と前記電子部品とを接続する再配線と
を備える半導体装置。 - 前記ガラス基板の表面または表裏面において前記配線層が形成されていない領域である配線層未形成領域の開口幅は、前記ガラス基板に形成された前記開口部の幅よりも広く構成された
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記ガラス基板に形成された前記開口部の前記電子部品以外の領域には、少なくとも樹脂が充填されるように構成された
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記再配線に接続する端子部が形成された面と反対側である前記電子部品の裏面側に、放熱伝導材が充填されるように構成された
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記配線層は、前記ガラス基板の表面のみに形成され、
前記放熱伝導材は、前記ガラス基板の裏面に到達する高さまで充填されるように構成された
請求項4に記載の半導体装置。 - 前記配線層は、前記ガラス基板の表裏面に形成され、
前記放熱伝導材は、前記ガラス基板の裏面の前記配線層に到達する高さまで充填されるように構成された
請求項4に記載の半導体装置。 - 前記ガラス基板の裏面側に、放熱板をさらに備える
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記放熱板は、導電性材料で形成され、グランド端子としても機能する
請求項7に記載の半導体装置。 - 前記ガラス基板には、前記開口部が複数形成されており、
複数の前記開口部それぞれの内側に、前記電子部品が配置されている
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記配線層の前記配線を用いて、アンテナ回路、フィルタ回路、受動素子の少なくとも1つが形成されている
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記電子部品は、アンテナ、フィルタ、パワーアンプ、スイッチ、低ノイズアンプ、フェーズシフタ、ミキサ、PLL、または、受動素子のいずれかを少なくとも含む部品である
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記配線層は、前記ガラス基板の表面側のみに形成され、
前記ガラス基板の裏面側に、ディスクリート部品をさらに備える
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記配線層は、前記ガラス基板の表裏面の両方に形成され、
前記ガラス基板の裏面側の前記配線層の上に、半導体素子をさらに備える
請求項1に記載の半導体装置。 - ガラス基板の表面または表裏面に、1層以上の配線を含む配線層を形成し、
前記ガラス基板に開口部を形成して、前記開口部の内側に電子部品を配置し、
前記ガラス基板の前記配線と前記電子部品とを接続する再配線を形成する
半導体装置の製造方法。 - 前記ガラス基板の表面または表裏面の前記配線層を覆うレジストを形成し、
前記レジストが形成されていない領域の前記ガラス基板を除去して、前記ガラス基板に前記開口部を形成し、
前記ガラス基板に形成された前記開口部の開口幅は、前記レジストの未形成領域の開口幅よりも広く形成される
請求項14に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記開口部の端面から前記配線層の端面までの平面方向の距離は、前記レジストの端面から前記配線層の端面までの平面方向の距離よりも短い
請求項15に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記開口部の内側に前記電子部品を配置した後、前記電子部品の裏面に樹脂を充填し、さらに、前記樹脂の一部を除去して、放熱伝導材を充填する
請求項14に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記開口部の内側に前記電子部品を配置する際、ブロック形状の放熱伝導材を前記電子部品の裏面に貼り付けた前記電子部品を前記開口部の内側に配置し、前記ブロック形状の放熱伝導材の周囲に樹脂を充填する
請求項14に記載の半導体装置の製造方法。
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