WO2022270110A1 - 撮像装置および電子機器 - Google Patents

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Definitions

  • the thickness of the second member may be 20 nm or more, and the length of the second member in the depth direction may be 1000 nm or more.
  • the plurality of photoelectric conversion units may be divided into groups arranged in an array, and may further include microlenses provided corresponding to each group.
  • the thickness of the silicon oxide 30 in the trench was 15 nm, and the thickness of the polycrystalline silicon 32 was 70 nm.
  • the thickness of the silicon oxide 30 in the trench was 10 nm, and the thickness of the polycrystalline silicon 32 was 80 nm.
  • the thickness of the silicon oxide 30 in the trench was set to 5 nm, and the thickness of the polycrystalline silicon 32 was set to 90 nm.
  • the quantum efficiency Qe decreases linearly as the thickness of the silicon oxide 30 decreases, and becomes nonlinear when the thickness of the silicon oxide 30 becomes thinner than 20 nm. to When blue light enters the imaging device, the quantum efficiency is worse than when red light or green light enters.
  • FIG. 16A is a cross-sectional view cut along the cut plane AA shown in FIG. 16B
  • FIG. 16B is a plan view of one pixel group.
  • the functional configuration of the integrated control unit 7600 includes a microcomputer 7610, a general-purpose communication I/F 7620, a dedicated communication I/F 7630, a positioning unit 7640, a beacon receiving unit 7650, an in-vehicle equipment I/F 7660, an audio image output unit 7670, An in-vehicle network I/F 7680 and a storage unit 7690 are shown.
  • Other control units are similarly provided with microcomputers, communication I/Fs, storage units, and the like.
  • the in-vehicle information detection unit 7500 detects in-vehicle information.
  • the in-vehicle information detection unit 7500 is connected to, for example, a driver state detection section 7510 that detects the state of the driver.
  • the driver state detection unit 7510 may include a camera that captures an image of the driver, a biosensor that detects the biometric information of the driver, a microphone that collects sounds in the vehicle interior, or the like.
  • a biosensor is provided, for example, on a seat surface, a steering wheel, or the like, and detects biometric information of a passenger sitting on a seat or a driver holding a steering wheel.
  • the in-vehicle information detection unit 7500 may calculate the degree of fatigue or concentration of the driver based on the detection information input from the driver state detection unit 7510, and determine whether the driver is dozing off. You may The in-vehicle information detection unit 7500 may perform processing such as noise canceling processing on the collected sound signal.
  • General-purpose communication I / F 7620 for example, via a base station or access point, external network (e.g., Internet, cloud network or operator-specific network) equipment (e.g., application server or control server) connected to You may
  • external network e.g., Internet, cloud network or operator-specific network
  • equipment e.g., application server or control server
  • the general-purpose communication I/F 7620 uses, for example, P2P (Peer To Peer) technology to connect terminals (for example, terminals of drivers, pedestrians, stores, or MTC (Machine Type Communication) terminals) near the vehicle. may be connected with P2P (Peer To Peer) technology to connect terminals (for example, terminals of drivers, pedestrians, stores, or MTC (Machine Type Communication) terminals) near the vehicle.
  • P2P Peer To Peer
  • MTC Machine Type Communication
  • the imaging device according to (1) wherein the second member is thinned along the first direction.
  • the imaging device according to (1) further comprising a semiconductor layer having a conductivity type different from that of the photoelectric conversion section in a region of the photoelectric conversion section other than where the second member is arranged.
  • the second member extends to the second end side along the first direction, and the sum of the thickness of the first member and the thickness of the second member is uniform along the first direction.
  • the imaging device according to (1) The imaging device according to (1).
  • the image pickup device according to any one of (1) to (15), further comprising a circuit having a pixel transistor arranged on the second end side.
  • each of the plurality of photoelectric conversion units contains silicon
  • the second member contains silicon oxide.
  • An image pickup device and a signal processing unit that performs signal processing based on a pixel signal picked up by the image pickup device, and the image pickup device is provided for each pixel and each has a first end on the light incident side. and a second end opposite to the first end; and from the first end to the second end along a boundary of each of the plurality of photoelectric conversion parts. and a first member arranged in the first direction of and between each of the plurality of photoelectric conversion units and the first member and on the first end side and having a lower refractive index than the photoelectric conversion unit and a second member containing a material.

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Abstract

［課題］量子効率の低下を抑制することのできる撮像装置およびこの撮像装置を用いた電子機器を提供する。 ［解決手段］本開示の撮像装置は、画素ごとに設けられそれぞれが光入射側の第１端部と前記第１端部と反対側の第２端部とを有する複数の光電変換部と、前記複数の光電変換部のそれぞれの境界に沿って前記第１端部から前記第２端部への第１方向に配置された第１部材と、前記複数の光電変換部のそれぞれと前記第１部材との間でかつ前記第１端部に設けられ前記光電変換部よりも屈折率が低い材料を含む第２部材と、を備えている。

Description

撮像装置および電子機器
　本開示の実施形態は、撮像装置および電子機器に関する。
　光電変換層を複数の画素に分離するトレンチ内に電極を埋め込んだ撮像装置が知られている（特許文献１）。この撮像装置においては、上記電極に負のバイアス電圧を印加することにより、受光したときに光電変換層に生じるホールを集め、暗電流および撮像された画像に白点が生じるのを抑制している。
ＷＯ２０１８／１５０９０２号公報
　しかし、特許文献１に記載された撮像装置においては、上記電極に多結晶シリコンを用いた場合には、多結晶シリコンによる光の吸収が発生し、量子効率が低下するという課題がある。
　本開示は、量子効率の低下を抑制することのできる撮像装置およびこの撮像装置を用いた電子機器を提供する。
　本開示の第１態様による撮像装置は、画素ごとに設けられそれぞれが光入射側の第１端部と前記第１端部と反対側の第２端部とを有する複数の光電変換部と、前記複数の光電変換部のそれぞれの境界に沿って前記第１端部から前記第２端部への第１方向に配置された第１部材と、前記複数の光電変換部のそれぞれと前記第１部材との間でかつ前記第１端部側に設けられ前記光電変換部よりも屈折率が低い材料を含む第２部材と、を備えている。
　第１態様による撮像装置において、前記第２部材は、導電体を含んでいてもよい。
　第１態様による撮像装置において、前記第２部材は、封止された空気を含んでいてもよい。
　第１態様による撮像装置において、前記第２部材は、前記第１方向に沿って厚さが薄くなってもよい。
　第１態様による撮像装置において、前記光電変換部において前記第２部材が配置された以外の領域に、前記光電変換部と異なる導電型の半導体層を更に備えてもよい。
　第１態様による撮像装置において、前記第２部材は、前記第１方向に沿って前記第２端部側まで延びかつ前記第１方向に沿って前記第１部材の厚さと前記第２部材の厚さの和が均一であってもよい。
　第１態様による撮像装置において、前記第２部材は、前記第１端部側における厚さが前記第２端部側における厚さよりも薄くてもよい。
　第１態様による撮像装置において、前記複数の光電変換部はそれぞれ、第１部分と第２部分を有し、前記第１部分と前記第２部分は、平面視したときに中央部の一部分以外の境界が前記第１部材で取り囲まれかつ前記一部分で接していてもよい。
　第１態様による撮像装置において、前記複数の光電変換部はそれぞれ、平面視したときに略四角形の形状を有し、前記第２部材は、前記略四角形の角部における厚さが他の部分における厚さよりも厚くてもよい。
　第１態様による撮像装置において、前記第２部材の厚さは２０ｎｍ以上であり、前記第２部材の深さ方向の長さは１０００ｎｍ以上であってもよい。
　第１態様による撮像装置において、前記第２部材は、前記複数の光電変換部のそれぞれの周囲を取り囲むように配置されてもよい。
　第１態様による撮像装置において、前記第１部材はポリシリコンを含んでいてもよい。
　第１態様による撮像装置において、前記複数の光電変換部のそれぞれに対応して設けられたマイクロレンズを更に備えていてもよい。
　第１態様による撮像装置において、前記複数の光電変換部のそれぞれと前記マイクロレンズとの間に設けられたカラーフィルタを更に備えていてもよい。
　第１態様による撮像装置において。前記複数の光電変換部は、アレイ状に配列された群に分けられ、各群に対応して設けられたマイクロレンズを更に備えていてもよい。
　第１態様による撮像装置において、前記第２端部側に配置され、画素トランジスタを有する回路を更に備えていてもよい。
　第１態様による撮像装置において、前記複数の光電変換部はそれぞれシリコンを含み、前記第２部材は酸化シリコンを含んでいてもよい。
　第２態様による電子機器は、撮像装置と、前記撮像装置で撮像された画素信号に基づいて信号処理を行う信号処理部と、を備え、前記撮像装置は、画素ごとに設けられそれぞれが光入射側の第１端部と前記第１端部と反対側の第２端部とを有する複数の光電変換部と、前記複数の光電変換部のそれぞれの境界に沿って前記第１端部から前記第２端部への第１方向に配置された第１部材と、前記複数の光電変換部のそれぞれと前記第１部材との間でかつ前記第１端部側に設けられ前記光電変換部よりも屈折率が低い材料を含む第２部材と、を備えている。
第１実施形態による撮像装置を示す断面図。 図１に示す切断面Ａ－Ａで切断した断面図。 シミュレーションに用いたサンプルの撮像装置を示す断面図。 図３に示すサンプルの光吸収抑制部の厚さを変化させた第１乃至第６サンプルを示す図。 図４に示す第１乃至第６サンプルの赤色光、緑色光、および青色光に対する量子効率を求めたシミュレーション結果を示すグラフ。 シミュレーションに用いたサンプルの撮像装置を示す断面図。 図６に示す撮像装置の光吸収抑制部を示す断面図。 図８Ａ乃至図８Ｃは、光吸収抑制部の深さ方向の長さを変化させた場合の量子効果を示す図。 図９Ａ乃至図９Ｃは、光吸収抑制部の深さ方向の長さを変化させた場合の量子効果を示す図。 図１０Ａ乃至図１０Ｅは、第１実施形態の撮像装置における光吸収抑制部の製造工程を示す断面図。 第２実施形態による撮像装置を示す断面図。 第３実施形態による撮像装置を示す断面図。 第４実施形態による撮像装置を示す断面図。 第５実施形態による撮像装置を示す断面図。 第６実施形態による撮像装置を示す断面図。 第７実施形態による撮像装置の断面図。 第７実施形態による撮像装置の１つの画素群の平面図。 第８実施形態による撮像装置を示す断面図。 第９実施形態による撮像装置を示す断面図。 第１０実施形態による撮像装置を示す断面図。 車両制御システムの概略的な構成の一例を示すブロック図。 車外情報検出部及び撮像部の設置位置の一例を示す説明図。
　本開示の実施形態について図面を参照して説明する。以下の実施形態では、撮像装置および電子機器の構成部分を主に説明するが、撮像装置および電子機器には、図示又は説明されていない構成部分や機能が存在しうる。以下の説明は、図示又は説明されていない構成部分や機能を除外するものではない。
　また、以下の説明で参照される図面は、本開示の実施形態の説明と、その理解を促すための図面であり、分かり易くするために、図中に示される形状、寸法、比などは実際と異なる場合がある。
　（第１実施形態）
　第１実施形態による撮像装置について図１および図２を参照して説明する。図１は、第１実施形態の撮像装置の断面図であり、図２は、図１に示す切断面Ａ－Ａで切断した断面図である。この第１実施形態の撮像装置は、少なくとも１つの画素群を有し、この画素群は、２行２列に配置された４個の画素１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄを備えている。各画素は光電変換部を備えている。例えば、画素１０ａは光電変換部１２ａを有し、画素１０ｂは光電変換部１２ｂを有し、画素１０ｃは光電変換部１２ｃを有し、画素１０ｄは光電変換部１２ｄを有している。これらの光電変換部１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄは、光電変換層１２に形成されたトレンチ１３によって互いに絶縁分離されている。すなわち、トレンチ１３は光電変換部１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄのそれぞれを取り囲むように形成される。そして、各トレンチ１３内には、導電体（第１部材）１４が埋め込まれる。本実施形態では、導電体１４として、例えば多結晶シリコンが用いられる。この導電体１４に負のバイアス電位が印加される。導電体１４に負のバイアス電位が印加されることにより、受光時に発生するホールを導電体１４に集め、暗電流や撮像された画像に白点が発生するのを抑制することができる。
　光電変換部１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄのそれぞれの上方には、マイクロレンズ１８が設けられている。光電変換部１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄのそれぞれと、対応するマイクロレンズ１８との間にはカラーフィルタが設けられている。例えば、光電変換部１２ａとマイクロレンズ１８との間にカラーフィルタ１７ａが設けられ、光電変換部１２ｂとマイクロレンズ１８との間にカラーフィルタ１７ｂが設けられている。これらのカラーフィルタを取り囲むように画素間遮光部１６が設けられている。この画素間遮光部１６は、トレンチ１３内に埋め込まれた導電体１４上に配置される。
　図１に示すように、光電変換部１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄのそれぞれにおいて、カラーフィルタ側の上端部に光吸収抑制部（第２部材）１５が設けられている。図２に示すように、光吸収抑制部１５は、光電変換部１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄのそれぞれの周囲を取り囲むように形成される。そして、図２に示すように、光吸収抑制部１５は、光電変換部の角部における厚さｂが他の部分の厚さａよりも厚くなっている。光吸収抑制部１５としては、光電変換部１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄに含まれる材料よりも屈折率の低い材料が用いられる。例えば、光電変換部１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄが例えばシリコンを含んでいれば、光吸収抑制部１５としては、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ）が用いられる。
　画素群の下端部（マイクロレンズ１８と反対側の端部）には、画素群から信号を読み出すための画素トランジスタおよびそれらを駆動する回路２０が設けられている。この回路２０は、光電変換部１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄに接続する転送ゲートＴＧを含む第１段部２６と、リセットトランジスタＲＳＴおよび増幅トランジスタＡＭＰならびに選択トランジスタＳＥＬ等の画素トランジスタが配置される第２段部２４と、配線が積層された積層配線部２２とを有する３段構造を備えている。
　以上説明したように、本実施形態の撮像装置においては、画素１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄを互いに分離するトレンチ１３内に、例えば多結晶シリコンを含む導電体１４が設けられ、この導電体１４と光電変換部１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄとの間には、光吸収抑制部１５が設けられている。そして、光吸収抑制部１５は、光電変換部１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄのそれぞれにおいて、カラーフィルタ側の上端部に設けられ、かつ光吸収抑制部１５としては、光電変換部１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄに含まれる材料よりも屈折率の低い材料が用いられる。これにより、受光時に光電変換層１２において発生した光が多結晶シリコンを含む導電体１４に吸収される主要因であるエバネッセント光の染み出しを抑制することが可能となり、量子効率が低下するのを抑制することができる。なお、本明細書においては、光電変換部が画素ごとに設けられ、光電変換層１２はすべての光電変換部を含む半導体層である。
　次に、第１実施形態の撮像装置において、光吸収抑制部１５の適切な厚さについて、シミュレーションを用いて求めた。このシミュレーションに用いた撮像装置の断面を図３に示す。図３に示す撮像装置は、酸化シリコン（ＳｉＯ）３０が埋め込まれたトレンチによって互いに分離された光電変換部１２ａ、１２ｂを備えている。酸化シリコン３０は、多結晶シリコン３２を覆うように配置され、この多結晶シリコン３２の厚さによってトレンチ内の厚さが調整される。各光電変換層１２上には、固定電荷膜３４と、固定電荷膜３４上に配置された酸化膜３６と、が設けられている。また、半導体基板の光入射面には光の反射を防止する凹凸構造３８が設けられている。
　各光電変換部１２ａ、１２ｂに対応して、酸化膜３６上にカラーフィルタ１７ａ、１７ｂが配置される。カラーフィルタ１７ａは例えば緑色フィルタであり、カラーフィルタ１７ｂは赤色フィルタである。なお、図３には図示していないが、カラーフィルタには青色フィルタもある。これらのカラーフィルタはそれぞれ低屈折導波路３９によって分離されている。すなわち、低屈折導波路３９は、カラーフィルタを互いに光学的に分離し、かつトレンチ上に位置し、多結晶シリコン３２からトレンチ内に配置された酸化シリコン３０に染み出した光を検出するために用いられる。カラーフィルタ１７ａ、１７ｂ上に、各光電変換部に対応してマイクロレンズ１８が設けられている。
　このような構造を有する撮像装置において、トレンチ内の酸化シリコン３０の厚さを多結晶シリコン３２の厚さによって調整したサンプルを図４に示す。各サンプルはともにトレンチの幅を１００ｎｍとして、第１乃至第６サンプルを用意した。第１サンプルはトレンチ内の酸化シリコン３０の厚さを１００ｎｍ、多結晶シリコン３２の厚さを０ｎｍとした。第２サンプルはトレンチ内の酸化シリコン３０の厚さを３０ｎｍ、多結晶シリコン３２の厚さを４０ｎｍとした。第３サンプルはトレンチ内の酸化シリコン３０の厚さを２０ｎｍ、多結晶シリコン３２の厚さを６０ｎｍとした。第４サンプルはトレンチ内の酸化シリコン３０の厚さを１５ｎｍ、多結晶シリコン３２の厚さを７０ｎｍとした。第５サンプルはトレンチ内の酸化シリコン３０の厚さを１０ｎｍ、多結晶シリコン３２の厚さを８０ｎｍとした。第６サンプルはトレンチ内の酸化シリコン３０の厚さを５ｎｍ、多結晶シリコン３２の厚さを９０ｎｍとした。
　第１乃至第６サンプルに対してシミュレーションを行い、量子効率Ｑｅ（撮像装置に入射した光子のうち電気信号として取り出せる電子に変換されるものの割合）を求めた。この結果を図５に示す。このシミュレーションにおいて、赤色光の波長を６００ｎｍ、緑色光の波長を５３０ｎｍ、青色光の波長を４６０ｎｍとして計算を行った。緑色光および赤色光が撮像装置に入射した場合においては、量子効率Ｑｅは、酸化シリコン３０の厚さが減少するにつれて線形的に減少し、酸化シリコン３０の厚さが２０ｎｍよりも薄くなると非線形的に減少する。青色光が撮像装置に入射した場合においては、赤色光または緑色光が入射した場合に比べて、量子効率は悪くなっている。青色光が撮像装置に入射した場合においては、酸化シリコン３０の厚さが１０ｎｍまで薄くなるに連れて量子効率Ｑｅは、線形的に減少し、１０ｎｍよりも薄くなると、非線形的に減少する。以上のことから、図４に示す撮像装置においては、酸化シリコンの厚さが２０ｎｍ未満になると、エバネッセント光の染み出しが大きくなっている。このため、酸化シリコン３０の厚さ、すなわち光吸収抑制部１５の厚さが２０ｎｍ以上であれば、エバネッセント光の染み出しを抑制することが可能となり、量子効率の低下を抑制することができる。
　次に、第１実施形態の撮像装置において、光吸収抑制部１５の深さ方向の適切な長さについて、シミュレーションを用いて求めた。このシミュレーションに用いた撮像装置の断面を図６に示す。図６に示す撮像装置は、図３に示す撮像装置において、トレンチ内の多結晶シリコンの一部を固定電荷膜３４によって置き換えた構成を有している。トレンチ内において、多結晶シリコンの一部を固定電荷膜３４によって置き換えた構成を図７に示す。トレンチの側面に沿って凹凸構造３８と同じ材料の酸化部材３８ａが配置され、この酸化部材３８ａの側面および底面に沿って固定電荷膜３４が配置される。この固定電荷膜３４の中央部には固定電荷膜３４の底部に達する酸化膜３６ｂが配置されている。
　シミュレーションの対象となる第１乃至第６サンプルを用意する。第１サンプルは、トレンチ内に全て酸化シリコンが埋め込まれた撮像装置（以下、ＦＴＩ－ＳｉＯとも云う）、第２サンプルはトレンチ内に全て多結晶シリコンが埋め込まれた撮像装置（以下、ＦＴＩ－Ｐｏｌｙとも云う）、第３サンプルは、トレンチ内の固定電荷膜３４の深さが２００ｎｍの撮像装置（以下、ＳＣＦ２００とも云う）、第４サンプルは、トレンチ内の固定電荷膜３４の深さが４００ｎｍの撮像装置、第５サンプルは、トレンチ内の固定電荷膜３４の深さが８００ｎｍの撮像装置（以下、ＳＣＦ８００とも云う）、第６サンプルは、トレンチ内の固定電荷膜３４の深さが１０００ｎｍの撮像装置（以下、ＳＣＦ１０００とも云う）である。すなわち、第１サンプルは、エバネッセント光の染み出しが殆どない撮像装置であり、第２サンプルはエバネッセント光の染み出しが最も大きな撮像装置であり、第３乃至第６サンプルは、エバネッセント光の染み出しが第１サンプルと第２サンプルの中間の位置にある撮像装置である。
　第１乃至第６サンプルに入射角度が０度の青色光を照射した場合の量子効率Ｑｅを求めた結果を図８Ａに示す。第６サンプルは第１サンプルとほぼ同じ量子効率を得ることができ、第２サンプルに比べて約５％高い量子効率を得ることができる。量子効率Ｑｅは第２サンプル、第３サンプル、第４サンプル、第５サンプル、第６サンプルの順に高くなっている。
　第１乃至第６サンプルに入射角度が０度の緑色光を照射した場合の量子効率Ｑｅを求めた結果を図８Ｂに示す。第６サンプルは第１サンプルよりも１．５％低い量子効率となっているが、第２サンプルに比べて約３％高い量子効率を得ることができる。量子効率Ｑｅは第２サンプル、第３サンプル、第４サンプル、第５サンプル、第６サンプルの順に高くなっている。
　第１乃至第６サンプルに入射角度が０度の赤色光を照射した場合の量子効率Ｑｅを求めた結果を図８Ｃに示す。第６サンプルは第１サンプルよりも１．４％低い量子効率となっているが、第２サンプルに比べて約１％高い量子効率を得ることができる。量子効率Ｑｅは第２サンプル、第３サンプル、第４サンプル、第５サンプル、第６サンプルの順に高くなっている。
　第１乃至第６サンプルに入射角度が３６度の青色光を照射した場合の量子効率Ｑｅを求めた結果を図９Ａに示す。第６サンプルは第１サンプルとほぼ同じ量子効率を得ることができ、第２サンプルに比べて約５％高い量子効率を得ることができる。量子効率Ｑｅは第２サンプル、第３サンプル、第４サンプル、第５サンプル、第６サンプルの順に高くなっている。
　第１乃至第６サンプルに入射角度が３６度の緑色光を照射した場合の量子効率Ｑｅを求めた結果を図９Ｂに示す。第６サンプルは第１サンプルよりも１．３％低い量子効率となっているが、第２サンプルに比べて約４％高い量子効率を得ることができる。量子効率Ｑｅは第２サンプル、第３サンプル、第４サンプル、第５サンプル、第６サンプルの順に高くなっている。
　第１乃至第６サンプルに入射角度が０度の赤色光を照射した場合の量子効率Ｑｅを求めた結果を図９Ｃに示す。第６サンプルは第１サンプルよりも３％低い量子効率となっているが、第２サンプルに比べて約２％高い量子効率を得ることができる。量子効率Ｑｅは第２サンプル、第３サンプル、第４サンプル、第５サンプル、第６サンプルの順に高くなっている。
　図８Ａおよび図９Ａからわかるように、青色光の場合は、固定電荷膜３４の深さ方向の長さが２００ｎｍで量子効率が大きく改善し、それ以降の長さでは微増する。図８Ｂおよび図９Ｂからわかるように、緑色光の場合は、第６サンプルは、第２サンプルに比べて固定電荷膜３４の深さ方向の長さが８００ｎｍで量子効率が２．４％から３．２％改善し、固定電荷膜３４の深さ方向の長さが１００ｎｍで量子効率が３％～約４％改善している。図８Ｃおよび図９Ｃからわかるように、赤色光の場合は、量子効率は、固定電荷膜３４の深さ方向の長さが深くなるに連れて微増する。
　図８Ａ乃至図９Ｃからわかるように、赤色光の場合は、固定電荷膜３４の深さ方向の長さが長くなっても量子効率は微増する。しかし、緑色光および青色光の場合は、固定電荷膜３４の深さ方向の長さが長くなるにつれて量子効率は増加し、固定電荷膜３４の深さ方向の長さが１０００ｎｍ（１μｍ）で、エバネッセント光の染み出しの殆ど無い第１サンプルの量子効率に近くなり、光の吸収を抑制する効果を得ることができる。
　次に、第１実施形態の撮像装置の光吸収抑制部１５の製造方法を図１０Ａ乃至図１０Ｅを参照して説明する。まず、図１０Ａに示すように、画素トランジスタおよびそれらを駆動する回路２０上に光電変換層１２を形成し、この光電変換層１２に、画素を分離し光学的に絶縁するトレンチを形成し、このトレンチ内に導電体１４を埋め込む。これにより、光電変換層１２は光電変換部１２となる。続いて、光電変換部１２および導電体１４上にマスク４００を形成する（図１０Ａ参照）。
　次に、マスク４００を用いて光電変換部１２をドライエッチング、例えばＲＩＥ(Reactive Ion Etching)を行う、これにより光電変換部１２は深さが例えば１μｍエッチングされる。光電変換部１２がエッチングによって除去された領域４０２が、光吸収抑制部１５が設けられる領域となる。その後、マスク４００を除去する（図１０Ｂ参照）。
　次に、例えば酸化シリコン４１０を堆積し、領域４０２を埋め込む（図１０Ｃ参照）。続いて、酸化シリコン４１０の表面をＣＭＰ(Chemical Mechanical Etching)で平坦化し、光電変換部１２の表面を露出する（図１０Ｄ参照）。これにより、酸化シリコンからなる光吸収抑制部１５が形成される。その後、固定電荷膜４２０を堆積し、この固定電荷膜４２０上に酸化膜４３０を形成し、
　以上説明したように、第１実施形態によれば、量子効率の低下を抑制することのできる撮像装置を提供することができる。
　（第２実施形態）
　第２実施形態による撮像装置を図１１に示す。この第２実施形態の撮像装置は、図１に示す撮像装置において、光吸収抑制部１５の材料を酸化シリコン（ＳｉＯ）から光電変換部の材料よりも屈折率の低い材料を用いた構成を備えている。例えば、光電変換部１２ａ、１２ｂがシリコンを含む半導体であれば、シリコンよりも屈折率の低い材料が光吸収抑制部１５に用いられる。光電変換部１２ａ、１２ｂが化合物半導体を含めば、この化合物半導体よりも屈折率の低い材料が用いられる。このように構成することにより、反射率を向上させることが可能となり、多結晶シリコンに光が吸収されるのを抑制することができる。第２実施形態の撮像装置も、第１実施形態と同様に、量子効率の低下を抑制することができる。
　（第３実施形態）
　第３実施形態による撮像装置を図１２に示す。この第３実施形態の撮像装置は、図１に示す撮像装置において、光吸収抑制部１５は酸化シリコンではなく、空気が封止された構成を有している。空気はシリコンよりも屈折率が低いので、第３実施形態の撮像装置も、第１実施形態と同様に、量子効率の低下を抑制することができる。
　（第４実施形態）
　第４実施形態による撮像装置を図１３に示す。この第４実施形態の撮像装置は、図１に示す撮像装置において、光吸収抑制部１５は深さ方向に沿って厚さが減少する構成を有している。これにより、深さ方向における光吸収抑制部の厚さが薄くなり、導電体１４から光電変換部１２に作用する電界が印加される領域を広くすることができる。エバネッセント光の染み出しの強い浅部では厚さの厚い光吸収抑制部１５で抑制し、深部では導電体１４に負バイアスを印加することにより、撮像された画像に白点が生じるのを抑制する。第４形態の撮像装置も、第１実施形態と同様に、量子効率の低下を抑制することができる。
　（第５実施形態）
　第５実施形態による撮像装置を図１４に示す。この第５実施形態の撮像装置は、図１に示す撮像装置において、光吸収抑制部１５によって囲まれた光電変換部１２ａ、１２ｂの上端部の領域を光電変換部１２ａ、１２ｂの導電型と異なる導電型の半導体層２８とした構成を備えている。光吸収抑制部１５によって囲まれた領域は、導電体１４に印加される負バイアスが作用しないため、光電変換部１２ａ、１２ｂと導電型が異なる半導体層２８を設けることにより、撮像された画像に白点が生じるのを抑制することができる。第５形態の撮像装置も、第１実施形態と同様に、量子効率の低下を抑制することができる。
　（第６実施形態）
　第６実施形態による撮像装置を図１５に示す。この第６実施形態の撮像装置は、図１に示す撮像装置において、光吸収抑制部１５が光電変換部１２ａ、１２ｂの上端部だけでなく、深さ方向に沿って下端部までも設けられ、かつ導電体１４の厚さと光吸収抑制部１５の厚さの和がほぼ一定となるように構成されている。このため、光吸収抑制部１５は、光電変換部１２ａ、１２ｂの上端部では厚く、下端部では薄くなっている。エバネッセント光の染み出しの強い光電変換部の上端部では光吸収抑制部１５の厚さが他の部分よりも厚いため、第１実施形態と同様に、量子効率の低下を抑制することができる。なお、本実施形態においては、光電変換部１２ａ、１２ｂの厚さ（図面上で水平方向の長さ）がほぼ一定となっている。
　（第７実施形態）
　第７実施形態による撮像装置について図１６Ａ、１６Ｂを参照して説明する。図１６Ａは、図１６Ｂに示す切断面Ａ－Ａで切断した断面図、図１６Ｂは１つの画素群の平面図である。
　この第７実施形態の撮像装置は、図１に示す撮像装置において、４個の画素１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄからなる画素群において、各画素、例えば画素１０ａの光電変換部１２ａを２つの光電変換部分１２ａ１、１２ａ２に分け、分けられた２つの光電変換部分１２ａ１，１２ａ２は、トレンチに埋め込まれた導電体１４ａによって分離される。光電変換部分１２ａ１、１２ａ２は、図１６Ｂからわかるように、トレンチ内に設けられた導電体１４ａに分離される。この導電体１４ａは、平面視したときに中央部に切断されており、これにより、光電変換部分１２ａ１および光電変換部分１２ａ２がこの切断箇所で接続される。この導電体１４ａの側部は、光電変換部分１２ａ１、１２ａ２の上端部において光吸収抑制部１５よって取り囲まれている。なお、マイクロレンズ１８は、２つの光電変換部分１２ａ１、１２ａ２によって共有される。
　このように構成された第７実施形態においては、各画素の光電変換部を２つの光電変換部分に分けたことにより画像の位相差を検出することができる。第７形態の撮像装置も、第１実施形態と同様に、量子効率の低下を抑制することができる。
　（第８実施形態）
　第８実施形態による撮像装置を図１７に示す。図１に示す撮像装置においては、１つの画素群を構成する各画素に対してマイクロレンズ１８が設けられている。しかし、第８実施形態においては、１つの画素群に対して１つのマイクロレンズが設けられた構成を有している。マイクロレンズ１８以外は、第１実施形態と同様の構成を有している。第８形態の撮像装置も、第１実施形態と同様に、量子効率の低下を抑制することができる。
　（第９実施形態）
　第９実施形態による撮像装置を図１８に示す。図１に示す撮像装置においては、１つの画素群に対して、画素トランジスタおよびそれらを駆動する回路２０が設けられ、この回路は３段構造を有している。第９実施形態の撮像装置においては、リセットトランジスタＲＳＴ、増幅トランジスタＡＭＰ、および選択トランジスタＳＥＬ等の画素トランジスタが同じ階層に配置された構成を有している。それ以外は、第１実施形態の撮像装置と同じ構成を備えている。第９形態の撮像装置も、第１実施形態と同様に、量子効率の低下を抑制することができる。
　（第１０実施形態）
　第１０実施形態による撮像装置を図１９に示す。図１に示す撮像装置においては、導電体１４は例えば多結晶シリコンを含んでいた。第１０実施形態の撮像装置においては、導電体１４として、光電変換部に含まれる材料よりも低屈折率の導電金属材料、例えば酸化タンタル、タングステン等が用いられる。第１０形態の撮像装置も、第１実施形態と同様に、量子効率の低下を抑制することができる。
　（応用例）
　本開示に係る技術は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット、建設機械、農業機械（トラクター）などのいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。
　図２０は、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例である車両制御システム７０００の概略的な構成例を示すブロック図である。車両制御システム７０００は、通信ネットワーク７０１０を介して接続された複数の電子制御ユニットを備える。図１９に示した例では、車両制御システム７０００は、駆動系制御ユニット７１００、ボディ系制御ユニット７２００、バッテリ制御ユニット７３００、車外情報検出ユニット７４００、車内情報検出ユニット７５００、及び統合制御ユニット７６００を備える。これらの複数の制御ユニットを接続する通信ネットワーク７０１０は、例えば、ＣＡＮ（Controller　Area　Network）、ＬＩＮ（Local　Interconnect　Network）、ＬＡＮ（Local　Area　Network）又はＦｌｅｘＲａｙ（登録商標）等の任意の規格に準拠した車載通信ネットワークであってよい。
　各制御ユニットは、各種プログラムにしたがって演算処理を行うマイクロコンピュータと、マイクロコンピュータにより実行されるプログラム又は各種演算に用いられるパラメータ等を記憶する記憶部と、各種制御対象の装置を駆動する駆動回路とを備える。各制御ユニットは、通信ネットワーク７０１０を介して他の制御ユニットとの間で通信を行うためのネットワークＩ／Ｆを備えるとともに、車内外の装置又はセンサ等との間で、有線通信又は無線通信により通信を行うための通信Ｉ／Ｆを備える。図２０では、統合制御ユニット７６００の機能構成として、マイクロコンピュータ７６１０、汎用通信Ｉ／Ｆ７６２０、専用通信Ｉ／Ｆ７６３０、測位部７６４０、ビーコン受信部７６５０、車内機器Ｉ／Ｆ７６６０、音声画像出力部７６７０、車載ネットワークＩ／Ｆ７６８０及び記憶部７６９０が図示されている。他の制御ユニットも同様に、マイクロコンピュータ、通信Ｉ／Ｆ及び記憶部等を備える。
　駆動系制御ユニット７１００は、各種プログラムにしたがって車両の駆動系に関連する装置の動作を制御する。例えば、駆動系制御ユニット７１００は、内燃機関又は駆動用モータ等の車両の駆動力を発生させるための駆動力発生装置、駆動力を車輪に伝達するための駆動力伝達機構、車両の舵角を調節するステアリング機構、及び、車両の制動力を発生させる制動装置等の制御装置として機能する。駆動系制御ユニット７１００は、ＡＢＳ（Antilock　Brake　System）又はＥＳＣ（Electronic　Stability　Control）等の制御装置としての機能を有してもよい。
　駆動系制御ユニット７１００には、車両状態検出部７１１０が接続される。車両状態検出部７１１０には、例えば、車体の軸回転運動の角速度を検出するジャイロセンサ、車両の加速度を検出する加速度センサ、あるいは、アクセルペダルの操作量、ブレーキペダルの操作量、ステアリングホイールの操舵角、エンジン回転数又は車輪の回転速度等を検出するためのセンサのうちの少なくとも一つが含まれる。駆動系制御ユニット７１００は、車両状態検出部７１１０から入力される信号を用いて演算処理を行い、内燃機関、駆動用モータ、電動パワーステアリング装置又はブレーキ装置等を制御する。
　ボディ系制御ユニット７２００は、各種プログラムにしたがって車体に装備された各種装置の動作を制御する。例えば、ボディ系制御ユニット７２００は、キーレスエントリシステム、スマートキーシステム、パワーウィンドウ装置、あるいは、ヘッドランプ、バックランプ、ブレーキランプ、ウィンカー又はフォグランプ等の各種ランプの制御装置として機能する。この場合、ボディ系制御ユニット７２００には、鍵を代替する携帯機から発信される電波又は各種スイッチの信号が入力され得る。ボディ系制御ユニット７２００は、これらの電波又は信号の入力を受け付け、車両のドアロック装置、パワーウィンドウ装置、ランプ等を制御する。
　バッテリ制御ユニット７３００は、各種プログラムにしたがって駆動用モータの電力供給源である二次電池７３１０を制御する。例えば、バッテリ制御ユニット７３００には、二次電池７３１０を備えたバッテリ装置から、バッテリ温度、バッテリ出力電圧又はバッテリの残存容量等の情報が入力される。バッテリ制御ユニット７３００は、これらの信号を用いて演算処理を行い、二次電池７３１０の温度調節制御又はバッテリ装置に備えられた冷却装置等の制御を行う。
　車外情報検出ユニット７４００は、車両制御システム７０００を搭載した車両の外部の情報を検出する。例えば、車外情報検出ユニット７４００には、撮像部７４１０及び車外情報検出部７４２０のうちの少なくとも一方が接続される。撮像部７４１０には、ＴｏＦ（Time　Of　Flight）カメラ、ステレオカメラ、単眼カメラ、赤外線カメラ及びその他のカメラのうちの少なくとも一つが含まれる。車外情報検出部７４２０には、例えば、現在の天候又は気象を検出するための環境センサ、あるいは、車両制御システム７０００を搭載した車両の周囲の他の車両、障害物又は歩行者等を検出するための周囲情報検出センサのうちの少なくとも一つが含まれる。
　環境センサは、例えば、雨天を検出する雨滴センサ、霧を検出する霧センサ、日照度合いを検出する日照センサ、及び降雪を検出する雪センサのうちの少なくとも一つであってよい。周囲情報検出センサは、超音波センサ、レーダ装置及びＬＩＤＡＲ（Light　Detection　and　Ranging、Laser　Imaging　Detection　and　Ranging）装置のうちの少なくとも一つであってよい。これらの撮像部７４１０及び車外情報検出部７４２０は、それぞれ独立したセンサないし装置として備えられてもよいし、複数のセンサないし装置が統合された装置として備えられてもよい。
　ここで、図２１は、撮像部７４１０及び車外情報検出部７４２０の設置位置の例を示す。撮像部７９１０，７９１２，７９１４，７９１６，７９１８は、例えば、車両７９００のフロントノーズ、サイドミラー、リアバンパ、バックドア及び車室内のフロントガラスの上部のうちの少なくとも一つの位置に設けられる。フロントノーズに備えられる撮像部７９１０及び車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部７９１８は、主として車両７９００の前方の画像を取得する。サイドミラーに備えられる撮像部７９１２，７９１４は、主として車両７９００の側方の画像を取得する。リアバンパ又はバックドアに備えられる撮像部７９１６は、主として車両７９００の後方の画像を取得する。車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部７９１８は、主として先行車両又は、歩行者、障害物、信号機、交通標識又は車線等の検出に用いられる。
　なお、図２１には、それぞれの撮像部７９１０，７９１２，７９１４，７９１６の撮影範囲の一例が示されている。撮像範囲ａは、フロントノーズに設けられた撮像部７９１０の撮像範囲を示し、撮像範囲ｂ，ｃは、それぞれサイドミラーに設けられた撮像部７９１２，７９１４の撮像範囲を示し、撮像範囲ｄは、リアバンパ又はバックドアに設けられた撮像部７９１６の撮像範囲を示す。例えば、撮像部７９１０，７９１２，７９１４，７９１６で撮像された画像データが重ね合わせられることにより、車両７９００を上方から見た俯瞰画像が得られる。
　車両７９００のフロント、リア、サイド、コーナ及び車室内のフロントガラスの上部に設けられる車外情報検出部７９２０，７９２２，７９２４，７９２６，７９２８，７９３０は、例えば超音波センサ又はレーダ装置であってよい。車両７９００のフロントノーズ、リアバンパ、バックドア及び車室内のフロントガラスの上部に設けられる車外情報検出部７９２０，７９２６，７９３０は、例えばＬＩＤＡＲ装置であってよい。これらの車外情報検出部７９２０～７９３０は、主として先行車両、歩行者又は障害物等の検出に用いられる。
　図２０に戻って説明を続ける。車外情報検出ユニット７４００は、撮像部７４１０に車外の画像を撮像させるとともに、撮像された画像データを受信する。また、車外情報検出ユニット７４００は、接続されている車外情報検出部７４２０から検出情報を受信する。車外情報検出部７４２０が超音波センサ、レーダ装置又はＬＩＤＡＲ装置である場合には、車外情報検出ユニット７４００は、超音波又は電磁波等を発信させるとともに、受信された反射波の情報を受信する。車外情報検出ユニット７４００は、受信した情報に基づいて、人、車、障害物、標識又は路面上の文字等の物体検出処理又は距離検出処理を行ってもよい。車外情報検出ユニット７４００は、受信した情報に基づいて、降雨、霧又は路面状況等を認識する環境認識処理を行ってもよい。車外情報検出ユニット７４００は、受信した情報に基づいて、車外の物体までの距離を算出してもよい。
　また、車外情報検出ユニット７４００は、受信した画像データに基づいて、人、車、障害物、標識又は路面上の文字等を認識する画像認識処理又は距離検出処理を行ってもよい。車外情報検出ユニット７４００は、受信した画像データに対して歪補正又は位置合わせ等の処理を行うとともに、異なる撮像部７４１０により撮像された画像データを合成して、俯瞰画像又はパノラマ画像を生成してもよい。車外情報検出ユニット７４００は、異なる撮像部７４１０により撮像された画像データを用いて、視点変換処理を行ってもよい。
　車内情報検出ユニット７５００は、車内の情報を検出する。車内情報検出ユニット７５００には、例えば、運転者の状態を検出する運転者状態検出部７５１０が接続される。運転者状態検出部７５１０は、運転者を撮像するカメラ、運転者の生体情報を検出する生体センサ又は車室内の音声を集音するマイク等を含んでもよい。生体センサは、例えば、座面又はステアリングホイール等に設けられ、座席に座った搭乗者又はステアリングホイールを握る運転者の生体情報を検出する。車内情報検出ユニット７５００は、運転者状態検出部７５１０から入力される検出情報に基づいて、運転者の疲労度合い又は集中度合いを算出してもよいし、運転者が居眠りをしていないかを判別してもよい。車内情報検出ユニット７５００は、集音された音声信号に対してノイズキャンセリング処理等の処理を行ってもよい。
　統合制御ユニット７６００は、各種プログラムにしたがって車両制御システム７０００内の動作全般を制御する。統合制御ユニット７６００には、入力部７８００が接続されている。入力部７８００は、例えば、タッチパネル、ボタン、マイクロフォン、スイッチ又はレバー等、搭乗者によって入力操作され得る装置によって実現される。統合制御ユニット７６００には、マイクロフォンにより入力される音声を音声認識することにより得たデータが入力されてもよい。入力部７８００は、例えば、赤外線又はその他の電波を利用したリモートコントロール装置であってもよいし、車両制御システム７０００の操作に対応した携帯電話又はＰＤＡ（Personal　Digital　Assistant）等の外部接続機器であってもよい。入力部７８００は、例えばカメラであってもよく、その場合搭乗者はジェスチャにより情報を入力することができる。あるいは、搭乗者が装着したウェアラブル装置の動きを検出することで得られたデータが入力されてもよい。さらに、入力部７８００は、例えば、上記の入力部７８００を用いて搭乗者等により入力された情報に基づいて入力信号を生成し、統合制御ユニット７６００に出力する入力制御回路などを含んでもよい。搭乗者等は、この入力部７８００を操作することにより、車両制御システム７０００に対して各種のデータを入力したり処理動作を指示したりする。
　記憶部７６９０は、マイクロコンピュータにより実行される各種プログラムを記憶するＲＯＭ（Read　Only　Memory）、及び各種パラメータ、演算結果又はセンサ値等を記憶するＲＡＭ（Random　Access　Memory）を含んでいてもよい。また、記憶部７６９０は、ＨＤＤ（Hard　Disc　Drive）等の磁気記憶デバイス、半導体記憶デバイス、光記憶デバイス又は光磁気記憶デバイス等によって実現してもよい。
　汎用通信Ｉ／Ｆ７６２０は、外部環境７７５０に存在する様々な機器との間の通信を仲介する汎用的な通信Ｉ／Ｆである。汎用通信Ｉ／Ｆ７６２０は、ＧＳＭ（登録商標）（Global　System　of　Mobile　communications）、ＷｉＭＡＸ（登録商標）、ＬＴＥ（登録商標）（Long　Term　Evolution）若しくはＬＴＥ－Ａ（LTE－Advanced）などのセルラー通信プロトコル、又は無線ＬＡＮ（Ｗｉ－Ｆｉ（登録商標）ともいう）、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）などのその他の無線通信プロトコルを実装してよい。汎用通信Ｉ／Ｆ７６２０は、例えば、基地局又はアクセスポイントを介して、外部ネットワーク（例えば、インターネット、クラウドネットワーク又は事業者固有のネットワーク）上に存在する機器（例えば、アプリケーションサーバ又は制御サーバ）へ接続してもよい。また、汎用通信Ｉ／Ｆ７６２０は、例えばＰ２Ｐ（Peer　To　Peer）技術を用いて、車両の近傍に存在する端末（例えば、運転者、歩行者若しくは店舗の端末、又はＭＴＣ（Machine　Type　Communication）端末）と接続してもよい。
　専用通信Ｉ／Ｆ７６３０は、車両における使用を目的として策定された通信プロトコルをサポートする通信Ｉ／Ｆである。専用通信Ｉ／Ｆ７６３０は、例えば、下位レイヤのＩＥＥＥ８０２．１１ｐと上位レイヤのＩＥＥＥ１６０９との組合せであるＷＡＶＥ（Wireless　Access　in　Vehicle　Environment）、ＤＳＲＣ（Dedicated　Short　Range　Communications）、又はセルラー通信プロトコルといった標準プロトコルを実装してよい。専用通信Ｉ／Ｆ７６３０は、典型的には、車車間（Vehicle　to　Vehicle）通信、路車間（Vehicle　to　Infrastructure）通信、車両と家との間（Vehicle　to　Home）の通信及び歩車間（Vehicle　to　Pedestrian）通信のうちの１つ以上を含む概念であるＶ２Ｘ通信を遂行する。
　測位部７６４０は、例えば、ＧＮＳＳ（Global　Navigation　Satellite　System）衛星からのＧＮＳＳ信号（例えば、ＧＰＳ（Global　Positioning　System）衛星からのＧＰＳ信号）を受信して測位を実行し、車両の緯度、経度及び高度を含む位置情報を生成する。なお、測位部７６４０は、無線アクセスポイントとの信号の交換により現在位置を特定してもよく、又は測位機能を有する携帯電話、ＰＨＳ若しくはスマートフォンといった端末から位置情報を取得してもよい。
　ビーコン受信部７６５０は、例えば、道路上に設置された無線局等から発信される電波あるいは電磁波を受信し、現在位置、渋滞、通行止め又は所要時間等の情報を取得する。なお、ビーコン受信部７６５０の機能は、上述した専用通信Ｉ／Ｆ７６３０に含まれてもよい。
　車内機器Ｉ／Ｆ７６６０は、マイクロコンピュータ７６１０と車内に存在する様々な車内機器７７６０との間の接続を仲介する通信インタフェースである。車内機器Ｉ／Ｆ７６６０は、無線ＬＡＮ、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）、ＮＦＣ（Near　Field　Communication）又はＷＵＳＢ（Wireless　USB）といった無線通信プロトコルを用いて無線接続を確立してもよい。また、車内機器Ｉ／Ｆ７６６０は、図示しない接続端子（及び、必要であればケーブル）を介して、ＵＳＢ（Universal　Serial　Bus）、ＨＤＭＩ（登録商標）（High-Definition　Multimedia　Interface、又はＭＨＬ（Mobile　High-definition　Link）等の有線接続を確立してもよい。車内機器７７６０は、例えば、搭乗者が有するモバイル機器若しくはウェアラブル機器、又は車両に搬入され若しくは取り付けられる情報機器のうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。また、車内機器７７６０は、任意の目的地までの経路探索を行うナビゲーション装置を含んでいてもよい。車内機器Ｉ／Ｆ７６６０は、これらの車内機器７７６０との間で、制御信号又はデータ信号を交換する。
　車載ネットワークＩ／Ｆ７６８０は、マイクロコンピュータ７６１０と通信ネットワーク７０１０との間の通信を仲介するインタフェースである。車載ネットワークＩ／Ｆ７６８０は、通信ネットワーク７０１０によりサポートされる所定のプロトコルに則して、信号等を送受信する。
　統合制御ユニット７６００のマイクロコンピュータ７６１０は、汎用通信Ｉ／Ｆ７６２０、専用通信Ｉ／Ｆ７６３０、測位部７６４０、ビーコン受信部７６５０、車内機器Ｉ／Ｆ７６６０及び車載ネットワークＩ／Ｆ７６８０のうちの少なくとも一つを介して取得される情報に基づき、各種プログラムにしたがって、車両制御システム７０００を制御する。例えば、マイクロコンピュータ７６１０は、取得される車内外の情報に基づいて、駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置の制御目標値を演算し、駆動系制御ユニット７１００に対して制御指令を出力してもよい。例えば、マイクロコンピュータ７６１０は、車両の衝突回避あるいは衝撃緩和、車間距離に基づく追従走行、車速維持走行、車両の衝突警告、又は車両のレーン逸脱警告等を含むＡＤＡＳ（Advanced　Driver　Assistance　System）の機能実現を目的とした協調制御を行ってもよい。また、マイクロコンピュータ７６１０は、取得される車両の周囲の情報に基づいて駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置等を制御することにより、運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行ってもよい。
　マイクロコンピュータ７６１０は、汎用通信Ｉ／Ｆ７６２０、専用通信Ｉ／Ｆ７６３０、測位部７６４０、ビーコン受信部７６５０、車内機器Ｉ／Ｆ７６６０及び車載ネットワークＩ／Ｆ７６８０のうちの少なくとも一つを介して取得される情報に基づき、車両と周辺の構造物や人物等の物体との間の３次元距離情報を生成し、車両の現在位置の周辺情報を含むローカル地図情報を作成してもよい。また、マイクロコンピュータ７６１０は、取得される情報に基づき、車両の衝突、歩行者等の近接又は通行止めの道路への進入等の危険を予測し、警告用信号を生成してもよい。警告用信号は、例えば、警告音を発生させたり、警告ランプを点灯させたりするための信号であってよい。
　音声画像出力部７６７０は、車両の搭乗者又は車外に対して、視覚的又は聴覚的に情報を通知することが可能な出力装置へ音声及び画像のうちの少なくとも一方の出力信号を送信する。図１９の例では、出力装置として、オーディオスピーカ７７１０、表示部７７２０及びインストルメントパネル７７３０が例示されている。表示部７７２０は、例えば、オンボードディスプレイ及びヘッドアップディスプレイの少なくとも一つを含んでいてもよい。表示部７７２０は、ＡＲ（Augmented　Reality）表示機能を有していてもよい。出力装置は、これらの装置以外の、ヘッドホン、搭乗者が装着する眼鏡型ディスプレイ等のウェアラブルデバイス、プロジェクタ又はランプ等の他の装置であってもよい。出力装置が表示装置の場合、表示装置は、マイクロコンピュータ７６１０が行った各種処理により得られた結果又は他の制御ユニットから受信された情報を、テキスト、イメージ、表、グラフ等、様々な形式で視覚的に表示する。また、出力装置が音声出力装置の場合、音声出力装置は、再生された音声データ又は音響データ等からなるオーディオ信号をアナログ信号に変換して聴覚的に出力する。
　なお、図２０に示した例において、通信ネットワーク７０１０を介して接続された少なくとも二つの制御ユニットが一つの制御ユニットとして一体化されてもよい。あるいは、個々の制御ユニットが、複数の制御ユニットにより構成されてもよい。さらに、車両制御システム７０００が、図示されていない別の制御ユニットを備えてもよい。また、上記の説明において、いずれかの制御ユニットが担う機能の一部又は全部を、他の制御ユニットに持たせてもよい。つまり、通信ネットワーク７０１０を介して情報の送受信がされるようになっていれば、所定の演算処理が、いずれかの制御ユニットで行われるようになってもよい。同様に、いずれかの制御ユニットに接続されているセンサ又は装置が、他の制御ユニットに接続されるとともに、複数の制御ユニットが、通信ネットワーク７０１０を介して相互に検出情報を送受信してもよい。
　なお、図２０に示す撮像部７４１０または図２１に示す撮像部７９１０～７９１６として第１乃至第１０実施形態のいずれかの撮像装置を用いることができる。
　以上、添付図面を参照して本開示の実施形態をについて詳細に説明したが、本開示の技術的範囲はかかる例に限定されない。本開示の技術分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかである。これらについても、当然に本開示の技術的範囲に属するものと了解される。
　また、本明細書に記載された効果は、あくまで説明的または例示的なものであって限定的ではない。つまり、本開示に係る技術は、上記効果とともに、または上記効果に代えて、本明細書の記載から当業者に明らかな他の効果を奏し得る。
　なお、以下のような構成も本開示の技術的範囲に属する。
（１）　画素ごとに設けられそれぞれが光入射側の第１端部と前記第１端部と反対側の第２端部とを有する複数の光電変換部と、前記複数の光電変換部のそれぞれの境界に沿って前記第１端部から前記第２端部への第１方向に配置された第１部材と、前記複数の光電変換部のそれぞれと前記第１部材との間でかつ前記第１端部側に設けられ前記光電変換部よりも屈折率が低い材料を含む第２部材と、を備えた撮像装置。
（２）　前記第２部材は、導電体を含む（１）記載の撮像装置。
（３）　前記第２部材は、封止された空気を含む（１）記載の撮像装置。
（４）　前記第２部材は、前記第１方向に沿って厚さが薄くなる（１）記載の撮像装置。（５）　前記光電変換部において前記第２部材が配置された以外の領域に、前記光電変換部と異なる導電型の半導体層を更に備えた（１）記載の撮像装置。
（６）　前記第２部材は、前記第１方向に沿って前記第２端部側まで延びかつ前記第１方向に沿って前記第１部材の厚さと前記第２部材の厚さの和が均一である（１）記載の撮像装置。
（７）　前記第２部材は、前記第１端部側における厚さが前記第２端部側における厚さよりも薄い（６）記載の撮像装置。
（８）　前記複数の光電変換部はそれぞれ、第１部分と第２部分を有し、前記第１部分と前記第２部分は、平面視したときに中央部の一部分以外の境界が前記第１部材で取り囲まれかつ前記一部分で接している（１）記載の撮像装置。
（９）　前記複数の光電変換部はそれぞれ、平面視したときに略四角形の形状を有し、前記第２部材は、前記略四角形の角部における厚さが他の部分における厚さよりも厚い請求項１記載の撮像装置。
（１０）　前記第２部材の厚さは２０ｎｍ以上であり、前記第２部材の深さ方向の長さは１０００ｎｍ以上である（１）ないし（９）のいずれかに記載の撮像装置。
（１１）　前記第２部材は、前記複数の光電変換部のそれぞれの周囲を取り囲むように配置される（１）ないし（１０）のいずれかに記載の撮像装置。
（１２）　前記第１部材はポリシリコンを含む（１）ないし（１１）のいずれかに記載の撮像装置。
（１３）　前記複数の光電変換部のそれぞれに対応して設けられたマイクロレンズを更に備えた（１）ないし（１２）のいずれかに記載の撮像装置。
（１４）　前記複数の光電変換部のそれぞれと前記マイクロレンズとの間に設けられたカラーフィルタを更に備えた（１３）記載の撮像装置。
（１５）　前記複数の光電変換部は、アレイ状に配列された群に分けられ、各群に対応して設けられたマイクロレンズを更に備えた（１）ないし（１２）のいずれかに記載の撮像装置。
（１６）　前記第２端部側に配置され、画素トランジスタを有する回路を更に備えた（１）ないし（１５）のいずれかに記載の撮像装置。
（１７）　前記複数の光電変換部はそれぞれシリコンを含み、前記第２部材は酸化シリコンを含む（１）ないし（１６）のいずれかに記載の撮像装置。
（１８）　撮像装置と、前記撮像装置で撮像された画素信号に基づいて信号処理を行う信号処理部と、を備え、前記撮像装置は、画素ごとに設けられそれぞれが光入射側の第１端部と前記第１端部と反対側の第２端部とを有する複数の光電変換部と、前記複数の光電変換部のそれぞれの境界に沿って前記第１端部から前記第２端部への第１方向に配置された第１部材と、前記複数の光電変換部のそれぞれと前記第１部材との間でかつ前記第１端部側に設けられ前記光電変換部よりも屈折率が低い材料を含む第２部材と、を備えた、電子機器。
　１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄ・・・画素、１２・・・光電変換層、１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ・・・光電変換部、１３・・・トレンチ、１４・・・導電体、１５、１５ａ、１５ｃ、１５ｄ・・・光吸収抑制部、１６・・・画素間遮光部、１７ａ、１７ｂ・・・カラーフィルタ、１８・・・マイクロレンズ、２０・・・回路、２２・・・積層配線部、２４・・・第２段部、２６・・・第１段部、３０・・・酸化シリコン、３２・・・多結晶シリコン、３４・・・固定電荷膜、３６・・・酸化膜、３８・・・凹凸構造、３９・・・低屈折導波路、４００・・・マスク、４０２・・・領域、４１０・・・酸化シリコン、４２０・・・固定電荷膜、４３０・・・酸化膜、７０００・・・車両制御システム、７０１０・・・通信ネットワーク、７１００・・・駆動系制御ユニット、７１１０・・・車両状態検出部、７２００・・・ボディ系制御ユニット、７３００・・・バッテリ制御ユニット、７３１０・・・二次電池、７４００・・・車外情報検出ユニット、７４１０・・・撮像部、７４２０・・・車外情報検出部、７５００・・・車内情報検出ユニット、７５１０・・・運転者状態検出部、７６００・・・統合制御ユニット、７６１０・・・マイクロコンピュータ、７６２０・・・汎用通信Ｉ／Ｆ、７６３０・・・専用通信Ｉ／Ｆ、７６４０・・・測位部、７６５０・・・ビーコン受信部、７６６０・・・車内機器Ｉ／Ｆ、７６７０・・・音声画像出力部、７６８０・・・車載ネットワークＩ／Ｆ、７６９０・・・記憶部、７７１０・・・オーディオスピーカ、７７２０・・・表示部、７７３０・・・インストルメントパネル、７７５０・・・外部環境、７７６０・・・車内機器、７８００・・・入力部、７９００・・・車両、７９１０～７９１６・・・撮像部、７９２０～７９３０・・・車外情報検出部

Claims (18)

  1. 　画素ごとに設けられそれぞれが光入射側の第１端部と前記第１端部と反対側の第２端部とを有する複数の光電変換部と、
    　前記複数の光電変換部のそれぞれの境界に沿って前記第１端部から前記第２端部への第１方向に配置された第１部材と、
    　前記複数の光電変換部のそれぞれと前記第１部材との間でかつ前記第１端部側に設けられ前記光電変換部よりも屈折率が低い材料を含む第２部材と、
    　を備えた撮像装置。
  2. 　前記第２部材は、導電体を含む請求項１記載の撮像装置。
  3. 　前記第２部材は、封止された空気を含む請求項１記載の撮像装置。
  4. 　前記第２部材は、前記第１方向に沿って厚さが薄くなる請求項１記載の撮像装置。
  5. 　前記光電変換部において前記第２部材が配置された以外の領域に、前記光電変換部と異なる導電型の半導体層を更に備えた請求項１記載の撮像装置。
  6. 　前記第２部材は、前記第１方向に沿って前記第２端部側まで延びかつ前記第１方向に沿って前記第１部材の厚さと前記第２部材の厚さの和が均一である請求項１記載の撮像装置。
  7. 　前記第２部材は、前記第１端部側における厚さが前記第２端部側における厚さよりも薄い請求項６記載の撮像装置。
  8. 　前記複数の光電変換部はそれぞれ、第１部分と第２部分を有し、前記第１部分と前記第２部分は、平面視したときに中央部の一部分以外の境界が前記第１部材で取り囲まれかつ前記一部分で接している請求項１記載の撮像装置。
  9. 　前記複数の光電変換部はそれぞれ、平面視したときに略四角形の形状を有し、前記第２部材は、前記略四角形の角部における厚さが他の部分における厚さよりも厚い請求項１記載の撮像装置。
  10. 　前記第２部材の厚さは２０ｎｍ以上であり、前記第２部材の深さ方向の長さは１０００ｎｍ以上である請求項１記載の撮像装置。
  11. 　前記第２部材は、前記複数の光電変換部のそれぞれの周囲を取り囲むように配置される請求項１記載の撮像装置。
  12. 　前記第１部材はポリシリコンを含む請求項１記載の撮像装置。
  13. 　前記複数の光電変換部のそれぞれに対応して設けられたマイクロレンズを更に備えた請求項１記載の撮像装置。
  14. 　前記複数の光電変換部のそれぞれと前記マイクロレンズとの間に設けられたカラーフィルタを更に備えた請求項１３記載の撮像装置。
  15. 　前記複数の光電変換部は、アレイ状に配列された群に分けられ、各群に対応して設けられたマイクロレンズを更に備えた請求項１記載の撮像装置。
  16. 　前記第２端部側に配置され、画素トランジスタを有する回路を更に備えた請求項１記載の撮像装置。
  17. 　前記複数の光電変換部はそれぞれシリコンを含み、前記第２部材は酸化シリコンを含む請求項１記載の撮像装置。
  18. 　撮像装置と、
    　前記撮像装置で撮像された画素信号に基づいて信号処理を行う信号処理部と、を備え、
    　前記撮像装置は、
    　画素ごとに設けられそれぞれが光入射側の第１端部と前記第１端部と反対側の第２端部とを有する複数の光電変換部と、
    　前記複数の光電変換部のそれぞれの境界に沿って前記第１端部から前記第２端部への第１方向に配置された第１部材と、
    　前記複数の光電変換部のそれぞれと前記第１部材との間でかつ前記第１端部側に設けられ前記光電変換部よりも屈折率が低い材料を含む第２部材と、
    　を備えた、電子機器。
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