CN116547820A - 光接收装置和距离测量设备 - Google Patents

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Abstract

根据本公开的一个实施例的光接收装置包括堆叠式芯片结构，在该堆叠式芯片结构中堆叠像素芯片和电路芯片。在像素芯片中，设置用于根据光子的接收生成信号的光接收元件。在电路芯片中，构成用于读出在光接收元件中生成的信号的读出电路的电路部相对于像素芯片与电路芯片之间的电耦接部沿着垂直于电路芯片的基板表面的方向设置。

Description

光接收装置和距离测量设备
技术领域
本公开涉及光接收装置和距离测量设备。
背景技术
存在使用根据光子的接收生成信号的元件作为光接收元件(光检测元件)的光接收装置(光检测装置)。例如，单光子雪崩二极管(Single Photon Avalanche Diode；SPAD)元件被称为根据光子的接收生成信号的光接收元件。
关于使用SPAD元件作为光接收元件的光接收装置，存在像素的开口率降低的问题，因为每个像素需要读出电路，诸如淬灭电路、脉冲整形电路或计数器电路。为了解决这种问题，存在通过在诸如淬灭电路、脉冲整形电路或计数器电路的读出电路与每个像素的SPAD元件之间实现Cu-Cu接合来实现像素的开口率的增大的技术(例如，参见专利文献1)。
引用列表
专利文献
专利文献1：美国未经审查专利申请公开第2018/0308881号。
发明内容
顺便提及，在采用使用绝缘体上硅(SOI)晶圆将晶体管电路部堆叠在像素正上方的技术以减小读出电路(诸如淬灭电路、脉冲整形电路或计数器电路)的面积的情况下，需要用于将SOI和像素彼此连接的纵横比大(large-aspect)的通孔(VIA)。然而，若使用纵横比大的通孔，则半导体芯片之间的接合部的电容增大，这导致电力消耗增大的问题。
因此，期望提供一种光接收装置，该光接收装置使得可以通过减小包括堆叠的半导体芯片(半导体基板)的堆叠式芯片结构中的半导体芯片之间的接合部的电容来降低电力消耗，并且提供包括该光接收装置的距离测量设备。
根据本公开的实施例的光接收装置包括堆叠式芯片结构，该堆叠式芯片结构包括堆叠的像素芯片和电路芯片。在像素芯片中，设置光接收元件。该光接收元件根据光子的接收生成信号。在电路芯片中，包括在读出电路中的电路部相对于像素芯片与电路芯片之间的电耦接部沿着垂直于电路芯片的基板表面的方向设置。读出电路读取由光接收元件生成的信号。
根据本公开的实施例的距离测量设备包括光源单元和光接收装置。光源单元将光施加到距离测量目标。光接收装置接收来自距离测量目标的反射光。该反射光基于从光源单元施加的光。光接收装置包括堆叠式芯片结构，该堆叠式芯片结构包括堆叠的像素芯片和电路芯片。在像素芯片中，设置光接收元件。该光接收元件根据光子的接收生成信号。在电路芯片中，包括在读出电路中的电路部相对于像素芯片与电路芯片之间的电耦接部沿着垂直于电路芯片的基板表面的方向设置。读出电路读取由光接收元件生成的信号。
附图说明
[图1]图1是示出应用根据本公开的技术的距离测量设备的示例的示意性配置图。
[图2]图2A和图2B是各自示出根据本应用示例的距离测量设备的具体配置的示例的框图。
[图3]图3是示出使用SPAD元件作为光接收元件的基本像素电路的配置的示例的电路图。
[图4]图4A是示出SPAD元件的PN结的电流-电压特性的特性图，并且图4B是用于描述像素电路的电路操作的波形图。
[图5]图5是根据参考示例的像素结构的示例的截面图。
[图6]图6是根据实施例1的像素结构的示例的截面图。
[图7]图7是具有根据实施例1的像素结构的像素的等效电路图。
[图8]图8是具有根据实施例2的像素结构的像素的等效电路图。
[图9]图9是根据实施例3的像素结构的示例的截面图。
[图10]图10是具有根据实施例3的像素结构的像素的等效电路图。
[图11]图11是根据实施例4的像素结构的示例的截面图。
[图12]图12是根据实施例5的像素结构的示例的截面图。
[图13]图13是根据实施例6的像素结构的示例的截面图。
[图14]图14是具有根据实施例6的像素结构的像素的等效电路图。
[图15]图15是根据实施例7的堆叠式芯片结构的示例的分解透视图。
[图16]图16是示出根据实施例7的像素共享的示例的电路图。
[图17]图17是描绘车辆控制系统的示意性配置的示例的框图。
[图18]图18是辅助说明车外信息检测部和成像部的安装位置的示例的示图。
具体实施方式
在下文中，参考附图详细描述用于执行根据本公开的技术的模式(以下被称为“实施例”)。根据本公开的技术不限于这些实施例，并且例如实施例中的各种数值、材料等是示例。在以下描述中，相同的部件或具有相同功能的部件用相同的参考标记表示，并且省略冗余的描述。
应注意，按照以下顺序给出描述。
1.本公开的光接收装置和距离测量设备的一般描述
2.应用根据本公开的技术的距离测量设备
2-1.距离测量设备的具体配置示例
2-2.使用SPAD元件作为光接收元件的基本像素电路示例
2-3.使用SPAD元件作为光接收元件的像素电路的电路操作示例
2-4.根据参考示例的像素结构示例
3.根据本公开的实施例的光接收装置
3-1.实施例1(脉冲整形电路和逻辑电路被设置为堆叠在电路芯片中的示例)
3-2.实施例2(实施例1的修改：脉冲整形电路与SPAD元件和淬灭电路一起设置在像素芯片侧的示例)
3-3.实施例3(实施例2的修改：电阻元件设置在堆叠在像素芯片中的SPAD元件与淬灭电路和脉冲整形电路之间的示例)
3-4.实施例4(实施例3的修改：除了电阻元件之外还设置接触部的示例)
3-5.实施例5(实施例1的修改：与像素相关的接触部直接电耦接至晶体管形成后表面侧的示例)
3-6.实施例6(电路芯片包括两个半导体芯片的三层堆叠结构的示例)
3-7.实施例7(电路芯片上的逻辑电路由堆叠式芯片结构中的像素芯片上的多个像素共享的示例)
4.修改
5.根据本公开的技术的应用示例(移动体的示例)
6.本公开的可能配置
<本公开的光接收装置和距离测量设备的一般描述>
在本公开的光接收装置和距离测量设备中，可以提供一种配置，在该配置中，光接收元件包括在盖革模式下操作的雪崩光电二极管，优选地单光子雪崩二极管(SPAD)。
在包括上述优选配置的本公开的光接收装置和距离测量设备中，在读出电路包括多个晶体管电路部的情况下，可以提供多个晶体管电路部被设置为在电路芯片中彼此堆叠的配置。在多个晶体管电路部包括对从光接收元件输出的脉冲信号进行整形的脉冲整形电路和处理由脉冲整形电路整形的脉冲信号的逻辑电路的情况下，可以提供脉冲整形电路和逻辑电路被设置为在电路芯片中彼此堆叠的配置。此外，在抑制光接收元件的雪崩倍增的淬灭电路设置在像素芯片中的情况下，可以提供淬灭电路被设置为在像素芯片中相对于光接收元件堆叠的配置。
此外，在包括上述优选配置的本公开的光接收装置和距离测量设备中，在多个晶体管电路部包括对从光接收元件输出的脉冲信号进行整形的脉冲整形电路和处理由脉冲整形电路整形的脉冲信号的逻辑电路的情况下，可以提供抑制光接收元件的雪崩倍增的淬灭电路和脉冲整形电路被设置为在像素芯片中相对于光接收元件堆叠，并且逻辑电路被设置在电路芯片中的配置。
此外，在包括上述优选配置的本公开的光接收装置和距离测量设备中，可以提供像素芯片与电路芯片之间的电耦接部包括使用Cu电极的直接接合的接合部的配置。此外，在电路芯片包括堆叠的两个半导体芯片的情况下，可以提供脉冲整形电路设置在两个半导体芯片中的一个半导体芯片中，并且逻辑电路设置在两个半导体芯片中的另一半导体芯片中的配置。
此外，在包括上述优选配置的本公开的光接收装置和距离测量设备中，在包括淬灭电路的模拟电路部与光接收元件以像素为单位一起设置在像素芯片中并且包括逻辑电路的数字电路部设置在电路芯片中的情况下，可以提供电路芯片上的一个数字电路部被像素芯片上的多个像素的模拟电路部共享的配置。
此外，在包括上述优选配置的本公开的光接收装置和距离测量设备中，在像素芯片的其上设置有布线层的一侧被视为基板前表面侧的情况下，可以提供包括光接收元件的像素具有背照式像素结构的配置，该背照式像素结构取得从基板后表面侧施加的光。
<应用根据本公开的技术的距离测量设备>
图1是示出应用根据本公开的技术的距离测量设备(即，本公开的距离测量设备)的示例的示意性配置图。
根据本应用示例的距离测量设备1采用飞行时间(Time of Flight；ToF)方法作为用于测量与作为距离测量目标的对象10的距离的测量方法。ToF方法是测量飞行时间的方法，该飞行时间是朝向对象10施加的光(例如，在红外波长区域中具有峰值波长的激光)被对象10反射并返回的时间。为了通过ToF方法实现距离测量，根据本应用示例的距离测量设备1包括光源单元20和光接收装置30。作为光接收装置30，可以使用稍后描述的根据本公开的实施例的光接收装置。
[距离测量设备的具体配置示例]
图2A和图2B各自示出根据本应用示例的距离测量设备1的具体配置的示例。光源单元20例如包括激光驱动器21、激光源22和漫射透镜23，并且将激光施加到对象10。激光驱动器21在由控制器40执行的控制下驱动激光源22。激光光源22例如包括激光二极管，并且通过由激光驱动器21驱动来发射激光。漫射透镜23漫射从激光源22发射的激光并将漫射的激光施加到对象10。
光接收装置30包括光接收透镜31、作为光接收部的光学传感器32和信号处理器33。光接收装置30接收反射激光，该反射激光是由光源单元20施加的、被对象10反射并返回的激光。光接收透镜31将来自对象10的反射激光聚集到光学传感器32的光接收表面上。光学传感器32以像素为单位接收已经穿过光接收透镜31的来自对象10的反射激光并对所接收的反射激光执行光电转换。作为光学传感器32，可以使用二维阵列传感器。二维阵列传感器包括包含光接收元件并且以矩阵(阵列)二维布置的像素。
光学传感器32的输出信号经由信号处理器33被提供给控制器40。控制器40例如包括中央处理单元(Central Processing Unit；CPU)等。控制器40控制光源单元20和光接收装置30，并测量从光源单元20朝向对象10施加的激光被对象10反射并返回的时间。可以基于该测量时间确定到对象10的距离。
作为用于时间测量的方法，在光源单元20施加脉冲光的定时启动定时器，并且在光接收装置30接收脉冲光的定时停止定时器，从而测量时间。作为用于时间测量的另一方法，可以以预定周期从光源单元20施加脉冲光，可以检测光接收装置30接收脉冲光的周期，并且可以根据发光的周期与光接收的周期之间的相位差测量时间。多次执行时间测量，并且通过检测ToF直方图的峰值的位置来测量时间，在ToF直方图中累积了多次测量的时间。
此外，在根据本应用示例的距离测量设备1中，像素的光接收元件包括根据光子的接收生成信号的元件(诸如单光子雪崩二极管(Single Photon Avalanche Diode；SPAD)元件)的传感器用作光学传感器32。换句话说，根据本应用示例的距离测量设备1中的光接收装置30具有SPAD元件用作像素的光接收元件的配置。SPAD元件是一种雪崩光电二极管，该雪崩光电二极管具有随着被称为雪崩倍增的现象而增大的光接收灵敏度。SPAD元件在盖革模式下操作，在该盖革模式中，使元件以超过击穿电压(击穿电压)的反向电压操作。
应注意，虽然SPAD元件在此被描述为像素的光接收元件(光检测元件)的示例，但是光接收元件不限于SPAD元件。即，作为像素的光接收元件，可以使用除了SPAD元件之外的在盖革模式下操作的各种元件中的任一个，诸如雪崩光电二极管(APD)或硅光电倍增器(SiPM)。
[使用SPAD元件作为光接收元件的基本像素电路示例]
图3示出了使用SPAD元件作为光接收元件的光接收装置30中的基本像素电路的配置的示例。这里示出一个像素的基本像素电路示例。
光接收装置30的像素50具有包括SPAD元件51和读出电路52的配置。SPAD元件51是光接收元件。读出电路52耦接至SPAD元件51的阴极电极并且读取由SPAD元件51生成的信号。即，由SPAD元件51根据光子的接收而生成的信号被读出电路52读取为阴极电位VCA。
阳极电压Vano被施加到SPAD元件51的阳极电极。作为阳极电压Vano，施加导致雪崩倍增的较大负电压，即，高于或等于击穿电压的电压(例如，约-20V)(参见图4B)。
读出电路52例如包括多个晶体管电路部，该多个晶体管电路部包括淬灭电路53、脉冲整形电路54、逻辑电路55等。
淬灭电路53是抑制SPAD元件51的雪崩倍增的电路。淬灭电路53例如包括晶体管电路部，该晶体管电路部包括淬灭晶体管531，该淬灭晶体管531包括P型MOS晶体管。淬灭晶体管531具有栅电极，淬灭控制电压VQ被施加到该栅电极。淬灭晶体管531通过施加至栅电极的淬灭控制电压VQ被控制为具有恒定电流值，并且通过控制流过SPAD元件51的电流抑制SPAD元件51的雪崩倍增。
脉冲整形电路54例如包括晶体管电路部，该晶体管电路部包括CMOS反相器电路，该CMOS反相器电路包括P型MOS晶体管541和N型MOS晶体管542。脉冲整形电路54检测SPAD元件51的反应边缘。由脉冲整形电路54整形后的脉冲信号被提供给后级的逻辑电路55。
逻辑电路55例如包括使用晶体管配置的计数器电路、TDC(时间数字转换器：时间测量)电路等。TDC电路基于SPAD输出(即，脉冲整形电路54的输出脉冲)测量朝向测量目标施加的光被测量目标反射并返回的时间。应注意，逻辑电路55在一些情况下包括TDC电路，并且在其他情况下包括计数电路。
如上所述，高于或等于击穿电压VBD的电压(例如，约-20V)被施加到SPAD元件51。高于或等于击穿电压VBD的过量电压被称为过量偏置电压VEX。SPAD元件51的特性根据所施加的过量偏置电压VEX的电压值相对于击穿电压VBD的电压值的高低而改变。
图4A示出了在盖革模式下操作的SPAD元件51的PN结的电流(I)-电压(V)特性。图4A示出了击穿电压VBD、过量偏置电压VEX与SPAD元件51的操作点之间的关系。
[使用SPAD元件作为光接收元件的像素电路的电路操作示例]
接下来，参考图4B中的波形图给出具有上述配置的像素电路的电路操作的示例的描述。
在没有电流流过SPAD元件51的状态下，具有值(VDD-Vano)的电压被施加到SPAD元件51。该电压值(VDD-Vano)是(VBD+VEX)。此外，由于暗电子生成速率DCR(暗计数速率)或光施加在SPAD元件51的PN结区段处生成的电子导致雪崩倍增发生。因此，生成雪崩电流。这种现象甚至在遮光状态(即，没有光入射的状态)下随机发生。这是暗电子生成速率，即，暗计数速率DCR(暗计数速率)。
在阴极电位VCA下降并且SPAD元件51的端子之间的电压变为PN二极管的击穿电压VBD的情况下，雪崩电流停止。此外，由于雪崩倍增生成并累积的电子通过负载54(例如，P型MOS晶体管QL)执行放电，并且阴极电位VCA增大。此外，阴极电位VCA恢复至电源电压VDD，并再次返回至初始状态。
在光进入SPAD元件51并且甚至生成单个电子-空穴对的情况下，该对变为生成雪崩电流的源。因此可以以特定检测效率PDE(光子检测效率)检测甚至单个光子的进入。
重复上述操作。此外，在该系列操作中，阴极电位VCA的波形通过CMOS反相器55整形，并且具有以一个光子的到达时间作为起点的脉冲宽度为T的脉冲信号变为SPAD输出(像素输出)。
[使用SPAD元件作为光接收元件的根据参考示例的像素结构示例]
这里，描述了根据使用SPAD元件51作为光接收元件的参考示例的像素结构。图5是根据参考示例的像素结构的示例的截面图。
光接收装置30的像素50具有堆叠式芯片结构，在该堆叠式芯片结构中，堆叠设置有SPAD元件51的半导体芯片(以下称为“像素芯片”)56和设置有读出电路52的半导体芯片(以下称为“电路芯片”)57。像素芯片56和电路芯片57经由电耦接部(例如，使用Cu电极58_1和58_2的直接接合的Cu-Cu接合部58)彼此电耦接。
这里，作为根据参考示例的像素结构的示例，描述了在像素芯片56上设置淬灭电路53的像素结构。在像素芯片56中，SPAD元件51和淬灭电路53被堆叠并且经由接触部62彼此电耦接。淬火电路53经由接触部63电耦接至Cu-Cu接合部58的Cu电极58_1。滤色器64设置在SPAD元件51上，并且微透镜65设置在滤色器64上。
这里，在像素芯片56中，在其上设置有布线层61、淬灭电路53等的一侧被视为基板前表面侧的情况下，其上设置有滤色器64和微透镜65的一侧为基板后表面侧。因此，根据参考示例的像素结构具有背照式像素结构，该背照式像素结构接收从基板后面侧施加的光。这一点同样适用于后述的每个实施例。
在电路芯片57中，脉冲整形电路54和逻辑电路55在平行于基板表面的方向上并排设置(换句话说，以平坦方式设置)，并且逻辑电路55的输入端和脉冲整形电路54的输出端彼此电耦接。此外，脉冲整形电路54的输入端经由布线层66和接触部67电耦接至Cu-Cu接合部58的Cu电极58_2。
如上所述，根据参考示例的像素结构具有脉冲整形电路54和逻辑电路55在电路芯片57中在平行于基板表面的方向上并排设置的配置。如果脉冲整形电路54和逻辑电路55如在根据参考示例的像素结构的情况下一样在平行于基板表面的方向上并排设置，则将电路芯片57电耦接至像素芯片56的布线层66的布线结构必定复杂。这增大了包括Cu-Cu接合部58的耦接部(在附图中由粗虚线包围的区域W)的电容，导致光接收装置30的电力消耗增大。
<根据本公开的实施例的光接收装置>
根据本公开的实施例的光接收装置30具有像素结构，该像素结构具有包括堆叠的像素芯片56和电路芯片57的堆叠式芯片结构。在这种像素结构中，根据本公开的实施例的光接收装置30具有晶体管电路部在电路芯片57中相对于像素芯片56与电路芯片57之间的电耦接部沿着垂直于电路芯片57的基板表面的方向设置的配置。晶体管电路部包括在读出电路52中。在存在包括在读出电路52中的多个晶体管电路部的情况下，通过沿着垂直于电路芯片57的基板表面的方向设置多个晶体管电路部来实现多个晶体管电路部彼此堆叠的结构。应注意，沿着垂直于电路芯片57的基板面的方向设置的晶体管电路部不限于多个晶体管电路部，并且晶体管电路部可以是一个。这里，“垂直于…的方向”的含义除了包括作为严格垂直的方向的情况之外还包括作为大致垂直的方向的情况，并且允许由于设计或制造而发生的各种变化的存在。
通过提供如上所述的包括在读出电路52中的晶体管电路部在电路芯片57中相对于像素芯片56与电路芯片57之间的电耦接部沿着垂直于电路芯片57的基板表面的方向设置的配置，与多个晶体管电路部在平行于基板表面的方向上并排设置(以平坦方式设置)的情况相比，可以简化图5所示的布线层66的布线结构。这使得可以减小像素芯片56与电路芯片57之间的耦接部的电容并且减小耦接部处和之后的信号振幅。因此，可以降低光接收装置30的电力消耗。在根据本公开的实施例的光接收装置30中，包括在读出电路52中的多个晶体管电路部的示例例如是淬灭电路53、脉冲整形电路54和逻辑电路55。
在下文中，给出了用于减小像素芯片56与电路芯片57之间的耦接部的电容并且降低电力消耗的本实施例的具体实施例的描述。
[实施例1]
实施例1是脉冲整形电路54和逻辑电路55被设置为堆叠在电路芯片57中的示例。图6示出了根据实施例1的像素结构的示例的截面图。图7示出了具有根据实施例1的像素结构的像素的等效电路图。
根据实施例1的像素结构具有包括堆叠的像素芯片56和电路芯片57的两层堆叠式芯片结构。在这种两层堆叠式芯片结构中，SPAD元件51和淬灭电路53沿着垂直于像素芯片56的基板表面的方向(图中的上-下方向)设置在像素芯片56中。即，提供了一种结构，在该结构中，SPAD元件51和淬灭电路53在垂直于像素芯片56的基板表面的方向上堆叠有介于其间的布线层61。SPAD元件51和淬灭电路53经由接触部62彼此电耦接。淬火电路53经由接触部63电耦接至Cu-Cu接合部58的Cu电极58_1。滤色器64设置在SPAD元件51上，并且微透镜65设置在滤色器64上。
同时，在电路芯片57中，包括CMOS反相器电路的脉冲整形电路54和包括计数器电路或TDC电路的逻辑电路55沿着垂直于电路芯片57的基板表面的方向(图中的上-下方向)设置。即，提供了一种结构，在该结构中，脉冲整形电路54和逻辑电路55在垂直于电路芯片57的基板表面的方向上堆叠。脉冲整形电路54和逻辑电路55经由布线层68和接触部69彼此电耦接。脉冲整形电路54经由布线层66和接触部67电耦接至Cu-Cu接合部58的Cu电极58_2。
此外，像素芯片56和电路芯片57经由作为电耦接部的Cu-Cu接合部58彼此电耦接。具体地，提供了一种结构，在该结构。中，像素芯片56的前表面侧(SPAD元件51的前表面侧)和电路芯片57的晶体管形成后表面侧彼此相对并且彼此接合(所谓的面对背(Face toBack))。
如上所述，根据实施例1的像素结构具有包括堆叠的像素芯片56和电路芯片57的两层堆叠式芯片结构。在这种两层堆叠式芯片结构中，提供了三维堆叠结构，其中，SPAD元件51和淬灭电路53堆叠在像素芯片56中，并且脉冲整形电路54和逻辑电路55堆叠在电路芯片57中。使用如上所述的三维堆叠结构使得可以减小读出电路52的占用面积。此外，在每个布线层与芯片接合表面之间堆叠包括在淬灭电路53、脉冲整形电路54等中的晶体管，使得可以允许堆叠的晶体管上方和下方进行布线。这使得可以提高布线效率并减小电路面积。
此外，电路芯片57具体地具有这样的结构，其中，脉冲整形电路54和逻辑电路55沿着垂直于电路芯片57的基板表面的方向布置并且被堆叠。这使得可以简化将电路芯片57电耦接至像素芯片56的布线层66的布线结构。这使得可以减小包括Cu-Cu接合部58的耦接部(在附图中由粗虚线包围的区域X)的电容并且减小耦接部处和之后的信号振幅。因此，可以降低光接收装置30的电力消耗。
此外，使用像素芯片56的三维堆叠结构使得可以在像素芯片56中安装淬灭电路53，而不改变包括SPAD元件51的像素50的开口率。这使得可以减少集成在电路芯片57中的电路部件。此外，使用电路芯片57的三维堆叠结构使得可以堆叠包括在逻辑电路55中的部件(诸如数字计数器)的一部分，并且从而减少总占用面积。
[实施例2]
实施方案2是实施方案1的修改。实施例2是脉冲整形电路54与SPAD元件51和淬灭电路53一起设置在像素芯片56的一侧的示例。图8示出了具有根据实施例2的像素结构的像素的等效电路图。
根据实施例1的像素结构具有SPAD元件51和淬灭电路53被设置在像素芯片56的一侧的配置。同时，根据实施例2的像素结构具有脉冲整形电路54与SPAD元件51和淬灭电路53一起被设置在像素芯片56的一侧的配置。因此，在根据实施例2的像素结构中，包括在设置在电路芯片57侧的读出电路52中的晶体管电路部仅是逻辑电路55(仅一个)。
还在根据实施例2的像素结构中，一个逻辑电路55沿着垂直于电路芯片57的基板表面的方向设置。与实施例1的情况一样，这使得可以简化将电路芯片57电耦接至像素芯片56的布线层66的布线结构(参见图6)。因此，可以减小包括Cu-Cu接合部58的耦接部的电容并且减小耦接部处和之后的信号振幅。因此，可以降低光接收装置30的电力消耗。
此外，在根据实施例2的像素结构中，像素芯片56具有三维堆叠结构，在该三维堆叠结构中，堆叠SPAD元件51、淬灭电路53和脉冲整形电路54。使用如上所述的三维堆叠结构使得可以实现减小读出电路52的占用面积的效果。此外，使用三维堆叠结构使得可以在像素芯片56中安装淬灭电路53和脉冲整形电路54，而不改变包括SPAD元件51的像素50的开口率。这使得可以减少集成在电路芯片57中的电路部件。
[实施例3]
实施方案3是实施方案2的修改。实施例3是在像素芯片56中，电阻元件设置在堆叠的SPAD元件51与淬灭电路53和脉冲整形电路54之间的示例。图9示出了根据实施例3的像素结构的示例的截面图。图10示出了具有根据实施例3的像素结构的像素的等效电路图。
根据实施例3的像素结构在像素芯片56的一侧具有三维堆叠结构，在该三维堆叠结构中，堆叠SPAD元件51、淬灭电路53和脉冲整形电路54。在这种三维堆叠结构中，提供了一种配置，在该配置中，电阻元件81电耦接在SPAD元件51与淬灭电路53和脉冲整形电路54之间。作为电阻元件81，可使用多晶硅扩散电阻元件、高电阻金属元件等。
如上所述，在像素芯片56的一侧以三维堆叠结构在SPAD元件51与淬灭电路53和脉冲整形电路54之间提供电阻元件81，使得由于电阻元件81的工作可以完全分离SPAD元件51的一侧与淬灭电路53和脉冲整形电路54的一侧之间的像素部的电容(附图中由粗虚线包围的区域Y)。因此，与实施例2的情况相比，可以进一步降低光接收装置30的电力消耗。
应注意，虽然图9作为示例示出了一种结构(所谓的面对背(Face to Back))，在该结构中，SPAD元件51的前表面侧以及包括在淬灭电路53和脉冲整形电路54中的提供的晶体管的后表面侧彼此相对，以在像素芯片56的一侧以三维堆叠结构堆叠，但是还可以在SPAD元件51的前表面侧和晶体管形成前表面侧彼此相对(所谓的面对面)的情况下提供电阻元件81。
在SPAD元件51的前表面侧和晶体管形成后表面侧彼此相对以进行堆叠的情况下(面对背)，通常，在将硅晶片堆叠在像素50上之后形成晶体管。因此，用于形成晶体管的热量影响像素50、像素50下方的电阻元件81等。因此，考虑到这种热量，需要制造电阻元件81。
相反，在SPAD元件51的前表面侧和晶体管形成前表面侧彼此相对以进行堆叠的情况(面对面)中，晶片通常在晶体管形成完成之后彼此接合。因此，可以抑制施加到电阻元件81的过量热量的影响。这允许更容易的电阻元件81的器件设计。
[实施例4]
实施例4是实施例3的修改。实施例4是在像素芯片56中，除了电阻元件之外，在堆叠的SPAD元件51与淬灭电路53和脉冲整形电路54之间还设置接触部的示例。图11示出了根据实施例4的像素结构的示例的截面图。
根据实施例4的像素结构在像素芯片56的一侧具有三维堆叠结构，在该三维堆叠结构中，堆叠SPAD元件51、淬灭电路53和脉冲整形电路54。在这种三维堆叠结构中，提供了一种配置，在该配置中，电阻元件81和接触部82设置在SPAD元件51与淬灭电路53和脉冲整形电路54之间。具体地，SPAD元件51和淬灭电路53和脉冲整形电路54经由电阻元件81和接触部82彼此电耦接。
同样在根据实施例4的像素结构的情况下，可以实现类似于根据实施例3的像素结构的情况下的工作和效果。即，可以完全分离SPAD元件51的一侧与淬灭电路53和脉冲整形电路54的一侧之间的像素部的电容。因此，与实施例2的情况相比，可以进一步降低光接收装置30的电力消耗。
[实施例5]
实施例5是实施例1的修改。实施例5是与像素相关的接触部直接电耦接到晶体管形成后表面侧的示例。图12示出了根据实施例5的像素结构的示例的截面图。
根据实施例5的像素结构具有像素芯片56的前表面侧(SPAD元件51的前表面侧)和电路芯片57的晶体管形成后表面侧彼此相对并且彼此接合的结构(面对背)。在这种结构中，提供了一种配置，在该配置中，与SPAD元件51相关的接触部83直接电耦接至晶体管形成后表面侧。
在根据实施例5的像素结构的情况下，与根据实施例1的像素结构的接触部62(参见图6)不同，晶体管形成层不被穿透。因此，可以实现电力消耗的降低和电路面积的减小。
[实施例6]
实施例6是三层堆叠结构的示例，在该三层堆叠结构中，电路芯片57包括两个半导体芯片(电路芯片)。图13示出了根据实施例6的像素结构的示例的截面图。图14示出了具有根据实施例6的像素结构的像素的等效电路图。
根据实施例6的像素结构包括：电路芯片57，其包括两个半导体芯片，即第一电路芯片57_1和第二电路芯片57_2；以及淬火电路53，因此具有三层堆叠式芯片结构。在该三层堆叠式芯片结构中，SPAD元件51设置在像素芯片56中，淬灭电路53和脉冲整形电路54设置在第一电路芯片57_1中，并且逻辑电路55设置在第二电路芯片57_2中。
即，根据实施例6的像素结构具有这样的结构，其中，在包括第一电路芯片57_1和第二电路芯片57_2的电路芯片57中，淬火电路53和脉冲整形电路54以及逻辑电路55在垂直于基板表面的方向上跨第一电路芯片57_1和第二电路芯片57_2堆叠。
像素芯片56和第一电路芯片57_1被设置为其表面彼此相对并且经由Cu电极58_1和Cu电极58_2的直接接合的Cu-Cu接合部58彼此电耦接。第一电路芯片57_1和第二电路芯片57_2经由Cu电极71_1和Cu电极71_2的直接接合的Cu-Cu接合部71彼此电耦接。
如上所述，根据实施例6的像素结构具有三层堆叠式芯片结构，在该三层堆叠式芯片结构中，堆叠像素芯片56、第一电路芯片57_1和第二电路芯片57_2。在这种三层堆叠式芯片结构中，提供了一种结构，在该结构中，淬火电路53和脉冲整形电路54以及逻辑电路55在电路芯片57侧跨第一电路芯片57_1和第二电路芯片57_2堆叠。这使得可以简化将第一电路芯片57_1电耦接至像素芯片56的布线层66的布线结构。因此，可以减小包括Cu-Cu接合部58的耦接部(在附图中由粗虚线包围的区域Z)的电容并且减小耦接部处和之后的信号振幅。因此，可以降低光接收装置30的电力消耗。
[实施例7]
实施例7是堆叠式芯片结构的示例，在该堆叠式芯片结构中，电路芯片57上的一个逻辑电路55由像素芯片56上的多个像素50共享。图15示出了根据实施例7的堆叠式芯片结构的示例的分解透视图。图16示出了根据实施例7的像素共享的示例的电路图。
在像素芯片56中，包括淬灭电路53和脉冲整形电路54的模拟电路部与作为光接收元件的SPAD元件51以像素为单位一起设置。在电路芯片57中，设置包括逻辑电路55的数字电路部。这里，如图15所示，提供了一种配置，在该配置中，电路芯片57上的一个数字电路部(具体地，逻辑电路55)由像素芯片56上的包括四个像素50的模拟电路部共享。应注意，共享电路芯片57上的一个逻辑电路55的像素50的数量不限于4个，并且可以是2个像素、3个像素、5个或更多个像素。为了实现像素共享，在逻辑电路55的输入级处设置逻辑电路59。逻辑电路59包括与电路、或电路、异或电路和开关电路等。
<修改>
尽管以上已经基于优选实施例描述了根据本公开的技术，但是根据本公开的技术不限于这种实施例。在以上实施例中描述的光接收装置和距离测量设备的配置和结构是示例并且可适当地修改。
<根据本公开的技术的应用示例>
根据本公开的技术可应用于各种产品。以下描述了更具体的应用示例。例如，根据本公开的技术可以以安装在诸如汽车、电动车辆、混合电动车辆、摩托车、自行车、个人移动体、飞机、无人机、船、机器人、建筑机械和农业机械(拖拉机)的任何类型的移动体上的距离测量设备的形式来实现。
[移动体]
图17是描绘作为可以应用根据本公开的实施例的技术的移动体控制系统的示例的车辆控制系统7000的示意性配置的示例的框图。车辆控制系统7000包括经由通信网络7010彼此连接的多个电子控制单元。在图17所描绘的示例中，车辆控制系统7000包括驱动系统控制单元7100、车身系统控制单元7200、电池控制单元7300、车外信息检测单元7400、车内信息检测单元7500和集成控制单元7600。将多个控制单元彼此连接的通信网络7010可以例如是符合诸如控制器局域网(CAN)、局域互联网(LIN)、局域网(LAN)、FlexRay(注册商标)等的任意标准的车载通信网络。
每个控制单元包括：微型计算机，其根据各种程序执行算术处理；存储部，存储由微型计算机执行的程序、用于各种操作的参数等；以及驱动电路，驱动各种控制目标装置。每个控制单元进一步包括：网络接口(I/F)，用于经由通信网络7010与其他控制单元进行通信；以及通信I/F，用于通过有线通信或无线电通信与车辆内和车辆外的装置、传感器等进行通信。图17所示的集成控制单元7600的功能配置包括微型计算机7610、通用通信I/F7620、专用通信I/F 7630、定位部7640、信标接收部7650、车内装置I/F 7660、声音/图像输出部7670、车载网络I/F 7680和存储部7690。其他控制单元类似地包括微型计算机、通信I/F、存储部等。
驱动系统控制单元7100根据各种程序控制与车辆的驱动系统相关的装置的操作。例如，驱动系统控制单元7100用作用于生成车辆的驱动力的驱动力生成装置(诸如内燃机、驱动电机等)、用于将驱动力传递到车轮的驱动力传递机构、用于调节车辆的转向角的转向机构、用于生成车辆的制动力的制动装置等的控制装置。驱动系统控制单元7100可以具有作为防抱死制动系统(ABS)、电子稳定性控制(ESC)等的控制装置的功能。
驱动系统控制单元7100与车辆状态检测部7110连接。车辆状态检测部7110例如包括检测车身的轴向旋转运动的角速度的陀螺仪传感器、检测车辆的加速度的加速度传感器、以及用于检测加速踏板的操作量、制动踏板的操作量、方向盘的转向角、发动机转速或车轮的转速等的传感器中的至少一个。驱动系统控制单元7100使用从车辆状态检测部7110输入的信号执行运算处理，并且控制内燃机、驱动电机、电动助力转向装置、制动装置等。
车身系统控制单元7200根据各种程序控制提供给车身的各种装置的操作。例如，车身系统控制单元7200用作用于无钥匙进入系统、智能钥匙系统、电动车窗装置或诸如前照灯、后备灯、制动灯、转向信号、雾灯等的各种灯的控制装置。在这种情况下，从作为钥匙的替代物的移动装置发射的无线电波或各种开关的信号可以被输入到车身系统控制单元7200。车身系统控制单元7200接收这些输入的无线电波或信号，并且控制车辆的门锁装置、电动车窗装置、灯等。
电池控制单元7300根据各种程序控制作为用于驱动电机的电源的二次电池7310。例如，从包括二次电池7310的电池装置向电池控制单元7300提供关于电池温度、电池输出电压、电池中剩余电荷量等的信息。电池控制部7300使用这些信号执行运算处理，并且执行用于调整二次电池7310的温度的控制或对设置到电池装置的冷却装置等的控制。
车外信息检测单元7400检测关于包括车辆控制系统7000的车辆外部的信息。例如，车外信息检测单元7400与成像部7410和车外信息检测部7420中的至少一个连接。成像部7410包括飞行时间(ToF)相机、立体相机、单目相机、红外相机和其他相机中的至少一个。例如，车外信息检测部7420包括用于检测当前大气条件或天气条件的环境传感器和用于检测包括车辆控制系统7000的车辆的周围的另一车辆、障碍物、行人等的周围信息检测传感器中的至少一个。
环境传感器例如可以是检测雨的雨滴传感器、检测雾的雾传感器、检测阳光程度的阳光传感器和检测降雪的雪传感器中的至少一个。周围信息检测传感器可以是超声波传感器、雷达装置和LIDAR装置(光检测和测距装置或激光成像检测和测距装置)中的至少一个。成像部7410和车外信息检测部7420中的每一个可以被设置为独立的传感器或装置，或者可以被设置为集成了多个传感器或装置的装置。
图18描绘了成像部7410和车外信息检测部7420的安装位置的示例。成像部7910、7912、7914、7916和7918例如设置在车辆7900的前鼻、侧视镜、后保险杠和后门上的位置和车辆内部内的挡风玻璃的上部的位置中的至少一个处。设置在前鼻的成像部7910和设置在车辆内部内的挡风玻璃的上部的成像部7918主要获得车辆7900的前方的图像。设置在侧视镜的成像部7912和7914主要获得车辆7900的侧面的图像。设置在后保险杠或后门的成像部7916主要获得车辆7900的后面的图像。设置在车辆内部内的挡风玻璃的上部的成像部7918主要用于检测前方车辆、行人、障碍物、信号、交通标志、车道等。
顺便提及，图18描绘了相应成像部7910、7912、7914和7916的拍摄范围的示例。成像范围a表示设置在前鼻的成像部7910的成像范围。成像范围b和c分别表示设置在侧视镜的成像部7912和7914的成像范围。成像范围d表示设置在后保险杠或后门的成像部7916的成像范围。从上方观察的车辆7900的鸟瞰图像可以通过例如叠加由成像部7910、7912、7914和7916成像的图像数据来获得。
设置车辆7900的前面、后面、侧面和拐角以及车辆内部内的挡风玻璃的上部的车辆外信息检测部7920、7922、7924、7926、7928和7930可以例如是超声波传感器或雷达装置。设置在车辆7900的前鼻、后保险杠、车辆7900的后门和车辆内部内的挡风玻璃的上部的车辆外信息检测部7920、7926和7930可以例如是LIDAR装置。这些车外信息检测部7920至7930主要用于检测前方车辆、行人、障碍物等。
返回到图17，将继续描述。车外信息检测单元7400使成像部7410对车辆外部的图像进行成像，并且接收成像的图像数据。另外，车外信息检测单元7400从连接到车外信息检测单元7400的车外信息检测部7420接收检测信息。在车外信息检测部7420是超声波传感器、雷达装置、LIDAR装置的情况下，车外信息检测单元7400发送超声波、电磁波等，并接收所接收的反射波的信息。基于所接收的信息，车外信息检测单元7400可以执行检测诸如人、车辆、障碍物、标志、路面上的字符等的对象的处理、或检测距其的距离的处理。车外信息检测单元7400可以基于所接收的信息执行识别降雨、雾、路面状况等的环境识别处理。车外信息检测单元7400可以基于所接收的信息计算距车辆外部的对象的距离。
此外，基于所接收的图像数据，车外信息检测单元7400可以执行识别人、车辆、障碍物、标志、路面上的字符等的图像识别处理，或检测距其的距离的处理。车外信息检测单元7400也可以对所接收的图像数据实施诸如失真校正、对准等的处理，并且对由多个不同的成像部7410成像的图像数据进行合成，生成鸟瞰图像或全景图像。车外信息检测单元7400可以使用由包括不同成像部的成像部7410成像的图像数据来执行视点转换处理。
车内信息检测单元7500检测关于车辆内部的信息。车内信息检测单元7500例如与检测驾驶员的状态的驾驶员状态检测部7510连接。驾驶员状态检测部7510可以包括对驾驶员成像的相机、检测驾驶员的生物信息的生物传感器、收集车辆内部的声音的麦克风等。生物传感器例如设置在座椅表面、方向盘等中，并且检测坐在座椅中的乘员或保持方向盘的驾驶员的生物信息。基于从驾驶员状态检测部7510输入的检测信息，车内信息检测单元7500可以计算驾驶员的疲劳度或驾驶员的集中度，或者可以确定驾驶员是否打瞌睡。车内信息检测单元7500可以将通过收集声音获得的音频信号进行处理，诸如噪声消除处理等。
集成控制单元7600根据各种程序控制车辆控制系统7000内的总体操作。集成控制单元7600与输入部7800连接。输入部7800例如由诸如触摸面板、按钮、麦克风、开关、杆等能够由乘员输入操作的装置来实现。可以向集成控制单元7600提供对通过麦克风输入的语音的语音识别获得的数据。输入部7800例如可以是使用红外线或其他无线电波的遥控装置，或支持车辆控制系统7000的操作的外部连接装置，诸如移动电话、个人数字助理(PDA)等。输入部7800例如可以是相机。在这种情况下，乘员可通过手势输入信息。可替换地，可输入通过检测乘员穿戴的可穿戴装置的移动而获得的数据。此外，输入部7800例如可以包括输入控制电路等，该输入控制电路等基于由乘员等使用上述输入部7800输入的信息来生成输入信号并将所生成的输入信号输出到集成控制单元7600。乘员等通过操作输入部7800向车辆控制系统7000输入各种数据或者给出处理操作的指令。
存储部7690可以包括存储由微型计算机执行的各种程序的只读存储器(ROM)和存储各种参数、操作结果、传感器值等的随机存取存储器(RAM)。此外，存储部7690可以通过诸如硬盘驱动器(HDD)等的磁存储装置、半导体存储装置、光学存储装置、磁光存储装置等来实现。
通用通信I/F 7620是广泛使用的通信I/F，该通信I/F调解与存在于外部环境7750中的各种装置的通信。通用通信I/F 7620可实现蜂窝通信协议，诸如全球移动通信系统(GSM(注册商标))、全球微波接入互操作性(WiMAX(注册商标))、长期演进(LTE(注册商标))、高级LTE(LTE-A)等，或者诸如无线LAN(也称为无线保真(Wi-Fi(注册商标))、蓝牙(注册商标)等的其他无线通信协议。通用通信I/F 7620可以例如经由基站或接入点连接到存在于外部网络(例如，因特网、云网络或公司特定网络)上的装置(例如，应用服务器或控制服务器)。此外，通用通信I/F 7620可以例如使用对等(P2P)技术连接到存在于车辆附近的终端(该终端例如是驾驶员、行人或商店的终端或机器型通信(MTC)终端)。
专用通信I/F 7630是支持为在车辆中使用而开发的通信协议的通信I/F。专用通信I/F 7630可以实现标准协议，例如，车辆环境中的无线接入(WAVE)(该协议是作为下层的电气和电子工程师协会(IEEE)802.11p和作为上层的IEEE 1609的组合)、专用短程通信(DSRC)或蜂窝通信协议。专用通信I/F 7630通常作为包括车辆与车辆之间(车辆到车辆)的通信、道路与车辆之间(车辆到基础设施)的通信、车辆与家庭之间(车辆到家庭)的通信、以及行人与车辆之间(车辆到行人)的通信中的一个或多个的概念来执行V2X通信。
例如，定位部7640通过从GNSS卫星接收全球导航卫星系统(GNSS)信号(例如，来自全球定位系统(GPS)卫星的GPS信号)来执行定位，并且生成包括车辆的纬度、经度和高度的位置信息。顺便提及，定位部7640可通过与无线接入点交换信号来识别当前位置或可以从诸如移动电话、个人手持电话系统(PHS)或具有定位功能的智能电话的终端获得位置信息。
信标接收部7650例如接收从安装在道路等上的无线电台发送的无线电波或电磁波，并且由此获得关于当前位置、拥堵、封闭道路、必要时间等的信息。顺便提及，信标接收部7650的功能可以包括在上述专用通信I/F 7630中。
车内装置I/F 7660是调解微型计算机7610与存在于车辆内的各种车内装置7760之间的连接的通信接口。车内装置I/F 7660可以使用诸如无线LAN、蓝牙(注册商标)、近场通信(NFC)或无线通用串行总线(WUSB)的无线通信协议建立无线连接。此外，车内装置I/F7660可以经由图中未描绘的连接端子(和必要时的电缆)通过通用串行总线(USB)、高清多媒体接口(HDMI(注册商标))、移动高清链路(MHL)等建立有线连接。车内装置7760可以例如包括乘员拥有的移动装置和可穿戴装置以及携带到或附接到车辆的信息装置中的至少一个。车内装置7760还可以包括搜索到任意目的地的路径的导航装置。车内装置I/F 7660与这些车内装置7760交换控制信号或数据信号。
车载网络I/F 7680是调解微型计算机7610与通信网络7010之间的通信的接口。车载网络I/F 7680根据由通信网络7010支持的预定协议来发送和接收信号等。
集成控制单元7600的微型计算机7610基于经由通用通信I/F 7620、专用通信I/F7630、定位部7640、信标接收部7650、车内装置I/F 7660和车载网络I/F 7680中的至少一个获得的信息，根据各种程序控制车辆控制系统7000。例如，微型计算机7610可以基于所获得的关于车辆的内部和外部的信息来计算用于驱动力生成装置、转向机构或制动装置的控制目标值，并且向驱动系统控制单元7100输出控制命令。例如，微型计算机7610可执行旨在实现高级驾驶员辅助系统(ADAS)的功能的协作控制，该功能包括用于车辆的碰撞回避或撞击缓冲、基于车间距离的跟随驾驶、车速保持驾驶、车辆碰撞警报、车辆偏离车道的警报等。另外，微型计算机7610可通过基于所获得的关于车辆周围环境的信息控制驱动力生成装置、转向机构、制动装置等来执行旨在自动驾驶的协作控制，这使得车辆在不依赖于驾驶员的操作等的情况下自动行驶。
微型计算机7610可以基于经由通用通信I/F 7620、专用通信I/F 7630、定位部7640、信标接收部7650、车内装置I/F 7660和车载网络I/F 7680中的至少一个获得的信息生成车辆与诸如周围结构、人等的对象之间的三维距离信息，并且生成包括关于车辆的当前位置的周围的信息的局部地图信息。此外，微型计算机7610可基于所获得的信息预测诸如车辆的碰撞、行人等的接近、进入封闭道路等的危险，并且生成警告信号。该警告信号可以例如是用于生成警告声音或点亮警告灯的信号。
声音/图像输出部7670将声音和图像中的至少一个的输出信号发送到输出装置，该输出装置能够以视觉或听觉方式向车辆的乘员或车辆的外部通知信息。在图17的示例中，音频扬声器7710、显示部7720和仪表面板7730被示为输出装置。显示部7720可以例如包括车载显示器和平视显示器中的至少一个。显示部7720可以具有增强现实(AR)显示功能。输出装置可以是除这些装置以外的装置，并且可以是诸如头戴式耳机的另一装置、诸如由乘员等佩戴的眼镜型显示器的可穿戴装置、投影仪、灯等。在输出装置是显示装置的情况下，显示装置以诸如文本、图像、表格、曲线图等的各种形式以视觉方式显示通过微型计算机7610进行的各种处理获得的结果或者从另一控制单元接收的信息。此外，在输出装置是音频输出装置的情况下，音频输出装置将由再现的音频数据或声音数据等构成的音频信号转换为模拟信号，并且以听觉方式输出模拟信号。
顺便提及，在图17所描绘的示例中，经由通信网络7010彼此连接的至少两个控制单元可以集成到一个控制单元中。可替换地，每个单独的控制单元可包括多个控制单元。此外，车辆控制系统7000可以包括在附图中未描绘的另一控制单元。此外，在上述说明中由控制单元中的一个执行的功能的一部分或全部可以被分配给另一控制单元。即，只要经由通信网络7010发送和接收信息，就可以由任何控制单元执行预定运算处理。类似地，连接到控制单元中的一个的传感器或装置可连接到另一控制单元，并且多个控制单元可经由通信网络7010相互发送和接收检测信息。
上面已经描述了可应用根据本公开的技术的车辆控制系统的示例。利用根据本公开的技术，例如，在上述部件中的成像部7410或车外信息检测部7420包括ToF相机(ToF传感器)的情况下，可以使用根据上述实施例的使得可以降低电力消耗的光接收装置作为ToF相机。因此，将光接收装置安装为距离测量设备的ToF相机使得可以构造具有低电力消耗的车辆控制系统。
<本公开的可能配置>
应注意，本公开还可以具有以下配置。
《A.光接收装置》
[A-01]
一种光接收装置，包括：
堆叠式芯片结构，包括堆叠的像素芯片和电路芯片，其中，
在像素芯片中，设置光接收元件，该光接收元件根据光子的接收生成信号，并且
在电路芯片中，包括在读出电路中的晶体管电路部相对于像素芯片与电路芯片之间的电耦接部沿着垂直于电路芯片的基板表面的方向设置，该读出电路读取由光接收元件生成的信号。
[A-02]
根据上述[A-01]的光接收装置，其中，光接收元件包括在盖革模式下操作的雪崩光电二极管。
[A-03]
根据上述[A-02]的光接收装置，其中，光接收元件包括单光子雪崩二极管。
[A-04]
根据上述[A-01]至[A-03]中任一项的光接收装置，其中，
读出电路包括多个晶体管电路部，并且
多个晶体管电路部被设置为在电路芯片中彼此堆叠。
[A-05]
根据上述[A-04]的光接收装置，其中，
多个晶体管电路部包括脉冲整形电路和逻辑电路，该脉冲整形电路对从光接收元件输出的脉冲信号进行整形，该逻辑电路处理由脉冲整形电路整形的脉冲信号，并且
脉冲整形电路和逻辑电路被设置为在电路芯片中彼此堆叠。
[A-06]
根据上述[A-05]的光接收装置，其中，
在像素芯片中，设置淬灭电路，该淬灭电路抑制光接收元件的雪崩倍增，并且
淬灭电路被设置为在像素芯片中相对于光接收元件堆叠。
[A-07]
根据上述[A-01]至[A-03]中任一项的光接收装置，其中，
多个晶体管电路部包括脉冲整形电路和逻辑电路，该脉冲整形电路对从光接收元件输出的脉冲信号进行整形，该逻辑电路处理由脉冲整形电路整形的脉冲信号，
在像素芯片中，淬灭电路和脉冲整形电路被设置为相对于光接收元件堆叠，该淬灭电路抑制光接收元件的雪崩倍增，并且
在电路芯片中，设置逻辑电路。
[A-08]
根据上述[A-07]的光接收装置，其中，在像素芯片中，光接收元件以及淬灭电路和脉冲整形电路经由电阻元件彼此电耦接。
[A-09]
根据上述[A-08]的光接收装置，其中，在像素芯片中，电阻元件经由接触部电耦接至淬灭电路和脉冲整形电路。
[A-10]
根据上述[A-01]至[A-09]中任一项的光接收装置，其中，像素芯片与电路芯片之间的电耦接部包括使用Cu电极的直接接合的接合部。
[A-11]
根据上述[A-05]的光接收装置，其中，
电路芯片包括堆叠的两个半导体芯片，
脉冲整形电路设置在两个半导体芯片中的一个半导体芯片中，并且
逻辑电路设置在两个半导体芯片中的另一半导体芯片中。
[A-12]
根据上述[A-11]的光接收装置，其中，两个半导体芯片经由使用Cu电极的接合部彼此电耦接。
[A-13]
根据上述[A-07]的光接收装置，其中，
在像素芯片中，模拟电路部与光接收元件以像素为单位一起设置，该模拟电路部包括淬灭电路，
在电路芯片中，设置数字电路部，该数字电路部包括逻辑电路，并且
电路芯片上的一个数字电路部由像素芯片上的包括多个像素的模拟电路部共享。
[A-14]
根据上述[A-01]至[A-13]中任一项的光接收装置，其中，包括光接收元件的像素具有背照式像素结构，在像素芯片的其上设置有布线层的一侧被视为基板前表面侧的情况下，该背照式像素结构接收从基板后表面侧施加的光。
《B.距离测量设备》
[B-01]
一种距离测量设备，包括：
光源单元，将光施加到距离测量目标；以及
光接收装置，接收来自距离测量目标的反射光，该反射光基于从光源单元施加的光，其中，
光接收装置包括：
堆叠式芯片结构，包括堆叠的像素芯片和电路芯片，
在像素芯片中，设置光接收元件，该光接收元件根据光子的接收生成信号，并且
在电路芯片中，包括在读出电路中的电路部相对于像素芯片与电路芯片之间的电耦接部沿着垂直于电路芯片的基板表面的方向设置，该读出电路读取由光接收元件生成的信号。
[B-02]
根据上述[B-01]的距离测量设备，其中，光接收元件包括在盖革模式下操作的雪崩光电二极管。
[B-03]
根据上述[B-02]的距离测量设备，其中，光接收元件包括单光子雪崩二极管。
[B-04]
根据上述[B-01]至[B-03]中任一项的距离测量设备，其中，
读出电路包括多个晶体管电路部，并且
多个晶体管电路部被设置为在电路芯片中彼此堆叠。
[B-05]
根据上述[B-04]的距离测量设备，其中，
多个晶体管电路部包括脉冲整形电路和逻辑电路，该脉冲整形电路对从光接收元件输出的脉冲信号进行整形，该逻辑电路处理由脉冲整形电路整形的脉冲信号，并且
脉冲整形电路和逻辑电路被设置为在电路芯片中彼此堆叠。
[B-06]
根据上述[B-05]的距离测量设备，其中，
在像素芯片中，设置淬灭电路，该淬灭电路抑制光接收元件的雪崩倍增，并且
淬灭电路被设置为在像素芯片中相对于光接收元件堆叠。
[B-07]
根据上述[B-01]至[B-03]中任一项的距离测量设备，其中，
多个晶体管电路部包括脉冲整形电路和逻辑电路，该脉冲整形电路对从光接收元件输出的脉冲信号进行整形，该逻辑电路处理由脉冲整形电路整形的脉冲信号，
在像素芯片中，淬灭电路和脉冲整形电路被设置为相对于光接收元件堆叠，该淬灭电路抑制光接收元件的雪崩倍增，并且
在电路芯片中，设置逻辑电路。
[B-08]
根据上述[B-07]的距离测量设备，其中，在像素芯片中，光接收元件以及淬灭电路和脉冲整形电路经由电阻元件彼此电耦接。
[B-09]
根据上述[B-08]的距离测量设备，其中，在像素芯片中，电阻元件经由接触部电耦接至淬火电路和脉冲整形电路。
[B-10]
根据上述[B-01]至[B-09]中任一项的距离测量设备，其中，像素芯片与电路芯片之间的电耦接部包括使用Cu电极的直接接合的接合部。
[B-11]
根据上述[B-05]的距离测量设备，其中，
电路芯片包括堆叠的两个半导体芯片，
脉冲整形电路设置在两个半导体芯片中的一个半导体芯片中，并且
逻辑电路设置在两个半导体芯片中的另一半导体芯片中。
[B-12]
根据上述[B-11]的距离测量设备，其中，两个半导体芯片经由使用Cu电极的接合部彼此电耦接。
[B-13]
根据上述[B-07]的距离测量设备，其中，
在像素芯片中，模拟电路部与光接收元件以像素为单位一起设置，该模拟电路部包括淬灭电路，
在电路芯片中，设置数字电路部，该数字电路部包括逻辑电路，并且
电路芯片上的一个数字电路部由像素芯片上的包括多个像素的模拟电路部共享。
[B-14]
根据上述[B-01]至[B-13]中任一项的距离测量设备，其中，包括光接收元件的像素具有背照式像素结构，在像素芯片的其上设置有布线层的一侧被视为基板前表面侧的情况下，该背照式像素结构接收从基板后表面侧施加的光。
本申请要求2020年10月27日向日本专利局提交的日本专利申请第2020-179608号的优先权，其全部内容通过引用并入本文。
本领域技术人员应当理解，根据设计要求和其他因素，可以进行各种修改、组合、子组合和变更，只要这些修改、组合、子组合和变更在所附权利要求或其等同物的范围内。

Claims (15)

1.一种光接收装置，包括：
堆叠式芯片结构，包括堆叠的像素芯片和电路芯片，其中，
在所述像素芯片中，设置光接收元件，所述光接收元件根据光子的接收生成信号，并且
在所述电路芯片中，包括在读出电路中的晶体管电路部相对于所述像素芯片与所述电路芯片之间的电耦接部沿着垂直于所述电路芯片的基板表面的方向设置，所述读出电路读取由所述光接收元件生成的所述信号。
2.根据权利要求1所述的光接收装置，其中，所述光接收元件包括在盖革模式下操作的雪崩光电二极管。
3.根据权利要求2所述的光接收装置，其中，所述光接收元件包括单光子雪崩二极管。
4.根据权利要求1所述的光接收装置，其中，
所述读出电路包括多个晶体管电路部，并且
所述多个晶体管电路部被设置为在所述电路芯片中彼此堆叠。
5.根据权利要求4所述的光接收装置，其中，
所述多个晶体管电路部包括脉冲整形电路和逻辑电路，所述脉冲整形电路对从所述光接收元件输出的脉冲信号进行整形，所述逻辑电路处理由所述脉冲整形电路整形的所述脉冲信号，并且
所述脉冲整形电路和所述逻辑电路被设置为在所述电路芯片中彼此堆叠。
6.根据权利要求5所述的光接收装置，其中，
在所述像素芯片中，设置淬灭电路，所述淬灭电路抑制所述光接收元件的雪崩倍增，并且
所述淬灭电路被设置为在所述像素芯片中相对于所述光接收元件堆叠。
7.根据权利要求1所述的光接收装置，其中，
多个晶体管电路部包括脉冲整形电路和逻辑电路，所述脉冲整形电路对从所述光接收元件输出的脉冲信号进行整形，所述逻辑电路处理由所述脉冲整形电路整形的所述脉冲信号，
在所述像素芯片中，淬灭电路和所述脉冲整形电路被设置为相对于所述光接收元件堆叠，所述淬灭电路抑制所述光接收元件的雪崩倍增，并且
在所述电路芯片中，设置所述逻辑电路。
8.根据权利要求7所述的光接收装置，其中，在所述像素芯片中，所述光接收元件、所述淬灭电路和所述脉冲整形电路经由电阻元件彼此电耦接。
9.根据权利要求8所述的光接收装置，其中，在所述像素芯片中，所述电阻元件经由接触部电耦接至所述淬灭电路和所述脉冲整形电路。
10.根据权利要求1所述的光接收装置，其中，所述像素芯片与所述电路芯片之间的所述电耦接部包括使用Cu电极的直接接合的接合部。
11.根据权利要求5所述的光接收装置，其中，
所述电路芯片包括堆叠的两个半导体芯片，
所述脉冲整形电路设置在所述两个半导体芯片中的一个半导体芯片中，并且
所述逻辑电路设置在所述两个半导体芯片中的另一半导体芯片中。
12.根据权利要求11所述的光接收装置，其中，所述两个半导体芯片经由使用Cu电极的接合部彼此电耦接。
13.根据权利要求7所述的光接收装置，其中，
在所述像素芯片中，模拟电路部与所述光接收元件以像素为单位一起设置，所述模拟电路部包括所述淬灭电路，
在所述电路芯片中，设置数字电路部，所述数字电路部包括所述逻辑电路，并且
所述电路芯片上的一个数字电路部由所述像素芯片上的包括多个像素的所述模拟电路部共享。
14.根据权利要求1所述的光接收装置，其中，包括所述光接收元件的像素具有背照式像素结构，在所述像素芯片的其上设置有布线层的一侧被视为基板前表面侧的情况下，所述背照式像素结构接收从基板后表面侧施加的光。
15.一种距离测量设备，包括：
光源单元，将光施加到距离测量目标；以及
光接收装置，接收来自所述距离测量目标的反射光，所述反射光基于从所述光源单元施加的光，其中，
所述光接收装置包括：
堆叠式芯片结构，包括堆叠的像素芯片和电路芯片，
在所述像素芯片中，设置光接收元件，所述光接收元件根据光子的接收生成信号，并且
在所述电路芯片中，包括在读出电路中的电路部相对于所述像素芯片与所述电路芯片之间的电耦接部沿着垂直于所述电路芯片的基板表面的方向设置，所述读出电路读取由所述光接收元件生成的所述信号。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW202228301A (zh) * 2021-01-06 2022-07-16 日商索尼半導體解決方案公司 受光元件及測距系統
WO2024024515A1 (ja) * 2022-07-29 2024-02-01 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 光検出素子および測距システム
WO2024084792A1 (ja) * 2022-10-17 2024-04-25 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 光検出装置、測距装置、および、光検出装置の制御方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102553553B1 (ko) * 2015-06-12 2023-07-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 촬상 장치, 및 그 동작 방법 및 전자 기기
DE112018001862T5 (de) * 2017-04-04 2019-12-19 Sony Semiconductor Solutions Corporation Festkörper-bildaufnahmevorrichtung und elektronisches gerät
CN115278128A (zh) * 2017-10-31 2022-11-01 索尼半导体解决方案公司 光检测设备
JP2019158806A (ja) * 2018-03-16 2019-09-19 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 受光装置及び測距装置
US11855105B2 (en) * 2019-03-29 2023-12-26 Sony Semiconductor Solutions Corporation Solid-state imaging device and electronic device
JP7269787B2 (ja) 2019-04-26 2023-05-09 グンゼ株式会社 ポリプロピレン系延伸フィルムおよび包装用袋

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