JP7426347B2 - 受光素子、固体撮像装置及び測距装置 - Google Patents
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Description
1.第1の実施形態
1.1 測距装置(ToFセンサ)
1.2 固体撮像装置の構成例
1.3 単位画素の回路構成例
1.4 受光素子の平面レイアウト例
1.4.1 比較例に係る平面レイアウト例
1.4.2 第1の実施形態に係る平面レイアウト例
1.5 チップ構成例
1.6 単位画素の断面構造例
1.7 PN半導体領域と遮光膜との位置関係
1.8 単位画素の読出し動作例
1.9 MIX配線のレイアウト例
1.9.1 比較例に係るMIX配線
1.9.2 第1の実施形態に係るMIX配線
1.10 画素信号読出時の駆動例
1.10.1 第1の駆動例
1.10.1.1 第1の駆動例に係るMIX配線
1.10.2 第2の駆動例
1.10.2.1 第2の駆動例に係るMIX配線
1.11 半導体基板中の電界
1.12 動作速度とコントラストとの関係
1.13 動作電圧とコントラストとの関係
1.14 作用・効果
2.第2の実施形態
2.1 第2の実施形態に係る平面レイアウト例
2.2 画素信号読出時の駆動例
2.3 作用・効果
3.第3の実施形態
4.第4の実施形態
5.応用例
まず、第1の実施形態について、以下に図面を参照して詳細に説明する。なお、第1の実施形態では、例えば、間接ToF方式により物体までの距離を測定する受光素子、固体撮像装置及び測距装置について、例を挙げて説明する。
図1は、本実施形態に係る測距装置としてのToFセンサの概略構成例を示すブロック図である。図1に示すように、ToFセンサ1は、制御部11と、発光部13と、受光部14と、演算部15と、外部インタフェース(I/F)19とを備える。
図2は、第1の実施形態に係る受光部としての固体撮像装置の概略構成例を示すブロック図である。
to Digital)変換処理などを行う。
図3は、本実施形態に係る単位画素の等価回路の一例を示す回路図である。図3に示すように、単位画素20は、半導体基板40に形成された2つの信号取出部30A及び30Bのうち、一方の信号取出部30Aにおけるp+半導体領域(以下、MIXという)21に、電荷読出し用の電圧(以下、読出し電圧という)VmixAが印加され、n+半導体領域(以下、DETという)22に、転送トランジスタ24、FD26、リセットトランジスタ23、増幅トランジスタ27及び選択トランジスタ28を含む読出し回路20Aが接続された構成を備える。
つづいて、画素アレイ部101における受光素子の平面レイアウト例について、比較例を用いつつ、詳細に説明する。
図4は、比較例に係る受光素子のレイアウト例を示す平面図である。また、図5は、図4に示す受光素子のサイズの一例を示す平面図である。
一方、図6は、本実施形態に係る受光素子のレイアウト例を示す平面図であり、図7は、図6に示す受光素子のサイズの一例を示す平面図である。
図8は、本実施形態に係る固体撮像装置のチップ構成例を示す図である。図8に示すように、固体撮像装置100は、例えば、受光チップ51と回路チップ52とが上下に貼り合わされた貼合せチップ50の構造を備える。受光チップ51は、例えば、単位画素20における受光素子として機能する半導体基板40から構成された半導体チップであり、回路チップ52は、例えば、単位画素20における読出し回路20A及び20Bや周辺回路等が形成された半導体チップである。
図9は、本実施形態に係る受光素子の概略構成例を示す断面図である。なお、図9には、いわゆる裏面照射型の固体撮像装置100において、列方向に隣接する2つの受光素子31の受光チップ51部分の断面構造例が示されている。
図10は、図9におけるPN半導体領域と遮光膜とを半導体基板における光の入射面と垂直な方向から見た場合の位置関係を示す上視図である。
つづいて、以上のような構造を有する固体撮像装置100を用いて対象物までの距離を間接ToF方式により測定する場合の読出し動作について、図1、図3及び図9等を参照しつつ詳細に説明する。
つぎに、各受光素子31におけるMIX21へ読出し電圧VmixA及びVmixBを印加するための配線(以下、MIX配線という)の平面レイアウト例について、比較例を用いつつ説明する。
図12は、図4に例示した比較例に係るMIX配線の平面レイアウト例を示す図である。図12に示すように、比較例では、各受光素子931の中央付近に2つのMIX921が配置されている。そのため、比較例に係る構成では、例えば、隣接する受光素子931における列方向の境界部分に沿って延在する2つの主配線971及び972のうち、一方の主配線971から一方のMIX921へ読出し電圧VmixAを印加するための枝配線973と、他方の主配線972から他方のMIX921へ読出し電圧VmixBを印加するための枝配線974とを設ける必要がある。
図13は、本実施形態に係るMIX配線の平面レイアウト例を示す図である。図13に示すように、本実施形態では、MIX21が隣接する受光素子31の境界部分に配置されている。そのため、本実施形態では、隣接する受光素子31における列方向の境界部分に沿って延在する2つの主配線71及び72のうち、一方の主配線71から一方のMIX21へ読出し電圧VmixAを印加するための枝配線73と、他方の主配線72から他方のMIX21へ読出し電圧VmixBを印加するための枝配線74とを、遮光膜44で光学的に遮光された領域に配置することが可能となる。それにより、枝配線73及び74での入射光の反射を低減することが可能となるため、その結果、画素分離特性の低下を抑制することが可能となる。
つぎに、画素アレイ部101から画素信号を読み出す際の駆動例について、幾つか例を挙げて説明する。
まず、第1の駆動例について説明する。図14及び図15は、本実施形態に係る第1の駆動例を説明するための図である。
なお、図14及び図15に示すように、奇数行目の受光素子31における上側の境界部分に位置するMIX21に対して共通の読出し電圧VmixAを印加し、偶数行目の受光素子31における上側の境界部分に位置するMIX21に対して他の共通の読出し電圧VmixBを印加するためのMIX配線は、例えば、図16に示すように、奇数列目の受光素子31における左側の境界部分に位置する主配線71と奇数行目の受光素子31における上側の境界部分に位置するMIX21とを枝配線73にて接続するとともに、偶数列目の受光素子31における左側の境界部分に位置する主配線72と偶数行目の受光素子31における上側の境界部分に位置するMIX21とを枝配線74にて接続し、主配線71に読出し電圧VmixAを印加し、主配線72に読出し電圧VmixBを印加する構成とすることで、実現することができる。
つぎに、第2の駆動例について説明する。図17及び図18は、本実施形態に係る第2の駆動例を説明するための図である。
なお、図17及び図18に示すように、奇数行目及び奇数列目の受光素子31並びに偶数行目及び偶数列目の受光素子31における上側の境界部分に位置するMIX21に対して共通の読出し電圧VmixAを印加し、奇数行目及び偶数列目の受光素子31並びに偶数行目及び奇数列目の受光素子31における上側の境界部分に位置するMIX21に対して他の共通の読出し電圧VmixBを印加するためのMIX配線は、例えば、図19に示すように、奇数列目の受光素子31における左側の境界部分に位置する主配線71と奇数行目及び奇数列目の受光素子31並びに偶数行目及び偶数列目の受光素子31における上側の境界部分に位置するMIX21とを枝配線73にて接続するとともに、偶数列目の受光素子31における左側の境界部分に位置する主配線72と奇数行目及び偶数列目の受光素子31並びに偶数行目及び奇数列目の受光素子31における上側の境界部分に位置するMIX21とを枝配線74にて接続し、主配線71に読出し電圧VmixAを印加し、主配線72に読出し電圧VmixBを印加する構成とすることで、実現することができる。
つぎに、本実施形態に係る受光素子31における半導体基板40中に形成される電界について、比較例を用いつつ説明する。
また、半導体基板40の広範囲から信号取り出し側のDET22A又は22Bに効率的に電荷を集めることが可能となることは、本実施形態に係る単位画素20が、高速な読出し動作が可能であることを示している。
また、半導体基板40の広範囲から信号取り出し側のDET22に効率的に電荷を集めることが可能となることは、本実施形態に係る単位画素20が、低い動作電圧での動作が可能であることも示している。
以上のように、本実施形態によれば、1つのMIX21を上下に隣接する2つの単位画素20で共有するため、MIX21の中心間の距離をそのまま単位画素20の画素ピッチとすることが可能となる。それにより、列方向における単位画素20の集積度を上げることが可能となるため、解像度の低下を抑制しつつ測距精度を上げること、又は、測距精度の定価を抑制しつつ解像度を上げることが可能となる。
つぎに、第2の実施形態について、以下に図面を参照して詳細に説明する。なお、以下の説明において、上述した実施形態と同様の構成、動作及び効果については、それらを引用することで、重複する説明を省略する。
図26は、本実施形態に係る受光素子のレイアウト例を示す平面図であり、図27は、図26に示す受光素子のサイズの一例を示す平面図である。
つぎに、画素アレイ部101から画素信号を読み出す際の駆動例について、幾つか例を挙げて説明する。
以上のように、本実施形態によれば、1つのMIX21を上下左右に隣接する4つの受光素子31で共有し、MIX21を各受光素子31の対角に位置させるため、MIX21の中心間の距離の1/√2倍を受光素子31の画素ピッチとすることが可能となる。それにより、列方向及び行方向における受光素子31の集積度を上げることが可能となるため、解像度の低下を抑制しつつ測距精度を上げること、又は、測距精度の定価を抑制しつつ解像度を上げることが可能となる。
第2の実施形態では、各受光素子31におけるDET22A及び22Bの位置を、例えば、各受光素子31の列方向の境界部分における中央寄りの位置とした場合(図26参照)を例示したが、各受光素子31におけるDET22A及び22Bの位置は、種々変更することが可能である。
また、上述した実施形態において、例えば、図31に例示するように、半導体基板40における光の入射面に、円錐状や四角錐状等の溝401を設けることで、半導体基板40の光入射面をモスアイ構造とすることも可能である。
本開示に係る技術は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット、建設機械、農業機械(トラクター)などのいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。
Link)等の有線接続を確立してもよい。車内機器7760は、例えば、搭乗者が有するモバイル機器若しくはウェアラブル機器、又は車両に搬入され若しくは取り付けられる情報機器のうちの少なくとも1つを含んでいてもよい。また、車内機器7760は、任意の目的地までの経路探索を行うナビゲーション装置を含んでいてもよい。車内機器I/F7660は、これらの車内機器7760との間で、制御信号又はデータ信号を交換する。
System)の機能実現を目的とした協調制御を行ってもよい。また、マイクロコンピュータ7610は、取得される車両の周囲の情報に基づいて駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置等を制御することにより、運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行ってもよい。
(1)
半導体基板と、
前記半導体基板の第1面上に設けられ、開口部が行列状に配列する格子状の遮光膜と、
前記半導体基板における前記第1面とは反対側の第2面に行列状に配列する複数の第1半導体領域と、
前記半導体基板の前記第2面であって前記第1半導体領域それぞれを列方向から挟む隣接領域に設けられた複数の第2半導体領域と、
前記半導体基板の前記第2面上に設けられ、前記第1半導体領域と電気的に接続された配線層と、
を備え、
前記第1半導体領域は、前記遮光膜と前記半導体基板の前記第1面を挟んで対応する領域に位置し、
前記配線層は、前記遮光膜と前記半導体基板の前記第1面を挟んで対応する領域を列方向に延在する主配線と、前記遮光膜と前記半導体基板の前記第1面を挟んで対応する領域を行方向に延在し、前記主配線と前記第1半導体領域それぞれとを接続する枝配線とを含む
受光素子。
(2)
前記第1半導体領域は、前記遮光膜における行方向に延在する領域それぞれに設けられている前記(1)に記載の受光素子。
(3)
前記主配線は、奇数列の前記第1半導体領域の第1の側を前記列方向に延在する第1主配線と、偶数列の前記第1半導体領域の前記第1の側を前記列方向に延在する第2主配線とを含み、
前記複数の第1半導体領域のうち、奇数行の前記第1半導体領域は、前記第1主配線に前記枝配線を介して接続され、偶数行の前記第2半導体領域は、前記第2主配線に前記枝配線を介して接続される
前記(1)又は(2)に記載の受光素子。
(4)
前記主配線は、奇数列の前記第1半導体領域の第1の側を前記列方向に延在する第1主配線と、偶数列の前記第1半導体領域の前記第1の側を前記列方向に延在する第2主配線とを含み、
前記奇数列の前記第1半導体領域のうち、奇数行の前記第1半導体領域は、前記第1主配線に前記枝配線を介して接続され、偶数行の前記第1半導体領域は、前記第2主配線に前記枝配線を介して接続され、
前記偶数列の前記第1半導体領域のうち、前記奇数行の前記第1半導体領域は、前記第2主配線に前記枝配線を介して接続され、前記偶数行の前記第1半導体領域は、前記第1主配線に前記枝配線を介して接続される
前記(1)又は(2)に記載の受光素子。
(5)
前記第2半導体領域は、前記第1半導体領域とは反対の導電型を備える前記(1)~(4)の何れか1項に記載の受光素子。
(6)
前記遮光膜上に行列状に配列する複数のオンチップレンズをさらに備える前記(1)~(5)の何れか1項に記載の受光素子。
(7)
前記半導体基板の前記第1面は、モスアイ構造である前記(1)に記載の受光素子。
(8)
複数の受光素子が行列状に配列する半導体基板と、
前記半導体基板の第1面上であって、前記複数の受光素子の境界部分に格子状に設けられた遮光膜と、
前記半導体基板における前記第1面とは反対側の第2面であって、前記複数の受光素子のうちの4つの受光素子の角部が集まる部分と、当該4つの受光素子が構成する矩形領域の4つの角部分とにそれぞれ設けられた第1半導体領域と、
前記半導体基板の前記第2面であって、前記複数の受光素子の境界部分のうちの行方向に延在する境界部分それぞれを列方向から挟む位置それぞれに設けられた第2半導体領域と、
前記半導体基板の前記第2面上に設けられ、前記第1半導体領域と電気的に接続された配線層と、
を備える受光素子。
(9)
前記第2半導体領域は、前記第1半導体領域と前記列方向から隣接する前記位置に設けられている前記(8)に記載の受光素子。
(10)
半導体基板と、
前記半導体基板の第1面上に設けられ、開口部が行列状に配列する格子状の遮光膜と、
前記半導体基板における前記第1面とは反対側の第2面に行列状に配列する複数の第1半導体領域と、
前記半導体基板の前記第2面であって前記第1半導体領域それぞれを列方向から挟む隣接領域に設けられた複数の第2半導体領域と、
前記半導体基板の前記第2面上に設けられ、前記第1半導体領域と電気的に接続された配線層と、
前記複数の第2半導体領域のうち、前記第1半導体領域に対して第1方向から隣接する第2半導体領域それぞれに接続された第1読出し回路と、
前記複数の第2半導体領域のうち、前記第1半導体領域に対して前記第1方向とは反対の第2方向から隣接する第2半導体領域それぞれに接続された第2読出し回路と、
を備え、
前記第1半導体領域は、前記遮光膜と前記半導体基板の前記第1面を挟んで対応する領域に位置し、
前記配線層は、前記遮光膜と前記半導体基板の前記第1面を挟んで対応する領域を列方向に延在する主配線と、前記遮光膜と前記半導体基板の前記第1面を挟んで対応する領域を行方向に延在し、前記主配線と前記第1半導体領域それぞれとを接続する枝配線とを含む
固体撮像装置。
(11)
複数の受光素子が行列状に配列する半導体基板と、
前記半導体基板の第1面上であって、前記複数の受光素子の境界部分に格子状に設けられた遮光膜と、
前記半導体基板における前記第1面とは反対側の第2面であって、前記複数の受光素子のうちの4つの受光素子の角部が集まる部分と、当該4つの受光素子が構成する矩形領域の4つの角部分とにそれぞれ設けられた第1半導体領域と、
前記半導体基板の前記第2面であって、前記複数の受光素子の境界部分のうちの行方向に延在する境界部分それぞれを列方向から挟む位置それぞれに設けられた第2半導体領域と、
前記半導体基板の前記第2面上に設けられ、前記第1半導体領域と電気的に接続された配線層と、
前記第2半導体領域のうち、前記第1半導体領域に対して第1方向から隣接する第2半導体領域それぞれに接続された第1読出し回路と、
前記第2半導体領域のうち、前記第1半導体領域に対して前記第1方向とは反対の第2方向から隣接する第2半導体領域それぞれに接続された第2読出し回路と、
を備える固体撮像装置。
(12)
所定波長の光を出射する発光部と、
受光した光から画素信号を生成する固体撮像装置と、
前記固体撮像装置で生成された画素信号に基づいて物体までの距離を算出する演算部と、
を備え、
前記固体撮像装置は、
半導体基板と、
前記半導体基板の第1面上に設けられ、開口部が行列状に配列する格子状の遮光膜と、
前記半導体基板における前記第1面とは反対側の第2面に行列状に配列する複数の第1半導体領域と、
前記半導体基板の前記第2面であって前記第1半導体領域それぞれを列方向から挟む隣接領域に設けられた複数の第2半導体領域と、
前記半導体基板の前記第2面上に設けられ、前記第1半導体領域と電気的に接続された配線層と、
前記複数の第2半導体領域のうち、前記第1半導体領域に対して第1方向から隣接する第2半導体領域それぞれに接続された第1読出し回路と、
前記複数の第2半導体領域のうち、前記第1半導体領域に対して前記第1方向とは反対の第2方向から隣接する第2半導体領域それぞれに接続された第2読出し回路と、
を備え、
前記第1半導体領域は、前記遮光膜と前記半導体基板の前記第1面を挟んで対応する領域に位置し、
前記配線層は、前記遮光膜と前記半導体基板の前記第1面を挟んで対応する領域を列方向に延在する主配線と、前記遮光膜と前記半導体基板の前記第1面を挟んで対応する領域を行方向に延在し、前記主配線と前記第1半導体領域それぞれとを接続する枝配線とを含む
測距装置。
(13)
所定波長の光を出射する発光部と、
受光した光から画素信号を生成する固体撮像装置と、
前記固体撮像装置で生成された画素信号に基づいて物体までの距離を算出する演算部と、
を備え、
前記固体撮像装置は、
複数の受光素子が行列状に配列する半導体基板と、
前記半導体基板の第1面上であって、前記複数の受光素子の境界部分に格子状に設けられた遮光膜と、
前記半導体基板における前記第1面とは反対側の第2面であって、前記複数の受光素子のうちの4つの受光素子の角部が集まる部分と、当該4つの受光素子が構成する矩形領域の4つの角部分とにそれぞれ設けられた第1半導体領域と、
前記半導体基板の前記第2面であって、前記複数の受光素子の境界部分のうちの行方向に延在する境界部分それぞれを列方向から挟む位置それぞれに設けられた第2半導体領域と、
前記半導体基板の前記第2面上に設けられ、前記第1半導体領域と電気的に接続された配線層と、
前記第2半導体領域のうち、前記第1半導体領域に対して第1方向から隣接する第2半導体領域それぞれに接続された第1読出し回路と、
前記第2半導体領域のうち、前記第1半導体領域に対して前記第1方向とは反対の第2方向から隣接する第2半導体領域それぞれに接続された第2読出し回路と、
を備える測距装置。
11 制御部
13 発光部
14 受光部
15 演算部
19 外部I/F
20 単位画素
20A、20B 読出し回路
21 p+半導体領域(MIX)
22、22A、22B n+半導体領域(DET)
23 リセットトランジスタ
24 転送トランジスタ
26 FD
27 増幅トランジスタ
28 選択トランジスタ
29A、29B 定電流回路
30、230 PN半導体領域
30A、30B 信号取出部
31 受光素子
40 半導体基板
41 絶縁膜
42 反射防止膜
43 平坦化膜
44 遮光膜
45 オンチップレンズ
50 貼合せチップ
51 受光チップ
52 回路チップ
71、72 主配線
73、74 枝配線
80 ホスト
90 物体
100 固体撮像装置
101 画素アレイ部
102 システム制御部
103 垂直駆動回路
104 カラム処理回路
105 水平駆動回路
106 信号処理部
107 データ格納部
401 溝
L1 レーザ光
L2 反射光
L10 入射光
LD 画素駆動線
VSL、VSL0、VSL1 垂直信号線
Claims (13)
- 半導体基板と、
前記半導体基板の第1面上に設けられ、開口部が行列状に配列する格子状の遮光膜と、
前記半導体基板における前記第1面とは反対側の第2面に行列状に配列する複数の第1半導体領域と、
前記半導体基板の前記第2面であって前記第1半導体領域それぞれを列方向から挟む隣接領域に設けられた複数の第2半導体領域と、
前記半導体基板の前記第2面上に設けられ、前記第1半導体領域と電気的に接続された配線層と、
を備え、
前記第1半導体領域は、前記遮光膜と前記半導体基板の前記第1面を挟んで対応する領域に位置し、
前記配線層は、前記遮光膜と前記半導体基板の前記第1面を挟んで対応する領域を列方向に延在する主配線と、前記遮光膜と前記半導体基板の前記第1面を挟んで対応する領域を行方向に延在し、前記主配線と前記第1半導体領域それぞれとを接続する枝配線とを含み、
前記第1半導体領域の行方向における幅は、前記第2半導体領域の行方向における幅よりも大きい
受光素子。 - 前記第1半導体領域は、前記遮光膜における行方向に延在する領域それぞれに設けられている請求項1に記載の受光素子。
- 前記主配線は、奇数列の前記第1半導体領域の第1の側を前記列方向に延在する第1主配線と、偶数列の前記第1半導体領域の前記第1の側を前記列方向に延在する第2主配線とを含み、
前記複数の第1半導体領域のうち、奇数行の前記第1半導体領域は、前記第1主配線に前記枝配線を介して接続され、偶数行の前記第2半導体領域は、前記第2主配線に前記枝配線を介して接続される
請求項1または2に記載の受光素子。 - 前記主配線は、奇数列の前記第1半導体領域の第1の側を前記列方向に延在する第1主配線と、偶数列の前記第1半導体領域の前記第1の側を前記列方向に延在する第2主配線とを含み、
前記奇数列の前記第1半導体領域のうち、奇数行の前記第1半導体領域は、前記第1主配線に前記枝配線を介して接続され、偶数行の前記第1半導体領域は、前記第2主配線に前記枝配線を介して接続され、
前記偶数列の前記第1半導体領域のうち、前記奇数行の前記第1半導体領域は、前記第2主配線に前記枝配線を介して接続され、前記偶数行の前記第1半導体領域は、前記第1主配線に前記枝配線を介して接続される
請求項1または2に記載の受光素子。 - 前記第2半導体領域は、前記第1半導体領域とは反対の導電型を備える請求項1~4のいずれか一つに記載の受光素子。
- 前記遮光膜上に行列状に配列する複数のオンチップレンズをさらに備える請求項1~5のいずれか一つに記載の受光素子。
- 前記半導体基板の前記第1面は、モスアイ構造である請求項1に記載の受光素子。
- 複数の受光素子が行列状に配列する半導体基板と、
前記半導体基板の第1面上であって、前記複数の受光素子の境界部分に格子状に設けられた遮光膜と、
前記半導体基板における前記第1面とは反対側の第2面であって、前記複数の受光素子のうちの4つの受光素子の角部が集まる部分と、当該4つの受光素子が構成する矩形領域の4つの角部分とにそれぞれ設けられた第1半導体領域と、
前記半導体基板の前記第2面であって、前記複数の受光素子の境界部分のうちの行方向に延在する境界部分それぞれを列方向から挟む位置それぞれに設けられた第2半導体領域と、
前記半導体基板の前記第2面上に設けられ、前記第1半導体領域と電気的に接続された配線層と、
を備え、
前記第1半導体領域の行方向における幅は、前記第2半導体領域の行方向における幅よりも大きい
受光素子。 - 前記第2半導体領域は、前記第1半導体領域と前記列方向から隣接する前記位置に設けられている請求項8に記載の受光素子。
- 半導体基板と、
前記半導体基板の第1面上に設けられ、開口部が行列状に配列する格子状の遮光膜と、
前記半導体基板における前記第1面とは反対側の第2面に行列状に配列する複数の第1半導体領域と、
前記半導体基板の前記第2面であって前記第1半導体領域それぞれを列方向から挟む隣接領域に設けられた複数の第2半導体領域と、
前記半導体基板の前記第2面上に設けられ、前記第1半導体領域と電気的に接続された配線層と、
前記複数の第2半導体領域のうち、前記第1半導体領域に対して第1方向から隣接する第2半導体領域それぞれに接続された第1読出し回路と、
前記複数の第2半導体領域のうち、前記第1半導体領域に対して前記第1方向とは反対の第2方向から隣接する第2半導体領域それぞれに接続された第2読出し回路と、
を備え、
前記第1半導体領域は、前記遮光膜と前記半導体基板の前記第1面を挟んで対応する領域に位置し、
前記配線層は、前記遮光膜と前記半導体基板の前記第1面を挟んで対応する領域を列方向に延在する主配線と、前記遮光膜と前記半導体基板の前記第1面を挟んで対応する領域を行方向に延在し、前記主配線と前記第1半導体領域それぞれとを接続する枝配線とを含み、
前記第1半導体領域の行方向における幅は、前記第2半導体領域の行方向における幅よりも大きい
固体撮像装置。 - 複数の受光素子が行列状に配列する半導体基板と、
前記半導体基板の第1面上であって、前記複数の受光素子の境界部分に格子状に設けられた遮光膜と、
前記半導体基板における前記第1面とは反対側の第2面であって、前記複数の受光素子のうちの4つの受光素子の角部が集まる部分と、当該4つの受光素子が構成する矩形領域の4つの角部分とにそれぞれ設けられた第1半導体領域と、
前記半導体基板の前記第2面であって、前記複数の受光素子の境界部分のうちの行方向に延在する境界部分それぞれを列方向から挟む位置それぞれに設けられた第2半導体領域と、
前記半導体基板の前記第2面上に設けられ、前記第1半導体領域と電気的に接続された配線層と、
前記第2半導体領域のうち、前記第1半導体領域に対して第1方向から隣接する第2半導体領域それぞれに接続された第1読出し回路と、
前記第2半導体領域のうち、前記第1半導体領域に対して前記第1方向とは反対の第2方向から隣接する第2半導体領域それぞれに接続された第2読出し回路と、
を備え、
前記第1半導体領域の行方向における幅は、前記第2半導体領域の行方向における幅よりも大きい
固体撮像装置。 - 所定波長の光を出射する発光部と、
受光した光から画素信号を生成する固体撮像装置と、
前記固体撮像装置で生成された画素信号に基づいて物体までの距離を算出する演算部と、
を備え、
前記固体撮像装置は、
半導体基板と、
前記半導体基板の第1面上に設けられ、開口部が行列状に配列する格子状の遮光膜と、
前記半導体基板における前記第1面とは反対側の第2面に行列状に配列する複数の第1半導体領域と、
前記半導体基板の前記第2面であって前記第1半導体領域それぞれを列方向から挟む隣接領域に設けられた複数の第2半導体領域と、
前記半導体基板の前記第2面上に設けられ、前記第1半導体領域と電気的に接続された配線層と、
前記複数の第2半導体領域のうち、前記第1半導体領域に対して第1方向から隣接する第2半導体領域それぞれに接続された第1読出し回路と、
前記複数の第2半導体領域のうち、前記第1半導体領域に対して前記第1方向とは反対の第2方向から隣接する第2半導体領域それぞれに接続された第2読出し回路と、
を備え、
前記第1半導体領域は、前記遮光膜と前記半導体基板の前記第1面を挟んで対応する領域に位置し、
前記配線層は、前記遮光膜と前記半導体基板の前記第1面を挟んで対応する領域を列方向に延在する主配線と、前記遮光膜と前記半導体基板の前記第1面を挟んで対応する領域を行方向に延在し、前記主配線と前記第1半導体領域それぞれとを接続する枝配線とを含み、
前記第1半導体領域の行方向における幅は、前記第2半導体領域の行方向における幅よりも大きい
測距装置。 - 所定波長の光を出射する発光部と、
受光した光から画素信号を生成する固体撮像装置と、
前記固体撮像装置で生成された画素信号に基づいて物体までの距離を算出する演算部と、
を備え、
前記固体撮像装置は、
複数の受光素子が行列状に配列する半導体基板と、
前記半導体基板の第1面上であって、前記複数の受光素子の境界部分に格子状に設けられた遮光膜と、
前記半導体基板における前記第1面とは反対側の第2面であって、前記複数の受光素子のうちの4つの受光素子の角部が集まる部分と、当該4つの受光素子が構成する矩形領域の4つの角部分とにそれぞれ設けられた第1半導体領域と、
前記半導体基板の前記第2面であって、前記複数の受光素子の境界部分のうちの行方向に延在する境界部分それぞれを列方向から挟む位置それぞれに設けられた第2半導体領域と、
前記半導体基板の前記第2面上に設けられ、前記第1半導体領域と電気的に接続された配線層と、
前記第2半導体領域のうち、前記第1半導体領域に対して第1方向から隣接する第2半導体領域それぞれに接続された第1読出し回路と、
前記第2半導体領域のうち、前記第1半導体領域に対して前記第1方向とは反対の第2方向から隣接する第2半導体領域それぞれに接続された第2読出し回路と、
を備え、
前記第1半導体領域の行方向における幅は、前記第2半導体領域の行方向における幅よりも大きい
測距装置。
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