DE112018004499T5 - Halbleitervorrichtung und verfahren zur herstellung derselben - Google Patents

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Shun Mitarai
Shusaku Yanagawa
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    • H01L2224/82986—Specific sequence of steps, e.g. repetition of manufacturing steps, time sequence

Abstract

Die vorliegende Technologie bezieht sich auf eine Halbleitervorrichtung und ein Verfahren zur Herstellung derselben, geeignet um die Zuverlässigkeit eines Glassubstrats, auf dem eine Verdrahtungsschicht gebildet wird, zu verbessern.
Eine Halbleitervorrichtung wird mit einem Glassubstrat bereitgestellt, auf dessen Vorderfläche oder Vorder- und Rückfläche eine Verdrahtungsschicht mit einer oder mehreren Schichten mit Verdrahtung ausgebildet ist, einer elektronischen Komponente, die innerhalb einer auf dem Glassubstrat ausgebildeten Glasöffnung angeordnet ist, und einer Umverteilungsschicht, die die Verdrahtung des Glassubstrats und die elektronische Komponente verbindet. Die vorliegende Technologie ist beispielsweise auf ein Hochfrequenz-Front-End-Modul und ähnliches anwendbar.

Description

  • TECHNISCHES GEBIET
  • Die vorliegende Technologie bezieht sich auf eine Halbleitervorrichtung und ein Verfahren zu deren Herstellung, und zwar insbesondere auf eine Halbleitervorrichtung und ein Verfahren zu deren Herstellung, geeignet, um die Zuverlässigkeit eines Glassubstrats, auf dem eine Verdrahtungsschicht gebildet ist, zu verbessern.
  • HINTERGRUNDTECHNIK
  • In neueren elektronischen Geräten, die durch mobile Geräte repräsentiert werden, muss man mit einer Erhöhung der Signalfrequenz zurechtkommen, die eine höhere Leistung, eine höhere Funktionalität und eine Erhöhung der Kommunikationsgeschwindigkeit und -kapazität eines zu verwendenden Elements begleitet, zusätzlich zur kontinuierlichen Nachfrage nach kleineren und dünneren elektronischen Komponenten, die in den Geräten montiert sind.
  • Um diesen Anforderungen gerecht zu werden, wurden verschiedene Montage- und Verpackungstechnologien entwickelt. Unter diesen Technologien gibt es beispielsweise ein Fan-out-Wafer-Level-Package bzw. -Gehäuse (FO-WLP), wie im Nichtpatentdokument 1 offengelegt. Dabei handelt es sich um eine Art eines sogenannten Fan-out-Gehäuses, bei dem eine auf einem nackten Chip gebildete Umverteilungsschicht (RDL) über den Chipumriss hinaus verlängert wird. FO-WLP realisiert die Miniaturisierung durch die Anwendung eines Dünnschicht-Verdrahtungsprozesses, der in einem konventionellen Waferprozess verwendet wird, auf einen Umverteilungsschichtprozess. Von FO-WLP wird erwartet, dass es ein Multi-Chip-Modul realisiert, bei dem eine Vielzahl von Chips mit einer hochdichten Verdrahtung verbunden wird, und dass es eine deutliche Reduzierung der Größe und Dicke gegenüber herkömmlichen Gehäusen erreicht.
  • Ein Verfahren zur Bildung von FO-WLP umfasst ein Chip-first-System, das im Nichtpatentdokument 1 offenbart wird, bei dem ein Pseudo-Wafer gebildet wird, bei dem ein nackter Chip in Formharz eingebettet wird und darauf eine Umverteilungsschicht gebildet wird, und ein sogenanntes RDL-first-System, bei dem ein nackter Chip auf eine zuvor gebildete Umverteilungsschicht flip-chip montiert wird; das Chip-first-System ist dominant. Insbesondere bei Gehäusen, die Hochgeschwindigkeits- und Hochfrequenzsignale verarbeiten, ist die Chip-zu-Chip-Systemstruktur ohne Bumps bzw. Höcker oder Drähte in der Verbindung zwischen dem nackten Chip und der Umverteilungsschicht wirksam, um parasitäre Induktivität und Signalrückführverluste an der Verbindung zu unterdrücken.
  • Doch selbst wenn der nackte Chip ein ausgezeichnetes Produkt ist, wird bei diesem Chip-first-System das Gehäuse defekt, wenn ein defektes Teil in der Umverteilungsschicht vorhanden ist. Eine Ursache für die schlechte Ausbildung der Umverteilungsschicht ist der Verzug des Pseudo-Wafers, der durch die Verwendung des Formharzes entsteht, und die Positionsverschiebung des nackten Chips aufgrund der Schrumpfung während der Aushärtung des Formharzes. Insbesondere bei einem Multi-Chip-Modul, in dem eine Vielzahl von nackten Chips verbunden ist, tritt zusätzlich zur Positionsverschiebung im Wafer auch die Positionsverschiebung zwischen den Chips in einem Gehäusebereich zusammengesetzt auf.
  • Für eine solche Situation wird ein so genanntes Chip-Middle-System vorgeschlagen, bei dem mindestens eine Verdrahtungsschicht auf einem isolierenden Basismaterial gebildet wird, das die Steifigkeit des Gehäuses aufrechterhält, danach ein Durchgangsloch auf dem isolierenden Basismaterial geöffnet wird, auf dem die Verdrahtung gebildet wird, um einen nackten Chip einzubetten, und eine Umverteilungsschicht gebildet wird (siehe Patentdokument 1).
  • ZITATLISTE
  • PATENTDOKUMENT
  • Patentdokument 1: Offengelegte japanische Patentanmeldung Nr. 2016-213466
  • NICHT-PATENTDOKUMENT
  • Nicht-Patentdokument 1: M. Brunnbauer et al., „Embedded wafer level ball grid array (eWLB)“, 2006, EPTC '06. 8te.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • PROBLEME, DIE DURCH DIE ERFINDUNG GELÖST WERDEN SOLLEN
  • Das Patentdokument 1 offenbart wärmehärtbares Harz, thermoplastisches Harz, Glas, Keramik, Kunststoff und ähnliches als Beispiele für die isolierenden Grundmaterialien, die die Steifigkeit der Verpackung aufrechterhalten; in einem Fall, in dem Glas als isolierendes Grundmaterial verwendet wird, war jedoch eine Beschädigung beim Öffnen des Durchgangslochs in Glas, das ein sprödes Material ist, wahrscheinlich.
  • Die gegenwärtige Technologie wird im Hinblick auf eine solche Situation erreicht, und ein Ziel davon ist die Verbesserung der Zuverlässigkeit eines Glassubstrats, auf dem eine Verdrahtungsschicht gebildet wird.
  • LÖSUNGEN FÜR PROBLEME
  • Eine Halbleitervorrichtung gemäß einem ersten Aspekt der vorliegenden Technologie ist mit einem Glassubstrat versehen, auf dessen Vorderfläche oder Vorder- und Rückfläche eine Verdrahtungsschicht mit einer oder mehreren Schichten mit Verdrahtung gebildet ist, einer elektronischen Komponente, die innerhalb einer auf dem Glassubstrat gebildeten Öffnung angeordnet ist, und einer Umverteilungsschicht, die die Verdrahtung des Glassubstrats und der elektronischen Komponente verbindet.
  • Im ersten Aspekt der vorliegenden Technologie werden ein Glassubstrat, auf dessen Vorderfläche oder Vorder- und Rückseite eine Verdrahtungsschicht mit einer oder mehreren Verdrahtungsschichten gebildet wird, eine elektronische Komponente, die in einer auf dem Glassubstrat gebildeten Öffnung angeordnet ist, und eine Umverteilungsschicht, die die Verdrahtung des Glassubstrats und der elektronischen Komponente verbindet, bereitgestellt.
  • Ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung gemäß einem zweiten Aspekt der vorliegenden Technologie ist mit der Ausbildung einer Verdrahtungsschicht, die eine oder mehrere Schichten mit Verdrahtung auf einer Vorderfläche oder Vorder- und Rückfläche eines Glassubstrats enthält, mit der Bildung einer Öffnung auf dem Glassubstrat und der Anordnung einer elektronischen Komponente innerhalb der Öffnung und mit der Bildung einer Umverteilungsschicht, die die Verdrahtung des Glassubstrats mit der elektronischen Komponente verbindet, versehen.
  • Beim zweiten Aspekt der vorliegenden Technologie wird eine Verdrahtungsschicht mit einer oder mehreren Schichten mit Verdrahtung auf einer Vorderfläche oder Vorder- und Rückfläche eines Glassubstrats gebildet, eine Öffnung auf dem Glassubstrat ausgebildet und eine elektronische Komponente innerhalb der Öffnung angeordnet, und eine Umverteilungsschicht, die die Verdrahtung des Glassubstrats mit der elektronischen Komponente verbindet, wird gebildet.
  • Die Halbleitervorrichtung kann eine unabhängige Vorrichtung oder ein in ein anderes Gerät integriertes Modul sein.
  • WIRKUNGEN DER ERFINDUNG
  • Nach dem ersten und zweiten Aspekt der vorliegenden Technologie kann die Zuverlässigkeit des Glassubstrats, auf dem die Verdrahtungsschicht gebildet wird, verbessert werden.
  • Zu beachten ist, dass die Wirkungen nicht notwendigerweise auf die hier beschriebenen Wirkungen beschränkt sind und den in der vorliegenden Offenlegung beschriebenen Wirkungen entsprechen können.
  • Figurenliste
    • 1 ist eine Querschnittsansicht, die ein Konfigurationsbeispiel einer ersten Ausführungsform einer Halbleitervorrichtung zeigt, auf das die vorliegende Technologie angewendet wird.
    • 2 ist eine Ansicht, die einen Vorteil der Halbleitervorrichtung in 1 erklärt.
    • 3 ist eine Ansicht, die ein Verfahren zur Herstellung der Halbleitervorrichtung in 1 erklärt.
    • 4 ist eine Ansicht, die ein Verfahren zur Herstellung der Halbleitervorrichtung in 1 erklärt.
    • 5 ist eine Ansicht, die ein Verfahren zur Herstellung eines wärmestrahlenden, leitenden Materials erklärt.
    • 6 ist eine Querschnittsansicht, die eine erste Variante der ersten Ausführungsform zeigt.
    • 7 ist eine Querschnittsansicht, die eine zweite Variante der ersten Ausführungsform zeigt.
    • 8 ist eine Querschnittsansicht, die ein Konfigurationsbeispiel für eine zweite Ausführungsform einer Halbleitervorrichtung zeigt, auf das die vorliegende Technologie angewendet wird.
    • 9 ist eine Querschnittsansicht, die ein Konfigurationsbeispiel für eine dritte Ausführungsform einer Halbleitervorrichtung zeigt, auf das die vorliegende Technologie angewendet wird.
    • 10 ist eine Querschnittsansicht, die ein Konfigurationsbeispiel für eine vierte Ausführungsform einer Halbleitervorrichtung zeigt, auf das die vorliegende Technologie angewendet wird.
    • 11 ist eine Querschnittsansicht, die ein Konfigurationsbeispiel einer fünften Ausführungsform einer Halbleitervorrichtung zeigt, auf das die vorliegende Technologie angewendet wird.
    • 12 ist eine Querschnittsansicht, die ein Konfigurationsbeispiel einer sechsten Ausführungsform einer Halbleitervorrichtung zeigt, auf das die vorliegende Technologie angewendet wird.
    • 13 ist ein Blockdiagramm, das ein Beispiel für eine schematische Konfiguration eines Fahrzeugsteuerungssystems zeigt.
    • 14 ist eine erklärende Ansicht, die ein Beispiel für die Einbaulage eines Teils zur Erkennung von Fahrzeugaußeninformationen und einer Abbildungseinheit zeigt.
  • MODUS FÜR DIE AUSFÜHRUNG DER ERFINDUNG
  • Im Folgenden wird ein Modus für die Ausführung der vorliegenden Technologie (im Folgenden als Ausführungsform bezeichnet) beschrieben. Zu beachten ist, dass die Beschreibung in der folgenden Reihenfolge erfolgt.
    • 1. Erste Ausführungsform der Halbleitervorrichtung
    • 1.1 Querschnittsansicht der Halbleitervorrichtung
    • 1.2 Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen
    • 2. Variation der ersten Ausführungsform
    • 2.1 Erste Variation
    • 2.2 Zweite Variation
    • 3. Zweite Ausführungsform der Halbleitervorrichtung
    • 4. Dritte Ausführungsform der Halbleitervorrichtung
    • 5. Vierte Ausführungsform der Halbleitervorrichtung
    • 6. Fünfte und sechste Ausführungsform der Halbleitervorrichtung
    • 7. Anwendungsbeispiel
  • <erste Ausführungsform der Halbleitervorrichtung>
  • <Querschnittsansicht der Halbleitervorrichtung>
  • 1 ist eine Querschnittsansicht, die ein Konfigurationsbeispiel einer ersten Ausführungsform einer Halbleitervorrichtung zeigt, auf das die vorliegende Technologie angewendet wird.
  • Eine Halbleitervorrichtung 1 in 1 umfasst die Verdrahtungsschichten 14A und 14B, die jeweils eine oder mehrere Schichten mit Verdrahtung 12 und eine Isolierschicht (Zwischenschicht-Isolierfilm) 13 auf einer oberen Fläche und einer unteren Fläche eines Glassubstrats 11, das als Kernsubstrat dient, umfassen. In 1 ist die untere Fläche des Glassubstrats 11 eine Vorderfläche des Glassubstrats 11 und die obere Fläche des Glassubstrats 11 ist eine Rückfläche des Glassubstrats 11. Ein oder mehrere Durchgangslöcher 15 sind in einem vorbestimmten Bereich des Glassubstrats 11 ausgebildet, und ein Durchgangsvia (Durchgangselektrode) 16, das an einem inneren Umfang des Durchgangslochs 15 ausgebildet ist, verbindet elektrisch die Verdrahtung 12 der Verdrahtungsschicht 14A auf der oberen Fläche und die Verdrahtung 12 der Verdrahtungsschicht 14B auf der unteren Fläche. Im Folgenden werden die Verdrahtungsschichten 14A und 14B auch als Verdrahtungsschicht 14 bezeichnet, wenn sie nicht voneinander unterschieden werden sollen.
  • Darüber hinaus ist die Halbleitervorrichtung 1 mit einem Hohlraum 17 versehen, der durch Öffnen des Glassubstrats 11 und der Verdrahtungsschichten 14A und 14B im Wesentlichen in der Mitte in einer ebenen Richtung in der Vorrichtung erhalten wird. Eine elektronische Komponente 18 ist im Hohlraum 17 angeordnet, und ein von der elektronischen Komponente 18 verschiedener Raum im Hohlraum 17 wird mit einem wärmestrahlenden leitenden Material 19 und Harz bzw. Resist 20 gefüllt. Genauer gesagt wird eine Vielzahl von Durchgangslöchern 19A gebildet, die das über der elektronischen Komponente 18 gefüllte Harz 20 in einer Tiefenrichtung durchdringen, und das wärmestrahlende leitende Material 19 wird in jedes Durchgangsloch 19A eingebettet. Die elektronische Komponente 18 ist eine Komponente wie z.B. eine Antenne, ein Filter, ein Leistungsverstärker, ein Schalter, ein rauscharmer Verstärker, ein Phasenschieber, ein Mischer, ein PLL und ein passives Element.
  • Eine Wärmesenke (Wärmeverteiler) 31 wird mit einem wärmeleitenden Haftmittel 30, wie z.B. einem thermischen Grenzflächenmaterial (TIM, thermal interface material), auf die obere Fläche der Verdrahtungsschicht 14A, die eine Oberseite des Halbleitervorrichtung 1 ist, angehaftet. Daher kann die Wärme, die oberhalb der elektronischen Komponente 18 durch das wärmeabstrahlende leitende Material 19 freigesetzt wird, zur Abstrahlung verteilt werden.
  • Im Gegensatz dazu werden eine Umverteilungsschicht 22 und eine Isolierschicht 23 auf einer unteren Fläche der Verdrahtungsschicht 14B gebildet, die eine Unterseite der Halbleitervorrichtung 1 ist, und die Umverteilungsschicht 22 ist über ein Via 24 mit einem Anschluss 25 der elektronischen Komponente 18 verbunden oder mit der Verdrahtung 12 der Verdrahtungsschicht 14B verbunden. Die Umverteilungsschicht 22 verbindet den Anschluss 25 der elektronischen Komponente 18 elektrisch mit der Verdrahtung 12 der Verdrahtungsschicht 14B. Ein Signal und eine Versorgungsspannung, die der elektronischen Komponente 18 zugeführt werden, werden von einem externen Anschluss 26 über die Umverteilungsschicht 22 in die elektronische Komponente 18 eingegeben, und ein Ausgangssignal der elektronischen Komponente 18 wird vom externen Anschluss 26 über die Umverteilungsschicht 22 ausgegeben. Der externe Anschluss 26 ist beispielsweise ein Löthöcker, und eine Ni/Au- oder Ni/Pd/Au-Plattierung (nicht abgebildet), wie sie unter dem Löthöcker Metall (UBM) bildet, wird auf einer Oberfläche der Umverteilungsschicht 22 gebildet, auf der der externe Anschluss 26 angeordnet ist.
  • Zu beachten ist, dass die Halbleitervorrichtung 1 ohne den externen Anschluss 26 gebildet werden kann. In diesem Fall, zum Beispiel, wenn die Halbleitervorrichtung 1 auf einem Hauptsubstrat montiert wird, sind die Umverteilungsschicht 22 der Halbleitervorrichtung 1 und das Hauptsubstrat durch den Löthöcker und ähnliches miteinander verbunden.
  • In der in der oben beschriebenen Weise konfigurierten Halbleitervorrichtung 1 ist das wärmeabstrahlende leitende Material 19 so angeordnet, dass es mit einer oberen Fläche des in dem Hohlraum 17 angeordneten elektronischen Komponente 18 in Kontakt steht, und das wärmeabstrahlende leitende Material 19 ist mittels des wärmeleitenden Haftmittels 30 mit der Wärmesenke 31 verbunden.
  • Durch die Bildung eines wärmeabstrahlenden Pfades der elektronischen Komponente 18, indem das wärmeabstrahlende leitende Material 19 unter Verwendung eines Materials mit hoher Wärmeleitfähigkeit so angeordnet wird, dass es mit der oberen Fläche der elektronischen Komponente 18 in Kontakt ist, anstatt durch das Glassubstrat 11 mit niedriger Wärmeleitfähigkeit hindurchzuführen, kann die Effizienz der Wärmeabstrahlung verbessert werden. Außerdem kann durch die Anordnung der Wärmesenke 31 auf einer oberen Fläche der Halbleitervorrichtung 1 und dessen Verbindung mit dem wärmeabstrahlenden leitenden Material 19 durch das wärmeleitenden Haftmittel 30 eine wärmeabstrahlende Struktur durch eine höhere Kapazität realisiert werden.
  • Darüber hinaus wird in der Halbleitervorrichtung 1, im Hohlraum 17, eine Öffnungsbreite eines Nicht-Ausbildungsbereichs der Verdrahtungsschicht 21, der ein Bereich ist, in dem die obere und untere Verdrahtungsschicht 14 des Glassubstrats 11 nicht gebildet sind, breiter gemacht als eine Breite einer Glasöffnung 32, die die Öffnung des Glassubstrats 11 ist.
  • In der Halbleitervorrichtung 1 werden die elektronische Komponente 18, das Harz 20 und die Verdrahtungsschicht 14B mit unterschiedlichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten auf der Isolierschicht 23 einschließlich der Umverteilungsschicht 22 in in einer Ebenenrichtung getrennten Bereichen gebildet.
  • In einem Fall, in dem die Stirnseiten der Verdrahtungsschichten 14A und 14B und eine Stirnseite des Glassubstrats 11 bündig miteinander abschließen, wie in A der 2 dargestellt ist, wird eine einer Dicke des Harzes 20 entsprechende Belastung auf eine Grenze 35 zwischen dem Harz 20 und der Verdrahtungsschicht 14B und eine Grenze 36 zwischen dem Harz 20 und der elektronischen Komponente 18 aufgebracht, wobei es sich um einzelne Belastungspunkte aufgrund von Ausdehnung und Kontraktion durch einen thermischen Zyklus und ähnlichem handelt, was eine Verschlechterung der Zuverlässigkeit der Umverteilungsschicht 22 verursacht, die so gebildet wird, dass sie die elektronische Komponente 18, das Harz 20 und die Verdrahtungsschicht 14B überspannt.
  • Im Gegensatz dazu ist bei der Halbleitervorrichtung 1, wie in B von 2 dargestellt, die Endfläche bzw. Stirnfläche des Glassubstrats 11 in Bezug auf die Endflächen der Verdrahtungsschichten 14A und 14B versetzt, und die auf die Grenze 35 zwischen dem Harz 20 und der Verdrahtungsschicht 14B aufgebrachte Spannung entspricht der Spannung, die der Dicke der Verdrahtungsschicht 14A oder 14B entspricht, so dass die Spannungsbelastung im Vergleich zu einem Fall in A von 2 reduziert ist. Daher kann die Zuverlässigkeit der Umverteilungsschicht 22, die über eine gesamte untere Fläche gebildet wird, verbessert werden.
  • <Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung>
  • Als nächstes wird ein Verfahren zur Herstellung der in 1 dargestellten Halbleitervorrichtung 1 unter Bezugnahme auf die 3 und 4 beschrieben.
  • Zunächst werden, wie in A von 3 dargestellt, die Verdrahtungsschichten 14A und 14B auf der oberen bzw. unteren Fläche des Glassubstrats 11 gebildet. Die Verdrahtungsschichten 14A und 14B werden gebildet, wobei im Nicht-Ausbildungsbereich der Verdrahtungsschicht 21 die Öffnungsbreite größer ist als die Breite der Glasöffnung 32 (1). In der folgenden Beschreibung wird das Glassubstrat 11, auf dem die Verdrahtungsschichten 14A und 14B gebildet werden, auch zusammenfassend als Glasverdrahtungssubstrat bezeichnet.
  • Ein Material des Glassubstrats 11 ist aus Sicht der Anpassung eines linearen Ausdehnungskoeffizienten an die darin eingebettete elektronische Komponente 18 und der Zuverlässigkeit der Verdrahtung wünschenswert alkalifreies Glas, das kein Alkalimetall enthält, oder Glas mit wenig Alkali. Als Material des Glassubstrats 11 können z.B. AN100 (Asahi Glass Co., Ltd.), Eagle-XG (Corning Incorporated), OA-10G (Nippon Electric Glass Co., Ltd.) und ähnliches verwendet werden.
  • Die Verdrahtung 12 in den Verdrahtungsschichten 14A und 14B kann z.B. durch ein semi-additives Verfahren unter Verwendung von Cu als Metallmaterial gebildet werden, aber das Material der Verdrahtung 12 und das Verfahren zu ihrer Bildung sind nicht hierauf beschränkt. Ähnlich verhält es sich bei einem Material der Isolierschicht 13; in einem Fall, in dem der Nicht-Ausbildungsbereich der Verdrahtungsschicht 21 gebildet wird und eine mehrschichtige Verdrahtung 12 erforderlich ist, ist es unter dem Gesichtspunkt der Unterdrückung eines Schrittes zwischen einem Ausbildungsbereich der Verdrahtung 12 und dem Nicht-Ausbildungsbereich der Verdrahtungsschicht 21 und der Unterdrückung von Rückständen im Nicht-Ausbildungsbereich der Verdrahtungsschicht 21 vorzuziehen, ein photo-abbildbares Dünnfilm-Dielektrikum (PID, photo imageable dielectric) als Material der Isolierschicht 13 zu verwenden.
  • Als nächstes wird des Harz 41 so gebildet, dass es die Verdrahtungsschichten 14A und 14B bedeckt, die auf der oberen bzw. unteren Fläche des Glassubstrats 11 gebildet werden, wie in B von 3 dargestellt, und danach wird das Glassubstrat 11 in einem Bereich, in dem das Harz 41 nicht gebildet wird, entfernt. Daher wird das Glassubstrat 11, wie in C von 3 dargestellt, geöffnet. Das Harz 41, das auf den oberen Flächen der Verdrahtungsschichten 14A und 14B gebildet wird, ist z.B. ein HF-resistentes Harz und ähnliches, das das isotrope Nassätzen von HF und ähnlichem unterstützt.
  • Ein Prozess zum Öffnen des Glassubstrats 11 ist nicht besonders limitiert, solange es sich um ein Verfahren handelt, das ein Glasmaterial mit einer praktischen Geschwindigkeit bearbeiten kann, wie z.B. Laserablation bzw. Laserabtragungsbearbeitung, Stealth Dicing, Sandstrahlen, Nassätzen und ähnliches. So ist es beispielsweise möglich, ein Verfahren zur Bearbeitung in zwei Stufen der groben ersten Bearbeitung und der feinen zweiten Bearbeitung anzuwenden, wie z.B. ein Verfahren zum Öffnen durch die Laserabtragungsbearbeitung und anschließendes Entfernen von Mikrorissen und einer Restspannungsschicht auf den bearbeiteten Endflächen durch isotropes Nassätzen von HF und ähnlichem. In diesem Fall wird in der groben ersten Bearbeitung, obwohl es vom Bearbeitungsverfahren abhängt, eine Schadensschicht bis zu einer Tiefe von etwa 5 bis 50 µm von der Endfläche des Glassubstrats 11 gebildet, so dass ein Versatz von den Endflächen der Verdrahtungsschichten 14A und 14B zur Endfläche des Glassubstrats 11 vor der zweiten Bearbeitung größer als eine Breite der Schadensschicht, z.B. etwa 70 bis 100 µm, eingestellt wird. Zu beachten ist, dass das Glassubstrat 11 nur durch ein Verarbeitungsverfahren, wie z.B. nur das isotrope Nassätzen, geöffnet werden kann, ohne dass die Verarbeitung in zwei Stufen erfolgt. Die Glasöffnung 32 des Glassubstrats 11 wird durch das isotrope Nassätzen breiter als ein Nicht-Ausbildungsbereich 42 des Harzes 41 gebildet. Folglich ist ein Abstand d1 in der planaren Richtung von der Endfläche der Glasöffnung 32 zur Endfläche der Verdrahtungsschicht 14 kürzer als ein Abstand d2 in der planaren Richtung von der Endfläche des Harzes 41 zur Endfläche der Verdrahtungsschicht 14.
  • Nachdem die Glasöffnung 32 auf dem Glassubstrat 11 gebildet wurde, wie in D von 3 dargestellt, wird das auf den oberen Flächen der Verdrahtungsschichten 14A und 14B gebildete Harz 41 entfernt. Daher wird der Hohlraum 17 gebildet, in dem sich der Versatz zwischen dem Nicht-Ausbildungsbereich der Verdrahtungsschicht 21 und der Glasöffnung 32 befindet.
  • Anschließend wird, wie in E von 3 dargestellt, ein Trägersubstrat 43 mit einem temporären Bondmaterial (TB) 44 an eine untere Fläche der Verdrahtungsschicht 14B temporär angehaftet. Als TB-Material 44 wird ein Material verwendet, das im Allgemeinen in einem Chip-First-System FO-WLP verwendet wird. Beispiele für das TB-Material 44 sind z.B. ein Typ vom thermischen Ablösen, ein Typ vom ultravioletten Ablösen, ein Typ vom Ablösen durch chemische Lösungen und ähnliches. Darüber hinaus ist es wünschenswert, das Trägersubstrat 43 mit einem thermischen Ausdehnungskoeffizienten zu verwenden, der dem des für das Glasverdrahtungssubstrat verwendeten Materials entspricht oder nahe kommt, um den Substratverzug nach dem Bonden zu unterdrücken. Zu beachten ist, dass in einem Fall, in dem das Verhältnis der Öffnungsfläche der Glasöffnung 32 zum Glasverdrahtungssubstrat hoch ist, die Steifigkeit des Glasverdrahtungssubstrats nach der Bildung der Glasöffnung 32 verschlechtert wird und diese leicht bricht. Daher kann zunächst das Trägersubstrat 43 an das Glasverdrahtungssubstrat gebondet werden und dann die Glasöffnung 32 gebildet werden. Das heißt, der Zeitpunkt der Bildung der Glasöffnung 32 kann vor oder nach dem Bonden des Trägersubstrats 43 liegen.
  • Als nächstes wird, wie in F von 3 dargestellt, die elektronische Komponente 18 mit der Fläche nach unten auf das TB-Material 44 in dem Hohlraum 17 montiert. Bei der Montage können je nach Art der elektronischen Komponente 18 ein Chip-Mounter, ein Flip-Chip-Bonder und ähnliches verwendet werden. Um die Ausrichtungsgenauigkeit zu verbessern, ist es möglich, die Montagegenauigkeit anhand einer auf dem Glasverdrahtungssubstrat ausgebildeten Ausrichtungsmarkierung sicherzustellen und die elektronische Komponente 18 anzuordnen.
  • Als nächstes wird, wie in A von 4 dargestellt, ein anderer Bereich als die elektronische Komponente 18 des Hohlraums 17, der auf dem Glasverdrahtungssubstrat gebildet ist, mit dem Harz 20 gefüllt. Ein Verfahren zum Füllen des Harzes 20 wird in Abhängigkeit von einer Form und einer Eigenschaft des Füllmaterials angemessen ausgewählt. Zum Beispiel wird das Vakuumlaminieren für ein filmförmiges PID-Material (Polyimid, PBO und dergleichen) und einen Ajinomoto-Aufbaufilm (ABF) gewählt, der Vakuum-Siebdruck wird für hochviskoses Harz gewählt, das Formpressen wird für Formmasse und dergleichen gewählt. Zu beachten ist, dass in einem Fall, in dem das gefüllte Harz 20 durch Auftragen oder Laminieren auf einer Rückflächenseite des Glasverdrahtungssubstrats verbleibt, dieses entweder als isolierende Schicht für die Verdrahtung belassen oder durch Polieren mit einen Oberflächenhobel und ähnliches entfernt und geglättet werden kann.
  • Als nächstes wird, wie in B von 4 dargestellt, das Trägersubstrat 43 mit Hilfe eines Ablöseverfahrens entsprechend dem Typ des verwendeten TB-Materials 44 abgelöst. Zu diesem Zeitpunkt kann in einem Fall, in dem sich der Rückstand auf dem Anschluss 25 der elektronischen Komponente 18 oder einer Anschlusspad-Oberfläche der Verdrahtung 12 auf der unteren Oberfläche des Glassubstrats 11 befindet, die eine Ablösefläche ist, eine Entfern-Bearbeitung wie z.B. eine Plasmareinigung je nach Anforderung durchgeführt werden.
  • Als nächstes werden, wie in C von 4 dargestellt, die Umverteilungsschicht 22 und die Isolierschicht 23 auf der Seite der Verdrahtungsschicht 14B des Glasverdrahtungssubstrats gebildet. Die Verdrahtung 12 in der Verdrahtungsschicht 14B ist an einer vorbestimmten Stelle durch das Via 24 elektrisch mit der Umverteilungsschicht 22 verbunden. Obwohl die Umverteilungsschicht 22 direkt auf der Isolierschicht 13 der Verdrahtungsschicht 14B gebildet werden kann, ist es vorzuziehen, die Umverteilungsschicht 22 nach der Bildung der Isolierschicht 23 wie in dieser Ausführungsform zu bilden. Das liegt daran, dass die Isolierschicht 23 als eine stufenweise absorbierende Schicht wirkt, wenn die Umverteilungsschicht 22 die elektronische Komponente 18, das Harz 20 und das Glasverdrahtungssubstrat überspannt, als Spannungspufferschicht an einer Verbindung mit der elektronischen Komponente 18 wirkt und die Ionenwanderung entlang einer vergrabenen Grenzfläche der elektronischen Komponente 18 unterdrückt.
  • Als nächstes wird, wie in D von 4 dargestellt, die Durchgangsöffnung 19A auf der Oberseite der elektronischen Komponente 18 in dem mit dem Harz 20 gefüllten Hohlraum 17 gebildet und das wärmestrahlende leitende Material 19 darin eingebettet.
  • Als Verfahren zur Bildung der Durchgangsöffnung 19A, in die das wärmestrahlende leitende Material 19 eingebettet ist, wird ein optimales Verfahren entsprechend dem Material des Harzes 20 gewählt. Wenn beispielsweise das Material des Harzes 20 das PID-Material ist, ist es möglich, Material des Harzes 20 durch Belichtung und Entwicklung zu entfernen, um die Durchgangsöffnung 19A zu bilden.
  • Wenn das Material des Harzes 20 z.B. Gießharz und ähnliches ist, wie in A von 5 dargestellt, kann außerdem im Voraus eine Metallschicht 51 auf der oberen Fläche der elektronischen Komponente 18 gebildet werden, und während diese als Stopper verwendet wird, wie in B von 5 dargestellt, kann die Durchgangsöffnung 19A mit einem CO2-Laser und ähnlichem wie bei der Bildung eines Through Mold Vias (TMV) geöffnet werden, und das wärmestrahlende leitende Material 19 kann darin eingebettet werden, wie in C von 5 dargestellt. Das wärmestrahlende leitende Material 19 kann eine Cu-Beschichtung, Leitpaste und ähnliches sein, aber ein Metallmaterial mit hoher Wärmeleitfähigkeit wie Cu ist vorzuziehen. Das wärmestrahlende leitende Material 19 kann in das gesamte Innere der Durchgangsöffnung 19A eingebettet werden, wie in C von 5 dargestellt, aber es ist auch möglich, dass das gesamte Innere der Durchgangsöffnung 19A nicht mit dem wärmestrahlenden leitenden Material 19 gefüllt ist und eine innere Umfangsfläche der Durchgangsöffnung 19A und eine obere Fläche der Metallschicht 51 eingebettet sind, wie in D von 5 dargestellt. Darüber hinaus kann eine planare Form der Durchgangsöffnung 19A kreisförmig oder polygonal sein.
  • Als nächstes wird, wie in E von 4 dargestellt, die Wärmesenke 31 mit dem wärmeleitenden Haftmittel 30 wie TIM auf die obere Fläche der Verdrahtungsschicht 14A angehaftet. Für die Wärmesenke 31 wird beispielsweise ein leitfähiges Material mit hoher Wärmeleitfähigkeit in der Ebenenrichtung verwendet, wie z.B. Kupferfolie oder eine Graphitplatte.
  • Schließlich wird, wie in F von 4 dargestellt, der externe Anschluss 26, wie z.B. der Löthöcker, auf der unteren Fläche der Verdrahtungsschicht 14B auf der Unterseite der Halbleitervorrichtung 1 gebildet.
  • Wie oben beschrieben, ist die Halbleitervorrichtung 1 in 1 fertig gestellt.
  • In den 3 und 4 ist ein Teil, der einer in 1 dargestellten Halbleitervorrichtung 1 entspricht, dargestellt, aber es ist möglich, eine große Anzahl von Halbleitervorrichtungen 1 gleichzeitig aus einem Glassubstrat 11 herzustellen, indem ein großformatiges Glassubstrat, wie es bei der Herstellung einer Flüssigkristallanzeige verwendet wird, als Glassubstrat 11 verwendet wird. Außerdem kann die Größe des Glassubstrats 11 eine Wafergröße sein.
  • Das Glassubstrat 11 der Halbleitervorrichtung 1 dient als Versteifungsplatte (Versteifung) und kann den Verzug einer Platte zum Zeitpunkt der Herstellung und die Positionsverschiebung der elektronischen Komponente 18 sowie den Verzug der Halbleitervorrichtung 1 selbst als Gehäuse unterdrücken.
  • In einer so genannten RDL-First-System FO-WLP-Struktur, bei der ein nackter Chip (elektronische Komponente 18) auf der zuvor gebildeten Umverteilungsschicht flip-chip montiert wird, ist der Wärmeabstrahlungspfad von dem Chip, der per flip-chip mit dem Glasverdrahtungssubstrat verbunden ist, entweder ein Austritt von einer Chip-Rückflächenseite oder ein Austritt zu einer Glassubstrat-Rückfläche durch die Flip-chip-Verbindung und die Glasdurchgangselektrode.
  • Bei dem System, bei dem die Wärme von der Chiprückflächenseite entweichen kann, ist die Wärmesenke in der Nähe der Umverteilungsschicht angeordnet, und da der größte Teil der Wärmesenke aus einem leitfähigen Material besteht, führt dies zu einer Impedanzverschiebung der Umverteilungsschicht, die besonders für eine Hochfrequenzschaltung fatal ist.
  • Im Gegensatz dazu wird bei dem System, bei dem die Wärme zur Rückflächenseite des Glassubstrats über die Flip-Chip-Verbindung und die Glasdurchgangselektrode entweichen kann, bei dem Versuch, den thermischen Widerstand der Glasdurchgangselektrode zu senken, ein Durchmesser der Glasdurchgangsöffnung vergrößert, was für die Miniaturisierung nachteilig ist, und wenn der Durchmesser klein bleibt, wird der thermische Widerstand hoch. Außerdem gibt es keine praktische Glasverarbeitungstechnik, um gleichzeitig Durchgangsöffnungen mit unterschiedlichen Durchmessern zu öffnen.
  • Entsprechend der Struktur der Halbleitervorrichtung 1 in 1 wird das Durchgangsvia 16 als Feinverdrahtung im Glasverdrahtungssubstrat gebildet, und die Durchgangsöffnung für die Wärmestrahlung wird in dem Harz 20 gebildet, das leichter zu verarbeiten ist als das Glassubstrat 11, so dass die Durchgangsöffnungen mit optimaler Größe gebildet werden können.
  • <Variation der ersten Ausführungsform>
  • <Erste Variation>
  • 6 ist eine Querschnittsansicht, die eine erste Variante der ersten Ausführungsform zeigt.
  • In der Variation und den anderen in 6 und folgenden Zeichnungen dargestellten Ausführungsformen werden den Teilen, die denen der ersten in 1 dargestellten Ausführungsform entsprechen, dieselben Bezugszeichen zugeordnet und die Beschreibungen der Teile gegebenenfalls weggelassen.
  • In der ersten in 1 dargestellten Ausführung wird eine Vielzahl von Durchgangsöffnungen 19A im Harz 20 über der elektronischen Komponente 18 gebildet, und das wärmestrahlende leitende Material 19 ist in jeder Durchgangsöffnung 19A eingebettet.
  • Im Gegensatz dazu wird in der ersten Variante in 6 ein wärmestrahlendes leitendes Material 71 in Blockform (Quaderform) über einer elektronischen Komponente 18 in Harz 20 eingebettet. Das wärmestrahlende leitende Material 71 kann wie das wärmestrahlende leitende Material 19 eine Cu-Plattierung, Leitpaste und ähnliches sein, aber ein Metallmaterial mit hoher Wärmeleitfähigkeit wie Cu ist vorzuziehen. Auf diese Weise ist die Struktur eines wärmestrahlenden Pfades, der durch die Verwendung des wärmestrahlenden leitenden Materials über der elektronischen Komponente 18 gebildet wird, nicht auf die Durchgangsöffnung beschränkt.
  • Zu beachten ist, dass im Falle des blockförmigen wärmestrahlenden leitenden Materials 71, wie in 6 dargestellt, die elektronische Komponente 18, auf deren oberen Fläche (Rückfläche) das blockförmige wärmestrahlende leitende Material 71 angehaftet ist, nur auf ein TB-Material 44 in einem Schritt der Montage der elektronischen Komponente 18, wie in F von 3 dargestellt, montiert werden muss. Eine Höhe des blockförmigen wärmestrahlenden leitenden Materials 71 wird so eingestellt, dass die Gesamthöhe des blockförmigen wärmestrahlenden leitenden Materials 71 und der elektronischen Komponente 18 gleich der Gesamthöhe eines Glassubstrats 11 und der Verdrahtungsschichten 14A und 14B ist, und ein Raum um das wärmestrahlende leitende Material 71 herum wird mit dem Harz 20 so gefüllt, dass er mit einer oberen Fläche des blockförmigen wärmestrahlenden leitenden Materials 71 bündig ist.
  • <Zweite Variation>
  • 7 ist eine Querschnittsansicht, die eine zweite Variation der ersten Ausführungsform zeigt.
  • Die zweite Variation in 7 zeigt ein Konfigurationsbeispiel in einem Fall, in dem eine Vielzahl von wärmestrahlenden leitenden Materialien 19, die über einer elektronischen Komponente 18 gebildet werden, auch als Masseanschlüsse dienen.
  • Insbesondere wird eine Umverteilungsschicht 82 auf den oberen Flächen des wärmestrahlenden leitenden Materials 19 und des Harzes 20 eines Hohlraums 17 und einer Verdrahtungsschicht 14A durch eine Isolierschicht 81 gebildet, und die Umverteilungsschicht 82 ist elektrisch mit jedem der mehreren wärmestrahlenden leitenden Materialien 19 durch Vias 83 verbunden. Die Umverteilungsschicht 82 wird unter Verwendung eines Metallmaterials wie z.B. Cu, Al oder W gebildet.
  • Auf diese Weise ist es möglich, die Umverteilungsschicht 82, die mit der Vielzahl von wärmestrahlenden leitenden Materialien 19 verbunden ist, auf einer Oberseite einer Halbleitervorrichtung 1 als Wärmesenke 31 in 1 zu bilden, wodurch die Umverteilungsschicht 82 als Wärmesenke 31 in 1 und als Erdungs- bzw. Masseanschluss dienen kann.
  • <Zweite Ausführungsform der Halbleitervorrichtung>
  • 8 ist eine Querschnittsansicht, die ein Konfigurationsbeispiel für eine zweite Ausführungsform einer Halbleitervorrichtung zeigt, auf das die vorliegende Technologie angewendet wird.
  • Eine Halbleitervorrichtung 1 gemäß der zweiten Ausführungsform in 8 unterscheidet sich von der Halbleitervorrichtung 1 gemäß der ersten Ausführungsform in 1 dadurch, dass eine Wärmesenke 31, die mit einer Verdrahtungsschicht 14A mit einem wärmeleitenden Haftmittel 30 auf einer oberen Fläche des Glassubstrats 11 verbunden ist, weggelassen wird. In der ersten Ausführungsform in 1 werden das wärmestrahlende leitende Material 19 und das Harz 20 bis zu einer Höhe aufgefüllt, um die auf der oberen Fläche des Glassubstrats 11 gebildete Verdrahtungsschicht 14A zu erreichen, in der zweiten Ausführungsform in 8 werden sie jedoch bis zu einer Höhe aufgefüllt, um die obere Fläche (Rückfläche) des Glassubstrats 11 zu erreichen. Andere Konfigurationen der zweiten Ausführungsform sind denen der ersten Ausführungsform ähnlich.
  • Auf diese Weise kann eine in der Halbleitervorrichtung 1 gebildete Verdrahtungsschicht 14 nur auf der Oberseite oder der Unterseite des Glassubstrats 11 gebildet werden. In einem Fall, in dem die Verdrahtungsschicht 14 nur auf der oberen Fläche oder der unteren Fläche des Glassubstrats 11 gebildet wird, wie in 8 dargestellt, wird die Verdrahtungsschicht 14 auf einer Vorderflächenseite des Glassubstrats 11 gebildet, auf der ein Anschluss 25, der eine Signaleingangs-/Ausgangseinheit einer elektronischen Komponente 18 ist, und ein externer Anschluss 26, der eine Signaleingangs-/Ausgangseinheit der Halbleitervorrichtung 1 ist, gebildet werden.
  • Im Beispiel in 8 entfällt die Wärmesenke 31 sowie die Verdrahtungsschicht 14A auf der oberen Fläche des Glassubstrats 11; die Wärmesenke 31 kann jedoch mit einem Haftmittel 30 auf die Oberseite des Glassubstrats 11 angehaftet werden.
  • In der zweiten Ausführungsform wird auch in einem Hohlraum 17 eine Öffnungsbreite eines Nicht-Ausbildungsbereichs der Verdrahtungsschicht 21, in der eine Verdrahtungsschicht 14B auf der unteren Fläche des Glassubstrats 11 nicht gebildet wird, breiter gemacht als eine Breite einer Glasöffnung 32 des Glassubstrats 11. Daher kann die Zuverlässigkeit einer Umverteilungsschicht 22, die auf der gesamten unteren Fläche gebildet wird, wie in 2 beschrieben, verbessert werden.
  • Darüber hinaus wird eine Vielzahl von Durchgangsöffnungen 19A in einem Teil des Harzes 20 gebildet, der die elektronische Komponente 18 bedeckt, und ein wärmestrahlendes leitendes Material 19 unter Verwendung eines Materials mit hoher Wärmeleitfähigkeit ist von der oberen Fläche der elektronischen Komponente 18 bis zur obersten Fläche des Harzes 20 angeordnet, so dass die Effizienz der Wärmestrahlung verbessert werden kann.
  • <Dritte Ausführungsform der Halbleitervorrichtung>
  • 9 ist eine Querschnittsansicht, die ein Konfigurationsbeispiel für eine dritte Ausführungsform einer Halbleitervorrichtung zeigt, auf das die vorliegende Technologie angewendet wird.
  • Vergleicht man eine Halbleitervorrichtung 1 gemäß der dritten Ausführungsform in 9 mit der der ersten Ausführungsform in 1, so entfällt die auf der oberen Fläche des Glassubstrats 11 angeordnete Wärmesenke 31 in der ersten Ausführungsform. Dann wird anstelle der Wärmesenke 31 eine diskrete Komponente 101 wie z.B. ein Chipkondensator montiert. Die diskrete Komponente 101 wird an einer vorgegebenen, nicht abgebildeten Stelle mit der Verdrahtung 12 einer Verdrahtungsebene 14A elektrisch verbunden. Andere Konfigurationen der zweiten Ausführungsform ähneln denen der ersten Ausführungsform.
  • Obwohl es möglich ist, eine integrierte passive Komponente (IPD, integrated passive device) wie einen Widerstand oder eine Induktivität in ein Glasverdrahtungssubstrat unter Verwendung einer Verdrahtungsschicht 14A, die auf der oberen Fläche des Glassubstrats 11 gebildet wird, einzubauen, wie bei einem Element, bei dem es nicht ausreicht oder die Grundfläche zu groß wird, ist es möglich, die Grundfläche eines Gehäuses zu reduzieren, indem die diskreten Komponenten 101 auf der Verdrahtungsschicht 14A wie in der dritten Ausführungsform vertikal gestapelt werden.
  • In der dritten Ausführungsform wird auch in einem Hohlraum 17 eine Öffnungsbreite eines Nicht-Ausbildungsbereichs der Verdrahtungslage 21, in der die Verdrahtungslage 14 für das Glassubstrat 11 nicht gebildet ist, breiter gemacht als eine Breite einer Glasöffnung 32 des Glassubstrats 11. Daher kann, wie mit Bezug auf 2 beschrieben, die Zuverlässigkeit einer Umverteilungsschicht 22, die auf einer gesamten unteren Fläche gebildet wird, verbessert werden.
  • Darüber hinaus wird eine Vielzahl von Durchgangsöffnungen 19A in einem Teil des Harzes 20 gebildet, der die elektronische Komponente 18 bedeckt, und ein wärmestrahlendes leitendes Material 19 unter Verwendung eines Materials mit hoher Wärmeleitfähigkeit ist von der oberen Oberfläche der elektronischen Komponente 18 bis zur obersten Fläche des Harzes 20 angeordnet, so dass die Effizienz der Wärmestrahlung verbessert werden kann.
  • <Vierte Ausführungsform der Halbleitervorrichtung>
  • 10 ist eine Querschnittsansicht, die ein Konfigurationsbeispiel für eine vierte Ausführungsform einer Halbleitervorrichtung zeigt, auf das die vorliegende Technologie angewendet wird.
  • Eine Halbleitervorrichtung 1 gemäß der vierten Ausführungsform in 10 hat eine Konfiguration, bei der die diskrete Komponente 101 in der dritten Ausführungsform in 9 durch ein Halbleiterelement 102 ersetzt wird, und weist eine sogenannte Package-on-Package (PoP)-Struktur auf. Darüber hinaus ist bei der Halbleitervorrichtung 1 in 10 ein Glasverdrahtungssubstrat im Vergleich zur Halbleitervorrichtung 1 in 9 auf den Kopf gestellt und ein wärmestrahlender Pfad durch ein wärmestrahlendes leitendes Material 19 nach unten gerichtet. Ein externer Anschluss 26 ist mit der Verdrahtung 12 einer Verdrahtungsschicht 14A verbunden, und das Halbleiterelement 102 ist mit einer Umverteilungsschicht 22 durch einen Löthöcker 103 verbunden. Andere Konfigurationen der vierten Ausführungsform sind ähnlich wie die der ersten Ausführungsform.
  • Gemäß der Halbleitervorrichtung 1 der vierten Ausführungsform ist es unter Ausnutzung der Tatsache, dass der thermische Ausdehnungskoeffizient eines Glassubstrats 11 mit dem von Silizium übereinstimmt, möglich, eine Miniaturisierung und hohe Zuverlässigkeit der Bump-Verbindung zwischen den Gehäusen zu realisieren.
  • In der vierten Ausführungsform wird auch in einem Hohlraum 17 eine Öffnungsbreite eines Nicht-Ausbildungsbereichs der Verdrahtungsschicht 21, in der eine Verdrahtungsschicht 14 für das Glassubstrat 11 nicht gebildet wird, breiter gemacht als eine Breite einer Glasöffnung 32 des Glassubstrats 11. Daher kann, wie mit Bezug auf 2 beschrieben, die Zuverlässigkeit einer Umverteilungsschicht 22, die auf einer gesamten unteren Fläche gebildet wird, verbessert werden.
  • Darüber hinaus wird eine Vielzahl von Durchgangsöffnungen 19A in einem Teil des Harzes 20 gebildet, der die elektronische Komponente 18 bedeckt, und ein wärmestrahlendes leitendes Material 19 unter Verwendung eines Materials mit hoher Wärmeleitfähigkeit ist von der oberen Fläche der elektronischen Komponente 18 bis zur obersten Fläche des Harzes 20 angeordnet, so dass die Effizienz der Wärmestrahlung verbessert werden kann.
  • Zu beachten ist, dass auch in den zweiten bis vierten Ausführungsformen, die in den 8 bis 10 dargestellt sind, ein externer Anschluss 26 weggelassen werden kann.
  • <Fünfte und sechste Ausführungsform der Halbleitervorrichtung>
  • Die 11 und 12 sind Querschnittsansichten, die Konfigurationsbeispiele für eine fünfte und sechste Ausführungsform einer Halbleitervorrichtung zeigen, auf die die vorliegende Technologie angewendet wird.
  • Die 11 und 12 zeigen Beispiele, in denen ein Halbleitervorrichtung 1 als Funktionsmodul mit einer Vielzahl von Komponenten konfiguriert ist. Insbesondere die 11 und 12 veranschaulichen die Beispiele, in denen die Halbleitervorrichtung 1 als Hochfrequenz-Front-End-Modul konfiguriert ist.
  • Die Halbleitervorrichtung 1 als Hochfrequenz-Frontend-Modul in 11 ist mit einem Schaltungsblock 121 und einem Antennenblock 122 versehen.
  • Im Schaltungsblock 121 werden, wie in der ersten oben beschriebenen Ausführungsform, die Verdrahtungsschichten 14A und 14B jeweils auf der oberen und unteren Fläche eines Glassubstrats 11 gebildet, ein oder mehrere Hohlräume 17 in einem vorbestimmten Bereich des Glassubstrats 11 gebildet und eine elektronische Komponente 18 im Hohlraum 17 angeordnet. Eine Vielzahl von elektronischen Komponenten 18 im Schaltungsblock 121 umfassen beispielsweise ein Leistungsverstärker und ähnliches. Für jede elektronische Komponente 18 wird ein wärmestrahlender Pfad durch ein wärmestrahlendes leitendes Material 19 und eine auf einer oberen Fläche angeordnete Wärmesenke 31 gebildet. Darüber hinaus wird in jedem Hohlraum 17 eine Öffnungsbreite eines Nicht-Ausbildungsbereichs der Verdrahtungsschicht 21 breiter gemacht als die Breite einer Glasöffnung 32. Die Mehrzahl der elektronischen Komponenten 18 im Schaltungsblock 121 ist durch eine Umverteilungsschicht 22 über den kürzesten Pfad verbunden.
  • Im Gegensatz dazu wird im Antennenblock 122 eine Antennenschaltung durch die Verdrahtung 12 der auf der oberen Fläche des Glassubstrats 11 gebildeten Verdrahtungsschicht 14A konfiguriert. Zusätzlich zu der Antennenschaltung können auf der Verdrahtungsschicht 14A mit Hilfe der Verdrahtung 12 eine Filterschaltung, ein passives Element und ähnliches gebildet werden.
  • Ein System der Antenne selbst kann je nach Vorrichtung, auf der diese montiert ist, verändert werden. Daher ist es, wie in 12 dargestellt, auch möglich, den Hohlraum 17 auch im Antennenblock 122 vorzusehen und einen Antennenchip 131 in dem Hohlraum 17 anzuordnen, wie es bei der elektronischen Komponente 18 des Schaltungsblocks 121 der Fall ist.
  • Die Entwicklung so genannter 5G-Kommunikationsmodule wird von jedem Unternehmen gefördert, da die Kommunikationsgeschwindigkeit und -kapazität der tragbaren Geräte in letzter Zeit gestiegen ist und die Nachfrage nach einer Hochgeschwindigkeits-Kommunikationsfunktion mit geringer Verzögerung die Fortschritte im Edge-Computing und ähnlichem begleitet. Es wird gesagt, dass die von diesem 5G-Frontend-Modul behandelte Signalfrequenz wahrscheinlich bei etwa 30 GHz liegt, wobei ein Verlust, der bisher nicht mit mehreren GHz vergleichbar ist, in Betracht gezogen werden muss.
  • Nach der vorliegenden Technologie können die elektronischen Komponenten 18 durch hochpräzise Verdrahtung 12 und Umverteilungsschicht 22 auf dem Glassubstrat 11 auf kürzestem Weg und mit minimaler Impedanzverschiebung verbunden werden, so dass das Hochfrequenz-Frontend-Modul, das Signale mit minimaler Dämpfung senden und empfangen kann, realisiert werden kann. Darüber hinaus erzeugt ein Leistungsverstärker, der als elektronische Komponente 18 im Hochfrequenz-Frontend-Modul eingesetzt wird, eine extrem große Wärmemenge, so dass es unerlässlich ist, den Wärmestrahlungspfad zu bilden, und der Wärmestrahlungspfad mit dem wärmestrahlenden leitendem Material 19 und der Wärmesenke 31 wirken effektiv.
  • <Anwendungsbeispiel>
  • Die Technologie gemäß der vorliegenden Offenbarung kann für verschiedene Produkte verwendet werden. Beispielsweise wird die Technologie gemäß der vorliegenden Offenbarung als Geräte implementiert, die auf jeder beliebigen Art beweglicher Körper wie etwa Automobilen, Elektrofahrzeugen, Hybrid-Elektrofahrzeugen, Motorrädern, Fahrrädern, Vorrichtungen für persönliche Mobilität, Flugzeugen, Drohnen, Schiffen, Robotern, Baumaschinen und landwirtschaftlichen Maschinen (Traktoren) montiert sind.
  • 13 ist ein Blockdiagramm, das ein Beispiel einer schematischen Konfiguration eines Fahrzeugsteuerungssystems 7000 als ein Beispiel eines Systems zur Steuerung beweglicher Körper veranschaulicht, für das die Technologie gemäß der vorliegenden Offenbarung verwendet werden kann. Das Fahrzeugsteuerungssystem 7000 umfasst eine Vielzahl elektronischer Steuereinheiten, die über ein Kommunikationsnetzwerk 7010 miteinander verbunden sind. In dem in 13 dargestellten Beispiel umfasst ein Fahrzeugsteuerungssystem 7000 eine Antriebssystem-Steuereinheit 7100, eine Karosseriesystem-Steuereinheit 7200, eine Batterie-Steuereinheit 7300, eine Einheit 7400 zur Detektion von Information von außerhalb des Fahrzeugs, eine Einheit 7500 zur Detektion von Information von innerhalb des Fahrzeugs und eine integrierte Steuereinheit 7600. Das Kommunikationsnetzwerk 7020, das die Vielzahl von Steuereinheiten miteinander verbindet, kann zum Beispiel ein im Fahrzeug eingebautes Kommunikationsnetzwerk sein, das mit einem beliebigen Standard wie etwa einem Controller Area Network bzw. einem Steuergerätenetz (CAN), einem Local-Interconnect-Network (LIN), einem lokalen Netzwerk (LAN), FlexRay (eingetragenes Warenzeichen) oder dergleichen konform ist.
  • Jede Steuereinheit ist mit einem Mikrocomputer ausgestattet, der eine arithmetische Verarbeitung gemäß verschiedenen Arten von Programmen durchführt, einer Speichereinheit, die das von dem Mikrocomputer ausgeführte Programm, Parameter, die für verschiedene Arten von Operationen verwendet werden, oder dergleichen speichert; und eine Ansteuerschaltung, die verschiedene Arten von Steuerungsziel-Vorrichtungen ansteuert. Jede Steuereinheit enthält ferner eine Netzwerk-Schnittstelle (I/F), um eine Kommunikation mit anderen Steuereinheiten über das Kommunikationsnetzwerk 7010 durchzuführen, und eine Kommunikations-I/F, um eine Kommunikation mit einer Vorrichtung, einem Sensor oder dergleichen innerhalb und/oder außerhalb des Fahrzeugs mittels drahtgebundener Kommunikation oder Funkkommunikation durchzuführen. Eine funktionale Konfiguration der in der 13 veranschaulichten integrierten Steuereinheit 7600 umfasst einen Mikrocomputer 7610, eine universelle Kommunikations-I/F 7620, eine dedizierte Kommunikations-I/F 7630, eine Positionsbestimmungseinheit 7640, eine Datenpakete empfangende Einheit 7650, eine I/F 7660 für Vorrichtungen im Fahrzeug, eine Audio/Bild-Ausgabeeinheit 7670, eine I/F 7680 für ein im Fahrzeug eingebautes Netzwerk und eine Speichereinheit 7690. Die anderen Steuereinheiten enthalten in ähnlicher Weise einen Mikrocomputer, eine Kommunikations-I/F, eine Speichereinheit und dergleichen.
  • Die Antriebssystem-Steuereinheit 7100 steuert gemäß verschiedenen Arten von Programmen den Betrieb bzw. die Operation von Vorrichtungen bezüglich des Antriebssystems des Fahrzeugs. Beispielsweise dient die Antriebssystem-Steuereinheit 7100 als Steuerungsvorrichtung für eine Antriebskraft-Erzeugungsvorrichtung, um die Antriebskraft des Fahrzeugs zu erzeugen, etwa einen Verbrennungsmotor oder einen Antriebsmotor oder dergleichen, einen Antriebskraft-Übertragungsmechanismus, um die Antriebskraft auf Räder zu übertragen, einen Lenkmechanismus, um den Lenkwinkel des Fahrzeugs einzustellen, eine Bremsvorrichtung, um die Bremskraft des Fahrzeugs zu erzeugen, und dergleichen. Die Antriebssystem-Steuereinheit 7100 kann eine Funktion als Steuerungsvorrichtung eines Antiblockier-Bremssystems (ABS), einer elektronischen Stabilitätskontrolle (ESAC) oder dergleichen aufweisen.
  • Die Antriebssystem-Steuereinheit 7100 ist mit einer Einheit 7110 zur Detektion des Fahrzeugzustands verbunden. Die Einheit 7110 zur Detektion eines Fahrzeugzustands umfasst beispielsweise einen Gyro-Sensor, der eine Winkelgeschwindigkeit einer axialen Drehbewegung einer Fahrzeugkarosserie detektiert, einen Beschleunigungssensor, der die Beschleunigung des Fahrzeugs detektiert, und/oder Sensoren, um einen Umfang einer Betätigung eines Gaspedals, einen Umfang einer Betätigung eines Bremspedals, den Lenkwinkel eines Lenkrades, eine Motordrehzahl oder die Rotationsgeschwindigkeit der Räder zu detektieren, und dergleichen. Die Antriebssystem-Steuereinheit 7100 führt unter Verwendung eines von der Einheit 7110 zur Detektion eines Fahrzeugzustands eingespeisten Signals eine arithmetische Verarbeitung durch und steuert den Verbrennungsmotor, den Antriebsmotor, eine elektrische Servolenkvorrichtung, die Bremsvorrichtung und dergleichen.
  • Die Karosseriesystem-Steuereinheit 7200 steuert gemäß verschiedenen Arten von Programmen Operationen verschiedener Arten von an der Fahrzeugkarosserie vorgesehenen Vorrichtungen. Beispielsweise dient die Karosseriesystem-Steuereinheit 7200 als Steuerungsvorrichtung für ein schlüsselloses Zugangssystem, ein System für intelligente Schlüssel, eine automatische Fenstervorrichtung oder verschiedene Arten von Leuchten wie etwa einen Frontscheinwerfer, einen Heckscheinwerfer, eine Bremsleuchte, einen Fahrtrichtungsanzeiger oder eine Nebelleuchte oder dergleichen. In diesem Fall können in die Karosseriesystem-Steuereinheit 7200 Funkwellen, die von einer tragbaren Vorrichtung als Alternative für einen Schlüssel gesendet werden, oder Signale verschiedener Arten von Schaltern eingespeist werden. Die Karosseriesystem-Steuereinheit 7200 empfängt diese eingespeisten Funkwellen oder Signale und steuert eine Türverriegelungsvorrichtung, die automatische Fenstervorrichtung, die Leuchten der dergleichen des Fahrzeugs.
  • Die Batterie-Steuereinheit 7300 steuert eine Sekundärbatterie 7310, die eine Stromversorgungsquelle für den Antriebsmotor ist, gemäß verschiedenen Arten von Programmen. Beispielsweise wird der Batterie-Steuereinheit 7300 Information über eine Batterietemperatur, eine Ausgangsspannung der Batterie, eine Menge der in der Batterie verbleibenden Ladung oder dergleichen von einer die Sekundärbatterie 7310 enthaltenden Batterievorrichtung bereitgestellt. Die Batterie-Steuereinheit 7300 führt unter Verwendung dieser Signale eine arithmetische Verarbeitung durch und führt eine Steuerung zum Regulieren der Temperatur der Sekundärbatterie 7310 durch oder steuert eine der Batterievorrichtung bereitgestellte Kühlvorrichtung oder dergleichen.
  • Die Einheit 7400 zur Detektion von Information von außerhalb des Fahrzeugs detektiert Information über die äußere Umgebung des Fahrzeugs, das das Fahrzeugsteuerungssystem 7000 enthält. Beispielsweise ist die Einheit 7400 zur Detektion von Information von außerhalb des Fahrzeugs mit einer Bildgebungs- bzw. Bildaufnahmeeinheit 7410 und/oder einer Sektion 7420 zur Detektion von Information von außerhalb des Fahrzeugs verbunden. Die Bildaufnahmeeinheit 7410 enthält eine Laufzeit-(ToF)Kamera (engl.: time-of-flight), eine Stereokamera, Monokular-Kamera, eine Infrarotkamera und/oder andere Kameras. Die Sektion 7420 zur Detektion von Information von außerhalb des Fahrzeugs enthält beispielsweise einen Umgebungssensor, um aktuelle atmosphärische Bedingungen oder Wetterbedingungen zu detektieren, und/oder einen eine periphere Information detektierenden Sensor, um ein anderes Fahrzeug, ein Hindernis, einen Fußgänger oder dergleichen in der Peripherie des das Fahrzeugsteuerungssystem 7000 enthaltenden Fahrzeugs zu detektieren.
  • Der Umgebungssensor kann zum Beispiel einen Regen detektierenden Regentropfensensor, einen Nebel detektierenden Nebelsensor, einen einen Grad der Sonneneinstrahlung detektierenden Sonnensensor und/oder einen Schneefall detektierenden Schneesensor umfassen. Der eine periphere Information detektierende Sensor kann ein Ultraschallsensor, eine Radarvorrichtung und/oder eine LIDAR-Vorrichtung (Lichtdetektions- und Entfernungsmessvorrichtung oder Laserbild-Detektions- und Entfernungsmessvorrichtung) sein. Jede der Bildaufnahmesektion 7410 und der Sektion 7420 zur Detektion von Information von außerhalb des Fahrzeugs kann als unabhängiger Sensor oder unabhängige Vorrichtung vorgesehen werden oder kann als eine Vorrichtung, in der eine Vielzahl von Sensoren oder Vorrichtungen integriert ist, vorgesehen werden.
  • Hier zeigt 14 ein Beispiel von Installationspositionen der Bildaufnahmeeinheit 7410 und der Sektion 7420 zur Detektion von Information von außerhalb des Fahrzeugs. Bildaufnahmeeinheiten 7910, 7912, 7914, 7916 und 7918 sind zum Beispiel an Stellen an einer Frontpartie, Seitenspiegeln, der hinteren Stoßstange oder einer Hecktür und an einem oberen Bereich einer Windschutzscheibe im Fahrzeuginneren des Fahrzeugs 7900 angeordnet. Die an der Frontpartie vorgesehene Bildaufnahmeeinheit 7910 und die am oberen Bereich der Windschutzscheibe im Inneren des Fahrzeugs vorgesehene Bildaufnahmeeinheit 7918 können vorwiegend ein Bild vor dem Fahrzeug 7900 erhalten. Die an den Seitenspiegeln vorgesehenen Bildaufnahmeeinheiten 7912 und 7914 können vorwiegend ein Bild der Seiten des Fahrzeugs 7900 erhalten. Die an der hinteren Stoßstange oder der Hecktür vorgesehene Bildaufnahmeeinheit 7916 kann vorwiegend ein Bild des rückwärtigen Bereichs des Fahrzeugs 7900 erhalten. Die an dem oberen Bereich der Windschutzscheibe im Inneren des Fahrzeugs vorgesehene Bildaufnahmeeinheit 7918 wird vorwiegend genutzt, um ein vorausfahrendes Fahrzeug, einen Fußgänger, ein Hindernis, eine Verkehrsampel, ein Verkehrszeichen, eine Fahrbahn oder dergleichen zu detektieren.
  • Zu beachten ist, dass in 14 ein Beispiel von Bildaufnahmebereichen der jeweiligen Bildaufnahmeeinheiten 7910, 7912, 7914 und 7916 dargestellt ist. Ein Bildaufnahmebereich a repräsentiert den Bildaufnahmebereich der an der Frontpartie vorgesehenen Bildaufnahmeeinheit 7910. Bildaufnahmebereiche b und c repräsentieren die Bildaufnahmebereiche der Bildaufnahmeeinheiten 7912 bzw. 7914, die an den Seitenspiegeln vorgesehen sind. Ein Bildaufnahmebereich d repräsentiert den Bildaufnahmebereich der an der hinteren Stoßstange oder der Hecktür vorgesehenen Bildaufnahmeeinheit 7916. Ein Bild aus der Vogelperspektive des Fahrzeugs 7900, wie es von oben gesehen wird, kann zum Beispiel durch Überlagern von Bilddaten erhalten werden, die von den Bildaufnahmeeinheiten 7910, 7912, 7914 und 1716 abgebildet wurden.
  • Sektionen 7920, 7922, 7924, 7926, 7928 und 7930 zur Detektion von Information von außerhalb des Fahrzeugs, die an der Vorderseite, der Rückseite, den Seiten und Ecken des Fahrzeugs 7900 und dem oberen Bereich der Windschutzscheibe im Fahrzeuginnern des Fahrzeugs 7900 vorgesehen sind, können zum Beispiel ein Ultraschallsensor oder eine Radarvorrichtung sein. Die Sektionen 7920, 7926 und 7930 zur Detektion von Information von außerhalb des Fahrzeugs, die an der Frontpartie, der hinteren Stoßstange, der Hecktür und dem oberen Bereich der Windschutzscheibe im Fahrzeuginneren des Fahrzeugs 7900 vorgesehen sind, können beispielsweise eine LIDAR-Vorrichtung sein. Diese Sektionen 7920 bis 7930 zur Detektion von Information von außerhalb des Fahrzeugs werden vorwiegend genutzt, um ein vorausfahrendes Fahrzeug, einen Fußgänger, ein Hindernis oder dergleichen zu detektieren.
  • Zu 13 zurückkehrend wird die Beschreibung fortgesetzt. Die Einheit 7400 zur Detektion von Information von außerhalb des Fahrzeugs lässt die Bildaufnahmeeinheit 7410 ein Bild von außerhalb des Fahrzeugs aufnehmen und empfängt die aufgenommenen Bilddaten. Außerdem empfängt die Einheit 7400 zur Detektion von Information von außerhalb des Fahrzeugs eine Detektionsinformation von der Sektion 7420 zur Detektion von Information von außerhalb des Fahrzeugs, die mit der Einheit 7400 zur Detektion von Information von außerhalb des Fahrzeugs verbunden ist. Falls die Sektion 7420 zur Detektion von Information von außerhalb des Fahrzeugs ein Ultraschallsensor, eine Radarvorrichtung oder eine LIDAR-Vorrichtung ist, überträgt die Einheit 7400 zur Detektion von Information von außerhalb des Fahrzeugs eine Ultraschallwelle, eine elektromagnetische Welle oder dergleichen und empfängt eine Information einer empfangenen reflektierten Welle. Auf der Basis der empfangenen Information kann die Einheit 7400 zur Detektion von Information von außerhalb des Fahrzeugs eine Verarbeitung zum Detektieren eines Objekts wie etwa einer Person, eines Fahrzeugs, eines Hindernisses, eines Verkehrszeichens, eines Zeichens auf der Straßenoberfläche oder dergleichen oder eine Verarbeitung zum Detektieren eines Abstands dazu durchführen. Die Einheit 7400 zur Detektion von Information von außerhalb des Fahrzeugs kann auf der Basis der empfangenen Information eine Verarbeitung zur Umgebungswahrnehmung durchführen, um Niederschlag, Nebel, Bedingungen der Straßenoberfläche oder dergleichen zu erkennen. Die Einheit 7400 zur Detektion von Information von außerhalb des Fahrzeugs kann einen Abstand zu einem Objekt außerhalb des Fahrzeugs auf der Basis der empfangenen Information berechnen.
  • Außerdem kann auf der Basis der empfangenen Bilddaten die Einheit 7400 zur Detektion von Information von außerhalb des Fahrzeugs eine Verarbeitung zur Bilderkennung, um eine Person, ein Fahrzeug, ein Hindernis, ein Verkehrszeichen, ein Zeichen auf einer Straßenoberfläche zu erkennen, oder eine Verarbeitung zum Detektieren eines Abstands dazu durchführen. Die Einheit 7400 zur Detektion von Information von außerhalb des Fahrzeugs kann die empfangenen Bilddaten einer Verarbeitung wie etwa einer Verzerrungskorrektur, einer Ausrichtung oder dergleichen unterziehen und die von einer Vielzahl verschiedener Bildaufnahmeeinheiten 7410 aufgenommenen Bilddaten kombinieren, um ein Bild aus der Vogelperspektive oder ein Panoramabild zu erzeugen. Die Einheit 7400 zur Detektion von Information von außerhalb des Fahrzeugs kann eine Verarbeitung zur Blickwinkel- bzw. Perspektivenkonversion unter Verwendung der Bilddaten durchführen, die von den verschiedenen Bildaufnahmeeinheiten 7410 aufgenommen werden.
  • Die Einheit 7500 zur Detektion von Information von innerhalb des Fahrzeugs detektiert Information über das Innere des Fahrzeugs. Die Einheit 7500 zur Detektion von Information von innerhalb des Fahrzeugs ist zum Beispiel mit einer Einheit 7510 zur Detektion des Fahrerzustands verbunden, die den Zustand eines Fahrers detektiert. Die Einheit 7510 zur Detektion des Fahrerzustands kann eine Kamera, die den Fahrer aufnimmt, einen Biosensor, der eine biologische Information über den Fahrer detektiert, ein Mikrophon, das ein Geräusch im Inneren des Fahrzeugs erfasst, oder dergleichen umfassen. Der Biosensor ist beispielsweise in eine Sitzfläche, das Lenkrad oder dergleichen integriert und detektiert biologische Information über einen auf einem Sitz sitzenden Insassen oder den das Lenkrad haltenden Fahrer. Auf der Grundlage einer von der Einheit 7510 zur Detektion des Fahrerzustands eingegebenen Detektionsinformation kann die Einheit 7500 zur Detektion von Information von innerhalb des Fahrzeugs einen Ermüdungsgrad des Fahrers oder einen Konzentrationsgrad des Fahrers berechnen oder kann bestimmen, ob der Fahrer döst. Die Einheit 7500 zur Detektion von Information von innerhalb des Fahrzeugs kann ein durch die Erfassung des Geräusches erhaltenes Audiosignal einer Verarbeitung wie etwa einer Verarbeitung zur Rauschunterdrückung oder dergleichen unterziehen.
  • Die integrierte Steuereinheit 7600 steuert eine allgemeine Operation innerhalb des Fahrzeugsteuerungssystems 7000 gemäß verschiedenen Arten von Programmen. Die integrierte Steuereinheit 7600 ist mit einer Eingabeeinheit 7800 verbunden. Die Eingabeeinheit 7800 ist mittels einer für eine Eingabeoperation durch einen Insassen geeigneten Vorrichtung wie etwa eines Berührungsfelds, einer Taste, eines Mikrophons, eines Schalters, eines Hebels oder dergleichen implementiert. Der integrierten Steuereinheit 7600 können Daten bereitgestellt werden, die mittels Spracherkennung einer über das Mikrophon eingegebenen Sprache erhalten werden. Die Eingabeeinheit 7800 kann zum Beispiel eine Fernsteuerungsvorrichtung, die Infrarotstrahlung oder andere Funkwellen nutzt, oder eine Vorrichtung für eine externe Verbindung wie etwa ein Mobiltelefon, ein persönlicher digitaler Assistent (PDA) oder dergleichen sein, die eine Operation des Fahrzeugsteuerungssystems 7000 unterstützt. Die Eingabeeinheit 7800 kann zum Beispiel eine Kamera sein. In diesem Fall kann ein Insasse eine Information mittels einer Geste eingeben. Alternativ dazu können Daten eingegeben werden, die erhalten werden, indem die Bewegung einer tragbaren Vorrichtung detektiert wird, die ein Insasse bei sich trägt. Ferner kann die Eingabeeinheit 7800 beispielsweise eine Eingabesteuerungsschaltung oder dergleichen enthalten, die ein Eingangssignal auf der Basis einer Information erzeugt, die von einem Insassen oder dergleichen unter Verwendung der oben beschriebenen Eingabeeinheit 7800 eingegeben wird, und welche das erzeugte Eingangssignal an die integrierte Steuereinheit 7600 abgibt. Ein Insasse oder dergleichen gibt verschiedene Arten von Daten ein oder gibt eine Anweisung für eine Verarbeitungsoperation an das Fahrzeugsteuerungssystem 7000, indem die Eingabeeinheit 7800 betätigt wird.
  • Die Speichereinheit 7690 kann einen Nurlesespeicher (ROM), der verschiedene Arten von durch den Mikrocomputer ausgeführten Programmen speichert, und einen Direktzugriffspeicher (RAM) enthalten, der verschiedene Arten von Parametern, Operationsergebnissen, Sensorwerten oder dergleichen speichert. Außerdem kann die Speichereinheit 7690 mittels einer Magnetspeichervorrichtung wie etwa eines Festplattenlaufwerks (HDD) oder dergleichen, einer Halbleiter-Speichervorrichtung, einer optischen Speichervorrichtung, einer magneto-optischen Speichervorrichtung oder dergleichen implementiert sein.
  • Die universelle Kommunikations-I/F 7620 ist eine weithin verwendete Kommunikations-I/F, die eine Kommunikation mit verschiedenen, in einer äußeren Umgebung vorhandenen Einrichtungen 7750 vermittelt. Die universelle Kommunikations-/F 7620 kann ein zellulares Kommunikationsprotokoll wie etwa ein globales System für mobile Kommunikation (GSM, eingetragenes Warenzeichen), Worldwide Interoperability for Microwave Access (WiMAX), Long Term Evolution (LTE), erweitertes LTE (LTE-A) oder dergleichen oder ein anderes drahtloses Kommunikationsprotokoll wie etwa drahtloses LAN (worauf auch als Wireless Fidelity (Wi-Fi) verwiesen wird, Bluetooth oder dergleichen implementieren. Beispielsweise kann die universelle Kommunikations-I/F 7620 über eine Basisstation oder einen Zugangspunkt mit einer Einrichtung (zum Beispiel einem Anwendungsserver oder einem Kontroll-Server), die auf einem externen Netzwerk (zum Beispiel dem Internet, einem Cloud-Netzwerk oder einem unternehmensspezifischen Netzwerk) vorhanden ist, verbinden. Außerdem kann die universelle Kommunikations-I/F 7620 zum Beispiel unter Verwendung einer Peer-to-Peer-(P2P)Technologie mit einem in der Nähe des Fahrzeugs vorhandenen Endgerät verbinden (welches Endgerät zum Beispiel ein Endgerät des Fahrers, eines Fußgängers oder eines Ladens oder ein Endgerät für eine Maschine-Typ-Kommunikation (engl.: machine type communication) (MTC) ist).
  • Die dedizierte Kommunikations-I/F 7630 ist eine Kommunikations-I/F, die ein zur Verwendung in Fahrzeugen entwickeltes Kommunikationsprotokoll unterstützt. Die dedizierte Kommunikations-I/F 7630 kann ein Standardprotokoll wie zum Beispiel einen drahtlosen Zugangs in einer Fahrzeugumgebung (WAVE), was eine Kombination von Institute of Electrical and Electronic Engineers (IEEE) 802.11p als niedrigere Schicht und IEEE 1609 als höhere Schicht ist, eine Nahbereichskommunikation (engl.: dedicated short-range communications) (DSRC) oder ein zellulares Kommunikationsprotokoll implementieren. Die dedizierte Kommunikations-I/F 7630 führt typischerweise eine V2X-Kommunikation als Konzept aus, die eine oder mehrere einer Kommunikation zwischen Fahrzeug und Fahrzeug (Fahrzeug mit Fahrzeug), einer Kommunikation zwischen Straße und Fahrzeug (Fahrzeug mit Infrastruktur), einer Kommunikation zwischen Fahrzeug und Heim (Fahrzeug mit Heim) und einer Kommunikation zwischen Fußgänger und Fahrzeug (Fahrzeug mit Fußgänger) umfasst.
  • Die Positionsbestimmungseinheit 7640 führt zum Beispiel eine Positionsbestimmung durch, indem ein Signal eines globalen Satellitennavigationssystems (GNNS) von einem GNSS-Satelliten (zum Beispiel ein GPS-Signal von einem Satelliten des globalen Positionsbestimmungssystems) empfangen wird, und erzeugt eine Positionsinformation, die Länge, Breite und Höhenlage des Fahrzeugs umfasst. Im Übrigen kann die Positionsbestimmungseinheit 7640 eine aktuelle Position bestimmen, indem Signale mit einem drahtlosen Zugangspunkt ausgetauscht werden, oder kann eine Positionsinformation von einem Endgerät wie etwa einem Mobiltelefon, einem Personal Handyphone System (PHS) oder einem Smartphone erhalten, das eine Positionsbestimmungsfunktion aufweist.
  • Die Beacon bzw. Datenpakete empfangende Einheit 7650 empfängt zum Beispiel eine Funkwelle oder elektromagnetische Welle, die von einer an einer Straße oder dergleichen installierten Funkstation übertragen wird, und erhält dadurch eine Information über die aktuelle Position, einen Stau, eine gesperrte Straße, die erforderliche Zeit oder dergleichen. Im Übrigen kann die Funktion der Datenpakete empfangenden Einheit 7650 in der oben beschriebenen dedizierten Kommunikations-I/F 7630 enthalten sein.
  • Die I/F 7660 für Vorrichtungen im Fahrzeug ist eine Kommunikationsschnittstelle, die eine Verbindung zwischen dem Mikrocomputer 7610 und verschiedenen Vorrichtungen 7760 im Fahrzeug vermittelt, die im Fahrzeug vorhanden sind. Die I/F 7660 für Vorrichtungen im Fahrzeug kann eine drahtlose Verbindung unter Verwendung eines Protokolls für drahtlose Kommunikation wie etwa drahtloses LAN, Bluetooth, Nahfeldkommunikation (NFC) oder eines drahtlosen universellen seriellen Buses (WUSB) einrichten. Außerdem kann die I/F 7660 für Vorrichtungen im Fahrzeug eine drahtgebundene Verbindung mittels eines universellen seriellen Buses (USB), einer High-Definition-Multimedia-Schnittstelle (HDMI, eingetragenes Warenzeichen), eines mobilen High-Definition-Link (MHL) oder dergleichen über einen in den Figuren nicht dargestellten Verbindungsanschluss (und nötigenfalls ein Kabel) einrichten. Die Vorrichtungen 7760 im Fahrzeug können beispielsweise eine mobile Vorrichtung und eine tragbare Vorrichtung, die ein Insasse mit sich führt, und/oder eine Informationsvorrichtung umfassen, die in das Fahrzeug getragen oder daran angebracht wird. Die Vorrichtungen 7760 im Fahrzeug können auch eine Navigationsvorrichtung einschließen, die nach einem Weg zu einem beliebigen Ziel sucht. Die I/F 7660 für Vorrichtungen im Fahrzeug tauscht Steuerungssignale oder Datensignale mit diesen Vorrichtungen 7760 im Fahrzeug aus.
  • Die I/F 7680 für ein im Fahrzeug eingebautes Netzwerk ist eine Schnittstelle, die eine Kommunikation zwischen dem Mikrocomputer 7610 und dem Kommunikationsnetzwerk 7010 vermittelt. Die I/F 7680 für ein im Fahrzeug eingebautes Netzwerk überträgt und empfängt Signale oder dergleichen in Übereinstimmung mit einem von dem Kommunikationsnetzwerk 7010 unterstützten vorbestimmten Protokoll.
  • Der Mikrocomputer 7610 der integrierten Steuereinheit 7600 steuert das Fahrzeugsteuerungssystem 7000 gemäß verschiedenen Arten von Programmen auf der Basis von Information, die über die universelle Kommunikations-I/F 7620, die dedizierte Kommunikations-I/F 7630, die Positionsbestimmungseinheit 7640, die Datenpakete empfangende Einheit 7650, die I/F 7660 für Vorrichtungen im Fahrzeug und/oder die I/F 7680 für ein im Fahrzeug eingebautes Netzwerk erhalten wird. Beispielsweise kann der Mikrocomputer 7610 einen Steuerungszielwert für die Antriebskraft-Erzeugungsvorrichtung, den Lenkmechanismus oder die Bremsvorrichtung auf der Basis der Information über das Innere und die äußere Umgebung des Fahrzeugs berechnen und gibt einen Steuerungsbefehl an die Antriebssystem-Steuereinheit 7100 aus. Beispielsweise kann der Mikrocomputer 7610 eine kooperative Steuerung durchführen, die dazu gedacht ist, Funktionen eines fortgeschrittenen Fahrzeugassistenzsystems (ADAS) zu implementieren, welche Funktionen eine Kollisionsvermeidung oder eine Aufprallabschwächung des Fahrzeugs, eine Nachfolgefahrt basierend auf einem Folgeabstand, eine die Fahrzeuggeschwindigkeit beibehaltende Fahrt, eine Warnung vor einer Kollision des Fahrzeugs, eine Warnung vor einer Abweichung des Fahrzeugs von der Fahrbahn oder dergleichen einschließen. Außerdem kann der Mikrocomputer 7610 eine für automatisches Fahren gedachte kooperative Steuerung durchführen, die das Fahrzeug autonom unabhängig vom Eingriff des Fahrers fahren lässt, oder dergleichen, indem die Antriebskraft-Erzeugungsvorrichtung, der Lenkmechanismus, die Bremsvorrichtung oder dergleichen auf der Basis der erhaltenen Information über die Umgebungen des Fahrzeugs gesteuert wird.
  • Der Mikrocomputer 7610 kann eine dreidimensionale Abstandsinformation zwischen dem Fahrzeug und einem Objekt wie etwa einer umliegenden Struktur, einer Person oder dergleichen erzeugen und eine lokale Karteninformation erzeugen, die eine Information über die Umgebung der aktuellen Position des Fahrzeugs enthält, auf der Basis einer Information, die über die universelle Kommunikations-I/F 7620, die dedizierte Kommunikations-I/F 7630, die Positionsbestimmungseinheit 7640, die Datenpakete empfangende Einheit 7650, die I/F 7660 für Vorrichtungen im Fahrzeug und/oder die I/F 7680 für ein im Fahrzeug eingebautes Netzwerk erhalten wird. Außerdem kann der Mikrocomputer 7610 eine Gefahr wie etwa eine Kollision des Fahrzeugs, eine Annäherung eines Fußgängers oder dergleichen, eine Einfahrt in eine gesperrte Straße oder dergleichen auf der Basis der erhaltenen Information vorhersagen und ein Warnsignal erzeugen. Das Warnsignal kann beispielsweise ein Signal zum Erzeugen eines Warntons oder ein Aufleuchten einer Warnleuchte sein.
  • Die Audio/Bild-Ausgabeeinheit 7670 überträgt ein Ausgangssignal eines Tons und/oder eines Bildes zu einer Ausgabevorrichtung, die einem Insassen des Fahrzeugs oder der äußeren Umgebung eine Information optisch oder akustisch mitteilen kann. In dem Beispiel von 13 sind als die Ausgabevorrichtung ein Audio-Lautsprecher 7710, eine Anzeigeeinheit 7720 und ein Armaturenbrett 7730 veranschaulicht. Die Anzeigeeinheit 7720 kann beispielsweise eine bordeigene Anzeige und/oder ein Head-up-Display umfassen. Die Anzeigeeinheit 7720 kann eine Funktion zur Anzeige einer erweiterten Realität (AR) enthalten. Die Ausgabevorrichtung kann von diesen Vorrichtungen verschieden sein und kann eine andere Vorrichtung wie etwa Kopfhörer, eine tragbare Vorrichtung wie etwa eine brillenartige Anzeige, die von einem Insassen getragen wird, oder dergleichen, ein Projektor, eine Lampe oder dergleichen sein. Falls die Ausgabevorrichtung eine Anzeigevorrichtung ist, zeigt die Anzeigevorrichtung Ergebnisse, die durch verschiedene Arten einer vom Mikrocomputer 7610 durchgeführten Verarbeitung oder eine von einer anderen Steuereinheit empfangenen Information erhalten werden, in verschiedenen Formen wie etwa als Text, Bild, Tabelle, graphische Darstellung oder dergleichen an. Außerdem wandelt, falls die Ausgabevorrichtung eine Ton- bzw. Audio-Ausgabevorrichtung ist, die Audio-Ausgabevorrichtung ein Audiosignal, das aus wiedergegebenen Audio-Daten oder Tondaten oder dergleichen gebildet wurde, in ein analoges Signal um und gibt das analoge Signal akustisch ab.
  • Zu beachten ist, dass in dem in 13 dargestellten Beispiel zumindest zwei Steuereinheiten, die über das Kommunikationsnetzwerk 7010 in dem in 15 dargestellten Beispiel miteinander verbunden sind, in eine Steuereinheit integriert werden können. Alternativ dazu kann jede individuelle Steuereinheit eine Vielzahl von Steuereinheiten umfassen. Ferner kann das Fahrzeugsteuerungssystem 7000 eine in den Figuren nicht dargestellte andere Steuereinheit enthalten. Zusätzlich kann ein Teil der, oder können die gesamten, Funktionen, die von einer der Steuereinheiten in der obigen Beschreibung ausgeführt werden, einer anderen Steuereinheit zugewiesen werden. Das heißt, eine vorbestimmte arithmetische Verarbeitung kann von einer beliebigen der Steuereinheiten ausgeführt werden, sofern Information über das Kommunikationsnetzwerk 7010 übertragen und empfangen wird. In ähnlicher Weise kann ein Sensor oder eine Vorrichtung, der oder die mit einer der Steuereinheiten verbunden ist, mit einer anderen Steuereinheit verbunden sein, und eine Vielzahl von Steuereinheiten kann über das Kommunikationsnetzwerk 7010 eine Detektionsinformation wechselseitig übertragen und empfangen.
  • In dem oben beschriebenen Fahrzeugsteuerungssystem 7000 ist die Halbleitervorrichtung 1 entsprechend der jeweils oben beschriebenen Ausführungsform auf die integrierte Steuereinheit 7600 des in 13 dargestellten Anwendungsbeispiels anwendbar. Zum Beispiel kann die Konfiguration der in den 11 und 12 dargestellten Halbleitervorrichtung 1 in mindestens eine der folgenden Ausführungsformen übernommen werden: universelle Kommunikations-I/F 7620, dedizierte Kommunikations-I/F 7630, Datenpakete empfangende Einheit 7650 oder I/F 7660 für Vorrichtungen im Fahrzeug. Durch die Übernahme der Konfiguration der in den 11 und 12 dargestellten Halbleitervorrichtung 1 als Hochfrequenz-Frontend-Modul, das in der universellen Kommunikations-I/F 7620, der dedizierten Kommunikations-I/F 7630, der Datenpakete empfangenden Einheit 7650 oder der I/F 7660 für Vorrichtungen im Fahrzeug enthalten ist, ist es beispielsweise möglich, eine hohe Wärmeabstrahlungseigenschaft zu erreichen und gleichzeitig die Hochgeschwindigkeits-Kommunikationsfunktion mit geringer Verzögerung zu realisieren.
  • Die Ausführungsformen der vorliegenden Technologie sind nicht auf die oben beschriebenen Ausführungsformen beschränkt, und es können verschiedene Modifikationen vorgenommen werden, ohne vom Kern der vorliegenden Technologie abzuweichen.
  • So ist es beispielsweise möglich, eine Kombination aller oder einiger der oben beschriebenen Ausführungsformen zu übernehmen.
  • Zu beachten ist, dass die in dieser Spezifikation beschriebenen Wirkungen nur illustrativ und nicht begrenzt sind; andere als die in dieser Spezifikation beschriebenen Wirkungen können ebenfalls umfasst sein.
  • Zu beachten ist, dass die vorliegende Technologie auch folgende Konfigurationen einnehmen kann.
    1. (1) Eine Halbleitervorrichtung, aufweisend:
      • ein Glassubstrat, auf dessen Vorderfläche oder Vorder- und Rückfläche eine Verdrahtungsschicht mit einer oder mehreren Schichten mit Verdrahtung gebildet ist;
      • eine elektronisches Komponente, die innerhalb einer auf dem Glassubstrat ausgebildeten Öffnung angeordnet ist; und
      • eine Umverteilungsschicht, die die Verdrahtung des Glassubstrats und der elektronischen Komponente verbindet.
    2. (2) Halbleitervorrichtung gemäß obigem (1), wobei eine Öffnungsbreite eines Nicht-Ausbildungsbereichs der Verdrahtungsschicht, der ein Bereich ist, in dem die Verdrahtungsschicht nicht auf der Vorderfläche oder der Vorder- und Rückfläche des Glassubstrats gebildet ist, breiter ist als eine Breite der auf dem Glassubstrat gebildeten Öffnung.
    3. (3) Halbleitervorrichtung gemäß obigem (1) oder (2), wobei ein anderer Bereich als die elektronische Komponente der auf dem Glassubstrat gebildeten Öffnung zumindest mit Harz gefüllt ist.
    4. (4) Halbleitervorrichtung gemäß einem der obigen (1) bis (3), wobei ein wärmestrahlendes, leitendes Material auf einer Rückflächenseite der elektronischen Komponente auf einer Seite gefüllt ist, die einer Oberfläche gegenüberliegt, auf der ein mit der Umverteilungsschicht verbundener Anschluss gebildet ist.
    5. (5) Halbleitervorrichtung gemäß obigem (4), wobei die Verdrahtungsschicht nur auf der Vorderfläche des Glassubstrats gebildet ist, und das wärmestrahlende, leitende Material bis zu einer Höhe aufgefüllt ist, um die Rückseite des Glassubstrats zu erreichen.
    6. (6) Halbleitervorrichtung gemäß obigem (4), bei dem die Verdrahtungsschicht auf der Vorder- und Rückfläche des Glassubstrats gebildet ist, und das wärmestrahlende, leitende Material bis zu einer Höhe aufgefüllt ist, um die Verdrahtungsschicht auf der Rückflächenseite des Glassubstrats zu erreichen.
    7. (7) Halbleitervorrichtung gemäß einem der obigen (1) bis (6), ferner aufweisend:
      • eine Wärmesenke auf einer Rückflächenseite des Glassubstrats.
    8. (8) Halbleitervorrichtung gemäß obigem (7), wobei die Wärmesenke durch Verwendung eines leitfähigen Materials gebildet wird und auch als Erdungsanschluss dient.
    9. (9) Halbleitervorrichtung gemäß einem der obigen (1) bis (8), wobei eine Vielzahl der Öffnungen auf dem Glassubstrat ausgebildet ist, und die elektronische Komponente innerhalb jeder der Vielzahl der Öffnungen angeordnet ist.
    10. (10) Halbleitervorrichtung gemäß einem der obigen (1) bis (9), wobei wenigstens eine Antennenschaltung, eine Filterschaltung oder ein passives Element durch die Verwendung der Verdrahtung der Verdrahtungsschicht gebildet ist.
    11. (11) Halbleitervorrichtung gemäß einem der oben beschriebenen (1) bis (10), wobei die elektronische Komponente eine Komponente ist, die wenigstens eine Antenne, ein Filter, einen Leistungsverstärker, einen Schalter, einen rauscharmen Verstärker, einen Phasenschieber, einen Mischer, eine PLL oder ein passives Element umfasst.
    12. (12) Halbleitervorrichtung gemäß einem der obigen (1) bis (11), wobei die Verdrahtungsschicht nur auf einer vorderen Vorderflächenseite des Glassubstrats ausgebildet ist, und eine diskrete Komponente zudem auf einer Rückflächenseite des Glassubstrats bereitgestellt ist.
    13. (13) Halbleitervorrichtung gemäß einem der obigen (1) bis (11), wobei die Verdrahtungsschicht sowohl auf der Vorder- als auch auf der Rückflächenseite des Glassubstrats ausgebildet ist, und ein Halbleiterelement ferner auf der Verdrahtungsschicht auf einer Rückflächenseite des Glassubstrats bereitgestellt ist.
    14. (14) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung, aufweisend:
      • Ausbilden einer Verdrahtungsschicht, die eine oder mehrere Schichten mit Verdrahtung umfasst, auf einer Vorderfläche oder Vorder- und Rückfläche eines Glassubstrats;
      • Ausbilden einer Öffnung auf dem Glassubstrat und Anordnen einer elektronischen Komponente innerhalb der Öffnung; und
      • Ausbilden einer Umverteilungsschicht, die die Verdrahtung des Glassubstrats mit der elektronischen Komponente verbindet.
    15. (15) Verfahren zur Herstellung der Halbleitervorrichtung gemäß obigem (14), ferner aufweisend:
      • Ausbilden von Harz, das die Verdrahtungsschicht auf der Vorderfläche oder der Vorder- und Rückfläche des Glassubstrats bedeckt; und
      • Entfernen des Glassubstrats in einem Bereich, in dem das Harz nicht gebildet wird, um die Öffnung auf dem Glassubstrat zu bilden,
      • wobei eine Öffnungsbreite der auf dem Glassubstrat gebildeten Öffnung breiter als eine Öffnungsbreite eines Nicht-Ausbildungsbereichs des Harzes gestaltet wird.
    16. (16) Verfahren zur Herstellung der Halbleitervorrichtung gemäß obigem (15), wobei ein Abstand in einer planaren Richtung von einer Endfläche der Öffnung zu einer Endfläche der Verdrahtungsschicht kürzer ist als ein Abstand in der planaren Richtung von einer Endfläche des Harzes zu der Endfläche der Verdrahtungsschicht.
    17. (17) Verfahren zur Herstellung der Halbleitervorrichtung gemäß einem der obigen (14) bis (16), ferner aufweisend Füllen von Harz auf der Rückfläche der elektronischen Komponente, nachdem die elektronische Komponente innerhalb der Öffnung angeordnet wurde, und ferner einen Teil des Harzes entfernen, um ein wärmestrahlendes, leitendes Material zu füllen.
    18. (18) Verfahren zur Herstellung der Halbleitervorrichtung gemäß einem der obigen (14) bis (16), ferner aufweisend:
      • Anordnen der elektronischen Komponente innerhalb der Öffnung, auf deren Rückfläche ein blockförmiges wärmeabstrahlendes leitendes Material beim Anordnen der elektronischen Komponente innerhalb der Öffnung haftet, und Füllen eines Raumes um das blockförmige wärmestrahlende leitende Material herum mit Harz.
  • Bezugszeichenliste
    • 1
    Halbleitervorrichtung
    11
    Glassubstrat
    3
    Pixelanordnungseinheit
    12
    Verdrahtung
    13
    isolierende Schicht
    14 (14A, 14B)
    Verdrahtungsschicht
    15
    Durchgangsöffnung
    16
    Durchgangsvia
    17
    Hohlraum
    18
    Elektronische Komponente
    19A
    Durchgangsöffnung
    19
    Wärmestrahlendes leitendes Material
    20
    Harz
    21
    Nicht-Ausbildungsbereich der Verdrahtungsschicht
    22
    Umverteilungsschicht
    23
    isolierende Schicht
    25
    Anschluss
    26
    externer Anschluss
    31
    Wärmesenke
    32
    Glasöffnung
    42
    Nicht-Ausbildungsbereich
    71
    wärmestrahlendes leitendes Material
    82
    Umverteilungsschicht
    101
    diskrete Komponente
    102
    Halbleiterelement
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 2016213466 [0007]

Claims (18)

  1. Halbleitervorrichtung, aufweisend: ein Glassubstrat, auf dessen Vorderfläche oder Vorder- und Rückfläche eine Verdrahtungsschicht mit einer oder mehreren Schichten mit Verdrahtung gebildet ist; eine elektronische Komponente, die innerhalb einer auf dem Glassubstrat ausgebildeten Öffnung angeordnet ist; und eine Umverteilungsschicht, die die Verdrahtung des Glassubstrats und der elektronischen Komponente verbindet.
  2. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei eine Öffnungsbreite eines Nicht-Ausbildungsbereichs der Verdrahtungsschicht, der ein Bereich ist, in dem die Verdrahtungsschicht nicht auf der Vorderfläche oder der Vorder- und Rückfläche des Glassubstrats gebildet ist, breiter ist als eine Breite der auf dem Glassubstrat gebildeten Öffnung.
  3. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei ein anderer Bereich als die elektronische Komponente der auf dem Glassubstrat gebildeten Öffnung zumindest mit Harz gefüllt ist.
  4. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei ein wärmestrahlendes, leitendes Material auf einer Rückflächenseite der elektronischen Komponente auf einer Seite gefüllt ist, die einer Oberfläche gegenüberliegt, auf der ein mit der Umverteilungsschicht verbundener Anschluss gebildet ist.
  5. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 4, wobei die Verdrahtungsschicht nur auf der Vorderfläche des Glassubstrats gebildet ist, und das wärmestrahlende, leitende Material bis zu einer Höhe aufgefüllt ist, um die Rückflächenseite des Glassubstrats zu erreichen.
  6. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 4, wobei die Verdrahtungsschicht auf der Vorder- und Rückfläche des Glassubstrats ausgebildet ist, und das wärmestrahlende, leitende Material bis zu einer Höhe aufgefüllt ist, um die Verdrahtungsschicht auf der Rückflächenseite des Glassubstrats zu erreichen.
  7. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, weiter aufweisend: eine Wärmesenke auf einer Rückflächenseite des Glassubstrats.
  8. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 7, wobei die Wärmesenke durch Verwendung eines leitfähigen Materials gebildet ist und auch als Erdungsanschluss dient.
  9. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei eine Vielzahl der Öffnungen auf dem Glassubstrat ausgebildet ist, und die elektronische Komponente innerhalb jeder der Vielzahl der Öffnungen angeordnet ist.
  10. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei wenigstens eine Antennenschaltung, eine Filterschaltung oder ein passives Element unter Verwendung der Verdrahtung der Verdrahtungsschicht gebildet ist.
  11. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei die elektronische Komponente eine Komponente ist, die wenigstens eine Antenne, ein Filter, einen Leistungsverstärker, einen Schalter, einen rauscharmen Verstärker, einen Phasenschieber, einen Mischer, eine PLL oder ein passives Element umfasst.
  12. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Verdrahtungsschicht nur auf einer Vorderflächenseite des Glassubstrats ausgebildet ist, und eine diskrete Komponente zudem auf einer Rückflächenseite des Glassubstrats bereitgestellt ist.
  13. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Verdrahtungsschicht sowohl auf der Vorder- als auch auf der Rückflächenseite des Glassubstrats ausgebildet ist, und ein Halbleiterelement zudem auf der Verdrahtungsschicht auf einer Rückflächenseite des Glassubstrats bereitgestellt ist.
  14. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung, aufweisend: Ausbilden einer Verdrahtungsschicht, die eine oder mehrere Schichten mit Verdrahtung umfasst, auf einer Vorderfläche oder Vorder- und Rückfläche eines Glassubstrats; Ausbilden einer Öffnung auf dem Glassubstrat und Anordnen einer elektronischen Komponente innerhalb der Öffnung; und Ausbilden einer Umverteilungsschicht, die die Verdrahtung des Glassubstrats mit der elektronischen Komponente verbindet.
  15. Verfahren zur Herstellung der Halbleitervorrichtung nach Anspruch 14, ferner aufweisend: Ausbilden von Harz, das die Verdrahtungsschicht auf der Vorderfläche oder der Vorder- und Rückfläche des Glassubstrats bedeckt; und Entfernen des Glassubstrats in einem Bereich, in dem das Harz nicht gebildet wird, um die Öffnung auf dem Glassubstrat zu bilden, wobei eine Öffnungsbreite der auf dem Glassubstrat gebildeten Öffnung breiter als eine Öffnungsbreite eines Nicht-Ausbildungsbereichs des Harzes gestaltet wird.
  16. Verfahren zur Herstellung der Halbleitervorrichtung nach Anspruch 15, wobei ein Abstand in einer planaren Richtung von einer Endfläche der Öffnung zu einer Endfläche der Verdrahtungsschicht kürzer ist als ein Abstand in der planaren Richtung von einer Endfläche des Harzes zu der Endfläche der Verdrahtungsschicht.
  17. Verfahren zur Herstellung der Halbleitervorrichtung nach Anspruch 14, ferner aufweisend: Füllen von Harz auf eine Rückfläche der elektronischen Komponente, nachdem die elektronische Komponente innerhalb der Öffnung angeordnet wurde, und ferner Entfernen eines Teils des Harzes, um ein wärmestrahlendes, leitendes Material zu füllen.
  18. Verfahren zur Herstellung der Halbleitervorrichtung nach Anspruch 14, ferner aufweisend, Anordnen der elektronischen Komponente innerhalb der Öffnung, auf deren Rückfläche ein blockförmiges wärmestrahlendes, leitendes Material beim Anordnen der elektronischen Komponente innerhalb der Öffnung haftet, und Füllen eines Raumes um das blockförmige wärmestrahlende, leitende Material herum mit Harz.
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