JPWO2019039369A1 - 高分子化合物及びその製造方法、それを含む有機半導体材料並びにそれを含む有機太陽電池 - Google Patents
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Abstract
Description
(一般式(I)中、R1、R2、R3及びR4は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又は炭素原子数1〜60の脂肪族炭化水素基である。nは2以上の整数である。)
[2].上記R3及びR4がそれぞれ独立に、水素原子又はフッ素原子である、[1]に記載の高分子化合物。
[3].上記R3及びR4がフッ素原子である、[2]に記載の高分子化合物。
[4].[1]〜[3]のいずれか一項に記載の高分子化合物を含む、有機半導体材料。
[5].[4]に記載の有機半導体材料を含む、有機太陽電池。
[6].下記一般式(a)で示される化合物と下記一般式(b)で示される化合物とを重合反応させる工程を含む、下記一般式(I−1)で示される高分子化合物の製造方法。
(一般式(a)中、R3及びR4は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又は炭素原子数1〜60の脂肪族炭化水素基である。Aaは置換基を有してもよい直鎖状、分岐鎖状又は環状の脂肪族炭化水素基を表す。)
(一般式(b)中、R1b及びR2bは、それぞれ独立に、水素原子又は炭素原子数1〜60の脂肪族炭化水素基である。Abは臭素原子又はヨウ素原子を表す。)
(一般式(I−1)中、R1b及びR2bは、それぞれ独立に、水素原子又は炭素原子数1〜60の脂肪族炭化水素基であり、R3及びR4は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又は炭素原子数1〜60の脂肪族炭化水素基である。nは2以上の整数である。)
[7].下記一般式(c)で示される化合物と下記一般式(d)で示される化合物とを重合反応させる工程を含む、下記一般式(I−2)で示される高分子化合物の製造方法。
(一般式(c)中、R3及びR4はそれぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又は炭素原子数1〜60の脂肪族炭化水素基である。ACは置換基を有してもよい直鎖状、分岐鎖状又は環状の脂肪族炭化水素基を表す。)
(一般式(I−2)中、R3及びR4はそれぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又は炭素原子数1〜60の脂肪族炭化水素基である。nは2以上の整数である。)
本発明の高分子化合物は、一般式(I)で示される。
高分子化合物(I)の製造方法は特に限定されないが、一例として以下の反応スキームに沿って市販されている化合物から合成して製造することができる。より具体的な一例は、後述の実施例に記載されている。
<工程A>
まず、一般式(II−F)で示される化合物(以下「化合物(II−F)」という)から、一般式(III−F)で示される化合物(以下「化合物(III−F)」という)を製造する(工程A)。化合物(II−F)において、A1は臭素原子又はヨウ素原子を表す。化合物(III−F)において、A2は置換基を有してもよい直鎖状、分岐鎖状又は環状の脂肪族炭化水素基を表す。
次いで、化合物(III−F)から、一般式(IV−F)で示される化合物(以下「化合物(IV−F)」という)を製造する(工程B)。化合物(IV−F)において、A2は前述の通りである。
次いで、化合物(IV−F)から、一般式(V−F)で示される化合物(以下「化合物(V−F)」という)を製造する(工程C)。化合物(V−F)において、A3は臭素原子又はヨウ素原子を表す。
次いで、化合物(V−F)から、一般式(VI−F)で示される化合物(以下「化合物(VI−F)」という)を製造する(工程D)。化合物(VI−F)において、A4は置換基を有してもよい直鎖状、分岐鎖状又は環状の脂肪族炭化水素基を表す。
<工程E>
化合物(II−H)から、一般式(VI−H)で示される化合物(以下「化合物(VI−H)」という)を製造する(工程E)。化合物(VI−H)において、A4は前述の通りである。
<工程F>
まず、一般式(VII)で示される化合物(以下「化合物(VII)」という)と一般式(VIII)で示される化合物(以下「化合物(VIII)」という)から、一般式(IX)で示される化合物(以下「化合物(IX)」という)を製造する(工程F)。化合物(VII)において、A5及びA6はそれぞれ独立に置換基を有してもよい直鎖状、分岐鎖状又は環状の脂肪族炭化水素基を表す。化合物(VIII)において、A7は置換基を有してもよい直鎖状、分岐鎖状又は環状の脂肪族炭化水素基を表す。化合物(IX)において、A8は化合物(VII)中のA5からメチレン鎖1つを取り除いた直鎖状、分岐鎖状又は環状の脂肪族炭化水素基を表す。X1は臭素原子又はヨウ素原子を表す。
次いで、化合物(IX)から、一般式(X)で示される化合物(以下「化合物(X)」という)を製造する(工程G)。化合物(X)において、A7及びA8は前述の通りである。
次いで、化合物(X)から、一般式(XI)で示される化合物(以下「化合物(XI)」という)を製造する(工程H)。化合物(XI)において、X2は臭素原子又はヨウ素原子であり、A7及びA8は前述の通りである。
次いで、化合物(XI)から、一般式(XII−a)で示される化合物(以下「化合物(XII−a)」という)又は一般式(XIII−a)で示される化合物(以下「化合物(XIII−a)」という)を製造する(工程I)。化合物(XII−a)と化合物(XIII−a)はそれぞれ同一であっても異なっていても良い。化合物(XII−a)において、R1aは(A7)(A8)CHCH2であり、A7及びA8は前述の通りである。化合物(XIII−a)において、R2aは(A7)(A8)CHCH2であり、A7及びA8は前述の通りである。
次いで、化合物(XII−a)又は化合物(XIII−a)から、一般式(XIV−a)又は一般式(XV−a)で示される化合物(以下「化合物(XIV−a)」又は「化合物(XV−a)」という)を製造する(工程J)。化合物(XIV−a)と化合物(XV−a)はそれぞれ同一であっても異なっていても良い。化合物(XIV−a)において、A9は置換基を有してもよい直鎖状、分岐鎖状又は環状の脂肪族炭化水素基を表す。化合物(XV−a)において、A9は置換基を有してもよい直鎖状、分岐鎖状又は環状の脂肪族炭化水素基を表す。化合物(XIV−a)において、R1aは前述の通りである。化合物(XV−a)において、R2aは前述の通りである。
まず、一般式(XII)で示される化合物(以下「化合物(XII)」という)から、一般式(XVI)で示される化合物(以下「化合物(XVI)」という)を製造する(工程K)。化合物(XII)において、R3は水素原子、フッ素原子又は炭素原子数1〜60の脂肪族炭化水素基である。化合物(XVI)において、A10は臭素原子又はヨウ素原子を表す。
次いで、一般式(XIII)で示される化合物(以下「化合物(XIII)」という)から、一般式(XVII)で示される化合物(以下「化合物(XVII)」という)を製造する(工程L)。化合物(XIII)において、R4は水素原子、フッ素原子又は炭素原子数1〜60の脂肪族炭化水素基である。化合物(XVII)において、A11は置換基を有してもよい直鎖状、分岐鎖状又は環状の脂肪族炭化水素基を表す。
次いで、化合物(XVI)と、化合物(XVII)とから、一般式(XVIII)で示される化合物(以下「化合物(XVIII)」という)を製造する(工程M)。化合物(XVIII)において、R3及びR4は前述の通りである。
次いで、化合物(XVIII)から、一般式(XIX)で示される化合物(以下「化合物(XIX)」という)を製造する(工程N)。化合物(XIX)において、A12は置換基を有してもよい直鎖状、分岐鎖状又は環状の脂肪族炭化水素基を表す。
次いで、化合物(XIX)と、一般式(XX)で示される化合物(以下「化合物(XX)という」及び/又は一般式(XXI)で示される化合物(以下「化合物(XXI)という」とから、一般式(XXII)で示される化合物(以下「化合物(XXII)」という)を製造する(工程O)。化合物(XX)において、A13及びA14はそれぞれ独立に、臭素原子又はヨウ素原子である。化合物(XXI)において、A15及びA16はそれぞれ独立に、臭素原子又はヨウ素原子である。化合物(XXII)において、R3及びR4は前述の通りである。
次いで、化合物(XXII)から、一般式(XXIII)で示される化合物(以下「化合物(XXIII)」という)を製造する(工程P)。化合物(XXIII)において、R3,R4,A13及びA15は前述の通りであり、A17は置換基を有してもよい直鎖状、分岐鎖状又は環状の脂肪族炭化水素基を表す。
次いで、化合物(XXIII)から、一般式(XXIV)で示される化合物(以下「化合物(XXIV)」という)を製造する(工程Q)。化合物(XXIV)において、R3,R4及びA17は前述の通りである。
次いで、化合物(XXIV)から、一般式(XXV)で示される化合物(以下「化合物(XXV)」という)を製造する(工程R)。化合物(XXV)において、A18は臭素原子又はヨウ素原子を表す。
次いで、化合物(XXV)から、一般式(XXVI)で示される化合物(以下「化合物(XXVI)」という)を製造する(工程S)。化合物(XXVI)において、A19は置換基を有してもよい直鎖状、分岐鎖状又は環状の脂肪族炭化水素基を表し、R3及びR4は前述の通りである。
まず、一般式(XXVII)で示される化合物(以下「化合物(XXVII)」という)から、一般式(XXVIII)で示される化合物(以下「化合物(XXVIII)」という)を製造する(工程T)。
次いで、化合物(XXVIII)から、一般式(XXIX)で示される化合物(以下「化合物(XXIX)」という)を製造する(工程U)。
次いで、化合物(XXIX)から、一般式(XXX)で示される化合物(以下「化合物(XXX)」という)を製造する(工程V)。
次いで、化合物(XXX)と、化合物(XIV)及び/又は化合物(XV)とから、一般式(XXXI)で示される化合物(以下「化合物(XXXI)」という)を製造する(工程W)。化合物(XXXI)において、R1及びR2はそれぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又は炭素原子数1〜60の脂肪族炭化水素基である。
次いで、化合物(XXXI)から、一般式(XXXII)で示される化合物(以下「化合物(XXXII)」という)を製造する(工程X)。化合物(XXXII)において、A20は臭素原子又はヨウ素原子を表す。化合物(XXXII)において、R1及びR2は前述の通りである。
次いで、化合物(VI−H)、化合物(VI−F)又は化合物(XIX)と、化合物(XXXII)とを重合反応させることによって一般式(I−1)で示される化合物(以下「化合物(I−1)」という)を製造する(工程Y)。化合物(VI−F)及び化合物(VI−H)において、A4が置換基を有してもよい直鎖状、分岐鎖状又は環状の脂肪族炭化水素基を表すことは前述の通りである。
また、化合物(XIX)において、A12が置換基を有してもよい直鎖状、分岐鎖状又は環状の脂肪族炭化水素基を表すことも前述の通りである。さらに、本明細書では、化合物(VI−F)、化合物(VI−H)又は化合物(XIX)を一般式(a)で示される化合物と称することがある。この場合、一般式(a)において、A4又はA12を、Aaと表すことがあり、Aaは置換基を有してもよい直鎖状、分岐鎖状又は環状の脂肪族炭化水素基を表す。化合物(I−1)において、R1、R2、R3及びR4は前述の通りである。
また、化合物(XXVI)と、化合物(XXX)とを重合反応させることによって一般式(I−2)で示される化合物(以下「化合物(I−2)」という)を製造することもできる(工程Z)。化合物(I−2)において、R1及びR2はフッ素原子である。一般式(I−2)において、R3及びR4はそれぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又は炭素原子数1〜60の脂肪族炭化水素基である。
溶媒としては、トルエン、クロロベンゼン、DMF、テトラヒドロフラン等が挙げられる。また、触媒としては、Pd(PPh3)4、Pd(PPh3)2Cl2、Pd2(dba)3等が挙げられる。配位子として、トリフェニルホスフィン、トリ(o−トリル)ホスフィンを添加しても良い。反応温度は、例えば80℃〜200℃とすることができる。得られた高分子化合物(I−2)は精製しても良い。このようにして、本発明の高分子化合物(I−2)を製造することができる。
本発明の高分子化合物(I)は、半導体材料(p型半導体材料)として利用することができる。そのため、本発明の高分子化合物(I)は、例えば、太陽電池素子の材料として利用され得る。また、太陽電池素子は、有機薄膜太陽電池素子であり得る。
本発明の一実施形態に係る太陽電池素子は、例えば、基板上に電極層、電子輸送層(電子取出層)、光電変換層(光活性層)、正孔輸送層(正孔取出層)、及び電極層を順に積層した構造を有する。基板としては、例えば、受光性能を阻害しないよう、光透過性を有する基板が挙げられる。そのような基板としては、例えば、無色又は有色ガラス、網入りガラス、ガラスブロック等が用いられる他、無色又は有色の透明性を有する樹脂が用いられても良い。そのような樹脂としては、具体的には、ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル、ポリアミド、ポリスルホン、ポリエーテルサルホン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンサルファイド、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、トリアセチルセルロース、及びポリメチルペンテン等が挙げられる。電極としては、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)電極、銀電極、アルミニウム電極、金電極、クロム電極、酸化チタン電極、酸化亜鉛電極等が挙げられる。電子輸送層(電子取出層)としては、例えば、フェナントロリン、バソキュプロイン、及びペリレン等の有機半導体分子並びにこれらの誘導体;遷移金属錯体等の有機物;LiF、CsF、CsO,Cs2CO3、TiOx(xは0〜2の任意の数字)、及びZnO等の無機化合物;Ca、Ba等の金属;等が挙げられる。正孔輸送層(正孔取出層)としては、例えば、PEDOT(ポリエチレンジオキシチオフェン、poly(ethylenedioxythiophene))/PSS(ポリスチレンスルホネート、poly(styrenesulfonate))、ポリピロール、ポリアニリン、ポリフラン、ポリピリジン、及びポリカルバゾール等の導電性高分子;MoO3、及びWO3等の無機化合物;フタロシアニン、及びポルフィリン等の有機半導体分子並びにこれらの誘導体;遷移金属錯体;トリフェニルアミン化合物及びヒドラジン化合物等の電荷移動剤;TTF(テトラチアフルバレン)のような電荷移動錯体;等の成功移動度が高い材料が挙げられる。本発明に係る高分子は、光電変換層(光活性層)に含まれている。なお、本発明の太陽電池素子は、上述の構造に限らず、太陽電池素子として機能する限り、他の構造であっても良い。
本発明の高分子化合物(I)は、上述の半導体特性を有するため、有機エレクトロニクス全般、例えば、光電変換素子、トランジスタ(光トランジスタ等)、EL素子、センサ(光センサ等)、メモリ、電子写真用感光体、コンデンサ、及び/又はバッテリー等においても使用することができる。また、プロトン導電膜の材料としても使用し得る。
(化合物0の合成)
1,2,5,6−テトラアミノ−4,8−ジフルオロナフタレン(化合物0)を、市販のナフタレンをハロゲン化、アミノ化等の製法を適宜選択して組み合わせて行うことにより、合成した。
次に、5,10−ジフルオロナフト[1,2−c:5,6−c’]ビス[1,2,5]チアジアゾール(化合物1)を合成した。
まず、反応容器に得られた化合物0(174mg)、ピリジン(18mL)、及び塩化チオニル(1.12g)を入れ、90℃で2時間撹拌した。その後、反応液を減圧下で乾燥して固体を得た。得られた固体にメチルアルコールを加えて濾取した後、濾取した固体をメチルアルコールで洗浄した。洗浄後の固体を乾燥して、褐色で固体の目的物(130mg,99%)を得た。反応式を以下に示す。
1HNMR(400MHz,CDCl3):δ=8.08−8.03(m,2H)。19FNMR(565MHz,CDCl3):δ=−107.71。
窒素雰囲気下、反応容器にトリフルオロ酢酸(25mL)、化合物1(140mg,0.5mmol)、N−ブロモスクシンイミド(1.78g,10mmol)を加え、70℃で16時間撹拌した。その後、反応溶液に水(200mL)を加え、析出してきた黄色個体を濾過し、メタノール(50mL)で洗浄することで化合物2を得た(160mg,収率73%)。
3−(2−デシルヘキサデシル)−5−トリメチルスタニルチオフェン(化合物3)は、文献:Nature Energy, 1, 15027(2016)に記載された手順を参考に合成した。
反応容器に化合物2(100mg,0.228mmol)、化合物3(532mg,0.91mmol)、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)(9mg,4mol%)、トルエン(3mL)を加えた。反応容器をアルゴン置換した後に密封し、μ−ウェーブリアクターを用いて100℃で3時間反応させた。室温まで冷却後、反応溶液に水を加え、クロロホルムで抽出し、有機層を飽和食塩水、水で洗浄した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥、濾過後溶媒を減圧下で留去した。得られた反応混合物を、ヘキサン:クロロホルム(3:1)溶媒を移動層とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーで分離精製後、酢酸エチル:クロロホルム(4:1)で1回再結晶することで化合物4を赤色固体で得た(177mg,収率70%)。
1HNMR(400MHz,CDCl3,TMS)δ=8.34(d,J=0.8Hz,2H),7.26(s,2H),2.69(d,J=6.8Hz,4H),1.69−1.76(m,2H),1.23−1.33(m,96H),0.85−0.88(m,12H)
MS(EI) m/z=1230(M+)
窒素雰囲気下、反応容器に化合物4(157mg,0.141mmol)をクロロホルム(10mL)に加え溶解させた。その後、N−ブロモスクシンイミド(148mg,0.84mmol)を加え、50℃で6時間撹拌した。その後、反応溶液にチオ硫酸ナトリウム水溶液(10mL)を加え、30分撹拌した。その後、反応溶液に水を加え、クロロホルムで抽出し、有機層を飽和食塩水、水で洗浄した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥、濾過後溶媒を減圧下で留去した。得られた反応混合物を、ヘキサン:クロロホルム(3:1)溶媒を移動層とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーで分離精製後、酢酸エチル:クロロホルム(4:1)で1回再結晶することで化合物5を赤色固体で得た(146mg,収率80%)。反応式を以下に示す。
1HNMR(400MHz,CDCl3,TMS)δ=8.20(s,2H),2.64(d,J=7.2Hz,4H),1.74−1.83(m,2H),1.22−1.34(m,96H),0.84−0.87(m,12H)
MS(EI) m/z=1388(M+)
(高分子化合物P1の合成)
次に、反応容器に化合物5(34.7mg,0.025mmol)、下記の式で表される化合物6(12.3mg,0.025mmol、市販品)、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)(0.5mg,2mol%)、トルエン(2mL)を加えた。反応容器をアルゴン置換した後に密封し、μ−ウェーブリアクターを用いて200℃で2時間反応させた。室温まで冷却後、反応溶液をメタノール(50mL)と塩酸(2mL)の混合溶液に注ぎ再沈殿させた。沈殿物を濾過した後、ソックスレー抽出器を用いてメタノール、ヘキサンにて洗浄後、クロロホルムにて抽出を行った。クロロホルム溶液を濃縮した後、メタノールを用いて再沈殿させることで高分子化合物P1(20mg,62%)を暗紫色固体として得た。反応式を以下に示す。
下記の反応式に使用した化合物7は、非特許文献1に記載された手順に準じて合成した。
次に、反応容器に化合物5(34.7mg,0.025mmol)、化合物7(13.2mg,0.025mmol)、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)(0.5mg,2mol%)、トルエン(2mL)を加えた。反応容器をアルゴン置換した後に密封し、μ−ウェーブリアクターを用いて200℃で2時間反応させた。室温まで冷却後、反応溶液をメタノール(50mL)と塩酸(2mL)の混合溶液に注ぎ再沈殿させた。沈殿物を濾過した後、ソックスレー抽出器を用いてメタノール、ヘキサン、クロロホルムにて洗浄後、クロロベンゼンにて抽出を行った。クロロベンゼン溶液を濃縮した後、メタノールを用いて再沈殿させることで高分子化合物P2(20mg,57%)を暗紫色固体として得た。反応式を以下に示す。
(実施例1)
高分子化合物P1を用いて太陽電池素子の評価を行った。
まず、ITO膜がパターンニングされたガラス基板を十分洗浄後、UVオゾン処理を行った。次に、酢酸亜鉛(II)二水和物0.5gとエタノールアミン0.142mLを2−メトキシエタノール5mLに溶解した溶液を5000rpmで30秒間スピンコートした。180℃で30分間基板を加熱することで、電子取り出し層を形成した。電子取り出し層を成膜した基板をグローブボックス内に持ち込み、高分子化合物P1及びフラーレン誘導体であるPC71BM(フェニルC71−ブチル酸メチルエステル)を含むクロロベンゼン溶液(高分子化合物P1/PC71BMの重量比=1/2)を用いて、スピンコートにより光活性層を形成した(膜厚200nm)。さらに、活性層上に、正孔取り出し層として厚さ7.5nmの三酸化モリブデン(MoO3)膜を、次いで電極層として厚さ100nmの銀膜を、抵抗加熱型真空蒸着法により順次成膜し、4mm角の有機薄膜太陽電池素子を作製した。
高分子化合物P2を用いて太陽電池素子の評価を行った。
まず、高分子化合物P2及びフラーレン誘導体であるPC71BM(フェニルC71−ブチル酸メチルエステル)を含むクロロベンゼン溶液(高分子化合物P2/PC71BMの重量比=1/2)を用いて、スピンコートにより光活性層を形成した以外は上記と同様にして有機薄膜太陽電池を作製し(膜厚300nm)、その特性を評価した。図2(a)に示す電流密度−電圧特性が得られ、Jsc=17.6mA/cm2、Voc=0.84V、FF=0.72、ηは10.7%であった。また、図2(b)に分光感度特性を示す。
比較例1として、まず、下記の高分子化合物P3を非特許文献1に記載された手順に準じて合成した。
高分子化合物P3及びフラーレン誘導体であるPC71BM(フェニルC71−ブチル酸メチルエステル)を含むクロロベンゼン溶液(高分子化合物P3/PC71BMの重量比=1/2)を用いて、スピンコートにより光活性層を形成した以外は上記と同様にして有機薄膜太陽電池を作製し(膜厚200nm)、その特性を評価した。図3(a)に示す電流密度−電圧特性が得られ、Jsc=12.0mA/cm2、Voc=0.73V、FF=0.67、ηは5.8%であった。また、図3(b)に分光感度特性を示す。
Claims (7)
- 下記一般式(I)で示される高分子化合物。
(一般式(I)中、R1、R2、R3及びR4は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又は炭素原子数1〜60の脂肪族炭化水素基である。nは2以上の整数である。) - 上記R3及びR4がそれぞれ独立に、水素原子又はフッ素原子である、請求項1に記載の高分子化合物。
- 上記R3及びR4がフッ素原子である、請求項2に記載の高分子化合物。
- 請求項1〜3のいずれか一項に記載の高分子化合物を含む、有機半導体材料。
- 請求項4に記載の有機半導体材料を含む、有機太陽電池。
- 下記一般式(a)で示される化合物と下記一般式(b)で示される化合物とを重合反応させる工程を含む、下記一般式(I−1)で示される高分子化合物の製造方法。
(一般式(a)中、R3及びR4は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又は炭素原子数1〜60の脂肪族炭化水素基である。Aaは置換基を有してもよい直鎖状、分岐鎖状又は環状の脂肪族炭化水素基を表す。)
(一般式(b)中、R1b及びR2bは、それぞれ独立に、水素原子又は炭素原子数1〜60の脂肪族炭化水素基である。Abは臭素原子又はヨウ素原子を表す。)
(一般式(I−1)中、R1b及びR2bは、それぞれ独立に、水素原子又は炭素原子数1〜60の脂肪族炭化水素基であり、R3及びR4は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又は炭素原子数1〜60の脂肪族炭化水素基である。nは2以上の整数である。) - 下記一般式(c)で示される化合物と下記一般式(d)で示される化合物とを重合反応させる工程を含む、下記一般式(I−2)で示される高分子化合物の製造方法。
(一般式(c)中、R3及びR4はそれぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又は炭素原子数1〜60の脂肪族炭化水素基である。ACは置換基を有してもよい直鎖状、分岐鎖状又は環状の脂肪族炭化水素基を表す。)
(一般式(I−2)中、R3及びR4はそれぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又は炭素原子数1〜60の脂肪族炭化水素基である。nは2以上の整数である。)
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