JPWO2018235889A1 - スパッタリングターゲット材、スパッタリングターゲット、スパッタリングターゲット用アルミニウム板及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
を形成するチャンバ内の所定位置に、ターゲット材を有するスパッタリングターゲットが
配置される。例えば、特許文献1〜6には、従来のターゲット材の例が記載されている。
純度99.999質量%以上のアルミニウムと、不可避的不純物とからなり、
板表面の平均結晶粒径をDs[μm]、板厚の1/4の深さにおける平均結晶粒径をDq[μm]、板厚の1/2の深さにおける平均結晶粒径をDc[μm]としたときに、下記(1)式〜(5)式を満たすとともに、平均結晶粒径が板厚方向に連続的に変化している、スパッタリングターゲット材。
Ds≦230 ・・・(1)
Dq≦280 ・・・(2)
Dc≦300 ・・・(3)
1.2≦Dq/Ds ・・・(4)
1.3≦Dc/Ds ・・・(5)
≪1≫に記載のスパッタリングターゲット材であって、
更に、下記(6)式と(7)式との組合せ、及び、(8)式と(9)式との組合せのうち、少なくとも一つの組合せを満足する、スパッタリングターゲット材。
1.5≦A001q/A001s ・・・(6)
2.0≦A001c/A001s ・・・(7)
0<A123q/A123s≦0.85 ・・・(8)
0<A123c/A123s≦0.65 ・・・(9)
A001sは板表面の{001}面の面積率、
A001qは板厚の1/4の深さにおける{001}面の面積率、
A001cは板厚の1/2の深さにおける{001}面の面積率、
A123sは板表面の{123}面の面積率、
A123qは板厚の1/4の深さにおける{123}面の面積率、
A123cは板厚の1/2の深さにおける{123}面の面積率である。
≪2≫に記載のスパッタリングターゲット材であって、
更に、下記(10)式〜(13)式のうち少なくとも1つを満足する、スパッタリングターゲット材。
0<A011c/A011s≦0.9 ・・・(10)
0<A111c/A111s≦0.7 ・・・(11)
0<A112c/A112s≦0.9 ・・・(12)
0<A113c/A113s≦0.9 ・・・(13)
A011sは板表面の{011}面の面積率、
A011cは板厚の1/2の深さにおける{011}面の面積率、
A111sは板表面の{111}面の面積率、
A111cは板厚の1/2の深さにおける{111}面の面積率、
A112sは板表面の{112}面の面積率、
A112cは板厚の1/2の深さにおける{112}面の面積率、
A113sは板表面の{113}面の面積率、
A113cは板厚の1/2の深さにおける{113}面の面積率である。
純度99.999質量%以上のアルミニウムと、不可避的不純物とからなり、
板表面における平均結晶粒径をds[μm]、板厚の1/4の深さにおける平均結晶粒径をdq[μm]、板厚の1/2の深さにおける平均結晶粒径をdc[μm]としたときに、下記(1’)式〜(5’)式を満たすとともに、平均結晶粒径が板厚方向に連続的に変化している、スパッタリングターゲット用アルミニウム板。
ds<230 ・・・(1’)
dq≦280 ・・・(2’)
dc≦300 ・・・(3’)
1.2≦dq/ds ・・・(4’)
1.3≦dc/ds ・・・(5’)
≪4≫に記載のスパッタリングターゲット用アルミニウム板であって、
更に、下記(6’)式と(7’)式との組合せ、及び、(8’)式と(9’)式との組合せのうち、少なくとも一つの組合せを満足する、スパッタリングターゲット用アルミニウム板。
1.5≦B001q/B001s ・・・(6’)
2.0≦B001c/B001s ・・・(7’)
0<B123q/B123s≦0.85 ・・・(8’)
0<B123c/B123s≦0.65 ・・・(9’)
B001sは板表面の{001}面の面積率、
B001qは板厚の1/4の深さにおける{001}面の面積率、
B001cは板厚の1/2の深さにおける{001}面の面積率、
B123sは板表面の{123}面の面積率、
B123qは板厚の1/4の深さにおける{123}面の面積率、
B123cは板厚の1/2の深さにおける{123}面の面積率である。
≪5≫に記載のスパッタリングターゲット用アルミニウム板であって、
更に、下記(10’)式〜(13’)式のうち少なくとも1つを満足する、スパッタリングターゲット用アルミニウム板。
0<B011c/B011s≦0.9 ・・・(10’)
0<B111c/B111s≦0.7 ・・・(11’)
0<B112c/B112s≦0.9 ・・・(12’)
0<B113c/B113s≦0.9 ・・・(13’)
B011sは板表面の{011}面の面積率、
B011cは板厚の1/2の深さにおける{011}面の面積率、
B111sは板表面の{111}面の面積率、
B111cは板厚の1/2の深さにおける{111}面の面積率、
B112sは板表面の{112}面の面積率、
B112cは板厚の1/2の深さにおける{112}面の面積率、
B113sは板表面の{113}面の面積率、
B113cは板厚の1/2の深さにおける{113}面の面積率である。
純度99.999質量%以上のアルミニウムと、不可避的不純物とからなる鋳塊に1回または複数回の圧延を行い、≪4≫〜≪6≫に記載のスパッタリングターゲット用アルミニウム板を製造する方法であって、
上記圧延の最終パスにおける圧下率をR[%]、圧延終了温度をT[℃]としたときに、下記(14)式〜(15)式を満たす条件で上記最終パスの圧延を行う、スパッタリングターゲット用アルミニウム板の製造方法。
150≦T≦300 ・・・(14)
R≧8.8×10−4×(T+273)2−0.9×(T+273)+281 ・・・(15)
≪7≫に記載のスパッタリングターゲット用アルミニウム板の製造方法であって、上記最終パスの圧延の後に、更に、上記アルミニウム板を200〜350℃で加熱して焼鈍する、スパッタリングターゲット用アルミニウム板の製造方法。
Dq≦280 ・・・(2)
Dc≦300 ・・・(3)
1.2≦Dq/Ds ・・・(4)
1.3≦Dc/Ds ・・・(5)
dq≦280 ・・・(2’)
dc≦300 ・・・(3’)
1.2≦dq/ds ・・・(4’)
1.3≦dc/ds ・・・(5’)
Dq≦275 ・・・(17)
Dc≦300 ・・・(18)
1.3≦Dq/Ds ・・・(19)
1.4≦Dc/Ds ・・・(20)
dq≦275 ・・・(17’)
dc≦300 ・・・(18’)
1.3≦dq/ds ・・・(19’)
1.4≦dc/ds ・・・(20’)
D=(100[μm]×0.01[mm2]×75+500[μm]×0.25[mm2]×1)/(0.01[mm2]×75+0.25[mm2]×1)=200μm
一方、一般的な算出方法では、面積による重みづけがなされないため、平均結晶粒径D’は以下のように算出される。
D’=(100[μm]×75+500[μm]×1)/(75+1)=105μm
1.5≦A001q/A001s ・・・(6)
2.0≦A001c/A001s ・・・(7)
0<A123q/A123s≦0.85 ・・・(8)
0<A123c/A123s≦0.65 ・・・(9)
2.0≦B001c/B001s ・・・(7’)
0<B123q/B123s≦0.85 ・・・(8’)
0<B123c/B123s≦0.65 ・・・(9’)
2.5≦A001c/A001s ・・・(23)
0<A123q/A123s≦0.75 ・・・(24)
0<A123c/A123s≦0.50 ・・・(25)
2.5≦B001c/B001s ・・・(23’)
0<B123q/B123s≦0.75 ・・・(24’)
0<B123c/B123s≦0.50 ・・・(25’)
0<A111c/A111s≦0.7 ・・・(11)
0<A112c/A112s≦0.9 ・・・(12)
0<A113c/A113s≦0.9 ・・・(13)
0<B111c/B111s≦0.7 ・・・(11’)
0<B112c/B112s≦0.9 ・・・(12’)
0<B113c/B113s≦0.9 ・・・(13’)
0<A111c/A111s≦0.5 ・・・(27)
0<A112c/A112s≦0.8 ・・・(28)
0<A113c/A113s≦0.8 ・・・(29)
0<B111c/B111s≦0.5 ・・・(27’)
0<B112c/B112s≦0.8 ・・・(28’)
0<B113c/B113s≦0.8 ・・・(29’)
測定ソフト:OIM Data Collection ver.5.31
解析ソフト:OIM Analysis ver.5.31
測定領域:面積12mm×6mm
STEPサイズ:5μm
結晶粒界:隣接測定点の方位差が5°以上
結晶面の解析での許容範囲:理想方位から±10°
R≧8.8×10−4×(T+273)2−0.9×(T+273)+281 ・・・(15)
R≧8.8×10−4×(T+273)2−0.9×(T+273)+286 ・・・(30)
・スパッタリング装置:Endura 5500 PVD(AMAT社製)
・スパッタ電力:10kW
・アルゴン流量:21sccm
・基板温度:無加熱
・評価用基板:Siウェハ
sX={(Xmax−Xmin)/(Xmax+Xmin)}×100 ・・・(31)
11 板表面
12 板厚の1/4の深さを有する位置
13 板厚の1/2の深さを有する位置
2 ターゲット材
21 板表面
22 板厚の1/4の深さを有する位置
23 板厚の1/2の深さを有する位置
Claims (17)
- 純度99.999質量%以上のアルミニウムと、不可避的不純物とからなり、
板表面の平均結晶粒径をDs[μm]、板厚の1/4の深さにおける平均結晶粒径をDq[μm]、板厚の1/2の深さにおける平均結晶粒径をDc[μm]としたときに、下記(1)式〜(5)式を満たすとともに、平均結晶粒径が板厚方向に連続的に変化している、スパッタリングターゲット材。
Ds≦230 ・・・(1)
Dq≦280 ・・・(2)
Dc≦300 ・・・(3)
1.2≦Dq/Ds ・・・(4)
1.3≦Dc/Ds ・・・(5) - 更に、板表面における{001}面の面積率をA001s、板厚の1/4の深さにおける{001}面の面積率をA001q、板厚の1/2の深さにおける{001}面の面積率をA001cとしたときに、下記(6)式及び(7)式を満たす、請求項1に記載のスパッタリングターゲット材。
1.5≦A001q/A001s ・・・(6)
2.0≦A001c/A001s ・・・(7) - 更に、板表面における{123}面の面積率をA123s、板厚の1/4の深さにおける{123}面の面積率をA123q、板厚の1/2の深さにおける{123}面の面積率をA123cとしたときに、下記(8)式及び(9)式を満たす、請求項1または2に記載のスパッタリングターゲット材。
0<A123q/A123s≦0.85 ・・・(8)
0<A123c/A123s≦0.65 ・・・(9) - 更に、板表面における{011}面の面積率をA011s、板厚の1/2の深さにおける{011}面の面積率をA011cとしたときに、下記(10)式を満たす、請求項2または3に記載のスパッタリングターゲット材。
0<A011c/A011s≦0.9 ・・・(10) - 更に、板表面における{111}面の面積率をA111s、板厚の1/2の深さにおける{111}面の面積率をA111cとしたときに、下記(11)式を満たす、請求項2〜4のいずれか1項に記載のスパッタリングターゲット材。
0<A111c/A111s≦0.7 ・・・(11) - 更に、板表面における{112}面の面積率をA112s、板厚の1/2の深さにおける{112}面の面積率をA112cとしたときに、下記(12)式を満たす、請求項2〜5のいずれか1項に記載のスパッタリングターゲット材。
0<A112c/A112s≦0.9 ・・・(12) - 更に、板表面における{113}面の面積率をA113s、板厚の1/2の深さにおける{113}面の面積率をA113cとしたときに、下記(13)式を満たす、請求項2〜6のいずれか1項に記載のスパッタリングターゲット材。
0<A113c/A113s≦0.9 ・・・(13) - 請求項1〜7のいずれか1項に記載のスパッタリングターゲット材を備えたスパッタリングターゲット。
- 純度99.999質量%以上のアルミニウムと、不可避的不純物とからなり、
板表面における平均結晶粒径をds[μm]、板厚の1/4の深さにおける平均結晶粒径をdq[μm]、板厚の1/2の深さにおける平均結晶粒径をdc[μm]としたときに、下記(1’)式〜(5’)式を満たすとともに、平均結晶粒径が板厚方向に連続的に変化している、スパッタリングターゲット用アルミニウム板。
ds<230 ・・・(1’)
dq≦280 ・・・(2’)
dc≦300 ・・・(3’)
1.2≦dq/ds ・・・(4’)
1.3≦dc/ds ・・・(5’) - 更に、板表面における{001}面の面積率をB001s、板厚の1/4の深さにおける{001}面の面積率をB001q、板厚の1/2の深さにおける{001}面の面積率をB001cとしたときに、下記(6’)式及び(7’)式を満たす、請求項9に記載のスパッタリングターゲット用アルミニウム板。
1.5≦B001q/B001s ・・・(6’)
2.0≦B001c/B001s ・・・(7’) - 更に、板表面における{123}面の面積率をB123s、板厚の1/4の深さにおける{123}面の面積率をB123q、板厚の1/2の深さにおける{123}面の面積率をB123cとしたときに、下記(8’)式及び(9’)式を満たす、請求項9または10に記載のスパッタリングターゲット用アルミニウム板。
0<B123q/B123s≦0.85 ・・・(8’)
0<B123c/B123s≦0.65 ・・・(9’) - 更に、板表面における{011}面の面積率をB011s、板厚の1/2の深さにおける{011}面の面積率をB011cとしたときに、下記(10’)式を満たす、請求項10または11に記載のスパッタリングターゲット用アルミニウム板。
0<B011c/B011s≦0.9 ・・・(10’) - 更に、板表面における{111}面の面積率をB111s、板厚の1/2の深さにおける{111}面の面積率をB111cとしたときに、下記(11’)式を満たす、請求項10〜12のいずれか1項に記載のスパッタリングターゲット用アルミニウム板。
0<B111c/B111s≦0.7 ・・・(11’) - 更に、板表面における{112}面の面積率をB112s、板厚の1/2の深さにおける{112}面の面積率をB112cとしたときに、下記(12’)式を満たす、請求項10〜13のいずれか1項に記載のスパッタリングターゲット用アルミニウム板。
0<B112c/B112s≦0.9 ・・・(12’) - 更に、板表面における{113}面の面積率をB113s、板厚の1/2の深さにおける{113}面の面積率をB113cとしたときに、下記(13’)式を満たす、請求項10〜14のいずれか1項に記載のスパッタリングターゲット用アルミニウム板。
0<B113c/B113s≦0.9 ・・・(13’) - 純度99.999質量%以上のアルミニウムと、不可避的不純物とからなる鋳塊に1回または複数回の圧延を行うスパッタリングターゲット用アルミニウム板の製造方法であって、
上記圧延の最終パスにおける圧下率をR[%]、圧延終了温度をT[℃]としたときに、下記(14)式〜(15)式を満足する条件で上記最終パスの圧延を行う、スパッタリングターゲット用アルミニウム板の製造方法。
150≦T≦300 ・・・(14)
R≧8.8×10−4×(T+273)2−0.9×(T+273)+281 ・・・(15) - 上記最終パスの圧延を行った後、更に、上記アルミニウム板を200〜350℃で加熱して焼鈍する、請求項16に記載のスパッタリングターゲット用アルミニウム板の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017122210 | 2017-06-22 | ||
JP2017122210 | 2017-06-22 | ||
PCT/JP2018/023573 WO2018235889A1 (ja) | 2017-06-22 | 2018-06-21 | スパッタリングターゲット材、スパッタリングターゲット、スパッタリングターゲット用アルミニウム板及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2018235889A1 true JPWO2018235889A1 (ja) | 2020-05-28 |
JP7198750B2 JP7198750B2 (ja) | 2023-01-04 |
Family
ID=64737634
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019525679A Active JP7198750B2 (ja) | 2017-06-22 | 2018-06-21 | スパッタリングターゲット材、スパッタリングターゲット、スパッタリングターゲット用アルミニウム板及びその製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11618942B2 (ja) |
JP (1) | JP7198750B2 (ja) |
KR (1) | KR102549051B1 (ja) |
CN (1) | CN110709532B (ja) |
TW (1) | TWI761539B (ja) |
WO (1) | WO2018235889A1 (ja) |
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JPS5328017U (ja) | 1976-08-14 | 1978-03-10 | ||
JP2712561B2 (ja) | 1989-05-26 | 1998-02-16 | 住友化学工業株式会社 | スパッタリング用アルミニウムターゲット |
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2018
- 2018-06-21 WO PCT/JP2018/023573 patent/WO2018235889A1/ja active Application Filing
- 2018-06-21 CN CN201880035775.9A patent/CN110709532B/zh active Active
- 2018-06-21 US US16/619,721 patent/US11618942B2/en active Active
- 2018-06-21 KR KR1020197036594A patent/KR102549051B1/ko active IP Right Grant
- 2018-06-21 JP JP2019525679A patent/JP7198750B2/ja active Active
- 2018-06-22 TW TW107121468A patent/TWI761539B/zh active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7198750B2 (ja) | 2023-01-04 |
TWI761539B (zh) | 2022-04-21 |
TW201905225A (zh) | 2019-02-01 |
KR102549051B1 (ko) | 2023-06-30 |
KR20200020697A (ko) | 2020-02-26 |
CN110709532B (zh) | 2021-07-16 |
CN110709532A (zh) | 2020-01-17 |
US11618942B2 (en) | 2023-04-04 |
US20200199739A1 (en) | 2020-06-25 |
WO2018235889A1 (ja) | 2018-12-27 |
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---|---|---|---|
AA64 | Notification of invalidation of claim of internal priority (with term) |
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