JP2005509741A - 高純度アルミニウム・スパッタリング・ターゲット - Google Patents
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Abstract
Description
この実施例では、少なくとも99.9995パーセントの純度を有するアルミニウムから作製される、実寸大のCVC型スパッタリング・ターゲットを用いた。最終のターゲット素材の寸法は、直径30.5cm(12.0インチ)、厚さ0.64cm(0.25インチ)である。表1に、このターゲットで実施された製造方法が記載されている。低温プレス段階(ステップ2)では、作業者は、直径13.0cm(5.1インチ)で長さ7.6cm(3インチ)の加工材を、目で見て沸騰が観察されなくなるまで、液体窒素に浸漬した。この時、加工材は、約77K、すなわち−196℃の温度であった。各プレス・ステップの間に極低温加工されているビレットを再冷却することにより、確実に、可能な範囲で−196℃、すなわち77Kに近い温度で強制変形が行われた。
一連の実寸大の製造試験により、上の実施例1で記載された熱機械的処理の明細に従って製造された、3つの異なる材料ロットからの5つのターゲット素材のマイクロ組織の一様性が調べられた。素材を分割して(3つの異なるロットの各々からの材料を含めて)金属組織学的分析用試料を得て、結晶学的テクスチャを求めた。テクスチャ分析と結晶粒サイズ測定により、各ターゲット内のテククチャと結晶粒サイズが一様であることが示された。これは、ターゲットが違っても、また3つの異なる材料ロットからの5つの素材の全てにおいても同じであった。
表3に列挙される一連の工程が、3つの異なる材料ロットから5つのターゲット素材を製造する方法であった。最初のビレットの寸法は次の通りであった:130mmの直径×89mmの長さ。また最終の素材寸法は、直径305mmで厚さ11.1mmであった。
純Alの極低温加工で用いられる、いくつかの加工パラメータを変えて、各パラメータの結晶粒サイズへの影響を定量化した。具体的には、実施例3の工程で、極低温プレス歪み、極低温圧延歪み、および極低温変形の後の加熱速度を変えることにより、結晶粒サイズを小さくする上での各パラメータの効果を評価した。
単一塊体形状のスパッタリング・ターゲットの極低温加工によってもまた、マイクロ組織に利点のあることが示された。純アルミニウムの130mmビレットを、343mmの長さに切断し、203mmの高さまで冷間据え込み加工(cold upset)した。実施例1に記載された極低温変形手順を用いて、ビレットの極低温据え込みプレス加工を、最終高さ102mmまで、4段階で実施した(段階毎の厚さ減少は等しい割合)。次に、実施例1に記載された手順を用いて、5mmの厚さ減少/1回の圧延パスで、最終ビレット厚さ46mmまで、据え込み加工されたビレットを極低温交差圧延した。極低温圧延の後、室温水で迅速加熱して、室温まで加工材を迅速に加熱して戻すことが、マイクロ組織に影響を与える最後の工程ステップであった。前記のように加工することにより、平均結晶粒サイズは155μmとなり、図2の雰囲気温度「焼鈍」条件で示された好ましい結晶学的テクスチャが得られた。向上したマイクロ組織を維持するために、最終の加工材を室温で最終のスパッタリング・ターゲットに直接機械加工した。
Claims (10)
- 少なくとも99.999重量パーセントのアルミニウムであり、また結晶粒組織を有するスパッタリング・ターゲットにおいて、前記結晶粒組織が少なくとも約99パーセント再結晶化されており、また約200μm未満の結晶粒サイズを有するスパッタリング・ターゲット。
- 少なくとも99.999重量パーセントのアルミニウムであり、また結晶粒組織を有する高純度アルミニウム・スパッタリング・ターゲットにおいて、前記結晶粒組織が、少なくとも約99パーセント再結晶化されており、また約125μm未満の結晶粒サイズを有するスパッタリング・ターゲット。
- 前記スパッタリング・ターゲットが、前記スパッタリング・ターゲットをスパッタリングするためのスパッタリング・ターゲット面を有し、前記スパッタリング・ターゲット面が、少なくとも約35パーセントの(200)面方位の結晶粒配向率を有する請求項2に記載されたスパッタリング・ターゲット。
- 少なくとも99.999重量パーセントのアルミニウムであり、また結晶粒組織を有する高純度アルミニウム・スパッタリング・ターゲットにおいて、前記結晶粒組織が、少なくとも約99パーセント再結晶化されており、また約80μm未満の結晶粒サイズを有し、さらに、前記スパッタリング・ターゲットをスパッタリングするためのスパッタリング・ターゲット面を有し、前記スパッタリング・ターゲット面の結晶粒配向率が、(200)面方位で少なくとも約40パーセント、(111)、(220)および(311)面方位の各々で、約5〜35パーセントであるスパッタリング・ターゲット。
- 前記スパッタリング・ターゲットが単一塊体構造である請求項4に記載されたスパッタリング・ターゲット。
- a)少なくとも99.999重量パーセントの純度と、或る結晶粒サイズを有する結晶粒を有する高純度ターゲット素材を、約−50℃よりも低い温度に冷却する段階と、
b)前記冷却された高純度ターゲット素材を変形して前記高純度ターゲット素材に歪みを与えるとともに、前記結晶粒の前記結晶粒サイズを小さくする段階と、
c)前記結晶粒を、約200℃よりも低い温度で再結晶化させて再結晶化された結晶粒を有するターゲット素材になす段階であり、前記ターゲット素材は少なくとも約99パーセントの再結晶化された結晶粒を有し、前記再結晶化された結晶粒は微細結晶粒サイズを有する、再結晶化された結晶粒を有するターゲット素材になす前記段階と、
d)高純度ターゲット素材を仕上げ処理して、仕上げされたスパッタリング・ターゲットの前記微細結晶粒サイズを維持するための十分な低温で、仕上げ処理されたスパッタリング・ターゲットを作る段階と
を含む高純度アルミニウム・スパッタリング・ターゲットの成形方法。 - a)少なくとも99.999重量パーセント純度と、或る結晶粒サイズを有する結晶粒を有する高純度ターゲット素材を、約−50℃よりも低い温度に冷却する段階と、
b)前記冷却された高純度ターゲット素材を変形して前記高純度ターゲット素材に歪みを与え、前記結晶粒の前記結晶粒サイズを小さくする段階と、
c)前記結晶粒を、約200℃よりも低い温度で再結晶化させて、再結晶化された結晶粒を有するターゲット素材になす段階であり、前記ターゲット素材は少なくとも約99パーセントの再結晶化された結晶粒を有するとともに、前記再結晶化された結晶粒は約125μm未満の微細結晶粒サイズを有する、前記段階と、
d)高純度ターゲット素材を仕上げ処理して、仕上げされたスパッタリング・ターゲットの前記微細結晶粒サイズを約125μm未満に維持するための十分な低温で、仕上げ処理されたスパッタリング・ターゲットを作る段階と
を含む高純度アルミニウム・スパッタリング・ターゲットの成形方法。 - 約150℃よりも低い温度に前記高純度ターゲットを迅速加熱して、前記高純度ターゲットの前記結晶粒サイズを安定化させる段階とを更に含む請求項7に記載された高純度アルミニウム・スパッタリング・ターゲットの成形方法。
- 前記迅速加熱が、オイル、水、アルコール、および、これらの混合物から成る群から選択された液体浴に入れて行われる請求項7に記載された方法。
- 前記迅速加熱が、撹拌水に入れて行われる請求項9に記載された高純度アルミニウム・スパッタリング・ターゲットの成形方法。
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