KR100938537B1 - 고순도 알루미늄 스퍼터 타깃 및 이를 형성하는 방법 - Google Patents
고순도 알루미늄 스퍼터 타깃 및 이를 형성하는 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100938537B1 KR100938537B1 KR1020047007152A KR20047007152A KR100938537B1 KR 100938537 B1 KR100938537 B1 KR 100938537B1 KR 1020047007152 A KR1020047007152 A KR 1020047007152A KR 20047007152 A KR20047007152 A KR 20047007152A KR 100938537 B1 KR100938537 B1 KR 100938537B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- target
- high purity
- grain size
- grains
- blank
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22F—CHANGING THE PHYSICAL STRUCTURE OF NON-FERROUS METALS AND NON-FERROUS ALLOYS
- C22F1/00—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working
- C22F1/004—Heat treatment in fluid bed
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22F—CHANGING THE PHYSICAL STRUCTURE OF NON-FERROUS METALS AND NON-FERROUS ALLOYS
- C22F1/00—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working
- C22F1/04—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working of aluminium or alloys based thereon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
Claims (10)
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 고순도 알루미늄 스퍼터 타깃이며,스퍼터 타깃은 적어도 99.999 중량% 알루미늄이며, 적어도 99% 재결정되고 결정립 사이즈가 80㎛ 미만인 결정립 구조를 가지며, 스퍼터 타깃을 스퍼터링하기 위한 스퍼터 타깃면을 가지며,상기 스퍼터 타깃면은 적어도 40% (200) 방위와 5% 내지 35%의 (111), (220), 그리고 (311)의 각 방위의 결정립 방위비를 갖는 고순도 알루미늄 스퍼터 타깃.
- 제4항에 있어서, 스퍼터 타깃은 단블록 구조인 고순도 알루미늄 스퍼터 타깃.
- 고순도 알루미늄 스퍼터 타깃을 형성하는 방법이며,적어도 99.999 중량%의 순도를 갖고 결정립이 결정립 사이즈를 갖는 고순도 타깃 블랭크를 -50℃ 미만의 온도로 냉각시키는 단계와,냉각된 고순도 타깃 블랭크를 변형시켜, 고순도 타깃 블랭크에 변형률을 도입시키고 결정립의 사이즈를 줄이는 단계와,결정립을 200℃ 아래의 온도에서 재결정시켜, 재결정된 결정립을 갖는 타깃 블랭크를 형성하는 단계로서, 타깃 블랭크는 적어도 99% 재결정된 결정립을 갖고 재결정된 결정립은 미세 결정립 사이즈를 갖는 단계와,고순도 타깃 블랭크를 마무리작업하여, 미세 결정립 사이즈를 유지하기에 충분한 저온에서 마무리작업된 스퍼터 타깃을 형성하는 단계를 포함하는, 고순도 알루미늄 스퍼터 타깃을 형성하는 방법.
- 고순도 알루미늄 스퍼터 타깃을 형성하는 방법이며,적어도 99.999 중량%의 순도를 갖고 결정립이 결정립 사이즈를 갖는 고순도 타깃 블랭크를 -50℃ 미만의 온도로 냉각시키는 단계와,냉각된 고순도 타깃 블랭크를 변형시켜, 고순도 타깃 블랭크에 변형률을 도입시키고 결정립의 사이즈를 줄이는 단계와,결정립을 200℃ 아래의 온도에서 재결정시켜, 재결정된 결정립을 갖는 타깃 블랭크를 형성하는 단계로서, 타깃 블랭크는 적어도 99% 재결정된 결정립을 갖고 재결정된 결정립은 125㎛ 미만의 미세 결정립 사이즈를 갖는 단계와,고순도 타깃 블랭크를 마무리작업하여, 미세 결정립 사이즈를 125㎛ 미만으로 유지하기에 충분한 저온에서 마무리작업된 스퍼터 타깃을 형성하는 단계를 포함하는, 고순도 알루미늄 스퍼터 타깃을 형성하는 방법.
- 제7항에 있어서, 150℃ 미만의 온도까지 고순도 타깃을 상향담금질하여 고순도 타깃의 결정립 사이즈를 안정화시키는 단계를 더 포함하는, 고순도 알루미늄 스퍼터 타깃을 형성하는 방법.
- 제7항에 있어서, 상향 담금질이 기름, 물, 알콜, 그리고 이들의 혼합물로 구성된 그룹으로부터 선택된 액체조에서 이루어지는, 고순도 알루미늄 스퍼터 타깃을 형성하는 방법.
- 제9항에 있어서, 상향 담금질이 교반수에서 이루어지는, 고순도 알루미늄 스퍼터 타깃을 형성하는 방법.
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/054,345 | 2001-11-13 | ||
US10/054,345 US20030098102A1 (en) | 2001-11-13 | 2001-11-13 | High-purity aluminum sputter targets and method of manufacture |
US10/219,756 US6835251B2 (en) | 2001-11-13 | 2002-08-16 | High-purity aluminum sputter targets and method of manufacture |
US10/219,756 | 2002-08-16 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20050039741A KR20050039741A (ko) | 2005-04-29 |
KR100938537B1 true KR100938537B1 (ko) | 2010-01-25 |
Family
ID=26732920
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020047007152A KR100938537B1 (ko) | 2001-11-13 | 2002-10-23 | 고순도 알루미늄 스퍼터 타깃 및 이를 형성하는 방법 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7320736B2 (ko) |
EP (1) | EP1444376B1 (ko) |
JP (1) | JP4477875B2 (ko) |
KR (1) | KR100938537B1 (ko) |
IL (1) | IL161701A0 (ko) |
TW (1) | TWI263688B (ko) |
WO (1) | WO2003042421A1 (ko) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6896748B2 (en) * | 2002-07-18 | 2005-05-24 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Ultrafine-grain-copper-base sputter targets |
TWI296286B (en) * | 2005-12-20 | 2008-05-01 | Chung Shan Inst Of Science | Method of manufacturing al and al alloy sputtering target |
WO2010085316A1 (en) | 2009-01-22 | 2010-07-29 | Tosoh Smd, Inc. | Monolithic aluminum alloy target and method of manufacturing |
CN102002653B (zh) * | 2010-11-27 | 2012-07-04 | 东北大学 | 一种超高纯铝细晶、高取向靶材的制备方法 |
JP5920117B2 (ja) * | 2012-08-30 | 2016-05-18 | 新日鐵住金株式会社 | 高純度アルミニウム製スパッタリングターゲット用熱間圧材の製造方法 |
CN104046931A (zh) * | 2013-03-15 | 2014-09-17 | 中国钢铁股份有限公司 | 纯铝靶的制造方法 |
WO2018235889A1 (ja) * | 2017-06-22 | 2018-12-27 | 株式会社Uacj | スパッタリングターゲット材、スパッタリングターゲット、スパッタリングターゲット用アルミニウム板及びその製造方法 |
CN113061852B (zh) * | 2021-03-17 | 2022-09-09 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 一种高纯铝或铝合金靶材及其制备方法 |
CN114959595B (zh) * | 2021-12-17 | 2024-03-29 | 常州苏晶电子材料有限公司 | 溅射用高纯铝钕合金靶材及其制造方法 |
KR20230095654A (ko) * | 2021-12-22 | 2023-06-29 | 주식회사 나이스엘엠에스 | 알루미늄 스퍼터링 타겟 제조 방법 |
KR20230095655A (ko) * | 2021-12-22 | 2023-06-29 | 주식회사 나이스엘엠에스 | 알루미늄 스퍼터링 타겟 제조 방법 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5456815A (en) | 1993-04-08 | 1995-10-10 | Japan Energy Corporation | Sputtering targets of high-purity aluminum or alloy thereof |
KR20010032530A (ko) * | 1997-11-26 | 2001-04-25 | 조셉 제이. 스위니 | 스퍼터링 타겟 |
US6238494B1 (en) | 1997-07-11 | 2001-05-29 | Johnson Matthey Electronics Inc. | Polycrystalline, metallic sputtering target |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5087297A (en) * | 1991-01-17 | 1992-02-11 | Johnson Matthey Inc. | Aluminum target for magnetron sputtering and method of making same |
US5766380A (en) * | 1996-11-05 | 1998-06-16 | Sony Corporation | Method for fabricating randomly oriented aluminum alloy sputtering targets with fine grains and fine precipitates |
US20010047838A1 (en) * | 2000-03-28 | 2001-12-06 | Segal Vladimir M. | Methods of forming aluminum-comprising physical vapor deposition targets; sputtered films; and target constructions |
US6197129B1 (en) * | 2000-05-04 | 2001-03-06 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Method for producing ultrafine-grained materials using repetitive corrugation and straightening |
WO2001094660A2 (en) * | 2000-06-02 | 2001-12-13 | Honeywell International Inc. | Sputtering target |
-
2002
- 2002-10-23 IL IL16170102A patent/IL161701A0/xx active IP Right Grant
- 2002-10-23 WO PCT/US2002/033680 patent/WO2003042421A1/en active Application Filing
- 2002-10-23 KR KR1020047007152A patent/KR100938537B1/ko active IP Right Grant
- 2002-10-23 JP JP2003544234A patent/JP4477875B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-10-23 EP EP02803163A patent/EP1444376B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-11-12 TW TW091133155A patent/TWI263688B/zh not_active IP Right Cessation
-
2004
- 2004-10-19 US US10/967,133 patent/US7320736B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5456815A (en) | 1993-04-08 | 1995-10-10 | Japan Energy Corporation | Sputtering targets of high-purity aluminum or alloy thereof |
US6238494B1 (en) | 1997-07-11 | 2001-05-29 | Johnson Matthey Electronics Inc. | Polycrystalline, metallic sputtering target |
KR20010032530A (ko) * | 1997-11-26 | 2001-04-25 | 조셉 제이. 스위니 | 스퍼터링 타겟 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1444376B1 (en) | 2010-10-06 |
US20050230011A1 (en) | 2005-10-20 |
TWI263688B (en) | 2006-10-11 |
EP1444376A1 (en) | 2004-08-11 |
TW200300457A (en) | 2003-06-01 |
IL161701A0 (en) | 2004-09-27 |
JP4477875B2 (ja) | 2010-06-09 |
JP2005509741A (ja) | 2005-04-14 |
EP1444376A4 (en) | 2008-04-02 |
WO2003042421A1 (en) | 2003-05-22 |
KR20050039741A (ko) | 2005-04-29 |
US7320736B2 (en) | 2008-01-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7740723B2 (en) | Controlled-grain-precious metal sputter targets | |
JP4522675B2 (ja) | 超微細結晶粒銅スパッターターゲット | |
US20120132523A1 (en) | Method of Manufacturing a Sputtering Target and Sputtering Target | |
KR100938537B1 (ko) | 고순도 알루미늄 스퍼터 타깃 및 이를 형성하는 방법 | |
KR100993463B1 (ko) | 고순도 강자성 스퍼터 타겟 | |
KR100993967B1 (ko) | 알루미늄 합금 스퍼터 타깃 및 이를 형성하는 방법 | |
US6835251B2 (en) | High-purity aluminum sputter targets and method of manufacture |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20121227 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131227 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141226 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151228 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170104 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171229 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190102 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20200102 Year of fee payment: 11 |