CN114959595B - 溅射用高纯铝钕合金靶材及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种溅射用高纯铝钕合金靶材及其制造方法,以高纯铝、铝钕中间合金为原料,称取特定比例的高纯铝和铝钕中间合金块,在真空熔炼炉中高温熔炼,再低温熔炼,真空浇铸到高纯氧化铝内衬的真空水冷模中快速冷却,得到浇铸方胚后保温并做均匀化处理,然后进行轧制,轧制后的合金板胚进行退火处理,水切割去边,机加工至合适尺寸,焊接至铜背板。本发明最终得到高质量的铝钕合金靶材,合金化程度高无中间相,平均晶粒大小不超过40um,组织均匀致密无内部缺陷。
Description
技术领域:
本发明涉及靶材制造技术领域,尤其涉及一种溅射用高纯铝钕合金靶材及其制造方法。
背景技术:
铝钕靶材主要用于:1、平面显示器制造过程中,防止金属层扩散的TFT电极结构的制程;2、液晶及平板触控显示领域的连接金属走线电极;3、电子制造业其他应用。这些领域对于铝钕靶材的要求是,组织均匀,合金化充分,大小合适的结晶粒径,有利于得到致密的溅射薄膜和均一化的膜厚。
例如,专利文献1、2、3、4中,均使用了铝钕合金靶材,用于金属电极的溅射镀膜,其优点在于:铝钕合金具有较低的电阻率和更好的抗腐蚀性;另外优良的铝钕合金靶材,在薄膜晶体管制造过程中后段热处理后,残余应力较小,不易产生凹凸,有利于优化镀膜工艺。特别的,在专利文献3、4中,关于铝钕合金中钕元素的分布,当Nd元素分布大于0.9at%时,其形成的金属薄膜具有更适宜的电阻率,以及显著的抗斑点腐蚀性,更优值为铝元素中Nd元素浓度为大于等于1.3at%。
在专利文献5中,也提出了一种使用单质铝和钕金属制造铝钕合金靶材的方法,其主要内容是把特定质量的高纯铝和钕单质金属,在特定的条件下,通过真空熔炼的方法铸造成锭;其次通过在特定的条件下热处理,锻造,轧制和机加工后,得到铝钕合金靶材。
根据专利文献5所述方法,首先制备铝钕中间合金;其次是其利用制备的中间合金,通过特定混合比例,在其描述的工艺条件下,通过真空熔炼获得铝钕合金,最后通过后续加工得到用于铝钕溅射靶材的合金材料。
根据专利文献6所述方法,由于铝和钕金属存在较大的密度差异和熔点差异,铸造组织不具备充分均匀的合金化组织。
专利文献7所述方法,是与专利文献6所述的类似制造步骤,得到铝钕合金锭,通过特定工艺挤压成圆筒后,再通过后续加工制成大尺寸旋转铝钕合金靶材。
现有技术文献:
专利文献1:CN 1255700 C,2006.05.10(液晶显示器及其制造方法);
专利文献2:CN 100405547C,2008.07.23(防止金属层扩散的TFT电极结构与其制程);
专利文献3:CN 100368906C,2008.02.13(显示器);
专利文献4:CN 100405560C,2008.07.28(薄膜晶体管制造方法);
专利文献5:CN 103184419 B,2015.04.29(一种铝钕合金靶材的生产方法);
专利文献6:CN 107619972A,2018.01.23(一种磁控溅射靶材用铝钕合金的制造方法);
专利文献7:CN 104831242 B,2017.11.24(大尺寸一体化铝钕旋转靶材及其制备方法)。
发明内容:
根据高纯铝钕合金靶材的使用要求,本发明要解决的问题:1、铝钕合金原材料充分合金化,无偏析,无中间化合物;2、制造过程中,钕元素不产生偏析和富集,不产生大晶粒;3、制造过程中,合金内部组织致密,不产生内部缺陷,最终靶材密度高,内部一致性好。
本发明提供了一种高密度、合金程度高、能够获得替代铝的低电阻率、抗斑点腐蚀的铝钕溅射膜的高纯铝钕合金靶材及其制造方法。
本发明是通过如下技术方案实现的:
一种溅射用高纯铝钕合金靶材的制造方法,包括如下步骤:
a.将高纯铝(大于99.999%)和高纯铝钕(Al-20%Nd)中间金属块,按照特定的质量比例,投入真空熔炼炉;
b.在真空熔炼炉中,在真空5-6×10-3Pa,1100℃温度下熔炼,充分搅拌15-30分钟;降温至700℃-800℃保温搅拌0.5小时,浇铸到高纯氧化铝内衬的真空水冷模中快速冷却,降温后去真空开模,得到铸锭;
c.取出的铸锭,切除头尾,铣掉表皮,以去除杂质和气孔,得到特定尺寸的浇铸方胚;
d.将胚料在500℃-600℃下保温12-24小时,均匀化处理;
e.将方胚加热至250℃-350℃后进行轧制,轧制总变形率75%-90%,前5道次的总变形率控制在15%-20%,道次变形率不超过10%,后续道次变形量20%-50%;
f.将轧制后的合金板胚进行退火处理,退火温度150℃-300℃,时间1-3小时;
g.将退火后的板胚水切割去边,机加工至合适尺寸,绑定至铜背板,得到最终铝钕合金靶材。
所述步骤a中,优选纯度大于99.999%的高纯铝和20wt%Nd的高纯铝钕中间合金为原材料,铝和铝钕中间合金比例为100:35。当铝钕中间合金中的钕超过32wt%时,合金熔点会迅速提高,不利于得到组织均匀的铝钕合金;另外,中间合金中钕比例过大,例如大于60wt%,在随后的高温熔炼中,会造成局部中间化合物产生,因此,本发明选用20wt%Nd的铝钕中间合金,以上述铝和铝钕中间合金比例,可以得到理想的铝钕合金。
所述步骤b中,真空度5-6×10-3Pa,温度熔炼1100℃,搅拌15-30分钟;降温至700℃-800℃保温,搅拌30分钟。在640℃-1235℃这个温度区间,通过1100℃高温熔炼,均匀搅拌,可以提高合金溶液中元素分布均匀,确保组织充分合金化,避免中间化合物生成;随后降温至700-800℃,保温并均匀搅拌,以避免Nd偏析和局部共晶体析出。
所述步骤b中,浇铸到高纯氧化铝内衬的真空水冷模中快速冷却,通过控制冷却水温,可以得到晶粒组织较小的铸锭。
所述步骤d中,均匀化处理温度500℃-600℃,时间12-24小时。控制浇铸铝钕合金的均匀化处理温度和时间,有效的使组织晶内金属成分均匀,减少偏析,对可能富集在晶粒和晶枝的Al-Nd金属间化合物和铝钕共晶体进行扩散,组织成分更加均匀,加工性能更好。
所述步骤e中,轧制加热温度250℃-350℃,前5道次轧制变形率控制在15-20%,后续道次变形率20-50%。轧制过程中,加热温度和道次压下率,尤其是前5道次,有效保证铝钕合金材料从铸态向塑形变形,在随后的大压下率加工时,保证不会产生内部微裂,以及再结晶。
所述步骤f中,轧制后的合金板胚,退火温度150℃-300℃,时间1-3小时。轧制后退火温度和时间,能够有效消除加工应力,保证内部组织致密均匀;最终得到的铝钕合金材料的平均晶粒不超过40μm。
本发明的有益效果是:本发明使用铝和铝钕中间合金,在通过特定真空熔炼、浇铸工艺和真空冷却模具中,得到的合金原材料,其内部钕元素分布均匀,无偏析和中间化合物,并且铸态组织的平均晶粒大小不超过40μm,能够获得高纯度、合金程度高、组织一致性好、晶粒细密无内部缺陷的铝钕合金靶材。
附图说明:
图1为本发明实施例1中浇铸后铝钕合金铸锭的金相图;
图2为本发明实施例1中铝钕合金铸锭均匀化处理后、轧制前的金相图;
图3为本发明实施例1中轧制退火后的金相图。
具体实施方式:
下面结合附图对本发明的较佳实施例进行详细阐述,以使本发明的优点和特征能更易被本领域人员理解,从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。
本发明提供一种溅射用高纯铝钕合金靶材的制造方法,包括如下步骤:
a.将高纯铝(大于99.999%)和高纯铝钕(Al-20%Nd)中间金属块,按照特定的质量比例,投入真空熔炼炉;
b.在真空熔炼炉中,在真空5-6×10-3Pa,1100℃温度下熔炼,充分搅拌15-30分钟;降温至700℃-800℃保温搅拌0.5小时,浇铸到高纯氧化铝内衬的真空水冷模中快速冷却,降温后去真空开模,得到铸锭;
c.取出的铸锭,切除头尾,铣掉表皮,以去除杂质和气孔,得到特定尺寸的浇铸方胚;
d.将胚料在500℃-600℃下保温12-24小时,均匀化处理;
e.将方胚加热至250℃-350℃后进行轧制,轧制总变形率75%-90%,前5道次的总变形率控制在15%-20%,道次变形率不超过10%,后续道次变形量20%-50%;
f.将轧制后的合金板胚进行退火处理,退火温度150℃-300℃,时间1-3小时;
g.将退火后的板胚水切割去边,机加工至合适尺寸,绑定至铜背板,得到最终铝钕合金靶材。
下面举例进行具体说明。
如上表所示,其中,实施例1为本发明的最优实施例,其在浇铸后铝钕合金铸锭的金相图如图1所示,铝钕合金铸锭均匀化处理后、轧制前的金相图如图2所示,轧制退火后的金相图如图3所示,由图1-3可以看出,其合金化充分均匀致密,内部钕元素分布均匀,无缺陷;
实施例2在未改变任何参数的情况下,再次实验,其合金化充分均匀致密,满足要求;
实施例3取消了低温熔炼工序,将均匀化处理温度降低,并减少轧制道次,最终得到的产品晶粒尺寸较大,晶界有微裂纹;
实施例4中提高了原料中高纯铝的质量比以及铝钕中间合金中的钕含量,并略微提高了高温熔炼温度、取消低温熔炼工序,最终得到的产品晶界有元素富集;
实施例5中进一步提高了原料中高纯铝的质量比以及铝钕中间合金中的钕含量,并进一步提高了高温熔炼温度、取消低温熔炼工序,并减少轧制道次,最终得到的产品晶界有微裂纹,晶界有元素富集。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。
Claims (2)
1.一种溅射用高纯铝钕合金靶材的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:
a.将高纯铝和高纯铝钕中间金属块,按照特定的质量比例,投入真空熔炼炉;
b.在真空熔炼炉中,在真空5-6×10-3Pa、1100℃温度下熔炼,充分搅拌15-30分钟;降温至700℃-800℃保温搅拌0.5小时,浇铸到高纯氧化铝内衬的真空水冷模中快速冷却,降温后去真空开模,得到铸锭;
c.取出的铸锭,切除头尾,铣掉表皮,以去除杂质和气孔,得到特定尺寸的浇铸方胚;
d.将胚料在500℃-600℃下保温12-24小时,均匀化处理;
e.将方胚加热至250℃-350℃后进行轧制,轧制总变形率75%-90%,前5道次的总变形率控制在15%-20%,道次变形率不超过10%,后续道次变形量20%-50%;
f.将轧制后的合金板胚进行退火处理,退火温度150℃-300℃,时间1-3小时;
g.将退火后的板胚水切割去边,机加工至合适尺寸,绑定至铜背板,得到最终铝钕合金靶材;
所述步骤a中,使用纯度大于99.999%的高纯铝和20wt%Nd的高纯铝钕中间合金为原材料,铝和铝钕中间合金比例为100:35。
2.一种溅射用高纯铝钕合金靶材,其特征在于:采用如权利要求1所述的制作方法制作而成。
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