JPWO2018131616A1 - 有機ｅｌ表示パネルの製造方法、及びインク乾燥装置 - Google Patents

Abstract

【課題】有機ＥＬ表示パネル１０の発光層１２３の膜厚の均一化を図り輝度ムラを改善する。【解決手段】インク乾燥工程は、基板１００ｘを含む雰囲気から気体を排気する工程と、雰囲気の圧力が所定圧力以下の状態に基板１００ｘを置くことによりインクを乾燥させて有機機能層１２３を形成する工程を含み、気体を排気する工程は、雰囲気の圧力を、標準大気圧から複数の溶媒それぞれの蒸気圧中、最大の蒸気圧よりも高い第１の圧力Ｐ１まで減圧する第1の期間Ｔ１と、第1の期間の後に、雰囲気の圧力を、複数の溶媒それぞれの蒸気圧中、最小の蒸気圧よりも低い第２の圧力Ｐ２まで減圧する第２の期間Ｔ２とを含み、雰囲気の圧力を１０XＰａ（Ｘは実数）としたとき、第２の期間Ｔ２における単位時間当たりのＸの値の変化量の平均値は、第１の期間Ｔ１における単位時間当たりのＸの値の変化量の平均値よりも絶対値が大きい。

Description

本開示は、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子を用いた有機ＥＬ表示パネルの製造方法、及びそれに用いるインク乾燥装置に関する。

近年、デジタルテレビ等の表示装置に用いられる表示パネルとして、基板上に有機ＥＬ素子をマトリックス状に複数配列した有機ＥＬ表示パネルが実用化されている。

この有機ＥＬ表示パネルでは、一般に各有機ＥＬ素子の発光層と、隣接する有機ＥＬ素子とは、絶縁材料からなる絶縁層で仕切られている。各有機ＥＬ素子は、陽極と陰極の一対の電極の間に有機発光材料を含む発光層等の機能膜が配設された素子構造を有し、駆動時には、一対の電極対間に電圧を印加し、陽極から発光層に注入されるホールと、陰極から発光層に注入される電子との再結合に伴って発光する。

近年、デバイスの大型化が進み、効率の良い機能膜の成膜方法として、機能性材料を含むインクをインクジェット法等に基づいて塗布する湿式成膜プロセスが提案されている。湿式成膜プロセスは機能膜を塗り分ける際の位置精度が基板サイズに依存せず、デバイスの大型化への技術的障壁が比較的低いメリットがある。代表的なインクジェット法の湿式成膜プロセスでは、塗布装置の作業テーブル上に塗布対象基板を載置する。基板表面に対してインクヘッドを一方向に走査し、インクジェットヘッドの複数のノズルから基板表面の所定領域にインクを滴下する。その後はインクの溶媒を蒸発乾燥させて機能膜を成膜する。

ところで、このような基板上にインクを充填し乾燥する方法で機能層を形成する湿式成膜プロセスに於いては、インクの溶媒を蒸発乾燥させるプロセスにおいて、成膜エリアの中央部分と周縁部分では、周縁部分の方が中央部分よりも溶媒蒸気圧が低くなることにより溶媒の蒸発速度が大きい。その結果、基板中央部分に形成される画素の機能層と基板端部に形成される画素の機能層とは膜厚が互いに異なる傾向がある。このように、基板中央部分の画素と基板周縁部分の画素とで機能層の膜厚が異なると、各機能層の特性も互いに異なるため、有機ＥＬ表示パネルとして面内輝度ムラの原因となっていた。

これに対して、例えば、特許文献１では、塗布液が表面に塗布された基板を減圧雰囲気下で乾燥処理する減圧乾燥方法において、気密容器内を、塗布液から激しく溶剤成分が蒸発している間に２段階に亘って流量設定値を変えて減圧排気する減圧乾燥方法が開示されている。特許文献１には、基板の表面において面内均一な塗布膜を形成することができることが記載されている。また、特許文献２では、基板上に配置された液状組成物の周囲を第１の所定の圧力まで減圧して圧力を保持する膜形成方法が開示されている。特許文献２には、混合溶媒を構成する異なる種類の液体を選択的に蒸発させることにより液状組成物の形状の乱れを防止して平坦な膜を得ることが記載されている。

特開２００４−４７７９７号公報 特開２００７−６９１４０号公報

しかしながら、パネルの高精細化に伴って、特許文献１、２に記載されている製造方法では、基板上の列状塗布領域内にインクを塗布して発光層を形成するラインバンクによる構成において列状塗布領域内の発光層の膜厚の均一化する効果が少ないために、基板面内での機能層の膜厚が不均一になり輝度ムラの要因となるという課題があった。

本開示は、上記課題に鑑みてなされたものであって、成膜エリアの周縁部分と中央部分との間の発光層の膜厚差について、基板上の列状塗布領域内及び列状塗布領域間において発光層の膜厚の均一化を図ることにより面内の輝度ムラを改善する有機ＥＬ表示パネルの製造方法、及びそれに用いるインク乾燥装置を提供することを目的とする。

本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、基板上に複数の画素が行列状に配された有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、前記基板を準備する工程と、前記基板上に行列状に複数の画素電極層を形成する工程と、少なくとも前記画素電極層の行方向外縁間に位置する前記基板上方に列方向に延伸して行方向に複数の列バンクを並設する工程と、行方向に隣接する前記列バンク間の間隙それぞれに、前記列バンクの列方向端部間にわたり列方向に連続して有機機能材料を含む溶質と２種類以上の溶媒とを含むインクを塗布する工程と、前記基板を含む雰囲気から気体を排気する工程と、前記雰囲気の圧力が所定圧力以下の状態に前記基板を置くことにより前記インクを乾燥させて有機機能層を形成する工程と、前記有機機能層上方に透光性の対向電極層を形成する工程とを含み、前記気体を排気する工程は、前記雰囲気の圧力を、標準大気圧から前記複数の溶媒それぞれの蒸気圧中、最大の蒸気圧よりも高い第１の圧力まで減圧する第1の期間と、前記第1の期間の後に、前記雰囲気の圧力を、前記複数の溶媒それぞれの蒸気圧中、最小の蒸気圧よりも低い第２の圧力まで減圧する第２の期間とを含み、前記雰囲気の圧力を１０^XＰａ（Ｘは実数）と表したとき、前記第２の期間におけるＸの値の単位時間当たりの変化量の平均値は、前記第１の期間におけるＸの値の単位時間当たりの変化量の平均値よりも絶対値が大きいことを特徴とする。

また、本開示の一態様に係るインク乾燥装置は、基板上に並設された複数の列バンクにおける、行方向に隣接する列バンク間の間隙それぞれに前記列バンクの列方向端部間にわたり列方向に連続して塗布された溶質と２種類以上の溶媒とを含むインクの乾燥に用いるインク乾燥装置であって、前記インクが塗布された基板が設置されるチャンバと、前記チャンバ内において前記基板が載置される支持台と、前記チャンバ内の気体を排気する手段とを備え、前記気体を排気する手段する手段は、前記チャンバ内の圧力を、標準大気圧から前記複数の溶媒それぞれの蒸気圧中、最大の蒸気圧よりも高い第１の圧力まで減少する第1の期間と、前記第1の期間の後に、前記チャンバ内の圧力を、前記複数の溶媒それぞれの蒸気圧中、最小の蒸気圧よりも低い第２の圧力まで減少する第２の期間とを含むプロファイルで制御し、前記チャンバ内の圧力を１０^XＰａ（Ｘは実数）と表したとき、前記第２の期間における単位時間当たりのＸの値の変化量の平均値は、前記第１の期間における単位時間当たりのＸの値の変化量の平均値よりも絶対値が大きいことを特徴とする。

本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法では、成膜エリアの周縁部分と中央部分との発光層の膜厚差について、基板上の列状塗布領域内及び列状塗布領域間で発光層の膜厚の均一化を図ることにより、有機ＥＬ表示パネル面内での輝度ムラを改善することができる。

実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０の製造方法で製造した有機ＥＬ表示パネル１０の模式平面図である。 図１におけるＸ０部の拡大平面図である。 図２におけるにおけるＹ１−Ｙ１で切断した模式断面図である。 図２におけるにおけるＸ１−Ｘ１で切断した模式断面図である。 実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０の製造方法に用いるインク乾燥装置９００の模式断面図である。 インク乾燥工程におけるチャンバ内圧力の時間変化を示す図である。 表示パネル１０の製造工程を示す工程図である。 （ａ）〜（ｄ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図２におけるにおけるＹ１−Ｙ１と同じ位置で切断した模式断面図である。 有機ＥＬ表示パネル１０の製造方法において、基板に対して発光層形成用のインクを塗布する工程を示す図であって、列バンク５２２Ｙ間の間隙５２２ｚに塗布する場合の図である。 有機ＥＬ表示パネル１０の製造方法において、インク乾燥工程の詳細を示す工程図である。 （ａ）〜（ｄ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造におけるＣＦ基板１３１製造の各工程での状態を示す模式断面図である。 （ａ）〜（ｂ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造におけるＣＦ基板１３１と背面パネルとの貼り合わせ工程での状態を示す図２におけるにおけるＹ１−Ｙ１と同じ位置で切断した模式断面図である。 は、実施例、比較例１、２におけるインク乾燥工程におけるチャンバ内圧力の時間変化を示す図である。 膜厚の測定位置を示す模式平面図である。 （ａ）〜（ｃ）は、実施例、比較例１、２における膜厚の測定結果である。 （ａ）（ｂ）は、比較例１に係る表示領域の中央部分と表示領域の周縁部分との間の成膜形状の違いを示す説明図である。 （ａ）は、比較例１における列バンク端部付近の模式平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＹ２−Ｙ２で切った模式側断面図、（ｃ）は、時間経過に伴う膜厚の変化を示す模式側断面図である。 有機ＥＬ表示パネル１０の比較例１における膜形状を示す模式図である。 （ａ）〜（ｄ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の実施例における膜形状を示す模式図である。

≪本発明を実施するための形態の概要≫
本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、基板上に複数の画素が行列状に配された有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、前記基板を準備する工程と、前記基板上に行列状に複数の画素電極層を形成する工程と、少なくとも前記画素電極層の行方向外縁間に位置する前記基板上方に列方向に延伸して行方向に複数の列バンクを並設する工程と、行方向に隣接する前記列バンク間の間隙それぞれに、前記列バンクの列方向端部間にわたり列方向に連続して有機機能材料を含む溶質と２種類以上の溶媒とを含むインクを塗布する工程と、前記基板を含む雰囲気から気体を排気する工程と、前記雰囲気の圧力が所定圧力以下の状態に前記基板を置くことにより前記インクを乾燥させて有機機能層を形成する工程と、前記有機機能層上方に透光性の対向電極層を形成する工程とを含み、前記気体を排気する工程は、前記雰囲気の圧力を、標準大気圧から前記複数の溶媒それぞれの蒸気圧中、最大の蒸気圧よりも高い第１の圧力まで減圧する第1の期間と、前記第1の期間の後に、前記雰囲気の圧力を、前記複数の溶媒それぞれの蒸気圧中、最小の蒸気圧よりも低い第２の圧力まで減圧する第２の期間とを含み、前記雰囲気の圧力を１０^XＰａ（Ｘは実数）と表したとき、前記第２の期間における単位時間当たりのＸの値の変化量の平均値は、前記第１の期間における単位時間当たりのＸの値の変化量の平均値よりも絶対値が大きいことを特徴とする。

係る構成により、基板上の列状塗布領域内及び列状塗布領域間において、成膜エリアの周縁部分と中央部分において形成される発光層の膜厚が等価になる。その結果、表示パネルの成膜エリアの周縁部分と中央部分において発光層の膜厚の不均一性に起因して生じる表示パネル面内の輝度ムラを改善することができる。

また、本実施の形態に係るインク乾燥装置は、基板上に並設された複数の列バンクにおける、行方向に隣接する列バンク間の間隙それぞれに前記列バンクの列方向端部間にわたり列方向に連続して塗布された溶質と２種類以上の溶媒とを含むインクの乾燥に用いるインク乾燥装置であって、前記インクが塗布された基板が設置されるチャンバと、前記チャンバ内において前記基板が載置される支持台と、前記チャンバ内の気体を排気する手段とを備え、前記気体を排気する手段する手段は、前記チャンバ内の圧力を、標準大気圧から前記複数の溶媒それぞれの蒸気圧中、最大の蒸気圧よりも高い第１の圧力まで減少する第1の期間と、前記第1の期間の後に、前記チャンバ内の圧力を、前記複数の溶媒それぞれの蒸気圧中、最小の蒸気圧よりも低い第２の圧力まで減少する第２の期間とを含むプロファイルで制御し、前記チャンバ内の圧力を１０^XＰａ（Ｘは実数）と表したとき、前記第２の期間における単位時間当たりのＸの値の変化量の平均値は、前記第１の期間における単位時間当たりのＸの値の変化量の平均値よりも絶対値が大きいことを特徴とする。

係るインク乾燥装置を用いたインク乾燥工程では、基板上の列状塗布領域内及び列状塗布領域間で成膜エリアの周縁部分と中央部分において形成される発光層の膜厚が等価になり、発光層の膜厚の不均一性に起因して生じる表示パネル面内の輝度ムラを改善することができる。

また、別の態様では、上記何れかの構成において、前記第1の期間は、前記雰囲気の圧力の減少を開始した後、３０秒以上３００秒以下の時間である構成であってもよい。また、別の態様では、前記第２の期間は、前記第1の期間の終了から３０秒以上１２０秒以下の時間である上記何れかの構成において、構成であってもよい。また、別の態様では、上記何れかの構成において、前記第１の圧力は、１×１０⁴Ｐａ以上３×１０⁴Ｐａ（１０^4.47712Ｐａ）以下の範囲から選択される圧力である構成であってもよい。また、別の態様では、上記何れかの構成において、前記第２の圧力は、１０Ｐａである構成であってもよい。また、別の態様では、上記何れかの構成において、前記第２の期間は、前記第1の期間の終了から６０秒以下の時間である構成であってもよい。

係る構成を用いた有機ＥＬ表示パネルの製造方法によれば、基板上の列状塗布領域内に有機機能材料を含むインクを塗布して製造する表示パネルにおいて、インク吐出直後の吐出量バラツキに起因する膜厚バラツキをレべリングして減少させるとともに、基板上の列状塗布領域内に有機機能材料を含むインクを塗布して製造する際に、列状塗布領域内でインク表面張力のアンバランスの起因するインク対流が生じる時間を短縮しその影響を縮小することができる。そのため、形成される発光層の膜形状は、成膜エリアの周縁部分と中央部分において膜厚が等価な形状になる。その結果、成膜エリアの周縁部分と中央部分との間の発光層の膜厚差について、基板上の列状塗布領域内及び列状塗布領域間において発光層の膜厚の均一化を図ることにより、表示パネルの発光層の膜厚の不均一性に起因して生じる輝度ムラを改善することができる。

また、別の態様では、上記何れかの構成において、前記気体を排気する工程は、前記第２の期間の後に、Ｘが０となる第３の圧力以下に前記雰囲気の圧力を減少する第３の期間をさらに含む構成であってもよい。また、別の態様では、上記何れかの構成において、 前記所定の圧力は前記第３の圧力以下の圧力であり、前記インクを乾燥させる工程では、前記第２の期間の後に、前記所定の圧力下に前記基板を置く構成であってもよい。

また、別の態様では、上記何れかの構成において、前記インクを乾燥させる工程では、前記所定の圧力下に置いた状態で前記基板を加熱する構成であってもよい。

前記インクを乾燥させる工程では、前記所定の圧力下に前記基板を置いた後、前記基板を大気圧下に置いた状態で前記基板を加熱する構成であってもよい。また、別の態様では、上記インク乾燥装置において、さらに、前記基板を加熱する加熱手段を備え、当該加熱手段は、前記第２の期間の後に、前記第３の圧力以下である所定の圧力下に置いた状態で前記基板を加熱する構成であってもよい。係る構成により、金属酸化物を含むホール注入層の形成をウエットプロセスを用いて好適に製造することができる。

また、別の態様では、上記何れかの構成において、前記第1の期間及び前記第２の期間
における前記雰囲気の圧力の減少は単調減少である構成であってもよい。

≪実施の形態≫
１．表示パネル１０の全体構成
１．１ 概要
本実施の形態に係る表示パネル１０について、図面を用いて説明する。なお、図面は模式図であって、その縮尺は実際とは異なる場合がある。

図１は、表示パネル１０の模式平面図である。

表示パネル１０は、有機化合物の電界発光現象を利用した有機ＥＬ表示パネルであり、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が形成された基板１００ｘ（ＴＦＴ基板）に、各々が画素を構成する複数の有機ＥＬ表示素子１００が行列状に配され、上面より光を発するトップエミッション型の構成を有する。ここで、本明細書では、図１におけるＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向を、それぞれ表示パネル１０における、行方向、列方向、厚み方向とする。

図１に示すように、表示パネル１０は、基板１００ｘ上をマトリックス状に区画してＲＧＢ各色の発光単位を規制する列バンク５２２Ｙと行バンク１２２Ｘとが配された区画領域１０ａ（Ｘ、Ｙ方向にそれぞれ１０Ｘａ、１０Ｙａ、区別を要しない場合は１０ａとする）と、区画領域１０ａの周囲に非区画領域１０ｂ（Ｘ、Ｙ方向にそれぞれ１０Ｘｂ、１０Ｙｂ、区別を要しない場合は１０ｂとする）とから構成されている。区画領域１０ａの列方向の外周縁は列バンク５２２Ｙの列方向の端部５２２Ｙｅに相当する。非区画領域１０ｂには、区画領域１０ａを取り囲む矩形状の封止部材３００が形成されている。さらに、区画領域１０ａは、基板中心を含む表示素子配列領域１０ｅと、表示素子配列領域１０ｅの周囲に非発光領域１０ｎｅとから構成されている。表示素子配列領域１０ｅは、列バンク５２２Ｙと行バンク１２２Ｘにより規制される各区画に有機ＥＬ表示素子１００が形成されている領域であり、非発光領域１０ｎｅでは、各区画に有機ＥＬ表示素子１００が形成されていない領域である。また、Ｘ、Ｙ方向における非発光領域１０ｎｅの長さは、隣接する列バンク５２２Ｙと隣接する行バンク１２２Ｘとに囲まれたサブ画素１００ｓｅ領域のＸ、Ｙ方向の長さに対し、それぞれ、２倍以上１０倍以下であることが好ましい。本実施の形態では、Ｘ、Ｙ方向とも４倍とした。

１．２ 表示素子配列領域１０ｅの構成
図２は、図１におけるＸ０部の拡大平面図である。

表示パネル１０の表示素子配列領域１０ｅには、有機ＥＬ表示素子１００に対応する単位画素１００ｅが行列状に配されている。各単位画素１００ｅには、有機化合物により光を発する領域である、赤色に発光する１００ａＲ、緑色に発光する１００ａＧ、青色に発光する１００ａＢ（以後、１００ａＲ、１００ａＧ、１００ａＢを区別しない場合は、「１００ａ」と略称する）の３種類の自己発光領域１００ａが形成されている。すなわち、図２に示すように行方向に並んだ自己発光領域１００ａＲ、１００ａＧ、１００ａＢのそれぞれに対応する３つのサブ画素１００ｓｅが１組となりカラー表示における単位画素１００ｅを構成している。

また、図２に示すように、表示パネル１０には、複数の画素電極層１１９が基板１００ｘ上に行及び列方向にそれぞれ所定の距離だけ離れた状態で行列状に配されている。画素電極層１１９は、平面視において矩形形状である。行列状に配された画素電極層１１９は、行方向に順に並んだ３つの自己発光領域１００ａＲ、Ｇ、Ｂに対応する。

表示パネル１０では、バンク１２２の形状は、いわゆるライン状の絶縁層形式を採用し、行方向に隣接する２つの画素電極層１１９の行方向外縁及び外縁間に位置する基板１００ｘ上の領域上方には、各条が列方向（図２のＹ方向）に延伸する列バンク５２２Ｙが複数行方向に並設されている。

一方、列方向に隣接する２つの画素電極層１１９の列方向外縁及び外縁間に位置する基板１００ｘ上の領域上方には、各条が行方向（図２のＸ方向）に延伸する行バンク１２２Ｘが複数列方向に並設されている。行バンク１２２Ｘが形成される領域は、画素電極層１１９上方の発光層１２３において有機電界発光が生じないために非自己発光領域１００ｂとなる。そのため、自己発光領域１００ａの列方向における外縁は、行バンク１２２Ｘの列方向外縁により規定される。

隣り合う列バンク５２２Ｙ間を間隙５２２ｚと定義したとき、間隙５２２ｚには、自己発光領域１００ａＲに対応する赤色間隙５２２ｚＲ、自己発光領域１００ａＧに対応する緑色間隙５２２ｚＧ、自己発光領域１００ａＢに対応する青色間隙５２２ｚＢ（以後、間隙５２２ｚＲ、間隙５２２ｚＧ、間隙５２２ｚＢを区別しない場合は、「間隙５２２ｚ」とする）が存在し、表示パネル１０は、列バンク５２２Ｙと間隙５２２ｚとが交互に多数並んだ構成を採る。

また、図２に示すように、表示パネル１０では、複数の自己発光領域１００ａと非自己発光領域１００ｂとが、間隙５２２ｚに沿って列方向に交互に並んで配されている。非自己発光領域１００ｂには、画素電極層１１９とＴＦＴのソースとを接続する接続凹部１１９ｃ（コンタクトホール）があり、画素電極層１１９に対して電気接続するための画素電極層１１９上のコンタクト領域１１９ｂ（コンタクトウインドウ）が設けられている。

また、１つのサブ画素１００ｓｅにおいて、列方向に設けられた列バンク５２２Ｙと行方向に設けられた行バンク１２２Ｘとは直交し、自己発光領域１００ａは列方向において行バンク１２２Ｘと行バンク１２２Ｘの間に位置している。

２．表示パネル１０の各部構成
表示パネル１０における有機ＥＬ表示素子１００の構成を図３及び図４の模式断面図を用いて説明する。図３は、図２におけるＹ１−Ｙ１で切断した模式断面図である。図４は、図２におけるＸ１−Ｘ１で切断した模式断面図である。

本実施の形態に係る表示パネル１０は、Ｚ軸方向下方に薄膜トランジスタが形成された基板１００ｘ（ＴＦＴ基板）が構成され、その上に有機ＥＬ素子部が構成されている。

（１） 基板１００ｘ（ＴＦＴ基板）
基板１００ｘは表示パネル１０の支持部材であり、基材（不図示）と、基材上に形成された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）層（不図示）と、基材上及びＴＦＴ層上に形成された層間絶縁層（不図示）とを有する。

基材は、表示パネル１０の支持部材であり、平板状である。基材の材料としては、電気絶縁性を有する材料、例えば、ガラス材料、樹脂材料、半導体材料、絶縁層をコーティングした金属材料などを用いることができる。例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板、硫化モリブデン、銅、亜鉛、アルミニウム、ステンレス、マグネシウム、鉄、ニッケル、金、銀などの金属基板、ガリウム砒素基などの半導体基板、プラスチック基板等を採用することができる。

ＴＦＴ層は、基材上面に形成された複数のＴＦＴ及び配線からなる。ＴＦＴは、表示パネル１０の外部回路からの駆動信号に応じ、自身に対応する画素電極層１１９と外部電源とを電気的に接続するものであり、電極、半導体層、絶縁層などの多層構造からなる。配線は、ＴＦＴ、画素電極層１１９、外部電源、外部回路などを電気的に接続している。

基板１００ｘの上面に位置する層間絶縁層は、ＴＦＴ層によって凹凸が存在する基板１００ｘの上面の少なくともサブ画素１００ｓｅを平坦化するものである。また、層間絶縁層は、配線及びＴＦＴの間を埋め、配線及びＴＦＴの間を電気的に絶縁している。

ＴＦＴ上部の絶縁層は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ₂）、窒化シリコン（ＳｉＮ）や酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、酸化シリコン（ＳｉＯ）や酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）を用いることもできる。ＴＦＴの接続電極層としては、例えば、モリブデン（Ｍｏ）と銅（Ｃｕ）と銅マンガン（ＣｕＭｎ）との積層体を採用することができる。基板１００ｘの上面に位置する層間絶縁層は、例えば、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、シロキサン系樹脂、ノボラック型フェノール系樹脂などの有機化合物を用い形成されており、層厚は、例えば、２０００ｎｍ〜８０００ｎｍの範囲とすることができる。

（２）画素電極層１１９
基板１００ｘの上面に位置する層間絶縁層上には、サブ画素１００ｓｅ単位で画素電極層１１９が設けられている。画素電極層１１９は、発光層１２３へキャリアを供給するためのものであり、例えば陽極として機能した場合は、発光層１２３へホールを供給する。画素電極層１１９の形状は、矩形形状をした平板状であり、画素電極層１１９は行方向に間隔δＸをあけて、間隙５２２ｚのそれぞれにおいて列方向に間隔δＹをあけて基板１００ｘ上に配されている。また、基板１００ｘの上面に開設されたコンタクトホールを通して、画素電極層１１９の一部を基板１００ｘ方向に凹入された画素電極層１１９の接続凹部１１９ｃとＴＦＴのソースとが接続される。

画素電極層１１９は、金属材料から構成されている。トップエミッション型の場合には、層厚を最適に設定して光共振器構造を採用することにより出射される光の色度を調整し輝度を高めているため、画素電極層１１９の表面部が高い反射性を有することが必要である。画素電極層１１９は、金属層、合金層、透明導電膜の中から選択される複数の膜を積層させた構造であってもよい。金属層としては、例えば、銀（Ａｇ）またはアルミニウム（Ａｌ）を含む金属材料から構成することができる。合金層としては、例えば、ＡＰＣ（銀、パラジウム、銅の合金）、ＡＲＡ（銀、ルビジウム、金の合金）、ＭｏＣｒ（モリブデンとクロムの合金）、ＮｉＣｒ（ニッケルとクロムの合金）等を用いることができる。透明導電層の構成材料としては、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを用いることができる。

（３）ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１
画素電極層１１９上には、ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１が順に積層され、ホール輸送層１２１はホール注入層１２０に接触している。ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１は、画素電極層１１９から注入されたホールを発光層１２３へ輸送する機能を有する。

ホール注入層１２０は、例えば、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）などの酸化物、あるいは、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料からなる層である。

ホール輸送層１２１は、例えば、ポリフルオレンやその誘導体、あるいはポリアリールアミンやその誘導体などの高分子化合物などを用いることができる。

（４）バンク１２２
画素電極層１１９、ホール注入層１２０及びホール輸送層１２１の端縁を被覆するように絶縁物からなるバンク１２２が形成されている。バンク１２２は、列方向に延伸して行方向に複数並設されている列バンク５２２Ｙと、行方向に延伸して列方向に複数並設されている行バンク１２２Ｘとがあり、図２に示すように、列バンク５２２Ｙはバンク１２２Ｘと直交する行方向に沿った状態で設けられており、列バンク５２２Ｙと行バンク１２２Ｘとで格子状をなしている（以後、行バンク１２２Ｘ、列バンク５２２Ｙを区別しない場合は「バンク１２２」とする）。また、列バンク５２２Ｙはバンク１２２Ｘの上面１２２Ｘｂよりも高い位置に上面５２２Ｙｂを有する。

行バンク１２２Ｘの形状は、行方向に延伸する線状であり、列方向に平行に切った断面は上方を先細りとする順テーパー台形状である。行バンク１２２Ｘは、各列バンク５２２Ｙを貫通するようにして、列方向と直交する行方向に沿った状態で設けられており、各々が列バンク５２２Ｙの上面５２２Ｙｂよりも低い位置に上１２２Ｘｂを有する。そのため、行バンク１２２Ｘと列バンク５２２Ｙとにより、自己発光領域１００ａに対応する開口が形成されている。

行バンク１２２Ｘは、発光層１２３の材料となる有機化合物を含んだインクの列方向への流動を阻害してはいけない。そのため、行バンク１２２Ｘはインクに対する親液性が所定の値以上であることが必要である。係る構成により、発光層１２３の材料となる有機化合物を含んだインクの列方向への流動性を高めサブ画素間のインク塗布量の変動を抑制する。行バンク１２２Ｘにより画素電極層１１９は露出することはなく、行バンク１２２Ｘが存在する領域では発光せず輝度には寄与しない。

バンク１２２Ｘの厚みの上限膜厚は、２０００ｎｍより厚い場合は列バンクに沿った間隙内のインクの濡れ広がりが阻害されてしまう。それに対して２０００ｎｍ以下では列バンクの間隙内のインクの濡れ拡がりは良好である。１２００ｎｍ以下の場合には、インクの濡れ広がりが更に良化する。また、下限膜厚は、１００ｎｍ以上あれば、画素電極層１１９端部がバンク１２２で被覆され画素電極層１１９と対向電極層１２５がショートする事なく一定の歩留りで製造可能となる。２００ｎｍ以上あれば、バンク膜厚バラつきにともなう上記のショート不良が軽減され安定的に製造可能となる。バンク１２２に接続溝部を設ける場合における、溝部の底における膜厚も同様である。

したがって、行バンク１２２Ｘの厚み、例えば、１００ｎｍ以上２０００ｎｍ以下、より好ましくは２００ｎｍ以上１２００ｎｍ以下であることが好ましい。本実施の形態では、約５００ｎｍとした。

列バンク５２２Ｙは、発光層１２３の材料となる有機化合物を含んだインクの列方向への流動を堰き止めて形成される発光層１２３の行方向外縁を規定するものである。列バンク５２２Ｙの形状は、行方向に延伸する線状であり、列方向に平行に切った断面は上方を縮幅する台形形状である。

列バンク５２２Ｙは、行方向における各サブ画素１００ｓｅの発光領域１００ａの外縁を規定する。そのため、列バンク５２２Ｙはインクに対する撥液性が所定の値以上であることが必要である。

列バンク５２２Ｙの厚み、例えば、２００ｎｍ以上５０００ｎｍ以下、より好ましくは２００ｎｍ以上３０００ｎｍ以下であることが好ましい。列バンク５２２Ｙの高さは、行バンク１２２Ｘの高さより高くする必要がある。行バンク１２２Ｘの高さに対して、列バンク５２２Ｙの高さは１００ｎｍ以上高ければよい。本実施の形態では、約２０００ｎｍとした。

バンク１２２は、画素電極層１１９の外縁と、対向電極層１２５との間における厚み方向（Ｚ方向）の電流リークを防止するために、バンク１２２は、体積抵抗率が１×１０⁶ Ωｃｍ以上の絶縁性を備えていることが必要である。そのために、バンク１２２は、は後述するように所定の絶縁材料からなる構成を採る。

バンク１２２は、樹脂等の有機材料を用い形成されており絶縁性を有する。バンク１２２の形成に用いる有機材料の例としては、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等があげられる。バンク１２２は、有機溶剤耐性を有することが好ましい。より好ましくは、アクリル系樹脂を用いることが望ましい。屈折率が低くリフレクターとして好適であるからである。

または、バンク１２２は、無機材料を用いる場合には、屈折率の観点から、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ）を用いることが好ましい。あるいは、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの無機材料を用い形成される。

上述のとおり、バンク１２２Ｘは、約５００ｎｍの層である。ただし、層厚は、これに限定されるものではなく、例えば、１００ｎｍ〜２０００ｎｍの範囲とすることができる。また、列バンク５２２Ｙは、約２０００ｎｍの層である。ただし、層厚は、これに限定されるものではなく、例えば、１００ｎｍ〜５０００ｎｍの範囲とすることができる。

さらに、バンク１２２は、製造工程中において、エッチング処理、ベーク処理など施されることがあるので、それらの処理に対して過度に変形、変質などをしないような耐性の高い材料で形成されることが好ましい。

また、表面に撥水性をもたせるために、表面をフッ素処理することもできる。また、列バンク５２２Ｙの形成にフッ素を含有した材料を用いてもよい。また、列バンク５２２Ｙの表面に撥水性を低くするために、列バンク５２２Ｙに紫外線照射を行う、低温でベーク処理を行ってもよい。

（５）発光層１２３
表示パネル１０は、列バンク５２２Ｙと間隙５２２ｚとが交互に多数並んだ構成を有する。列バンク５２２Ｙにより規定された間隙５２２ｚには、発光層１２３が列方向に延伸して形成されている。自己発光領域１００ａＲに対応する赤色間隙５２２ｚＲ、自己発光領域１００ａＧに対応する緑色間隙５２２ｚＧ、自己発光領域１００ａＢに対応する青色間隙５２２ｚＢには、それぞれ各色に発光する発光層１２３が形成されている。

発光層１２３は、有機化合物からなる層であり、内部でホールと電子が再結合することで光を発する機能を有する。

発光層１２３は、画素電極層１１９からキャリアが供給される部分のみが発光するので、層間に絶縁物である行バンク１２２Ｘが存在する範囲では、有機化合物の電界発光現象が生じない。そのため、発光層１２３は、行バンク１２２Ｘがない部分のみが発光して、この部分が自己発光領域１００ａとなり、自己発光領域１００ａの列方向における外縁は、行バンク１２２Ｘの列方向外縁により規定される。

発光層１２３のうち行バンク１２２Ｘの側面及び上面１２２Ｘｂ上方にある部分１１９ｂは発光せず、この部分は非自己発光領域１００ｂとなる。発光層１２３は、自己発光領域１００ａにおいてはホール輸送層１２１の上面に位置し、非自己発光領域１００ｂにおいては行バンク１２２Ｘの上面及び側面上に位置する。

なお、図７に示すように、発光層１２３は、自己発光領域１００ａだけでなく、隣接する非自己発光領域１００ｂまで連続して延伸されている。このようにすると、発光層１２３の形成時に、自己発光領域１００ａに塗布されたインクが、非自己発光領域１００ｂに塗布されたインクを通じて列方向に流動でき、列方向の画素間でその膜厚を平準化することができる。但し、非自己発光領域１００ｂでは、行バンク１２２Ｘによって、インクの流動が程良く抑制される。よって、列方向に大きな膜厚むらが発生しにくく画素毎の輝度むらが改善される。

発光層１２３の形成に用いる材料は、湿式成膜プロセスを用い製膜できる発光性の有機機能材料（有機発光材料）を用いることが必要である。

具体的には、例えば、特許公開公報（日本国・特開平５−１６３４８８号公報）に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、アンスラセン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体などの蛍光物質で形成されることが好ましい。

発光層１２３は、有機発光材料を含むインクを構成して、列バンク５２２Ｙ間の間隙５２２ｚに列方向端部間にわたり列方向に連続して塗布した後、減圧雰囲気下で乾燥することにより形成される。インクは、機能層材料を含む溶質と少なくとも２種類以上の溶媒とから構成されている。表１は、インクに用いることができる複数種類の溶媒と、各溶媒の２０℃における蒸気圧を示した一覧表である。

表１に示すように、インクに用いることができる複数種類の溶媒の蒸気圧は、２０℃において１０Ｐａ以上５９００Ｐａ以下の範囲に含まれている。

（６）電子輸送層１２４
バンク１２２上及びバンク１２２により規定された開口内には、発光層１２３の上に電子輸送層１２４が形成されている。また、本例では、発光層１２３から露出する各列バンク５２２Ｙの上面５２２Ｙｂ上にも配されていている。電子輸送層１２４は、対向電極層１２５から注入された電子を発光層１２３へ輸送する機能を有する。電子輸送層１２４は、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などを用い形成されている。

（７）対向電極層１２５
電子輸送層１２４を被覆するように、対向電極層１２５が積層形成されている。対向電極層１２５については、表示パネル１０全体に連続した状態で形成され、ピクセル単位あるいは数ピクセル単位でバスバー配線に接続されていてもよい（図示を省略）。対向電極層１２５は、画素電極層１１９と対になって発光層１２３を挟むことで通電経路を作り、発光層１２３へキャリアを供給するものであり、例えば陰極として機能した場合は、発光層１２３へ電子を供給する。対向電極層１２５は、電子輸送層１２４の表面に沿って形成され、各発光層１２３に共通の電極となっている。対向電極層１２５は、光透過性を有する導電材料が用いられる。例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）若しくは酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを用い形成される。また、銀（Ａｇ）又はアルミニウム（Ａｌ）などを薄膜化した電極を用いてもよい。

（８）封止層１２６
対向電極層１２５を被覆するように、封止層１２６が積層形成されている。封止層１２６は、発光層１２３が水分や空気などに触れて劣化することを抑制するためのものである。封止層１２６は、対向電極層１２５の上面を覆うように表示パネル１０全面に渡って設けられている。封止層１２６は、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの透光性材料を用い形成される。また、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの材料を用い形成された層の上に、アクリル樹脂、シリコーン樹脂などの樹脂材料からなる封止樹脂層を設けてもよい。

（９）接合層１２７
封止層１２６のＺ軸方向上方には、上部基板１３０のＺ軸方向下側の主面にカラーフィルタ層１２８が形成されたＣＦ基板１３１が配されており、接合層１２７により接合されている。接合層１２７は、基板１００ｘから封止層１２６までの各層からなる背面パネルとＣＦ基板１３１とを貼り合わせるとともに、各層が水分や空気に晒されることを防止する機能を有する。接合層１２７の材料は、例えば、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂などの透光性材料樹脂材料を採用することができる。

（１０）上部基板１３０
接合層１２７の上に、上部基板１３０にカラーフィルタ層１２８が形成されたＣＦ基板１３１が設置・接合されている。上部基板１３０には、表示パネル１０がトップエミッション型であるため、例えば、カバーガラス、透明樹脂フィルムなどの光透過性材料が用いられる。また、上部基板１３０により、表示パネル１０、剛性向上、水分や空気などの侵入防止などを図ることができる。透光性材料としては、例えば、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板等を採用することができる。

（１１）カラーフィルタ層１２８
上部基板１３０には画素の各色自己発光領域１００ａに対応する位置にカラーフィルタ層１２８が形成されている。カラーフィルタ層１２８は、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する波長の可視光を透過させるために設けられる透明層であり、各色画素から出射された光を透過させて、その色度を矯正する機能を有する。例えば、本例では、赤色間隙５２２ｚＲ内の自己発光領域１００ａＲ、緑色間隙５２２ｚＧ内の自己発光領域１００ａＧ、青色間隙５２２ｚＢ内の自己発光領域１００ａＢの上方に、赤色、緑色、青色のフィルタ層１２８Ｒ、Ｇ、Ｂが各々形成されている。カラーフィルタ層１２８は、具体的には、例えば、複数の開口部を画素単位に行列状に形成されたカラーフィルタ形成用のカバーガラスからなる上部基板１３０に対し、カラーフィルタ材料および溶媒を含有したインクを塗布する工程により形成される。

３．インク乾燥装置
（１）全体構成
次に、表示パネル１０の製造方法に用いるインク乾燥装置の構成について説明する。

ホール輸送層１２１、発光層１２３などの機能層は、列バンク５２２Ｙの間隙５２２ｚに、有機機能材料を含むインクを塗布した後、インク乾燥装置９００を用いて低真空以上の減圧雰囲気下においてインクを乾燥させることにより形成される。インクは、機能層材料を含む溶質と少なくとも２種類以上の溶媒とから構成されている。

図５は、実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０の製造方法に用いるインク乾燥装置９００の模式断面図である。

インク乾燥装置９００は、後述するインク乾燥工程において、基板１００ｘ上の列バンク５２２Ｙ間の間隙５２２ｚ内に充填された有機機能材料を含むインクを減圧下で乾燥させベーク処理することによって、発光層１２３を形成するための製造装置である。さらに、有機機能材料を含むインクを減圧下で乾燥させた後にベーク処理する構成としてもよい。

図５に示すように、インク乾燥装置９００は、列バンク５２２Ｙ間の間隙５２２ｚ内に有機機能材料を含むインクが塗布された基板１００ｘを収容するチャンバ５００と、チャンバ５００内において基板１００ｘが載置される支持台７００を備える。支持台７００は、耐熱性に優れた金属、又はセラミックの板からなる。支持台７００は、駆動手段（不図示）により、チャンバ５００の内と外との間を双方向に移動可能に構成されている。

さらに、チャンバ５００に接続されチャンバ５００から気体を吸引してチャンバ５００外へ排気する真空ポンプ６００を備える。さらに、インクを減圧下で乾燥させた後にベーク処理する場合には、支持台７００上の基板１００ｘを加熱するヒータ（不図示）を備えた構成としてもよい。ヒータは、支持台７００に設置されたホットプレート、チャンバ５００内を加熱するオーブンを用いることができる。

チャンバ５００内における真空ポンプ６００への排気路への開口５００ａは支持台７００の下方に位置することが好ましい。図５に示すように、支持台７００を包むように気流を形成することができ、ＲＧＢ各色の発光単位を規制する列バンク５２２Ｙと行バンク１２２Ｘとが配された区画領域１０ａ内において上方に蒸気Ａｉｒ１を放出することができる。

真空ポンプ６００には、クライオポンプ、メカニカルブースターポンプ等、公知のポンプを用いることができる。真空ポンプ６００には、独立して作動する複数のポンプ機構を備えていてもよく、例えば、主排気系等、副排気系等の複数の排気系等を選択的又は同時に作動させる構成としてもよい。

チャンバ５００の内部には、チャンバ５００内部の圧力を測定する圧力センサ８１０が設置されている。圧力センサ８１０によって測定される圧力に基づいて、真空ポンプ６００の回転速度などを設定して真空ポンプ６００を駆動する制御部８２０を備えている。制御部８２０により、圧力センサ８１０の出力が所定の圧力変化曲線（プロファイル）を描くように真空ポンプ６００が制御される。

（２）減圧プロファイル
次に、インク乾燥装置９００の減圧プロファイルの構成について説明する。図６は、インク乾燥工程におけるチャンバ内圧力の時間変化を示す図である。図６に示すように、チャンバ５００から気体を排気する工程は、以下に示す期間Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３を少なくとも含むことを特徴とする。期間Ｔ１、Ｔ２、及びＴ３は、それぞれ、第１の期間、第２の期間、及び第３の期間を意味する。

期間Ｔ１は、チャンバ５００内の圧力を、標準大気圧１×１０⁵Ｐａから、インクに含まれている複数種類の溶媒それぞれの蒸気圧ＶＰ１、ＶＰ２、・・・ＶＰｎ中、最大の蒸気圧ＶＰｍａｘよりも高いＰ１まで減少する期間である。Ｐ１は、１×１０⁴Ｐａ以上３×１０⁴Ｐａ（１０^4.47712Ｐａ）以下の範囲から選択される圧力であることが好ましい。Ｐ１を、１×１０⁴Ｐａ以上３×１０⁴Ｐａ（１０^4.47712Ｐａ）以下とすることにより、Ｐ１を、インクに用いることができる複数種類の溶媒中、最大の蒸気圧ＶＰｍａｘを上回る圧力に設定することができる。また、期間Ｔ１は、チャンバ５００内の圧力の減圧を開始した後、３０秒以上３００秒以下の時間である。本実施の形態では、期間Ｔ１は、１２０秒とした。

期間Ｔ２は、期間Ｔ１の後に、チャンバ５００内の圧力を、複数種類の溶媒それぞれの蒸気圧ＶＰ１、ＶＰ２、・・・ＶＰｎ中、最小の蒸気圧ＶＰｍｉｎよりも低いＰ２まで減圧する期間である。Ｐ２は、１０Ｐａであり、Ｐ２を１０Ｐａとすることにより、Ｐ２を、インクに用いることができる複数種類の溶媒中、最小の蒸気圧ＶＰｍｉｎ以下の圧力に設定することができる。また、期間Ｔ２は、期間Ｔ１の終了から３０秒以上１２０秒以下の時間であることが好ましく、期間Ｔ１から６０秒以下の時間であることがさらに好ましい。

また、図６に示すように、チャンバ５００内の圧力を対数で示してチャンバ内圧力の時間変化をあらわしたとき、期間Ｔ２における圧力プロファイルの勾配は、期間Ｔ１における圧力プロファイルの勾配よりも傾斜が大きい。すなわち、期間Ｔ２におけるチャンバ内圧力の時間変化の勾配の平均値は、期間Ｔ１におけるチャンバ内圧力の時間変化の勾配の平均値よりも絶対値が大きい構成となっている。言い換えると、期間Ｔ１とＴ２との関係において、チャンバ５００内の圧力を、１０^XＰａ（パスカル）（但し、Ｘは実数をあらわす）と表したとき、期間Ｔ２における単位時間当たりのＸの値の変化量の平均値は、期間Ｔ１における単位時間当たりのＸの値の変化量の平均値よりも絶対値が大きい構成を採る。これにより、インク乾燥工程において、インクジェット方式における吐出口のインク吐出量のバラツキや不吐出等に起因するインク塗布直度の列方向に沿った膜厚バラツキを減少するとともに、基板上の列状塗布領域内でインク表面張力のアンバランスの起因するインク対流の影響を減少することができる。インク乾燥工程の詳細については後述する。

また、期間Ｔ１及び期間Ｔ２における圧力の減少は単調減少であることが好ましい。

チャンバ５００から気体を排気する工程は、さらに、期間Ｔ２の後に、Ｘが０（１Ｐａ）となる第３の圧力Ｐ３以下にチャンバ５００内の圧力を減圧し、雰囲気の圧力が第３の圧力Ｐ３以下の状態に基板１００ｘを置きインクを乾燥させるだけの期間Ｔ３を含む。圧力Ｐ３以下の状態において、支持台７００上の基板１００ｘを加熱するヒータ（不図示）を備えて、基板１００ｘを圧力Ｐ３以下の状態に置いた状態で加熱することによりインクを乾燥させる構成としてもよい。

４．表示パネル１０の製造方法
次に、表示パネル１０の製造方法について説明する。図７は、表示パネル１０の製造工程を示す工程図である。図８（ａ）〜（ｄ）、図１２（ａ）（ｂ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図２におけるにおけるＹ１−Ｙ１と同じ位置で切断した模式断面図である。

（１）画素電極層１１９の形成
先ず、図７、８（ａ）に示すように、層間絶縁層までが形成されたＴＦＴ基板１００ｘ０を準備する。層間絶縁層にコンタクト孔を開設し、画素電極層１１９を形成する（ステップＳ１０）。

画素電極層１１９の形成は、スパッタリング法あるいは真空蒸着法などを用い金属膜を形成した後、フォトリソグラフィ法およびエッチング法を用いパターニングすることでなされる。なお、画素電極層１１９は、ＴＦＴの電極と電気的に接続された状態となる。

（２）ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１の形成
次に、図８（ｂ）に示すように、画素電極層１１９上に対して、ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１を形成する（ステップＳ２０、３０）。ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１は、スパッタリング法を用い酸化金属（例えば、酸化タングステン）からなる膜を形成、あるいは、スパッタリング法を用い金属（例えば、タングステン）からなる膜を堆積し、減圧雰囲気下又は大気圧下にて焼成によって酸化して形成される。

あるいは、ホール注入層１２０は、インクジェット法を用い、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料を含むインクを、後述する列バンク５２２Ｙを形成した後、列バンク５２２Ｙにより規定される間隙５２２ｚ内に塗布した後、減圧雰囲気下（図６に示す圧力Ｐ３）にて溶媒を揮発除去させて、あるいは、その後に大気圧下にて焼成することにより形成してもよい。大気圧下での焼成は、減圧雰囲気下にてインクに含まれる溶媒をある程度揮発除去させた後、基板１００ｘをチャンバ５００外に取り出して行う構成を採ることができる。大気圧下にて焼成することにより、金属酸化物を含むホール注入層の形成をウエットプロセスを用いて好適に製造することができる。

また、ホール輸送層１２１は、インクジェット法やグラビア印刷法によるウェットプロセスを用い、構成材料を含むインクを後述する列バンク５２２Ｙを形成した後、列バンク５２２Ｙにより規定される間隙５２２ｚ内に塗布した後、減圧雰囲気下（図６に示す圧力Ｐ３）にて溶媒を揮発除去させる。あるいは、その後に減圧雰囲気下にて焼成することにより形成してもよい。

その後、フォトリソグラフィ法およびエッチング法を用い各画素単位にパターニングしてもよい。

（３）バンク１２２の形成
図８（ｂ）に示すように、ホール輸送層１２１の縁部を覆うようにバンク１２２を形成する。バンク１２２の形成では、先ず行バンク１２２Ｘを形成し（ステップＳ４０）、その後、各画素を規定する間隙５２２ｚを形成するように列バンク５２２Ｙを形成し（ステップＳ５０）、間隙５２２ｚ内の行バンク１２２Ｘと行バンク１２２Ｘとの間にホール輸送層１２１の表面が露出するように設けられる。

バンク１２２の形成は、先ず、ホール輸送層１２１上に、バンク１２２の構成材料（例えば、感光性樹脂材料）からなる膜を積層形成する。そして、樹脂膜をパターニングして行バンク１２２Ｘ、列バンク５２２Ｙを順に形成する。行バンク１２２Ｘ、列バンク５２２Ｙのパターニングは、樹脂膜の上方にフォトマスクを利用し露光を行い、現像工程、焼成工程（約２３０℃、約６０分）をすることによりなされる。

バンク１２２Ｘの形成工程では、先ず、スピンコート法などを用い、有機系の感光性樹脂材料、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等からなる感光性樹脂膜を形成した後、乾燥し、溶媒をある程度揮発させてから、所定の開口部が施されたフォトマスクを重ね、その上から紫外線照射を行い感光性樹脂等からなるフォトレジストを露光し、そのフォトレジストにフォトマスクが有するパターンを転写する。次に、感光性樹脂を現像によってバンク１２２Ｘをパターニングした絶縁層を形成する。一般にはポジ型と呼ばれるフォトレジストが使用される。ポジ型は露光された部分が現像によって除去される。露光されないマスクパターンの部分は、現像されずバンク１２２が約５００ｎｍ程度の厚みで残存する。

列バンク５２２Ｙの形成は、先ず、スピンコート法などを用い、列バンク５２２Ｙの構成材料（例えば、感光性樹脂材料）からなる膜を積層形成する。そして、樹脂膜をパターニングして間隙５２２ｚを開設して列バンク５２２Ｙを形成する。間隙５２２ｚの形成は、樹脂膜の上方にマスクを配して露光し、その後で現像することによりなされる。列バンク５２２Ｙは、列方向に延設され、行方向に間隙５２２ｚを介して並設される。

また、列バンク５２２Ｙは、発光層１２３の材料となる有機化合物を含んだインクの列方向への流動を堰き止めて、形成される発光層１２３の行方向外縁を規定するため、列バンク５２２Ｙはインクに対する撥液性が所定の値以上であることが必要である。他方、行バンク１２２Ｘは、発光層１２３のインクの列方向への流動を制御するために、行バンク１２２Ｘはインクに対する親液性が所定の値以上であることが必要である。

列バンク５２２Ｙの表面に撥水性をもたせるために、列バンク５２２Ｙの表面をＣＦ４プラズマ処理することもできる。また、列バンク５２２Ｙの形成にフッ素を含有した材料、もしくはフッ素を含有した材料を混合した組成物を用いてもよい。

製造上、バンク１２２Ｘの上限膜厚は、１０００ｎｍ以下で、製造時の膜厚バラツキがより小さくなると共にボトム線幅の制御が可能となる。また、下限膜厚は、膜厚が薄くなるとともに膜厚とボトム線幅とを同程度にする必要があり、下限膜厚が２００ｎｍ以上で、解像度の制約による所望のボトム線幅を得ることが可能となる。したがって、バンク１２２Ｘの厚みは、製造プロセスの観点では、例えば、２００ｍｍ以上１０００ｎｍ以下であることが好ましい。本実施の形態では約５００ｎｍとした。

製造上、バンク５２２Ｙの上限膜厚は、コスト削減による生産性向上の観点から１５００ｎｍ以下が望ましい。また、下限膜厚は、膜厚が薄くなるとともに膜厚とボトム線幅とを同程度にする必要があり、下限膜厚が１０００ｎｍ以上で、解像度の制約による所望のボトム線幅を得ることが可能となる。また溶液塗布をともなうプロセスの場合、下地の凹凸が膜厚の均一性が向上する。このことよりＴＦＴの段差をできるだけ低減する必要があることより絶縁膜の下限膜厚が決定し５００ｎｍ以上が好ましい。したがって、バンク５２２Ｙの厚みは、製造プロセスの観点では、例えば、５００ｎｍ以上１５００ｎｍ以下であることが好ましい。本実施の形態では約１０００ｎｍとした。

（４）発光層１２３の形成
図８（ｃ）に示すように、列バンク５２２Ｙで規定された各間隙５２２ｚ内に、ホール輸送層１２１側から順に、発光層１２３を積層形成する（ステップＳ６０）。

発光層１２３の形成は、インクジェット法を用い、有機発光材料を含むインクを列バンク５２２Ｙにより規定される間隙５２２ｚ内に塗布（ステップＳ６１）した後、焼成によりインクを乾燥する（ステップＳ６２）ことによりなされる。

具体的には、この工程では、副画素形成領域となる間隙５２２ｚに、インクジェット法によりＲ、Ｇ、Ｂいずれかの有機発光層の材料を含むインク１２３ＲＩ、１２３ＧＩ、１２３ＢＩをそれぞれ充填し、充填したインクを減圧下で乾燥させ、ベーク処理することによって、発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂを形成する（図８（ｃ））。

（４−１）インク塗布工程（ステップＳ６１）について
発光層１２３のインクの塗布では、先ず、液滴吐出装置を用いて発光層１２３の形成するための溶液の塗布を行う。基板１００ｘに対して赤色発光層、緑色発光層、青色発光層の何れかを形成するためのインクの塗布が終わると、次に、その基板に別の色のインクを塗布し、次にその基板に３色目のインクを塗布する工程が繰り返し行われ、３色のインクを順次塗布する。これにより、基板１００ｘ上には、赤色発光層、緑色発光層、青色発光層が、図の紙面横方向に繰り返して並んで形成される。

次に、インクジェット法を用いて、発光層１２３のインクを間隙５２２ｚ内に塗布する方法の詳細について説明する。図９は、基板に対して発光層形成用のインクを塗布する工程を示す図であって、列バンク５２２Ｙ間の間隙５２２ｚに一様に塗布する場合の模式図である。

発光層１２３の形成時には、発光層１２３を形成するための溶液であるインクを用いて、赤色副画素用の間隙５２２ｚＲ内に発光層１２３Ｒ、緑色副画素用の間隙５２２ｚＧ内に発光層１２３Ｇ、及び青色副画素用の間隙５２２ｚＢ内に発光層１２３Ｂを、複数のラインバンク間の各領域に形成する。発光層１２３Ｒと、発光層１２３Ｇ又は発光層１２３Ｂとは厚みが異なる。具体的には、間隙５２２ｚＲ内に塗布するインクの量を、間隙５２２ｚＢ及び間隙５２２ｚＧ内に塗布するインクの量よりも多くすることにより、発光層１２３Ｒの厚みを、発光層１２３Ｂ及び発光層１２３Ｇの厚みよりも大きく形成することができる。

説明を簡略にするため、ここでは、ノズルから吐出するインクの量を第１の条件に設定して基板上の複数の第１色目の間隙にインクを塗布し、次に、ノズルから吐出するインクの量を第２の条件に設定してその基板上の複数の第２色目の間隙にインクを塗布し、次にノズルから吐出するインクの量を第３の条件に設定してその基板上の複数の第３色目の間隙にインクを塗布する方法で、３色全部の間隙にインクを順次塗布する。基板１００ｘに対して第１色目の間隙へのインクの塗布が終わると、次に、その基板の第２色目の間隙にインクを塗布し、さらに、その基板の第３色目の間隙にインクを塗布する工程が繰り返し行われ、３色の間隙用のインクを順次塗布する。

上記において、複数の基板に対して第１色目の間隙へのインクの塗布が終わると、次に、その複数の基板に第２色目の間隙にインクを塗布し、次にその複数の基板の第３色目の間隙にインクを塗布する工程を繰り返し行って、３色の間隙用のインクを順次塗布してもよい。

他方、ノズルから吐出するインクの量を第１の条件に設定して１枚の基板上の第１色目の間隙にインクを塗布した後、インクの量を第２の条件に変更して隣接する第２色目の間隙にインクを塗布し、さらに、インクの量を第３の条件に変更して隣接する第３色目の間隙にインクを塗布し、インクの量を第１の条件に戻して隣接する第１色目の間隙にインクを塗布し、この動作を繰り返して１枚の基板上の３色の間隙全部にインクを連続して塗布してもよい。

（列バンク５２２Ｙ間の間隙５２２ｚに一様に塗布する方法）
次に、１色の間隙中にインク（例えば、赤色間隙用のインク）を塗布する方法について説明する。

発光層１２３は、発光領域１００ａだけでなく、隣接する非自己発光領域１００ｂまで連続して延伸されている。このようにすると、発光層１２３の形成時に、発光領域１００ａに塗布されたインクが、非自己発光領域１００ｂに塗布されたインクを通じて列方向に流動でき、後述する本実施の形態に係るインク乾燥工程を実施することにより列方向の画素間でその発光層１２３の膜厚を平準化することができる。但し、非自己発光領域１００ｂでは、行バンク１２２Ｘによって、インクの流動が程良く抑制される。よって、列方向に大きな膜厚むらが発生しにくく画素毎の輝度むらや寿命低下が改善される。

本塗布方法では、図９に示すように、基板１００ｘは、列バンク５２２ＹがＹ方向に沿った状態で液滴吐出装置の作業テーブル上に載置され、Ｙ方向に沿って複数の吐出口６２４ｄ１がライン状に配置されたインクジェットヘッド６２２をＸ方向に走査しながら、各吐出口６２４ｄ１から列バンク５２２Ｙ同士の間隙５２２ｚ内に設定された着弾目標を狙ってインクを着弾させることによって行う。

なお、同一の塗布量にて発光層１２３のインクを塗布する領域は、ｘ方向に隣接して並ぶ３つの領域の中の１つである。

発光層１２３の形成方法はこれに限定されず、インクジェット法やグラビア印刷法以外の方法、例えばディスペンサー法、ノズルコート法、スピンコート法、凹版印刷、凸版印刷等の公知の方法によりインクを滴下・塗布しても良い。

（４−２）インク乾燥方法（ステップＳ６２）について
塗布したインクを焼成により乾燥するインク乾燥工程について説明する。図１０は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造方法において、インク乾燥工程の詳細を示す工程図である。

ステップＳ６２０では、列バンク５２２Ｙ間の間隙５２２ｚ内に有機発光材料を含むインクが塗布された基板１００ｘを支持台７００に載置し、支持台７００を駆動手段（不図示）により、チャンバ５００の内に移動させて、基板１００ｘをチャンバ５００内に収容する。このとき、チャンバ５００内において、整流板を昇降手段（不図示）により上方から下方に移動させ、支持台７００の外周近傍に複数設けられたスペーサに保持させて、支持台７００と整流板との間隙を所定距離になるよう規制してもよい。

ステップＳ６２１では、真空ポンプ６００を駆動してチャンバ５００内の圧力を大気圧からＰ１まで減圧する。図６に示すように、本実施の形態では、チャンバ５００内の圧力を、標準大気圧１×１０⁵Ｐａから約１２０秒の期間Ｔ１の間に約３×１０⁴Ｐａ（１０^4.47712Ｐａ）（Ｐ１）まで緩やかに減圧し、その後、減圧開始から６００秒付近で約０．１Ｐａまで減圧する構成としている。これにより、Ｐ１を、インクに用いることができる複数種類の溶媒中、最大の蒸気圧ＶＰｍａｘを上回る圧力に設定するとともに、所定の期間Ｔ１においてチャンバ５００内の圧力をＰ１を上回るように維持することができる。

これにより、基板１００ｘが含まれる雰囲気の蒸気濃度を高い状態に維持して、基板１００ｘ上の区画領域１０ａからインクの溶媒の蒸発を抑制することができる。そのため、基板１００ｘの間隙５２２ｚ内のインクは列方向に移動することが許容され、間隙５２２ｚ内のインク塗布の膜厚はレべリングされる。すなわち、インク塗布直後に、基板１００ｘが含まれる雰囲気の蒸気濃度を高い状態に維持することにより、インク塗布膜の列方向におけるレべリングを促進することができる。その結果、インクジェット方式における吐出口のインク吐出量のバラツキや不吐出等に起因するインク塗布直度の列方向に沿った膜厚バラツキは期間Ｔ１内に減少する。

ステップＳ６２２では、真空ポンプ６００をさらに駆動してチャンバ５００内の圧力を大気圧からＰ２まで減圧する。図６に示すように、本実施の形態では、チャンバ５００内の圧力を、Ｐ１に到達した期間Ｔ１の終了時から約６０秒以下の期間Ｔ２にて１０Ｐａ（Ｐ２）まで減圧する構成としている。これにより、Ｐ２を、インクに用いることができる複数種類の溶媒の蒸気圧中、最小の蒸気圧ＶＰｍｉｎより低い圧力に設定することができる。

期間Ｔ２の減圧過程では、主に期間Ｔ１の終了から３０秒以上１２０秒以下の期間Ｔ２において、図５に示すように、支持台７００が位置するチャンバ５００内から外への急激な気流が発生する。この気流に伴って、基板１００ｘに塗布されたインクから蒸発した溶媒蒸気も、主に期間Ｔ２において、基板１００ｘ上方からチャンバ５００外へ放出される。

これにより、基板１００ｘが含まれる雰囲気の蒸気濃度を急激に減少させることにより、基板１００ｘ上の区画領域１０ａからインクの溶媒の蒸発を促進し、基板１００ｘの間隙５２２ｚ内のインクは列方向に移動することを抑制して、間隙５２２ｚ内の表面張力のアンバランスによるインクの移動を抑制することができる。すなわち、インク塗布から一定時間経過した後に、基板１００ｘが含まれる雰囲気の蒸気濃度を低い状態とすることにより、基板上の列状塗布領域内でインク表面張力のアンバランスの起因するインク対流の影響を減少することができる。その結果、表示パネル１０の成膜エリアの周縁部分と中央部分において発光層１２３の膜厚の不均一性に起因して生じる輝度ムラを改善することができる。

すなわち、本実施の形態では、上述のとおり、期間Ｔ１とＴ２との関係において、チャンバ５００内の圧力を、１０^XＰａ（Ｘは実数）と表したとき、期間Ｔ２における単位時間当たりのＸの値の変化量の平均値は、期間Ｔ１における単位時間当たりのＸの値の変化量の平均値よりも絶対値が大きい構成としている。これにより、期間Ｔ１内にインクジェット方式における吐出口のインク吐出量のバラツキや不吐出等に起因するインク塗布直度の列方向に沿った膜厚バラツキを減少するとともに、期間Ｔ２内に基板上の列状塗布領域内でインク表面張力のアンバランスの起因するインク対流の影響を減少することができる。

次に、チャンバ５００内の圧力が所定の基準値以下になるまで減圧し、基準値以下を維持し充填したインクに含まれる溶媒を蒸発してインクを乾燥させる。具体的には、ステップＳ６２３では、真空ポンプ６００をさらに駆動してチャンバ５００内の圧力をＰ２からＰ３まで減圧した後、基板１００ｘを加熱あるいは非加熱状態で基板１００ｘをチャンバ５００内に放置する。本実施の形態では、図６に示すように、チャンバ５００内の圧力を、期間Ｔ２の開始から約１３０秒以下の時間にて１Ｐａ（Ｐ３、１０⁰Ｐａ、Ｘ＝０）まで減圧し、さらに減圧を続けて第３の圧力Ｐ３以下にチャンバ５００内の圧力を減圧し、雰囲気の圧力が第３の圧力Ｐ３以下の低真空状態において、支持台７００上の基板１００ｘを加熱するベーク処理を施すことによって、発光層１２３を形成する。ベーク処理は、所定条件の焼成工程（加熱温度約１５０℃、加熱時間約６０分で真空焼成する工程）により行う。

焼成工程が終了すると、チャンバ５００内に気体を導入し（ステップＳ６２４）、支持台７００を駆動手段（不図示）により、チャンバ５００の外に移動させて、発光層１２３が形成された基板１００ｘをチャンバ５００外に搬出し（ステップＳ６２５）、インク乾燥工程を終了する。

（５）電子輸送層１２４、対向電極層１２５および封止層１２６の形成
図８（ｄ）に示すように、間隙５２２ｚ内、及び列バンク５２２Ｙ上にベタ膜として真空蒸着法などを用い電子輸送層１２４を形成する（ステップＳ７０）。間隙５２２ｚ内、及び列バンク５２２Ｙ上にベタ膜として電子輸送層１２４を被覆するように、対向電極層１２５および封止層１２６を順に積層形成する（ステップＳ８０、Ｓ９０）。対向電極層１２５および封止層１２６は、ＣＶＤ法、スパッタリング法などを用い形成できる。

（６）ＣＦ基板１３１の形成
次に、ＣＦ基板１３１を形成する（ステップＳ１００）。図１１（ａ）〜（ｄ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造におけるＣＦ基板１３１製造の各工程での状態を示す模式断面図である。

ＣＦ基板１３１の形成では、先ず、透明な上部基板１３０を準備する（図１１（ａ））。次に、上部基板１３０表面に、紫外線硬化樹脂成分を主成分とするカラーフィルタ層１２８（例えば、Ｇ）の材料を溶媒に分散させ、ペースト１２８Ｘを塗布し（図１１（ｂ））、溶媒を一定除去した後、所定のパターンマスクＰＭ２を載置し、紫外線照射を行う（図１１（ｃ））。その後はキュアを行い、パターンマスクＰＭ２及び未硬化のペースト１２８Ｘを除去して現像すると、カラーフィルタ層１２８（Ｇ）が形成される（図１１（ｄ））。この図１１（ｂ）、（ｄ）の工程を各色のカラーフィルタ材料について同様に繰り返すことで、カラーフィルタ層１２８（Ｒ）、１２８（Ｂ）を形成する。なお、ペースト１２７Ｘを用いる代わりに市販されているカラーフィルタ製品を利用してもよい。

（７）ＣＦ基板１３１と背面パネルとの貼り合わせ
次に、ＣＦ基板１３１と背面パネルとの貼り合わせる（ステップＳ１１０）。

工程では、先ず、基板１００ｘから封止層１２６までの各層からなる背面パネルに、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂などの紫外線硬化型樹脂を主成分とする接合層１２７の材料を塗布する（図１２（ａ））。

続いて、塗布した材料に紫外線照射を行い、背面パネルとＣＦ基板１３１との相対的位置関係を合せた状態で両基板を貼り合わせる。このとき、両者の間にガスが入らないように注意する。その後、両基板を焼成して封止工程を完了すると、表示パネル１０が完成する（図１２（ｂ））。

５．インク乾燥工程による効果について
以下、表示パネル１０から得られる効果について説明する。

５．１ 膜厚評価試験
発明者は、表示パネル１０における発光層１２３の膜厚の分布を測定した。図１３は、実施例、比較例１、２におけるインク乾燥工程におけるチャンバ内圧力の時間変化を示す図であり、図１４は、膜厚の測定位置を示す模式平面図である。本試験では、表示パネル１０の実施例における、区画領域１０ａのＸ方向中心線上における基板１００ｘ上の発光層１２３の膜厚の分布を、列バンク５２２Ｙの列方向端部５２２Ｙｅから端部５２２Ｙｅまで測定した。

（１）供試サンプル
次に、実施例、比較例１から２の仕様について説明する。

実施例は、インク乾燥工程において、チャンバ内圧力の時間変化が図６に示したプロファイルとなるインク乾燥装置９００を用いて製造した表示パネル１０である。

比較例１は、インク乾燥工程において、チャンバ５００内の圧力を、標準大気圧１×１０⁵Ｐａから急激に減圧し、減圧開始から６０秒以内に約１０Ｐａ（Ｐ２）に、さらに、減圧開始から１５０秒以内に約１Ｐａ（Ｐ３）に減圧し、その後、減圧開始から６００秒付近で約０．１Ｐａまで減圧する構成としたインク乾燥装置を用いて製造した表示パネルである。

比較例２は、インク乾燥工程において、チャンバ５００内の圧力を、標準大気圧１×１０⁵Ｐａから急激に減圧し、減圧開始から３０秒以内に約４５０Ｐａに減圧し、その後、減圧開始から６００秒までの間約４５０Ｐａを維持するインク乾燥装置を用いて製造した表示パネルである。４５０Ｐａとは、インクに用いることができる複数種類の溶媒が有する蒸気圧の範囲に含まれる圧力であり、最大の蒸気圧Ｖｐｍａｘより低く最小の蒸気圧Ｖｐｍｉｎより高い圧力である。そして、その後、３０秒以内に１Ｐａ（Ｐ３）まで減圧し、その後、減圧開始から９００秒付近で約０．１Ｐａまで減圧する構成としたインク乾燥装置を用いて製造した表示パネルである。

（２）測定結果
図１５（ａ）（ｂ）（ｃ）は、表示パネル１０の実施例、及び比較例１、２における膜厚の測定結果である。

比較例１では、図１５（ｂ）に示すように、列バンク５２２Ｙの上端部（５ｍｍ位置）から約４５ｍｍの位置では、上端部から約１１０ｍｍの位置と比較して膜厚が最大１０ｎｍ減少している。また、列バンク５２２Ｙの上端部から約２００ｍｍの位置では、上端部から約１００ｍｍの位置と比較して膜厚が最大１２ｎｍ減少している。また、比較例１では、列バンク５２２Ｙの上端部から下端部までの範囲における膜厚の変動は、最大１２ｎｍであることが観測された。

比較例２では、図１５（ｃ）に示すように、列バンク５２２Ｙの上端部（５ｍｍ位置）から約５ｍｍの位置では、上端部から約４０ｍｍの位置と比較して膜厚が最大１２ｎｍ減少している。また、列バンク５２２Ｙ上端部から約１５０ｍｍの位置にて、上端部から約２００ｍｍの位置と比較して膜厚が最大８ｎｍ減少している。また、比較例２では、列バンク５２２Ｙの上端部から下端部までの範囲における膜厚の変動は最大１２ｎｍであることが観測された。

一方、表示パネル１０の実施例では、図１５（ａ）に示すように、列バンク５２２Ｙの上端部から下端部までの範囲における膜厚の変動は最大３ｎｍ程度しか観測されなかった。

以上の結果より、表示パネル１０の実施例では、比較例１、２に対して、隣接する列バンク５２２Ｙ間の間隙５２２ＹＺに沿った列状塗布領域内で機能層の膜厚の均一性が向上したことが確認された。

５．２ インク膜厚の変動要因について
表示パネル１０から得られた発光層１２３の膜厚変動要因は、以下のとおりである。

Ａ）吐出口ごとのインク吐出量バラツキに起因するインク塗布直後の局所的な膜厚変動）
本実施の形態で用いたインクジェット方式では、図９に示すように、基板１００ｘは、列バンク５２２ＹがＹ方向に沿った状態で液滴吐出装置の作業テーブル上に載置され、Ｙ方向に沿って複数の吐出口６２４ｄ１がライン状に配置されたインクジェットヘッド６２２をＸ方向に走査しながら、各吐出口６２４ｄ１から列バンク５２２Ｙ同士の間隙５２２ｚ内に設定された着弾目標を狙ってインクを着弾させることによって行う。一般に、ライン状に配置された複数の吐出口６２４ｄ１には、吐出口６２４ｄ１ごとにインク吐出量のバラツキがあり、また、吐出口６２４ｄ１の中には事前に行った吐出品質検査により一部の吐出口６２４ｄ１からのインク吐出を停止する場合もある。そのため、間隙５２２ｚに沿って、吐出口６２４ｄ１毎のインク吐出量のバラツキや不吐出等に起因した膜厚バラツキが生じ、この膜厚バラツキはインク塗布直度においてより一層顕著である。この吐出量バラツキに起因する膜厚バラツキは、時間の経過に伴い間隙５２２ｚ内のインクが列方向に移動することによりレべリングされるので膜厚バラツキは減少する。

Ｂ）行列方向における基板中央部と周辺部とのインク溶媒の蒸気濃度分布に起因する膜厚変動
発明者は、基板上にインクを充填し乾燥する方法で機能層を形成する湿式成膜プロセスに於いて、基板上の表示領域の中央部分と表示領域の周縁部分での乾燥速度差による成膜形状にばらつきについて検討を行った。

図１６（ａ）（ｂ）は、表示領域の中央部分と表示領域の周縁部分との間の成膜形状の違いを示す説明図である。図１６（ａ）において、１００ｘは基板、５２２Ｙは基板１００ｘに配設される列バンクであって、隣接する列バンク５２２Ｙ間の間隙５２２ｚを規定する。１２３は発光層を形成するために間隙５２２ｚに充填されたインクである。図１６（ｂ）に示すように、列バンク５２２Ｙの高さを面内で均一に素子を作製した場合、インクの溶媒の蒸気濃度が高く乾燥の遅い表示領域の中央部分Ａ１のサブ画素では、区画領域１０ａの外周付近に位置するために相対的に蒸気濃度が低く乾燥の速い表示領域の周縁部分Ｂ１又はＣ１のサブ画素に比べ、発光層１２３は側壁近傍が薄膜化し画素中央が厚膜化するという結果となった。

その理由は、乾燥の遅い中央部分Ａ１では、溶媒が蒸発する過程で、発光層１２３インクを構成する固形成分が沈降し間隙５２２ｚの底部に移動し、底部の膜厚を増加させるためであると考えられる。中央部分Ａ１において、周縁部分Ｂ１又はＣ１との比較において、溶媒が蒸発する過程で、発光層１２３インクを構成する固形成分が沈降し間隙５２２ｚの底部に移動し、底部の膜厚が増加するものと考えられる。

このように、湿式成膜プロセスを用いて成膜する構成では、行列方向における基板中央部と周辺部とのインク溶媒の蒸気濃度分布に伴う溶媒蒸発速度のアンバランスに起因する膜厚変動が発生する。

Ｃ）列方向における基板中央部と周辺部とのインク表面張力のアンバランスに起因する膜厚変動
図１７（ａ）は、基板１００ｘ上の列バンク５２２Ｙの端部５２２Ｙｅ付近の基板１００Ｘの模式平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＹ２−Ｙ２で切った模式側断面図である。（ｃ）は、時間経過に伴う発光層１２３Ｙの膜厚の変化を示す（ａ）におけるＹ２−Ｙ２で切った模式側断面図である。図１７（ａ）（ｂ）に示すように、基板１００Ｘには、列バンク５２２Ｙ及び行バンク１２２Ｘが配設されている。

図１７（ｃ）に示すように、基板１００ｘ上の間隙５２２ｚ内に塗布された発光層１２３Ｙのインクは、列バンク５２２Ｙの端部５２２Ｙｅから溶媒の乾燥は始まる。その理由は、上述のとおり、湿式成膜プロセスに於いては、インクの溶媒を蒸発乾燥させるプロセスにおいて、成膜エリアの中央部分と周縁部分とでは、周縁部分の方が中央部分よりも溶媒蒸気圧が低くなることにより溶媒の乾燥速度が大きいためである。成膜エリアとは、湿式成膜プロセスによりインクを塗布するエリアであり、図１に示した区画領域１０ａと同じ領域である。そのため、乾燥により溶媒の蒸発が進み、単位面積あたりの残存溶媒量が少ない端部５２２Ｙｅ付近のインクよりも、溶媒の蒸発が遅く単位面積あたりの残存溶媒量が多い端部５２２Ｙｅより内方のインクの表面張力が不均一となる。そして、端部５２２Ｙｅ付近のインクは端部５２２Ｙｅより内方のインクからの表面張力によって内方に引っ張られ内方に向けたインク対流が生じる。その結果、端部５２２Ｙｅ付近のインクは端部５２２Ｙｅより内方へ移動し、端部５２２Ｙｅより内方におけるインク膜厚は増加する。

図１７（ｃ）の上段から下段に向けて段階的に示すように、時間経過に伴い端部５２２Ｙｅから内方に向けて徐々に溶媒の乾燥が進行し、これに伴い、端部５２２Ｙｅから内方に向けたインクの移動により端部５２２Ｙｅから内方に向けてインク膜厚も徐々に増加する。最終的には、成膜エリアの中央部分においてインク膜厚が最大となり、図１８に示すように、形成される発光層１２３Ｙの膜形状も同様に成膜エリアの列方向の中央部分において膜厚が最大となる形状になる。

このように、湿式成膜プロセスによりインクを塗布する構成では、列方向における基板中央部と周辺部とのインク表面張力のアンバランスに起因する膜厚変動が発生する。

５．３ 膜厚測定結果の考察
表示パネル１０から得られた発光層１２３の膜厚測定結果について考察する。

（１）比較例１について
比較例１では、列バンク５２２Ｙの範囲における膜厚の変動は、最大１２ｎｍであり、実施例に比べて大きな値を示すという結果になった。その理由は、主に上記Ａの要因により、列状塗布領域を構成する間隙５２２ｚ内において、吐出直後の吐出量バラツキに起因する膜厚バラツキが固定化されたものと考えられる。

すなわち、比較例１では、上述のとおり、インク乾燥工程において、チャンバ５００内の圧力を、標準大気圧１×１０⁵Ｐａから減圧開始から６０秒以内に約１０Ｐａ（Ｐ２）に急激に減圧する圧力プロファイルを採る。１０Ｐａは、インクに用いることができる複数種類の溶媒が有する蒸気圧の範囲中最小の蒸気圧Ｖｐｍｉｎより低い圧力である。この圧力への急激な減圧により基板１００ｘに塗布されたインク中に含まれる複数種類の溶媒は減圧開始から６０秒以内に急激に蒸発すると考えられる。上述のとおり、吐出口６２４ｄ１毎のインク吐出量のバラツキや不吐出等に起因した膜厚バラツキが生じ、この膜厚バラツキはインク塗布直度においてより顕著である。比較例１では、間隙５２２ｚ内のインクが列方向に移動して膜厚バラツキがレべリングされる前に、インクに含まれる溶媒の蒸発が進んだ結果、間隙５２２ｚ内列方向へのインクの移動が制限され吐出直後の吐出量バラツキに起因する膜厚バラツキが固定されたものと考えられる。

（２）比較例２について
比較例２では、列バンク５２２Ｙの範囲における膜厚の変動は、最大１２ｎｍであり、実施例に比べて大きな値を示すという結果になった。その理由は、主に上記Ｂ及びＣの要因により、列状塗布領域を構成する間隙５２２ｚ内でインク表面張力のアンバランスの起因するインク対流による膜厚変動が増大したものと考えられる。

すなわち、比較例２では、上述のとおり、インク乾燥工程において、チャンバ５００内の圧力を、標準大気圧１×１０⁵Ｐａから急激に減圧し、減圧開始から３０秒以内に約４５０Ｐａに減圧し、その後、減圧開始から６００秒までの間、インクに用いることができる複数種類の溶媒が有する蒸気圧の範囲に含まれる約４５０Ｐａに維持する圧力プロファイルを採る。約４５０Ｐａとは、最大の蒸気圧Ｖｐｍａｘより小さく最小の蒸気圧Ｖｐｍｉｎより大きい圧力である。列状塗布領域を構成する間隙５２２ｚ内に塗布されたインクは、上記したＢの要因によって時間経過に伴い端部５２２Ｙｅから内方に向けて徐々に溶媒の乾燥が進行する。そして、上記したＣの要因によって、端部５２２Ｙｅから内方に向けたインクの移動により端部５２２Ｙｅから内方に向けてインク膜厚も徐々に増加する。このとき、複数種類の溶媒が有する蒸気圧の範囲に含まれる圧力を一定期間維持することにより、基板１００ｘの間隙５２２ｚ内からのインクの溶媒の蒸発が抑制され、間隙５２２ｚ内のインクは列方向に移動することが長い時間許容される。その結果、間隙５２２ｚ内の表面張力のアンバランスによるインクの移動が促進される。

すなわち、インク塗布から一定時間、基板１００ｘが含まれる雰囲気の蒸気濃度付近に維持することにより、基板上の列状塗布領域内でインク表面張力のアンバランスの起因するインク対流の発生を長い時間許容することとなる。その結果、表示パネル１０の成膜エリアの周縁部分と中央部分において発光層１２３の膜厚の不均一性が増加すると考えられる。

（３）実施例について
実施例では、列バンク５２２Ｙの範囲における膜厚の変動は、最大３ｎｍ程度となり、比較例１、２と比べて小さな値を示すという結果になった。その理由は、主に上記Ａの要因の大きさを縮小したことにより、列状塗布領域を構成する間隙５２２ｚ内において、吐出直後の吐出量バラツキに起因する膜厚バラツキを減少させたこと。および、主に上記Ｃの要因の大きさを縮小したことにより、列状塗布領域を構成する間隙５２２ｚ内でインク表面張力のアンバランスの起因するインク対流による膜厚変動が減少したことに基づくと考えられる。

図１９（ａ）〜（ｄ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の実施例における膜形状を示す模式図である。実施例では、先ず、チャンバ５００内の圧力を、期間Ｔ１において、標準大気圧１×１０⁵Ｐａから、インクに含まれている複数種類の溶媒それぞれの蒸気圧ＶＰ１、ＶＰ２、・・・ＶＰｎ中、最大の蒸気圧ＶＰｍａｘよりも高いＰ１まで減少する圧力プロファイルを採る。これにより、基板１００ｘが含まれる雰囲気の蒸気濃度を高い状態に保持して、基板１００ｘ上の区画領域１０ａからインクの溶媒の蒸発を抑制することができる。そのため、図１９（ａ）に示すように、インク吐出直後においては、列状塗布領域を構成する間隙５２２ｚ内において、の吐出量バラツキに起因する膜厚バラツキが生じるが、基板１００ｘの間隙５２２ｚ内のインクの列方向への移動が許容されるので、間隙５２２ｚ内のインクは列方向に移動して膜厚バラツキが期間Ｔ１内にレべリングされる（図１９（ｂ））。その結果、インクジェット方式における吐出口のインク吐出量のバラツキや不吐出等に起因するインク塗布直度の列方向に沿った膜厚バラツキは減少すると考えられる。

次に、実施例では、期間Ｔ１の後に、期間Ｔ２における減圧の開始から期間Ｔ２内に、チャンバ５００内の圧力を、複数種類の溶媒それぞれの蒸気圧ＶＰ１、ＶＰ２、・・・ＶＰｎ中、最小の蒸気圧ＶＰｍｉｎよりも低いＰ２まで減圧する圧力プロファイルを採る。Ｐ２への急激な減圧により基板１００ｘに塗布されたインク中に含まれる複数種類の溶媒は期間Ｔ２における減圧開始から期間Ｔ２内に急激に蒸発すると考えられる。これにより、基板１００ｘの間隙５２２ｚ内のインクは列方向に移動することが抑制され、間隙５２２ｚ内の表面張力のアンバランスによるインクの移動が抑制される。すなわち、インク塗布から一定時間経過した後に、基板１００ｘが含まれる雰囲気の蒸気濃度を、インクに含まれている複数種類の溶媒それぞれの蒸気圧ＶＰ１、ＶＰ２、・・・ＶＰｎ中、最小の蒸気圧ＶＰｍｉｎよりも低いＰ２まで短時間で減圧することにより、図１９（ｃ）に示すように、基板上の列状塗布領域内で基板中央部と周辺部とのインク表面張力のアンバランスの起因するインク対流の影響を受ける時間を期間Ｔ２内に留めることができる。すなわち、インク表面張力のアンバランスの起因するインク対流の生じる時間を短縮することにより、表示パネル１０の成膜エリアの周縁部分と中央部分において発光層１２３の膜厚の不均一性が減少することができたと考えられる。

このように、上記Ａ及びＣの要因の大きさを縮小したことにより、実施例では、図１９（ｄ）に示すように、比較例１、２と比べて、形成される発光層１２３の膜形状も同様に成膜エリアの周縁部分と中央部分において膜厚が等価な形状になる。

すなわち、本実施の形態では、インクジェット方式における吐出口のインク吐出量のバラツキや不吐出等に起因するインク塗布直度の列方向に沿った膜厚バラツキは減少するとともに、基板上の列状塗布領域内に有機機能材料を含むインクを塗布して製造する際に、列状塗布領域内でインク表面張力のアンバランスの起因するインク対流の生じる時間を短縮して、インク対流の影響を縮小することができる。その結果、上記実施の形態に係るインク乾燥装置９００を用いたインク乾燥工程を含む有機ＥＬ表示パネル１０の製造方法によれば、成膜エリアの周縁部分と中央部分との間の発光層の膜厚差について、基板上の列状塗布領域内及び列状塗布領域間において発光層１２３の膜厚の均一性を向上し、膜厚の不均一性に起因して生じる輝度ムラを改善することができる。

６．総 括
以上説明したように、実施の形態１に係る表示パネル１０の製造方法では、基板１００ｘ上に複数の画素１００ｓｅが行列状に配された有機ＥＬ表示パネル１０の製造方法であって、基板１００ｘを準備する工程と、基板１００ｘ上に行列状に複数の画素電極層１１９を形成する工程と、少なくとも画素電極層１１９の行方向外縁間に位置する基板１００ｘ上方に列方向に延伸して行方向に複数の列バンク５２２Ｙを並設する工程と、行方向に隣接する列バンク５２２Ｙ間の間隙５２２ｚそれぞれに、列バンク５２２Ｙの列方向端部間にわたり列方向に連続して有機機能材料を含む溶質と２種類以上の溶媒とを含むインクを塗布する工程と、基板１００ｘを含む雰囲気から気体を排気する工程と、雰囲気の圧力が所定圧力以下の状態において基板１００ｘを置くことによりインクを乾燥させて有機機能層１２３を形成する工程と、有機機能層１２３上方に透光性の対向電極層１２５を形成する工程とを含み、気体を排気する工程は、雰囲気の圧力を、標準大気圧から複数の溶媒それぞれの蒸気圧中、最大の蒸気圧よりも高い第１の圧力Ｐ１まで減圧する第1の期間Ｔ１と、第1の期間の後に、雰囲気の圧力を、複数の溶媒それぞれの蒸気圧中、最小の蒸気圧よりも低い第２の圧力Ｐ２まで減圧する第２の期間Ｔ２とを含み、雰囲気の圧力を１０^XＰａ（Ｘは実数）と表したとき、期間Ｔ２における単位時間当たりのＸの値の変化量の平均値は、期間Ｔ１における単位時間当たりのＸの値の変化量の平均値よりも絶対値が大きいことを特徴とする。また、別の態様では、第1の期間Ｔ１は、雰囲気の圧力の減少を開始した後、３０秒以上３００秒以下の時間であってもよい。また、別の態様では、期間Ｔ２は、期間Ｔ１の終了から３０秒以上１２０秒以下の時間であってもよい。
また、別の態様では、第１の圧力Ｐ１は、１×１０⁴Ｐａ以上３×１０⁴Ｐａ（１０^4.47712Ｐａ）以下の範囲から選択される圧力であってもよい。また、別の態様では、第２の圧力Ｐ２は、１０Ｐａであってもよい。

係る構成を用いた有機ＥＬ表示パネル１０の製造方法によれば、形成される発光層１２３の膜形状は、成膜エリアの周縁部分と中央部分において膜厚が等価な形状になる。すなわち、基板上の列状塗布領域内に有機機能材料を含むインクを塗布して製造する表示パネルにおいて、インク吐出直後の吐出量バラツキに起因する膜厚バラツキをレべリングして減少させるとともに、基板上の列状塗布領域内に有機機能材料を含むインクを塗布して製造する際に、列状塗布領域内でインク表面張力のアンバランスの起因するインク対流が生じる時間を短縮しその影響を縮小することができる。その結果、成膜エリアの周縁部分と中央部分との間の発光層の膜厚差について、基板上の列状塗布領域内及び列状塗布領域間において発光層の膜厚の均一化を図ることにより、表示パネル１０の発光層１２３の膜厚の不均一性に起因して生じる輝度ムラを改善することができる。

７．変形例
実施の形態では、本実施の形態に係る表示パネル１０を説明したが、本発明は、その本質的な特徴的構成要素を除き、以上の実施の形態に何ら限定を受けるものではない。例えば、各実施の形態に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で各実施の形態における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本発明に含まれる。以下では、そのような形態の一例として、変形例に係るインク乾燥装置を用いた表示パネル１０の製造方法について説明する。

実施の形態１に係るインク乾燥装置９００を用いた表示パネル１０の製造方法では、インク乾燥工程において、均一な密度で複数の貫通孔が開設された整流板が複数の列バンクから所定距離離間した状態でインクが塗布された基板と対向して配される構成とした。しかしながら、整流板の形状は上記に限らず適宜変更してもよい。

インク乾燥装置９００は、基板１００ｘ上の列バンク５２２Ｙから所定距離離間した状態で基板１００ｘに対し対向配置される整流板（不図示）、整流板を列バンク５２２Ｙから所定距離離間させて基板１００ｘに対向させるスペーサ（不図示）とを備えた構成としてもよい。この場合、整流板は、耐溶剤性を有するステンレス、アルミ、銅、鉄等の金属、又はセラミックの板からなり、貫通孔が複数開設されている構成としてもよい。整流板は、昇降手段（不図示）により支持台７００の上方をＺ方向に双方向に移動可能に構成されていることが好ましい。また、スペーサは、支持台７００の外周近傍に複数設けられた金属による支柱状の間隙形成手段であり、昇降手段により整流板が下方に移動し支持台７００に近接したときに、整流板を保持することにより支持台７００と整流板との間隙を所定距離に規制する構成とすることが好ましい。

さらに、変形例では、整流板は、複数の列バンク５２２Ｙと対向する整流板面上の領域を囲繞する周壁を有し、インクを乾燥させる工程において、基板１００ｘの平面視したとき周壁は複数の列バンク５２２Ｙを囲繞している構成としてもよい。

係る構成により、主に上記Ｂの要因を縮小することができ、行列方向における基板中央部と周辺部とのインク溶媒の蒸気濃度分布に伴う溶媒蒸発速度のアンバランスに起因する膜厚変動がより一層解消することができる。

他方、列方向における基板中央部と周辺部とのインク表面張力のアンバランスに起因する膜厚変動についても、変形例は実施例に対し改善すると考えられる。変形例では、基板中央部と周辺部とのインク溶媒の蒸気濃度分布に起因する膜厚変動が減少したことによって、列状塗布領域内でのインク表面張力のアンバランスがさらに減少するためである。

その結果、成膜エリアの周縁部分と中央部分において発光層１２３の膜厚の不均一性に起因して生じる輝度ムラをより一層改善することができる。

≪その他の変形例≫
（１）実施の形態では、表示パネル１０の量産工程において１枚の基板から表示パネル１０を同時に形成する枚数について、枚数を特定した説明は行わなかった。しかしながら、表示パネル１０の量産工程において１枚の基板から複数の表示パネル１０を同時に形成する多面取りを行う場合にも、各表示パネル１０に対するそれぞれの区画領域１０ａが１つの成膜エリアとなることは言うまでもない。多面取りの場合でも隣接する成膜エリア（区画領域１０ａ）が所定の距離以上離間している場合には、各成膜エリアにおいて周縁部分の方が中央部分よりも溶媒蒸気圧が低くなるからである。
（２）上記実施の形態では、図１に示すように、表示パネル１０では、基板１００ｘ上の区画領域１０ａの外縁から所定の区画数だけ、各区画に有機ＥＬ表示素子１００が形成されていない非発光領域１０ｎｅが形成された構成とした。しかしながら、列バンク５２２Ｙの端部５２２Ｙｅまで、基板１００ｘ上の各区画に画素電極層１１９を配設して表示素子配列領域１０ｅとしてもよい。基板上の成膜エリアを有効に活用することができ表示素子配列領域１０ｅを拡大することができコスト削減に資する。
（３）表示パネル１０では、行方向に隣接する列バンク５２２Ｙ間の間隙５２２ｚに配されたサブ画素１００ｓeの発光層１２３が発する光の色は互いに異なる構成とし、列方向に隣接する行バンク１２２Ｘ間の間隙に配されたサブ画素１００ｓeの発光層１２３が発する光の色は同じである構成とした。しかしながら、上記構成において、行方向に隣接するサブ画素１００ｓeの発光層１２３が発する光の色は同じであり、列方向に隣接するサブ画素１００ｓeの発光層１２３が発する光の色が互いに異なる構成としてもよい。また、行列方向の両方において隣接するサブ画素１００ｓeの発光層１２３が発する光の色が互いに異なる構成としてもよい。係る構成によっても、インクの溶媒の蒸気濃度の分布に起因する輝度ムラを改善することができる。

（４）その他
実施の形態に係る表示パネル１０では、画素１００eには、赤色画素、緑色画素、青色画素の３種類があったが、本発明はこれに限られない。例えば、発光層が１種類であってもよいし、発光層が赤、緑、青、黄色に発光する４種類であってもよい。

また、上記実施の形態では、画素１００eが、マトリクス状に並んだ構成であったが、本発明はこれに限られない。例えば、画素領域の間隔を１ピッチとするとき、隣り合う間隙同士で画素領域が列方向に半ピッチずれている構成に対しても効果を有する。高精細化が進む表示パネルにおいて、多少の列方向のずれは視認上判別が難しく、ある程度の幅を持った直線上（あるいは千鳥状）に膜厚むらが並んでも、視認上は帯状となる。したがって、このような場合も輝度むらが上記千鳥状に並ぶことを抑制することで、表示パネルの表示品質を向上できる。

また、表示パネル１０では、すべての間隙５２２ｚに画素電極層１１９が配されていたが、本発明はこの構成に限られない。例えば、バスバーなどを形成するために、画素電極層１１９が形成されない間隙５２２ｚが存在してもよい。

また、上記実施の形態では、画素電極層１１９と対向電極層１２５の間に、ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１、発光層１２３及び電子輸送層１２４が存在する構成であったが、本発明はこれに限られない。例えば、ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１及び電子輸送層１２４を用いずに、画素電極層１１９と対向電極層１２５との間に発光層１２３のみが存在する構成としてもよい。また、例えば、ホール注入層、ホール輸送層、電子輸送層、電子注入層などを備える構成や、これらの複数又は全部を同時に備える構成であってもよい。また、これらの層はすべて有機化合物からなる必要はなく、無機物などで構成されていてもよい。

また、上記実施の形態では、発光層１２３の形成方法としては、印刷法、スピンコート法、インクジェット法などの湿式成膜プロセスを用いる構成であったが、本発明はこれに限られない。例えば、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、イオンプレーティング法、気相成長法等の乾式成膜プロセスを用いることもできる。さらに、各構成部位の材料には、公知の材料を適宜採用することができる。

上記の形態では、ＥＬ素子部の下部にアノードである画素電極層１１９が配され、ＴＦＴのソースに画素電極層１１９を接続する構成を採用したが、ＥＬ素子部の下部に対向電極層、上部にアノードが配された構成を採用することもできる。この場合には、ＴＦＴにおけるドレインに対して、下部に配されたカソードを接続することになる。

さらに、上記実施の形態では、トップエミッション型のＥＬ表示パネルを一例としたが、本発明はこれに限定を受けるものではない。例えば、ボトムエミッション型の表示パネルなどに適用することもできる。その場合には、各構成について、適宜の変更が可能である。

≪補足≫
以上で説明した実施の形態は、いずれも本発明の好ましい一具体例を示すものである。実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、工程、工程の順序などは一例であり、本発明を限定する主旨ではない。また、実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない工程については、より好ましい形態を構成する任意の構成要素として説明される。

また、上記の工程が実行される順序は、本発明を具体的に説明するために例示するためのものであり、上記以外の順序であってもよい。また、上記工程の一部が、他の工程と同時（並列）に実行されてもよい。

また、発明の理解の容易のため、上記各実施の形態で挙げた各図の構成要素の縮尺は実際のものと異なる場合がある。また本発明は上記各実施の形態の記載によって限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。

また、各実施の形態及びその変形例の機能のうち少なくとも一部を組み合わせてもよい。

さらに、本実施の形態に対して当業者が思いつく範囲内の変更を施した各種変形例も本発明に含まれる。

本発明に係る有機ＥＬ表示パネルの製造法、及びそれに用いるインク乾燥装置は、テレビジョンセット、パーソナルコンピュータ、携帯電話などの装置、表示パネルを有する様々な電子機器における表示パネル等の製造に広く利用することができる。また、インク塗布工程を用いて機能層を形成する工程を含む電子デバイスの製造等に広く活用することができる。

１０ 有機ＥＬ表示パネル
１００ 有機ＥＬ素子
１００ｅ 単位画素
１００ｓｅ サブ画素
１００ａ 自己発光領域
１００ｂ 非自己発光領域
１００ｘ 基板（ＴＦＴ基板）
１１９ 画素電極層
１１９ｂ コンタクト領域（コンタクトウインドウ）
１１９ｃ 接続凹部
１２０ ホール注入層
１２１ ホール輸送層
１２２ 絶縁層
１２２Ｘ 行バンク
５２２Ｙ 列バンク
１２３ 発光層
１２４ 電子輸送層
１２５ 対向電極層
１２６ 封止層
１２７ 接合層
１２８ カラーフィルタ層
１３０ 上部基板
１３１ ＣＦ基板
５００ チャンバ
５００ａ 開口
６００ 真空ポンプ
７００ 支持台
８１０ 圧力センサ
８２０ 制御部
９００ インク乾燥装置

Claims (20)

1. 基板上に複数の画素が行列状に配された有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、
   前記基板を準備する工程と、
   前記基板上に行列状に複数の画素電極層を形成する工程と、
   少なくとも前記画素電極層の行方向外縁間に位置する前記基板上方に列方向に延伸して行方向に複数の列バンクを並設する工程と、
   行方向に隣接する前記列バンク間の間隙それぞれに、前記列バンクの列方向端部間にわたり列方向に連続して有機機能材料を含む溶質と２種類以上の溶媒とを含むインクを塗布する工程と、
   前記基板を含む雰囲気から気体を排気する工程と、
   前記雰囲気の圧力が所定圧力以下の状態に前記基板を置くことにより前記インクを乾燥させて有機機能層を形成する工程と、
   前記有機機能層上方に透光性の対向電極層を形成する工程とを含み、
   前記気体を排気する工程は、
   前記雰囲気の圧力を、標準大気圧から前記複数の溶媒それぞれの蒸気圧中、最大の蒸気圧よりも高い第１の圧力まで減圧する第1の期間と、
   前記第1の期間の後に、前記雰囲気の圧力を、前記複数の溶媒それぞれの蒸気圧中、最小の蒸気圧よりも低い第２の圧力まで減圧する第２の期間とを含み、
   前記雰囲気の圧力を１０^XＰａ（Ｘは実数）と表したとき、前記第２の期間における単位時間当たりのＸの値の変化量の平均値は、前記第１の期間における単位時間当たりのＸの値の変化量の平均値よりも絶対値が大きい
   有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
2. 前記第1の期間は、前記雰囲気の圧力の減少を開始した後、３０秒以上３００秒以下の時間である
   請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
3. 前記第２の期間は、前記第1の期間の終了から３０秒以上１２０秒以下の時間である
   請求項１又は２に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
4. 前記第１の圧力は、１×１０⁴Ｐａ以上３×１０⁴Ｐａ以下の範囲から選択される圧力である
   請求項１から３の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
5. 前記第２の圧力は、１０Ｐａである
   請求項１から４の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
6. 前記第２の期間は、前記第1の期間の終了から６０秒以下の時間である
   請求項３に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
7. 前記気体を排気する工程は、
   前記第２の期間の後に、Ｘが０となる第３の圧力以下に前記雰囲気の圧力を減少する第３の期間をさらに含む
   請求項４から６の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
8. 前記所定の圧力は前記第３の圧力以下の圧力であり、
   前記インクを乾燥させる工程では、前記第２の期間の後に、前記所定の圧力下に前記基板を置く
   請求項７に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
9. 前記インクを乾燥させる工程では、前記所定の圧力下に置いた状態で前記基板を加熱する
   請求項８に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
10. 前記インクを乾燥させる工程では、前記所定の圧力下に前記基板を置いた後、前記基板を大気圧下に置いた状態で前記基板を加熱する
    請求項８に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
11. 前記第1の期間及び前記第２の期間における前記雰囲気の圧力の減少は単調減少である
    請求項１から１０の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
12. 基板上に並設された複数の列バンクにおける、行方向に隣接する列バンク間の間隙それぞれに前記列バンクの列方向端部間にわたり列方向に連続して塗布された溶質と２種類以上の溶媒とを含むインクの乾燥に用いるインク乾燥装置であって、
    前記インクが塗布された基板が設置されるチャンバと、
    前記チャンバ内において前記基板が載置される支持台と、
    前記チャンバ内の気体を排気する手段とを備え、
    前記気体を排気する手段する手段は、
    前記チャンバ内の圧力を、標準大気圧から前記複数の溶媒それぞれの蒸気圧中、最大の蒸気圧よりも高い第１の圧力まで減少する第1の期間と、
    前記第1の期間の後に、前記チャンバ内の圧力を、前記複数の溶媒それぞれの蒸気圧中、最小の蒸気圧よりも低い第２の圧力まで減少する第２の期間とを含むプロファイルで制御し、
    前記チャンバ内の圧力を１０^XＰａ（Ｘは実数）としたとき、前記第２の期間における単位時間当たりのＸの値の変化量の平均値は、前記第１の期間における単位時間当たりのＸの値の変化量の平均値よりも絶対値が大きい
    インク乾燥装置。
13. 前記第1の期間は、前記チャンバ内の圧力の減少を開始した後、３０秒以上３００秒以下の時間である
    請求項１２に記載のインク乾燥装置。
14. 前記第２の期間は、前記第1の期間の終了から３０秒以上１２０秒以下の時間である
    請求項１２又は１３に記載のインク乾燥装置。
15. 前記第１の圧力は、１×１０⁴Ｐａ以上３×１０⁴Ｐａ以下の範囲から選択される圧力である
    請求項１２から１４の何れか１項に記載のインク乾燥装置。
16. 前記第２の圧力は、１０Ｐａである
    請求項１２から１５の何れか１項に記載のインク乾燥装置。
17. 前記第２の期間は、前記第1の期間の終了から６０秒以下の時間である
    請求項１４に記載のインク乾燥装置。
18. 前記圧力プロファイルは、
    前記第２の期間の後に、Ｘが０となる第３の圧力以下に前記チャンバ内の圧力を減少する第３の期間をさらに含む
    請求項１５から１７の何れか１項に記載のインク乾燥装置。
19. さらに、前記基板を加熱する加熱手段を備え、当該加熱手段は、前記第２の期間の後に、前記第３の圧力以下である所定の圧力下に置いた状態て前記基板を加熱する
    請求項１８に記載のインク乾燥装置。
20. 前記第1の期間及び前記第２の期間における前記チャンバ内の圧力の減少は単調減少である
    請求項１２から１７の何れか１項に記載のインク乾燥装置。
    

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