JP2015144051A - 発光装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】有機薄膜層を均一な膜厚で形成することのできる表示装置の製造方法を提供することにある。
【解決手段】基板と、この基板上において予め設定される区画を画成する隔壁と、この隔壁によって画成される区画にそれぞれ設けられる複数の有機ＥＬ素子とを含む発光装置の製造方法であって、有機薄膜層を形成する工程では、当該有機薄膜層となる薄膜材料と、１種類以上の溶媒とを含む塗布液を、前記隔壁によって画成される区画に供給し、第１の乾燥工程と、第２の乾燥工程とによって前記塗布液を少なくとも２回に分けて乾燥することによって前記有機薄膜層を形成し、前記第１の乾燥工程では、第1の乾燥工程後の前記塗布液の液体成分の量が重量で５０未満とならない範囲で、前記塗布液を乾燥し、前記第２の乾燥工程では、前記第１の乾燥工程よりも減圧条件で前記塗布液の液体成分の残留分を乾燥する、発光装置の製造方法。
【選択図】図１

Description

本発明は発光装置の製造方法に関する。

有機ＥＬ（Electro Luminescence）素子を光源とする発光装置がある。このような発光装置として、たとえば画素の光源に有機ＥＬ素子を用いた表示装置がある。

光源に用いられる有機ＥＬ素子は、第１の電極、一または複数の有機薄膜層、第２の電極をこの順で積層することにより形成される。

上記の有機薄膜層は塗布法を用いて形成することができる。すなわち有機薄膜層は、有機薄膜層となる材料を含む塗布液を所定の塗布法によって第１の電極上に塗布し、これを乾燥することによって形成される。

塗布法によって有機薄膜層を形成すると、１層の有機薄膜層において、その中央部の膜厚が周縁部よりも厚くなったり、逆に、中央部の膜厚が周縁部よりも薄くなったりすることがある。以下、１つの有機ＥＬ素子に着目したときの当該１つの有機ＥＬ素子における有機薄膜層の膜厚のばらつきを「セル内ばらつき」ということがある。セル内ばらつきが生じると、膜厚の薄い箇所に電流が集中的に流れることにより、当該部分が膜厚の厚い箇所よりも明るくなったり、また、他の箇所よりも早期に劣化したり、ショートを起こしたりすることがある。そのため、有機ＥＬ素子における有機薄膜層は、中央部から端部にわたって均一な膜厚で形成することが好ましい。

そこで、下記の特許文献１に記載の技術では、塗布液の乾燥を所定の条件で２回に分けておこなっている。

特開２０１２−２８１８０号公報

上述の従来の技術では、有機薄膜層の平坦化が必ずしも十分とはいえなかった。したがって本発明の目的は、有機薄膜層を均一な膜厚で形成することのできる表示装置の製造方法を提供することにある。

本発明は、基板と、この基板上において予め設定される区画を画成する隔壁と、この隔壁によって画成される区画にそれぞれ設けられる複数の有機ＥＬ素子とを含む発光装置の製造方法であって、
各有機ＥＬ素子は、第１電極、有機薄膜層、第２電極が、前記基板側からこの順で積層されて構成され、
前記有機薄膜層を形成する工程では、当該有機薄膜層となる薄膜材料と、１種類以上の溶媒とを含む塗布液を、前記隔壁によって画成される区画に供給し、第１の乾燥工程と、第２の乾燥工程とによって前記塗布液を少なくとも２回に分けて乾燥することによって前記有機薄膜層を形成し、
前記第１の乾燥工程では、当該第１の乾燥工程開始前の前記塗布液の液体成分の量を１００としたときに、第1の乾燥工程後の前記塗布液の液体成分の量が重量で５０未満とならない範囲で、前記塗布液を乾燥し、
前記第２の乾燥工程では、前記第１の乾燥工程よりも減圧条件で前記塗布液の液体成分の残留分を乾燥する、発光装置の製造方法。

また本発明は、前記１種類以上の溶媒は、沸点ＢＰ１が１００℃〜２７０℃の第１の溶媒と、沸点ＢＰ２が１００℃〜２００℃の第２の溶媒とを含み、ＢＰ１とＢＰ２とが下記式を満たす、
０＜ＢＰ１−ＢＰ２≦１００
前記発光装置の製造方法に関する。

また本発明は、前記塗布液を前記区画に供給する工程では、前記１種類以上の溶媒の蒸気の雰囲気中において、前記塗布液を前記区画に供給する、前記発光装置の製造方法に関する。

また本発明は、前記第１および第２の乾燥工程では、前記基板を保持するステージの温度を５℃〜２５℃の範囲に設定し、乾燥を行う、前記発光装置の製造方法に関する。

また本発明は、前記第１および第２の乾燥工程は、一部が多孔質板から構成されている中空の囲い部材の中に前記基板を配置した状態で行われる、前記発光装置の製造方法に関する。

本発明によれば、表示装置における有機薄膜層を均一な膜厚で形成することができる。

本実施形態の表示装置１の一部を拡大して模式的に示す断面図である。 本実施形態の表示装置１の一部を拡大して模式的に示す平面図である。 薄膜形成装置１１を模式的に示す図である。 乾燥防止手段１５を模式的に示す図である。 乾燥部１３内の圧力と時間変化との関係を示す図である。

本発明は、基板と、この基板上において予め設定される区画を画成する隔壁と、この隔壁によって画成される区画にそれぞれ設けられる複数の有機ＥＬ素子とを含む発光装置の製造方法に関する。

各有機ＥＬ素子は、第１電極、有機薄膜層、第２電極が、前記基板側からこの順で積層されて構成される。

前記有機薄膜層を形成する工程では、当該有機薄膜層となる薄膜材料と、１種類以上の溶媒とを含む塗布液を、前記隔壁によって画成される区画に供給し、第１の乾燥工程と、第２の乾燥工程とによって前記塗布液を少なくとも２回に分けて乾燥することによって前記有機薄膜層を形成する。

前記第１の乾燥工程では、当該第１の乾燥工程開始前の前記塗布液の液体成分の量を１００としたときに、第1の乾燥工程後の前記塗布液の液体成分の量が重量で５０未満とならない範囲で、前記塗布液を乾燥する。

前記第２の乾燥工程では、前記第１の乾燥工程よりも減圧条件で前記塗布液の液体成分の残留分を乾燥する。

本実施形態の発光装置には、前記複数の有機ＥＬ素子を所定のピッチで配置するための隔壁が設けられる。当該隔壁は、基板上において予め設定される区画を画成する。上記有機ＥＬ素子は、隔壁によって画成される区画にそれぞれ設けられる。

複数の有機ＥＬ素子は、基板上において二次元的に所定のピッチで配置される。たとえば、基板上には、当該基板表面に平行な第１の軸方向と第２の軸方向が設定される。第１の軸方向と第２の軸方向とは非平行に設定される。各有機ＥＬ素子は、第１の軸方向には第１のピッチで配置されるとともに、第２の軸方向には第２のピッチで配置されており、２次元的に整列して配置されている。第１のピッチと第２のピッチとは、同じであっても、異なっていてもよい。なお第１のピッチＰ１とは、第１の軸方向に沿って隣り合う２つの有機ＥＬ素子の第１の軸方向の中心間の距離を意味し、第２のピッチＰ２とは、第２の軸方向に沿って隣り合う２つの有機ＥＬ素子の第２の軸方向の中心間の距離を意味する。第１の軸方向と第２の軸方向とは、非平行であればよく、本実施の形態では垂直に設定される。

本発明の発光装置はたとえば、表示装置や照明装置として利用される。表示装置には主にアクティブマトリクス駆動型の装置と、パッシブマトリクス駆動型の装置とがある。本発明は両方の型の表示装置に適用可能であるが、本実施形態では一例としてアクティブマトリクス駆動型の表示装置に適用される表示装置について説明する。

＜表示装置の構成＞
まず表示装置１の構成について説明する。図１は本実施形態の表示装置１の一部を拡大して模式的に示す断面図である。図２は本実施形態の表示装置１の一部を拡大して模式的に示す平面図である。表示装置１は主に、基板２と、この基板２上において予め設定される区画を画成する隔壁３と、隔壁３によって画成される区画に設けられる複数の有機ＥＬ素子４とを含んで構成される。

本実施の形態では、上述したように、第１の軸方向Ｘと第２の軸方向Ｙとは、基板に平行な方向（すなわち基板の厚み方向Ｚに垂直な方向）であって、かつ、互いに垂直な方向に設定される。

隔壁３は基板２上においてたとえば格子状またはストライプ状に形成される。なお図２では実施の一形態として格子状の隔壁３が設けられた表示装置１を示している。図２中、ハッチングが施された領域が隔壁３に相当する。

基板２上には、隔壁３と基板２とによって規定される複数の凹部５が設定される。この凹部５が、隔壁３によって画成される区画に相当する。

本実施形態の隔壁３は格子状に設けられる。そのため基板２の厚み方向Ｚの一方から見て（以下、「平面視で」ということがある。）、複数の凹部５がマトリクス状に配置されている。すなわち凹部５は第１の軸方向Ｘに第１のピッチＰ１で配置されるとともに、第２の軸方向Ｙに第２のピッチＰ２で配置されている。各凹部５の平面視における形状はとくに限定されない。たとえば凹部５は、平面視で略矩形状や略楕円状に形成される。本実施形態では平面視で略矩形状の凹部５が設けられている。

本実施形態の隔壁３は、隔壁３の側面と基板２との成す角が鋭角に設定される、いわゆる順テーパ形状の隔壁である。すなわち凹部５に臨む隔壁３の端部は、基板２に近接するほど先細状に形成されている。たとえば図１に示すように、第２の軸方向Ｙに延在する隔壁３を、その延在方向（第２の軸方向Ｙ）に垂直な平面で切断したときの断面の形状は、基板２に近接するほど先細状に形成されている。なお他の実施形態の隔壁として、隔壁の側面と基板との成す角が鈍角に設定される、いわゆる逆テーパ形状の隔壁を用いてもよい。

隔壁３は、本実施形態では主に有機ＥＬ素子１が設けられる領域を除く領域に設けられる。なお隔壁３は、主に第１の電極６が設けられる領域を除く領域に設けられるが、その端部３ａが、第１の電極６に重なるように、第１の電極６の周縁部上にも形成される。なお隔壁３は、その端部３ａが、第１の電極６の全ての周縁部を覆うように形成する必要はない。たとえばいわゆるストライプ状の隔壁３を形成する場合には、第１の電極６の４辺のうちの対向する２辺を隔壁の端部が覆うように隔壁を形成してもよい。本実施形態では隔壁３の端部３ａは、第１の電極６の全ての周縁部を覆うように形成される。

なお他の実施形態として、隔壁と基板との間に、第１の電極上に開口を有する絶縁膜をさらに設けてもよい。

有機ＥＬ素子４は隔壁３によって画成される区画（すなわち凹部５）に設けられる。本実施形態のように格子状の隔壁３が設けられる場合、各有機ＥＬ素子４はそれぞれ各凹部５に設けられる。そのため有機ＥＬ素子４は、各凹部５と同様にマトリクス状に配置される。すなわち有機ＥＬ素子１は、基板２上において、第１の軸方向Ｘに第１のピッチＰ１で配置されるとともに、第２の軸方向Ｙに第２のピッチＰ２で整列して設けられている。

本実施形態では３種類の有機ＥＬ素子４が設けられる。すなわち（１）赤色の光を出射する赤色有機ＥＬ素子４Ｒ、（２）緑色の光を出射する緑色有機ＥＬ素子４Ｇ、（３）青色の光を出射する青色有機ＥＬ素子４Ｂが設けられる。これら３種類の有機ＥＬ素子４Ｒ，４Ｇ，４Ｂは、たとえば以下の（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）の行を、第２の軸方向Ｙにこの順で繰り返し配置することによって、それぞれ整列して配置される（図２参照）。
（Ｉ）赤色有機ＥＬ素子４Ｒが第１の軸方向Ｘに第１のピッチＰ１で配置される行。
（ＩＩ）緑色有機ＥＬ素子４Ｇが第１の軸方向Ｘに第１のピッチＰ１で配置される行。
（ＩＩＩ）青色有機ＥＬ素子４Ｂが第１の軸方向Ｘに第１のピッチＰ１で配置される行。

なお他の実施形態として、上記３種類の有機ＥＬ素子に加えて、たとえば白色の光を出射する有機ＥＬ素子がさらに設けられてもよい。また１種類のみの有機ＥＬ素子を設けることによって、モノクロ表示装置を実現してもよい。

有機ＥＬ素子４は、第１の電極、１または複数の有機薄膜層、第２の電極が、基板２側からこの順で積層されて構成される。本明細書では第１の電極６と第２の電極１０との間に設けられる層のうち、有機物を含む層を有機薄膜層という。有機ＥＬ素子４は有機薄膜層として少なくとも１層の発光層を備える。なお有機ＥＬ素子は、１層の発光層に加えて、必要に応じて発光層とは異なる有機薄膜層や無機層をさらに備えることもある。たとえば第１の電極６と第２の電極１０との間には、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、電子輸送層、電子注入層などが設けられる。また第１の電極６と第２の電極１０との間には２層以上の発光層が設けられることもある。

有機ＥＬ素子４は、陽極および陰極からなる一対の電極として、第１の電極６と第２の電極１０とを備える。第１の電極６および第２の電極１０のうちの一方の電極は陽極として設けられ、他方の電極は陰極として設けられる。

本実施形態では一例として、陽極として機能する第１の電極６、正孔注入層として機能する第１の有機薄膜層７、発光層として機能する第２の有機薄膜層９、陰極として機能する第２の電極１０がこの順で基板２上に積層されて構成される有機ＥＬ素子４について説明する。

本実施形態では３種類の有機ＥＬ素子が設けられるが、これらは第２の有機薄膜層（本実施形態では発光層）９の構成がそれぞれ異なる。赤色有機ＥＬ素子４Ｒは赤色の光を放射する赤色発光層９を備え、緑色有機ＥＬ素子４Ｇは緑色の光を放射する緑色発光層９を備え、青色有機ＥＬ素子４Ｂは青色の光を放射する青色発光層９を備える。

本実施形態では第１の電極６は有機ＥＬ素子４ごとに設けられる。すなわち有機ＥＬ素子４と同じ数の第１の電極６が基板２上に設けられる。第１の電極６は有機ＥＬ素子４の配置に対応して設けられ、有機ＥＬ素子４と同様にマトリクス状に配置される。なお本実施形態の隔壁３は、主に第１の電極６を除く領域に格子状に形成されるが、さらにその端部３ａが第１の電極６の周縁部を覆うように形成されている（図１参照）。

正孔注入層に相当する第１の有機薄膜層７は、凹部５において第１の電極６上にそれぞれ設けられる。この第１の有機薄膜層７は、必要に応じて、有機ＥＬ素子の種類ごとにその材料または膜厚を異ならせて設けられる。なお第１の有機薄膜層７の形成工程の簡易さの観点から、同じ材料、同じ膜厚で全ての第１の有機薄膜層７を形成してもよい。さらには、マイクロキャビティ構造の有機ＥＬ素子を形成する場合、光共振が生じるように、発光波長に応じて第１の有機薄膜層７の膜厚を有機ＥＬ素子の種類ごとに調整してもよい。

発光層として機能する第２の有機薄膜層９は、凹部５において第１の有機薄膜層７上に設けられる。上述したように発光層は有機ＥＬ素子の種類に応じて設けられる。そのため赤色発光層９は赤色有機ＥＬ素子４Ｒが設けられる凹部５に設けられ、緑色発光層９は緑色有機ＥＬ素子４Ｇが設けられる凹部５に設けられ、青色発光層９は青色有機ＥＬ素子４Ｂが設けられる凹部５に設けられる。

第２の電極は有機薄膜層上に設けられるが、本明細書では、層「上」に設けられるとは、下層に接して設けられる形態と、下層とは離間して設けられる形態をとりうる。たとえば有機薄膜層と、この上に設けられる第２の電極との間には、所定の無機層が設けられていてもよい。

本実施形態では第２の電極１０は有機ＥＬ素子４が設けられる表示領域において全面に形成される。すなわち第２の電極１０は、第２の有機薄膜層９上だけでなく、隔壁３上にも形成され、複数の有機ＥＬ素子にわたって連続して形成され、全ての有機ＥＬ素子４に共通の電極として設けられる。

＜表示装置の製造方法＞
以下、図３、図４を参照しつつ、表示装置の製造方法について説明する。

（基板を用意する工程）
本工程では、隔壁３と第１の電極６がその上に設けられた基板２を用意する。なお本工程では、あらかじめ隔壁３および第１の電極６が設けられた基板を用意してもよく、また本工程において隔壁３および第１の電極６を形成することにより、隔壁３および第１の電極６の設けられた基板２を用意してもよい。なおアクティブマトリクス型の表示装置の場合、複数の有機ＥＬ素子を個別に駆動するための回路が予め形成された基板を、本実施形態の基板２として用いることもできる。たとえばＴＦＴ（Thin Film Transistor）やキャパシタなどがあらかじめ形成された基板を本実施形態の基板２として用いてもよい。

本実施形態ではまず基板２上に複数の第１の電極６をマトリクス状に形成する。第１の電極６は、たとえば基板２上の一面に導電性薄膜を形成し、これをフォトリソグラフィ法によってマトリクス状にパターニングすることによりパターン形成される。またたとえば所定の部位に開口が形成されたマスクを基板２上に配置し、このマスクを介して基板２上の所定の部位に導電性材料を選択的に堆積することにより第１の電極６をパターン形成してもよい。第１の電極６の材料については後述する。

本工程ではフォトリソグラフィ法によって隔壁をパターン形成する。本実施形態ではまず感光性樹脂組成物を前記基板２上に塗布し、隔壁形成用膜を形成する。前記感光性樹脂組成物の塗布方法としては、たとえばスピンコート法やスリットコート法などをあげることができる。

感光性樹脂組成物としては、フェノール樹脂、ノボラック樹脂、メラミン樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ノボラック樹脂、ポリヒドロキシスチレン、アクリル樹脂、メタアクリル樹脂、ポリイミドなどを含む組成物を用いることができる。

隔壁３の形状およびその配置は、画素数および解像度などの表示装置の仕様や製造の容易さなどに応じて適宜設定される。たとえば隔壁３の第１の軸方向Ｘまたは第２の軸方向Ｙの幅は、５μｍ〜１００μｍ程度であり、隔壁３の高さは０．１μｍ〜５μｍ程度であり、第１の軸方向Ｘまたは第２の軸方向Ｙに隣り合う隔壁３間の間隔、すなわち凹部５の第１の軸方向Ｘまたは第２の軸方向Ｙの幅は、１０μｍ〜５００μｍ程度である。また第１の電極６の第１の軸方向Ｘまたは第２の軸方向Ｙの幅はそれぞれ１０μｍ〜５００μｍ程度である。

（第１の有機薄膜層を形成する工程）
以下、図３を参照して、第１の有機薄膜層７を形成する方法について説明する。図３は、有機薄膜層を形成するための装置１１（以下、薄膜形成装置１１という）を模式的に示す図である。本実施形態では薄膜形成装置１１を用いて、第１の有機薄膜層７を形成する。

薄膜形成装置１１は、主に、塗布液を塗布する塗布部１２と、薄膜を乾燥する乾燥部１３とから構成される。

塗布部１２において、各有機薄膜層となる材料を含む塗布液が、隔壁３に囲まれた領域（凹部５）に供給され、つぎに、塗布液の塗布された基板が乾燥部１３に移送され、乾燥部１３において、塗布液の乾燥が行われ、有機薄膜層が形成される。

塗布部１２は所定の塗布装置を備える。所定の塗布装置としてはインクジェットプリント装置、ノズルコート装置、凸版印刷装置、スリットダイコータ等が挙げられる。なお本実施形態では、発光層の形成において塗布液の塗り分けが必要になるため、塗布部１２は、パターン塗布が可能な塗布装置を備える必要がある。そのような装置として、本実施形態では塗布部１２はインクジェットプリント装置を備える。

本実施形態のインクジェットプリント装置は、水平方向に移動可能な第１のステージ１４を備える。本実施形態では、基板２は、第１のステージ１４に保持され、この第１のステージ１４が移動することによって、水平方向に移動する。第１のステージ１４の上方には、所定の量の塗布液を所定の時間間隔で滴下するインクジェットヘッド２１が設けられる。インクジェットヘッド２１から塗布液を滴下しつつ、第１のステージ１４を移動することにより、基板２上の所定の凹部５に塗布液を供給することができる。

塗布部１２では、インクジェットプリント装置によって、第１の有機薄膜層となる材料を含む塗布液が、隔壁３に囲まれた領域（凹部５）に供給される。本実施形態では、全ての有機ＥＬ素子に対して、同じ材料を用いて第１の有機薄膜層７を形成するため、同じ塗布液を全ての凹部５に供給する。

本実施形態では、有機薄膜層（本実施形態における正孔注入層）となる薄膜材料（本実施形態における正孔注入材料）と、１種類以上の溶媒とを含む塗布液を、前記隔壁によって画成される区画に供給する。なお本明細書における塗布液は薄膜材料が完全に溶解していることが好ましいが、薄膜材料の一部が溶解していない態様も許容する。

この１種類以上の溶媒は、薄膜材料の溶解性等にかんがみて適宜選択されるが、沸点ＢＰ１が１００℃〜２７０℃の第１の溶媒と、沸点ＢＰ２が１００℃〜２００℃の第２の溶媒とを含み、ＢＰ１とＢＰ２とが下記式を満たすことが好ましい。

０＜ＢＰ１−ＢＰ２≦１００
第１の溶媒としては、上記の関係を満たし、かつ薄膜材料を溶解する溶媒であればとくに制限はなく、少なくとも一つ以上の置換基を有するベンゼン環を有する溶媒が好ましい。ここで置換基としては、C１〜C１０アルキル基、C１〜C１０アルコキシ基、およびカルボキシル基、C１〜C３アルキルカルボキシエステル基、ハロゲノ基が例示され、例えばシクロヘキシルベンゼン、ドデシルベンゼン、ジエチルベンゼン、ペンチルベンゼン、ジペンチルベンゼン、テトラリン等が挙げられ、これらの中でもシクロヘキシルベンゼンが好ましい。

第２の溶媒としては、上記の関係を満たし、かつ薄膜材料を溶解する溶媒であればとくに制限はなく、少なくとも一つ以上の置換基を有するベンゼン環を有する溶媒が好ましい。置換基としては、C１〜C１０アルキル基、C１〜C１０アルコキシ基、およびまたはカルボキシル基、C１〜C３アルキルカルボキシエステル基、ハロゲノ基が例示され、例えばクメン、シメン、デカリン、ジエチルベンゼン、トリメチルベンゼン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン、ブチルベンゼン、４-メチルアニソール等が挙げられ、これらの中でも４-メチルアニソールが好ましい。

このように第１の溶媒と第２の溶媒とを含むことにより、塗布液の蒸気圧をさげることができ、乾燥にかかる蒸発時間を短縮することができる。

本実施形態では、塗布部１２は乾燥防止手段１５を備えることが好ましい。たとえば乾燥防止手段１５によって塗布液の液体成分を気化させつつ、塗布液を塗布することが好ましい。すなわち基板２雰囲気を、塗布液の液体成分を気化した雰囲気とした状態で、塗布液を塗布することが好ましい。このような雰囲気中において塗布液を塗布することにより、塗布工程中における塗布膜の乾燥を抑制することができる。このように塗布液の乾燥を抑制することで、インクの塗布において初期に塗布されたインクが、インクの塗り終わるまでに乾燥することを抑制することができ、乾燥工程開始時における各凹部におけるインクの蒸発量のばらつきを抑制することができる。

乾燥を防止する方法としては、塗布液の液体成分を含ませた含浸部材を塗布部１２の室内に配置し、当該含浸部材から塗布液の液体成分を気化させたり、塗布部１２の室内に、超音波等を利用した気化装置によって塗布液の液体成分を気化させたり、基板ステージ１４を雰囲気よりも低い温度で制御し基板上に塗布した塗布液の蒸気圧を下げたり、インクジェットヘッドから吐出するインクを低温に制御し蒸気圧を下げたりしてもよい。

図４は、本実施形態の乾燥防止手段１５を模式的に示す図である。乾燥防止手段１５は、第１の基板１６と、塗布液の液体成分を含ませた含浸部材１７と、第２の基板１８とを含んで構成される。含浸部材１７は、第１の基板１６と第２の基板１８とによって挟持される。

第１の基板１６および第２の基板１８のうちの少なくとも一方には多数の開口が形成されている。含浸部材１７から気化する気体は、第１の基板１６または第２の基板１８に形成された開口を通って塗布部１２の室内へ拡散する。

第１の基板１６および第２の基板１８には、金属板、ガラス板などを用いることができる。含浸部材１７には、不織布、などを用いることができる。

含浸部材１７には、塗布液の液体成分を含浸させることが好ましい。仮に、塗布液の液体成分と異なる溶液を使用した場合、凹部に供給された塗布液に、塗布液の液体成分と異なる溶液が付着し、塗布液内の固体成分が凝集したり、有機薄膜層の表面に凹凸が形成されたりするなどして、表示欠陥や信頼性に影響を及ぼすことがあるためである。塗布液の液体成分が複数種類の溶媒を含む場合、その全てを含浸部材１７に含ませてもよいが、複数種類の溶媒のうちで最も沸点が低い溶媒を含浸部材１７に含ませることが好ましい。沸点が低い溶媒を含浸部材１７に含浸させることにより、液体成分の気化量が多くなるからである。

乾燥防止手段１５はたとえば基板２に対向させて配置することが好ましい。その際、第１の基板１６および第２の基板１８のうちで、多数の開口が形成された一方の基板（図４では、第２の基板１８）を基板２側に配置させることが好ましい。乾燥防止手段１５と基板２とは近接して配置することが好ましい。乾燥防止手段１５と基板２との間隔は、０．５ｍｍ〜５０mmが好ましく、１ｍｍ〜１０ｍｍ程度がさらに好ましく、３ｍｍ〜５ｍｍ程度がさらに好ましい。乾燥手段１５は、塗布液を塗布する際に、基板２上を覆う程度の大きさ以上に設定される。本実施形態では、基板２を移動させつつ塗布液を塗布するので、乾燥手段１５は、鉛直方向の上方からみて、塗布液を塗布する際に基板２が移動する全範囲を覆う領域全てに設けられることが好ましい。

乾燥防止手段を用いることで、塗布液の塗布を開始してから、塗布液の塗布が終了し、基板を取り出し、乾燥工程に搬送するまでに塗布液の一部が乾燥することを抑制できる。

塗布液を基板上に塗布した後は可及的速やかに乾燥部１３へ移送することが好ましい。塗布液の塗布が完了してから、乾燥部１３に搬送されるまでの時間は、３００秒以内が好ましく、９０秒以内がさらに好ましい。

つぎに、基板２を乾燥部１３に移送する。基板２を乾燥部１３に移送するための搬送手段としては、ロボットアーム、搬送コンベアなどを挙げることができる。

乾燥部１３には囲み部材３４が設けられる。塗布液が塗布された基板２は囲み部材３４内に配置される。乾燥工程は当該囲み部材３４内において行われる。

囲み部材３４は、多孔質板２４を含んで構成される。本実施形態では、囲み部材３４は、基板２が載置される第２のステージ２３と、当該第２のステージ２３に対向して配置される多孔質板２４と、多孔質板２４を保持する多孔質板保持部とを含んで構成される。多孔質板保持部は、枠体２５と、当該枠体２５とともに多孔質板２４を係止する係止部材２６とを含んで構成される。

枠体２５は、Oリング２７を介して第２のステージ２３上に配置される。枠体２５は、上方からみて、多孔質板２４の外周部に重なるように、枠状に配置される。多孔質板２４は、その外周部が枠体２５に重なるように、枠体２５上に配置される。この多孔質板２４は、その外周部が枠体２５と係止部材２６とに挟持されることにより、多孔質板保持部に保持される。

乾燥部１３は第２のステージ２３の温度を調整する温度調整手段を備えることが好ましい。温度調整手段は、チラー、ピエゾー素子、またはヒーターなどによって実現できる。

本実施形態では、チラーを含む温度調整手段によって第２のステージ２３の温度を調整する。本実施形態では、第２のステージ２３中に液体の流れる管路を形成し、この管路に所定の温度に調整された液体を循環させることにより第２のステージ２３の温度を調整する。図３に示す本実施形態の乾燥部１３では、乾燥部１３の室外にステージ循環水用のチラー３１を設け、当該チラー３１とステージ内の管路とが循環水用配管３３で接続されており、チラー３１によって循環する水によって第２のステージ２３の温度を調整している。

本実施形態では、好ましい形態として、乾燥部１３は減圧手段を備える。減圧手段は、たとえば乾燥部１３の室外に設けられる。減圧手段は、ポンプ２８と、当該ポンプ２８と乾燥部１３の室内とを連通する排気配管２９とを含んで構成される。

排気配管２９の一端は、多孔質板２４の上部に設けられる吸気口に連通するように配置される。また排気配管２９には、開閉バルブ３０が設けられる。この開閉バルブ３０によって減圧速度を調整することができる。

排気を駆動するポンプ２８としては、ドライポンプ、ダイヤフラムポンプ、スクロールポンプ、ターボ分子ホンプ、クライオポンプ、油回転ポンプ等を用いることができる。なおポンプを駆動すると、乾燥部１３の室内に不純物が拡散されることがあるが、ポンプとしては、不純物の拡散量を抑制することが可能なポンプが好ましく、ドライポンプ、スクロールポンプが好ましい。

このポンプ２８を駆動することによって、乾燥部１３の室内を減圧雰囲気とすることができる。乾燥部１３内の室内を減圧雰囲気にすることにより、多孔質板２４を介して囲み部材３４の内部を吸気することができる。

多孔質板２４の空隙の平均の大きさは、前記所定のピッチよりも小さい方が好ましい。すなわち、多孔質板２４の空隙の平均の大きさは、第１のピッチＰ１および第２のピッチＰ２のうちの小さい方のピッチよりも小さい方が好ましい。

多孔質板２４の空隙の平均の大きさは、空隙の平均直径を意味する。たとえば多孔質板２４を平板状に切り出した多孔質板を用いて、ＪＩＳ Ｚ ８８３１−２に記載の方法により測定できる。

多孔質板２４の空隙率は、３５％〜６０％が好ましく、４５〜５０％がさらに好ましい。多孔質板の空隙率は、株式会社島津製作所製自動ポロシメータオートポアＩＶ９５２０によって測定することができる。

また多孔質板２４の空隙の平均の大きさは、第１のピッチＰ１および第２のピッチＰ２のうちの小さい方のピッチよりも小さい方が好ましいが、具体的な数値としては、１０μｍ〜８０μｍが好ましく、４０μｍ〜６０μｍがより好ましい。

多孔質板２４と基板２との間隔は、離間しすぎると多孔質板２４を配置したことによる整流効果が小さくなるため、０．５ｍｍ〜５０mmが好ましく、５ｍｍ〜３０ｍｍがさらに好ましく、５ｍｍ〜１０ｍｍがさらに好ましい。

多孔質板２４は、たとえば高分子ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタアクリレート、ポリスチレン、エチレン酢酸ビニル、フッ素樹脂、ゼオライト、メソポーラスシリカ、活性炭、セラミック、から構成され、市販品を用いることもできる。多孔質板２４としては、たとえばプラスチック焼結多孔質体、セラミック焼結多孔質体等を使用することができる。

多孔質板２４としては、これらのなかでも有機物から構成されるものが好ましい。金属製の多孔質板は耐溶剤性に弱く軽量化が困難であり、またセラミック製の多孔質板は耐薬品性は優れるが、成型加工性、耐衝撃性に弱いため、耐溶剤性、成型加工性、軽量性、耐衝撃性に優れ、均一質な空隙を形成することができる有機物から構成される多孔質板が好ましい。

このような小さな空隙を有する多孔質板２４を含む囲み部材３４を用いることにより、多孔質板２４からの気体の流入および流出が抑制されるため、基板２は密閉状態に近い状態となる。

また塗布液から蒸発した気体は、排気口側に拡散するが、ピッチよりも小さい径の空孔をもつ多孔質板を用いるため、塗布液から蒸発した気体は、多孔質板２４に流入する際に、対流が発生しにくくなる。したがって、基板上で、基板に垂直な方向における、塗布液から蒸発した気体の濃度勾配は、移流拡散方程式において、対流項をほぼ０とみなすことができ、拡散項のみで表されると考えられる。このため基板上の塗布液の蒸発量は拡散係数に比例し、乾燥時間と蒸発量は比例関係となるものと推測される。

以下に移流体拡散方程式を示す。

本実施形態では、塗布液を第１の乾燥工程と第２の乾燥工程との２つのステップにわけて乾燥する。

第１の乾燥工程では、当該第１の乾燥工程開始前の塗布液の液体成分の量を１００としたときに、第１の乾燥工程後の前記液体成分の量が重量で５０未満とならない範囲で、前記塗布液を乾燥する。たとえば、第１の乾燥工程後の前記液体成分の量は、重量で５０以上９９以下が好ましく、５０以上９０以下がさらに好ましい。

上述したように、乾燥時間と蒸発量は比例関係となるものと推測されるため、液体成分の乾燥量は、乾燥時間によって調整することができる。具体的には、ステージを特定の温度としたときに、実質的に全ての液体成分の乾燥が終了するまでの時間（乾燥完了時間Ｔｅ）をあらかじめ測定しておき、この乾燥完了時間Ｔｅをもとに液体成分の乾燥量を算出する。

たとえば、ステージを特定の温度に保持して乾燥を行う場合、第１の乾燥工程開始前の塗布液の液体成分の量を１００とすると、第１の乾燥工程後の前記液体成分の量を重量でＡにするには、乾燥時間は（１−Ａ／１００）×Ｔｅとなる。

当該第１の乾燥工程では、乾燥部１３の室内の雰囲気を、後の第２の乾燥工程よりも高い気圧とした状態で、乾燥をおこなう。このように気圧を調整することで、第２の乾燥工程に比べて第１の乾燥工程における乾燥速度を遅くすることができ、膜厚の平坦化を図ることができる。

たとえば、第１の乾燥工程では、ドライポンプを稼動して減圧雰囲気で乾燥をおこなってもよいが、ドライポンプを稼動せずに、乾燥部１３の室内の気圧を大気圧にした状態で乾燥することが好ましい。第１の乾燥工程における乾燥部１３の室内の気圧は、１．１E＋５Paから１．０E＋３Paが好ましく、１．１E＋５Paから１．０E＋４Paがより好ましい。

また第１の乾燥工程では、第２のステージ２３の温度は５〜５０℃に保持することが好ましく、１０℃〜２５℃に保持することがさらに好ましい。

上記の乾燥量の条件において、第１の乾燥工程では、５秒〜６０分間乾燥することが好ましく、５秒〜３０分間乾燥することがさらに好ましい。

前記第２の乾燥工程では、前記第１の乾燥工程よりも減圧条件で塗布液の液体成分の残留分を乾燥する。

本実施の形態では、第２の乾燥工程において、第１の乾燥工程よりも減圧しつつ、乾燥をおこなう。たとえば、排気速度は、大気圧から５Ｐａに到達するまでの時間が１０秒〜９００秒となるように設定することが好ましく、さらには、大気圧から５Ｐａに到達するまでの時間が２００秒〜６００秒となるように設定することが好ましい。

また第２の乾燥工程では、ステージの温度は５℃〜５０℃に保持することが好ましく、１０℃〜２５℃に保持することがさらに好ましい。

第２の乾燥工程では、１０秒〜９００秒間乾燥することが好ましく、２００秒〜６００秒間乾燥することがさらに好ましい。

以上により、第１の有機薄膜層７を形成することができる。

（第２の有機薄膜層を形成する工程）
本工程では、発光層として機能する第２の有機薄膜層９を形成する。第２の有機薄膜層９は第１の有機薄膜層７と同様に形成することができる。なお第１の有機薄膜層７とは異なり、第２の有機薄膜層９は、各色ごとに塗り分ける必要がある。したがって、赤色発光層９、緑色発光層９、青色発光層９となる材料を含む３種類の塗布液を、隔壁３に囲まれた領域にそれぞれ供給する必要がある。なお、上述の乾燥工程は、それぞれの種類の塗布液を塗布するごとにおこなってもよく、また、全ての種類の塗布液を塗布した後に、上述の乾燥工程をおこなってもよい。

なお、塗布液には、有機薄膜層（本実施形態における発光層）となる薄膜材料（本実施形態における発光材料）と、１種類以上の溶媒とを含む溶液を使用し、その溶媒には、前述の第１の溶媒と、第２の溶媒とを含むことが好ましい。

なお、塗布法で形成することが可能な有機薄膜層のうち、すべての有機薄膜層を上述の乾燥工程によって形成する必要はなく、タクトタイム等を勘案して、とくに膜厚のばらつきが素子特性に影響する層を上述の乾燥工程によって形成するようにしてもよい。

（第２の電極を形成する工程）
本工程では有機薄膜層上に第２の電極を形成する。本実施形態では第２の電極１０は、有機ＥＬ素子４が設けられる表示領域において全面に形成する。すなわち第２の電極１０は、第２の有機薄膜層９上だけでなく、隔壁３上にも形成し、複数の有機ＥＬ素子にわたって連続して形成する。このように第２の電極を形成することにより、全ての有機ＥＬ素子４に共通の電極として機能する第２の電極１０が設けられる。

＜有機ＥＬ素子の構成＞
以下では有機ＥＬ素子の構成についてさらに詳しく説明する。有機ＥＬ素子は、有機薄膜層として少なくとも１層の発光層を有するが、上述したように一対の電極間にたとえば正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、正孔ブロック層、電子輸送層、および電子注入層などを有する。

本実施形態の有機ＥＬ素子のとりうる層構成の一例を以下に示す。
ａ）陽極／発光層／陰極
ｂ）陽極／正孔注入層／発光層／陰極
ｃ）陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極
ｄ）陽極／正孔注入層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
ｅ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／陰極
ｆ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極
ｇ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
ｈ）陽極／発光層／電子注入層／陰極
ｉ）陽極／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
（ここで、記号「／」は、記号「／」を挟む各層が隣接して積層されていることを示す。
以下同じ。）
上記構成の有機ＥＬ素子は、陽極から順に各層を積層して最後に陰極を形成する形態と、逆に、陰極から順に各層を積層して最後に陽極を形成する形態とをとりうる。

基板には、可撓性基板またはリジットな基板が用いられ、たとえばガラス基板やプラスチック基板などが用いられる。

陽極には、金属酸化物、金属硫化物および金属などからなる薄膜を用いることができ、具体的には酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、ＩＴＯ、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ：略称ＩＺＯ）、金、白金、銀、および銅などから成る薄膜が用いられる。発光層から放射される光が陽極を通って素子外に出射する構成の有機ＥＬ素子の場合、陽極には光透過性を示す電極が用いられる。

正孔注入層には公知の正孔注入材料を用いることができる。正孔注入材料としては、たとえば酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、および酸化アルミニウムなどの酸化物や、フェニルアミン系、スターバースト型アミン系、フタロシアニン系、アモルファスカーボン、ポリアニリン、およびポリチオフェン誘導体などを挙げることができる。

正孔輸送層には公知の正孔輸送材料を用いることができる。正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリアリールアミン若しくはその誘導体、ポリピロール若しくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）若しくはその誘導体、又はポリ（２，５−チエニレンビニレン）若しくはその誘導体などを挙げることができる。

発光層は、通常、主として蛍光及び／又はりん光を発光する有機物、または該有機物とこれを補助するドーパントとから形成される。ドーパントは、例えば発光効率の向上や、発光波長を変化させるために加えられる。なお発光層に含まれる有機物は、低分子化合物でも高分子化合物でもよい。発光層を構成する発光材料としては、例えば公知の色素系材料、金属錯体系材料、高分子系材料、ドーパント材料を挙げることができる。

色素系材料としては、例えば、シクロペンダミン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体化合物、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、ピロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマー、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体などを挙げることができる。

金属錯体系材料としては、例えばＴｂ、Ｅｕ、Ｄｙなどの希土類金属、またはＡｌ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｉｒ、Ｐｔなどを中心金属に有し、オキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造などを配位子に有する金属錯体を挙げることができる。

高分子系材料としては、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、上記色素系材料や金属錯体系発光材料を高分子化したものなどを挙げることができる。

上記発光性材料のうち、青色に発光する材料としては、ジスチリルアリーレン誘導体、オキサジアゾール誘導体、およびそれらの重合体、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体などを挙げることができる。

また、緑色に発光する材料としては、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体、およびそれらの重合体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体などを挙げることができる。

また、赤色に発光する材料としては、クマリン誘導体、チオフェン環化合物、およびそれらの重合体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリフルオレン誘導体などを挙げることができる。

また、白色に発光する材料は、上記した青色、緑色、赤色に発光する材料を混合することにより実現できる。

ドーパント材料としては、例えばペリレン誘導体、クマリン誘導体、ルブレン誘導体、キナクリドン誘導体、スクアリリウム誘導体、ポルフィリン誘導体、スチリル系色素、テトラセン誘導体、ピラゾロン誘導体、デカシクレン、フェノキサゾンなどを挙げることができる。

電子輸送層には公知の電子輸送材料を用いることができる。電子輸送材料としては、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン若しくはその誘導体、ベンゾキノン若しくはその誘導体、ナフトキノン若しくはその誘導体、アントラキノン若しくはその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン若しくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン若しくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、又は８−ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリン若しくはその誘導体、ポリキノキサリン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘導体などを挙げることができる。

電子注入層には公知の電子注入材料を用いることができる。電子注入材料としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属およびアルカリ土類金属のうちの１種類以上を含む合金、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属の酸化物、ハロゲン化物、炭酸化物、またはこれらの物質の混合物などを挙げることができる。

陰極の材料としては、仕事関数が小さく、発光層への電子注入が容易で、電気伝導度の高い材料が好ましい。また陽極側から光を取出す構成の有機ＥＬ素子では、発光層から放射される光を陰極で陽極側に反射するために、陰極の材料としては可視光反射率の高い材料が好ましい。陰極には、例えばアルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移金属および周期表の１３族金属などを用いることができる。また、陰極としては導電性金属酸化物および導電性有機物などから成る透明導電性電極を用いることができる。

上記の各層および電極は、蒸着法や塗布法によって形成することができる。塗布法によって各層を形成する場合は、上述した本実施形態の薄膜形成方法によって形成することが好ましい。

（乾燥量の測定）
塗布液が塗布された基板に、ナトリウムランプまたはグリーン光源等からの光を照射すると、塗布液の液体成分が残留している状態では干渉縞（ニュートンリング）が観測される。この干渉縞の経時的な変化を目視で観測することにより、乾燥状態を観測することができる。本実施例では、干渉縞が観測されなくなるまでの時間を乾燥終了時間とする。

乾燥部１３の構成を、後述の実施例１の第１の乾燥工程における乾燥部１３の構成と同じにし、第２のステージ２３の温度のみを異ならせて、乾燥終了時間を測定した。測定結果を表１に示す。

上述したように、乾燥時間と蒸発量は比例関係となるものと推測される。そのため、第２のステージの温度を特定の値に保持したときの乾燥終了時間がＴｅの場合、当該温度でＢ分乾燥することで、塗布液の液体成分は、乾燥開始前の重量を１００とすると、１００×（１−Ｂ／Ｔｅ）となる。

（実施例１）
基板にはサイズが３７０ｍｍ×４７０ｍｍのガラス基板を用いた。当該ガラス基板上には、ＩＴＯからなる第１の電極（陽極として機能する透明電極）が図１に示すような所定のパターンで形成されている。

このような基板上に、感光性樹脂を用いて、フォトリソグラフィー法によって、図２に示すような格子状の隔壁を形成した。隔壁は、厚さが０．５μｍであり、開口部は順テーパー形状（隔壁側面と基板との成す角が鋭角）とした。開口の形状は、略楕円形状であり、第１の軸方向Ｘの幅は、１００μｍであり、第２の軸方向Ｙの幅は、２８５μｍとした。また第１のピッチＰ１は、１４５μｍとし、第２のピッチＰ２は、３５０μｍとした。

（有機薄膜層の形成）
本実施例では、ＩＴＯからなる電極上に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層をこの順で積層した。 （正孔注入層の形成）
正孔注入材料を含む塗布液を調製した。塗布液の固形分濃度は１．０ｗｔ％であり、粘度は８ｃｐであり、表面張力は３４．７ｍＮ／ｍである。この塗布液をインクジェットプリント装置を用いて各凹部に塗布した。

その後、ドライポンプを接続した真空乾燥室内において、１０℃に調整された温調ステージに基板を載置し、約２．０E−１Ｐａになるまで減圧することにより塗布液を乾燥した。さらに、ステージの温度を２３０℃に調整するとともに、大気圧に減圧し、１５分間焼成を行い、正孔注入層を形成した。

（正孔輸送層の形成）
正孔輸送材料を含む塗布液を調製した。塗布液の固形分濃度は０．４５ｗｔ％であり、粘度は３．４ｃｐであり、表面張力は３４．２ｍＮ／ｍである。この塗布液をインクジェットプリント装置を用いて各凹部に塗布した。

その後、ドライポンプを接続した真空乾燥室内において、２５℃に調整された温調ステージに基板を載置し、約２．０Ｅ−１Ｐａになるまで減圧することにより塗布液を乾燥した。さらに、ステージの温度を１９０℃に調整するとともに、大気圧に減圧し、６０分間焼成を行い、正孔輸送層を形成した。

（発光層の形成）
発光材料を含む塗布液を調製した。塗布液の固形分濃度は１．８ｗｔ％であり、粘度は６．２ｃｐであり、表面張力は３４．６ｍＮ／ｍである。

本実施例では、塗布液の溶媒には、第１の溶媒（高沸点溶媒）としてのCHB（シクロヘキシルベンゼン：沸点２３８℃〜２４０℃）と、第２の溶媒（低沸点溶媒）としての４メチルアニソール（沸点１６９℃）とを使用した。その混合比は、重量比でＣＨＢ：４メチルアニソール＝８０：２０とした。

この塗布液をインクジェットプリント装置を用いて各凹部に塗布した。なお、本実施例では、図４に示す乾燥防止手段３２を使用した状態で、塗布液を塗布した。

乾燥防止手段は、塗布液を含ませたクリーンルーム用ワイパー（アンティコン）を、直径Φ＝約４ｍｍの穴あけ加工がされたパンチング板と、ＳＵＳ板とによって挟むことにより構成されている。乾燥防止手段は、上方から見て、インクジェットヘッドを除く領域であって、かつ、少なくとも基板に重なる位置に配置した。本実施例では、４−メチルアニソールをアンティコンに含ませた。なおアンティコンに含ませる溶媒は、下面にある基板に滴下しないない範囲の量で、アンティコンに均一に充填されるように布で塗り伸ばした。本実施例では、乾燥防止手段と基板との間隔を５ｍｍとし、乾燥防止手段を５分間保持して基板と乾燥防止手段との間に溶媒蒸気を充満させてから、塗布液の塗布を開始した。

（第１の乾燥工程）
第１の乾燥工程と第２の乾燥工程では、図３に示す乾燥部１３において乾燥をおこなった。

多孔質板には富士ケミカル社製のＧ−５０を使用した。多孔質板の材質は高分子ポリエチレンを焼結形成したものであり、サイズが７００ｍｍ×９００ｍｍ×３０ｍｍ、空孔率が５０％、空孔径の平均直径が５０μｍのものを用いた。基板と多孔質板との間隔は５ｍｍとした。また多孔質板を支持する枠体と基板外周との間隔は５ｍｍとした。また枠体２５はOリングを介してステージと密着している。これにより、多孔質板以外の箇所から、外気が流入したり、蒸発溶媒が流出することを防いでいる。

本工程では、第２のステージ２３の温度を所定の温度（ｔ１）とし、ドライポンプを稼動しない状態で、すなわち乾燥部１３を大気圧にした状態で、所定の時間（乾燥時間Ｔ１）だけ乾燥した。

（第２の乾燥工程）
次に第１の乾燥工程よりも減圧雰囲気において乾燥をおこなった。本実施例では、第２のステージ２３の温度を１３０℃に設定し、大気圧から５Ｐａまで約１０分で到達する排気速度で減圧しつつ、１０分間塗布液を乾燥した。

（電子注入層、第２の電極の形成、封止）
次に、電子注入層として、ＮａＦからなる薄膜（膜厚：４ｎｍ）、Ｍｇからなる薄膜（膜厚：２ｎｍ）を順次、積層成膜した。さらに、Ａｌからなる薄膜（膜厚：２００ｎｍ）、Ａｇからなる薄膜（膜厚：１００ｎｍ）を順次、積層成膜した。その後、封止基板を貼り合わせて、有機ＥＬ素子を気密に封止した。

以上の実施例では、第１の乾燥工程における第２のステージの温度ｔ１を５段階に設定し、それぞれの温度ｔ１において、乾燥時間Ｔ１を６段階に異ならせて、それぞれ有機ＥＬ素子を作成した。

第２のステージの温度ｔ１（単位：℃）は、５℃、１０℃、１５℃、２５℃、３５℃に設定した。乾燥時間Ｔ１は、０分、１５分、３０分、４５分、６０分に設定した。なお、乾燥時間Ｔ１が０分とは、第１の乾燥工程を省略したことを意味する。

図５は、乾燥部１３内の圧力と時間変化との関係を示す図である。図５中、１ｓｔｅｐの時間は、第１の乾燥工程の乾燥時間Ｔ１を意味する。縦軸は、乾燥室内真空度（Ｐａ）をあらわし、横軸は乾燥時間（分）をあらわす。

以上のようにして形成した発光層の膜厚の標準偏差を測定した。

膜厚は光学式測定装置（Ｚｙｇｏ社製、製品番号：Ｎｅｗ Ｖｉｅｗ ５０３２）を使用して測定した。

下表２に、第１の乾燥工程において、第２のステージの温度を５℃とし、乾燥時間をＴ１としたときの発光層の膜厚の標準偏差と、残留溶媒量を示す。なお残留溶媒量は、第１の乾燥工程開始前の塗布液の液体成分の量を１００としたときの第１の乾燥工程後の塗布液の液体成分の量を意味する。なお第２のステージ温度を５℃に設定した場合、結露が生じた。

下表３に、第１の乾燥工程において、第２のステージの温度を１０℃とし、乾燥時間をＴ１としたときの発光層の膜厚の標準偏差と、残留溶媒量を示す。

下表４に、第１の乾燥工程において、第２のステージの温度を１５℃とし、乾燥時間をＴ１としたときの発光層の膜厚の標準偏差と、残留溶媒量を示す。

下表５に、第１の乾燥工程において、第２のステージの温度を２５℃とし、乾燥時間をＴ１としたときの発光層の膜厚の標準偏差と、残留溶媒量を示す。

下表６に、第１の乾燥工程において、第２のステージの温度を３５℃とし、乾燥時間をＴ１としたときの発光層の膜厚の標準偏差と、残留溶媒量を示す。

１ 装置
３ 隔壁
４ 素子
５ 凹部
６ 電極
７ 第１の有機薄膜層（正孔注入層）
９ 第２の有機薄膜層（発光層）
１０ 電極
１１ 装置
１２ 塗布部
１３ 乾燥部
１４ 第１のステージ
１５ 手段
１６ 基板
１７ 含浸部材
１８ 基板
２１ インクジェットヘッド
２３ 第２のステージ
２４ 多孔質板
２５ 枠体
２６ 係止部材
２７ Ｏリング
２８ ポンプ
２９ 排気配管
３１ チラー
３２ 手段
３３ 配管
３４ 囲み部材
Ｐ１ 第１のピッチ
Ｐ２ 第２のピッチ

Claims (5)

1. 基板と、この基板上において予め設定される区画を画成する隔壁と、この隔壁によって画成される区画にそれぞれ設けられる複数の有機ＥＬ素子とを含む発光装置の製造方法であって、
   各有機ＥＬ素子は、第１電極、有機薄膜層、第２電極が、前記基板側からこの順で積層されて構成され、
   前記有機薄膜層を形成する工程では、当該有機薄膜層となる薄膜材料と、１種類以上の溶媒とを含む塗布液を、前記隔壁によって画成される区画に供給し、第１の乾燥工程と、第２の乾燥工程とによって前記塗布液を少なくとも２回に分けて乾燥することによって前記有機薄膜層を形成し、
   前記第１の乾燥工程では、当該第１の乾燥工程開始前の前記塗布液の液体成分の量を１００としたときに、第1の乾燥工程後の前記塗布液の液体成分の量が重量で５０未満とならない範囲で、前記塗布液を乾燥し、
   前記第２の乾燥工程では、前記第１の乾燥工程よりも減圧条件で前記塗布液の液体成分の残留分を乾燥する、発光装置の製造方法。
2. 前記１種類以上の溶媒は、沸点ＢＰ１が１００℃〜２７０℃の第１の溶媒と、沸点ＢＰ２が１００℃〜２００℃の第２の溶媒とを含み、ＢＰ１とＢＰ２とが下記式を満たす、
   ０＜ＢＰ１−ＢＰ２≦１００
   請求項１記載の発光装置の製造方法。
3. 前記塗布液を前記区画に供給する工程では、前記１種類以上の溶媒の蒸気の雰囲気中において、前記塗布液を前記区画に供給する、請求項１または請求項２に記載の発光装置の製造方法。
4. 前記第１および第２の乾燥工程では、前記基板を保持するステージの温度を５℃〜２５℃の範囲に設定し、乾燥を行う、請求項１〜３のいずれかに記載の発光装置の製造方法。
5. 前記第１および第２の乾燥工程は、一部が多孔質板から構成されている中空の囲い部材の中に前記基板を配置した状態で行われる、請求項１〜４のいずれかに記載の発光装置の製造方法。

Images