JPWO2009051036A1 - 薄膜形成方法及び有機エレクトロニクス素子 - Google Patents
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Classifications
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
- H10K71/441—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour in the presence of solvent vapors, e.g. solvent vapour annealing
Abstract
Description
12 バックアップロール
20 塗布部
21 コータ
22 送液ポンプ
23 塗布液タンク
30 レベリング部
31 溶媒蒸気供給手段
311 含浸部材
312 保持部材
32 溶媒タンク
40 乾燥部
本発明で用いることのできる有機EL素子としては特に制限がなく、陽極と陰極と、両者に挟まれた有機層が少なくとも1層以上あり、電流を流すと発光する素子であればよい。
本発明を適用した有機EL素子は、支持体、電極、種々の機能を有する有機層等の構成要素によって構成される。好ましい構成の具体例を以下に示すが、これらに限定されるものではない。
(ii)陽極/正孔輸送層/電子阻止層/発光層ユニット/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極
(iii)陽極/陽極バッファー層/正孔輸送層/電子阻止層/発光層ユニット/正孔阻止層/電子輸送層/陰極
(iv)陽極/陽極バッファー層/正孔輸送層/電子阻止層/発光層ユニット/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極
上記のように、有機EL層は各層を重ね合わせて重層とされる。また、本発明の薄膜形成方法は、上記の各構成を形成するのに適用できるが、特に陽極及び陰極を除く各層の形成に好ましく適用できる。
本発明で用いることのできる有機光電変換素子としては特に制限がなく、陽極と陰極と、両者に挟まれた発電層が少なくとも1層以上あり、光を照射すると電流を発生する素子であればよい。
本発明を適用した有機光電変換素子は、支持体の一方面上に、透明電極、発電層及び対電極が順次積層されている。
(ii)陽極/正孔輸送層/電子ブロック層/発電層/正孔ブロック層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極
(iii)陽極/陽極バッファー層/正孔輸送層/電子ブロック層/発電層/正孔ブロック層/電子輸送層/陰極
(iv)陽極/陽極バッファー層/正孔輸送層/電子ブロック層/初d寝そう/正孔ブロック層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極
上記のように、有機光電変換素子は各層を重ね合わせて重層とされる。また、本発明の薄膜形成方法は、上記の各構成を形成するのに適用できるが、特に陽極及び陰極を除く各層の形成に好ましく適用できる。
Claims (11)
- ロール状に巻かれた長尺状の可撓性の基板を連続的に搬送し、前記基板に少なくとも1種類の溶媒と該溶媒中に分散または溶解した材料を含む液状組成物を基板に塗布し、薄膜の塗布膜を形成する薄膜形成方法において、前記液状組成物を塗布手段で基板に塗布し塗布膜を生成する塗布工程と、前記塗布膜を乾燥する乾燥工程と、前記塗布工程と前記乾燥工程との間に、溶媒蒸気供給手段を備えた溶媒蒸気供給工程と、を有することを特徴とする薄膜形成方法。
- 前記溶媒蒸気供給手段は、溶媒が含浸された含浸部材と前記含浸部材を保持する保持部材を含み構成され、前記含浸部材から溶媒が気化することを特徴とする請求の範囲第1項に記載の薄膜形成方法。
- 前記保持部材は、基板に塗布された塗布膜面に対向する面にのみ開口部があることを特徴とする請求の範囲第2項に記載の薄膜形成方法。
- 前記含浸部材へ溶媒を連続的に供給することを特徴とする請求の範囲第2項または第3項に記載の薄膜形成方法。
- 前記溶媒蒸気供給手段からの溶媒蒸気供給量は、基板の幅方向中央部近傍と両端側方向とで異なることを特徴とする請求の範囲第1項乃至第4項の何れか1項に記載の薄膜形成方法。
- 前記開口部の開口比率は、基板の幅方向中央部近傍と両端側方向とで異なることを特徴とする請求の範囲第3項乃至第5項の何れか1項に記載の薄膜形成方法。
- 前記溶媒蒸気供給手段からの溶媒蒸気供給量は、基板の搬送方向上流側と下流側とで異なることを特徴とする請求の範囲第1項乃至第6項の何れか1項に記載の薄膜形成方法。
- 前記開口部の開口比率は、基板の搬送方向上流側と下流側とで異なることを特徴とする請求の範囲第3項乃至第7項の何れか1項に記載の薄膜形成方法。
- 前記溶媒蒸気供給手段の基板の搬送方向両端側より、不活性ガスを供給することを特徴とする請求の範囲第1項乃至第8項の何れか1項に記載の薄膜形成方法。
- 前記塗布手段は、スロット型コータまたはインクジェットであることを特徴とする請求の範囲第1項乃至第9項の何れか1項に記載の薄膜形成方法。
- 請求の範囲第1項乃至第10項の何れか1項に記載の薄膜形成方法によって形成されたことを特徴とする有機エレクトロニクス素子
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