JPWO2017154692A1 - 複合基板及び複合基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
特許文献1は低伝送損失を実現する手段として低誘電体としての空気層をセラミック多層基板内に形成することを提案している。
樹脂層は応力緩和層として働くため、樹脂層を設けることで、セラミック層に挟まれた空気層を設けた場合に比べて衝撃に対する強度の高い複合基板とすることができる。
例えば、セラミック材料では実現困難な低誘電率(例えば比誘電率εr2以下)の樹脂材料を用いることにより、高周波領域での伝送損失を低減することができる。
金属材料の割合を40重量%以上とすることで良好な電気的特性を発揮しやすくなる。また、金属材料の割合が99重量%以下であること、すなわち金属材料以外の材料(セラミック材料等)が存在することでセラミック層における層間接続用の金属導体と強固な接合状態を形成することができ、衝撃に対する強度がより高い複合基板とすることができる。
上記金属材料の割合の差が59重量%以下であると、樹脂層及びセラミック層における層間接続用の金属導体が同様の特性を有することになり、その焼結挙動、熱膨張特性や強度が同様となるため、金属導体間の接合をより強固なものとすることができる。その結果、衝撃に対する強度がより高い複合基板とすることができる。
樹脂層の引っ張り弾性率を3GPa以下とすると、樹脂層が衝撃に対する応力緩和層としてより有効に働くため、セラミック層のみからなる基板及び空気層を有するセラミック基板に比べて落下衝撃及び熱衝撃に対する強度がより高い基板とすることができる。
樹脂材料の引っ張り弾性率はJIS K 7161に基づき、幅25mm×長さ150mmの試験片を用いて算出することができる。
誘電率の測定は、摂動法を用いて、50mm×50mm×0.5mmtの大きさのサンプルを周波数9GHzで測定することにより行うことができる。
樹脂層の比誘電率εrが1.5以上3以下であると、高周波領域での伝送損失を低減することに適した基板とすることができる。このような低い誘電率はセラミック層のみからなる基板では達成することが難しい。
樹脂層の厚さを100μm以下とすると、小型低背化の要求に充分に応えることのできる基板とすることができる。
後述するような本発明の複合基板の製造方法において、空洞形成用シートを複数枚使用すると、樹脂層を多層配線とすることができる。
後述するような本発明の複合基板の製造方法において、樹脂材料を含む液体を含浸、硬化させることによって樹脂層を形成すると、樹脂層内にボイドが形成される。
また、ボイドが形成されるとボイドの部分が誘電率の低い部分となるため、樹脂層全体の誘電率が低下し、高周波領域での伝送損失を低減するための樹脂層として適した構成となる。
樹脂層が空隙形成材料を含むことにより、樹脂層とセラミック層との熱膨張係数の差を小さくすることができ、ヒートサイクル特性を向上させることができる。
また、樹脂層が空隙形成材料を含むと、樹脂層の誘電率を低下させることができるため、高周波領域での伝送損失を低減するための樹脂層を構成するために適している。
このような構成であると、異なる材料からなるセラミック層を複合基板内に有することができる。また、異なる材料からなるセラミック層を構造欠陥や相互拡散なく共焼結できる。
後述するような本発明の複合基板の製造方法において、セラミック層の間の空洞に、複合基板の側面となる面側から樹脂材料又は樹脂材料を含む液体を注入することによって樹脂層を形成させることができる。複合基板の側面に樹脂層の一部が露出しているということは、複合基板の側面が樹脂材料の注入口として機能していることを意味している。
また、上記セラミック層の機能部はコンデンサであり、上記樹脂層の機能部はインダクタ又は伝送ラインであることが好ましい。
比誘電率の高いセラミック層にコンデンサを形成することでコンデンサの容量を高くすることができ、比誘電率の低い樹脂層にインダクタ又は伝送ラインを配置することで高周波特性が良好となる。
また、上記樹脂層の機能部はヘリカル状のインダクタであってもよい。本発明の複合基板では、ヘリカル状のインダクタを形成しても複合基板の厚みを薄くすることが可能である。
また、空洞形成用シートにつき、焼成工程において形成された金属導体の部分以外に存在していた空洞形成用材料が焼失して空洞となる。
セラミックグリーンシート中の金属導体ペースト及び空洞形成用シート中の金属導体ペーストは一体的に同時焼結されるので、セラミック層における層間接続用の金属導体と、樹脂層における層間接続用の金属導体とが一体化して金属導体間の接合強度が確保される。そのため、接続信頼性の高い複合基板を製造することができる。
樹脂材料の耐熱温度はセラミックグリーンシートを構成する未焼結のセラミックの焼結温度や金属導体ペーストの焼結温度より低いので、セラミックグリーンシートの焼成前に樹脂層を設けても焼成工程で樹脂材料が焼失してしまうが、セラミックグリーンシートの焼成後であれば上記方法により樹脂層を設けることができる。
樹脂層の形成工程と、樹脂層に設けられる層間接続用の金属導体の形成工程を分けることで、樹脂層における層間接続用の金属導体をセラミック層における層間接続用の金属導体と一体化させて強固に接合させた、樹脂層を有する複合基板を製造することができる。
カーボンシートを用いると、厚さの薄いカーボンシートを用いることにより空洞の厚さを容易に薄くすることができる。また、空洞形成用材料としてのカーボンは焼成工程において焼失させることができるので、空洞の形成に適している。
重量減少率は、TG−DTA装置により金属導体ペーストを焼結開始温度又は焼成温度において所定時間保持することによって測定することができる。
上記特性の空洞形成用材料は、金属導体ペーストの焼結開始温度での重量減少率が小さい。このことは空洞形成用材料が金属導体ペーストの焼結が始まる温度である焼結開始温度で焼失しにくい材料であることを意味している。そのため、焼成工程では金属導体ペーストの焼結が空洞形成用材料の焼失よりも先に起こり、強固な金属導体が先に形成される。
また、上記特性の空洞形成用材料は、焼成温度での重量減少率が大きい。このことは空洞形成用材料が焼成温度で焼失しやすい材料であることを意味している。そのため、強固な金属導体が形成された後に空洞形成用材料が焼失して空洞を形成することができる。空洞形成用材料が焼失する時点では先に強固な金属導体が形成されているので金属導体の形が崩れることはなく、空洞が金属導体により保持されて均一な厚さの空洞が形成される。
上記焼成温度は、セラミックグリーンシート及び空洞形成用シート中の金属導体ペーストの焼結、未焼結のセラミック材料の焼結、及び、空洞形成用材料の焼失を同じ焼成工程で行うことに適しているため好ましい。
しかしながら、本発明は、以下の構成に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において適宜変更して適用することができる。
以下に示す各実施形態は例示であり、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換又は組み合わせが可能であることは言うまでもない。
以下において記載する本発明の個々の好ましい構成を2つ以上組み合わせたものもまた本発明である。
<複合基板>
まず、複合基板の構成の一例について説明する。
図1は、本発明の複合基板の一例を模式的に示す断面図である。
本発明の複合基板1は、樹脂層20とセラミック層10(10a、10b、10c、10d、10e)からなる。樹脂層20はセラミック層10bとセラミック層10cに挟まれている。
樹脂層20には樹脂材料が絶縁材料として存在し、層間接続用の金属導体21を有している。セラミック層10にはセラミック材料が絶縁材料として存在し、層間接続用の金属導体11を有している。そして、セラミック層10の金属導体11と樹脂層20の金属導体21が一体化している。
図1の右側には、金属導体11と金属導体21が厚さ方向に一直線に並んで一体化した柱状の金属導体となっている例を示している。
図1の左側には、セラミック層10の平面方向に形成された金属配線12と樹脂層20の平面方向に形成された金属配線22を示しており、金属導体11と金属導体21が金属配線12と金属配線22を介して一体化している例を示している。
本明細書において、セラミック層における層間接続用の金属導体と樹脂層における層間接続用の金属導体が一体化しているという概念は、図1の右側に示されるように金属導体が厚さ方向に一直線に並んで一体化した柱状の金属導体となっている場合に限定されるものではない。図1の左側に示されるように平面方向に形成された金属配線を介して層間接続用の金属導体が一体化して繋がっている場合も含まれる。
セラミック材料としては、低温焼結セラミック材料を含むことが好ましい。
低温焼結セラミック材料とは、セラミック材料のうち、1000℃以下の焼成温度で焼結可能であり、金属材料として好ましく使用される銀や銅との同時焼成が可能である材料を意味する。
これらの樹脂材料は誘電率が低いため高周波領域での伝送損失を低減するための樹脂層を構成するための樹脂材料として適している。
また、樹脂層内にボイドが存在していることが好ましく、樹脂層内に中空ビーズ等の空隙形成材料が含まれていることも好ましい。樹脂層内にボイドが存在し、かつ、空隙形成材料が含まれていることも好ましい。
樹脂層内にボイドや空隙形成材料が存在していると、樹脂層の誘電率を低下させることができるため、高周波領域での伝送損失を低減するための樹脂層を構成するために適している。
そして、樹脂層の比誘電率εrが1.5以上3以下であることが好ましい。
樹脂層の比誘電率は樹脂材料の比誘電率ではなく、樹脂層全体として測定した比誘電率の値であり、樹脂層内にボイドや空隙形成材料、フィラーなど他の絶縁材料が存在している場合はその寄与も含まれる。
空隙形成材料としては、中空ビーズを使用することもできる。
中空ビーズとしては、SiO2、Al2O3、ZrO2、TiO2及びMgOからなる群より選択される少なくとも1種の無機物を主成分とするシェル層を有し、シェル層の中が中空となっているものが挙げられる。とくにSiO2を主成分とするシェル層を有することが好ましい。また、中空部分がシェル層で完全に覆われたクローズ型の中空ビーズであることが好ましい。
樹脂層に占める空隙形成材料の割合は20体積%以上であることが好ましく、40体積%以上であることがより好ましい。
より好ましい具体例としては、引っ張り弾性率E(GPa)≒0.39以上、0.55以下のフッ素系樹脂、引っ張り弾性率E(GPa)≒2.1以上、2.2以下のシクロオレフィン系樹脂等を使用することができる。
これらの樹脂材料は引っ張り弾性率が低いため、衝撃に対する応力緩和層としての樹脂層を構成するための樹脂材料として適している。
そして、樹脂層の引っ張り弾性率が3GPa以下であることが好ましい。また、樹脂層の引っ張り弾性率が1GPa以下であることがより好ましい。
また、樹脂層の引っ張り弾性率が0.02GPa以上であることが好ましい。
また、ゴム系材料、熱可塑性エラストマー(塩ビ系、スチレン系、オレフィン系、エステル系、ウレタン系、アミド系等)等の材料を使用することもできる。
樹脂層の引っ張り弾性率は樹脂材料の引っ張り弾性率ではなく、樹脂層全体として測定した引っ張り弾性率の値である。
金属導体21と金属導体11を構成する材料としては、共に金属材料とセラミック材料の混合物であることが好ましい。
金属材料としては、金、銀及び銅から選ばれる少なくとも1種を含むことが好ましく、銀又は銅を含むことがより好ましい。金、銀及び銅は、低抵抗であるため、特に、複合基板が高周波用途である場合に適している。
セラミック材料としては、セラミック層を構成するセラミック材料と同じものを好適に使用することができる。同じセラミック材料を使用することによって、セラミック層を構成するセラミック材料と金属導体ペーストの焼結挙動を合わせることができる。
また、セラミック層における層間接続用の金属導体に含まれる金属材料の割合も、同様に40重量%以上、99重量%以下であることが好ましく、60重量%以上であることがより好ましく、90重量%以下であることがより好ましい。
層間接続用の金属導体に含まれる金属材料の割合を40重量%以上にすると、複合基板の抵抗値が大きくなり過ぎないために好ましい。
また、同じ組成でなくとも近い組成であれば樹脂層及びセラミック層における層間接続用の金属導体が同様の特性を有することとなるため好ましい。具体的には、樹脂層における層間接続用の金属導体に含まれる金属材料の割合(重量%)と、上記セラミック層における層間接続用の金属導体に含まれる金属材料の割合(重量%)の差が59重量%以下であることが好ましく、差が30重量%以下であれば、界面における金属導体の特性を合わせやすい点で、より好ましい。また、上記差の下限値は0重量%(両金属導体の組成が同じ)であればよいが、下限値が0.001重量%(上記差が0.001重量%以上)であってもよい。
次に、複合基板の製造方法の一例について説明する。
図2及び図3は本発明の複合基板の製造方法の一部の工程を模式的に示す断面図である。
はじめに、空洞形成用シートがセラミックグリーンシートで挟まれるように積層された積層体を準備する積層体準備工程を行う。
セラミックグリーンシートは、未焼結のセラミック材料として、アルミナとホウケイ酸系ガラスとを混合したガラスセラミックや、焼成中にガラス成分を生成するBa−Al−Si−O系セラミックの原料となる粉末と、有機バインダと溶剤とを含有するセラミックスラリーを、ドクターブレード法等によってシート状に成形したものである。セラミックスラリーには、分散剤、可塑剤等の種々の添加剤が含有されていてもよい。
金属導体ペーストとしては、上述した金属材料と、セラミック層を構成するセラミック材料を含むペーストを好適に使用することができる。金属導体ペーストには、溶剤、有機バインダ等が含まれることが好ましい。
また、金属導体ペースト中には、焼成後の金属導体に含まれる金属材料の割合が40重量%以上、99重量%以下となるように金属材料が含まれていることが好ましい。
上記手順により未焼結のセラミック材料からなり層間接続用の金属導体ペーストを有するセラミックグリーンシートを準備する。
空洞形成用シートは、後の焼成工程で焼失し、その存在していた部分に空洞を形成するための材料である空洞形成用材料からなり、層間接続用の金属導体ペーストを有するシートである。
空洞形成用材料は、空洞形成用シート中の金属導体ペーストの焼結開始温度での1時間の焼成による重量減少率が10%以下であり、焼成工程における焼成温度での1時間の焼成による重量減少率が99%以上である材料であることが好ましい。
また、空洞形成用材料は、焼成温度(800℃以上、1000℃以下であることが好ましい)以下の温度で焼失する材料であることが好ましく、具体的には850℃以上、950℃以下の温度で焼失する材料であることが好ましい。
空洞形成用材料としては、カーボンが好ましく、カーボンシートを空洞形成用シートとして好ましく使用することができる。
空洞形成用シートの厚さは焼成工程後に形成する予定の空洞の厚さに合わせて適宜設定すればよく、5μm以上、100μm以下とすることが好ましい。また、5μm以上、50μm以下とすることがより好ましい。
また、市販のカーボンシート(グラファイトシート)を用いることもできる。
金属導体ペーストとしては、セラミックグリーンシートの作製に用いる金属導体ペーストと同じものを用いることが好ましい。
また、金属導体ペースト中には、焼成後の金属導体に含まれる金属材料の割合が40重量%以上、99重量%以下となるように金属材料が含まれていることが好ましい。
セラミックグリーンシートの作製に用いる金属導体ペーストとは異なる金属導体ペーストを用いる場合には、セラミックグリーンシートの作製に用いる金属導体ペーストに含まれる金属材料の割合(重量%)と、空洞形成用シートの作製に用いる金属導体ペーストに含まれる金属材料の割合(重量%)の差が59重量%以下である金属導体ペーストを用いることが好ましい。
上記手順により空洞形成用材料からなり層間接続用の金属導体ペーストを有する空洞形成用シートを準備する。
図2には空洞形成用シートがセラミックグリーンシートに挟まれてなる、焼成前の積層体を模式的に示している。
図2に示す焼成前の積層体100では、セラミックグリーンシート110が下に3枚(110c、110d、110e)、上に2枚(110a、110b)積層されており、セラミックグリーンシート110b及び110cに挟まれて空洞形成用シート120が2枚(120a、120b)積層されている。
なお、セラミックグリーンシートの枚数及び空洞形成用シートの枚数は特に限定されるものではない。
また、金属導体ペーストを用いて形成された配線(参照符号112及び122で示す)が設けられている。上記配線は電極も含む概念である。
このようにセラミックグリーンシートと空洞形成用シートが積層された積層体を熱圧着することにより、焼成前の積層体を得ることができる。
焼成工程では、セラミックグリーンシート中の金属導体ペースト及び空洞形成用シート中の金属導体ペーストの焼結開始温度以上の焼成温度で焼成を行う。
その結果、セラミックグリーンシート中の金属導体ペースト及び空洞形成用シート中の金属導体ペーストが一体的に焼結して層間接続用の金属導体となる。また、未焼結のセラミック材料が焼結してセラミック層が形成される。さらに空洞形成用材料が焼失してセラミック層間に空洞が形成される。
図3には、焼成工程を経た焼成後の基板を模式的に示している。
図3に示す焼成後の基板50では、図2におけるセラミックグリーンシート110における未焼結のセラミック材料、層間接続用の金属導体ペースト111及び金属導体ペーストを用いて形成された配線112が焼結してそれぞれセラミック材料、金属導体11及び金属配線12となって、セラミック層10が形成されている。
また、図2において空洞形成用シート120であった部分は、層間接続用の金属導体ペースト121及び金属導体ペーストを用いて形成された配線122が焼結してそれぞれ層間接続用の金属導体21及び金属配線22となっている。また、空洞形成用材料としてのカーボンが焼失してカーボンが存在していた位置に空洞30が形成される。空洞30の厚さは空洞形成用シートの合計厚さに対応して定まる。また、焼結した金属導体21及び金属配線22が強固な接合となることにより空洞30の所定の厚さが保持される。
上述の方法によれば、拘束層が焼成時におけるセラミックグリーンシートの収縮を拘束するため、セラミックグリーンシートの厚さ方向のみに収縮が生じ、主面方向での収縮が実質的に生じないため、製造する複合基板の寸法精度を向上させることができる。
樹脂層を形成する方法としては、樹脂材料を含む液体を準備し、そこに空洞を有する基板を浸漬して空洞に樹脂材料を含浸させ、樹脂材料を硬化する方法を用いる。
樹脂材料を含む液体は、樹脂材料自体が液体であってもよく、樹脂材料を溶媒と混合して得られた樹脂溶液、エマルジョン又はラテックスであってもよい。また、樹脂材料を軟化点以上に加熱して得られた流動性を有する液体であってもよい。さらに、樹脂材料を含む液体中には必要に応じて可塑剤、分散剤、硬化剤等を加えてもよい。
樹脂材料の硬化は、樹脂材料が熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂等の硬化性の樹脂であれば各樹脂の硬化条件に従って硬化させればよい。また、熱可塑性樹脂の場合、加熱して流動性を有する液体としてから空隙内に含浸し、降温させることで樹脂材料を固化させることができるが、このような手順による樹脂材料の固化も本明細書においては「樹脂材料の硬化」に含まれるものとする。
上記工程により図1に示すような本発明の複合基板を製造することができる。
本実施形態の複合基板では、セラミック層は第1のセラミック層及び第2のセラミック層を含み、第1のセラミック層と第2のセラミック層との間に樹脂層が存在している。
そして、第1のセラミック層を構成するセラミック材料の組成が、第2のセラミック層を構成するセラミック材料の組成と異なる。
その他の構成は第1実施形態の複合基板と同様にすることができる。
複合基板2は、セラミック層として第1のセラミック層60と第2のセラミック層70を含み、第1のセラミック層60と第2のセラミック層70の間に樹脂層20が存在している。
第1のセラミック層60、樹脂層20、第2のセラミック層70は層間接続用の金属導体61、層間接続用の金属導体21、層間接続用の金属導体71をそれぞれ有している。そして、層間接続用の金属導体61、層間接続用の金属導体21及び層間接続用の金属導体71が一体化している。
また、第1のセラミック層60、樹脂層20、第2のセラミック層70には金属配線62、金属配線22、金属配線72がそれぞれ形成されている。
第2のセラミック層を構成するセラミック材料(以下、第2のセラミック材料ともいう)としては、第1のセラミック材料と異なる特性(誘電率、透磁率、熱伝導率など)を有し、第1のセラミック材料とは共焼結できない材料であることが好ましい。
共焼結できない材料とは、共焼結した場合に高温時の収縮挙動の違いから第1のセラミック材料と第2のセラミック材料との界面で剥離やクラックが発生するような材料、又は、第1のセラミック材料と第2のセラミック材料との界面で互いの成分が相互拡散して所望の特性が得られなくなるような材料を意味する。
第2のセラミック材料としては、高誘電率材料として、BaO−Nd2O3−TiO2系セラミック材料とホウケイ酸系ガラスとを混合した材料を用いることが好ましい。
複合基板3は、上から第1のセラミック層60a、樹脂層20a、第2のセラミック層70、樹脂層20b、第1のセラミック層60bの順に並んだ構成となっている。
第1のセラミック層60aと第2のセラミック層70の間に樹脂層20aが存在しており、第2のセラミック層70と第1のセラミック層60bの間に樹脂層20bが存在している。
第1のセラミック層60a及び第1のセラミック層60bを構成する第1のセラミック材料、並びに、第2のセラミック層70を構成する第2のセラミック材料は、図4で説明した複合基板2の場合と同様にすることができる。
この場合も、第1のセラミック層と第2のセラミック層の間には樹脂層が存在しており、第1のセラミック層と第2のセラミック層が直接接していないので、第1のセラミック材料と第2のセラミック材料が共焼結できない材料であったとしても、問題が生じることがない。
複合基板4では、第2のセラミック層が層全体に配置されるのではなく、部分的に配置されている。具体的には、図5に示す複合基板3において第2のセラミック層70が占めていた層の部分の一部のみに第2のセラミック層70が配置されており、第2のセラミック層70が配置されない部分には代わりに樹脂層20が配置される。
上からの層構成で説明すると、第1のセラミック層60a、樹脂層20、樹脂層20の中にある第2のセラミック層70、樹脂層20、第1のセラミック層60bの順に並んだ構成となっている。
この場合も、第1のセラミック層60aと第2のセラミック層70の間に樹脂層20が存在しており、第2のセラミック層70と第1のセラミック層60bの間に樹脂層20が存在している。
第2のセラミック層70が配置されない部分に代わりに配置された樹脂層20の部分は、第1のセラミック層60aと第1のセラミック層60bに挟まれている。そのため、樹脂層20全体としてはセラミック層に挟まれているといえる。
第1のセラミック層60a及び第1のセラミック層60bを構成する第1のセラミック材料、並びに、第2のセラミック層70を構成する第2のセラミック材料は、図4で説明した複合基板2の場合と同様にすることができる。
この場合も、第1のセラミック層と第2のセラミック層の間には樹脂層が存在しており、第1のセラミック層と第2のセラミック層が直接接していないので、第1のセラミック材料と第2のセラミック材料が共焼結できない材料であったとしても、問題が生じることがない。
以下には、図5に示した複合基板3を製造する場合の工程を例にして、本実施形態の複合基板の製造方法について説明する。
まず、セラミックグリーンシートを準備する際に2種類のセラミックグリーンシートを準備する。
1つは、第1のセラミック材料を含む第1のセラミックグリーンシートであり、もう1つは第2のセラミック材料を含む第2のセラミックグリーンシートである。
第1のセラミックグリーンシートと第2のセラミックグリーンシートのそれぞれに対して、層間金属用の導体金属ペーストを充填する。
また、空洞形成用材料からなり層間接続用の金属導体ペーストを有する空洞形成用シートを準備する。
図7は、第1のセラミックグリーンシート、空洞形成用シート、第2のセラミックグリーンシートを積み重ねてなる焼成前の積層体を模式的に示す断面図である。
図7に示す焼成前の積層体200では、下から第1のセラミックグリーンシート160(160b)、空洞形成用シート120(120b)、第2のセラミックグリーンシート170、空洞形成用シート120(120a)、第1のセラミックグリーンシート160(160a)が順に積層されている。
また、空洞形成用シート120における層間接続用の金属導体ペースト121と、第1のセラミックグリーンシート160における層間接続用の金属導体ペースト161と、第2のセラミックグリーンシート170における層間接続用の金属導体ペースト171が上下に積層されている。
図8は、焼成工程を経た焼成後の基板を模式的に示す断面図である。
図8に示す焼成後の基板250では、図7における第1のセラミックグリーンシート160(160a、160b)における未焼結の第1のセラミック材料、層間接続用の金属導体ペースト161及び金属導体ペーストを用いて形成された配線162が焼結してそれぞれ第1のセラミック材料、金属導体61及び金属配線62となって、第1のセラミック層60(60a、60b)が形成されている。
また、図7における第2のセラミックグリーンシート170における未焼結の第2のセラミック材料、層間接続用の金属導体ペースト171及び金属導体ペーストを用いて形成された配線172が焼結してそれぞれ第2のセラミック材料、金属導体71及び金属配線72となって、第2のセラミック層70が形成されている。
また、図7において空洞形成用シート120(120a、120b)であった部分は、層間接続用の金属導体ペースト121及び金属導体ペーストを用いて形成された配線122が焼結してそれぞれ層間接続用の金属導体21及び金属配線22となっている。
また、空洞形成用材料としてのカーボンが焼失してカーボンが存在していた位置に空洞30(30a、30b)が形成される。
焼成工程時に第1のセラミックグリーンシートと第2のセラミックグリーンシートの間に空洞形成材料が存在するようにすることで、焼結により形成される第1のセラミック層と第2のセラミック層が接することがなくなり、上記の問題を解決することができる。
第1のセラミック層と第2のセラミック層の間に空洞がある状態では製品信頼性(耐衝撃性)に問題が生じるため、空洞を樹脂材料で埋めることで、製品信頼性を確保することができる。
その結果、特性の異なる複数種類のセラミック材料を配置した基板が作製可能となる。
本実施形態の複合基板では、複合基板中において、セラミック層と樹脂層とがそれぞれ機能部を有し、セラミック層の機能部と樹脂層の機能部とには同一高さに配置されている部分が存在する。
その他の構成は第1実施形態の複合基板と同様にすることができる。また、第2実施形態の複合基板のように、第1のセラミック層と第2のセラミック層が存在しているものであってもよいが、以下の説明ではセラミック材料の組成は1種類である場合として説明する。
複合基板5は、セラミック層10(10a、10b、10c、10d、10f)と樹脂層20(20b、20c、20d、20e)からなる。
樹脂層20は、セラミック層10aとセラミック層10fに挟まれている。
セラミック層10bと樹脂層20b、セラミック層10cと樹脂層20c、セラミック層10dと樹脂層20dはそれぞれ同一高さに配置されたセラミック層及び樹脂層である。
また、樹脂多層基板内にコンデンサを内蔵した場合、樹脂材料の比誘電率が低いために、セラミック多層基板と比較してコンデンサ容量を確保するために層数を増やしたり、電極面積を拡大させる必要があり、小型低背化に不利であった。
本実施形態の複合基板では、比誘電率の低い樹脂層内にインダクタ及び伝送ラインを形成し、比誘電率の高いセラミック層内にコンデンサを形成している。このように、比誘電率の高低に適した機能部を形成している。
そして、セラミック層の機能部と樹脂層の機能部とに同一高さに配置されている部分を存在させることで、低背化も達成している。
図10に示す複合基板6では、インダクタとしてヘリカル状のインダクタが設けられている。
複合基板6は、セラミック層10(10a、10b、10c、10e)と樹脂層20(20b、20c、20d)からなる。
樹脂層20は、セラミック層10aとセラミック層10eに挟まれている。
セラミック層10bと樹脂層20b、セラミック層10cと樹脂層20cはそれぞれ同一高さに配置されたセラミック層及び樹脂層である。
本実施形態の複合基板では、樹脂層1層あたりの厚さを同一高さに配置するセラミック層1層あたりの厚さと同じにすることができる。その樹脂層1層あたりの厚さは従来の技術における樹脂多層基板の樹脂層1層あたりの厚さより薄くすることができるので、樹脂層にヘリカル状のインダクタを形成しても基板の厚さを薄くして低背化させることができる。
以下には、図10に示した複合基板6を製造する場合の工程を例にして、本実施形態の複合基板の製造方法について説明する。
まず、セラミックグリーンシートを準備し、層間金属用の導体金属ペーストを充填する。
また、空洞形成用材料からなり層間接続用の金属導体ペーストを有する空洞形成用シートを準備する。
一方、樹脂層となる部分の形に合わせて空洞形成用シートを切り出す。切り出した空洞形成用シートの形状は、セラミックグリーンシートにおいてくり抜いた部分の形状と略同一である。
図11(a)には、キャリアフィルム130に配置したセラミックグリーンシート110に対してくり抜き加工を行って空間115を形成した様子を示している。くり抜き加工はレーザー加工等を用いて行うことができる。
図11(b)には、キャリアフィルム130に配置した空洞形成用シート120に対して切り出し加工を行い、空間115の形状と略同一の形状の空洞形成用シート125を形成した様子を示している。
なお、図11(a)及び図11(b)においては、セラミックグリーンシート及び空洞形成用シートに設けられる金属導体ペーストは省略して示している。
図12は、セラミックグリーンシート、空洞形成用シート及び複合シートを積み重ねてなる焼成前の積層体を模式的に示す断面図である。
図12に示す焼成前の積層体300では、下からセラミックグリーンシート110(110e)、空洞形成用シート120、複合シート150(150c)、複合シート150(150b)、セラミックグリーンシート110(110a)が順に積層されている。
また、複合シート150cと複合シート150bのセラミックグリーンシート部分においてコンデンサとなるための金属導体ペーストが設けられており、複合シート150c及び複合シート150b内の空洞形成用シート125(125c、125b)においてヘリカル状のインダクタとなるための金属導体ペーストが設けられている。
図13は、焼成工程を経た焼成後の基板を模式的に示す断面図である。
図13に示す焼成後の基板350では、空洞形成用シート120であった部分と複合シート150c及び複合シート150b内の空洞形成用シート125(125c、125b)のカーボンが焼失してカーボンが存在していた位置に空洞30(30b、30c、30d)が形成される。
空洞に、複合基板の側面となる面側から樹脂材料を注入することによって樹脂層を形成させることもできる。
複合シート内の空洞形成用シートであった位置の空洞に樹脂層が形成されることによって、同一高さに樹脂層とセラミック層が配置された部分が存在する複合基板を作製することができる。
セラミック粉末としてSiO2、Al2O3、BaCO3を含む粉末を湿式混合粉砕した後、乾燥し、混合物を得た。得られた混合物を熱処理してセラミックグリーンシートのための原料粉末を得た。有機バインダ、分散剤及び可塑剤を加え、混合粉砕してスラリーを作製した。得られたスラリーをドクターブレード法によって基材フィルム上にシート状に成形し、乾燥させて、焼成後の厚みが所望の厚みとなるように厚みを調整してセラミックグリーンシートを得た。
セラミックグリーンシートにレーザーでビアホールを形成し、ビアホールには金属導体ペーストを充填した。また、金属導体ペーストを用いてスクリーン印刷により配線を形成した。使用した金属導体ペーストには金属材料としての銅と上記セラミック粉末が含まれており、金属導体ペースト中の銅の割合は焼成後の金属導体に含まれる銅の割合が40重量%の割合となるように定めた。
カーボンシートにレーザーでビアホールを形成し、ビアホールには金属導体ペーストを充填した。また、金属導体ペーストを用いてスクリーン印刷により配線を形成した。使用した金属導体ペーストは、セラミックグリーンシートに対して使用したものと同じとした。
この積層体を950℃、1時間の低酸素雰囲気で焼成することにより、図3に示すように空洞(厚さ60μm)が形成された基板を得た。
空洞に、樹脂材料として引っ張り弾性率が0.4GPaのフッ素樹脂を含む液体を含浸し、熱処理することによりフッ素樹脂を硬化させて樹脂層を形成し、複合基板を得た。
金属導体ペースト中の銅の割合を変更して、焼成後の金属導体に含まれる銅の割合を変更した他は実施例1と同様にして複合基板を得た。
フッ素樹脂にフィラーを混合してなる、引っ張り弾性率が1GPaである樹脂層を形成した他は実施例3と同様にして複合基板を得た。
樹脂材料として引っ張り弾性率が3GPaであるポリイミド樹脂を使用した他は実施例3と同様にして複合基板を得た。
焼成工程までは実施例1と同様にして空洞が形成された基板を得た後、樹脂層の形成を行わずに基板の作製を終了し、セラミック層に挟まれた空洞が残った基板を得た。
実施例1で使用した樹脂材料と同じ樹脂材料からなる樹脂シートに穴空けを行い、続けて金属ビアホールの形成を含むパターン形成を銅の無電解めっき及び電解めっきを用いて行ない、樹脂基板を作製した。
別途、実施例1と同様に配線の形成までを行なったセラミックグリーンシートを準備し、セラミックグリーンシートだけを所定枚数重ねて実施例1と同様の条件で焼成し、セラミック基板を作製した。
上記セラミック基板で上記樹脂基板を挟んで熱圧着することにより複合基板を得た。この基板では、樹脂層中の金属導体に含まれる銅の割合が100%である。また、この基板では、セラミック層における層間接続用の金属導体と、樹脂層における層間接続用の金属導体とが一体化していない。
各実施例及び比較例で製造した複合基板につき、抵抗値を測定した。
抵抗値の測定は、複合基板内にビアホール径φ100μm、長さ150μmを形成し、直流4端子法を用いて行い、0.1Ω以下の場合を○、0.1Ωを超えた場合を×とした。
評価結果を表1にまとめて示した。
各実施例及び比較例で製造した複合基板につき、落下衝撃試験を行った。
落下衝撃試験はJEDEC JESD22−B111に準拠した方法で実施した。複合基板30個を試験基板にデージーチェーン回路となるように半田実装し、衝撃加速度1500G、1.0ms、正弦半波の衝撃波形にて100回落下させて断線、クラックなどの故障がある場合を×、断線、クラックなどの故障がない場合を○とし、同条件で300回落下させて断線、クラックなどの故障がない場合を◎とした。
評価結果を表1にまとめて示した。
各実施例及び比較例で製造した複合基板につき、ヒートサイクル試験を行った。
複合基板30個を試験基板にデージーチェーン回路となるように半田実装し、+85℃〜−40℃、保持時間30minのサイクルを400回実施し、断線、クラックなどの故障がある場合を×、断線、クラックなどの故障がない場合を○とした。
評価結果を表1にまとめて示した。
実施例1〜4及び6、7の複合基板は、樹脂層における層間接続用の金属導体に含まれる銅の割合が40重量%以上であるため電気特性が良好となっていた。
一方、比較例1の基板はセラミック層間に空洞が大きく残っているために落下衝撃及びヒートサイクル試験の負荷に耐えられなかった。比較例2の基板はセラミック層における層間接続用の金属導体と、樹脂層における層間接続用の金属導体とが一体化しておらず、層間接続用の金属導体間の接合強度が弱いために落下衝撃及びヒートサイクル試験の負荷に耐えられなかった。
図14(a)は、実施例8で作製する複合基板のレイヤー図であり、図14(b)は、実施例8で作製する複合基板を模式的に示す断面図である。
実施例1と同様にしてセラミックグリーンシート及びカーボンシートを作製した。
セラミックグリーンシートの厚さは3枚積層して焼成した後のセラミック層の厚さが合計40μmとなるようにした。また、カーボンシートの厚さは焼成後に形成される空洞の厚さが80μmとなるようにした。
セラミックグリーンシート及びカーボンシートには、図14(a)に示すレイヤー図となるように配線を形成し、ビアホール内への金属導体ペーストの充填を行った。
セラミックグリーンシート(110a、110b、110c、110d、110d、110e、110f)及びカーボンシート(120a、120b)を図14(a)に示すレイヤー図となるように積層し、圧着して焼成前の積層体を得た。そして、この積層体を950℃、1時間の低酸素雰囲気で焼成することにより、空洞(厚さ80μm)が形成された基板を得た。
図14(b)に示す複合基板5では、セラミック層10b、セラミック層10c及びセラミック層10dからなるインダクタ部が樹脂層20aと樹脂層20bに挟まれている。
複合基板5はインダクタのQ値を測定するための評価用基板となる。
樹脂材料中に含有させる中空ビーズの割合を表2に示すように変更した他は実施例8と同様にして複合基板を作製した。なお、実施例12では中空ビーズを配合していない。
実施例8〜13で作製した評価用基板と、実施例8〜13で用いた樹脂材料から得た樹脂層につき、下記のような評価を行った。
上記評価用基板につき、インピーダンスアナライザーを用いて2GHzでのインダクタのQ値を測定した。
実施例1と同様の方法により、各評価用基板に対するヒートサイクル試験を行った。ヒートサイクル試験のサイクル回数は、実施例1と同様の400回の場合と、1000回の場合の2通りにつき行った。
それぞれのサイクル回数での試験につき、断線、クラックなどの故障がある場合を×、断線、クラックなどの故障がない場合を○とした。
樹脂層を形成するために使用した樹脂材料のみを硬化させて特性評価用の樹脂層を作製した。
摂動法を用いて、50mm×50mm×0.5mmtの大きさのサンプルを周波数9GHzで測定することにより、樹脂層の比誘電率を測定した。
上記特性評価用の樹脂層を使用し、熱膨張係数測定装置(TMA)を使用して温度範囲25〜300℃、昇温温度5℃/minで熱膨張係数を測定した。
これらの試験の評価結果を表2にまとめて示した。
また、中空ビーズが配合されることによって樹脂層の比誘電率が低下し、Q値が向上した。
10、10a、10b、10c、10d、10e、10f セラミック層
11 層間接続用の金属導体
12 金属配線
20、20a、20b、20c、20d、20e 樹脂層
21 層間接続用の金属導体
22 金属配線
30、30a、30b、30c、30d 空洞
50、250、350 焼成後の基板
60、60a、60b 第1のセラミック層
70 第2のセラミック層
71 金属導体
72 金属配線
81 スパイラル状のインダクタ
82 伝送ライン
83 ヘリカル状のインダクタ
91 コンデンサ
100、200 焼成前の積層体
110、110a、110b、110c、110d、110e、110f セラミックグリーンシート
111 金属導体ペースト
112 金属導体ペーストを用いて形成された配線
115 空間
120、120a、120b、125,125b、125c 空洞形成用シート(カーボンシート)
121 金属導体ペースト
122 金属導体ペーストを用いて形成された配線
130 キャリアフィルム
150、150b、150c 複合シート
160、160a、160b 第1のセラミックグリーンシート
161 金属導体ペースト
170 第2のセラミックグリーンシート
171 金属導体ペースト
172 金属導体ペーストを用いて形成された配線
Claims (18)
- 層間接続用の金属導体を有する樹脂層と、層間接続用の金属導体を有するセラミック層とからなる複合基板であって、
前記樹脂層は前記セラミック層に挟まれており、前記セラミック層における層間接続用の金属導体と、前記樹脂層における層間接続用の金属導体とが一体化していることを特徴とする複合基板。 - 前記樹脂層における層間接続用の金属導体に含まれる金属材料の割合が40重量%以上、99重量%以下である請求項1に記載の複合基板。
- 前記樹脂層における層間接続用の金属導体に含まれる金属材料の割合(重量%)と、前記セラミック層における層間接続用の金属導体に含まれる金属材料の割合(重量%)の差は59重量%以下である請求項1又は2に記載の複合基板。
- 前記樹脂層の引っ張り弾性率が3GPa以下である請求項1〜3のいずれかに記載の複合基板。
- 前記樹脂層の比誘電率εrが1.5以上3以下である請求項1〜4のいずれかに記載の複合基板。
- 前記樹脂層の厚さが5μm以上、100μm以下である請求項1〜5のいずれかに記載の複合基板。
- 前記樹脂層に多層配線が形成されている請求項1〜6のいずれかに記載の複合基板。
- 前記樹脂層内にボイドが存在する請求項1〜7のいずれかに記載の複合基板。
- 前記樹脂層が空隙形成材料を含む請求項1〜8のいずれかに記載の複合基板。
- 前記セラミック層は、第1のセラミック層及び第2のセラミック層を含み、
前記第1のセラミック層と前記第2のセラミック層の間には前記樹脂層が存在しており、
前記第1のセラミック層を構成するセラミック材料の組成が、前記第2のセラミック層を構成するセラミック材料の組成と異なる請求項1〜9のいずれかに記載の複合基板。 - 請求項1〜10のいずれかに記載の複合基板の側面において、前記樹脂層の一部が露出していることを特徴とする複合基板。
- 請求項1〜11のいずれかに記載の複合基板中において、前記セラミック層と前記樹脂層とがそれぞれ機能部を有し、前記セラミック層の機能部と前記樹脂層の機能部とには同一高さに配置されている部分が存在することを特徴とする複合基板。
- 前記セラミック層の機能部はコンデンサであり、前記樹脂層の機能部はインダクタ又は伝送ラインである請求項12に記載の複合基板。
- 前記樹脂層の機能部はヘリカル状のインダクタである請求項12に記載の複合基板。
- 未焼結のセラミック材料からなり層間接続用の金属導体ペーストを有するセラミックグリーンシートと、空洞形成用材料からなり層間接続用の金属導体ペーストを有する空洞形成用シートとが、前記空洞形成用シートが前記セラミックグリーンシートで挟まれるように積層された積層体を準備する積層体準備工程と、
前記セラミックグリーンシート中の金属導体ペースト及び前記空洞形成用シート中の金属導体ペーストの焼結開始温度以上の焼成温度で前記積層体の焼成を行うことにより、前記セラミックグリーンシート中の金属導体ペースト及び前記空洞形成用シート中の金属導体ペーストを一体的に焼結させて層間接続用の金属導体とし、前記未焼結のセラミック材料を焼結させてセラミック層とし、さらに前記空洞形成用材料を焼失させて前記セラミック層間に空洞を形成する焼成工程と、
前記空洞を有する基板を樹脂材料を含む液体に浸漬して前記空洞に前記樹脂材料を含浸させ、前記樹脂材料を硬化することにより、前記セラミック層間に樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、を行うことを特徴とする複合基板の製造方法。 - 前記空洞形成用シートがカーボンシートであり、前記空洞形成用材料がカーボンである請求項15に記載の複合基板の製造方法。
- 前記空洞形成用材料は、前記空洞形成用シート中の金属導体ペーストの焼結開始温度での1時間の焼成による重量減少率が10%以下であり、焼成工程における焼成温度での1時間の焼成による重量減少率が99%以上である材料である請求項15又は16に記載の複合基板の製造方法。
- 前記焼成工程における焼成温度が800℃以上、1000℃以下である請求項15〜17のいずれかに記載の複合基板の製造方法。
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JPH0653652A (ja) | 1991-03-14 | 1994-02-25 | Nec Corp | 多層セラミック配線基板とその製造方法 |
JPH0634435A (ja) | 1992-07-13 | 1994-02-08 | Murata Mfg Co Ltd | 焦電形赤外線検出器 |
JP3237258B2 (ja) * | 1993-01-22 | 2001-12-10 | 株式会社デンソー | セラミック多層配線基板 |
EP0651602B1 (en) * | 1993-10-29 | 1999-04-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Conductive paste compound for via hole filling, printed circuit board which uses the conductive paste, and method of manufacturing the same |
JP3309522B2 (ja) | 1993-11-15 | 2002-07-29 | 株式会社村田製作所 | 多層基板及びその製造方法 |
US6183669B1 (en) * | 1999-03-25 | 2001-02-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Paste composition, circuit board using the same, ceramic green sheet, ceramic substrate, and method for manufacturing ceramic multilayer substrate |
JP2001143965A (ja) | 1999-11-16 | 2001-05-25 | Murata Mfg Co Ltd | 複合電子部品 |
US6871396B2 (en) * | 2000-02-09 | 2005-03-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Transfer material for wiring substrate |
KR100841597B1 (ko) * | 2000-09-13 | 2008-06-26 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈, 엘.엘.씨 | 전자 디바이스 제조 |
JP2002111222A (ja) * | 2000-10-02 | 2002-04-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 多層基板 |
JP2002185093A (ja) | 2000-12-14 | 2002-06-28 | Nitto Denko Corp | 両面配線基板用積層体および両面配線基板 |
JP4896309B2 (ja) * | 2001-07-13 | 2012-03-14 | 日東電工株式会社 | 多孔質ポリイミド樹脂の製造方法 |
JP2003298196A (ja) * | 2002-04-03 | 2003-10-17 | Japan Gore Tex Inc | プリント配線板用誘電体フィルム、多層プリント基板および半導体装置 |
JP2003304064A (ja) | 2002-04-08 | 2003-10-24 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 空気層を内蔵したセラミック多層回路基板及びその製造方法 |
US7018494B2 (en) * | 2002-08-28 | 2006-03-28 | Kyocera Corporation | Method of producing a composite sheet and method of producing a laminate by using the composite sheet |
CN100589680C (zh) * | 2003-11-14 | 2010-02-10 | 株式会社村田制作所 | 导电糊及多层陶瓷基板 |
WO2006108110A1 (en) * | 2005-04-05 | 2006-10-12 | Sv Probe Pte Ltd. | Probe pad structure in a ceramic space transformer |
TW201141328A (en) | 2005-06-13 | 2011-11-16 | Ibiden Co Ltd | Printed wiring board |
JP4613878B2 (ja) * | 2006-05-23 | 2011-01-19 | Tdk株式会社 | 積層基板及びその製造方法 |
JP4926553B2 (ja) | 2006-06-14 | 2012-05-09 | 日本特殊陶業株式会社 | 複合基板及びその製造方法 |
JP5165859B2 (ja) | 2006-06-14 | 2013-03-21 | 日本特殊陶業株式会社 | 複合基板 |
JP2009182285A (ja) * | 2008-02-01 | 2009-08-13 | Kyocera Corp | 配線基板およびその製造方法 |
JP5302635B2 (ja) * | 2008-11-13 | 2013-10-02 | パナソニック株式会社 | 多層配線基板 |
JP5550280B2 (ja) * | 2009-07-29 | 2014-07-16 | 京セラ株式会社 | 多層配線基板 |
JP2012216684A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-08 | Nippon Zeon Co Ltd | 複合多層基板 |
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