JP4926553B2 - 複合基板及びその製造方法 - Google Patents
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Description
なお、本発明の実施形態は上記の実施形態に限られず拡張、変更可能であり、拡張、変更した実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。
Claims (8)
- 熱可塑性樹脂を含むコア層の少なくとも片面に熱硬化性樹脂からなるコート層を設けた多層樹脂層と、
前記多層樹脂層の一方の主面に設けられた第1のセラミック基板と、
前記第1のセラミック基板とは異なる誘電率を有し、前記多層樹脂層の他方の主面に設けられた第2のセラミック基板と
を具備する複合基板であって、
前記第1のセラミック基板の表面および前記第2のセラミック基板の表面から選ばれる少なくとも一方の表面には回路パターンが形成され、かつ前記回路パターンは前記コート層により覆われていることを特徴とする複合基板。 - 前記多層樹脂層は、前記第1のセラミック基板と前記第2のセラミック基板とを電気的に接続する厚さ方向に貫通されたビアホール導体または、前記第1のセラミック基板と前記第2のセラミック基板との間の熱のみを伝導するサーマルビアのうち少なくともいずれか一方を有することを特徴とする請求項1に記載の複合基板。
- 接合されるセラミック基板間の25℃〜300℃での熱膨張係数の差の絶対値が、10×10−6/℃以下である請求項2に記載の複合基板
- 前記コート層の厚さは、前記コア層の厚さの1/40〜1/5であることを特徴とする請求項2又は3に記載の複合基板。
- 前記コア層の層平面方向の50℃〜150℃での熱膨張係数が、−10〜30×10−6/℃であり、かつ、厚さ方向の熱膨張係数が前記ビアホール導体または前記サーマルビアのうち少なくともいずれか一方の熱膨張係数以上であることを特徴とする請求項2乃至4のいずれか1項に記載の複合基板。
- 前記コート層の層平面方向及び厚さ方向の50℃〜150℃での熱膨張係数が、10〜60×10−6/℃であることを特徴とする請求項2乃至5のいずれか1項に記載の複合基板。
- 前記多層樹脂層の層平面方向の50℃〜150℃での熱膨張係数が、3〜25×10−6/℃であり、かつ、厚さ方向の熱膨張係数がビアホール導体またはサーマルビアのうち少なくともいずれか一方の熱膨張係数以上であることを特徴とする請求項2乃至6のいずれか1項に記載の複合基板。
- 成形、焼成された第1のセラミック基板とこの第1のセラミック基板とは異なる誘電率を有する第2のセラミック基板との間に、熱可塑性樹脂を含むコア層の少なくとも片面に熱硬化性樹脂からなるコート層を設けた多層樹脂層を挟み積層する工程と、
前記積層された第1のセラミック基板、多層樹脂層及び第2のセラミック基板を加圧しつつ加熱する工程と
を備える複合基板の製造方法であって、
前記第1のセラミック基板の表面および前記第2のセラミック基板の表面から選ばれる少なくとも一方の表面には回路パターンが形成され、かつ前記各工程は前記回路パターンが前記コート層により覆われるように行われることを特徴とする複合基板の製造方法。
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