JP3840953B2 - 回路基板およびその製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、インナビアホール接続を持つ回路基板およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器の小型化、高密度化に伴い、産業用にとどまらず民生用の分野において、回路基板に対するファイン化が強く要望され、信頼性の高いインナビアホール接続を持つ回路基板が必要になってきた。
【０００３】
以下従来の回路基板の製造方法について説明する。図５（ａ）〜（ｆ）は従来の回路基板の製造方法を示す工程断面図である。
【０００４】
まず、図５（ａ）に示すように、両面にポリエステルなどの離型性フィルム１０１を備えた厚さｔｂの絶縁基材１０２を準備する。次に図５（ｂ）に示すように、絶縁基材１０２の所定の箇所にレーザ光などを利用して貫通孔１０３を形成する。次に図５（ｃ）に示すように、貫通孔１０３に導電性ペースト１０４を充填する。このとき、上面の離型性フィルム１０１は印刷マスクの役割と、絶縁基材１０２の表面の汚染防止の役割を果たしている。次に絶縁基材１０２の両面から離型性フィルム１０１を剥離する。次に図５（ｄ）に示すように、絶縁基材１０２の両面に銅箔などの金属箔１０５を貼付ける。この状態で加熱加圧することにより、図５（ｅ）に示すように、絶縁基材１０２の厚さはｔａに圧縮され、導電性ペースト１０４の導電性物質が緻密化されることにより導電性ペースト１０４と金属箔１０５を電気的に接続する。さらに図５（ｆ）に示すように金属箔１０５を選択的にエッチングして配線パターン１０６を形成することにより、インナビアホール接続を持つ回路基板１０７が得られる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した回路基板の製造方法では、絶縁基材１０２は加熱加圧前の厚さｔｂが加熱加圧後は厚さｔａに圧縮されるも、この厚さｔａは絶縁基材１０２によりほぼ一定の値に決まってしまうため、厚さｔａをさらに薄くして導電性ペースト１０４の導電性物質をより緻密化することにより、導電性ペースト１０４と配線パターン１０６との電気的接続をより強固なものにして回路基板１０７の信頼性をさらに向上することは困難であった。
【０００６】
本発明はこのような従来方法の課題を解決するものであり、信頼性の高いインナビアホール接続を持つ回路基板およびその製造方法を提供することができるものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項１に記載の発明は、被圧縮性を有する絶縁基材の少なくとも片面に離型性フィルムを貼付けし、前記離型性フィルムと前記絶縁基材に対しビアホールを形成し、前記ビアホールに対し導電性物質を有する導電性ペーストを充填し、その後前記絶縁基材に貼付けした前記離型性フィルムを剥離するビア形成工程と、前記離型性フィルムを剥離した前記絶縁基材の面上に導電性を有する金属箔を、前記導電性ペーストに当接させて貼付けし、前記金属箔を貼付けした前記絶縁基材を加熱加圧し、前記絶縁基材を圧縮しながら前記絶縁基材の所定位置に形成した溝を微小化し、かつ、前記導電性ペーストの前記導電性物質を緻密化して、前記金属箔と電気的に接続する硬化工程と、前記金属箔を加工して所定の配線パターンを形成するパターン形成工程とを含み、前記絶縁基材の少なくとも一方の所定位置に前記溝を形成する溝加工工程は、前記硬化工程に至るまでの前工程に存在する回路基板の製造方法であり、絶縁基材の所定位置の溝が硬化工程において微小化することにより、絶縁基材の圧縮性がさらに増すため、導電性ペーストの導電性物質がさらに緻密化し、配線パターンとの電気的接続がより強固な信頼性の高いインナビアホール接続が得られるという作用を有する。
【０００８】
本発明の請求項２に記載の発明は、被圧縮性を有する絶縁基材の少なくとも片面に離型性フィルムを貼付けし、前記離型性フィルムと前記絶縁基材に対しビアホールを形成し、前記ビアホールに対し導電性物質を有する導電性ペーストを充填し、その後前記絶縁基材に貼付けした前記離型性フィルムを剥離するビア形成工程と、前記離型性フィルムを剥離した前記絶縁基材の少なくとも一方の面上に、導電性を有する配線パターンを少なくとも一方の面上に有した表層としての回路基板の前記配線パターンを、前記導電性ペーストに当接させて貼付けし、前記回路基板を貼付けした前記絶縁基材を加熱加圧し、前記絶縁基材を圧縮しながら前記絶縁基材もしくは前記回路基板の少なくとも一方の所定位置に形成した溝を微小化し、かつ、前記導電性ペーストの前記導電性物質を緻密化して前記配線パターンと電気的に接続する硬化工程とを含み、前記絶縁基材もしくは前記回路基板の少なくとも一方の所定位置に前記溝を形成する溝加工工程は、前記硬化工程に至るまでの前工程に存在する回路基板の製造方法であり、絶縁基材もしくは回路基板の少なくとも一方の所定位置の溝が硬化工程において微小化することにより、絶縁基材の圧縮性がさらに増すため、導電性ペーストの導電性物質がさらに緻密化し、配線パターンとの電気的接続がより強固な信頼性の高いインナビアホール接続が得られるという作用を有する。
【０００９】
本発明の請求項３に記載の発明は、コア材としての第１の回路基板の少なくとも片面に当接された被圧縮性を有する絶縁基材の、前記回路基板との当接面と反対の面上に離型性フィルムを貼付けし、前記離型性フィルムと前記絶縁基材に対しビアホールを形成し、前記ビアホールに対し導電性物質を有する導電性ペーストを充填し、その後前記絶縁基材に貼付けした前記離型性フィルムを剥離するビア形成工程と、前記離型性フィルムを剥離した前記絶縁基材の面上に導電性を有する金属箔、もしくは導電性を有する配線パターンを少なくとも一方の面上に有した表層としての第２の回路基板の前記配線パターンを、前記導電性ペーストに当接させて貼付けし、前記金属箔、もしくは前記第２の回路基板の配線パターンを貼付けした前記絶縁基材を加熱加圧し、前記絶縁基材を圧縮しながら前記絶縁基材もしくは前記回路基板の少なくとも一方の所定位置に形成した溝を微小化し、かつ、前記導電性ペーストの前記導電性物質を緻密化して、前記金属箔、もしくは前記配線パターンと電気的に接続する硬化工程とを含み、前記絶縁基材もしくは前記回路基板の少なくとも一方の所定位置に前記溝を形成する溝加工工程は、前記硬化工程に至るまでの前工程に存在する回路基板の製造方法であり、絶縁基材もしくは回路基板の少なくとも一方の所定位置の溝が硬化工程において微小化することにより、絶縁基材の圧縮性がさらに増すため、導電性ペーストの導電性物質がさらに緻密化し、配線パターンとの電気的接続がより強固な信頼性の高いインナビアホール接続が得られるという作用を有する。
【００１０】
本発明の請求項４に記載の発明は、絶縁基材もしくは回路基板の少なくとも一方の所定位置に形成した溝に、予め押出し量を調整する樹脂を注入した後に、前記絶縁基材もしくは回路基板を圧縮しながら前記溝を微小化する請求項１〜３いずれかに記載の回路基板の製造方法であり、予め溝に樹脂を注入することで、硬化工程において、絶縁基材の樹脂成分の押出し量を調整することができるので、導電性ペーストの導電性物質がさらに緻密化し、配線パターンとの電気的接続がより強固な、信頼性の高いインナビアホール接続が得られるという作用を有する。
【００１１】
本発明の請求項５に記載の発明は、絶縁基材のビアホール内に充填された、導電性物質を有する導電性ペーストと、所定の配線パターンが形成された金属箔とが、電気的に接続された回路基板において、前記絶縁基材の所定位置に形成した溝が、当該絶縁基材の樹脂成分にて微小化され、前記導電性ペーストの前記導電性物質を緻密化した回路基板であり、絶縁基材の圧縮性がさらに増すため、導電性ペーストの導電性物質がさらに緻密化し、配線パターンとの電気的接続がより強固な信頼性の高いインナビアホール接続の回路基板が得られるという作用を有する。
【００１２】
本発明の請求項６に記載の発明は、絶縁基材のビアホール内に充填された、導電性物質を有する導電性ペーストと、導電性を有する配線パターンを少なくとも一方面上に有した表層としての回路基板の前記配線パターンとが電気的に接続された回路基板において、前記絶縁基材もしくは前記回路基板の少なくとも一方の所定位置に形成した溝を、当該絶縁基材の樹脂成分にて微小化し、前記導電性ペーストの前記導電性物質を緻密化した回路基板であり、絶縁基材の圧縮性がさらに増すため、導電性ペーストの導電性物質がさらに緻密化し、配線パターンとの電気的接続がより強固な信頼性の高いインナビアホールの回路基板が得られるという作用を有する。
【００１３】
本発明の請求項７に記載の発明は、絶縁基材もしくは回路基板の少なくとも一方の所定位置に形成した溝に、予め押出し量を調整する樹脂を注入した後に、前記絶縁基材もしくは回路基板を圧縮しながら前記溝を微小化する請求項６または７に記載の回路基板であり、予め溝に樹脂を注入することで、硬化工程において、絶縁基材の樹脂成分の押出し量を調整することができるので、導電性ペーストの導電性物質がさらに緻密化し、配線パターンとの電気的接続がより強固な、信頼性の高いインナビアホール接続の回路基板が得られるという作用を有する。
【００１５】
【発明の実施の形態】
（実施の形態１）
図１は本発明の実施の形態１における回路基板の製造工程を示す工程断面図である。まず、図１（ａ）に示すように厚さｔ１の被圧縮性を持つ絶縁基材１を準備する。この絶縁基材１としては、例えば芳香族ポリアミド繊維に熱硬化性エポキシ樹脂を含浸させた複合材からなる基材（以下アラミド−エポキシシートと称する）が用いられる。次に図１（ｂ）に示すようにアラミド−エポキシシート１の所定の位置にレーザ光などを利用して溝２を加工する。このとき溝２の形状や個数は任意であり、アラミド−エポキシシート１のどちらの面に加工してもかまわないし、両面に加工してもよい。また、金型やレーザ光等を利用した貫通穴であってもよい。次に図１（ｃ）に示すように熱プレスやラミネータを用いて、ポリエステルなどの離型性フィルム３をアラミド−エポキシシート１の両面に貼付ける。このとき離型性フィルム３は片面のみであってもかまわない。次に図１（ｄ）に示すようにレーザ光などを利用してアラミド−エポキシシート１と離型性フィルム３に対して貫通孔５を設ける。次に図１（ｅ）に示すように、貫通孔５に例えばエポキシ樹脂と導電性物質となる銅粉等の金属粉を含む導電性ペースト６を充填する。導電性ペースト６を充填する方法としては、貫通孔５を有するアラミド−エポキシシート１を印刷機（図示せず）のテーブル上に設置し、直接、導電性ペーストを離型性フィルム３の上から印刷する。このとき、上面の離型性フィルム３は印刷マスクの役割と、アラミド−エポキシシート１の表面の汚染防止の役割を果たしている。次に図１（ｆ）に示すようにアラミド−エポキシシート１の両面から離型性フィルム３を剥離する。次に図１（ｇ）に示すように、アラミド−エポキシシート１の両面に銅箔などの金属箔７、８を貼付ける。この状態で加熱加圧することにより、図１（ｈ）に示すように、アラミド−エポキシシート１の一構成成分であるエポキシ樹脂および導電性ペースト６が硬化するとともにアラミド−エポキシシート１と金属箔７、８とが接着される。この工程において、アラミド−エポキシシート１の一構成成分であるエポキシ樹脂は溝２へ押し出され、溝２は縮小化し、条件によってはアラミド−エポキシシート１の一構成成分であるエポキシ樹脂で完全に満たされる。そして、アラミド−エポキシシート１の一構成成分であるエポキシ樹脂が溝２へ押し出されることにより、もともと被圧縮性を持つアラミド−エポキシシート１はさらに圧縮されることになり、厚さはｔ２になる。同時に導電性ペースト６も圧縮されることにより、導電性ペースト６の銅粉間からエポキシ樹脂が押し出されて銅粉が緻密化し、銅粉同士および銅粉と金属箔間の結合が強固になる。なお、アラミド−エポキシシート１の一構成成分であるエポキシ樹脂が溝２へ押し出される量を調整するには、溝２の形状や個数により、もしくは、加熱加圧条件により対応が可能であるが、別途準備した例えばエポキシ樹脂のような樹脂等を、加熱加圧前にあらかじめ溝２内へ適度に注入しておいてもよい。次に図１（ｉ）に示すように金属箔７、８を選択的にエッチングして配線パターン９、１０を形成するとインナビアホール接続された２層回路基板１１を得ることができる。
【００１６】
次に図１（ｊ）に示すように、２層回路基板１１の所定の位置にレーザ光などを利用して溝１２、１３を加工する。このとき溝１２、１３の形状や個数は任意であり、２層回路基板１１のどちらの面に加工してもかまわないし、両面に加工してもよい。また、金型やレーザ光等を利用した貫通穴であってもよい。次に図１（ｋ）に示すように、２層回路基板１１をコア材とし、このコア材の両面に、溝１４、１５が加工され貫通穴に導電性ペースト１６、１７が充填されたアラミド−エポキシシート１８、１９と金属箔２０、２１を重ね合わせる。この時、コア材である２層回路基板１１の第１の配線パターン９にアラミド−エポキシシート１８の導電性ペースト１６を接合すると共に、、第２の配線パターン１０にアラミド−エポキシシート１９の導電性ペースト１７を接合する。ここで、貫通穴内に導電性ペースト１６、１７が充填されたアラミド−エポキシシート１８、１９は、被圧縮性を有しており、その両面に離型性フィルムを印刷マスクとして貼付けておき、導電性ペーストを印刷することにより貫通穴内に導電性ペースト１６、１７を充填し、その後離型性フィルムを剥離することにより作成される。また、溝１４、１５の形状や個数は任意であり、アラミド−エポキシシート１８、１９の両面に加工してもかまわないし、金型やレーザ光等を利用した貫通穴であってもよい。次に、図１（ｌ）に示すように、加熱加圧することにより、アラミド−エポキシシート１８、１９の一構成成分であるエポキシ樹脂、および導電性ペースト１６、１７が硬化するとともにアラミド−エポキシシート１８、１９と金属箔２０、２１と２層回路基板１１とが接着される。また、この工程において、アラミド−エポキシシート１８、１９の一構成成分であるエポキシ樹脂は２層回路基板１１の溝１２、１３、およびアラミド−エポキシシート１８、１９の溝１４、１５へ押し出され、溝１２、１３、および溝１４、１５は縮小化し、条件によってはアラミド−エポキシシート１８、１９の一構成成分であるエポキシ樹脂で完全に満たされる。そして、アラミド−エポキシシート１８、１９の一構成成分であるエポキシ樹脂が２層回路基板１１の溝１２、１３、およびアラミド−エポキシシート１８、１９の溝１４、１５へ押し出されることにより、もともと被圧縮性を持つアラミド−エポキシシート１８、１９はさらに圧縮されることになり、厚さはｔ２になるが必ずしも前記アラミド−エポキシシート１と同じ厚みでなくてもよい。同時に導電性ペースト１６、１７も圧縮されることにより、導電性ペースト１６、１７の銅粉間からエポキシ樹脂が押し出され、銅粉が緻密化し、銅粉同士および銅粉と金属箔間、ならびに銅粉と配線パターン間の結合が強固になる。なお、２層回路基板１１の溝１２、１３とアラミド−エポキシシート１８、１９の溝１４、１５は、両方無くても、溝１２、１３のみ、もしくは溝１４、１５のみであってもかまわない。すなわち、溝１２、１３および１４、１５は加熱加圧時に押し出されたアラミド−エポキシシート１８、１９の樹脂成分を受け入れるように配設すればよい。その後、図１（ｍ）に示すように金属箔２０、２１を選択的にエッチングして第３の配線パターン２２、第４の配線パターン２３を形成する。このことにより、第３の配線パターン２２が貫通穴内に充填された導電性ペースト１６によってコア材である２層回路基板１１の第１の配線パターン９にインナビアホール接続され、第４の配線パターン２３が貫通穴内に充填された導電性ペースト１７によってコア材である２層回路基板１１の第２の配線パターン１０にインナビアホール接続され、４層回路基板２４が得られる。
【００１７】
また、上記の工程を繰り返すことや、複数枚の回路基板と、貫通穴に導電性ペーストが充填され、かつ溝が加工された複数枚のアラミド−エポキシシートを交互に重ね合わせて一括で加熱加圧することにより、さらに複数層を積層してなる高多層の多層回路基板を得ることができる。
【００１８】
（実施の形態２）
図２は本発明の実施の形態２における回路基板の製造工程を示す工程断面図である。本発明の実施の形態において実施の形態１と異なるところは、図２（ｉ）以降の多層化の部分である。図２（ｈ）に示す両面に金属箔７、８が接着され、かつ、硬化したアラミド−エポキシシート１を２枚用意し、図２（ｉ）に示すように、それぞれ片面の金属箔８をエッチングすると、配線パターン２５、２６が形成され、配線パターン２５、２６が導電性ペースト２７、２８によって金属箔２９、３０にインナビアホール接続された２層回路基板３１、３２が得られる。次に図２（ｊ）に示すように、２層回路基板３１、３２の所定の位置にレーザ光などを利用して溝３３、３４を加工する。このとき溝３３、３４の形状や個数は任意である。次に図２（ｋ）に示すように、溝３５、３６が加工され貫通穴に導電性ペースト３７が充填されたアラミド−エポキシシート３８の両面に、配線パターン２５、２６が形成され、配線パターン２５、２６が導電性ペースト２７、２８によって金属箔２９、３０にインナビアホール接続された２層回路基板３１、３２を重ね合わせる。この時、導電性ペースト３７に２層回路基板３１の配線パターン２５を接合すると共に、２層回路基板３２の配線パターン２６を接合する。ここで、貫通穴内に導電性ペースト３７が充填されたアラミド−エポキシシート３８は、被圧縮性を有しており、その両面に離型性フィルムを印刷マスクとして貼付けておき、導電性ペーストを印刷することにより貫通穴内に導電性ペースト３７を充填し、その後離型性フィルムを剥離することにより作成される。また、アラミド−エポキシシート３８の溝３５、３６の形状や個数は任意であり、アラミド−エポキシシート３８のどちらの面に加工してもかまわないし、両面に加工してもよい。また、金型やレーザ光等を利用した貫通穴であってもよい。次に、図２（ｌ）に示すように、加熱加圧することにより、アラミド−エポキシシート３８の一構成成分であるエポキシ樹脂および導電性ペースト３７が硬化するとともにアラミド−エポキシシート３８と２層回路基板３１、３２とが接着される。また、この工程において、アラミド−エポキシシート３８の一構成成分であるエポキシ樹脂は２層回路基板３１、３２の溝３３、３４、およびアラミド−エポキシシート３８の溝３５、３６へ押し出され、溝３３、３４、および溝３５、３６は縮小化し、条件によってはアラミド−エポキシシート３８の一構成成分であるエポキシ樹脂で完全に満たされる。そして、アラミド−エポキシシート３８の一構成成分であるエポキシ樹脂が２層回路基板３１、３２の溝３３、３４、およびアラミド−エポキシシート３８の溝３５、３６へ押し出されることにより、もともと被圧縮性を持つアラミド−エポキシシート３８はさらに圧縮されることになり、厚さはｔ２になる。同時に導電性ペースト３７も圧縮されることにより、導電性ペースト３７の銅粉間からエポキシ樹脂が押し出されて銅粉が緻密化し、銅粉同士および銅粉と配線パターン間の結合が強固になる。なお、２層回路基板３１、３２の溝３３、３４とアラミド−エポキシシート３８の溝３５、３６は、両方無くても、溝３３、３４のみ、もしくは溝３５、３６のみであってもかまわない。すなわち、溝３３、３４、および３５、３６は加熱加圧時に押し出されたアラミド−エポキシシート３８の樹脂成分を受け入れるように配設すればよい。その後、図２（ｍ）に示すように金属箔２９、３０を選択的にエッチングして配線パターン３９、４０を形成することにより、４層回路基板４１が得られる。
【００１９】
なお、本実施の形態では、図２（ｉ）において２層回路基板の片面のみに配線パターンを形成したが、ここで２層回路基板の両面に配線パターンを形成しておけば、導電性ペーストを充填したアラミド−エポキシシートと重ね合わせて加熱加圧すれば、その後エッチングして配線パターンを形成しなくても４層回路基板が得られる。
【００２０】
また、上記の工程を繰り返すことや、複数枚の回路基板と、貫通穴に導電性ペーストが充填され、かつ溝が加工された複数枚のアラミド−エポキシシートを交互に重ね合わせて一括で加熱加圧することにより、さらに高多層の多層回路基板を得ることができる。
【００２１】
（実施の形態３）
図３は本発明の実施の形態３における回路基板の製造工程を示す工程断面図である。本発明の実施の形態において実施の形態１と異なるところは、アラミド−エポキシシート１へ設ける溝２を最初に加工するのではなく、図３（ｆ）に示すように、アラミド−エポキシシート１の両面に銅箔などの金属箔７、８を貼付けて加熱加圧する直前で溝２を加工するところにある。溝２の加工は、レーザ光などを利用してアラミド−エポキシシート１の所定の位置に加工する。このとき溝２の形状や個数は任意であり、アラミド−エポキシシート１のどちらの面に加工してもかまわないし、両面に加工してもよい。また、金型やレーザ光等を利用した貫通穴であってもよい。
【００２２】
（実施の形態４）
図４は本発明の実施の形態４における回路基板の製造工程を示す工程断面図である。まず、図４（ａ）に示すように厚さｔ１の被圧縮性を持つ絶縁基材４２、４３を準備する。この絶縁基材としては、例えばアラミド−エポキシシートが用いられる。次に図４（ｂ）に示すようにアラミド−エポキシシート４２、４３の所定の位置にレーザ光などを利用して溝４４、４５を加工する。このとき溝４４、４５の形状や個数は任意であり、アラミド−エポキシシート４２、４３のどちらの面に加工してもかまわないし、両面に加工してもよい。また、金型やレーザ光等を利用した貫通穴であってもよい。次に図４（ｃ）に示すように、第１の配線パターン４８と第２の配線パターン４９が導電性ペースト６２によってインナビアホール接続され、かつ、溝４６、４７が加工された２層回路基板５０（コア材）の両面に、アラミド−エポキシシート４２、４３とポリエステルなどの離型性フィルム５１を熱プレスやラミネータを用いて貼付ける。このときコア材５０の溝４６、４７の形状や個数は任意であり、コア材５０のどちらの面に加工してもかまわないし、両面に加工してもよい。また、金型やレーザ光等を利用した貫通穴であってもよい。また、コア材５０は導電性ペースト６２でインナビア接続された基板以外にも、一般の回路基板や多層基板を用いることができる。なお、コア材５０の片面のみにアラミド−エポキシシート４２と離型性フィルム５１を貼付けてももちろんよい。次に図４（ｄ）に示すようにレーザ光などを利用してアラミド−エポキシシート４２、４３と離型性フィルム５１に対してビアホール５３、５４を設ける。この時、ビアホール５３、５４はコア材５０の第１の配線パターン４８と第２の配線パターン４９の表面を視認して穴加工する。次に図４（ｅ）に示すように、ビアホール５３、５４に例えばエポキシ樹脂と銅粉等の金属粉を含む導電性ペースト５５、５６を充填する。導電性ペースト５５、５６を充填する方法としては、ビアホール５３、５４を有するアラミド−エポキシシート４２、４３と貼付けられたコア材５０を印刷機（図示せず）のテーブル上に設置し、直接導電性ペーストを離型性フィルム５１の上から印刷する。このとき、上面の離型性フィルム５１は印刷マスクの役割と、アラミド−エポキシシート４２、４３の表面の汚染防止の役割を果たしている。なお、コア材５０に対するアラミド−エポキシシート４２、４３の貼付け、レーザ光によるビアホール５３、５４の穴加工、ビアホール５３、５４への導電性ペーストの充填の各工程は、片面づつ実行するか、両面同時に実行するかは任意である。次に図４（ｆ）に示すようにアラミド−エポキシシート４２、４３から離型性フィルム５１を剥離する。次に図４（ｇ）に示すように、アラミド−エポキシシート４２、４３と貼付けられたコア材５０の両面に銅箔などの金属箔５７、５８を貼付ける。この状態で加熱加圧することにより、図４（ｈ）に示すように、アラミド−エポキシシート４２、４３の一構成成分であるエポキシ樹脂および導電性ペースト５５、５６が硬化するとともにアラミド−エポキシシート４２、４３と金属箔５７、５８とが接着される。この工程において、アラミド−エポキシシート４２、４３の一構成成分であるエポキシ樹脂はアラミド−エポキシシート４２、４３の溝４４、４５およびコア材５０の溝４６、４７へ押し出され、溝４４、４５および溝４６、４７は縮小化し、条件によってはアラミド−エポキシシート４２、４３の一構成成分であるエポキシ樹脂で完全に満たされる。そして、アラミド−エポキシシート４２、４３の一構成成分であるエポキシ樹脂がアラミド−エポキシシート４２、４３の溝４４、４５およびコア材５０の溝４６、４７へ押し出されることにより、もともと被圧縮性を持つアラミド−エポキシシート４２、４３はさらに圧縮されることになり、厚さはｔ２になる。同時に導電性ペースト５５、５６も圧縮されることにより、導電性ペースト５５、５６の銅粉間からエポキシ樹脂が押し出されて銅粉が緻密化し、銅粉同士および銅粉と金属箔間、もしくは銅粉と配線パターン間の結合が強固になる。なお、アラミド−エポキシシート４２、４３の溝４４、４５とコア材５０の溝４６、４７は、両方無くても、溝４４、４５のみ、もしくは溝４６、４７のみであってもかまわない。すなわち、溝４４、４５および４６、４７は加熱加圧時に押し出されたアラミド−エポキシシート４２、４３の樹脂成分を受け入れるように配設すればよい。次に図４（ｉ）に示すように金属箔５７、５８を選択的にエッチングして配線パターン５９、６０を形成するとインナビアホール接続された４層回路基板６１を得ることができる。
【００２３】
また、上記の工程を繰り返すことにより、さらに高多層の多層回路基板を得ることができる。
【００２４】
なお、本実施の形態では、図４（ｇ）で、アラミド−エポキシシート４２、４３に金属箔５７、５８を貼付けたが、これらの金属箔５７、５８の代わりに、少なくとも一方の面上に導電性を有する配線パターンを有した回路基板を、その配線パターンが前記導電性ペースト５５、５６に当接するように貼付けして加熱加圧することにより、さらに高多層の多層回路基板を得ることができる。
【００２５】
【発明の効果】
以上のように本発明は、被圧縮性を有する絶縁基材の少なくとも片面に離型性フィルムを貼付けし、前記離型性フィルムと前記絶縁基材に対しビアホールを形成し、前記ビアホールに対し導電性物質を有する導電性ペーストを充填し、その後前記絶縁基材に貼付けした前記離型性フィルムを剥離するビア形成工程と、前記離型性フィルムを剥離した前記絶縁基材の面上に導電性を有する金属箔を、前記導電性ペーストに当接させて貼付けし、前記金属箔を貼付けした前記絶縁基材を加熱加圧し、前記絶縁基材を圧縮しながら前記絶縁基材の所定位置に形成した溝を微小化し、かつ、前記導電性ペーストの前記導電性物質を緻密化して、前記金属箔と電気的に接続する硬化工程と、前記金属箔を加工して所定の配線パターンを形成するパターン形成工程とを含み、前記絶縁基材の少なくとも一方の所定位置に前記溝を形成する溝加工工程は、前記硬化工程に至るまでの前工程に存在する回路基板の製造方法であり、絶縁基材の所定位置の溝が硬化工程において微小化することにより、絶縁基材の圧縮性がさらに増すため、導電性ペーストの導電性物質がさらに緻密化し、配線パターンとの電気的接続がより強固な信頼性の高いインナビアホール接続が得られる。
【００２６】
また、本発明は、被圧縮性を有する絶縁基材の少なくとも片面に離型性フィルムを貼付けし、前記離型性フィルムと前記絶縁基材に対しビアホールを形成し、前記ビアホールに対し導電性物質を有する導電性ペーストを充填し、その後前記絶縁基材に貼付けした前記離型性フィルムを剥離するビア形成工程と、前記離型性フィルムを剥離した前記絶縁基材の少なくとも一方の面上に、導電性を有する配線パターンを少なくとも一方の面上に有した表層としての回路基板の前記配線パターンを、前記導電性ペーストに当接させて貼付けし、前記回路基板を貼付けした前記絶縁基材を加熱加圧し、前記絶縁基材を圧縮しながら前記絶縁基材もしくは前記回路基板の少なくとも一方の所定位置に形成した溝を微小化し、かつ、前記導電性ペーストの前記導電性物質を緻密化して前記配線パターンと電気的に接続する硬化工程とを含み、前記絶縁基材もしくは前記回路基板の少なくとも一方の所定位置に前記溝を形成する溝加工工程は、前記硬化工程に至るまでの前工程に存在する回路基板の製造方法であり、絶縁基材もしくは前記回路基板の少なくとも一方の所定位置の溝が硬化工程において微小化することにより、絶縁基材の圧縮性がさらに増すため、導電性ペーストの導電性物質がさらに緻密化し、配線パターンとの電気的接続がより強固な信頼性の高いインナビアホール接続が得られる。
【００２７】
さらに、本発明は、コア材としての第１の回路基板の少なくとも片面に当接された被圧縮性を有する絶縁基材の、前記回路基板との当接面と反対の面上に離型性フィルムを貼付けし、前記離型性フィルムと前記絶縁基材に対しビアホールを形成し、前記ビアホールに対し導電性物質を有する導電性ペーストを充填し、その後前記絶縁基材に貼付けした前記離型性フィルムを剥離するビア形成工程と、前記離型性フィルムを剥離した前記絶縁基材の面上に導電性を有する金属箔、もしくは導電性を有する配線パターンを少なくとも一方の面上に有した表層としての第２の回路基板の前記配線パターンを、前記導電性ペーストに当接させて貼付けし、前記金属箔、もしくは前記第２の回路基板の配線パターンを貼付けした前記絶縁基材を加熱加圧し、前記絶縁基材を圧縮しながら前記絶縁基材もしくは前記回路基板の少なくとも一方の所定位置に形成した溝を微小化し、かつ、前記導電性ペーストの前記導電性物質を緻密化して、前記金属箔、もしくは前記配線パターンと電気的に接続する硬化工程とを含み、前記絶縁基材もしくは前記回路基板の少なくとも一方の所定位置に前記溝を形成する溝加工工程は、前記硬化工程に至るまでの前工程に存在する回路基板の製造方法であり、絶縁基材もしくは前記回路基板の少なくとも一方の所定位置の溝が硬化工程において微小化することにより、絶縁基材の圧縮性がさらに増すため、導電性ペーストの導電性物質がさらに緻密化し、配線パターンとの電気的接続がより強固な信頼性の高いインナビアホール接続が得られる。
【００２８】
そして、本発明は、絶縁基材もしくは回路基板の少なくとも一方の所定位置に形成した溝に、予め押出し量を調整する樹脂を注入した後に、前記絶縁基材もしくは回路基板を圧縮しながら前記溝を微小化する請求項１〜３いずれかに記載の回路基板の製造方法であり、予め溝に樹脂を注入することで、硬化工程において、絶縁基材の樹脂成分の押出し量を調整することができるので、導電性ペーストの導電性物質がさらに緻密化し、配線パターンとの電気的接続がより強固な、信頼性の高いインナビアホール接続が得られる。
【００２９】
また、本発明は、絶縁基材のビアホール内に充填された、導電性物質を有する導電性ペーストと、所定の配線パターンが形成された金属箔とが、電気的に接続された回路基板において、前記絶縁基材の所定位置に形成した溝が、当該絶縁基材の樹脂成分にて微小化され、前記導電性ペーストの前記導電性物質を緻密化した回路基板であり、絶縁基材の圧縮性がさらに増すため、導電性ペーストの導電性物質がさらに緻密化し、配線パターンとの電気的接続がより強固な信頼性の高いインナビアホール接続の回路基板が得られる。
【００３０】
さらに、本発明は、絶縁基材のビアホール内に充填された、導電性物質を有する導電性ペーストと、導電性を有する配線パターンを少なくとも一方面上に有した表層としての回路基板の前記配線パターンとが電気的に接続された回路基板において、前記絶縁基材もしくは前記回路基板の少なくとも一方の所定位置に形成した溝を、当該絶縁基材の樹脂成分にて微小化し、前記導電性ペーストの前記導電性物質を緻密化した回路基板であり、絶縁基材の圧縮性がさらに増すため、導電性ペーストの導電性物質がさらに緻密化し、配線パターンとの電気的接続がより強固な信頼性の高いインナビアホールの回路基板が得られる。
【００３１】
また、本発明は、絶縁基材もしくは回路基板の少なくとも一方の所定位置に形成した溝に、予め押出し量を調整する樹脂を注入した後に、前記絶縁基材もしくは回路基板を圧縮しながら前記溝を微小化する請求項６または７に記載の回路基板であり、予め溝に樹脂を注入することで、硬化工程において、絶縁基材の樹脂成分の押出し量を調整することができるので、導電性ペーストの導電性物質がさらに緻密化し、配線パターンとの電気的接続がより強固な、信頼性の高いインナビアホール接続の回路基板が得られる。
【００３２】
上記のように、本発明は、被圧縮性を有する絶縁基材もしくは回路基板の所定の位置に溝を形成することで、前記絶縁基材を加熱、圧縮する際に前記溝が微小化することで、前記絶縁基材の圧縮性をさらに増すことができるので、インナビアホール内の導電性ペーストに含まれる導電性物質を緻密化することができ、その結果、信頼性の高いインナビアホール接続および回路基板が得られるものである。さらに、前記溝に予め樹脂を注入しておくことで、前記絶縁基材の加熱、圧縮時における絶縁基材の樹脂成分の押出し量を調整することができるので、導電性物質をさらに緻密化し、配線パターンとの電気的接続がより強固な信頼性の高いインナビアホール接続および回路基板が得られるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１における回路基板の製造工程を示す工程断面図
【図２】本発明の実施の形態２における回路基板の製造工程を示す工程断面図
【図３】本発明の実施の形態３における回路基板の製造工程を示す工程断面図
【図４】本発明の実施の形態４における回路基板の製造工程を示す工程断面図
【図５】従来の回路基板の製造方法を示す工程断面図
【符号の説明】
１ 絶縁基材（アラミド−エポキシシート）
２ 溝
３ 離型性フィルム
５ 貫通孔
６ 導電性ペースト
７ 金属箔
８ 金属箔
９ 配線パターン
１０ 配線パターン
１１ ２層回路基板（コア材）
１２ 溝
１３ 溝
１４ 溝
１５ 溝
１６ 導電性ペースト
１７ 導電性ペースト
１８ アラミド−エポキシシート
１９ アラミド−エポキシシート
２０ 金属箔
２１ 金属箔
２２ 第３の配線パターン
２３ 第４の配線パターン
２４ ４層回路基板
２５ 配線パターン
２６ 配線パターン
２７ 導電性ペースト
２８ 導電性ペースト
２９ 金属箔
３０ 金属箔
３１ ２層回路基板
３２ ２層回路基板
３３ 溝
３４ 溝
３５ 溝
３６ 溝
３７ 導電性ペースト
３８ アラミド−エポキシシート
３９ 配線パターン
４０ 配線パターン
４１ ４層回路基板
４２ 絶縁基材（アラミド−エポキシシート）
４３ 絶縁基材（アラミド−エポキシシート）
４４ 溝
４５ 溝
４６ 溝
４７ 溝
４８ 第１の配線パターン
４９ 第２の配線パターン
５０ ２層回路基板（コア材）
５１ 離型性フィルム
５３ ビアホール
５４ ビアホール
５５ 導電性ペースト
５６ 導電性ペースト
５７ 金属箔
５８ 金属箔
５９ 配線パターン
６０ 配線パターン
６１ ４層回路基板
【発明の属する技術分野】
本発明は、インナビアホール接続を持つ回路基板およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器の小型化、高密度化に伴い、産業用にとどまらず民生用の分野において、回路基板に対するファイン化が強く要望され、信頼性の高いインナビアホール接続を持つ回路基板が必要になってきた。
【０００３】
以下従来の回路基板の製造方法について説明する。図５（ａ）〜（ｆ）は従来の回路基板の製造方法を示す工程断面図である。
【０００４】
まず、図５（ａ）に示すように、両面にポリエステルなどの離型性フィルム１０１を備えた厚さｔｂの絶縁基材１０２を準備する。次に図５（ｂ）に示すように、絶縁基材１０２の所定の箇所にレーザ光などを利用して貫通孔１０３を形成する。次に図５（ｃ）に示すように、貫通孔１０３に導電性ペースト１０４を充填する。このとき、上面の離型性フィルム１０１は印刷マスクの役割と、絶縁基材１０２の表面の汚染防止の役割を果たしている。次に絶縁基材１０２の両面から離型性フィルム１０１を剥離する。次に図５（ｄ）に示すように、絶縁基材１０２の両面に銅箔などの金属箔１０５を貼付ける。この状態で加熱加圧することにより、図５（ｅ）に示すように、絶縁基材１０２の厚さはｔａに圧縮され、導電性ペースト１０４の導電性物質が緻密化されることにより導電性ペースト１０４と金属箔１０５を電気的に接続する。さらに図５（ｆ）に示すように金属箔１０５を選択的にエッチングして配線パターン１０６を形成することにより、インナビアホール接続を持つ回路基板１０７が得られる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した回路基板の製造方法では、絶縁基材１０２は加熱加圧前の厚さｔｂが加熱加圧後は厚さｔａに圧縮されるも、この厚さｔａは絶縁基材１０２によりほぼ一定の値に決まってしまうため、厚さｔａをさらに薄くして導電性ペースト１０４の導電性物質をより緻密化することにより、導電性ペースト１０４と配線パターン１０６との電気的接続をより強固なものにして回路基板１０７の信頼性をさらに向上することは困難であった。
【０００６】
本発明はこのような従来方法の課題を解決するものであり、信頼性の高いインナビアホール接続を持つ回路基板およびその製造方法を提供することができるものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項１に記載の発明は、被圧縮性を有する絶縁基材の少なくとも片面に離型性フィルムを貼付けし、前記離型性フィルムと前記絶縁基材に対しビアホールを形成し、前記ビアホールに対し導電性物質を有する導電性ペーストを充填し、その後前記絶縁基材に貼付けした前記離型性フィルムを剥離するビア形成工程と、前記離型性フィルムを剥離した前記絶縁基材の面上に導電性を有する金属箔を、前記導電性ペーストに当接させて貼付けし、前記金属箔を貼付けした前記絶縁基材を加熱加圧し、前記絶縁基材を圧縮しながら前記絶縁基材の所定位置に形成した溝を微小化し、かつ、前記導電性ペーストの前記導電性物質を緻密化して、前記金属箔と電気的に接続する硬化工程と、前記金属箔を加工して所定の配線パターンを形成するパターン形成工程とを含み、前記絶縁基材の少なくとも一方の所定位置に前記溝を形成する溝加工工程は、前記硬化工程に至るまでの前工程に存在する回路基板の製造方法であり、絶縁基材の所定位置の溝が硬化工程において微小化することにより、絶縁基材の圧縮性がさらに増すため、導電性ペーストの導電性物質がさらに緻密化し、配線パターンとの電気的接続がより強固な信頼性の高いインナビアホール接続が得られるという作用を有する。
【０００８】
本発明の請求項２に記載の発明は、被圧縮性を有する絶縁基材の少なくとも片面に離型性フィルムを貼付けし、前記離型性フィルムと前記絶縁基材に対しビアホールを形成し、前記ビアホールに対し導電性物質を有する導電性ペーストを充填し、その後前記絶縁基材に貼付けした前記離型性フィルムを剥離するビア形成工程と、前記離型性フィルムを剥離した前記絶縁基材の少なくとも一方の面上に、導電性を有する配線パターンを少なくとも一方の面上に有した表層としての回路基板の前記配線パターンを、前記導電性ペーストに当接させて貼付けし、前記回路基板を貼付けした前記絶縁基材を加熱加圧し、前記絶縁基材を圧縮しながら前記絶縁基材もしくは前記回路基板の少なくとも一方の所定位置に形成した溝を微小化し、かつ、前記導電性ペーストの前記導電性物質を緻密化して前記配線パターンと電気的に接続する硬化工程とを含み、前記絶縁基材もしくは前記回路基板の少なくとも一方の所定位置に前記溝を形成する溝加工工程は、前記硬化工程に至るまでの前工程に存在する回路基板の製造方法であり、絶縁基材もしくは回路基板の少なくとも一方の所定位置の溝が硬化工程において微小化することにより、絶縁基材の圧縮性がさらに増すため、導電性ペーストの導電性物質がさらに緻密化し、配線パターンとの電気的接続がより強固な信頼性の高いインナビアホール接続が得られるという作用を有する。
【０００９】
本発明の請求項３に記載の発明は、コア材としての第１の回路基板の少なくとも片面に当接された被圧縮性を有する絶縁基材の、前記回路基板との当接面と反対の面上に離型性フィルムを貼付けし、前記離型性フィルムと前記絶縁基材に対しビアホールを形成し、前記ビアホールに対し導電性物質を有する導電性ペーストを充填し、その後前記絶縁基材に貼付けした前記離型性フィルムを剥離するビア形成工程と、前記離型性フィルムを剥離した前記絶縁基材の面上に導電性を有する金属箔、もしくは導電性を有する配線パターンを少なくとも一方の面上に有した表層としての第２の回路基板の前記配線パターンを、前記導電性ペーストに当接させて貼付けし、前記金属箔、もしくは前記第２の回路基板の配線パターンを貼付けした前記絶縁基材を加熱加圧し、前記絶縁基材を圧縮しながら前記絶縁基材もしくは前記回路基板の少なくとも一方の所定位置に形成した溝を微小化し、かつ、前記導電性ペーストの前記導電性物質を緻密化して、前記金属箔、もしくは前記配線パターンと電気的に接続する硬化工程とを含み、前記絶縁基材もしくは前記回路基板の少なくとも一方の所定位置に前記溝を形成する溝加工工程は、前記硬化工程に至るまでの前工程に存在する回路基板の製造方法であり、絶縁基材もしくは回路基板の少なくとも一方の所定位置の溝が硬化工程において微小化することにより、絶縁基材の圧縮性がさらに増すため、導電性ペーストの導電性物質がさらに緻密化し、配線パターンとの電気的接続がより強固な信頼性の高いインナビアホール接続が得られるという作用を有する。
【００１０】
本発明の請求項４に記載の発明は、絶縁基材もしくは回路基板の少なくとも一方の所定位置に形成した溝に、予め押出し量を調整する樹脂を注入した後に、前記絶縁基材もしくは回路基板を圧縮しながら前記溝を微小化する請求項１〜３いずれかに記載の回路基板の製造方法であり、予め溝に樹脂を注入することで、硬化工程において、絶縁基材の樹脂成分の押出し量を調整することができるので、導電性ペーストの導電性物質がさらに緻密化し、配線パターンとの電気的接続がより強固な、信頼性の高いインナビアホール接続が得られるという作用を有する。
【００１１】
本発明の請求項５に記載の発明は、絶縁基材のビアホール内に充填された、導電性物質を有する導電性ペーストと、所定の配線パターンが形成された金属箔とが、電気的に接続された回路基板において、前記絶縁基材の所定位置に形成した溝が、当該絶縁基材の樹脂成分にて微小化され、前記導電性ペーストの前記導電性物質を緻密化した回路基板であり、絶縁基材の圧縮性がさらに増すため、導電性ペーストの導電性物質がさらに緻密化し、配線パターンとの電気的接続がより強固な信頼性の高いインナビアホール接続の回路基板が得られるという作用を有する。
【００１２】
本発明の請求項６に記載の発明は、絶縁基材のビアホール内に充填された、導電性物質を有する導電性ペーストと、導電性を有する配線パターンを少なくとも一方面上に有した表層としての回路基板の前記配線パターンとが電気的に接続された回路基板において、前記絶縁基材もしくは前記回路基板の少なくとも一方の所定位置に形成した溝を、当該絶縁基材の樹脂成分にて微小化し、前記導電性ペーストの前記導電性物質を緻密化した回路基板であり、絶縁基材の圧縮性がさらに増すため、導電性ペーストの導電性物質がさらに緻密化し、配線パターンとの電気的接続がより強固な信頼性の高いインナビアホールの回路基板が得られるという作用を有する。
【００１３】
本発明の請求項７に記載の発明は、絶縁基材もしくは回路基板の少なくとも一方の所定位置に形成した溝に、予め押出し量を調整する樹脂を注入した後に、前記絶縁基材もしくは回路基板を圧縮しながら前記溝を微小化する請求項６または７に記載の回路基板であり、予め溝に樹脂を注入することで、硬化工程において、絶縁基材の樹脂成分の押出し量を調整することができるので、導電性ペーストの導電性物質がさらに緻密化し、配線パターンとの電気的接続がより強固な、信頼性の高いインナビアホール接続の回路基板が得られるという作用を有する。
【００１５】
【発明の実施の形態】
（実施の形態１）
図１は本発明の実施の形態１における回路基板の製造工程を示す工程断面図である。まず、図１（ａ）に示すように厚さｔ１の被圧縮性を持つ絶縁基材１を準備する。この絶縁基材１としては、例えば芳香族ポリアミド繊維に熱硬化性エポキシ樹脂を含浸させた複合材からなる基材（以下アラミド−エポキシシートと称する）が用いられる。次に図１（ｂ）に示すようにアラミド−エポキシシート１の所定の位置にレーザ光などを利用して溝２を加工する。このとき溝２の形状や個数は任意であり、アラミド−エポキシシート１のどちらの面に加工してもかまわないし、両面に加工してもよい。また、金型やレーザ光等を利用した貫通穴であってもよい。次に図１（ｃ）に示すように熱プレスやラミネータを用いて、ポリエステルなどの離型性フィルム３をアラミド−エポキシシート１の両面に貼付ける。このとき離型性フィルム３は片面のみであってもかまわない。次に図１（ｄ）に示すようにレーザ光などを利用してアラミド−エポキシシート１と離型性フィルム３に対して貫通孔５を設ける。次に図１（ｅ）に示すように、貫通孔５に例えばエポキシ樹脂と導電性物質となる銅粉等の金属粉を含む導電性ペースト６を充填する。導電性ペースト６を充填する方法としては、貫通孔５を有するアラミド−エポキシシート１を印刷機（図示せず）のテーブル上に設置し、直接、導電性ペーストを離型性フィルム３の上から印刷する。このとき、上面の離型性フィルム３は印刷マスクの役割と、アラミド−エポキシシート１の表面の汚染防止の役割を果たしている。次に図１（ｆ）に示すようにアラミド−エポキシシート１の両面から離型性フィルム３を剥離する。次に図１（ｇ）に示すように、アラミド−エポキシシート１の両面に銅箔などの金属箔７、８を貼付ける。この状態で加熱加圧することにより、図１（ｈ）に示すように、アラミド−エポキシシート１の一構成成分であるエポキシ樹脂および導電性ペースト６が硬化するとともにアラミド−エポキシシート１と金属箔７、８とが接着される。この工程において、アラミド−エポキシシート１の一構成成分であるエポキシ樹脂は溝２へ押し出され、溝２は縮小化し、条件によってはアラミド−エポキシシート１の一構成成分であるエポキシ樹脂で完全に満たされる。そして、アラミド−エポキシシート１の一構成成分であるエポキシ樹脂が溝２へ押し出されることにより、もともと被圧縮性を持つアラミド−エポキシシート１はさらに圧縮されることになり、厚さはｔ２になる。同時に導電性ペースト６も圧縮されることにより、導電性ペースト６の銅粉間からエポキシ樹脂が押し出されて銅粉が緻密化し、銅粉同士および銅粉と金属箔間の結合が強固になる。なお、アラミド−エポキシシート１の一構成成分であるエポキシ樹脂が溝２へ押し出される量を調整するには、溝２の形状や個数により、もしくは、加熱加圧条件により対応が可能であるが、別途準備した例えばエポキシ樹脂のような樹脂等を、加熱加圧前にあらかじめ溝２内へ適度に注入しておいてもよい。次に図１（ｉ）に示すように金属箔７、８を選択的にエッチングして配線パターン９、１０を形成するとインナビアホール接続された２層回路基板１１を得ることができる。
【００１６】
次に図１（ｊ）に示すように、２層回路基板１１の所定の位置にレーザ光などを利用して溝１２、１３を加工する。このとき溝１２、１３の形状や個数は任意であり、２層回路基板１１のどちらの面に加工してもかまわないし、両面に加工してもよい。また、金型やレーザ光等を利用した貫通穴であってもよい。次に図１（ｋ）に示すように、２層回路基板１１をコア材とし、このコア材の両面に、溝１４、１５が加工され貫通穴に導電性ペースト１６、１７が充填されたアラミド−エポキシシート１８、１９と金属箔２０、２１を重ね合わせる。この時、コア材である２層回路基板１１の第１の配線パターン９にアラミド−エポキシシート１８の導電性ペースト１６を接合すると共に、、第２の配線パターン１０にアラミド−エポキシシート１９の導電性ペースト１７を接合する。ここで、貫通穴内に導電性ペースト１６、１７が充填されたアラミド−エポキシシート１８、１９は、被圧縮性を有しており、その両面に離型性フィルムを印刷マスクとして貼付けておき、導電性ペーストを印刷することにより貫通穴内に導電性ペースト１６、１７を充填し、その後離型性フィルムを剥離することにより作成される。また、溝１４、１５の形状や個数は任意であり、アラミド−エポキシシート１８、１９の両面に加工してもかまわないし、金型やレーザ光等を利用した貫通穴であってもよい。次に、図１（ｌ）に示すように、加熱加圧することにより、アラミド−エポキシシート１８、１９の一構成成分であるエポキシ樹脂、および導電性ペースト１６、１７が硬化するとともにアラミド−エポキシシート１８、１９と金属箔２０、２１と２層回路基板１１とが接着される。また、この工程において、アラミド−エポキシシート１８、１９の一構成成分であるエポキシ樹脂は２層回路基板１１の溝１２、１３、およびアラミド−エポキシシート１８、１９の溝１４、１５へ押し出され、溝１２、１３、および溝１４、１５は縮小化し、条件によってはアラミド−エポキシシート１８、１９の一構成成分であるエポキシ樹脂で完全に満たされる。そして、アラミド−エポキシシート１８、１９の一構成成分であるエポキシ樹脂が２層回路基板１１の溝１２、１３、およびアラミド−エポキシシート１８、１９の溝１４、１５へ押し出されることにより、もともと被圧縮性を持つアラミド−エポキシシート１８、１９はさらに圧縮されることになり、厚さはｔ２になるが必ずしも前記アラミド−エポキシシート１と同じ厚みでなくてもよい。同時に導電性ペースト１６、１７も圧縮されることにより、導電性ペースト１６、１７の銅粉間からエポキシ樹脂が押し出され、銅粉が緻密化し、銅粉同士および銅粉と金属箔間、ならびに銅粉と配線パターン間の結合が強固になる。なお、２層回路基板１１の溝１２、１３とアラミド−エポキシシート１８、１９の溝１４、１５は、両方無くても、溝１２、１３のみ、もしくは溝１４、１５のみであってもかまわない。すなわち、溝１２、１３および１４、１５は加熱加圧時に押し出されたアラミド−エポキシシート１８、１９の樹脂成分を受け入れるように配設すればよい。その後、図１（ｍ）に示すように金属箔２０、２１を選択的にエッチングして第３の配線パターン２２、第４の配線パターン２３を形成する。このことにより、第３の配線パターン２２が貫通穴内に充填された導電性ペースト１６によってコア材である２層回路基板１１の第１の配線パターン９にインナビアホール接続され、第４の配線パターン２３が貫通穴内に充填された導電性ペースト１７によってコア材である２層回路基板１１の第２の配線パターン１０にインナビアホール接続され、４層回路基板２４が得られる。
【００１７】
また、上記の工程を繰り返すことや、複数枚の回路基板と、貫通穴に導電性ペーストが充填され、かつ溝が加工された複数枚のアラミド−エポキシシートを交互に重ね合わせて一括で加熱加圧することにより、さらに複数層を積層してなる高多層の多層回路基板を得ることができる。
【００１８】
（実施の形態２）
図２は本発明の実施の形態２における回路基板の製造工程を示す工程断面図である。本発明の実施の形態において実施の形態１と異なるところは、図２（ｉ）以降の多層化の部分である。図２（ｈ）に示す両面に金属箔７、８が接着され、かつ、硬化したアラミド−エポキシシート１を２枚用意し、図２（ｉ）に示すように、それぞれ片面の金属箔８をエッチングすると、配線パターン２５、２６が形成され、配線パターン２５、２６が導電性ペースト２７、２８によって金属箔２９、３０にインナビアホール接続された２層回路基板３１、３２が得られる。次に図２（ｊ）に示すように、２層回路基板３１、３２の所定の位置にレーザ光などを利用して溝３３、３４を加工する。このとき溝３３、３４の形状や個数は任意である。次に図２（ｋ）に示すように、溝３５、３６が加工され貫通穴に導電性ペースト３７が充填されたアラミド−エポキシシート３８の両面に、配線パターン２５、２６が形成され、配線パターン２５、２６が導電性ペースト２７、２８によって金属箔２９、３０にインナビアホール接続された２層回路基板３１、３２を重ね合わせる。この時、導電性ペースト３７に２層回路基板３１の配線パターン２５を接合すると共に、２層回路基板３２の配線パターン２６を接合する。ここで、貫通穴内に導電性ペースト３７が充填されたアラミド−エポキシシート３８は、被圧縮性を有しており、その両面に離型性フィルムを印刷マスクとして貼付けておき、導電性ペーストを印刷することにより貫通穴内に導電性ペースト３７を充填し、その後離型性フィルムを剥離することにより作成される。また、アラミド−エポキシシート３８の溝３５、３６の形状や個数は任意であり、アラミド−エポキシシート３８のどちらの面に加工してもかまわないし、両面に加工してもよい。また、金型やレーザ光等を利用した貫通穴であってもよい。次に、図２（ｌ）に示すように、加熱加圧することにより、アラミド−エポキシシート３８の一構成成分であるエポキシ樹脂および導電性ペースト３７が硬化するとともにアラミド−エポキシシート３８と２層回路基板３１、３２とが接着される。また、この工程において、アラミド−エポキシシート３８の一構成成分であるエポキシ樹脂は２層回路基板３１、３２の溝３３、３４、およびアラミド−エポキシシート３８の溝３５、３６へ押し出され、溝３３、３４、および溝３５、３６は縮小化し、条件によってはアラミド−エポキシシート３８の一構成成分であるエポキシ樹脂で完全に満たされる。そして、アラミド−エポキシシート３８の一構成成分であるエポキシ樹脂が２層回路基板３１、３２の溝３３、３４、およびアラミド−エポキシシート３８の溝３５、３６へ押し出されることにより、もともと被圧縮性を持つアラミド−エポキシシート３８はさらに圧縮されることになり、厚さはｔ２になる。同時に導電性ペースト３７も圧縮されることにより、導電性ペースト３７の銅粉間からエポキシ樹脂が押し出されて銅粉が緻密化し、銅粉同士および銅粉と配線パターン間の結合が強固になる。なお、２層回路基板３１、３２の溝３３、３４とアラミド−エポキシシート３８の溝３５、３６は、両方無くても、溝３３、３４のみ、もしくは溝３５、３６のみであってもかまわない。すなわち、溝３３、３４、および３５、３６は加熱加圧時に押し出されたアラミド−エポキシシート３８の樹脂成分を受け入れるように配設すればよい。その後、図２（ｍ）に示すように金属箔２９、３０を選択的にエッチングして配線パターン３９、４０を形成することにより、４層回路基板４１が得られる。
【００１９】
なお、本実施の形態では、図２（ｉ）において２層回路基板の片面のみに配線パターンを形成したが、ここで２層回路基板の両面に配線パターンを形成しておけば、導電性ペーストを充填したアラミド−エポキシシートと重ね合わせて加熱加圧すれば、その後エッチングして配線パターンを形成しなくても４層回路基板が得られる。
【００２０】
また、上記の工程を繰り返すことや、複数枚の回路基板と、貫通穴に導電性ペーストが充填され、かつ溝が加工された複数枚のアラミド−エポキシシートを交互に重ね合わせて一括で加熱加圧することにより、さらに高多層の多層回路基板を得ることができる。
【００２１】
（実施の形態３）
図３は本発明の実施の形態３における回路基板の製造工程を示す工程断面図である。本発明の実施の形態において実施の形態１と異なるところは、アラミド−エポキシシート１へ設ける溝２を最初に加工するのではなく、図３（ｆ）に示すように、アラミド−エポキシシート１の両面に銅箔などの金属箔７、８を貼付けて加熱加圧する直前で溝２を加工するところにある。溝２の加工は、レーザ光などを利用してアラミド−エポキシシート１の所定の位置に加工する。このとき溝２の形状や個数は任意であり、アラミド−エポキシシート１のどちらの面に加工してもかまわないし、両面に加工してもよい。また、金型やレーザ光等を利用した貫通穴であってもよい。
【００２２】
（実施の形態４）
図４は本発明の実施の形態４における回路基板の製造工程を示す工程断面図である。まず、図４（ａ）に示すように厚さｔ１の被圧縮性を持つ絶縁基材４２、４３を準備する。この絶縁基材としては、例えばアラミド−エポキシシートが用いられる。次に図４（ｂ）に示すようにアラミド−エポキシシート４２、４３の所定の位置にレーザ光などを利用して溝４４、４５を加工する。このとき溝４４、４５の形状や個数は任意であり、アラミド−エポキシシート４２、４３のどちらの面に加工してもかまわないし、両面に加工してもよい。また、金型やレーザ光等を利用した貫通穴であってもよい。次に図４（ｃ）に示すように、第１の配線パターン４８と第２の配線パターン４９が導電性ペースト６２によってインナビアホール接続され、かつ、溝４６、４７が加工された２層回路基板５０（コア材）の両面に、アラミド−エポキシシート４２、４３とポリエステルなどの離型性フィルム５１を熱プレスやラミネータを用いて貼付ける。このときコア材５０の溝４６、４７の形状や個数は任意であり、コア材５０のどちらの面に加工してもかまわないし、両面に加工してもよい。また、金型やレーザ光等を利用した貫通穴であってもよい。また、コア材５０は導電性ペースト６２でインナビア接続された基板以外にも、一般の回路基板や多層基板を用いることができる。なお、コア材５０の片面のみにアラミド−エポキシシート４２と離型性フィルム５１を貼付けてももちろんよい。次に図４（ｄ）に示すようにレーザ光などを利用してアラミド−エポキシシート４２、４３と離型性フィルム５１に対してビアホール５３、５４を設ける。この時、ビアホール５３、５４はコア材５０の第１の配線パターン４８と第２の配線パターン４９の表面を視認して穴加工する。次に図４（ｅ）に示すように、ビアホール５３、５４に例えばエポキシ樹脂と銅粉等の金属粉を含む導電性ペースト５５、５６を充填する。導電性ペースト５５、５６を充填する方法としては、ビアホール５３、５４を有するアラミド−エポキシシート４２、４３と貼付けられたコア材５０を印刷機（図示せず）のテーブル上に設置し、直接導電性ペーストを離型性フィルム５１の上から印刷する。このとき、上面の離型性フィルム５１は印刷マスクの役割と、アラミド−エポキシシート４２、４３の表面の汚染防止の役割を果たしている。なお、コア材５０に対するアラミド−エポキシシート４２、４３の貼付け、レーザ光によるビアホール５３、５４の穴加工、ビアホール５３、５４への導電性ペーストの充填の各工程は、片面づつ実行するか、両面同時に実行するかは任意である。次に図４（ｆ）に示すようにアラミド−エポキシシート４２、４３から離型性フィルム５１を剥離する。次に図４（ｇ）に示すように、アラミド−エポキシシート４２、４３と貼付けられたコア材５０の両面に銅箔などの金属箔５７、５８を貼付ける。この状態で加熱加圧することにより、図４（ｈ）に示すように、アラミド−エポキシシート４２、４３の一構成成分であるエポキシ樹脂および導電性ペースト５５、５６が硬化するとともにアラミド−エポキシシート４２、４３と金属箔５７、５８とが接着される。この工程において、アラミド−エポキシシート４２、４３の一構成成分であるエポキシ樹脂はアラミド−エポキシシート４２、４３の溝４４、４５およびコア材５０の溝４６、４７へ押し出され、溝４４、４５および溝４６、４７は縮小化し、条件によってはアラミド−エポキシシート４２、４３の一構成成分であるエポキシ樹脂で完全に満たされる。そして、アラミド−エポキシシート４２、４３の一構成成分であるエポキシ樹脂がアラミド−エポキシシート４２、４３の溝４４、４５およびコア材５０の溝４６、４７へ押し出されることにより、もともと被圧縮性を持つアラミド−エポキシシート４２、４３はさらに圧縮されることになり、厚さはｔ２になる。同時に導電性ペースト５５、５６も圧縮されることにより、導電性ペースト５５、５６の銅粉間からエポキシ樹脂が押し出されて銅粉が緻密化し、銅粉同士および銅粉と金属箔間、もしくは銅粉と配線パターン間の結合が強固になる。なお、アラミド−エポキシシート４２、４３の溝４４、４５とコア材５０の溝４６、４７は、両方無くても、溝４４、４５のみ、もしくは溝４６、４７のみであってもかまわない。すなわち、溝４４、４５および４６、４７は加熱加圧時に押し出されたアラミド−エポキシシート４２、４３の樹脂成分を受け入れるように配設すればよい。次に図４（ｉ）に示すように金属箔５７、５８を選択的にエッチングして配線パターン５９、６０を形成するとインナビアホール接続された４層回路基板６１を得ることができる。
【００２３】
また、上記の工程を繰り返すことにより、さらに高多層の多層回路基板を得ることができる。
【００２４】
なお、本実施の形態では、図４（ｇ）で、アラミド−エポキシシート４２、４３に金属箔５７、５８を貼付けたが、これらの金属箔５７、５８の代わりに、少なくとも一方の面上に導電性を有する配線パターンを有した回路基板を、その配線パターンが前記導電性ペースト５５、５６に当接するように貼付けして加熱加圧することにより、さらに高多層の多層回路基板を得ることができる。
【００２５】
【発明の効果】
以上のように本発明は、被圧縮性を有する絶縁基材の少なくとも片面に離型性フィルムを貼付けし、前記離型性フィルムと前記絶縁基材に対しビアホールを形成し、前記ビアホールに対し導電性物質を有する導電性ペーストを充填し、その後前記絶縁基材に貼付けした前記離型性フィルムを剥離するビア形成工程と、前記離型性フィルムを剥離した前記絶縁基材の面上に導電性を有する金属箔を、前記導電性ペーストに当接させて貼付けし、前記金属箔を貼付けした前記絶縁基材を加熱加圧し、前記絶縁基材を圧縮しながら前記絶縁基材の所定位置に形成した溝を微小化し、かつ、前記導電性ペーストの前記導電性物質を緻密化して、前記金属箔と電気的に接続する硬化工程と、前記金属箔を加工して所定の配線パターンを形成するパターン形成工程とを含み、前記絶縁基材の少なくとも一方の所定位置に前記溝を形成する溝加工工程は、前記硬化工程に至るまでの前工程に存在する回路基板の製造方法であり、絶縁基材の所定位置の溝が硬化工程において微小化することにより、絶縁基材の圧縮性がさらに増すため、導電性ペーストの導電性物質がさらに緻密化し、配線パターンとの電気的接続がより強固な信頼性の高いインナビアホール接続が得られる。
【００２６】
また、本発明は、被圧縮性を有する絶縁基材の少なくとも片面に離型性フィルムを貼付けし、前記離型性フィルムと前記絶縁基材に対しビアホールを形成し、前記ビアホールに対し導電性物質を有する導電性ペーストを充填し、その後前記絶縁基材に貼付けした前記離型性フィルムを剥離するビア形成工程と、前記離型性フィルムを剥離した前記絶縁基材の少なくとも一方の面上に、導電性を有する配線パターンを少なくとも一方の面上に有した表層としての回路基板の前記配線パターンを、前記導電性ペーストに当接させて貼付けし、前記回路基板を貼付けした前記絶縁基材を加熱加圧し、前記絶縁基材を圧縮しながら前記絶縁基材もしくは前記回路基板の少なくとも一方の所定位置に形成した溝を微小化し、かつ、前記導電性ペーストの前記導電性物質を緻密化して前記配線パターンと電気的に接続する硬化工程とを含み、前記絶縁基材もしくは前記回路基板の少なくとも一方の所定位置に前記溝を形成する溝加工工程は、前記硬化工程に至るまでの前工程に存在する回路基板の製造方法であり、絶縁基材もしくは前記回路基板の少なくとも一方の所定位置の溝が硬化工程において微小化することにより、絶縁基材の圧縮性がさらに増すため、導電性ペーストの導電性物質がさらに緻密化し、配線パターンとの電気的接続がより強固な信頼性の高いインナビアホール接続が得られる。
【００２７】
さらに、本発明は、コア材としての第１の回路基板の少なくとも片面に当接された被圧縮性を有する絶縁基材の、前記回路基板との当接面と反対の面上に離型性フィルムを貼付けし、前記離型性フィルムと前記絶縁基材に対しビアホールを形成し、前記ビアホールに対し導電性物質を有する導電性ペーストを充填し、その後前記絶縁基材に貼付けした前記離型性フィルムを剥離するビア形成工程と、前記離型性フィルムを剥離した前記絶縁基材の面上に導電性を有する金属箔、もしくは導電性を有する配線パターンを少なくとも一方の面上に有した表層としての第２の回路基板の前記配線パターンを、前記導電性ペーストに当接させて貼付けし、前記金属箔、もしくは前記第２の回路基板の配線パターンを貼付けした前記絶縁基材を加熱加圧し、前記絶縁基材を圧縮しながら前記絶縁基材もしくは前記回路基板の少なくとも一方の所定位置に形成した溝を微小化し、かつ、前記導電性ペーストの前記導電性物質を緻密化して、前記金属箔、もしくは前記配線パターンと電気的に接続する硬化工程とを含み、前記絶縁基材もしくは前記回路基板の少なくとも一方の所定位置に前記溝を形成する溝加工工程は、前記硬化工程に至るまでの前工程に存在する回路基板の製造方法であり、絶縁基材もしくは前記回路基板の少なくとも一方の所定位置の溝が硬化工程において微小化することにより、絶縁基材の圧縮性がさらに増すため、導電性ペーストの導電性物質がさらに緻密化し、配線パターンとの電気的接続がより強固な信頼性の高いインナビアホール接続が得られる。
【００２８】
そして、本発明は、絶縁基材もしくは回路基板の少なくとも一方の所定位置に形成した溝に、予め押出し量を調整する樹脂を注入した後に、前記絶縁基材もしくは回路基板を圧縮しながら前記溝を微小化する請求項１〜３いずれかに記載の回路基板の製造方法であり、予め溝に樹脂を注入することで、硬化工程において、絶縁基材の樹脂成分の押出し量を調整することができるので、導電性ペーストの導電性物質がさらに緻密化し、配線パターンとの電気的接続がより強固な、信頼性の高いインナビアホール接続が得られる。
【００２９】
また、本発明は、絶縁基材のビアホール内に充填された、導電性物質を有する導電性ペーストと、所定の配線パターンが形成された金属箔とが、電気的に接続された回路基板において、前記絶縁基材の所定位置に形成した溝が、当該絶縁基材の樹脂成分にて微小化され、前記導電性ペーストの前記導電性物質を緻密化した回路基板であり、絶縁基材の圧縮性がさらに増すため、導電性ペーストの導電性物質がさらに緻密化し、配線パターンとの電気的接続がより強固な信頼性の高いインナビアホール接続の回路基板が得られる。
【００３０】
さらに、本発明は、絶縁基材のビアホール内に充填された、導電性物質を有する導電性ペーストと、導電性を有する配線パターンを少なくとも一方面上に有した表層としての回路基板の前記配線パターンとが電気的に接続された回路基板において、前記絶縁基材もしくは前記回路基板の少なくとも一方の所定位置に形成した溝を、当該絶縁基材の樹脂成分にて微小化し、前記導電性ペーストの前記導電性物質を緻密化した回路基板であり、絶縁基材の圧縮性がさらに増すため、導電性ペーストの導電性物質がさらに緻密化し、配線パターンとの電気的接続がより強固な信頼性の高いインナビアホールの回路基板が得られる。
【００３１】
また、本発明は、絶縁基材もしくは回路基板の少なくとも一方の所定位置に形成した溝に、予め押出し量を調整する樹脂を注入した後に、前記絶縁基材もしくは回路基板を圧縮しながら前記溝を微小化する請求項６または７に記載の回路基板であり、予め溝に樹脂を注入することで、硬化工程において、絶縁基材の樹脂成分の押出し量を調整することができるので、導電性ペーストの導電性物質がさらに緻密化し、配線パターンとの電気的接続がより強固な、信頼性の高いインナビアホール接続の回路基板が得られる。
【００３２】
上記のように、本発明は、被圧縮性を有する絶縁基材もしくは回路基板の所定の位置に溝を形成することで、前記絶縁基材を加熱、圧縮する際に前記溝が微小化することで、前記絶縁基材の圧縮性をさらに増すことができるので、インナビアホール内の導電性ペーストに含まれる導電性物質を緻密化することができ、その結果、信頼性の高いインナビアホール接続および回路基板が得られるものである。さらに、前記溝に予め樹脂を注入しておくことで、前記絶縁基材の加熱、圧縮時における絶縁基材の樹脂成分の押出し量を調整することができるので、導電性物質をさらに緻密化し、配線パターンとの電気的接続がより強固な信頼性の高いインナビアホール接続および回路基板が得られるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１における回路基板の製造工程を示す工程断面図
【図２】本発明の実施の形態２における回路基板の製造工程を示す工程断面図
【図３】本発明の実施の形態３における回路基板の製造工程を示す工程断面図
【図４】本発明の実施の形態４における回路基板の製造工程を示す工程断面図
【図５】従来の回路基板の製造方法を示す工程断面図
【符号の説明】
１ 絶縁基材（アラミド−エポキシシート）
２ 溝
３ 離型性フィルム
５ 貫通孔
６ 導電性ペースト
７ 金属箔
８ 金属箔
９ 配線パターン
１０ 配線パターン
１１ ２層回路基板（コア材）
１２ 溝
１３ 溝
１４ 溝
１５ 溝
１６ 導電性ペースト
１７ 導電性ペースト
１８ アラミド−エポキシシート
１９ アラミド−エポキシシート
２０ 金属箔
２１ 金属箔
２２ 第３の配線パターン
２３ 第４の配線パターン
２４ ４層回路基板
２５ 配線パターン
２６ 配線パターン
２７ 導電性ペースト
２８ 導電性ペースト
２９ 金属箔
３０ 金属箔
３１ ２層回路基板
３２ ２層回路基板
３３ 溝
３４ 溝
３５ 溝
３６ 溝
３７ 導電性ペースト
３８ アラミド−エポキシシート
３９ 配線パターン
４０ 配線パターン
４１ ４層回路基板
４２ 絶縁基材（アラミド−エポキシシート）
４３ 絶縁基材（アラミド−エポキシシート）
４４ 溝
４５ 溝
４６ 溝
４７ 溝
４８ 第１の配線パターン
４９ 第２の配線パターン
５０ ２層回路基板（コア材）
５１ 離型性フィルム
５３ ビアホール
５４ ビアホール
５５ 導電性ペースト
５６ 導電性ペースト
５７ 金属箔
５８ 金属箔
５９ 配線パターン
６０ 配線パターン
６１ ４層回路基板
Claims (7)
- 被圧縮性を有する絶縁基材の少なくとも片面に離型性フィルムを貼付けし、前記離型性フィルムと前記絶縁基材に対しビアホールを形成し、前記ビアホールに対し導電性物質を有する導電性ペーストを充填し、その後前記絶縁基材に貼付けした前記離型性フィルムを剥離するビア形成工程と、前記離型性フィルムを剥離した前記絶縁基材の面上に導電性を有する金属箔を、前記導電性ペーストに当接させて貼付けし、前記金属箔を貼付けした前記絶縁基材を加熱加圧し、前記絶縁基材を圧縮しながら前記絶縁基材の所定位置に形成した溝を微小化し、かつ、前記導電性ペーストの前記導電性物質を緻密化して、前記金属箔と電気的に接続する硬化工程と、前記金属箔を加工して所定の配線パターンを形成するパターン形成工程とを含み、前記絶縁基材の所定位置に前記溝を形成する溝加工工程は、前記硬化工程に至るまでの前工程に存在する回路基板の製造方法。
- 被圧縮性を有する絶縁基材の少なくとも片面に離型性フィルムを貼付けし、前記離型性フィルムと前記絶縁基材に対しビアホールを形成し、前記ビアホールに対し導電性物質を有する導電性ペーストを充填し、その後前記絶縁基材に貼付けした前記離型性フィルムを剥離するビア形成工程と、前記離型性フィルムを剥離した前記絶縁基材の少なくとも一方の面上に、導電性を有する配線パターンを少なくとも一方の面上に有した表層としての回路基板の前記配線パターンを、前記導電性ペーストに当接させて貼付けし、前記回路基板を貼付けした前記絶縁基材を加熱加圧し、前記絶縁基材を圧縮しながら前記絶縁基材もしくは前記回路基板の少なくとも一方の所定位置に形成した溝を微小化し、かつ、前記導電性ペーストの前記導電性物質を緻密化して前記配線パターンと電気的に接続する硬化工程とを含み、前記絶縁基材もしくは前記回路基板の少なくとも一方の所定位置に前記溝を形成する溝加工工程は、前記硬化工程に至るまでの前工程に存在する回路基板の製造方法。
- コア材としての第１の回路基板の少なくとも片面に当接された被圧縮性を有する絶縁基材の、前記回路基板との当接面と反対の面上に離型性フィルムを貼付けし、前記離型性フィルムと前記絶縁基材に対しビアホールを形成し、前記ビアホールに対し導電性物質を有する導電性ペーストを充填し、その後前記絶縁基材に貼付けした前記離型性フィルムを剥離するビア形成工程と、前記離型性フィルムを剥離した前記絶縁基材の面上に導電性を有する金属箔、もしくは導電性を有する配線パターンを少なくとも一方の面上に有した表層としての第２の回路基板の前記配線パターンを、前記導電性ペーストに当接させて貼付けし、前記金属箔、もしくは前記第２の回路基板の配線パターンを貼付けした前記絶縁基材を加熱加圧し、前記絶縁基材を圧縮しながら前記絶縁基材もしくは前記回路基板の少なくとも一方の所定位置に形成した溝を微小化し、かつ、前記導電性ペーストの前記導電性物質を緻密化して、前記金属箔、もしくは前記配線パターンと電気的に接続する硬化工程とを含み、前記絶縁基材もしくは前記回路基板の少なくとも一方の所定位置に前記溝を形成する溝加工工程は、前記硬化工程に至るまでの前工程に存在する回路基板の製造方法。
- 絶縁基材もしくは回路基板の少なくとも一方の所定位置に形成した溝に、予め押出し量を調整する樹脂を注入した後に、前記絶縁基材もしくは回路基板を圧縮しながら前記溝を微小化する請求項１〜３いずれかに記載の回路基板の製造方法。
- 絶縁基材のビアホール内に充填された、導電性物質を有する導電性ペーストと、所定の配線パターンが形成された金属箔とが、電気的に接続された回路基板において、前記絶縁基材の所定位置に形成した溝が、当該絶縁基材の樹脂成分にて微小化され、前記導電性ペーストの前記導電性物質を緻密化した回路基板。
- 絶縁基材のビアホール内に充填された、導電性物質を有する導電性ペーストと、導電性を有する配線パターンを少なくとも一方面上に有した表層としての回路基板の前記配線パターンとが電気的に接続された回路基板において、前記絶縁基材もしくは前記回路基板の少なくとも一方の所定位置に形成した溝を、当該絶縁基材の樹脂成分にて微小化し、前記導電性ペーストの前記導電性物質を緻密化した回路基板。
- 絶縁基材もしくは回路基板の少なくとも一方の所定位置に形成した溝に 、予め押出し量を調整する樹脂を注入した後に、前記絶縁基材もしくは回路基板を圧縮しながら前記溝を微小化した請求項５または６に記載の回路基板。
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