JP2002185093A - 両面配線基板用積層体および両面配線基板 - Google Patents

両面配線基板用積層体および両面配線基板

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JP2002185093A
JP2002185093A JP2000380488A JP2000380488A JP2002185093A JP 2002185093 A JP2002185093 A JP 2002185093A JP 2000380488 A JP2000380488 A JP 2000380488A JP 2000380488 A JP2000380488 A JP 2000380488A JP 2002185093 A JP2002185093 A JP 2002185093A
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JP
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resin
wiring board
layer
porous layer
sided wiring
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Application number
JP2000380488A
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English (en)
Inventor
Toshiyuki Kawashima
敏行 川島
Kenichi Ikeda
健一 池田
Shinji Tawara
伸治 田原
Kazuto Hosokawa
和人 細川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Denko Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 接着層を設ける場合でも絶縁層の低誘電率
化、低誘電損失化を十分図ることができ、しかも十分な
密着力が得られる両面配線基板用積層体およびそれを用
いた両面配線基板を提供する。 【解決手段】 両面配線基板用積層体において、表側金
属層1と、その内面に形成された表側樹脂多孔質層2
と、裏側金属層5と、その内面に形成された裏側樹脂多
孔質層4と、表側樹脂多孔質層2と裏側樹脂多孔質層4
とを接着させる接着層3とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、絶縁層として樹脂
多孔質層を備える両面配線基板用積層体、及びそれを用
いた両面配線基板に関し、特に、高周波領域において好
適に使用できるものである。
【0002】
【従来の技術】近年、電子機器類の小型化や軽量化のた
め、それに用いられる配線基板は高密度化、多層化する
傾向にある。一方、デジタル信号の高速処理や、高周波
を利用した通信機器の普及により、配線基板を流れる電
気信号も、高周波数化する傾向にある。
【0003】このような高周波領域の用途に用いられる
配線基板では、特に高密度で回路形成されている場合、
伝送のエネルギー損失が大きくなりやすいため、低い誘
電率(ε)と低い誘電損失(誘電正接:tanδ)の絶
縁層を有するものが求められている。
【0004】従来、このような高周波用配線基板には、
銅等の金属層上にポリイミド樹脂のような樹脂フィルム
をラミネート形成した積層体が用いられていた。しか
し、高周波領域において樹脂フィルムの誘電率と誘電損
失が大きくなり、絶縁層に要求される性能を十分に満足
しうるものではなかった。
【0005】このため、配線基板の絶縁層を多孔質化す
ることで、誘電率と誘電損失とを改善する発明が幾つか
知られており、更に、金属層を形成する金属箔上に、湿
式相分離法等で直接樹脂多孔質層を形成した積層体も存
在する(特開昭62−279936号公報等)。
【0006】一方、従来より樹脂シート等よりなる絶縁
層の表裏両面に金属層を有する積層体が、両面配線基板
や多層配線基板のコア基板として使用されてきた。そし
て、このような積層体は、樹脂シート等の両面に金属を
メッキしたり、熱ラミネートや接着剤等により金属を接
着させて製造するのが一般的であった。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、積層体
の絶縁層を上記の如き樹脂多孔質層で形成する場合、樹
脂多孔質層の孔径にもよるが金属の平滑なメッキは困難
となり、また、熱ラミネートによっても多孔構造を維持
しながら十分な密着力を得るのが難しいという問題があ
る。また、接着剤や接着性シートを用いる場合、それら
は誘電率や誘電損失が大きいため、金属層の下層に設け
た接着層が絶縁層全体の電気特性を大きく悪化させるこ
とが判明した。
【0008】そこで、本発明の目的は、接着層を設ける
場合でも絶縁層の低誘電率化、低誘電損失化を十分図る
ことができ、しかも十分な密着力が得られる両面配線基
板用積層体およびそれを用いた両面配線基板を提供する
ことにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、樹脂多孔
質層の両面に金属層を積層一体化するための各種方法に
ついて鋭意研究したところ、接着層を2層の樹脂多孔質
層に介在させて両者を接着する構造とすることにより、
上記目的が達成できることを見出し、本発明を完成する
に至った。
【0010】即ち、本発明の両面配線基板用積層体は、
表側金属層と、その内面に形成された表側樹脂多孔質層
と、裏側金属層と、その内面に形成された裏側樹脂多孔
質層と、前記表側樹脂多孔質層と裏側樹脂多孔質層とを
接着させる接着層とを備える。
【0011】上記において、前記表側樹脂多孔質層と前
記裏側樹脂多孔質層とがポリイミド系樹脂であることが
好ましい。
【0012】また、前記接着層が、エポキシ樹脂、エポ
キシ/ゴム混合物、アクリル樹脂、ポリオレフィン樹
脂、ジエン系ブロック共重合体、シリコーン樹脂、及び
ポリイミド樹脂からなる群より選ばれる1種以上のバイ
ンダー成分を含有することが好ましい。
【0013】また、前記ポリイミド系樹脂が、BPDA
(ビフェニルテトラカルボン酸二無水和物)−DDE
(ジアミノジフェニルエーテル)−PPD(パラフェニ
レンジアミン)系であることが好ましい。
【0014】一方、本発明の両面配線基板は、上記いず
れかに記載の両面配線基板用積層体の表側金属層及び裏
側金属層に、配線パターンが形成されているものであ
る。ここで、両面配線基板とは、片面1層の両面配線基
板の他、当該両面配線基板をコア基板として更に多層化
した両面多層配線基板も含む意味である。
【0015】[作用効果]本発明の両面配線基板用積層
体によると、金属層と接着層との間に樹脂多孔質層が介
在するため、接着層の電気特性への影響が小さくなり、
実施例の結果が示すように、絶縁層の低誘電率化、低誘
電損失化を十分図ることができ、しかも十分な密着力を
得ることができる。
【0016】前記表側樹脂多孔質層と前記裏側樹脂多孔
質層とがポリイミド系樹脂である場合、樹脂多孔質層の
絶縁性、耐熱性が良好となり、また金属層との密着性も
より良好となる。
【0017】前記接着層が、エポキシ樹脂、エポキシ/
ゴム混合物、アクリル樹脂、ポリオレフィン樹脂、ジエ
ン系ブロック共重合体、シリコーン樹脂、及びポリイミ
ド樹脂からなる群より選ばれる1種以上のバインダー成
分を含有する場合、樹脂多孔質層との密着性が良好とな
り、特にポリイミド系の樹脂多孔質層との密着性が良好
となる。
【0018】前記ポリイミド系樹脂がBPDA−DDE
−PPD系である場合、ブタンテトラカルボン酸系のポ
リイミド系樹脂に比べて、高周波領域での誘電損失をよ
り小さくすることができる。
【0019】一方、本発明の両面配線基板は、上記いず
れかに記載の両面配線基板用積層体の表側金属層及び裏
側金属層に、配線パターンが形成されているため、絶縁
層の低誘電率化、低誘電損失化を十分図ることができ、
特に、高周波領域において好適に使用できる。また、各
層の十分な密着力が得られため、信頼性、耐久性等にも
優れたものとなる。
【0020】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら説明する。図1は、本発明の両面
配線基板用積層体の一例を示す断面図である。
【0021】本発明の両面配線基板用積層体は、図1に
示すように、表側金属層1と、その内面に形成された表
側樹脂多孔質層2と、裏側金属層5と、その内面に形成
された裏側樹脂多孔質層4と、表側樹脂多孔質層2と裏
側樹脂多孔質層4とを接着させる接着層3とを備える。
【0022】表側金属層1と裏側金属層5とは、同一の
材質、厚み等でもよく、異なる材質、厚み等でもよい。
表側金属層1と裏側金属層5の材質は特に制限されず、
銅、白銅、青銅、黄銅、アルミニウム、ニッケル、鉄、
ステンレス、金、銀、白金等の各種のものを使用でき
る。これらは、金属箔、金属板のいずれでもよく、その
厚さは、通常、0. 1〜100μm程度、好ましくは1
〜50μmである。本発明では配線基板の配線パターン
として好適な銅箔を用いるのが特に好ましい。
【0023】表側金属層1と裏側金属層5の内面には、
樹脂多孔質層との密着性を高めるために、粗面化処理、
黒色処理などの物理的又は化学的な各種表面処理を行っ
てもよい。また、誘電率や誘電損失を大きく損なわない
範囲で、無孔質の樹脂層等を設けてもよい。
【0024】表側樹脂多孔質層2と裏側樹脂多孔質層4
とは、同一の材質、厚み等でもよく、異なる材質、厚み
等でもよい。これらの材質は特に制限されず、ポリイミ
ド、ポリエステル、ポリアミド、特に芳香族ポリアミ
ド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリエー
テルサルホン等の各種樹脂を採用することができる。こ
れら樹脂のなかでもポリイミド系樹脂が絶縁性、耐熱性
が良好であり、また金属層との密着性も良好であり好ま
しい。
【0025】表側樹脂多孔質層2と裏側樹脂多孔質層4
との厚さは、通常、0. 1〜100μm程度、好ましく
は1〜50μmである。その空孔率は40〜90%が好
ましく、平均孔径は0.05〜50μmが好ましい。
【0026】樹脂多孔質層の形成は、湿式凝固法、乾式
凝固法、延伸法など種々の製膜法が挙げられるが、湿式
凝固法によれば連続気泡多孔質膜が得られ好ましい。湿
式凝固法では、一般的に、溶剤に樹脂と添加剤等を溶解
した製膜原液(ドープ)を調製し、これを基材に塗布
(キャスト)したものを凝固液に浸漬して溶剤置換させ
ることで、樹脂を凝固(ゲル化)させ、その後、凝固液
等を乾燥除去するなどして多孔質層を得る。
【0027】上記の塗布基材として、金属層を用いるこ
とにより、多孔質層の形成と金属層との積層一体化とを
同時に行うことができる。従って、本発明の積層体は、
樹脂多孔質層が湿式凝固法により金属層と一体化して形
成されていることが好ましい。但し、金属層とは異なる
塗布基材を用いて製膜した後に、多孔質膜を金属層と積
層して一体化してもよく、例えばポリイミド系樹脂の前
駆体であるポリアミド酸で多孔質膜を形成した後、イミ
ド転化の際に金属層と積層して一体化させてもよい。
【0028】ポリイミド系樹脂としては、酸残基とアミ
ン残基とがイミド結合した繰り返し単位を主体とするす
るものであれば、他の共重合成分やブレンド成分を含む
ものでもよい。好ましくは、耐熱性、吸湿性、機械的強
度の点から、主鎖に芳香族基を有するポリイミドであ
り、テトラカルボン酸成分と芳香族ジアミン成分の重合
物からなるポリイミドを挙げることができる。特に、
0.55〜3.00、好ましくは0. 60〜0.85の
極限粘度(30℃での測定値)有している高分子である
ことが望ましい。上記範囲の極限粘度を有するものは、
樹脂多孔質層の形成を湿式凝固法で行う場合に、溶剤へ
の溶解性が良好で、機械的強度が大きく自立性の多孔質
膜フィルムとなる。
【0029】酸成分であるテトラカルボン酸二無水物の
具体例としては、ピロメリット酸二無水物、3,3’,
4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、
3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水物、2,3,3’,4−ビフェニルテトラカルボン酸
二無水物、2,3,6,7−ナフタレンテトラカルボン
酸二無水物、1,2,5,6−ナフタレンテトラカルボ
ン酸二無水物、1,4,5,8−ナフタレンテトラカル
ボン酸二無水物、2,2’−ビス(3,4−ジカルボキ
シフェニル)プロパン二無水物、ビス(3,4−ジカル
ボキシフェニル)スルホン二無水物、ペリレン−3,
4,9,10−テトラカルボン酸二無水物、ビス(3,
4−ジカルボキシフェニル)エーテル二無水物、エチレ
ンテトラカルボン酸二無水物、ブタンテトラカルボン酸
二無水物等が挙げられる。
【0030】一方、ジアミンの例としては、4,4’−
ジアミノジフェニルエーテル(DDE)、4,4’−ジ
アミノジフェニルメタン、3,3’−ジアミノジフェニ
ルメタン、3,3’−ジクロロベンジジン、4,4−ジ
アミノジフェニルスルフィド−3,3’−ジアミノジフ
ェニルスルホン、1,5−ジアミノナフタレン、m−フ
ェニレンジアミン、p−フェニレンジアミン(PP
D)、3,3’−ジメチル−4,4’−ビフェニルジア
ミン、ベンジジン、3,3’−ジメチルベンジジン、
3,3’−ジメトキシベンジジン、4,4’−ジアミノ
フェニルスルホン、4,4’−ジアミノフェニルスルホ
ン、4,4’−ジアミノジフェニルスルフィド、4,
4’−ジアミノジフェニルプロパン、2,4−ビス(β
−アミノ−第三ブチル)トルエン、ビス(p−β−アミ
ノ−第三ブチルフェニル)エーテル、ビス(p−β−メ
チル−δ−アミノフェニル)ベンゼン、ビス−p−
(1,1−ジメチル−5−アミノ−ペンチル)ベンゼ
ン、1−イソプロピル−2,4−m−フェニレンジアミ
ン、m−キシリレンジアミン、p−キシリレンジアミ
ン、ジ(p−アミノシクロヘキシル)メタン、ヘキサメ
チレンジアミン、ヘプタメチレンジアミン、オクタメチ
レンジアミン、ノナメチレンジアミン、デカメチレンジ
アミン、ジアミノプロピルテトラメチレン、3−メチル
ヘプタメチレンジアミン、4,4−ジメチルヘプタメチ
レンジアミン、2,11−ジアミノドデカン、1,2−
ビス−3−アミノプロポキシエタン、2,2−ジメチル
プロピレンジアミン、3−メトキシヘキサメチレンジア
ミン、2,5−ジメチルヘキサメチレンジアミン、2,
5−ジメチルヘプタメチレンジアミン、2,5−ジメチ
ルヘプタメチレンジアミン、3−メチルヘプタメチレン
ジアミン、5−メチルノナメチレンジアミン、2,11
−ジアミノドデカン、2,17−ジアミノエイコサデカ
ン、1,4−ジアミノシクロヘキサン、1,10−ジア
ミノ−1,10−ジメチルデカン、1,12−ジアミノ
オクタデカン、2,2−ビス〔4−(4−アミノフェノ
キシ)フェニル〕プロパン、ピペラジン、H2 N(CH
23 O(CH22 O(CH2 )NH2 、H2 N(C
23 S(CH23 NH2 、H2 N(CH23
(CH32 (CH23 NH2 、等が挙げられる。
【0031】前述の通り、これらポリイミド系樹脂のな
かでもBPDA(ビフェニルテトラカルボン酸二無水和
物)−DDE(ジアミノジフェニルエーテル)−PPD
(パラフェニレンジアミン)系のものが好適である。
【0032】ポリイミド系樹脂は、当該重合体またはそ
の前駆体(ポリアミド酸)を用いることができるが、ポ
リアミド酸はポリイミドと比較して溶解性が高いため
に、分子構造上の制約が少ないという利点がある。な
お、重合体としては、完全にイミド化しているものがよ
いが、イミド化率が70%以上のものでも良い。イミド
化率が比較的高いものをドープに用いる場合、ブタンテ
トラカルボン酸二無水物等の屈曲性の高い成分を繰り返
し単位に含む重合体を使用するのが好ましい。
【0033】ポリイミド系樹脂又はその前駆体を溶解さ
せる溶剤は、これらを溶解する物であれば特に限定され
ないが、N−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチ
ルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメ
チルスルホキシド等の非プロトン性極性溶剤が溶解性の
面や、樹脂多孔質層の形成を湿式凝固法で行う場合の凝
固溶剤との溶剤置換スピードの点で好ましく使用でき
る。好ましい例として、N−メチル−2−ピロリドンを
例示することができる。また、ジエチレングリコールジ
メチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテ
ル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、トリエチ
レングリコールジエチルエーテル、1,2−ジメトキシ
エタン、1,2−ジエトキシエタン、1,2−ジブトキ
シエタン等の溶剤を混合して、前記湿式凝固法における
溶剤置換の速度を調整してもよい。
【0034】なお、ポリイミド系樹脂を用いた場合に、
湿式凝固法におけるドープは、好ましくは−20〜40
℃の温度範囲で塗布される。また、凝固液としては用い
る樹脂を溶解せずに、上記溶剤と相溶性を有するもので
あれば、限定されないが、水やメタノール、エタノー
ル、イソプロピルアルコール等のアルコール類及びこれ
らの混合液が用いられ、特に水が好適に用いられる。浸
漬時の凝固液の温度は特に限定されないが、好ましくは
0〜50℃の温度である。
【0035】製膜原液のポリマー濃度は、5重量%から
25重量%の範囲が好ましく、7重量%から20重量%
がより好ましい。濃度が高すぎると、粘度が高くなりす
ぎて取り扱いが困難になるし、濃度が低すぎると多孔質
膜が形成しにくくなる傾向がある。
【0036】孔径形状や孔径コントロールのために硝酸
リチウムのような無機物やポリビニルピロリドンのよう
な有機物を添加することもできる。添加物の濃度は溶液
中に1重量%から10重量%まで添加するのが好まし
い。硝酸リチウムを添加すると溶剤と凝固液との置換速
度が速く、スポンジ構造の中にフィンガーボイド構造
(指状にボイドを有する構造)を形成できる。ポリビニ
ルピロリドンのような凝固スピードを遅くする添加剤を
加えると、スポンジ構造が均一に広がった多孔質層を得
ることができる。
【0037】ドープは一定の厚みに塗布し、水等の凝固
液中に浸積して凝固させたり、水蒸気雰囲気下に放置し
て凝固した後、水中に浸積するなどして、脱溶剤され多
孔質層となる。多孔質層の形成後、凝固液から取り出し
た後、乾燥する。乾燥温度は特に制限されないが、20
0℃以下での乾燥が望ましい。
【0038】ポリイミド系樹脂の樹脂多孔質層を形成す
る際、その前駆体(ポリアミド酸)を用いる場合には、
最終的に200〜500℃で熱処理して、前駆体(ポリ
アミド酸)を加熱閉環させてポリイミドとする。
【0039】表側樹脂多孔質層2と裏側樹脂多孔質層4
とを接着させる接着層3としては、エポキシ樹脂、エポ
キシ/ゴム混合物、アクリル樹脂、ポリオレフィン樹
脂、ジエン系ブロック共重合体、シリコーン樹脂、ポリ
イミド樹脂等のバインダー成分の1種以上を用途に合わ
せて適宜選択することができる。また、接着層3には、
バインダー成分以外の成分として、粘着性付与剤、架橋
剤、カップリング剤、硬化剤、硬化助剤等を含有しても
よい。
【0040】このような接着層3の厚みは1〜1000
μmが好ましく、10〜300μmがより好ましい。接
着層3の弾性率は150〜250℃の温度領域で104
Pa以上である事が好ましい。弾性率が104 Pa未満
であると、積層体を製造する際の熱プレス時及びハンダ
リフロー時の熱履歴により、樹脂多孔質層中に含浸する
量が多くなり、樹脂多孔質層中に空隙を保持することが
困難となる傾向がある。
【0041】このような接着層3の製造方法としては、
溶剤に溶解したワニスを塗布乾燥する溶液法、ホットメ
ルト塗工法、無溶剤でモノマー成分もしくはモノマーの
部分重合物を塗布し電子線により重合させる電子線重合
法等の従来公知の方法により形成することができる。
【0042】接着層3を積層する方法としては、別途支
持体上に作成した接着シートを熱ラミネーター等により
貼り合わせる転写方式及び多孔質層に直接塗布し形成す
る直写方式があり、特に限定されるものではない。
【0043】以上のような本発明の積層体を製造するた
めの一連の工程を例示すると次のようになる。図2に示
すように、表側金属層1上に表側樹脂多孔質層2を前述
のようにして製膜した後、更に接着層3を構成する接着
シート等を表側樹脂多孔質層2に積層する。そして、上
記と同様にして作製した裏側金属層5と裏側樹脂多孔質
層4との積層体を、多孔質層同士が向き合うように積層
し、必要に応じて接着力を高めるための処理を施せばよ
い。当該処理としては、熱プレス、加熱などが挙げられ
る。
【0044】本発明の両面配線基板は、以上のような両
面配線基板用積層体の表側金属層及び裏側金属層に、配
線パターンが形成されているものである。配線パターン
の形成方法は何れでもよく、各種レジスト材を使用した
エッチング等により行うことができる。
【0045】
【実施例】以下、本発明の構成と効果を具体的に示す実
施例等について説明する。
【0046】〔接着シートの調製例1〕下記の組成を有
する接着剤ワニス1(樹脂固形分21.9重量%)を、
離型処理したポリエステルフィルム上に塗布した。
【0047】 ジエン系ブロック共重合体 100重量部 (タフテックM1943、旭化成工業株式会社製) ロジン樹脂(KE604、荒川化学株式会社製) 10重量部 エポキシ樹脂(TETRAD−C、三菱ガス化学株式会社製)0.2重量部 シランカップリング剤 2重量部 (KBM−403、信越化学工業株式会社製) トルエン 400重量部 次に、150℃に加熱して溶剤を除去することにより、
ポリエステルフィルム上に厚み20μmの接着シート1
を形成した。
【0048】〔接着シートの調製例2〕下記の組成を有
する接着剤ワニス2(樹脂固形分50重量%)を、離型
処理したポリエステルフィルム上に塗布した。
【0049】 アクリロニトリルブタジエンゴム 20重量部 (PNR−1H、JSR株式会社製) エポキシ樹脂 44重量部 (YX−4000H、油化シェルエポキシ株式会社製) フェノール樹脂(タマノルP−180、荒川化学株式会社製) 35重量部 イミダゾール 1重量部 (キュアゾール2PZ−CN、四国化成工業株式会社製) メチルエチルケトン(MEK) 100重量部 次に、150℃に加熱して溶剤を除去することにより、
ポリエステルフィルム上に厚み20μmの接着シート2
を形成した。
【0050】〔ポリイミド多孔質基材の製造例1〕BP
DA(ビフェニルテトラカルボン酸二無水和物)−DD
E(ジアミノジフェニルエーテル)−PPD(パラフェ
ニレンジアミン)系のポリイミド前駆体のN−メチル−
2−ピロリドン(NMP)20重量%溶液を製膜原液と
して、35μm圧延銅箔(ジャパンエナジー社製)の粗
化面上に、フィルムアプリケーターを用いて、ギャップ
100μmで均一の厚さに塗布した。塗布後直ちに25
℃の純水中に浸着し、ポリイミド前駆体を凝固させた。
凝固後90℃で1時間以上乾燥させた。乾燥後、窒素雰
囲気中にて400℃で3時間熱処理し、ポリイミド前駆
体を加熱閉環させ、片面銅箔基板を得た。得られた片面
銅箔基板は、樹脂多孔質層が厚み30μm、空孔率50
%、銅箔を含めたトータル厚み65μmであった。
【0051】〔ポリイミド多孔質基材の製造例2〕BP
DA−DDE−PPD系のポリイミド前駆体のN−メチ
ル−2−ピロリドン(NMP)溶液の濃度を14重量%
に変えた製膜原液を使用する以外は、上記の製造例1と
同様にして、片面銅箔基板を得た。得られた片面銅箔基
板は、樹脂多孔質層が厚み30μm、空孔率80%、銅
箔を含めたトータル厚み65μmであった。
【0052】〔実施例1〜5〕上記製造例1〜2で得ら
れた片面銅箔基板を各々2枚用意し、いずれかの樹脂多
孔質層に表1に示す接着シートまたは接着剤を、ラミネ
ートまたは塗布し、樹脂多孔質層が向き合うように積層
した。積層後、真空プレス機によりチャンバー内圧力3
torr、加熱温度180℃、プレス圧力60kg/c
2 の条件下で熱プレスを行い、両面銅箔基板を製作し
た。
【0053】〔比較例1〕接着シートの調製例1で得ら
れた接着シート1を、35μm厚みの銅箔(ジャパンエ
ナジー社製)の粗化面上に、温度90℃、圧力0.5k
g/cm2 の条件にて熱ラミネートを行い、ポリエステ
ルフィルムをセパレート後35μm銅箔を粗化面が向き
合うように積層し、真空プレス機によりチャンバー内圧
力3torr、加熱温度180℃、プレス圧力60kg
/cm2 の条件下で熱プレスを行い、両面銅箔基板を製
作した。
【0054】〔比較例2〕ABF接着シート(ABF−
45SH、味の素ファインテクノ株式会社製)を、35
μm厚みの銅箔(ジャパンエナジー社製)の粗化面上
に、温度90℃、圧力0.5kg/cm2 の条件にて熱
ラミネートを行い、セパフィルムをセパレート後35μ
m銅箔を粗化面が向き合うように積層し、真空プレス機
によりチャンバー内圧力3torr、加熱温度180
℃、プレス圧力60kg/cm2 の条件下で熱プレスを
行い、両面銅箔基板を製作した。
【0055】〔比較例3〕ポリイミド系接着剤(UPA
−AH、宇部興産株式会社製)を、35μm厚みの銅箔
(ジャパンエナジー社製)の粗化面上に、バーコーター
にて厚み100μmに塗布し温度90℃で5分間乾燥後
(乾燥後の接着層厚みは30μm)、35μm銅箔を粗
化面が向き合うように積層し、真空プレス機によりチャ
ンバー内圧力3torr、加熱温度180℃、プレス圧
力60kg/cm2 の条件下で熱プレスを行い、両面銅
箔基板を製作した。
【0056】〔比較例4〕ポリイミド系接着剤(UPA
−AH、宇部興産株式会社製)を、35μm厚みの銅箔
(ジャパンエナジー社製)の粗化面上に、バーコーター
にて厚み50μmに塗布し温度90℃で5分間乾燥後
(乾燥後の接着層厚みは15μm)、ポリイミド多孔質
基材の製造例で得られた片面銅箔基板を積層し、真空プ
レス機によりチャンバー内圧力3torr、加熱温度1
80℃、プレス圧力60kg/cm2の条件下で熱プレ
スを行い、両面銅箔基板を製作した。
【0057】このようにして得られた各実施例、比較例
の両面銅箔基板を用いて誘電率、誘電正接、銅箔剥離強
度を下記に示す方法に従い実施した。これらの結果を、
後記の表1に示した。
【0058】<誘電率、誘電正接の測定>両面銅箔基板
をエッチングして除去した多孔性基材また接着シート、
接着剤層を10GHzの場合は空洞共振器を用いて、1
MHzの場合はインピーダンスアナライザーを用いて、
Z軸方向(基板の厚み方向)についての誘電率、誘電正
接を測定した。
【0059】<剥離力測定方法>両面銅箔基板を2mm
幅に切断した試験片を180°方向に片側の銅箔面を5
0mm/minの速度で引き剥がし、そのときの最大値
を剥離力とした。
【0060】
【表1】 表1からも明らかなように実施例1〜5は、ポリイミド
の多孔性基材を用いて両面銅箔基板を製作することによ
り、比較例1〜3の様に絶縁性の接着シートまたは接着
剤により製造した両面銅箔基板と比べ低誘電率、低誘電
正接な基板材料の提供が可能となる。また、接着層を金
属層の内面に設けた比較例4では、中央部に接着層を設
けた実施例1と比較して、Z軸方向の誘電率が増加して
いた。また、比較例1〜3では、銅箔と接着層との剥離
力となるため、銅箔と樹脂多孔質層との剥離力を示す実
施例と比較して若干大きな値を示しているが、実施例の
剥離力はこれと比較して十分な値と言える。
【0061】なお、XY面の誘電率と誘電正接について
も、上記と同様の結果が得られるが、比較例4では、特
に接着層側の誘電率と誘電正接との増加が顕著になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の両面配線基板用積層体の一例を示す断
面図
【図2】本発明の両面配線基板用積層体の製法の一例を
示す工程図
【符号の説明】
1 表側金属層 2 表側樹脂多孔質層 3 接着層 4 裏側樹脂多孔質層 5 裏側金属層
フロントページの続き (72)発明者 田原 伸治 大阪府茨木市下穂積1丁目1番2号 日東 電工株式会社内 (72)発明者 細川 和人 大阪府茨木市下穂積1丁目1番2号 日東 電工株式会社内 Fターム(参考) 4F100 AB01A AB01D AB17 AB33 AK01B AK01C AK03G AK25G AK28G AK28J AK49B AK49C AK49G AK52G AK53G AL02G AL05G AN00G BA04 BA06 BA10A BA10D BA13 CB00 DJ01B DJ01C GB43 JG05 JK06

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 表側金属層と、その内面に形成された表
    側樹脂多孔質層と、裏側金属層と、その内面に形成され
    た裏側樹脂多孔質層と、前記表側樹脂多孔質層と裏側樹
    脂多孔質層とを接着させる接着層とを備える両面配線基
    板用積層体。
  2. 【請求項2】 前記表側樹脂多孔質層と前記裏側樹脂多
    孔質層とがポリイミド系樹脂である請求項1記載の両面
    配線基板用積層体。
  3. 【請求項3】 前記接着層が、エポキシ樹脂、エポキシ
    /ゴム混合物、アクリル樹脂、ポリオレフィン樹脂、ジ
    エン系ブロック共重合体、シリコーン樹脂、及びポリイ
    ミド樹脂からなる群より選ばれる1種以上のバインダー
    成分を含有する請求項2記載の両面配線基板用積層体。
  4. 【請求項4】 前記ポリイミド系樹脂が、BPDA(ビ
    フェニルテトラカルボン酸二無水和物)−DDE(ジア
    ミノジフェニルエーテル)−PPD(パラフェニレンジ
    アミン)系である請求項2又は3記載の両面配線基板用
    積層体。
  5. 【請求項5】 請求項1〜4のいずれかに記載の両面配
    線基板用積層体の表側金属層及び裏側金属層に、配線パ
    ターンが形成されている両面配線基板。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP7562843B2 (ja) 2020-08-25 2024-10-07 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 半導体パッケージ用樹脂組成物及びこれを含む銅箔付樹脂

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