JPWO2017141811A1 - 保護回路、および保護回路の動作方法、および半導体集積回路装置 - Google Patents
保護回路、および保護回路の動作方法、および半導体集積回路装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2017141811A1 JPWO2017141811A1 JP2018500075A JP2018500075A JPWO2017141811A1 JP WO2017141811 A1 JPWO2017141811 A1 JP WO2017141811A1 JP 2018500075 A JP2018500075 A JP 2018500075A JP 2018500075 A JP2018500075 A JP 2018500075A JP WO2017141811 A1 JPWO2017141811 A1 JP WO2017141811A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nmos transistor
- power supply
- protection circuit
- zener diode
- gate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 90
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 16
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 claims abstract description 25
- 230000006378 damage Effects 0.000 claims abstract description 21
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 22
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 5
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 25
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 4
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 4
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
- H02H3/00—Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection
- H02H3/003—Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection responsive to reversal of power transmission direction
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
- H02H11/00—Emergency protective circuit arrangements for preventing the switching-on in case an undesired electric working condition might result
- H02H11/002—Emergency protective circuit arrangements for preventing the switching-on in case an undesired electric working condition might result in case of inverted polarity or connection; with switching for obtaining correct connection
- H02H11/003—Emergency protective circuit arrangements for preventing the switching-on in case an undesired electric working condition might result in case of inverted polarity or connection; with switching for obtaining correct connection using a field effect transistor as protecting element in one of the supply lines
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
- H03K17/081—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit
- H03K17/08104—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit in field-effect transistor switches
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
- H01L27/0251—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices
- H01L27/0255—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices using diodes as protective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
- H01L27/0251—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices
- H01L27/0266—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices using field effect transistors as protective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/866—Zener diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
- H02J7/00—Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries
- H02J7/0029—Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries with safety or protection devices or circuits
- H02J7/0034—Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries with safety or protection devices or circuits using reverse polarity correcting or protecting circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
- H03K17/6871—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors the output circuit comprising more than one controlled field-effect transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
- H01L27/0251—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices
- H01L27/0259—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices using bipolar transistors as protective elements
- H01L27/0262—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices using bipolar transistors as protective elements including a PNP transistor and a NPN transistor, wherein each of said transistors has its base coupled to the collector of the other transistor, e.g. silicon controlled rectifier [SCR] devices
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
- H02H9/00—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection
- H02H9/04—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage
- H02H9/042—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage comprising means to limit the absorbed power or indicate damaged over-voltage protection device
Abstract
半導体集積回路装置は、外部電源から所定の電源電圧が供給される電源端子(102)とグランド端子との間に接続される半導体集積回路を静電気破壊から保護する上記保護回路を有する。保護回路は、電源端子(102)とグランド端子との間に挿入されたクランプ回路部(131)に接続されて、電源端子(102)への外部電源の逆接続時に、クランプ回路部(131)を破壊から保護する。
Description
本実施の形態に係る保護回路を搭載可能な車載用IC(集積回路)の概略構成は、図1(a)に示すように表される。なお、比較例に係る保護回路を搭載可能な車載用ICの概略構成は、図1(b)に示すように表される。
図4は、実施の形態に係る保護回路12における素子構造の一部を模式的に示すと共に、保護回路12の動作を説明するために示す図であって、(a)は車載用バッテリの通常接続時に、(b)は車載用バッテリの逆接続時に、それぞれ対応する。ただし、図4(a),(b)では、便宜上、E−NMOSトランジスタMT2の断面構造のみを例示している。
次に、本実施の形態に係る静電気保護装置130の構成について説明する。静電気保護装置130の具体的な回路構成は、図5に示すように表わされる。
本実施の形態に係る半導体集積回路装置(図示省略)は、外部電源から所定の電源電圧が供給される電源端子102とグランド端子との間に接続される半導体集積回路(ハイサイドスイッチ)10(図1(a)、図3、図4参照)と、半導体集積回路10を静電気破壊から保護する静電気保護装置130(図5〜図6参照)とを備える。静電気保護装置130は、電源端子102とグランド端子との間に挿入されたESDクランプ回路部131と、ESDクランプ回路部131に接続されて、電源端子102への外部電源の逆接続時に、ESDクランプ回路部131を破壊から保護する保護回路部88とを有する。
上記のように、いくつかの実施の形態を記載したが、開示の一部をなす論述および図面は例示的なものであり、各実施の形態を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例および運用技術が明らかとなろう。このように、本実施の形態は、ここでは記載していない様々な形態などを含む。
12…保護回路
14…NVP回路
30…N+ 型半導体基板
32…N型半導体層
34…P型ウェル領域(HVPW)
36S・42D…N+ 型拡散領域
38S…ソース電極
40G…ゲート電極
44D…ドレイン電極
46B…P+ 型拡散領域
48B…バックゲート電極
50…裏面電極
52…P型ウェル領域
54B…P+ 型拡散領域
54C・54E…N+ 型拡散領域
56B…ベース電極
56C…コレクタ電極
56E…エミッタ電極
56T…接続電極
60B…P+ 型拡散領域
60D・60S…N+ 型拡散領域
62B…バックゲート電極
62D…ドレイン電極
62S…ソース電極
64G…ゲート電極
801 ・802 ・803 …809 …第1〜第9のツェナーダイオード
81…第10のツェナーダイオード
82…抵抗素子
84…NMOSトランジスタ
861 ・862 …第11・第12のツェナーダイオード
88…保護回路部
881 ・882 ・883 …ツェナーダイオード(npnトランジスタ)
100…負荷
102…電源端子
104…出力端子(OUT)
106…入力端子(IN)
108…PMOSトランジスタ
110…ツェナーダイオード
112…OSC(発振回路)
114…チャージポンプ(昇圧回路)
116・120…ゲートドライブ
118・122…NMOSトランジスタ
124…ボディダイオード
126…負電圧制御部
130…クランプ回路
131…ESDクランプ回路部
140…駆動制御部
VBB…電源電圧(印加電圧)
MT1…E−Nチャネル型MOSFET(第2のNMOSトランジスタ、電流経路を遮断するスイッチ)
MT2…E−Nチャネル型MOSFET(第3のNMOSトランジスタ)
MT3…D−Nチャネル型MOSFET(第4のNMOSトランジスタ)
MT4…D−Nチャネル型MOSFET(第1のNMOSトランジスタ)
ZD1…ツェナーダイオード
G102…端子
GND_REF…グランド接続用端子
Claims (26)
- 外部電源から所定の電源電圧が供給される電源端子に接続された半導体集積回路と、
前記半導体集積回路に接続されて、前記電源端子への前記外部電源の逆接続時に、前記半導体集積回路への通電を阻止するスイッチと
を備え、
前記半導体集積回路を破壊から保護することを特徴とする保護回路。 - 前記スイッチは、グランド端子側から前記電源端子側への電流経路を遮断するMOSトランジスタを備えることを特徴とする請求項1に記載の保護回路。
- 前記スイッチは、前記電源端子にドレインが接続された第1のNMOSトランジスタのゲートおよびソースにゲートが接続され、ドレインがグランド端子に接続され、ソースが前記半導体集積回路に接続された第2のNMOSトランジスタであって、
前記第2のNMOSトランジスタのバックゲートには、前記第1のNMOSトランジスタの前記ゲートおよび前記ソースにゲートが接続され、ソースが前記グランド端子に接続された第3のNMOSトランジスタのドレイン、およびドレインが前記第2のNMOSトランジスタの前記ソースに接続された第4のNMOSトランジスタのゲートおよびソースが接続されていることを特徴とする請求項2に記載の保護回路。 - 前記第1のNMOSトランジスタおよび前記第4のNMOSトランジスタは、デプレッション型のNチャネル型MOSFETであり、前記第2のNMOSトランジスタおよび前記第3のNMOSトランジスタは、エンハンスメント型のNチャネル型MOSFETであることを特徴とする請求項3に記載の保護回路。
- 前記第2のNMOSトランジスタ、前記第3のNMOSトランジスタ、および前記第4のNMOSトランジスタによって、出力負電圧保護回路が構成されてなることを特徴とする請求項3または4に記載の保護回路。
- 前記第1のNMOSトランジスタは、抵抗体によって代用可能であることを特徴とする請求項3〜5のいずれか1項に記載の保護回路。
- 前記外部電源が、車載用バッテリであることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の保護回路。
- 前記半導体集積回路が、N型半導体基板を備えたハイサイドスイッチであることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の保護回路。
- 前記ハイサイドスイッチは、
前記電源端子と動作電圧を供給すべき負荷が接続される出力端子との間に接続された第5のNMOSトランジスタと、
前記第5のNMOSトランジスタのゲートに接続された駆動制御部と、
前記駆動制御部と制御信号が入力される入力端子との間に設けられ、ソースがグランド接続用端子を介して前記スイッチに接続される第6のNMOSトランジスタと、
前記第6のNMOSトランジスタと前記駆動制御部との間に設けられた負電圧制御部と、
前記駆動制御部と前記電源端子との間に設けられ、ゲートに前記制御信号が入力される第1のPMOSトランジスタと、
前記電源端子と前記第5のNMOSトランジスタのゲートとの間に設けられたクランプ回路と
を備えることを特徴とする請求項8に記載の保護回路。 - 前記駆動制御部は、
前記第1のPMOSトランジスタと前記負電圧制御部との間に並列に接続されたダイオード、発振回路、および昇圧回路と、
前記昇圧回路と前記第5のNMOSトランジスタのゲートおよび前記出力端子との間に接続されたドライブ回路と
を備えることを特徴とする請求項9に記載の保護回路。 - 前記第1のNMOSトランジスタ、前記第2のNMOSトランジスタ、前記第3のNMOSトランジスタ、および前記第4のNMOSトランジスタが、前記N型半導体基板上に形成されてなることを特徴とする請求項8に記載の保護回路。
- 外部電源から所定の電源電圧が供給される電源端子に接続される半導体集積回路を破壊から保護する保護回路の動作方法であって、
前記電源端子への前記外部電源の逆接続時に、スイッチによってグランド端子と前記電源端子との間の電流経路を遮断することを特徴とする保護回路の動作方法。 - 前記スイッチは、MOSトランジスタであって、
前記MOSトランジスタが、前記電源端子への前記外部電源の逆接続時にオフされて、前記半導体集積回路への通電を阻止することを特徴とする請求項12に記載の保護回路の動作方法。 - 前記スイッチは、
前記電源端子にドレインが接続されたデプレッション型の第1のNMOSトランジスタのゲートおよびソースにゲートが接続され、ドレインがグランド端子に接続され、ソースが前記半導体集積回路に接続されたエンハンスメント型の第2のNMOSトランジスタであって、
前記第2のNMOSトランジスタのバックゲートには、
前記第1のNMOSトランジスタの前記ゲートおよび前記ソースにゲートが接続され、ソースが前記グランド端子に接続されたエンハンスメント型の第3のNMOSトランジスタのドレイン、およびドレインが前記第2のNMOSトランジスタの前記ソースに接続されたデプレッション型の第4のNMOSトランジスタのゲートおよびソースが接続されると共に、
前記第2のNMOSトランジスタのバックゲートに接続された前記第3のNMOSトランジスタおよび前記第4のNMOSトランジスタが、前記電源端子への前記外部電源の逆接続時に、前記第3のNMOSトランジスタから前記第4のNMOSトランジスタに切り換えられることを特徴とする請求項12または13に記載の保護回路の動作方法。 - 前記電源端子とグランド端子との間に挿入されたクランプ回路部
に接続されて、前記電源端子への前記外部電源の逆接続時に、前記クランプ回路部を破壊から保護する請求項1に記載の保護回路。 - 前記外部電源が、車載用バッテリであることを特徴とする請求項15に記載の保護回路。
- 前記半導体集積回路が、N型半導体基板を備えたハイサイドスイッチであることを特徴とする請求項15または16に記載の保護回路。
- 前記クランプ回路部は、前記ハイサイドスイッチ内に設けられることを特徴とする請求項17に記載の保護回路。
- 前記クランプ回路部は、サージ電流を吸収することを特徴とする請求項18に記載の保護回路。
- 前記クランプ回路部は、
前記電源端子にドレインが接続されたNMOSトランジスタと、
前記NMOSトランジスタの前記ドレインにカソードが接続された第1のツェナーダイオードと、
前記第1のツェナーダイオードのアノードにカソードが接続された第2のツェナーダイオードと、
前記第2のツェナーダイオードのアノードにカソードが接続された第3のツェナーダイオードと、
前記第3のツェナーダイオードのアノードにカソードが接続された第4のツェナーダイオードと、
前記第4のツェナーダイオードのアノードにカソードが接続された第5のツェナーダイオードと、
前記第5のツェナーダイオードのアノードにカソードが接続された第6のツェナーダイオードと、
前記第6のツェナーダイオードのアノードにカソードが接続された第7のツェナーダイオードと、
前記第7のツェナーダイオードのアノードにカソードが接続された第8のツェナーダイオードと、
前記第8のツェナーダイオードのアノードにカソードが接続された第9のツェナーダイオードと、
前記第9のツェナーダイオードのアノードにアノードが接続され、カソードが前記NMOSトランジスタのゲートに接続された第10のツェナーダイオードと、
前記NMOSトランジスタの前記ゲートとソースとの間に接続された抵抗素子と、
前記NMOSトランジスタの前記ゲートにカソードが接続された第11のツェナーダイオードと、
前記第11のツェナーダイオードのアノードにカソードが接続された第12のツェナーダイオードと
を備えることを特徴とする請求項19に記載の保護回路。 - 前記保護回路部は、前記NMOSトランジスタの前記ソースに直列に接続されることを特徴とする請求項15〜20のいずれか1項に記載の保護回路。
- 前記保護回路部は、複数のツェナーダイオードが直列に接続された構成を備えることを特徴とする請求項21に記載の保護回路。
- 前記保護回路部は、前記複数のツェナーダイオードによる逆耐圧が、前記外部電源の電源電圧以上となるように設定されることを特徴とする請求項22に記載の保護回路。
- 前記保護回路部は、前記複数のツェナーダイオードがベース・コレクタを短絡した複数のバイポーラトランジスタの直列段によって構成されていることを特徴とする請求項22または23に記載の保護回路。
- 前記保護回路部は、前記N型半導体基板上に形成されてなることを特徴とする請求項17に記載の保護回路。
- 外部電源から所定の電源電圧が供給される電源端子とグランド端子との間に接続される半導体集積回路を静電気破壊から保護する請求項15〜25のいずれか1項に記載の保護回路を有することを特徴とする半導体集積回路装置。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016028508 | 2016-02-18 | ||
JP2016028508 | 2016-02-18 | ||
JP2016028510 | 2016-02-18 | ||
JP2016028510 | 2016-02-18 | ||
PCT/JP2017/004743 WO2017141811A1 (ja) | 2016-02-18 | 2017-02-09 | 保護回路、および保護回路の動作方法、および半導体集積回路装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2017141811A1 true JPWO2017141811A1 (ja) | 2018-12-13 |
JP6889146B2 JP6889146B2 (ja) | 2021-06-18 |
Family
ID=59625875
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018500075A Active JP6889146B2 (ja) | 2016-02-18 | 2017-02-09 | 保護回路、および保護回路の動作方法、および半導体集積回路装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11128117B2 (ja) |
EP (1) | EP3419170B1 (ja) |
JP (1) | JP6889146B2 (ja) |
KR (1) | KR102066367B1 (ja) |
CN (1) | CN108702147B (ja) |
WO (1) | WO2017141811A1 (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102017219551A1 (de) * | 2017-11-03 | 2019-05-09 | Continental Teves Ag & Co. Ohg | Verpolschutzanordnung, Verfahren zum Betrieb der Verpolschutzanordnung und korrespondierende Verwendung |
KR102586102B1 (ko) * | 2018-02-05 | 2023-10-05 | 삼성에스디아이 주식회사 | 배터리 보호 회로 및 이를 포함하는 배터리 팩 |
CN109449891A (zh) * | 2018-11-06 | 2019-03-08 | 苏州赛芯电子科技有限公司 | 提高抗尖峰电压能力的单晶圆电池保护电路及充放电电路 |
CN111884489B (zh) * | 2019-05-03 | 2022-03-11 | 台达电子工业股份有限公司 | 电力电路以及驱动电路 |
JP7319834B2 (ja) * | 2019-06-06 | 2023-08-02 | ローム株式会社 | ハイサイドスイッチ |
US11579645B2 (en) | 2019-06-21 | 2023-02-14 | Wolfspeed, Inc. | Device design for short-circuitry protection circuitry within transistors |
CN110261794A (zh) * | 2019-07-26 | 2019-09-20 | 科世达(上海)机电有限公司 | 一种带负压检测电路的cp信号检测电路和车载充电器 |
CN110825692B (zh) * | 2019-10-08 | 2024-01-23 | 深圳市稳先微电子有限公司 | 片上系统 |
JP7292228B2 (ja) * | 2020-02-07 | 2023-06-16 | エイブリック株式会社 | 充放電制御回路及びバッテリ装置 |
CN111682616B (zh) * | 2020-06-19 | 2022-05-10 | 无锡睿勤科技有限公司 | 一种防带电误接触电路系统 |
US11569656B2 (en) | 2020-10-21 | 2023-01-31 | Eaton Intelligent Power Limited | Surge protection devices with surge level discrimination and methods of operating the same |
US11658472B2 (en) * | 2020-10-22 | 2023-05-23 | Eaton Intelligent Power Limited | Surge protection device with protection level determination and methods of operating the same |
CN113271089B (zh) * | 2021-04-14 | 2023-04-11 | 杭州士兰微电子股份有限公司 | 栅极驱动电路及其智能功率模块 |
CN116008769B (zh) * | 2023-03-24 | 2023-06-27 | 杭州飞仕得科技股份有限公司 | 一种自驱式功率半导体导通压降检测电路 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0348330U (ja) * | 1989-09-12 | 1991-05-09 | ||
JPH0690520A (ja) * | 1992-09-09 | 1994-03-29 | Toshiba Corp | 誤動作防止回路および保護回路 |
JPH08275406A (ja) * | 1994-12-30 | 1996-10-18 | Siliconix Inc | バッテリ切離しスイッチ及びバッテリ切離しスイッチシステム |
JP2004031980A (ja) * | 2003-08-25 | 2004-01-29 | Renesas Technology Corp | 複合型mosfet |
JP2004173292A (ja) * | 2003-12-08 | 2004-06-17 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
JP2011101188A (ja) * | 2009-11-05 | 2011-05-19 | Renesas Electronics Corp | 負荷駆動装置 |
JP2014011233A (ja) * | 2012-06-28 | 2014-01-20 | Alps Electric Co Ltd | 保護回路 |
JP2014082922A (ja) * | 2012-09-25 | 2014-05-08 | Seiko Instruments Inc | 半導体装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5344845A (en) * | 1976-10-05 | 1978-04-22 | Suwa Seikosha Kk | Electronic watch |
JP3610890B2 (ja) * | 1999-09-20 | 2005-01-19 | 株式会社デンソー | 電気負荷駆動回路 |
US6392463B1 (en) | 2000-07-07 | 2002-05-21 | Denso Corporation | Electrical load driving circuit with protection |
JP4390515B2 (ja) * | 2003-09-30 | 2009-12-24 | Necエレクトロニクス株式会社 | 出力mosトランジスタの過電圧保護回路 |
JP5274824B2 (ja) * | 2007-12-11 | 2013-08-28 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 電力供給制御回路 |
JP5607490B2 (ja) | 2010-10-20 | 2014-10-15 | ローム株式会社 | ハイサイドスイッチ回路、インターフェイス回路、および電子機器 |
JP2013153597A (ja) * | 2012-01-25 | 2013-08-08 | Ricoh Co Ltd | 保護回路 |
-
2017
- 2017-02-09 EP EP17753069.8A patent/EP3419170B1/en active Active
- 2017-02-09 WO PCT/JP2017/004743 patent/WO2017141811A1/ja active Application Filing
- 2017-02-09 KR KR1020187025253A patent/KR102066367B1/ko active IP Right Grant
- 2017-02-09 CN CN201780012200.0A patent/CN108702147B/zh active Active
- 2017-02-09 JP JP2018500075A patent/JP6889146B2/ja active Active
-
2018
- 2018-07-23 US US16/042,637 patent/US11128117B2/en active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0348330U (ja) * | 1989-09-12 | 1991-05-09 | ||
JPH0690520A (ja) * | 1992-09-09 | 1994-03-29 | Toshiba Corp | 誤動作防止回路および保護回路 |
JPH08275406A (ja) * | 1994-12-30 | 1996-10-18 | Siliconix Inc | バッテリ切離しスイッチ及びバッテリ切離しスイッチシステム |
JP2004031980A (ja) * | 2003-08-25 | 2004-01-29 | Renesas Technology Corp | 複合型mosfet |
JP2004173292A (ja) * | 2003-12-08 | 2004-06-17 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
JP2011101188A (ja) * | 2009-11-05 | 2011-05-19 | Renesas Electronics Corp | 負荷駆動装置 |
JP2014011233A (ja) * | 2012-06-28 | 2014-01-20 | Alps Electric Co Ltd | 保護回路 |
JP2014082922A (ja) * | 2012-09-25 | 2014-05-08 | Seiko Instruments Inc | 半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN108702147A (zh) | 2018-10-23 |
KR102066367B1 (ko) | 2020-01-14 |
EP3419170B1 (en) | 2021-01-13 |
KR20180109996A (ko) | 2018-10-08 |
EP3419170A4 (en) | 2018-12-26 |
US20180331093A1 (en) | 2018-11-15 |
CN108702147B (zh) | 2022-04-29 |
WO2017141811A1 (ja) | 2017-08-24 |
US11128117B2 (en) | 2021-09-21 |
EP3419170A1 (en) | 2018-12-26 |
JP6889146B2 (ja) | 2021-06-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6889146B2 (ja) | 保護回路、および保護回路の動作方法、および半導体集積回路装置 | |
JP6755375B2 (ja) | 半導体装置 | |
TWI759418B (zh) | 半導體裝置及具有該半導體裝置之電子控制系統 | |
JP5067786B2 (ja) | 電力用半導体装置 | |
US8116051B2 (en) | Power supply control circuit | |
KR102032334B1 (ko) | 반도체 장치 | |
US20110101935A1 (en) | Power supply control apparatus | |
EP1137068B1 (en) | Power semiconductor device having a protection circuit | |
JP2005295753A (ja) | 端子保護回路および同期整流型のスイッチング電源 | |
JP7038531B2 (ja) | 電源逆接続保護機能を備えた負荷駆動回路 | |
JP2019046945A (ja) | 半導体装置 | |
JP6877597B2 (ja) | ハイサイドゲートドライバ | |
JPH06104721A (ja) | 半導体集積回路 | |
CN107977035B (zh) | 栅极驱动器电路及其操作方法和用于电路保护的系统 | |
JP2870558B2 (ja) | 自動車用パワー集積回路 | |
JP2020136288A (ja) | 半導体装置 | |
JP7377589B2 (ja) | 保護回路 | |
JP2005513782A (ja) | Esd保護用極性反転許容電気回路 | |
JP2023167424A (ja) | ハイサイドスイッチ、電子機器、車両 | |
JP2024003953A (ja) | 半導体装置 | |
WO2016080123A1 (ja) | 半導体装置および負電位印加防止方法 | |
JP2008154176A (ja) | 逆流防止回路 | |
JP2005269515A (ja) | 半導体集積回路装置の入力インターフェイス回路 | |
JP2008135152A (ja) | サイリスタprom回路 | |
JP2006186399A (ja) | 静電破壊保護回路 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200109 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20201006 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201204 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210216 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210406 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210511 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210520 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6889146 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |