JP2019046945A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
特許文献1 特開2017−60032号公報
図8は、実施例1に係る半導体装置100の構成の一例を示す。本例の抵抗部50は、ポリシリコン膜52および絶縁膜54を備える。本例の半導体装置100は、制御用トランジスタ部70を備える。本例では、抵抗部50が制御用トランジスタ部70のトランジスタのウェル層74に近接する場合について示す。
図9は、実施例2に係る半導体装置100の構成の一例を示す。本例の抵抗部50は、第2ウェル層56に囲まれた拡散抵抗層58である。
図10は、比較例1に係る半導体装置500の構成を示す。半導体装置500は、実施例の抵抗部50に替えて、抵抗部51として基板10に形成されたウェル層556を有する。
Claims (11)
- 第1導電型のドリフト領域を有する基板に設けられ、ゲート部および第2導電型のウェル層を含むトランジスタと、
前記基板において、前記トランジスタの前記ウェル層に近接して設けられた抵抗部と、
前記抵抗部に接続された2つの端子と
を備え、
前記抵抗部は、前記基板に形成された第2導電型の領域ではない
半導体装置。 - 当該半導体装置が電流を出力するか否かを切り替える出力用トランジスタ部と、
前記出力用トランジスタ部を制御するための制御保護回路に設けられた制御用トランジスタ部と、
当該半導体装置が天絡したか否かを検出する検出用トランジスタ部と、を更に備え、
前記トランジスタは、前記出力用トランジスタ部、前記制御用トランジスタ部、前記検出用トランジスタ部のいずれかである
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記抵抗部は、前記検出用トランジスタ部のゲート端子に接続されている
請求項2に記載の半導体装置。 - 前記検出用トランジスタ部は、第2導電型チャネルを形成すると共に、
当該半導体装置の電源端子に接続されたソース端子と、
前記抵抗部を介して、当該半導体装置の出力端子に接続された前記ゲート端子と、
抵抗を介してグランド端子に接続されたドレイン端子と
を有し、
前記ドレイン端子は、当該半導体装置の天絡状態を示す天絡検出信号を出力するための天絡端子に接続されている
請求項3に記載の半導体装置。 - アノードが前記検出用トランジスタ部の前記ゲート端子に接続され、カソードが前記検出用トランジスタ部のソース端子に接続されたダイオードを更に備え、
前記抵抗部は、一端が前記アノードに接続され、他端が当該半導体装置の出力端子に接続されている
請求項4に記載の半導体装置。 - 前記抵抗部は、
前記基板上に設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成され、前記検出用トランジスタ部のゲート端子に接続されたポリシリコン膜と
を有する請求項2から5のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記ゲート部は、ポリシリコンで形成されたゲートポリ電極を有し、
前記抵抗部の前記ポリシリコン膜のドーパント濃度は、前記ゲートポリ電極のドーパント濃度よりも低い
請求項6に記載の半導体装置。 - 前記基板に設けられた第2導電型の第2ウェル層を更に備え、
前記抵抗部は、前記第2ウェル層に囲まれ、前記検出用トランジスタ部のゲート端子に接続された第1導電型の拡散抵抗層である
請求項2から5のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記拡散抵抗層のドーピング濃度は、前記ドリフト領域のドーピング濃度より薄い
請求項8に記載の半導体装置。 - 前記第2ウェル層は、当該半導体装置の電源端子に設定された電源電圧以下の電位に設定されている
請求項8又は9に記載の半導体装置。 - 前記出力用トランジスタ部、前記制御用トランジスタ部、前記検出用トランジスタ部が、同一の基板上に形成されている
請求項2から10のいずれか1項に記載の半導体装置。
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