JP2870558B2 - 自動車用パワー集積回路 - Google Patents
自動車用パワー集積回路Info
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- JP2870558B2 JP2870558B2 JP3087119A JP8711991A JP2870558B2 JP 2870558 B2 JP2870558 B2 JP 2870558B2 JP 3087119 A JP3087119 A JP 3087119A JP 8711991 A JP8711991 A JP 8711991A JP 2870558 B2 JP2870558 B2 JP 2870558B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、自動車の誘電性負荷等
に対するスイッチングのためのパワー半導体スイッチン
グ素子とその制御回路, 駆動回路等を一つの半導体基板
中および上に構成した自動車用パワー集積回路に関す
る。
に対するスイッチングのためのパワー半導体スイッチン
グ素子とその制御回路, 駆動回路等を一つの半導体基板
中および上に構成した自動車用パワー集積回路に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】自動車に搭載されている各種電気装置は
バッテリを電源としている。そしてバッテリと負荷であ
る電気装置の間に半導体スイッチング素子が接続され
る。図２は、半導体スイッチング素子と同一半導体基板
中および上に制御回路, 駆動回路等を集積したインテリ
ジェントパワー半導体スイッチを用いた例を示し、バッ
テリ20の正端子と一方の端子が接地される負荷３との間
にインテリジェントパワー半導体ハイサイドスイッチ21
が接続される場合と一方の端子がバッテリ20の正端子に
接続される負荷３の他方の端子にインテリジェントパワ
ー半導体ローサイドスイッチ22が接続される場合とがあ
る。
バッテリを電源としている。そしてバッテリと負荷であ
る電気装置の間に半導体スイッチング素子が接続され
る。図２は、半導体スイッチング素子と同一半導体基板
中および上に制御回路, 駆動回路等を集積したインテリ
ジェントパワー半導体スイッチを用いた例を示し、バッ
テリ20の正端子と一方の端子が接地される負荷３との間
にインテリジェントパワー半導体ハイサイドスイッチ21
が接続される場合と一方の端子がバッテリ20の正端子に
接続される負荷３の他方の端子にインテリジェントパワ
ー半導体ローサイドスイッチ22が接続される場合とがあ
る。
【０００３】図３はインテリジェントパワー半導体ハイ
サイドスイッチを示し、スイッチング素子としてのパワ
ーＭＯＳＦＥＴ１のゲートに抵抗Ｒg を介して接続され
る駆動回路, 制御回路等の付属回路11, ＭＯＳＦＥＴ1
2, ツエナダイオード13などを同一半導体基板に備えて
いる。そして、特にパワーＭＯＳＦＥＴのソースに接続
される出力端子 (ＯＵＴ) に誘導性の負荷を接続してス
イッチングを行った場合にターンオフ時にＯＵＴ端子が
大きな負の電位になった際、その電位が接続点14の電位
に対してツエナダイオード13のツエナ電圧を越えて負に
深くなると、接続点14からＭＯＳＦＥＴ12を経て電流が
流れ、Ｒg を介してパワーＭＯＳＦＥＴ１にゲート電圧
を印加することにより、パワーＭＯＳＦＥＴ１自身が出
力オンしてターンオフ時のエネルギーを吸収する。図４
は、インテリジェントパワー半導体ローサイドスイッチ
を示し、パワーＭＯＳＦＥＴ１のドレイン端子が出力端
子 (ＯＵＴ) となり、ＭＯＳＦＥＴ12等も含む付属回路
15をＭＯＳＦＥＴと同一半導体基板に備え、ＭＯＳＦＥ
Ｔ１のゲートと抵抗Ｒg を介して接続されている。
サイドスイッチを示し、スイッチング素子としてのパワ
ーＭＯＳＦＥＴ１のゲートに抵抗Ｒg を介して接続され
る駆動回路, 制御回路等の付属回路11, ＭＯＳＦＥＴ1
2, ツエナダイオード13などを同一半導体基板に備えて
いる。そして、特にパワーＭＯＳＦＥＴのソースに接続
される出力端子 (ＯＵＴ) に誘導性の負荷を接続してス
イッチングを行った場合にターンオフ時にＯＵＴ端子が
大きな負の電位になった際、その電位が接続点14の電位
に対してツエナダイオード13のツエナ電圧を越えて負に
深くなると、接続点14からＭＯＳＦＥＴ12を経て電流が
流れ、Ｒg を介してパワーＭＯＳＦＥＴ１にゲート電圧
を印加することにより、パワーＭＯＳＦＥＴ１自身が出
力オンしてターンオフ時のエネルギーを吸収する。図４
は、インテリジェントパワー半導体ローサイドスイッチ
を示し、パワーＭＯＳＦＥＴ１のドレイン端子が出力端
子 (ＯＵＴ) となり、ＭＯＳＦＥＴ12等も含む付属回路
15をＭＯＳＦＥＴと同一半導体基板に備え、ＭＯＳＦＥ
Ｔ１のゲートと抵抗Ｒg を介して接続されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】バッテリが誤って逆接
続されたときには、図３のハイサイドスイッチでは、接
地端子 (ＧＮＤ) から電流Ｉ1 が付属回路11に流入し、
図４のローサイドスイッチには付属回路15からバッテリ
に向けて電流Ｉ2 が流出することにより、付属回路11あ
るいは15が破壊してしまう。これを防止するために、図
５に示すようにハイサイドスイッチ21にはＧＮＤ端子に
直列に電流流入制限用ダイオード41を、ローサイドスイ
ッチ22には電源端子 (Ｖcc) に直列に電流流出制限用ダ
イオード42を接続する必要がある。従来このようなダイ
オードは外付けで接続していたが、そのような外部接続
を省略できることが望ましい。しかし、図６に示すよう
に自己分離技術を用いてパワーＭＯＳＦＥＴとダイオー
ドを同一基板中に作成した場合にも問題がある。図の右
側はパワーＭＯＳＦＥＴの部分で、ｎ+ シリコン基板51
に積層されたｎ- シリコン層52の表面層内にｐ+ 領域53
が選択的に形成されｐ + 領域53の表面層内にさらにｎ+
ソース領域54が選択的に形成されている。ｐ+領域53の
ｎ- 層52とｎ+ 領域54にはさまれた部分がチャネル部
で、その上にゲート酸化膜となるシリコン酸化膜55を介
して低抵抗のｎ+ 多結晶Siからなりゲート端子Ｇに接続
されたゲート電極56が備えられており、ゲート電極56と
ＰＳＧ膜57により絶縁され、ソース端子Ｓに接続された
Al−Si合金よりなるソース電極58はｐ+ 領域53およびｎ
+ 領域54に共通に接触している。一方、ｎ+ 層51にはド
レイン電極59が接触している。図の左側はパワーＭＯＳ
ＦＥＴと分離された集積ダイオードで、ｎ- 層52の表面
層内に選択的に形成されたｐ+ アノード領域61とその表
面層内に選択的に形成されたｎ+ カソード領域62よりな
り、アノード領域61にはアノード端子Ａに接続されたア
ノード電極63が、またカソード領域62にはカソード端子
Ｋに接続されたカソード電極64が接触している。
続されたときには、図３のハイサイドスイッチでは、接
地端子 (ＧＮＤ) から電流Ｉ1 が付属回路11に流入し、
図４のローサイドスイッチには付属回路15からバッテリ
に向けて電流Ｉ2 が流出することにより、付属回路11あ
るいは15が破壊してしまう。これを防止するために、図
５に示すようにハイサイドスイッチ21にはＧＮＤ端子に
直列に電流流入制限用ダイオード41を、ローサイドスイ
ッチ22には電源端子 (Ｖcc) に直列に電流流出制限用ダ
イオード42を接続する必要がある。従来このようなダイ
オードは外付けで接続していたが、そのような外部接続
を省略できることが望ましい。しかし、図６に示すよう
に自己分離技術を用いてパワーＭＯＳＦＥＴとダイオー
ドを同一基板中に作成した場合にも問題がある。図の右
側はパワーＭＯＳＦＥＴの部分で、ｎ+ シリコン基板51
に積層されたｎ- シリコン層52の表面層内にｐ+ 領域53
が選択的に形成されｐ + 領域53の表面層内にさらにｎ+
ソース領域54が選択的に形成されている。ｐ+領域53の
ｎ- 層52とｎ+ 領域54にはさまれた部分がチャネル部
で、その上にゲート酸化膜となるシリコン酸化膜55を介
して低抵抗のｎ+ 多結晶Siからなりゲート端子Ｇに接続
されたゲート電極56が備えられており、ゲート電極56と
ＰＳＧ膜57により絶縁され、ソース端子Ｓに接続された
Al−Si合金よりなるソース電極58はｐ+ 領域53およびｎ
+ 領域54に共通に接触している。一方、ｎ+ 層51にはド
レイン電極59が接触している。図の左側はパワーＭＯＳ
ＦＥＴと分離された集積ダイオードで、ｎ- 層52の表面
層内に選択的に形成されたｐ+ アノード領域61とその表
面層内に選択的に形成されたｎ+ カソード領域62よりな
り、アノード領域61にはアノード端子Ａに接続されたア
ノード電極63が、またカソード領域62にはカソード端子
Ｋに接続されたカソード電極64が接触している。
【０００５】図６のような半導体素体中には、ｎ- 層5
2, ｐ+ 領域61, ｎ+ 領域62よりなるｎｐｎトランジス
タ構造が生ずるため、この寄生トランジスタがオンする
ことにより大きな電流が流れて破壊に至りやすい。それ
故、寄生トランジスタの電流増幅率の増大を招くダイオ
ードの逆耐電圧を高くすることは望めないという欠点が
あった。
2, ｐ+ 領域61, ｎ+ 領域62よりなるｎｐｎトランジス
タ構造が生ずるため、この寄生トランジスタがオンする
ことにより大きな電流が流れて破壊に至りやすい。それ
故、寄生トランジスタの電流増幅率の増大を招くダイオ
ードの逆耐電圧を高くすることは望めないという欠点が
あった。
【０００６】本発明の目的は、バッテリ逆接続時の付属
回路の破壊を防ぐための直列接続ダイオードの逆耐電圧
を自由に選ぶことのできるパワー集積回路を提供するこ
とにある。
回路の破壊を防ぐための直列接続ダイオードの逆耐電圧
を自由に選ぶことのできるパワー集積回路を提供するこ
とにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の自動車用パワー集積回路は、一つの半導
体素体に形成されたＭＯＳ型スイッチング素子およびそ
の付属回路と、その半導体素体の表面上に絶縁膜を介し
て設けられた半導体層にＰ領域およびＮ領域を隣接して
形成してなり、Ｐ領域が前記付属回路と接続されたダイ
オードと、前記スイッチング素子の一つの主電極に接続
された出力端子と、他の主電極に接続された電源端子
と、ダイオードのＮ領域に接続された接地端子を備えた
ものとする。そして、出力端子に一方が接地される負荷
を、電源端子にバッテリの正端子をそれぞれ接続し、接
地端子を接地して用いる。さらに電源端子とダイオード
のＰ領域との間に定電流源が接続されたことも有効であ
る。また、本発明の別の自動車用パワー集積回路は、一
つの半導体素体に形成されたＭＯＳ型スイッチング素子
およびその付属回路と、その半導体素体の表面上に絶縁
膜を介して設けられた半導体層にＰ領域およびＮ領域を
隣接して形成してなり、Ｎ領域が前記付属回路と接続さ
れたダイオードと、前記スイッチング素子の一つの主電
極に接続された出力端子と、ダイオードのＰ領域に接続
された電源端子と、付属回路に接続された接地端子とを
備えたものとする。そして、出力端子とバッテリの正端
子の間に負荷を、電源端子にバッテリの正端子をそれぞ
れ接続し、接地端子を接地して用いる。
めに、本発明の自動車用パワー集積回路は、一つの半導
体素体に形成されたＭＯＳ型スイッチング素子およびそ
の付属回路と、その半導体素体の表面上に絶縁膜を介し
て設けられた半導体層にＰ領域およびＮ領域を隣接して
形成してなり、Ｐ領域が前記付属回路と接続されたダイ
オードと、前記スイッチング素子の一つの主電極に接続
された出力端子と、他の主電極に接続された電源端子
と、ダイオードのＮ領域に接続された接地端子を備えた
ものとする。そして、出力端子に一方が接地される負荷
を、電源端子にバッテリの正端子をそれぞれ接続し、接
地端子を接地して用いる。さらに電源端子とダイオード
のＰ領域との間に定電流源が接続されたことも有効であ
る。また、本発明の別の自動車用パワー集積回路は、一
つの半導体素体に形成されたＭＯＳ型スイッチング素子
およびその付属回路と、その半導体素体の表面上に絶縁
膜を介して設けられた半導体層にＰ領域およびＮ領域を
隣接して形成してなり、Ｎ領域が前記付属回路と接続さ
れたダイオードと、前記スイッチング素子の一つの主電
極に接続された出力端子と、ダイオードのＰ領域に接続
された電源端子と、付属回路に接続された接地端子とを
備えたものとする。そして、出力端子とバッテリの正端
子の間に負荷を、電源端子にバッテリの正端子をそれぞ
れ接続し、接地端子を接地して用いる。
【０００８】
【作用】ＭＯＳ型スイッチング素子とその付属回路を形
成した半導体素体の表面上に絶縁して設けたダイオード
を、ハイサイドスイッチでは付属回路と接地端子との間
に、ローサイドスイッチでは付属回路と電源端子の間に
挿入することにより、バッテリが逆接続されたときに付
属回路に流入したり、付属回路からバッテリに流出する
電流を阻止するため、付属回路の破壊が防止される。そ
して、このダイオードが半導体素体外にあるため寄生効
果が生ずることがない。また、付属回路の接地側端子と
接地端子の間にダイオードを接続した場合にその付属回
路の接地側端子が地電位に対して負になることによる誤
動作は、ダイオードに向けて電流を流す定電流源を備え
ることにより防止できる。
成した半導体素体の表面上に絶縁して設けたダイオード
を、ハイサイドスイッチでは付属回路と接地端子との間
に、ローサイドスイッチでは付属回路と電源端子の間に
挿入することにより、バッテリが逆接続されたときに付
属回路に流入したり、付属回路からバッテリに流出する
電流を阻止するため、付属回路の破壊が防止される。そ
して、このダイオードが半導体素体外にあるため寄生効
果が生ずることがない。また、付属回路の接地側端子と
接地端子の間にダイオードを接続した場合にその付属回
路の接地側端子が地電位に対して負になることによる誤
動作は、ダイオードに向けて電流を流す定電流源を備え
ることにより防止できる。
【０００９】
【実施例】図１は本発明の一実施例の自動車用パワー集
積回路を示し、図３に示したインテリジェントパワー半
導体ハイサイドスイッチにＧＮＤ端子側にダイオード４
を挿入したもので、このダイオード４は、図６と共通の
部分に同一の符号を付した図７に示すように、図６と同
様パワーＭＯＳＦＥＴを形成したｎ+ 層51, ｎ- 層52よ
りなる半導体基板の表面のシリコン酸化膜55の上に堆積
した多結晶シリコン層２のｐ+ 領域71とｎ+ 領域72とよ
りなる。すなわち、ｐ+ 多結晶シリコン層を堆積したの
ち、その一部に不純物を拡散してｎ+ 領域72を形成し、
ＰＳＧ膜57に開けたコンタクトホールでｐ+ 領域71にア
ノード電極63を、ｎ+ 領域72にカソード電極64を接触さ
せる。このダイオードは、バッテリの電圧12Ｖより高い
16〜20Ｖの逆耐圧をもつようにする。１個のダイオード
でそのような耐圧が得られないときには、酸化膜55の上
に複数個のダイオードを形成し、直列接続する。これに
よりバッテリ逆接続時に図３に示したようなＧＮＤ端子
から付属回路11へ流入する電流Ｉ1 を阻止することがで
きる。
積回路を示し、図３に示したインテリジェントパワー半
導体ハイサイドスイッチにＧＮＤ端子側にダイオード４
を挿入したもので、このダイオード４は、図６と共通の
部分に同一の符号を付した図７に示すように、図６と同
様パワーＭＯＳＦＥＴを形成したｎ+ 層51, ｎ- 層52よ
りなる半導体基板の表面のシリコン酸化膜55の上に堆積
した多結晶シリコン層２のｐ+ 領域71とｎ+ 領域72とよ
りなる。すなわち、ｐ+ 多結晶シリコン層を堆積したの
ち、その一部に不純物を拡散してｎ+ 領域72を形成し、
ＰＳＧ膜57に開けたコンタクトホールでｐ+ 領域71にア
ノード電極63を、ｎ+ 領域72にカソード電極64を接触さ
せる。このダイオードは、バッテリの電圧12Ｖより高い
16〜20Ｖの逆耐圧をもつようにする。１個のダイオード
でそのような耐圧が得られないときには、酸化膜55の上
に複数個のダイオードを形成し、直列接続する。これに
よりバッテリ逆接続時に図３に示したようなＧＮＤ端子
から付属回路11へ流入する電流Ｉ1 を阻止することがで
きる。
【００１０】図１に示したパワーＩＣにおいては図８に
示すような問題点がある。図８は、図１に示したＩＣの
ＯＵＴ端子に誘導負荷８を接続した場合で、多結晶シリ
コンダイオード４を接続したことにより、ターンオフ時
にＯＵＴ端子電位がクランプ用ツエナダイオード13のツ
エナ電位を越える負電位になってツエナダイオード13か
らＭＯＳＦＥＴに流れる電流Ｉ4 が付属回路11から流れ
出る電流Ｉ3 に比して大きくなった場合にダイオード４
を流れる電流Ｉ5 が負になり、接続点14の電位が地電位
を下まわる状態が生じる。これにより付属回路11の駆動
回路, 制御回路が誤動作を起こす可能性が生じる。従っ
ていかなる動作状態においても電流Ｉ4が電流Ｉ3 を越
えてはならないという制約が課せられる。
示すような問題点がある。図８は、図１に示したＩＣの
ＯＵＴ端子に誘導負荷８を接続した場合で、多結晶シリ
コンダイオード４を接続したことにより、ターンオフ時
にＯＵＴ端子電位がクランプ用ツエナダイオード13のツ
エナ電位を越える負電位になってツエナダイオード13か
らＭＯＳＦＥＴに流れる電流Ｉ4 が付属回路11から流れ
出る電流Ｉ3 に比して大きくなった場合にダイオード４
を流れる電流Ｉ5 が負になり、接続点14の電位が地電位
を下まわる状態が生じる。これにより付属回路11の駆動
回路, 制御回路が誤動作を起こす可能性が生じる。従っ
ていかなる動作状態においても電流Ｉ4が電流Ｉ3 を越
えてはならないという制約が課せられる。
【００１１】図９はこれに対する対策を考慮した実施例
で、電源端子 (Ｖcc) と接続点14の間に定電流源16を接
続し、Ｉ4 ＜Ｉ3 ＋Ｉ6 となるような電流Ｉ6 を常に流
すことにより、Ｉ5 ＞０は維持され、接続点14が負の電
位になることはなく、誤動作が防げる。
で、電源端子 (Ｖcc) と接続点14の間に定電流源16を接
続し、Ｉ4 ＜Ｉ3 ＋Ｉ6 となるような電流Ｉ6 を常に流
すことにより、Ｉ5 ＞０は維持され、接続点14が負の電
位になることはなく、誤動作が防げる。
【００１２】図10はインテリジェントパワー半導体ロー
サイドスイッチを含むパワー集積回路における実施例
で、ローサイドスイッチの電源端子側に図７に示した多
結晶シリコンダイオード４を挿入したものである。これ
により、バッテリ逆接続時に図４に示したような付属回
路15からＶcc端子に流出する電流Ｉ2 を阻止することが
できる。
サイドスイッチを含むパワー集積回路における実施例
で、ローサイドスイッチの電源端子側に図７に示した多
結晶シリコンダイオード４を挿入したものである。これ
により、バッテリ逆接続時に図４に示したような付属回
路15からＶcc端子に流出する電流Ｉ2 を阻止することが
できる。
【００１３】
【発明の効果】本発明によれば、バッテリ逆接続時にハ
イサイドスイッチの場合付属回路に流入する電流、ロー
サイドスイッチの場合付属回路から流出する電流を阻止
する保護用ダイオードを半導体基板内でなく基板表面上
に絶縁膜を介して形成することにより、寄生トランジス
タの駆動による破壊のおそれがなく、またダイオードの
外付けの必要もないので、半導体スイッチを含む自動車
用パワー集積回路の信頼性と付加価値を向上させること
ができた。そして、保護用ダイオードの接続が誤動作を
招くおそれのあるハイサイドスイッチの場合も、定電流
源を配置し、適正な電流を付加することにより、誤動作
を回避することができる。
イサイドスイッチの場合付属回路に流入する電流、ロー
サイドスイッチの場合付属回路から流出する電流を阻止
する保護用ダイオードを半導体基板内でなく基板表面上
に絶縁膜を介して形成することにより、寄生トランジス
タの駆動による破壊のおそれがなく、またダイオードの
外付けの必要もないので、半導体スイッチを含む自動車
用パワー集積回路の信頼性と付加価値を向上させること
ができた。そして、保護用ダイオードの接続が誤動作を
招くおそれのあるハイサイドスイッチの場合も、定電流
源を配置し、適正な電流を付加することにより、誤動作
を回避することができる。
【図１】本発明の一実施例のハイサイドスイッチを含む
自動車用パワー集積回路の回路図
自動車用パワー集積回路の回路図
【図２】インテリジェントパワー半導体ハイサイドおよ
びローサイドスイッチへのバッテリ正接続時の回路図
びローサイドスイッチへのバッテリ正接続時の回路図
【図３】インテリジェントパワー半導体ハイサイドスイ
ッチの回路図
ッチの回路図
【図４】インテリジェントパワー半導体ローサイドスイ
ッチの回路図
ッチの回路図
【図５】インテリジェントパワー半導体スイッチへのバ
ッテリ逆接続時に対する保護機能を備えた場合の回路図
ッテリ逆接続時に対する保護機能を備えた場合の回路図
【図６】パワーＭＯＳＦＥＴの半導体基板にダイオード
を集積した場合の断面図
を集積した場合の断面図
【図７】本発明による多結晶シリコンダイオードを備え
たパワーＭＯＳＦＥＴ半導体基板の断面図
たパワーＭＯＳＦＥＴ半導体基板の断面図
【図８】図１に示す集積回路における誤動作を説明する
回路図
回路図
【図９】図８に示した誤動作に対する対策を施した本発
明の実施例の自動車用パワー集積回路の回路図
明の実施例の自動車用パワー集積回路の回路図
【図１０】本発明の別の実施例のローサイドスイッチを
含む自動車用パワー集積回路の回路図
含む自動車用パワー集積回路の回路図
１ パワーＭＯＳＦＥＴ ２ 多結晶シリコン層 ３ 負荷 ４ ダイオード １１ 付属回路 １５ 付属回路 １６ 定電流源 ２０ バッテリ ５１ ｎ+ シリコン基板 ５２ ｎ- シリコン層 ５８ ソース電極 ５９ ドレイン電極 ６３ アノード電極 ６４ カソード電極 ７１ ｐ+ 領域 ７２ ｎ+ 領域
Claims (5)
- 【請求項１】一つの半導体素体に形成されたＭＯＳ型ス
イッチング素子およびその付属回路と、その半導体素体
の表面上に絶縁膜を介して設けられた半導体層にＰ領域
およびＮ領域を隣接して形成してなり、Ｐ領域が前記付
属回路と接続されたダイオードと、前記スイッチング素
子の一つの主電極に接続された出力端子と、他の主電極
に接続された電源端子と、ダイオードのＮ領域に接続さ
れた接地端子を備えたことを特徴とする自動車用パワー
集積回路。 - 【請求項２】出力端子に一方が接地される負荷を、電源
端子にバッテリの正端子をそれぞれ接続し、接地端子を
接地して用いる請求項１記載の自動車用パワー集積回
路。 - 【請求項３】電源端子とダイオードのＰ領域との間に定
電流源が接続された請求項１あるいは２記載の自動車用
パワー集積回路。 - 【請求項４】一つの半導体素体に形成されたＭＯＳ型ス
イッチング素子およびその付属回路と、その半導体素体
の表面上に絶縁膜を介して設けられた半導体層にＰ領域
およびＮ領域を隣接して形成してなり、Ｎ領域が前記付
属回路と接続されたダイオードと、前記スイッチング素
子の一つの主電極に接続された出力端子と、ダイオード
のＰ領域に接続された電源端子と、付属回路に接続され
た接地端子を備えたことを特徴とする自動車用パワー集
積回路。 - 【請求項５】出力端子とバッテリの正端子の間に負荷
を、電源端子にバッテリの正端子をそれぞれ接続し、接
地端子を接地して用いる請求項４記載の自動車用パワー
集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3087119A JP2870558B2 (ja) | 1991-04-19 | 1991-04-19 | 自動車用パワー集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3087119A JP2870558B2 (ja) | 1991-04-19 | 1991-04-19 | 自動車用パワー集積回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04321773A JPH04321773A (ja) | 1992-11-11 |
| JP2870558B2 true JP2870558B2 (ja) | 1999-03-17 |
Family
ID=13906070
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3087119A Expired - Lifetime JP2870558B2 (ja) | 1991-04-19 | 1991-04-19 | 自動車用パワー集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2870558B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6804096B2 (en) | 2001-07-27 | 2004-10-12 | Denso Corporation | Load driving circuit capable of raised accuracy detection of disconnection and short circuit of the load |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1079472A (ja) * | 1996-09-05 | 1998-03-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路 |
| JP2007019812A (ja) * | 2005-07-07 | 2007-01-25 | Yazaki Corp | 電源の逆接続保護機能を備えた負荷駆動装置 |
| JP5217849B2 (ja) | 2008-09-29 | 2013-06-19 | サンケン電気株式会社 | 電気回路のスイッチング装置 |
-
1991
- 1991-04-19 JP JP3087119A patent/JP2870558B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6804096B2 (en) | 2001-07-27 | 2004-10-12 | Denso Corporation | Load driving circuit capable of raised accuracy detection of disconnection and short circuit of the load |
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