CN116008769B - 一种自驱式功率半导体导通压降检测电路 - Google Patents
一种自驱式功率半导体导通压降检测电路 Download PDFInfo
- Publication number
- CN116008769B CN116008769B CN202310298765.7A CN202310298765A CN116008769B CN 116008769 B CN116008769 B CN 116008769B CN 202310298765 A CN202310298765 A CN 202310298765A CN 116008769 B CN116008769 B CN 116008769B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- resistor
- power semiconductor
- mos tube
- self
- detection circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 90
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims abstract description 59
- 238000005070 sampling Methods 0.000 claims abstract description 16
- 102100039435 C-X-C motif chemokine 17 Human genes 0.000 claims description 11
- 101000889048 Homo sapiens C-X-C motif chemokine 17 Proteins 0.000 claims description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 20
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 2
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B70/00—Technologies for an efficient end-user side electric power management and consumption
- Y02B70/10—Technologies improving the efficiency by using switched-mode power supplies [SMPS], i.e. efficient power electronics conversion e.g. power factor correction or reduction of losses in power supplies or efficient standby modes
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
本申请公开了自驱式功率半导体导通压降检测电路，可应用于电力电子技术领域。第一二极管负极与待测功率半导体模块连接，正极与第一电阻第一端和第一MOS管门极连接；第一电阻第二端与第一电压源和第一MOS管源极连接；第二电阻第一端与第一MOS管漏极连接，第二端接地；第三电阻第二端与第一MOS管漏极连接，第一端与第二MOS管门极和第四电阻第一端连接；第二MOS管漏极与待测功率半导体模块连接，源极与采样模块连接；第二二极管负极与第四电阻第二端连接，正极与第二电压源连接。可见，检测电路利用MOS低导通内阻，关断高压钳位作用提高功率半导体导通压降的采样精度，同时不需要引入外部驱动回路，保证外部驱动可靠运行。
Description
技术领域
本申请涉及电力电子技术领域，尤其涉及一种自驱式功率半导体导通压降检测电路。
背景技术
功率变流器系统故障多数源于功率器件的失效，模块失效机理众多，而其中温度应力是导致其老化失效的主要原因，所以通过检测电路对IGBT /SiC MOSFET模块结温、老化信息提取的研究显得尤为重要。
目前现有技术中的检测电路，通常采用外加二极管做导通压降补偿实现二极管钳位或采用MOSFET做高压钳位的方式，其中采用MOSFET做高压钳位，需要引入外部门极驱动回路来控制MOSFET开关。外加二极管做导通压降补偿，增加了检测电路的误差，而引入外部门极驱动回路来控制MOSFET开关，对外部门极信号有一定的干扰，影响驱动性能。由此，如何设计出一种减少检测电路产生误差同时也不影响外部驱动性能的检测电路成为本领域亟需解决的技术问题。
发明内容
有鉴于此，本申请实施例提供了一种自驱式功率半导体导通压降检测电路，能减少检测电路产生误差同时也不影响驱动功率。
本申请实施例提供了一种自驱式功率半导体导通压降检测电路，包括：待测功率半导体模块、自驱高压钳位模块、采样模块；
其中所述自驱高压钳位模块，包括：第一二极管D1、第二二极管D2、第一MOS管Q2、第二MOS管Q3、第一电压源VCC1、第二电压源VCC2、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4；
所述第一二极管D1的负极与待测功率半导体模块连接，正极与第一电阻R1的第一端和第一MOS管Q2的门极连接；
所述第一电阻R1的第二端与第一电压源VCC1和第一MOS管Q2的源极连接；
所述第二电阻R2的第一端与第一MOS管Q2的漏极连接，第二端接地；
所述第三电阻R3的第二端与第一MOS管Q2的漏极连接，第一端与第二MOS管Q3的门极和第四电阻R4的第一端连接；
所述第二MOS管Q3的漏极与待测功率半导体模块连接，源极与采样模块连接；
所述第二二极管D2的负极与第四电阻R4的第二端连接，正极与第二电压源VCC2连接。
可选的，自驱式功率半导体导通压降检测电路还包括功率半导体模块Q1；
所述功率半导体模块Q1的门极用于接收驱动信号，发射极与第二电阻R2的第二端连接，集电极与第一二极管D1的负极和第二MOS管Q3的漏极连接。
可选的，采样模块具体包括：第五电阻R5、第六电阻R6、运算放大器U1；
所述第五电阻R5的第一端与第二MOS管Q3的漏极连接，第二端与运算放大器U1的正输入连接；
所述第六电阻R6的第一端与运算放大器U1的负输入连接，第二端与运算放大器U1的输出连接。
可选的，自驱式功率半导体导通压降检测电路，其中第一MOS管Q2为P沟道增强型，第二MOS管Q3为N沟道增强型高压MOS。
可选的，所述待测信号为功率半导体导通压降。
可选的，自驱式功率半导体导通压降检测电路当功率半导体门极驱动信号为高电平时，功率半导体模块Q1导通，第一二极管D1的阴极为低电平，第一MOS管Q2的门极处于钳位；其中所述钳位为第一二极管D1导通压降与待测功率半导体模块导通电压的和。
可选的，在第一MOS管Q2的门极处于钳位后，还包括：
第一MOS管Q2导通，第一电压源VCC1通过第三电阻R3至第二MOS管Q3的门极，使第二MOS管Q3导通，待测功率半导体模块采样正常工作。
可选的，自驱式功率半导体导通压降检测电路，当功率半导体门极驱动信号为低电平时，待测模块Q1关断，待测功率半导体模块电压升高，第一二极管D1的阴极为高电平，第一二极管D1反向截至，使得第一MOS管Q2关断。
可选的，在所述第一MOS管Q2关断后，还包括：
功率半导体模块Q1集电极电流通过第二MOS管Q3经过第四电阻R4、第三电阻R3、第二电阻R2接地，使第二MOS管Q3的门极电压为负，进入高压钳位。本申请实施例提供了一种自驱式功率半导体导通压降检测电路，包括：待测功率半导体模块、自驱高压钳位模块、采样模块；其中自驱高压钳位模块，包括：第一二极管D1、第二二极管D2、第一MOS管Q2、第二MOS管Q3、第一电压源VCC1、第二电压源VCC2、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4；第一二极管D1的负极与待测功率半导体模块连接，正极与第一电阻R1的第一端和第一MOS管Q2的门极连接；第一电阻R1的第二端与第一电压源VCC1和第一MOS管Q2的源极连接；第二电阻R2的第一端与第一MOS管Q2的漏极连接，第二端接地；第三电阻R3的第二端与第一MOS管Q2的漏极连接，第一端与第二MOS管Q3的门极和第四电阻R4的第一端连接；第二MOS管Q3的漏极与待测功率半导体模块连接，源极与采样模块连接；第二二极管D2的负极与第四电阻R4的第二端连接，正极与第二电压源VCC2连接。可见，本申请中的自驱式功率半导体导通压降检测电路利用MOS低导通内阻，提高采样精度，同时不需要引入外部驱动回路，保证外部驱动可靠运行。
附图说明
为更清楚地说明本实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为一种现有的检测电路图；
图2为另一种现有的检测电路图；
图3为本申请实施例提供的一种自驱式功率半导体导通压降检测电路的电路图；
图4为本申请实施例提供的另一种自驱式功率半导体导通压降检测电路的电路图；
图5为本申请实施例提供的自驱式功率半导体导通压降检测电路的应用场景示意图；
图6为本申请实施例提供的自驱式功率半导体导通压降检测电路的检测波形图；
图7为本申请实施例提供的自驱式功率半导体导通压降检测电路的结温标定示意图；
图8为本申请实施例提供的自驱式功率半导体导通压降检测电路的采样的导通压降和时间的关系示意图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案，下面结合附图和具体实施方式对本申请作进一步的详细说明。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
功率变流器系统故障多数源于功率器件的失效，模块失效机理众多，而其中温度应力是导致其老化失效的主要原因，所以通过检测电路对IGBT /SiC MOSFET模块结温、老化信息提取、过流、短路保护的研究显得尤为重要。
目前现有技术中的检测电路，通常采用外加二极管做导通压降补偿实现二极管钳位或采用MOSFET做高压钳位的方式。
如图1中的一种现有的检测电路图所示，现有技术中采用的是二极管钳位的方式，检测电路需要外加二极管做导通压降补偿，但同时由于导通压降的存在增加了检测电路的误差。
如图2中的另一种现有的检测电路图所示，现有技术中采用MOSFET做高压钳位，但是需要引入外部门极驱动回路来控制MOSFET开关（外部门极驱动回路未在图中画出），而此时对外部门极信号有一定的干扰，进而影响驱动功率。
本申请实施例提供一种自驱式功率半导体导通压降检测电路，该电路图如图3所示，包括：待测功率半导体模块10、自驱高压钳位模块20、采样模块30；
其中所述自驱高压钳位模块20，包括：第一二极管D1、第二二极管D2、第一MOS管Q2、第二MOS管Q3、第一电压源VCC1、第二电压源VCC2、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4；
所述第一二极管D1的负极与待测功率半导体模块10连接，正极与第一电阻R1的第一端和第一MOS管Q2的门极连接；
所述第一电阻R1的第二端与第一电压源VCC1和第一MOS管Q2的源极连接；
所述第二电阻R2的第一端与第一MOS管Q2的漏极连接，第二端接地；
所述第三电阻R3的第二端与第一MOS管Q2的漏极连接，第一端与第二MOS管Q3的门极和第四电阻R4的第一端连接；
所述第二MOS管Q3的漏极与待测功率半导体模块10连接，源极与采样模块30连接；
所述第二二极管D2的负极与第四电阻R4的第二端连接，正极与第二电压源VCC2连接。
可见，本申请中的自驱式功率半导体导通压降检测电路利用两个MOS管实现了内部自驱。利用MOS低导通内阻的特性，相比于图1中提到的现有技术提高采样精度，并且由于本申请中的电路实现了自驱，不需要引入外部驱动回路，也就不会对外部门极信号产生干扰，保证外部驱动可靠运行，相较于图2中的提到的现有技术提高了驱动功率。
在一些具体实施例中，如图4中本申请实施例提供的另一种自驱式功率半导体导通压降检测电路图所示，还包括功率半导体模块Q1；
所述功率半导体模块Q1的门极用于接收待测信号，发射极与第二电阻R2的第二端连接，集电极与第一二极管D1的负极和第二MOS管Q3的漏极连接。
如图4中所示的功率半导体模块Q1，实则省略一系列的前置电路中的元件的与本申请提出的电路的连接部分，在图1与图2中使用了同样的方式，本申请对于功率半导体模块Q1不做具体的限定，满足本申请其他电路需要即可。
在一些具体实施例中，如图4中本申请实施例提供的另一种自驱式功率半导体导通压降检测电路图所示，采样模块30，具体包括：第五电阻R5、第六电阻R6、运算放大器U1；
所述第五电阻R5的第一端与第二MOS管Q3的漏极连接，第二端与运算放大器U1的正输入连接；
所述第六电阻R6的第一端与运算放大器U1的负输入连接，第二端与运算放大器U1的输出连接。
对信号进行放大，以便后续可以更好的完成检测，得到结温信息。
在一些具体实施例中，如图4中本申请实施例提供的另一种自驱式功率半导体导通压降检测电路图所示，其中第一MOS管Q2为P沟道增强型，第二MOS管Q3为N沟道增强型高压MOS。
在一些具体实施例中，如图4中本申请实施例提供的另一种自驱式功率半导体导通压降检测电路图所示，所述待测信号为功率半导体接收门极驱动信号后产生的导通压降。
功率半导体门极接收的驱动信号PWM，如图4中所示，以便为后续的检测提供具有均匀高低电平的方波信号。
在一些具体实施例中，本申请实施例提供的另一种自驱式功率半导体导通压降检测电路运行方式可以为：当功率半导体门极驱动信号为高电平时，功率半导体模块Q1导通，第一二极管D1的阴极为低电平，第一MOS管Q2的门极处于钳位；其中所述钳位为第一二极管D1导通压降与待测功率半导体模块10导通电压的和。
在第一MOS管Q2的门极处于钳位后，第一MOS管Q2导通，第一电压源VCC1通过第三电阻R3至第二MOS管Q3的门极，使第二MOS管Q3导通，待测功率半导体模块10采样正常工作。
如图4中的结构，在功率半导体门极驱动信号为高电平，根据二极管、MOS管的特性，即可推导出上述信号关系。
在一些具体实施例中，本申请实施例提供的另一种自驱式功率半导体导通压降检测电路运行方式可以为：当功率半导体Q1的门极驱动信号为低电平时，待测模块Q1关断，待测功率半导体模块10电压升高，第一二极管D1的阴极为高电平，第一二极管D1反向截至，使得第一MOS管Q2关断。
在所述第一MOS管Q2关断后，功率半导体模块Q1集电极电流通过第二MOS管Q3经过第四电阻R4、第三电阻R3、第二电阻R2接地，使第二MOS管Q3的门极电压为负，进入高压钳位。
场景一：
如图5中，本申请实施例提供的自驱式功率半导体导通压降检测电路的应用场景示意图所示，该场景为整体测试电路，其中本申请中提出的电路应用在导通压降采样部分。
如图6为本申请实施例提供的自驱式功率半导体导通压降检测电路的检测波形图所示，可以清晰看到当待测功率半导体模块10Vce中电压变化时，与其对应的第二MOS管Q3（图中用Vgs表示）和运算放大器U1最终输出的电压信号Vce_out的变化趋势，其变化趋势也主要来源于MOS管本身的特性。
在信号最终变为运算放大器U1输出的电压信号Vce_out后，根据这一电压信号以及流过功率半导体的电流，推算出IGBT/SiC MOSFET在运行过程中的结温波动。其中结温波动如图7为本申请实施例提供的自驱式功率半导体导通压降检测电路的结温标定示意图所示，其中导通压降与功率半导体IGBT的电流，在功率半导体IGBT的电流较小时呈现负温度特性，在功率半导体IGBT的电流较大时呈现正温度特性其中图7所示的结温标定曲线，是利用本申请提供的自驱式功率半导体导通压降检测电路进行大量测量拟合的，其中的一定阈值也是基于具体数据进行计算的，本申请在此不做具体限定。
如图8为本申请实施例提供的自驱式功率半导体导通压降检测电路的采样的导通压降和时间的关系示意图，采用的导通压降与时间呈现周期性变化，在图8中的单个坐标点（0.0078, 1.372769）为本场景中方便读者理解而举例标出的坐标位置。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处，各个实施例之间相同或相似部分互相参见即可。
以上对本申请所提供的方案进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的电路及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (9)
1.一种自驱式功率半导体导通压降检测电路，其特征在于，包括：待测功率半导体模块、自驱高压钳位模块、采样模块；
其中所述自驱高压钳位模块，包括：第一二极管D1、第二二极管D2、第一MOS管Q2、第二MOS管Q3、第一电压源VCC1、第二电压源VCC2、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4；
所述第一二极管D1的负极与待测功率半导体模块连接，正极与第一电阻R1的第一端和第一MOS管Q2的门极连接；
所述第一电阻R1的第二端与第一电压源VCC1和第一MOS管Q2的源极连接；
所述第二电阻R2的第一端与第一MOS管Q2的漏极连接，第二端接地；
所述第三电阻R3的第二端与第一MOS管Q2的漏极连接，第一端与第二MOS管Q3的门极和第四电阻R4的第一端连接；
所述第二MOS管Q3的漏极与待测功率半导体模块连接，源极与采样模块连接；
所述第二二极管D2的负极与第四电阻R4的第二端连接，正极与第二电压源VCC2连接。
2.根据权利要求1所述的自驱式功率半导体导通压降检测电路，其特征在于，还包括功率半导体模块Q1；
所述功率半导体模块Q1的门极用于接收驱动信号，发射极与第二电阻R2的第二端连接，集电极与第一二极管D1的负极和第二MOS管Q3的漏极连接。
3.根据权利要求1所述的自驱式功率半导体导通压降检测电路，其特征在于，所述的采样模块具体包括：第五电阻R5、第六电阻R6、运算放大器U1；
所述第五电阻R5的第一端与第二MOS管Q3的漏极连接，第二端与运算放大器U1的正输入连接；
所述第六电阻R6的第一端与运算放大器U1的负输入连接，第二端与运算放大器U1的输出连接。
4.根据权利要求1所述的自驱式功率半导体导通压降检测电路，其特征在于，其中第一MOS管Q2为P沟道增强型，第二MOS管Q3为N沟道增强型高压MOS。
5.根据权利要求2所述的自驱式功率半导体导通压降检测电路，其特征在于，所述功率半导体门极接收驱动信号后将产生导通压降作为待测信号。
6.根据权利要求5所述的自驱式功率半导体导通压降检测电路，其特征在于，当驱动信号为高电平时，功率半导体模块Q1导通，第一二极管D1的阴极为低电平，第一MOS管Q2的门极处于钳位；其中所述钳位为第一二极管D1导通压降与待测功率半导体模块导通电压的和。
7.根据权利要求6所述的自驱式功率半导体导通压降检测电路，其特征在于，在第一MOS管Q2的门极处于钳位后，还包括：
第一MOS管Q2导通，第一电压源VCC1通过第三电阻R3至第二MOS管Q3的门极，使第二MOS管Q3导通，待测功率半导体模块采样正常工作。
8.根据权利要求5所述的自驱式功率半导体导通压降检测电路，其特征在于，当驱动信号为低电平时，待测模块Q1关断，待测功率半导体模块电压升高，第一二极管D1的阴极为高电平，第一二极管D1反向截至，使得第一MOS管Q2关断。
9.根据权利要求8所述的自驱式功率半导体导通压降检测电路，其特征在于，在所述第一MOS管Q2关断后，还包括：
功率半导体模块Q1集电极电流通过第二MOS管Q3经过第四电阻R4、第三电阻R3、第二电阻R2接地，使第二MOS管Q3的门极电压为负，进入高压钳位。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310298765.7A CN116008769B (zh) | 2023-03-24 | 2023-03-24 | 一种自驱式功率半导体导通压降检测电路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310298765.7A CN116008769B (zh) | 2023-03-24 | 2023-03-24 | 一种自驱式功率半导体导通压降检测电路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN116008769A CN116008769A (zh) | 2023-04-25 |
| CN116008769B true CN116008769B (zh) | 2023-06-27 |
Family
ID=86037681
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202310298765.7A Active CN116008769B (zh) | 2023-03-24 | 2023-03-24 | 一种自驱式功率半导体导通压降检测电路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN116008769B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117031227B (zh) * | 2023-06-12 | 2024-04-30 | 湖南栏海电气工程有限公司 | 一种功率半导体器件导通压降的无损在线监测电路 |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08288817A (ja) * | 1995-04-18 | 1996-11-01 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JP2001160748A (ja) * | 1999-09-20 | 2001-06-12 | Denso Corp | 電気負荷駆動回路 |
| CN102243262A (zh) * | 2010-04-07 | 2011-11-16 | 松下电器产业株式会社 | 电流检测电路 |
| CN105811765A (zh) * | 2016-04-19 | 2016-07-27 | 南京航空航天大学 | 一种用于在线测量功率晶体管导通压降的电压钳位电路 |
| CN111337808A (zh) * | 2019-05-13 | 2020-06-26 | 上海交通大学 | 功率半导体器件导通压降的在线测量电路及系统 |
| CN112130050A (zh) * | 2020-11-19 | 2020-12-25 | 杭州飞仕得科技有限公司 | 一种igbt退饱和故障的检测装置 |
| CN112383293A (zh) * | 2020-11-30 | 2021-02-19 | 上海维安半导体有限公司 | 一种智能低边功率开关的控制电路及芯片 |
| CN113376497A (zh) * | 2021-06-09 | 2021-09-10 | 新风光电子科技股份有限公司 | 一种适用于功率半导体器件结温和老化信息的在线监测方法 |
| CN113595047A (zh) * | 2021-08-20 | 2021-11-02 | 南通大学 | 一种用于在线测量功率晶体管导通压降的无源钳位电路 |
| CN115459578A (zh) * | 2022-09-19 | 2022-12-09 | 瑶芯微电子科技(上海)有限公司 | 输出钳位保护模块、方法、芯片及驱动保护系统 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3419170B1 (en) * | 2016-02-18 | 2021-01-13 | Rohm Co., Ltd. | Protective system |
-
2023
- 2023-03-24 CN CN202310298765.7A patent/CN116008769B/zh active Active
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08288817A (ja) * | 1995-04-18 | 1996-11-01 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JP2001160748A (ja) * | 1999-09-20 | 2001-06-12 | Denso Corp | 電気負荷駆動回路 |
| CN102243262A (zh) * | 2010-04-07 | 2011-11-16 | 松下电器产业株式会社 | 电流检测电路 |
| CN105811765A (zh) * | 2016-04-19 | 2016-07-27 | 南京航空航天大学 | 一种用于在线测量功率晶体管导通压降的电压钳位电路 |
| CN111337808A (zh) * | 2019-05-13 | 2020-06-26 | 上海交通大学 | 功率半导体器件导通压降的在线测量电路及系统 |
| CN112130050A (zh) * | 2020-11-19 | 2020-12-25 | 杭州飞仕得科技有限公司 | 一种igbt退饱和故障的检测装置 |
| CN112383293A (zh) * | 2020-11-30 | 2021-02-19 | 上海维安半导体有限公司 | 一种智能低边功率开关的控制电路及芯片 |
| CN113376497A (zh) * | 2021-06-09 | 2021-09-10 | 新风光电子科技股份有限公司 | 一种适用于功率半导体器件结温和老化信息的在线监测方法 |
| CN113595047A (zh) * | 2021-08-20 | 2021-11-02 | 南通大学 | 一种用于在线测量功率晶体管导通压降的无源钳位电路 |
| CN115459578A (zh) * | 2022-09-19 | 2022-12-09 | 瑶芯微电子科技(上海)有限公司 | 输出钳位保护模块、方法、芯片及驱动保护系统 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 逆变桥功率管门极关断箝位电路;江泓,叶浩屹,邓焰,何湘宁;电力电子技术(第04期);全文 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN116008769A (zh) | 2023-04-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN111337808B (zh) | 功率半导体器件导通压降的在线测量电路及系统 | |
| CN108508342B (zh) | 一种igbt短路过流检测电路 | |
| CN116008769B (zh) | 一种自驱式功率半导体导通压降检测电路 | |
| CN111398667A (zh) | 一种过零检测电路 | |
| US20220373590A1 (en) | APPARATUS AND METHOD FOR MEASURING DYNAMIC ON-RESISTANCE OF GaN-BASED DEVICE | |
| CN113252949A (zh) | 带有片内实时校准的高精度电流采样电路 | |
| CN218386794U (zh) | SiC MOSFET的保护电路 | |
| CN108303666B (zh) | 一种功率半导体模块过流检测电路的功能测试电路 | |
| WO2019176365A1 (en) | Power semi-conductor module and method for sensing voltage of power semi-conductor switch | |
| CN115639451A (zh) | 采用增强型nmos电压钳位电路的功率半导体导通压降测量电路 | |
| CN112114236A (zh) | 一种二极管漏电流抑制电路 | |
| CN114814515A (zh) | SiC MOSFET的短路检测电路及方法 | |
| CN114400039A (zh) | 一种具有迟滞特性的电压监测电路 | |
| CN110412338B (zh) | 一种高压检测电路 | |
| CN116718884B (zh) | 导通压降检测电路、设备和电力变换装置 | |
| CN212749040U (zh) | 一种变频器的检测电路 | |
| CN113110681B (zh) | 一种电压钳位电路 | |
| CN216751523U (zh) | 一种开关电源中ORing FET的自动检测控制线路 | |
| CN117572192A (zh) | 一种igbt导通压降实时测量电路 | |
| CN117169675B (zh) | 一种逆变器级宽温区功率器件导通压降在线监测电路 | |
| CN116087734B (zh) | 一种应用于GaN HEMT的高精度结温预测电路及其工作方法 | |
| CN110022141B (zh) | 功率器件的驱动装置与获取功率器件实时状态的方法 | |
| CN114002592B (zh) | 功率管的漏源电压采样电路 | |
| CN112455366B (zh) | 一种可检测高边负载开路的汽车组合仪表控制电路 | |
| CN216310101U (zh) | 一种差分二极管mos电流采样电路 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |