CN116087734B - 一种应用于GaN HEMT的高精度结温预测电路及其工作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明是关于一种应用于GaN HEMT的高精度结温预测电路及其工作方法，电路包括GaN HEMT，GaN HEMT漏源极连接高精度电压钳位电路，漏极同时连接电压采样调理电路，源极同时连接电流采样调理电路；所述电压采样调理电路、电流采样调理电路均连接控制器MCU，分别输出调理后的电压信号、电流信号至控制器MCU处理并得到结温预测值。选用与结温线性度较好的导通电阻作为温敏参数，通过钳位GaN HEMT关断电压缩减电压测量范围，并通过尖峰抑制电阻以及电容来削弱钳位电路所引入的电压尖峰问题，从而极大程度提高所获取导通压降的精度，实现快速精确地GaN HEMT结温预测。

Description

一种应用于GaN HEMT的高精度结温预测电路及其工作方法
技术领域
本发明属于电力电子技术与电工技术领域，特别涉及一种应用于GaN HEMT的高精度结温预测电路及其工作方法。
背景技术
如今，电力电子系统在汽车和航空航天领域等高可靠性应用中发挥着越来越重要的作用，GaN器件作为新型宽禁带半导体代表器件之一，相较于Si器件，具有更低的导通电阻、更低的结电容、更高的开关频率、更快的开关速度以及更高的温度承受能力。这些功率半导体器件通常在较高的环境温度和频繁的功率循环条件下使用，这通常会导致器件结温较高，而温度是造成电力电子系统中功率器件失效的主要原因。
为保证电力电子系统的可靠工作，对功率器件进行结温预测实现实时健康监测非常关键。由于功率器件的芯片封装在模块内部，不易接触和观察，半导体芯片被封装在模块内部，不方便使用传统的方法直接测量，如何简单有效地提取半导体器件结温信息是电力电子学科研究的热点与难点问题。
目前半导体器件结温提取方法主要有物理测量法、光学法、热电耦合法、温敏电参数法。温敏电参数法利用某些与功率器件结温密切相关的电参数来间接推测结温，该方法适合在线测量，响应速度快、成本低，受到国内外学者的广泛关注，成为结温在线提取的研究热点。不同温敏参数法在灵敏度、线性度、鲁棒性等方面各具优缺点，需根据具体器件及实际运行状况选择合适的温敏参数来进行结温提取。
本专利提出的目的是为了提出一种结构简单，且能对GaN HEMT结温实现快速精确预测的高精度结温预测电路。
发明内容
本发明的目的在于提供一种应用于GaN HEMT的高精度结温预测电路，选用与结温线性度较好的导通电阻作为温敏参数，通过钳位GaN HEMT关断电压缩减电压测量范围，并通过尖峰抑制电阻以及电容来削弱钳位电路所引入的电压尖峰问题，从而极大程度提高所获取导通压降的精度，实现快速精确地GaN HEMT结温预测。
本发明为实现上述目的采用了如下的技术方案：
一种应用于GaN HEMT的高精度结温预测电路，电路包括连接在GaN HEMT漏极的第一高压二极管与源极的第二高压二极管负极，第一高压二极管的正极连接钳位稳压二极管的负极以及电压采样调理电路，第二高压二极管的正极连接钳位稳压二极管的正极，电压采样电路采样输出的电压信号传输到MCU。钳位稳压二极管与尖峰抑制电阻以及电容并联，并且钳位稳压二极管正极连接电流调节电阻，稳压二极管负极连接电流镜电路输出端口一，电流调节电阻连接电流镜电路输出端口二。GaN HEMT源极连接采样电阻，采样电阻两端分别连接第一采样调理电阻及第二采样调理电阻，第一采样调理电阻连接运算放大器的正相输入端以及第三采样调理电阻，第二采样调理电阻连接运算放大器的负相输入端，运算放大器输出调理后的电流信号至控制器MCU。
上述电压钳位电路通过第一高压二极管DA以及第二高压二极管DB负极分别连接在被测GaN HEMT漏源极，第一高压二极管DA的正极连接钳位稳压二极管Dclamp的负极以及电压采样调理电路，第二高压二极管DB的正极连接钳位稳压二极管Dclamp的正极，电压采样电路采样输出的电压信号V ds_con传输到控制器MCU。
上述电压钳位电路中钳位稳压二极管Dclamp与尖峰抑制电阻R clamp以及电容C 1并联，并且钳位稳压二极管Dclamp正极连接电流调节电阻R 1，稳压二极管Dclamp负极连接电流镜电路输出端口一，电流调节电阻连接电流镜电路输出端口二。
上述电压采样调理电路连接第一高压二极管DA的正极以及钳位稳压二极管Dclamp的负极，该电压信号连接斯密特触发器S1，斯密特触发器S1输出信号控制电压采样控制管Q1，电压采样控制管Q1发射极连接电压采样输出信号V ds_con。
上述电流采样调理电路通过采样电阻R 2连接被测GaN HEMT的源极，采样电阻R 2两端分别连接第一采样调理电阻R 3及第二采样调理电阻R 4，第一采样调理电阻R 3连接运算放大器AMP1的正相以及第三采样调理电阻R 4，第二采样调理电阻R 4连接运算放大器AMP1的负相，运算放大器AMP1输出调理后的电流信号i d_con至控制器MCU。
上述控制器MCU接受来自电压采样调理电路信号V ds_con以及电流采样调理电路信号i d_con，接收的导通压降值V ds_con以及导通漏极电流值i d_con通过控制器MCU处理并匹配导通电阻-结温数据库中导通电阻对应结温数据从而实现高精度结温预测。
一种如前所述高精度结温预测方法，在GaN HEMT器件关断期间，所得到的电压测试值为钳位稳压二极管Dclamp的电压值V D_clamp，在GaN HEMT器件开通期间，所得到的电压测试值为GaN HEMT器件的导通压降值V ds_con，从而减小电压测量值的跨度，提升导通压降值的测量精度。
上述钳位稳压二极管Dclamp与尖峰抑制电阻R clamp以及电容并联C 1，极大程度地削弱了由高压二极管DA的寄生电容产生的电压尖峰，增加了电压测试电路的精度。供电电路由电流镜电路组成，实现两路相同电流的输入，电流大小由供电电压V CC以及电流调节电阻R 1共同决定，所得到的测试电压为第一高压二极管DA与导通压降V ds_con之和与第二高压二极管DB的差值，选用相同的高压二极管即可实现精确快速地导通压降测量。并结合导通漏极电流i d_con测量值并经过控制器MCU计算得到高精度导通电阻值R ds(on)，最后匹配导通电阻-结温数据库信息实现GaN HEMT高精度结温预测。
本发明采用以上技术方案与现有技术相比，具有以下技术效果：
在GaN HEMT关断时，第一高压二极管DA不导通，V AB电压被钳位至钳位稳压二极管电压大小。
在GaN HEMT导通时，第一高压二极管DA及第二高压二极管DB导通，由于两二极管电流相同，因此V AB等于GaN HEMT导通压降。
在GaN HEMT由关断状态切换至导通阶段时，尖峰抑制电阻R clamp以及电容并联C 1抑制由高压二极管引起的电压过冲，极大提高了导通压降测试的精度。
电压采样调理电路通过斯密特触发器控制采样管开关，实现对导通阶段钳位电路电压的精确测量。并通过该阶段高精度导通电阻值R ds(on)通过控制器MCU处理得到对应结温值，实现精确预测。
附图说明
图1是本发明中高精度动态压降测量电路结构图。
图2是本发明中的电路图。
图3是本发明在GaN HEMT导通状态下的电流路径。
图4是本发明在GaN HEMT关断状态下的电流路径。
图5是本发明电路在双脉冲电路中工作时的开关电压电流波形。
图6是一GaN HEMT器件归一化导通电阻与结温关系曲线实例。
具体实施方式
以下结合附图和实施例对本发明的技术方案作进一步描述。
如图2所示，本发明是关于一种应用于GaN HEMT的高精度结温预测电路，电路包括连接在GaN HEMT漏极的第一高压二极管与源极的第二高压二极管负极，第一高压二极管的正极连接钳位稳压二极管的负极以及电压采样调理电路，第二高压二极管的正极连接钳位稳压二极管的正极，电压采样电路采样输出的电压信号传输到控制器MCU。钳位稳压二极管与尖峰抑制电阻以及电容并联，并且钳位稳压二极管正极连接电流调节电阻，稳压二极管负极连接电流镜电路输出端口一，电流调节电阻连接电流镜电路输出端口二。GaN HEMT源极连接采样电阻，采样电阻两端分别连接第一采样调理电阻及第二采样调理电阻，第一采样调理电阻连接运算放大器的正相输入端以及第三采样调理电阻，第二采样调理电阻连接运算放大器的负相输入端，运算放大器输出调理后的电流信号输入至控制器MCU。
如图1所示，第一高压二极管DA以及第二高压二极管DB负极分别连接在被测GaNHEMT漏源极，第一高压二极管DA的正极连接钳位稳压二极管Dclamp的负极以及电压采样调理电路，第二高压二极管DB的正极连接钳位稳压二极管Dclamp的正极，电压采样电路采样输出的电压信号V ds_con传输到控制器MCU。钳位稳压二极管Dclamp与尖峰抑制电阻R clamp以及电容C 1并联，并且钳位稳压二极管Dclamp正极连接电流调节电阻R 1的一端，稳压二极管Dclamp负极连接电流镜电路输出端口一，电流调节电阻R 1的另一端连接电流镜电路输出端口二。电压采样调理电路连接第一高压二极管DA的正极以及钳位稳压二极管Dclamp的负极，该电压信号连接斯密特触发器S1，斯密特触发器S1输出信号控制电压采样控制管Q1，电压采样控制管Q1发射极连接电压采样输出信号V ds_con。
本发明还公开了应用于GaN HEMT的高精度结温预测电路的工作方法：选用与结温线性度较好的导通电阻作为温敏参数，通过钳位GaN HEMT关断电压缩减电压测量范围，GaNHEMT器件关断期间，所得到的电压测试值为钳位稳压二极管的电压值，GaN HEMT器件开通期间，所得到的电压测试值为GaN HEMT器件的导通压降值，从而减小电压测量值的跨度，提升导通压降值的测量精度。同时通过尖峰抑制电阻以及电容来削弱钳位电路所引入的电压尖峰问题，从而极大程度提高所获取导通压降的精度，实现快速精确地GaN HEMT结温预测。
如图3虚线所示，为该电路在GaN HEMT导通状态下的电流路径，漏源极电压较低，电流镜电流流过高压二极管。这一阶段，电流不流过钳位二极管，节点A点的电位是DA的压降与GaN的导通漏源电压之和，节点B的电位是二极管DB的压降。由于电流镜使流过DA和DB两二极管的电流相同，且DA和DB具有相同的I-V特性，因此DA和DB的压降相同，通过计算可知A和B之间的电压即为GaN的导通压降。
如图4虚线所示，为该电路在GaN HEMT关断状态下的电流路径，由于其漏源电压较高，左镜面电流不能通过二极管DA。因此左边镜面电流通过串联连接的钳位二极管。此时输出的电压即为钳位电压V clamp。该电路设计中，应保证钳位二极管的总压降值高于GaN的导通压降。通过该电路将输出的电压V out最多限制在钳位电压V clamp，从而提高电压测试精度。
如图5所示，分别为双脉冲电路中所得GaN HEMT栅极电压波形、漏源电压、漏极电流波形、高精度钳位电路测试波形以及电压采样控制管Q1信号。t 1~t 2时刻，测试得到的电压为GaN HEMT导通压降值，t 2~t 3时刻，测试得到的电压为钳位电压值V clamp，通过降低GaNHEMT关断电压测试值，从而极大程度地提高导通压降测试的精度，进而提升导通电阻结果的精度，最终实现高精度结温预测。
如图6所示，为一GaN HEMT器件归一化导通电阻值与结温之间关系曲线实例，在上述高精度导通电阻获取后，通过MCU匹配曲线中归一化导通电阻值与结温对应关系，即可获得精确的结温信息，实现对GaN HEMT器件的高精度结温预测。
本发明提出了一种应用于GaN HEMT的高精度结温预测电路，此种高精度结温预测电路可以将关断电压测量钳位至一个极低值，并削弱钳位电路切换所引起的电压尖峰，从而缩减电压值测量范围，极大地提升导通压降测量精度，进而实现高精度的结温预测。
以上实施例仅为说明本发明的技术思想，不能以此限定本发明的保护范围，凡是按照本发明提出的技术思想，在技术方案基础上所做的任何改动，均落入本发明保护范围之内。

Claims (5)

1.一种应用于GaN HEMT的高精度结温预测电路，电路包括GaN HEMT，其特征在于，GaNHEMT漏源极连接高精度电压钳位电路，漏极同时连接电压采样调理电路，源极同时连接电流采样调理电路；所述电压采样调理电路、电流采样调理电路均连接控制器MCU，分别输出调理后的电压信号、电流信号至控制器MCU处理并得到结温预测值，其中所述GaN HEMT漏极连接第一高压二极管的负极、源极连接第二高压二极管的负极，第一高压二极管的正极连接钳位稳压二极管的负极以及电压采样调理电路，第二高压二极管的正极连接钳位稳压二极管的正极，所述第一高压二极管、第二高压二极管为相同的高压二极管，且流经所述第一高压二极管、第二高压二极管的电流相同；钳位稳压二极管与尖峰抑制电阻以及电容并联，并且钳位稳压二极管负极连接电流镜电路输出端口一、正极依次连接电流调节电阻和电流镜电路输出端口二，所述电流镜电路实现两路相同电流的输入，所得到的测试电压为第一高压二极管导通压降之和与第二高压二极管的差值；
所述电流采样调理电路包括与GaN HEMT源极直接连接的采样电阻，所述采样电阻两端分别连接第一采样调理电阻及第二采样调理电阻，第一采样调理电阻连接运算放大器的正相输入端以及第三采样调理电阻，第二采样调理电阻连接运算放大器的负相输入端，运算放大器输出调理后的电流信号输入至控制器MCU；
所述电压采样调理电路连接第一高压二极管的正极以及钳位稳压二极管的负极，该电压信号连接斯密特触发器，斯密特触发器输出信号控制电压采样控制管，电压采样控制管发射极连接电压采样输出信号；
所述控制器MCU接受来自电压采样调理电路以及电流采样调理电路的信号，接收的导通压降值以及导通漏极电流值通过MCU处理与导通电阻-结温数据库匹配导通电阻对应结温值从而实现高精度结温预测。
2.根据权利要求1所述的应用于GaN HEMT的高精度结温预测电路的工作方法，其特征在于，高精度结温预测电路进行电压测试工作时，表现为高精度电压钳位电路，通过钳位GaN HEMT关断电压缩减电压测量范围，具体的：GaN HEMT器件关断期间，所得到的电压测试值为钳位稳压二极管的电压值，GaN HEMT器件开通期间，所得到的电压测试值为GaN HEMT器件的导通压降值。
3.根据权利要求2中的应用于GaN HEMT的高精度结温预测电路的工作方法，其特征在于，在GaN HEMT导通状态下，第一高压二极管DA与第二高压二极管DB之间的电压为GaN HEMT的导通压降；在GaN HEMT关断状态下，输出的电压为钳位电压Vclamp，且保证钳位二极管的总压降值高于GaN HEMT的导通压降，即输出的电压Vout最多限制在钳位电压Vclamp。
4.根据权利要求3中的应用于GaN HEMT的高精度结温预测电路的工作方法，其特征在于，钳位电路与尖峰抑制电阻Rclamp以及电容C1并联。
5.根据权利要求4中的应用于GaN HEMT的高精度结温预测电路的工作方法，其特征在于，供电电路为电流镜电路，实现两路相同电流的输入，电流大小由供电电压以及电流调节电阻R1共同决定，所得到的测试电压为第一高压二极管与导通压降之和与第二高压二极管的差值，结合导通漏极电流测量值经过MCU计算得到高精度导通电阻值，最后匹配导通电阻-结温数据库中信息。
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Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109217276A (zh) * 2018-10-19 2019-01-15 南京慧感电子科技有限公司 一种电压钳位及esd保护电路
CN111257719A (zh) * 2020-03-05 2020-06-09 香港科技大学深圳研究院 有源mosfet电压钳位电路、钳位方法和双脉冲测试电路
CN111289799A (zh) * 2020-03-03 2020-06-16 电子科技大学 一种GaN器件动态导通电阻测量电路
CN211697983U (zh) * 2019-11-08 2020-10-16 中山大学 用于测试氮化镓hemt动态电阻的电压钳位电路及测试条件可控装置及测试系统
CN112345907A (zh) * 2020-10-26 2021-02-09 中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室）） GaN功率器件的结温测试装置及方法
CN113466647A (zh) * 2021-06-23 2021-10-01 西南交通大学 一种用于结温监测的导通压降在线监测电路
CN113533922A (zh) * 2021-06-07 2021-10-22 大连理工大学 一种Cascode结构GaN电力电子器件结温快速精确测量方法
CN114740323A (zh) * 2022-03-07 2022-07-12 三峡大学 一种GaN器件结温和热阻监测电路及方法
CN115060953A (zh) * 2022-05-24 2022-09-16 电子科技大学 一种功率器件动态导通电阻测试的电压钳位电路

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11831303B2 (en) * 2020-12-08 2023-11-28 Gan Systems Inc. High accuracy current sensing for GaN power switching devices

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109217276A (zh) * 2018-10-19 2019-01-15 南京慧感电子科技有限公司 一种电压钳位及esd保护电路
CN211697983U (zh) * 2019-11-08 2020-10-16 中山大学 用于测试氮化镓hemt动态电阻的电压钳位电路及测试条件可控装置及测试系统
CN111289799A (zh) * 2020-03-03 2020-06-16 电子科技大学 一种GaN器件动态导通电阻测量电路
CN111257719A (zh) * 2020-03-05 2020-06-09 香港科技大学深圳研究院 有源mosfet电压钳位电路、钳位方法和双脉冲测试电路
CN112345907A (zh) * 2020-10-26 2021-02-09 中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室）） GaN功率器件的结温测试装置及方法
CN113533922A (zh) * 2021-06-07 2021-10-22 大连理工大学 一种Cascode结构GaN电力电子器件结温快速精确测量方法
CN113466647A (zh) * 2021-06-23 2021-10-01 西南交通大学 一种用于结温监测的导通压降在线监测电路
CN114740323A (zh) * 2022-03-07 2022-07-12 三峡大学 一种GaN器件结温和热阻监测电路及方法
CN115060953A (zh) * 2022-05-24 2022-09-16 电子科技大学 一种功率器件动态导通电阻测试的电压钳位电路

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Fei Yang等.Experimental Evaluation and Analysis of Switching Transient's Effect on Dynamic on-Resistance in GaN HEMTs.IEEE.2019,第34卷(第10期),第10121-10135页. *
GaN HEMT器件动态电阻测试电路设计及退化分析;李婷;中国知网(第6期);第27-50页 *

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