CN116008768B - 一种导通压降测试电路与结温测试仪 - Google Patents

Abstract

一种导通压降测试电路与结温测试仪，涉及电子电路技术与功率半导体可靠性领域。检测电路的第一端为导通压降测试电路的输入端，检测电路的第二端用于连接第一电压跟随电路的第一端，检测电路的第三端用于连接第二电压跟随电路的第一端，检测电路的第四端为导通压降测试电路的第一输出端；第一电压跟随电路的第二端为导通压降测试电路的第二输出端；第二电压跟随电路的第二端为导通压降测试电路的第三输出端。采用二极管作为高压阻断器件，在电路中加入了高压阻断二极管自身导通压降的测量电路，可对输出信号中包含的二极管导通压降实施精确补偿，提高待测器件导通压降的测量精度。

Description

一种导通压降测试电路与结温测试仪

技术领域

本申请涉及电子电路与功率半导体可靠性技术领域，特别是涉及一种导通压降测试电路与结温测试仪。

背景技术

功率半导体通常长时间工作于严苛的运行环境中，因此面临严峻的可靠性挑战。其中，温度过高是造成功率半导体器件失效，降低功率半导体器件可靠性的主要原因，因此功率半导体器件的结温在线测量技术对于提高电力电子装置的可靠性具有重要意义。

温敏电参数法是一种不必拆分芯片的内部模块，就能对带封装的功率半导体器件进行结温监测的方法。基于负载电流下导通压降的温敏电参数法主要实施步骤为：首先经过校准过程建立负载电流—导通压降—结温的三维校准关系，通过测量流经器件的负载电流和器件两端的导通压降，就可以与校准关系作比较，得到结温数值。

然而，现有的导通压降测量技术方案通常存在无法保证导通压降测量精度的问题。

发明内容

本申请提供了一种导通压降测试电路与结温测试仪，能够提高待测功率器件导通压降的测量精度。

本申请公开了如下技术方案：

第一方面，本申请公开了一种导通压降测试电路，所述导通压降测试电路包括：检测电路、第一电压跟随电路、第二电压跟随电路；

所述检测电路的第一端为所述导通压降测试电路的输入端，所述检测电路的第二端用于连接所述第一电压跟随电路的第一端，所述检测电路的第三端用于连接所述第二电压跟随电路的第一端，所述检测电路的第四端为所述导通压降测试电路的第一输出端；

所述第一电压跟随电路的第二端为所述导通压降测试电路的第二输出端；

所述第二电压跟随电路的第二端为所述导通压降测试电路的第三输出端。

可选的，待测功率器件、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第一二极管、第二二极管和第一集成运算放大器；

所述待测功率器件的第一端为所述检测电路的输入端，所述待测功率器件的第二端用于连接所述第一电阻的第一端和接地，所述待测功率器件的第三端用于连接等电势、第二电阻的第二端和第一二极管的阴极；

所述第一电阻的第二端用于连接所述第二电阻的第一端和所述第三电阻的第一端；所述第三电阻的第二端用于连接所述第一电压跟随电路的第一端和所述第二二极管的阴极；所述第四电阻的第二端用于连接参考电压；所述第六电阻的第二端用于连接参考电压；所述第五电阻的第二端为所述导通压降测试电路的第一输出端；

所述第一二极管的阳极用于连接所述第二电压跟随电路的第一端、所述第四电阻的第一端和所述第一集成运算放大器的正输入；

所述第二二极管的阳极用于连接所述第五电阻的第一端、所述第六电阻的第一端和所述第一集成运算放大器的负输入；

所述第一集成运算放大器的正供电用于连接第一正电源，所述第一集成运算放大器的负供电用于连接第一负电源，所述第一集成运算放大器的参考地为零势能面。

可选的，所述第一电压跟随电路包括：第七电阻、第八电阻、第三二极管和第二集成运算放大器；

所述第七电阻的第一端用于连接所述检测电路的第二端和所述第三二极管的阴极，所述第七电阻的第二端用于连接所述第二集成运算放大器的正输入，所述第三二极管的阳极用于连接所述第二集成运算放大器的参考地；

所述第二集成运算放大器的负输入用于连接所述第八电阻的第一端，所述第二集成运算放大器的正供电用于连接第二正电源，所述第二集成运算放大器的负供电用于连接第二负电源，所述第二集成运算放大器的参考地用于连接所述待测功率器件的第三端，所述第二集成运算放大器的参考地与所述第一集成运算放大器的参考地不同，所述第二集成运算放大器的输出端用于连接所述第八电阻的第二端，所述第二集成运算放大器的输出端为所述导通压降测试电路的第二输出端。

可选的，所述第二电压跟随电路包括：第九电阻、第十电阻和第三集成运算放大器；

所述第九电阻的第一端用于连接所述检测电路的第三端，所述第九电阻的第二端用于连接所述第三集成运算放大器的正输入；

所述第三集成运算放大器的负输入用于连接所述第十电阻的第一端，所述第三集成运算放大器的正供电用于连接第一正电源，所述第三集成运算放大器的负供电用于连接第一负电源，所述第三集成运算放大器的参考地为零势能面，所述第三集成运算放大器的输出端用于连接所述第十电阻的第二端，所述第三集成运算放大器的输出端为所述导通压降测试电路的第三输出端。可选的，所述待测功率器件包括：开关管和第四二极管；

所述开关管的第一端为所述待测功率器件的第一端，所述开关管的第二端用于连接所述第四二极管的阳极，所述开关管的第二端为所述待测功率器件的第二端，所述开关管的第三端用于连接所述第四二极管的阴极，所述开关管的第三端为为所述待测功率器件的第三端。

可选的，所述开关管为IGBT管，所述开关管的第一端为所述IGBT管的基极，所述开关管的第二端为所述IGBT管的发射极，所述开关管的第三端为所述IGBT管的集电极。

可选的，所述第二电阻的阻值为所述第一电阻的阻值的1-k/k（k≠0，1）倍。

可选的，所述第一二极管和所述第二二极管用于高压阻断。

可选的，所述检测电路与所述第二电压跟随电路共地，所述第一电压跟随电路与所述第二电压跟随电路不共地。

第二方面，本申请公开了结温测试仪，包括如第一方面所述的一种导通压降测试电路。

相较于现有技术，本申请具有以下有益效果：

本申请提供一种导通压降测试电路与结温测试仪，采用二极管作为高压阻断器件，在电路中加入了高压阻断二极管自身导通压降的测量电路，可对输出信号中包含的二极管导通压降实施精确补偿，提高待测器件导通压降的测量精度。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为一种现有的导通压降弱电检测电路图；

图2为另一种现有的导通压降弱电检测电路图；

图3为本申请实施例提供的一种导通压降测试电路图；

图4为本申请实施例提供的另一种导通压降测试电路图。

具体实施方式

本文使用的术语“包括”及其变形是开放性包括，即“包括但不限于”。术语“基于”是“至少部分地基于”。术语“一个实施例”表示“至少一个实施例”；术语“另一实施例”表示“至少一个另外的实施例”；术语“一些实施例”表示“至少一些实施例”。其他术语的相关定义将在下文描述中给出。

需要注意，本公开中提及的“第一”、“第二”等概念仅用于对不同的装置、模块或单元进行区分，并非用于限定这些装置、模块或单元所执行的功能的顺序或者相互依存关系。

需要注意，本公开中提及的“一个”、“多个”的修饰是示意性而非限制性的，本领域技术人员应当理解，除非在上下文另有明确指出，否则应该理解为“一个或多个”。

下面先对本申请所涉及的技术术语进行介绍。

结温（Junction Temperature）是电子设备中半导体的实际工作温度。在操作中，结温通常较封装外壳温度（Case Temperature）高，其温度差等于其间热的功率乘以热阻。

由于功率半导体通常长时间工作于严苛的运行环境中，因此面临严峻的可靠性挑战。其中，温度过高是造成功率半导体失效，降低功率半导体可靠性的主要原因，因此功率半导体器件的结温在线测量技术对于提高电力电子装置的可靠性具有重要意义。

然而，功率半导体的芯片都封装在模块的内部，不易于接触和观察，其结温的在线精确测量一直都是一大难题。因此，温敏电参数法应运而生。温敏电参数法是一种不必拆分模块，就能对带封装的功率半导体器件进行结温监测的方法。其具体原理是：利用功率半导体器件电气参数与芯片结温之间的一一对应关系，通过测量电气参数来获取结温。由于目前发现的受温度影响的电气参数非常多，因此由不同电气参数可以衍生出非常多的温敏电参数法以测试结温。在众多温敏电参数中，导通压降V_ce/V_ds的获取较为简单，被广泛关注并使用。

目前，对功率半导体器件导通压降的测量方法分为离线型测量和在线型测量两种。其中，离线型测量指的是在变流器非工作状态时测量器件导通压降变化，在线型测量指的是通过检测负载电流下导通压降的变化对结温进行在线监测。后者可以实时监测功率器件的健康状态，还可以根据监测的参数变化调整相应的控制算法，因此更具有实用价值。

基于负载电流下导通压降的温敏电参数法主要实施步骤为：首先经过校准过程建立负载电流—导通压降—结温的三维校准关系后，通过测量流经待测功率器件的负载电流和待测功率器件两端的导通压降，就可以与校准关系作比较，得到结温数值。其中，高压大功率电力电子器件开关过程中电压波动较大，关断时可以承受上千伏的高压，导通时的饱和电压却只有几伏，为了保证电压测量的精度，不能使用量程较大的电压测量电路直接测量，而需要选择带有高压阻断能力的弱电检测电路，在功率器件关断时将高电压与弱电检测电路断开，在功率器件导通时可以直接测量导通压降。

目前，现有的导通压降测量技术方案主要有如下两种：

方案一可参见图1，该图为一种现有的导通压降弱电检测电路图。方案一采用二极管D₂作为高压阻断器件，其工作原理为：当待测功率器件DUT导通时，二极管D₁和二极管D₂也导通，待测信号接入集成运算放大器U₀，弱电检测电路开启测量状态，即可以直接测量导通压降。当待测功率器件DUT关断时，二极管D₂也关断，弱电检测电路与高压回路断开，二极管D₁和钳位二极管导通，二极管D₂需承受例如1000V（伏）以上的高电压。

然而，高压阻断器件二极管D₂与待测功率器件DUT是串联的，造成测量信号实际上是待测导通压降与二极管D₂导通压降的叠加，其中，二极管D₂导通压降通常约为0.7V。虽然通过引入二极管D₁进行补偿，理论上可消除输出信号中包含的二极管D₂的导通压降，但不同的二极管的导通压降不可能完全相同，因此二极管D₁与二极管D₂存在参数一致性差异，无法实现精确的补偿，待测导通压降的测量精度受到二极管D₁和二极管D₂的参数一致性的制约。倘若采用多个二极管串联以适应高压器件测试，则二极管参数差异对测量精度的影响更大。

方案二可参见图2，该图为另一种现有的导通压降弱电检测电路图。方案二采用MOSFET Q₁作为高压阻断器件，其工作原理为：当待测功率器件DUT导通时，MOSFET Q₁也导通，待测信号接入集成运算放大器U₀，弱电检测电路开启测量状态，即可以直接测量导通压降。当待测功率器件DUT关断时，MOSFET Q₁也关断，弱电检测电路与高压回路断开，MOSFETQ₁需承受例如1000V（伏）以上的高电压。

然而，MOSFET Q₁替代二极管作为高压阻断器件虽然可以消除二极管导通压降引入的误差，但该方案采用待测功率器件DUT的驱动信号作为高压阻断MOSFET Q₁的驱动信号，这实际上无法保证该MOSFET Q₁驱动信号与待测功率器件DUT的开关状态在时序上精确同步，有可能导致待测功率器件DUT由开通转换至关断状态时高压窜入弱电电路，使弱电电路烧毁。

针对上述缺陷，本申请实施例提供一种导通压降测试电路与结温测试仪，采用二极管作为高压阻断器件，在电路中加入了高压阻断二极管自身导通压降的测量电路，可对输出信号中包含的二极管导通压降实施精确补偿，提高待测器件导通压降的测量精度。

为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

参见图3，该图为本申请实施例提供的一种导通压降测试电路图。该导通压降测试电路包括：检测电路、第一电压跟随电路、第二电压跟随电路。

其中，检测电路的第一端为该导通压降测试电路的输入端，检测电路的第二端用于连接第一电压跟随电路的第一端，检测电路的第三端用于连接第二电压跟随电路的第一端，检测电路的第四端为该导通压降测试电路的第一输出端；第一电压跟随电路的第二端为该导通压降测试电路的第二输出端；第二电压跟随电路的第二端为该导通压降测试电路的第三输出端。

参见图4，该图为本申请实施例提供的另一种导通压降测试电路图。具体的，该导通压降测试电路的连接关系如下：

检测电路中：待测功率器件DUT的第一端为该检测电路的输入端，待测功率器件DUT的第二端用于连接第一电阻R₁的第一端和接地，待测功率器件DUT的第三端用于连接等电势、第二电阻R₂的第二端和第一二极管D₁的阴极。第一电阻R₁的第二端用于连接第二电阻R₂的第一端和第三电阻R₃的第一端；第三电阻R₃的第二端用于连接第一电压跟随电路的第一端和第二二极管D₂的阴极；第四电阻R₄的第二端用于连接参考电压V_ref；第六电阻R₆的第二端用于连接参考电压V_ref；第五电阻R₅的第二端为导通压降测试电路的第一输出端V_o1。第一二极管D₁的阳极用于连接第二电压跟随电路的第一端、第四电阻R₄的第一端和第一集成运算放大器U₁的正输入；第二二极管D₂的阳极用于连接第五电阻R₅的第一端、第六电阻R₆的第一端和第一集成运算放大器U₁的负输入；第一集成运算放大器U₁的正供电用于连接第一正电源＋V_DD1，第一集成运算放大器U₁的负供电用于第一负电源－V_DD1，上述第一集成运算放大器U₁的参考地为零势能面，即±VDD1对应的参考地是接地端。

第一电压跟随电路中：第七电阻R₇的第一端用于连接检测电路的第二端和第三二极管D₃的阴极，第七电阻R₇的第二端用于连接第二集成运算放大器U₂的正输入，第二集成运算放大器U₂的负输入用于连接第八电阻R₈的第一端，第三二极管D₃的阳极用于连接第二集成运算放大器U₂的参考地，第二集成运算放大器U₂的负供电用于连接第二负电源－V_DD2，第二集成运算放大器U₂的正供电用于连接第二正电源＋V_DD2，第二集成运算放大器U₂的输出端用于连接第八电阻R₈的第二端，第二集成运算放大器U₂的输出端即为该导通压降测试电路的第二输出端V_o2。需要说明的是，第二集成运算放大器U₂的参考地与第一集成运算放大器U₁的参考地不同，±V_DD2对应的参考地是等电势（图中标识为三角形），与待测功率器件DUT的第三端相连接。

第二电压跟随电路中：第九电阻R₉的第一端用于连接检测电路的第三端，第九电阻R₉的第二端用于连接第三集成运算放大器U₃的正输入，第三集成运算放大器U₃的负输入用于连接第十电阻R₁₀的第一端，第三集成运算放大器U₃的负供电用于连接第一负电源－V_DD1，第三集成运算放大器U₃的正供电用于连接第一正电源＋V_DD1，第三集成运算放大器U₃的输出端用于连接第十电阻R₁₀的第二端，第三集成运算放大器U₃的输出端即为该导通压降测试电路的第三输出端V_o3。需要说明的是，第三集成运算放大器U₃的参考地与第一集成运算放大器U₁的参考地相同，均为零势能面（即接地端）。

在一些具体的实现方式中，上述待测功率器件DUT可以包括一个第一开关管M₁和一个第四二极管D₄。需要说明的是，待测功率器件DUT也可以是单独的开关管，或者单独的二极管，对于具体的待测功率器件本申请不做限定。

可以理解的是，以待测功率器件DUT是一个第一开关管M₁和一个第四二极管D₄为例，上述第一开关管M₁可以是一个IGBT管，也可以是其他用于控制电路导通和关断的器件，例如MOSFET管等，本申请不做限定。为便于理解，后文和图中均以第一开关管M₁为IGBT管为例展开描述。示例性的，IGBT管M₁的基极（b）即为待测功率器件DUT的第一端，IGBT管M₁的发射极（e）用于连接第四二极管D₄的阳极，IGBT管M₁的集电极（c）用于连接第四二极管D₄的阴极。并且，第四二极管D₄的阳极即为待测功率器件DUT的第二端，第四二极管D₄的阴极即为待测功率器件DUT的第三端。

在一些具体的实现方式中，若第一电阻R₁的电阻值为kR₁，那么第二电阻R₂的电阻值为（1-k）R₁，且第三电阻R₃、第五电阻R₅、第六电阻R₆、第七电阻R₇、第八电阻R₈的电阻值可以相同。需要说明的是，该导通压降测试电路中的所有电阻参数均可根据实际应用进行改变，本申请中设置的参数仅供参考。对于具体的参数大小，本申请不做限定。

在一些具体的实现方式中，若考虑高压器件测试，可将第一二极管D₁、第二二极管D₂分别替换为多个二极管串联，其测得的导通压降不受二极管参数一致性的影响。

由上述连接关系的说明可知：该导通压降测试电路采用三个集成运算放大器，并且第一集成运算放大器U₁的输出为第一输出端V_o1、第二集成运算放大器U₂的输出为第二输出端V_o2、第三集成运算放大器U₃的输出为第三输出端V_o3。其中，检测电路和第二电压跟随电路的集成运算放大器均采用±V_DD1电源供电，第一电压跟随电路的集成运算放大器均采用±V_DD2电源供电，±V_DD1和±V_DD2采用隔离的地，即V_o1和V_o3共地，二者与V_o2不共地。

定义待测功率器件DUT的导通压降为V_ce，第一二极管D₁、第二二极管D₂、第三二极管D₃的导通压降分别为V_D1、V_D2、V_D3。

当待测功率器件DUT处于导通状态时，第一二极管D₁、第二二极管D₂均导通。此时，根据运算放大器的“虚短”“虚断”原理，可求解出第一输出端的V_O1、第二输出端的V_O2、第三输出端的V_O3的表达式分别为：

根据以上三式，可求解出导通压降V_ce，式中k≠1。

随后，将第一输出端的V_O1、第二输出端的V_O2、第三输出端的V_O3通过隔离型AD转换器转为数字信号送入微处理器（或者经非隔离型AD转换器转为数字信号后再通过数字隔离器送入微处理器），在微处理器中经过式(4)运算后即可得到准确的导通压降V_ce值。

当待测功率器件DUT处于关断状态时，导通压降V_ce为高电压，此时第一二极管D₁、第二二极管D₂均关断，第三二极管D₃导通，将第一电压跟随电路的输入高电压箝位于-V_D3，V_O1和V_O3输出为参考电压V_ref，V_O2输出为-V_D3。

与现有的方案一相比，本申请引入了高压阻断二极管自身导通压降的测量电路，对输出信号中包含的二极管导通压降实现了精确补偿，不受器件参数一致性问题的影响，大大提高了待测器件DUT的导通压降测量精度。与现有的方案二相比，本申请仍采用二极管作为高压阻断器件，无需额外的驱动电路，也无需考虑相应的时序匹配问题，简单可靠。

本申请提供一种导通压降测试电路，采用二极管作为高压阻断器件，在电路中加入了高压阻断二极管自身导通压降的测量电路，可对输出信号中包含的二极管导通压降实施精确补偿，提高待测器件导通压降的测量精度。

相应的，本发明还公开了一种结温测试仪，包括如前述实施例中所介绍的导通压降测试电路。

本发明实施例所提供的一种结温测试仪，具有前述所介绍的导通压降测试电路所具有的有益效果。

应当理解，在本申请中，“至少一个（项）”是指一个或者多个，“多个”是指两个或两个以上。“和/或”，用于描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，“A和/或B”可以表示：只存在A，只存在B以及同时存在A和B三种情况，其中A，B可以是单数或者复数。字符“/”一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。“以下至少一项(个)”或其类似表达，是指这些项中的任意组合，包括单项（个）或复数项（个）的任意组合。例如，a，b或c中的至少一项（个），可以表示：a，b，c，“a和b”，“a和c”，“b和c”，或“a和b和c”，其中a，b，c可以是单个，也可以是多个。

以上所述，仅是本申请的较佳实施例而已，并非对本申请作任何形式上的限制。虽然本申请已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本申请。任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本申请技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本申请技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本申请技术方案的内容，依据本申请的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本申请技术方案保护的范围内。

Claims (7)

1.一种导通压降测试电路，其特征在于，所述导通压降测试电路包括：检测电路、第一电压跟随电路、第二电压跟随电路；

所述检测电路的第一端为所述导通压降测试电路的输入端，所述检测电路的第二端用于连接所述第一电压跟随电路的第一端，所述检测电路的第三端用于连接所述第二电压跟随电路的第一端，所述检测电路的第四端为所述导通压降测试电路的第一输出端；

所述第一电压跟随电路的第二端为所述导通压降测试电路的第二输出端；

所述第二电压跟随电路的第二端为所述导通压降测试电路的第三输出端；

所述检测电路包括：待测功率器件、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第一二极管、第二二极管和第一集成运算放大器；

所述待测功率器件的第一端为所述检测电路的输入端，所述待测功率器件的第二端用于连接所述第一电阻的第一端和接地，所述待测功率器件的第三端用于连接等电势、第二电阻的第二端和第一二极管的阴极；

所述第一电阻的第二端用于连接所述第二电阻的第一端和所述第三电阻的第一端；所述第三电阻的第二端用于连接所述第一电压跟随电路的第一端和所述第二二极管的阴极；所述第四电阻的第二端用于连接参考电压；所述第六电阻的第二端用于连接参考电压；所述第五电阻的第二端为所述导通压降测试电路的第一输出端；

所述第一二极管的阳极用于连接所述第二电压跟随电路的第一端、所述第四电阻的第一端和所述第一集成运算放大器的正输入；

所述第二二极管的阳极用于连接所述第五电阻的第一端、所述第六电阻的第一端和所述第一集成运算放大器的负输入；

所述第一集成运算放大器的正供电用于连接第一正电源，所述第一集成运算放大器的负供电用于连接第一负电源，所述第一集成运算放大器的参考地为零势能面；

所述第一电压跟随电路包括：第七电阻、第八电阻、第三二极管和第二集成运算放大器；

所述第七电阻的第一端用于连接所述检测电路的第二端和所述第三二极管的阴极，所述第七电阻的第二端用于连接所述第二集成运算放大器的正输入，所述第三二极管的阳极用于连接所述第二集成运算放大器的参考地；

所述第二集成运算放大器的负输入用于连接所述第八电阻的第一端，所述第二集成运算放大器的正供电用于连接第二正电源，所述第二集成运算放大器的负供电用于连接第二负电源，所述第二集成运算放大器的参考地用于连接所述待测功率器件的第三端，所述第二集成运算放大器的参考地与所述第一集成运算放大器的参考地不同，所述第二集成运算放大器的输出端用于连接所述第八电阻的第二端，所述第二集成运算放大器的输出端为所述导通压降测试电路的第二输出端；

所述第二电压跟随电路包括：第九电阻、第十电阻和第三集成运算放大器；

所述第九电阻的第一端用于连接所述检测电路的第三端，所述第九电阻的第二端用于连接所述第三集成运算放大器的正输入；

所述第三集成运算放大器的负输入用于连接所述第十电阻的第一端，所述第三集成运算放大器的正供电用于连接第一正电源，所述第三集成运算放大器的负供电用于连接第一负电源，所述第三集成运算放大器的参考地为零势能面，所述第三集成运算放大器的输出端用于连接所述第十电阻的第二端，所述第三集成运算放大器的输出端为所述导通压降测试电路的第三输出端。

2.根据权利要求1所述的导通压降测试电路，其特征在于，所述待测功率器件包括：开关管和第四二极管；

所述开关管的第一端为所述待测功率器件的第一端；所述开关管的第二端用于连接所述第四二极管的阳极，所述开关管的第二端为所述待测功率器件的第二端；所述开关管的第三端用于连接所述第四二极管的阴极，所述关管的第三端为为所述待测功率器件的第三端。

3.根据权利要求2所述的导通压降测试电路，其特征在于，所述开关管为IGBT管，所述开关管的第一端为所述IGBT管的基极，所述开关管的第二端为所述IGBT管的发射极，所述开关管的第三端为所述IGBT管的集电极。

4.根据权利要求1所述的导通压降测试电路，其特征在于，所述第二电阻的阻值为所述第一电阻的阻值的1-k/k倍，其中，k不等于0或1。

5.根据权利要求1所述的导通压降测试电路，其特征在于，所述第一二极管和所述第二二极管用于高压阻断。

6.根据权利要求1所述的导通压降测试电路，其特征在于，所述检测电路与所述第二电压跟随电路共地，所述第一电压跟随电路与所述第二电压跟随电路不共地。

7.一种结温测试仪，其特征在于，包括如权利要求1至6任一项所述的一种导通压降测试电路。