JPWO2015146617A1 - 炭化タングステン又は炭化チタンからなるスパッタリングターゲット - Google Patents
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本発明は、この知見に基づいて、
1)純度が4N以上であり、密度が98%以上であることを特徴とする炭化タングステンスパッタリングターゲット。
2)硬さがHRA90以上であり、硬さのばらつきが±5%以内であることを特徴とする上記1)記載の炭化タングステンスパッタリングターゲット。
3)機械加工仕上がりの表面粗さRaが1.0μm以下であることを特徴とする上記1)又は2)記載の炭化タングステンスパッタリングターゲット。
4)研磨加工後の表面粗さRaが0.2μm以下であることを特徴とする上記1)〜3)のいずれか一に記載の炭化タングステンスパッタリングターゲット。
5)平均粒径が異なる2種以上の炭化タングステン原料粉末を混合して、粒度分布が混合種数分の頂点をもつ分布となる混合粉末を作製し、該混合粉末を焼結することを特徴とする炭化タングステンスパッタリングターゲットの製造方法。
6)純度が4N以上であり、密度が98%以上であることを特徴とする炭化チタンスパッタリングターゲット。
7)硬さがHV2500以上であり、硬さのばらつきが±5%以内であることを特徴とする上記6)記載の炭化チタンスパッタリングターゲット。
8)機械加工仕上がりの表面粗さRaが1.0μm以下であることを特徴とする上記6)又は7)記載の炭化チタンスパッタリングターゲット。
9)研磨加工後の表面粗さRaが0.2μm以下であることを特徴とする上記6)〜8)のいずれか一に記載の炭化チタンスパッタリングターゲット。
10)平均粒径が異なる2種以上の炭化チタン原料粉末を混合して、粒度分布が混合種数分の頂点をもつ分布となる混合粉末を作製し、該混合粉末を焼結することを特徴とする炭化チタンスパッタリングターゲットの製造方法。
本発明のスパッタリングターゲットは、炭化タングステン又は炭化チタンからなり、純度が4N以上、密度が98%以上であることを特徴とする。本発明のターゲットは半導体素子の形成に用いられるため、不純物含有量を極力低減する必要があり、純度は4N以上、さらには純度4N5以上とするのが好ましい。なお、前記純度は、ガス成分を除く純度である。また、ターゲットの密度が低い場合には、パーティクル特性を悪化させることから、密度は98%以上、さらには99%以上とするのが好ましい。
また、本発明において、硬さのばらつきは、以下のように定義される。
焼結体(円盤状)の中心と、中心から90度四方に伸ばした半径線上の中間点(1/2R)及び外周端(R)の内側10mmの位置について、それぞれ4方向ずつ合計9か所の位置において、硬さ測定試験を行い、9点の平均値から次式を用いて算出する。
硬さのばらつき(%)={(最大値あるいは最小値/平均値)−1}×100
(実施例1−1)
原料粉末として、図1に示すメジアン径1μmと図2に示すメジアン径4μmの炭化タングステン粉末(純度4N)を用意し、これらの粉末をボールミルでアルゴン置換し30分混合した。そして、取り出した混合粉末をカーボン製の型に充填して、ホットプレス装置を用いて成形・焼結させた。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度300℃/時間、保持温度1800℃、保持時間2時間とし、昇温開始時から保持終了まで30MPaで加圧し、保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。なお、焼結体は、物性測定用とスパッタリング用それぞれ1枚の合計2枚を準備した。
原料粉末として、メジアン径2μmと図2に示すメジアン径4μmの炭化タングステン粉末(純度4N)を用意し、これらの粉末をボールミルでアルゴン置換し30分混合した。そして、取り出した混合粉末をカーボン製の型に充填して、ホットプレス装置を用いて成形・焼結させた。ホットプレスの条件は、実施例1と同様とした。また、焼結体は、物性測定用とスパッタリング用それぞれ1枚の合計2枚を準備した。
原料粉末として、図1に示すメジアン径1μmと図3に示すメジアン径7μmの炭化タングステン粉末(純度4N)を用意し、これらの粉末をボールミルでアルゴン置換し30分混合した。そして、取り出した混合粉末をカーボン製の型に充填して、ホットプレス装置を用いて成形・焼結させた。ホットプレスの条件は、実施例1と同様とした。また、焼結体は、物性測定用とスパッタリング用それぞれ1枚の合計2枚を準備した。
原料粉末として、図1に示すメジアン径1μmの炭化タングステン粉末(純度4N)を用意し、この粉末をボールミルでアルゴン置換した後、カーボン製の型に充填して、ホットプレス装置を用いて成形・焼結させた。ホットプレスの条件は、実施例1と同様とした。また、焼結体は、物性測定用とスパッタリング用それぞれ1枚の合計2枚を準備した。
原料粉末として、図2に示すメジアン径4μmの炭化タングステン粉末(純度4N)を用意し、この粉末をボールミルでアルゴン置換した後、カーボン製の型に充填して、ホットプレス装置を用いて成形・焼結させた。ホットプレスの条件は、実施例1と同様とした。また、焼結体は、物性測定用とスパッタリング用それぞれ1枚の合計2枚を準備した。
原料粉末として、図3に示すメジアン径7μmの炭化タングステン粉末(純度4N)を用意し、この粉末をボールミルでアルゴン置換した後、カーボン製の型に充填して、ホットプレス装置を用いて成形・焼結させた。ホットプレスの条件は、実施例1と同様とした。また、焼結体は、物性測定用とスパッタリング用それぞれ1枚の合計2枚を準備した。
(実施例2−1)
原料粉末として、図1に示すメジアン径1μmと図2に示すメジアン径4μmの炭化チタン粉末(純度4N)を用意し、これらの粉末をボールミルでアルゴン置換し30分混合した。そして、取り出した混合粉末をカーボン製の型に充填して、ホットプレス装置を用いて成形・焼結させた。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度300℃/時間、保持温度1600℃、保持時間2時間とし、昇温開始時から保持終了まで30MPaで加圧し、保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。なお、焼結体は、物性測定用とスパッタリング用それぞれ1枚の合計2枚を準備した。
原料粉末として、メジアン径2μmと図2に示すメジアン径4μmの炭化チタン粉末(純度4N)を用意し、これらの粉末をボールミルでアルゴン置換し30分混合した。そして、取り出した混合粉末をカーボン製の型に充填して、ホットプレス装置を用いて成形・焼結させた。ホットプレスの条件は、実施例1と同様とした。また、焼結体は、物性測定用とスパッタリング用それぞれ1枚の合計2枚を準備した。次に、作製した焼結体について、密度、硬さについて分析を行った。分析方法は実施例1と同様とした。その結果、密度は98.6%であり、硬さはHV2840、硬さのばらつきは±3.8%以内であった。
原料粉末として、図1に示すメジアン径1μmと図3に示すメジアン径7μmの炭化チタン粉末(純度4N)を用意し、これらの粉末をボールミルでアルゴン置換し30分混合した。そして、取り出した混合粉末をカーボン製の型に充填して、ホットプレス装置を用いて成形・焼結させた。ホットプレスの条件は、実施例1と同様とした。また、焼結体は、物性測定用とスパッタリング用それぞれ1枚の合計2枚を準備した。次に、作製した焼結体について、密度、硬さについて分析を行った。分析方法は実施例1と同様とした。その結果、密度は98.1%であり、硬さはHV2530、硬さのばらつきは±4.8%以内であった。
原料粉末として、図1に示すメジアン径1μmの炭化チタン粉末(純度4N)を用意し、この粉末をボールミルでアルゴン置換した後、カーボン製の型に充填して、ホットプレス装置を用いて成形・焼結させた。ホットプレスの条件は、実施例1と同様とした。また、焼結体は、物性測定用とスパッタリング用それぞれ1枚の合計2枚を準備した。
次に、作製した焼結体について、密度、硬さについて分析を行った。分析方法は実施例1と同様とした。その結果、密度は97.5%であり、硬さはHV2850、硬さのばらつきは±7.3%以内であった。
原料粉末として、図2に示すメジアン径4μmの炭化チタン粉末(純度4N)を用意し、この粉末をボールミルでアルゴン置換した後、カーボン製の型に充填して、ホットプレス装置を用いて成形・焼結させた。ホットプレスの条件は、実施例1と同様とした。また、焼結体は、物性測定用とスパッタリング用それぞれ1枚の合計2枚を準備した。次に、作製した焼結体について、密度、硬さについて分析を行った。分析方法は実施例1と同様とした。その結果、密度は97.3%であり、硬さはHV2480、硬さのばらつきは±9.5%以内であった。
原料粉末として、図3に示すメジアン径7μmの炭化チタン粉末(純度4N)を用意し、この粉末をボールミルでアルゴン置換した後、カーボン製の型に充填して、ホットプレス装置を用いて成形・焼結させた。ホットプレスの条件は、実施例1と同様とした。また、焼結体は、物性測定用とスパッタリング用それぞれ1枚の合計2枚を準備した。
次に、作製した焼結体について、密度、硬さについて分析を行った。分析方法は実施例1と同様とした。その結果、密度は95.2%であり、硬さはHV2350、硬さのばらつきは±10.2%以内であった。
2)硬さがHRA90以上であり、硬さのばらつきが±5%以内であることを特徴とする上記1)記載の炭化タングステンスパッタリングターゲット。
3)機械加工仕上がりの表面粗さRaが1.0μm以下であることを特徴とする上記1)又は2)記載の炭化タングステンスパッタリングターゲット。
4)研磨加工後の表面粗さRaが0.2μm以下であることを特徴とする上記1)〜3)のいずれか一に記載の炭化タングステンスパッタリングターゲット。
5)上記1)〜4)のいずれか一に記載の炭化タングステンスパッタリングターゲットの製造方法であって、平均粒径が異なる2種以上の炭化タングステン原料粉末を混合して、粒度分布が混合種数分の頂点をもつ分布となる混合粉末を作製し、該混合粉末を焼結することを特徴とする炭化タングステンスパッタリングターゲットの製造方法。
6)純度が4N以上であり、相対密度が98%以上であることを特徴とする炭化チタンスパッタリングターゲット。
7)硬さがHV2500以上であり、硬さのばらつきが±5%以内であることを特徴とする上記6)記載の炭化チタンスパッタリングターゲット。
8)機械加工仕上がりの表面粗さRaが1.0μm以下であることを特徴とする上記6)又は7)記載の炭化チタンスパッタリングターゲット。
9)研磨加工後の表面粗さRaが0.2μm以下であることを特徴とする上記6)〜8)のいずれか一に記載の炭化チタンスパッタリングターゲット。
10)上記6)〜9)のいずれか一に記載の炭化チタンスパッタリングターゲットの製造方法であって、平均粒径が異なる2種以上の炭化チタン原料粉末を混合して、粒度分布が混合種数分の頂点をもつ分布となる混合粉末を作製し、該混合粉末を焼結することを特徴とする炭化チタンスパッタリングターゲットの製造方法。
本発明のスパッタリングターゲットは、炭化タングステン又は炭化チタンからなり、純度が4N以上、相対密度(なお、以下の説明において、記載する「密度」は、同様に「相対密度」を示すものとする。)が98%以上であることを特徴とする。本発明のターゲットは半導体素子の形成に用いられるため、不純物含有量を極力低減する必要があり、純度は4N以上、さらには純度4N5以上とするのが好ましい。
なお、前記純度は、ガス成分を除く純度である。また、ターゲットの密度が低い場合には、パーティクル特性を悪化させることから、密度は98%以上、さらには99%以上とするのが好ましい。
Claims (10)
- 純度が4N以上であり、密度が98%以上であることを特徴とする炭化タングステンスパッタリングターゲット。
- 硬さがHRA90以上であり、硬さのばらつきが±5%以内であることを特徴とする請求項1記載の炭化タングステンスパッタリングターゲット。
- 機械加工仕上がりの表面粗さRaが1.0μm以下であることを特徴とする請求項1又は2記載の炭化タングステンスパッタリングターゲット。
- 研磨加工後の表面粗さRaが0.2μm以下であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の炭化タングステンスパッタリングターゲット。
- 平均粒径が異なる2種以上の炭化タングステン原料粉末を混合して、粒度分布が混合種数分の頂点をもつ分布となる混合粉末を作製し、該混合粉末を焼結することを特徴とする炭化タングステンスパッタリングターゲットの製造方法。
- 純度が4N以上であり、密度が98%以上であることを特徴とする炭化チタンスパッタリングターゲット。
- 硬さがHV2500以上であり、硬さのばらつきが±5%以内であることを特徴とする請求項6記載の炭化チタンスパッタリングターゲット。
- 機械加工仕上がりの表面粗さRaが1.0μm以下であることを特徴とする請求項6又は7記載の炭化チタンスパッタリングターゲット。
- 研磨加工後の表面粗さRaが0.2μm以下であることを特徴とする請求項6〜8のいずれか一項に記載の炭化チタンスパッタリングターゲット。
- 平均粒径が異なる2種以上の炭化チタン原料粉末を混合して、粒度分布が混合種数分の頂点をもつ分布となる混合粉末を作製し、該混合粉末を焼結することを特徴とする炭化チタンスパッタリングターゲットの製造方法。
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