JPWO2015068738A1 - 透明導電体 - Google Patents

Abstract

本願発明は、長期間に亘って光透過性や信頼性が高く、かつフレキシブルな透明導電体を提供することを課題とする。
上記課題を解決するため、透明基板と、前記透明基板の波長５７０ｎｍの光の屈折率より、波長５７０ｎｍの光の屈折率が高い誘電性材料または酸化物半導体材料を含む第一高屈折率層と、特定の金属及び銀の合金からなる透明金属膜と、前記透明基板の波長５７０ｎｍの光の屈折率より、波長５７０ｎｍの光の屈折率が高い誘電性材料または酸化物半導体材料を含む第二高屈折率層と、がこの順に積層された透明導電体であって、前記第一高屈折率層または前記第二高屈折率層のうち、少なくとも一方の層が、ＺｎＳと金属酸化物または金属フッ化物とを含むアモルファス層である、透明導電体とする。

Description

本発明は、透明金属膜を含む透明導電体に関する。

近年、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ、無機及び有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）ディスプレイ等の表示装置の電極材料、無機及び有機ＥＬ素子の電極材料、タッチパネル材料、太陽電池材料等の各種装置に透明導電膜が使用されている。

このような透明導電膜を構成する材料として、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｃｒ等の金属やＩｎ_２Ｏ_３、ＣｄＯ、ＣｄＩｎ_２Ｏ_４、Ｃｄ_２ＳｎＯ_４、ＴｉＯ_２、ＳｎＯ_２、ＺｎＯ、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）等の酸化物半導体が知られている。

ここで、タッチパネル型の表示装置では、表示素子の画像表示面上に、透明導電膜等からなる配線が配置される。したがって、透明導電膜には、光の透過性が高いことが求められる。このような各種表示装置には、光透過性の高いＩＴＯからなる透明導電膜が多用されている。

近年、静電容量方式のタッチパネル表示装置が開発され、透明導電膜の表面電気抵抗をさらに低くすることが求められている。しかし、従来のＩＴＯ膜では、表面電気抵抗を十分に下げられない、との問題があった。

そこで、Ａｇの蒸着膜を透明導電膜とすることが検討されている（特許文献１）。また、透明導電体の光透過性を高めるため、Ａｇ膜を屈折率の高い膜（例えば酸化ニオブ（Ｎｂ_２Ｏ_５）、ＩＺＯ（酸化インジウム・酸化亜鉛）、ＩＣＯ（インジウムセリウムオキサイド）、ａ−ＧＩＯ（ガリウム、インジウム、及び酸素からなる非晶質酸化物）等からなる膜）で挟み込むことも提案されている（特許文献２〜４、非特許文献１）。さらに、Ａｇ膜をＺｎＳ膜で挟み込むことや、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２膜で挟み込むこと等が提案されている（非特許文献２及び３、並びに特許文献５）。

特表２０１１−５０８４００号公報 特開２００６−１８４８４９号公報 特開２００２−１５６２３号公報 特開２００８−２２６５８１号公報 中国特許出願公開第１０２６７７０１２号明細書

Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ Ｎｂ２Ｏ５／Ａｇ／ＩＺＯ ｗｉｔｈ ａｎ Ａｎｔｉ−Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ Ｄｅｓｉｇｎ，Ｙｗｈ−Ｔａｒｎｇ Ｌｅｕ， ｅｔ ａｌ．， ＳＩＤ ２０１２ ＤＩＧＥＳＴ ｐ．３５２−３５３ Ｘｕａｎｊｉｅ Ｌｉｕ，ｅｔ ａｌ， （２００３）． Ｔｈｉｎ Ｓｏｌｉｄ Ｆｉｌｍｓ ４４１， ２００−２０６ Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ ＩＲ ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ ｈｅａｔ ｍｉｒｒｏｒ ｆｉｌｍｓ ｏｆ ＺｎＳ − Ａｇ − ＺｎＳ， Ｂｒｕｃｅ Ｗ． Ｓｍｉｔｈ， Ｍａｙ １９８９． Ｒｏｃｈｅｓｔｅｒ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ Ｏｆ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｅｎｔｅｒ Ｆｏｒ Ｉｍａｇｉｎｇ Ｓｃｉｅｎｃｅ

しかし、特許文献２〜４や、非特許文献１に示されるように、酸化ニオブやＩＴＯ等でＡｇ膜が挟み込まれた透明導電体では、耐湿性が十分でなかった。その結果、湿度環境下で透明導電体を使用すると、Ａｇ膜が腐食しやすい等の問題があった。

一方、Ａｇ層がＺｎＳ層やＺｎＳ−ＳｉＯ_２層に挟み込まれた透明導電体では、Ａｇが硫化されて硫化銀が生じやすい。その結果、透明導電体の光透過性が低くなったり、透明導電体の表面電気抵抗値が高まりやすい、との問題が生じやすかった。

さらに、Ａｇ層がパターニングされている場合には、Ａｇ層から溶出したＡｇイオンが移動・析出（マイグレーション）することがあった。このようなマイグレーションが生じると、透明導電体の光透過性が低下するだけでなく、電流がリークする等の問題があった。

本発明はこのような状況を鑑みてなされたものである。本発明は、長期間に亘って光透過性や信頼性が高く、かつフレキシブルな透明導電体を提供することを目的とする。

即ち、本発明は、以下の透明導電体に関する。
［１］透明基板と、前記透明基板の波長５７０ｎｍの光の屈折率より、波長５７０ｎｍの光の屈折率が高い誘電性材料または酸化物半導体材料を含む第一高屈折率層と、ゲルマニウム、ビスマス、白金族、銅、金、モリブデン、亜鉛、ガリウム、スズ、インジウム、ネオジム、チタン、アルミニウム、タングステン、マンガン、鉄、ニッケル、イットリウム、及びマグネシウムからなる群から選ばれる一種以上の金属と銀との合金からなる透明金属膜と、前記透明基板の波長５７０ｎｍの光の屈折率より、波長５７０ｎｍの光の屈折率が高い誘電性材料または酸化物半導体材料を含む第二高屈折率層と、がこの順に積層された透明導電体であって、前記第一高屈折率層または前記第二高屈折率層のうち、少なくとも一方の層が、ＺｎＳと金属酸化物または金属フッ化物とを含むアモルファス層である、透明導電体。
［２］前記アモルファス層が含む金属酸化物が、ＳｉＯ_２である、［１］に記載の透明導電体。
［３］前記透明金属膜が、所定の形状にパターニングされた金属パターンである、［１］または［２］に記載の透明導電体。

本発明によれば、長期間に亘って劣化が少なく、光透過性が高く、かつフレキシブルな透明導電体が得られる。

図１は本発明の透明導電体の層構成一例を示す概略断面図である。 図２は本発明の透明導電体の層構成の他の例を示す概略断面図である。 図３は本発明の透明導電体の導通領域及び絶縁領域からなるパターンの一例を示す模式図である。 図４Ａは実施例１で作製した透明導電体の波長５７０ｎｍのアドミッタンス軌跡を示すグラフである。 図４Ｂは実施例１で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。 図５Ａは、透明基板／透明金属膜／高屈折率層を備える透明導電体の波長５７０ｎｍのアドミッタンス軌跡を示すグラフである。 図５Ｂは、透明基板／透明金属膜／高屈折率層を備える透明導電体の波長４５０ｎｍ、波長５７０ｎｍ、及び波長７００ｎｍのアドミッタンス軌跡を示すグラフである。 図６は実施例２で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。 図７は実施例３で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。 図８は実施例４で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。 図９は実施例５で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。 図１０は実施例６で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。 図１１は実施例７で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。 図１２は実施例８で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。 図１３は実施例９で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。 図１４は実施例１０で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。 図１５は実施例１１で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。 図１６は実施例１２で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。 図１７は実施例１３で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。 図１８は実施例１４で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。 図１９は実施例１５で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。 図２０は実施例１６で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。 図２１は実施例１７で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。 図２２は実施例１８で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。 図２３は実施例１９で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。 図２４は実施例２０で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。 図２５は実施例２１で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。 図２６は実施例２２で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。 図２７は実施例２３で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。 図２８は実施例２４で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。 図２９は実施例２５で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。 図３０は実施例２６で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。 図３１は実施例２７で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。 図３２は実施例２８で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。 図３３は比較例１で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。 図３４は比較例３で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。 図３５は比較例７で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。 図３６は実施例３３で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。 図３７は実施例３４で作製した透明導電体の分光特性を示すグラフである。

本発明の透明導電体の層構成の例を図１及び図２に示す。図１及び図２に示されるように、本発明の透明導電体１００は、透明基板１／第一高屈折率層２／透明金属膜３／第二高屈折率層４がこの順に積層された積層体からなる。本発明の透明導電体１００では、第一高屈折率層２または第二高屈折率層４のいずれか一方、もしくは両方が、ＺｎＳと金属酸化物または金属フッ化物とを含むアモルファス層である。さらに、透明金属膜３は、銀と他の金属との合金からなる。

前述のように、第一高屈折率層２または第二高屈折率層４にＺｎＳが含まれると、第一高屈折率層２及び第二高屈折率層４の耐湿性が高まりやすい。また特に、ＺｎＳと共に、金属酸化物や金属フッ化物が含まれると、第一高屈折率層２及び第二高屈折率層４の結晶性が低くなり、第一高屈折率層２及び第二高屈折率層４のフレキシブル性が高まりやすい。しかし、第一高屈折率層２または第二高屈折率層４にＺｎＳが含まれると、銀からなる透明金属膜が硫化されやすく、透明導電体の光透過性が低下しやすいとの問題があった。

これに対し、本発明の透明導電体では、第一高屈折率層２または第二高屈折率層４のいずれか一方もしくは両方にＺｎＳが含まれるものの、透明金属膜３が銀と他の金属との合金からなる。銀以外の他の金属は、透明金属膜３の表面に局在しやすい。そして、当該金属によって透明金属膜３の表面に酸化皮膜等が形成される。その結果、透明金属膜３中の銀が硫化され難くなり、透明導電体の光透過性の低下が抑制される。

一方、透明金属膜が銀のみからなる場合、透明導電体に電流を流すと、透明金属膜中の銀がイオン化し、移動・析出（マイグレーション）しやすい。そして、導通時に電流がリークしたり、透明導電体の光透過性が低下する等の問題もあった。これに対し、透明金属膜３に、銀以外の金属が含まれると、マイグレーションが抑制される。したがって、長期に亘って信頼性の高い透明導電体が得られる。

本発明の透明導電体において、透明金属膜３は、図１に示されるように、透明基板１の全面に形成されていてもよく、図２に示されるように、所望の形状にパターニングされていてもよい。本発明の透明導電体において、透明金属膜３が積層されている領域ａが、電気が導通する領域（以下、「導通領域」とも称する）である。一方、図２に示されるように、透明金属膜３が含まれない領域ｂが絶縁領域である。

導通領域ａ及び絶縁領域ｂからなるパターンは、透明導電体１００の用途に応じて、適宜選択される。例えば透明導電体１００が静電方式のタッチパネルに適用される場合には、図３に示されるように、複数の導通領域ａと、これを区切るライン状の絶縁領域ｂとを含むパターン等でありうる。

また、本発明の透明導電体１００（積層体）には、透明基板１、第一高屈折率層２、透明金属膜３、及び第二高屈折率層４以外の層が含まれてもよい。例えば第一高屈折率層２と透明金属膜３との間に、透明金属膜３の成膜時に成長核となる下地層（図示せず）が含まれてもよく；第二高屈折率層４上に、透明導電体１００の光透過性を調整するための低屈折率層（図示せず）が含まれてもよい。さらに、低屈折率層上に、透明導電体の透明性を調整するための第三高屈折率層（図示せず）等が含まれてもよい。また、第一高屈折率層２と透明金属膜３との間や、透明金属膜３と第二高屈折率層４との間に、透明金属膜３の硫化を防止するための硫化防止層（図示せず）が含まれてもよい。ただし、本発明の透明導電体１００に含まれる層は、透明基板１を除いて、いずれも無機材料からなる層である。例えば第二高屈折率層４上に有機樹脂からなる接着層が積層されていたとしても、透明基板１から第二高屈折率層４までの積層体が、本発明の透明導電体１００である。

１．透明導電体の層構成について
１−１）透明基板
透明導電体１００に含まれる透明基板１は、各種表示デバイスの透明基板と同様でありうる。透明基板１は、ガラス基板や、セルロースエステル樹脂（例えば、トリアセチルセルロース、ジアセチルセルロース、アセチルプロピオニルセルロース等）、ポリカーボネート樹脂（例えばパンライト、マルチロン（いずれも帝人社製））、シクロオレフィン樹脂（例えばゼオノア（日本ゼオン社製）、アートン（ＪＳＲ社製）、アペル（三井化学社製））、アクリル樹脂（例えばポリメチルメタクリレート、アクリライト（三菱レイヨン社製）、スミペックス（住友化学社製））、ポリイミド、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）樹脂、ポリエステル樹脂（例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート）、ポリエーテルスルホン、ＡＢＳ／ＡＳ樹脂、ＭＢＳ樹脂、ポリスチレン、メタクリル樹脂、ポリビニルアルコール／ＥＶＯＨ（エチレンビニルアルコール樹脂）、スチレン系ブロックコポリマー樹脂等からなる透明樹脂フィルムでありうる。透明基板１が透明樹脂フィルムである場合、当該フィルムには２種以上の樹脂が含まれてもよい。

透明性の観点から、透明基板１はガラス基板、もしくはセルロースエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂（特にポリエチレンテレフタレート）、トリアセチルセルロース、シクロオレフィン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）樹脂、ポリエーテルスルホン、ＡＢＳ／ＡＳ樹脂、ＭＢＳ樹脂、ポリスチレン、メタクリル樹脂、ポリビニルアルコール／ＥＶＯＨ（エチレンビニルアルコール樹脂）、またはスチレン系ブロックコポリマー樹脂からなるフィルムであることが好ましい。

透明基板１は、可視光に対する透明性が高いことが好ましく；波長４５０〜８００ｎｍの光の平均透過率が７０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましく、８５％以上であることがさらに好ましい。透明基板１の光の平均透過率が７０％以上であると、透明導電体１００の光透過性が高まりやすい。また、透明基板１の波長４５０〜８００ｎｍの光の平均吸収率は１０％以下であることが好ましく、より好ましくは５％以下、さらに好ましくは３％以下である。

上記平均透過率は、透明基板１の表面の法線に対して、５°傾けた角度から光を入射させて測定する。一方、平均吸収率は、平均透過率と同様の角度から光を入射させて、透明基板１の平均反射率を測定し；平均吸収率＝１００−（平均透過率＋平均反射率）として算出する。平均透過率及び平均反射率は分光光度計で測定される。

透明基板１の波長５７０ｎｍの光の屈折率は１．４０〜１．９５であることが好ましく、より好ましくは１．４５〜１．７５であり、さらに好ましくは１．４５〜１．７０である。透明基板の屈折率は、通常、透明基板の材質によって定まる。透明基板の屈折率は、エリプソメーターで測定される。

透明基板１のヘイズ値は０．０１〜２．５であることが好ましく、より好ましくは０．１〜１．２である。透明基板のヘイズ値が２．５以下であると、透明導電体のヘイズ値が抑制される。ヘイズ値は、ヘイズメーターで測定される。

透明基板１の厚みは、１μｍ〜２０ｍｍであることが好ましい。透明基板の厚みが１μｍ以上であると、透明基板１の強度が高まり、第一高屈折率層２の作製時に割れたり、裂けたりし難くなる。一方、透明基板１の厚みが２０ｍｍ以下であれば、透明導電体１００のフレキシブル性が十分となる。さらに透明導電体１００を用いた機器の厚みを薄くできる。また、透明導電体１００を用いた機器を軽量化することもできる。

透明導電体に特に高いフレキシブル性が要求される場合には、透明基板１の厚みが１μｍ〜２０ｍｍであることが好ましく、より好ましくは１μｍ〜５００μｍである。透明基板１の厚みが２０ｍｍ以下であると、透明基板１のフレキシブル性が高まりやすい。

１−２）第一高屈折率層
第一高屈折率層２は、透明導電体の導通領域ａ、つまり透明金属膜３が成膜されている領域の光透過性（光学アドミッタンス）を調整する層である。したがって、第一高屈折率層２は、透明導電体の導通領域ａに形成される。第一高屈折率層２は、透明導電体１００の絶縁領域ｂにも形成されていてもよいが、後述するように、導通領域ａ及び絶縁領域ｂからなるパターンを視認され難くするとの観点から、導通領域ａのみに形成されていることが好ましい。

第一高屈折率層２には、前述の透明基板１の屈折率より高い屈折率を有する誘電性材料または酸化物半導体材料が含まれる。当該誘電性材料または酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の屈折率は、透明基板１の波長５７０ｎｍの光の屈折率より０．１〜１．１大きいことが好ましく、０．４〜１．０大きいことがより好ましい。一方、第一高屈折率層２に含まれる誘電性材料または酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の具体的な屈折率は１．５より大きいことが好ましく、１．７〜２．５であることがより好ましく、さらに好ましくは１．８〜２．５である。誘電性材料または酸化物半導体材料の屈折率が１．５より大きいと、第一高屈折率層２によって、透明導電体１００の導通領域ａの光学アドミッタンスが十分に調整される。なお、第一高屈折率層２の屈折率は、第一高屈折率層２に含まれる材料の屈折率や、第一高屈折率層２に含まれる材料の密度で調整される。

第一高屈折率層２に含まれる誘電性材料または酸化物半導体材料は、絶縁性の材料であってもよく、導電性の材料であってもよい。誘電性材料または酸化物半導体材料は、上記屈折率を有する金属酸化物でありうる。上記屈折率を有する金属酸化物の例には、ＴｉＯ_２、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）、ＺｎＯ、Ｎｂ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２、ＣｅＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｔｉ_３Ｏ_５、Ｔｉ_４Ｏ_７、Ｔｉ_２Ｏ_３、ＴｉＯ、ＳｎＯ_２、Ｌａ_２Ｔｉ_２Ｏ_７、ＩＺＯ（酸化インジウム・酸化亜鉛）、ＡＺＯ（ＡｌドープＺｎＯ）、ＧＺＯ（ＧａドープＺｎＯ）、ＡＴＯ（ＳｂドープＳｎＯ）、ＩＣＯ（インジウムセリウムオキサイド）、ＩＧＺＯ（インジウム・ガリウム・亜鉛の酸化物）、ＳＧＺＯ（スズ・ガリウム・亜鉛の酸化物）、ＴＩＺＯ（インジウム・亜鉛、スズの酸化物）、Ｂｉ_２Ｏ_３、Ｇａ_２Ｏ_３、ＧｅＯ_２、ＷＯ_３、ＨｆＯ_２、Ｉｎ_２Ｏ_３、ａ−ＧＩＯ（ガリウム、インジウム、及び酸素からなる非晶質酸化物）等が含まれる。第一高屈折率層２は、当該金属酸化物が１種のみ含まれる層であってもよく、２種以上が含まれる層であってもよい。

また、第一高屈折率層２に含まれる誘電性材料または酸化物半導体材料は、ＺｎＳでもありうる。第一高屈折率層２にＺｎＳが含まれると、透明基板１側から水分が透過し難くなり、透明金属膜３の腐食が抑制される。またＺｎＳと銀の親和性が高いため、銀が薄くても連続膜になり易い。ただし、ＺｎＳは比較的高い結晶性を有し、ＺｎＳのみからなる膜は剛直な膜になりやすい。そこで、第一高屈折率層２は、ＺｎＳと金属酸化物または金属フッ化物とを含むアモルファス層であることが好ましい。アモルファス層に含まれる金属酸化物または金属フッ化物は、ＺｎＳをアモルファス化することが可能な化合物であれば特に制限されず、ＳｉＯ_２、Ｎａ_５Ａｌ_３Ｆ_１４、Ｎａ_３ＡｌＦ_６、ＡｌＦ_３、ＭｇＦ_２、ＣａＦ_２、ＢａＦ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＹＦ_３、ＬａＦ_３、ＣｅＦ_３、ＮｄＦ_３、ＺｒＯ_２、ＳｉＯ、ＭｇＯ、Ｙ_２Ｏ_３、ＺｎＯ、Ｉｎ_２Ｏ_３、Ｇａ_２Ｏ_３等でありうる。これらは第一高屈折率層２に１種のみ含まれてもよく、２種以上含まれてもよい。これらの化合物は特に好ましくはＳｉＯ_２である。

第一高屈折率層２がアモルファス層である場合、当該アモルファス層には、アモルファス層の総体積に対してＺｎＳが０．１〜９５体積％含まれることが好ましく、より好ましくは５０〜９０体積％であり、さらに好ましくは７０〜８５体積％である。ＺｎＳの比率が高いと、スパッタ速度が速くなり、第一高屈折率層２の成膜速度が速くなる。一方、金属酸化物が多く含まれると、第一高屈折率層２の非晶質性が高まり、第一高屈折率層２の割れが抑制される。

第一高屈折率層２の厚みは１５〜１５０ｎｍであることが好ましく、より好ましくは２０〜８０ｎｍである。第一高屈折率層２の厚みが１５ｎｍ以上であると、第一高屈折率層２によって、透明導電体１００の導通領域ａの光学アドミッタンスが十分に調整される。一方、第一高屈折率層２の厚みが１５０ｎｍ以下であれば、第一高屈折率層２が含まれる領域の光透過性が低下し難い。また、第一高屈折率層２の厚みが１５０ｎｍ以下であれば、第一高屈折率層２のフレキシブル性が高まりやすく、透明導電体のフレキシブル性を高めることもできる。第一高屈折率層２の厚みは、エリプソメーターで測定される。

第一高屈折率層２は、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等、一般的な気相成膜法で成膜された層でありうる。第一高屈折率層２の屈折率（密度）が高まるとの観点から、第一高屈折率層２は、電子ビーム蒸着法またはスパッタ法で成膜された層であることが好ましい。電子ビーム蒸着法の場合は膜密度を高めるため、ＩＡＤ（イオンアシスト）などのアシストがあることが望ましい。

ここで、第一高屈折率層２がＺｎＳと金属酸化物とを含むアモルファス層である場合、ＺｎＳ及び金属酸化物を所望の比率で混合した混合物を、蒸着源やスパッタリングターゲットとしてもよい。また、ＺｎＳ及び金属酸化物を共蒸着または共スパッタしてもよい。

また、第一高屈折率層２が所望の形状にパターニングされた層である場合、パターニング方法は特に制限されない。第一高屈折率層２は、例えば、所望のパターンを有するマスク等を被成膜面に配置して、気相成膜法でパターン状に成膜された層であってもよく；公知のエッチング法によってパターニングされた層であってもよい。

１−３）透明金属膜
本発明の透明金属膜３は、透明導電体１００において電気を導通させるための膜である。透明金属膜３は、前述のように、透明基板１の全面に形成されていてもよく、また所望の形状にパターニングされていてもよい。

透明金属膜３は、銀と銀以外の金属との合金からなる。透明金属膜３に銀と共に含まれる銀以外の金属は、銀との合金としたときに、透明金属膜３の表面に局在しやすい金属、もしくは銀と硫黄との結合力より、銀との結合力が強い金属であることが好ましい。透明金属膜３に銀と共に含まれる銀以外の金属は、具体的にはゲルマニウム、ビスマス、白金族、銅、金、モリブデン、亜鉛、ガリウム、スズ、インジウム、ネオジム、チタン、アルミニウム、タングステン、マンガン、鉄、ニッケル、イットリウム、及びマグネシウムである。好ましくはゲルマニウム、ビスマス、パラジウム、銅、金、及びネオジムである。透明金属膜３には、これらの金属が一種のみ含まれてもよく、二種以上含まれてもよい。

透明金属膜３に含まれる銀以外の金属の量は、透明金属膜３を構成する全原子の量に対して、０．０１〜１０ａｔ％であることが好ましく、より好ましくは０．１〜５ａｔ％であり、さらに好ましくは０．２〜３ａｔ％である。透明金属膜３に他の金属が０．１ａｔ％以上含まれると、銀の硫化が抑制されやすい。一方、透明金属膜３に含まれる他の金属の量が１０ａｔ％以下であると、透明金属膜３の光透過性が高まりやすい。透明金属膜に含まれる各原子の種類や、その含有量は、例えばＸＰＳ法等で特定される。

透明金属膜３のプラズモン吸収率は、波長４００ｎｍ〜８００ｎｍにわたって（全範囲で）１０％以下であることが好ましく、７％以下であることがより好ましく、さらに好ましくは５％以下である。波長４００ｎｍ〜８００ｎｍの一部にプラズモン吸収率が大きい領域があると、透明導電体１００の導通領域ａの透過光が着色しやすくなる。

透明金属膜３の波長４００ｎｍ〜８００ｎｍにおけるプラズモン吸収率は、以下の手順で測定される。
（ｉ）ガラス基板上に、白金パラジウムをマグネトロンスパッタ装置にて０．１ｎｍ成膜する。白金パラジウムの平均厚みは、スパッタ装置のメーカー公称値の成膜速度等から算出する。その後、白金パラジウムが付着した基板上にスパッタ法にて金属からなる膜を２０ｎｍ成膜する。

（ｉｉ）そして、得られた金属膜の表面の法線に対して、５°傾けた角度から測定光を入射させ、金属膜の透過率及び反射率を測定する。そして各波長における透過率及び反射率から、吸収率＝１００−（透過率＋反射率）を算出し、これをリファレンスデータとする。透過率及び反射率は、分光光度計で測定する。

（ｉｉｉ）続いて、測定対象の透明金属膜について、同様に透過率及び反射率を測定する。そして、得られた吸収率から上記リファレンスデータを差し引き、算出された値を、プラズモン吸収率とする。

透明金属膜３の厚みは１０ｎｍ以下であることが好ましく、好ましくは３〜９ｎｍであり、さらに好ましくは５〜８ｎｍである。透明金属膜３の厚みが１０ｎｍ以下であると、透明金属膜３に金属本来の反射が生じ難い。さらに、透明金属膜３の厚みが１０ｎｍ以下であると、後述するように、第一高屈折率層２及び第二高屈折率層４によって、透明導電体１００の光学アドミッタンスが調整されやすく、導通領域ａ表面での光の反射が抑制されやすい。透明金属膜３の厚みは、エリプソメーターで測定される。

透明金属膜３は、いずれの成膜方法で成膜された膜でありうるが、前述のように、透明導電体の波長４００〜１０００ｎｍの光の平均透過率を８０％以上とするためには、スパッタ法で成膜された膜；イオンアシスト法等で成膜された膜；もしくは後述する下地層上に成膜された膜であることが好ましい。

スパッタ法やイオンアシスト法では、成膜時に材料が被成膜体に高速で衝突するため、緻密かつ平滑な膜が得られやすく；透明金属膜３の光透過性が高まりやすい。スパッタ法の種類は特に制限されず、イオンビームスパッタ法や、マグネトロンスパッタ法、反応性スパッタ法、２極スパッタ法、バイアススパッタ法、対向スパッタ法等でありうる。透明金属膜３は、特に対向スパッタ法で成膜された膜であることが好ましい。透明金属膜３が、対向スパッタ法で成膜された膜であると、透明金属膜３が緻密になり、表面平滑性が高まりやすい。その結果、透明金属膜３の表面電気抵抗がより低くなり、光の透過率も高まりやすい。

スパッタ法で透明金属膜３を成膜する場合、銀及び他の金属を所望の比率で混合した合金をスパッタリングターゲットにしてもよく、銀及び他の金属をそれぞれスパッタリングターゲットにしてもよい。

一方、透明金属膜３が後述する下地層上に成膜された膜である場合、透明金属膜３の成膜時に下地層が成長核となるため、透明金属膜３が平滑な膜になりやすい。その結果、透明金属膜３が薄くとも、プラズモン吸収が生じ難くなる。この場合、透明金属膜３の成膜方法は特に制限されず、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等、一般的な気相成膜法でありうる。

また、透明金属膜３が所望の形状にパターニングされた膜である場合、パターニング方法は特に制限されない。透明金属膜３は、例えば、所望のパターンを有するマスクを配置して成膜された膜であってもよく；公知のエッチング法によってパターニングされた膜であってもよい。

１−４）第二高屈折率層
第二高屈折率層４は、透明導電体１００の導通領域ａ、つまり透明金属膜３が成膜されている領域の光透過性（光学アドミッタンス）を調整し、かつ透明金属膜３を外部の水分等から保護するための層である。したがって、第二高屈折率層４は、透明導電体１００の導通領域ａに形成される。第二高屈折率層４は、透明導電体１００の絶縁領域ｂに形成されてもよいが、後述するように、導通領域ａ及び絶縁領域ｂからなるパターンを視認され難くするとの観点から、導通領域ａのみに形成されていることが好ましい。

第二高屈折率層４には、前述の透明基板１の屈折率より高い屈折率を有する誘電性材料または酸化物半導体材料が含まれる。当該誘電性材料または酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の屈折率は、透明基板１の波長５７０ｎｍの光の屈折率より０．１〜１．１大きいことが好ましく、０．４〜１．０大きいことがより好ましい。一方、第二高屈折率層４に含まれる誘電性材料または酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の具体的な屈折率は１．５より大きいことが好ましく、１．７〜２．５であることがより好ましく、さらに好ましくは１．８〜２．５である。誘電性材料または酸化物半導体材料の屈折率が１．５より大きいと、第二高屈折率層４によって、透明導電体１００の導通領域ａの光学アドミッタンスが十分に調整される。なお、第二高屈折率層４の屈折率は、第二高屈折率層４に含まれる材料の屈折率や、第二高屈折率層４に含まれる材料の密度で調整される。

第二高屈折率層４に含まれる誘電性材料または酸化物半導体材料は、絶縁性の材料であってもよく、導電性の材料であってもよい。誘電性材料または酸化物半導体材料は、上記屈折率を有する金属酸化物でありうる。当該金属酸化物は、第一高屈折率層に含まれる金属酸化物と同様でありうる。第二高屈折率層４は、当該金属酸化物が１種のみ含まれる層であってもよく、２種以上含まれる層であってもよい。

第二高屈折率層４に含まれる誘電性材料または酸化物半導体材料は、ＺｎＳでもありうる。第二高屈折率層４にＺｎＳが含まれると、第二高屈折率層４側から水分が透過し難くなり、透明金属膜３の腐食が抑制される。ただし、ＺｎＳは比較的高い結晶性を有し、ＺｎＳのみからなる膜は剛直な膜になりやすい。そこで、第二高屈折率層４は、ＺｎＳと金属酸化物または金属フッ化物とを含むアモルファス層であることが好ましい。アモルファス層に含まれる金属酸化物や金属フッ化物は、ＺｎＳをアモルファス化することが可能な化合物であれば特に制限されず、第一高屈折率層２にＺｎＳと共に含まれる金属酸化物や金属フッ化物等と同様の化合物でありうる。これらは第二高屈折率層４に一種のみ含まれてもよく、二種以上含まれてもよい。ＺｎＳと共に含まれる化合物は、特に好ましくはＳｉＯ_２である。

第二高屈折率層４がアモルファス層である場合、当該アモルファス層には、アモルファス層の総体積に対してＺｎＳが０．１〜９５体積％含まれることが好ましく、より好ましくは５０〜９０体積％であり、さらに好ましくは７０〜８５体積％である。ＺｎＳの比率が高いとスパッタ速度が速くなり、第二高屈折率層４の成膜速度が速くなる。一方、ＺｎＳ以外の成分が多く含まれると、第二高屈折率層４の非晶質性が高まり、第二高屈折率層４の割れが抑制される。

第二高屈折率層４の厚みは１５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であることが好ましい。第二高屈折率層４の厚みは、より好ましくは１５〜１５０ｎｍであり、さらに好ましくは２０ｎｍ〜８０ｎｍである。第二高屈折率層４の厚みが１５ｎｍ以上であると、第二高屈折率層４によって、透明導電体１００の導通領域ａの光学アドミッタンスが十分に調整される。一方、第二高屈折率層４の厚みが１５０ｎｍ以下であれば、第二高屈折率層４が含まれる領域の光透過性が低下し難い。さらに、第二高屈折率層４のフレキシブル性も高まりやすい。第二高屈折率層４の厚みは、エリプソメーターで測定される。

第二高屈折率層４の成膜方法は特に制限されず、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等、一般的な気相成膜法で成膜された層であり得る。第二高屈折率層４の透湿性が低くなるとの観点から、第二高屈折率層４はスパッタ法で成膜された膜であることが特に好ましい。

ここで、第二高屈折率層４がＺｎＳと金属酸化物とを含むアモルファス層である場合、ＺｎＳ及び金属酸化物を所望の比率で混合した混合物を、蒸着源やスパッタリングターゲットとしてもよい。また、ＺｎＳ及び金属酸化物を共蒸着または共スパッタしてもよい。

また、第二高屈折率層４が所望の形状にパターニングされた層である場合、パターニング方法は特に制限されない。第二高屈折率層４は、例えば、所望のパターンを有するマスク等を被成膜面に配置して、気相成膜法でパターン状に成膜された層であってもよい。また、公知のエッチング法によってパターニングされた層であってもよい。

１−５）下地層
前述のように、第一高屈折率層２と透明金属膜３との間に、透明金属膜３の成膜時に成長核となる下地層が含まれてもよい。下地層は、少なくとも透明導電体の導通領域ａに成膜されていることが好ましく、透明導電体１００の絶縁領域ｂに成膜されていてもよい。

前述のように、透明導電体１００に下地層が含まれると、透明金属膜３の厚みが薄くとも、透明金属膜３の表面の平滑性が高まる。その理由は以下の通りである。

一般的な気相成膜法で透明金属膜３の材料を第一高屈折率層２上に堆積させると、成膜初期には、第一高屈折率層２上に付着した原子がマイグレート（移動）し、原子が寄り集まって塊（島状構造）を形成する。そして、この塊にまとわりつきながら膜が成長する。そのため、成膜初期の膜では、塊同士の間に隙間があり、導通しない。この状態からさらに塊が成長すると、塊同士の一部が繋がり、かろうじて導通する。しかし、塊同士の間に未だ隙間があるため、プラズモン吸収が生じる。そして、さらに成膜が進むと、塊同士が完全に繋がって、プラズモン吸収が少なくなる。しかしその一方で、金属本来の反射が生じ、膜の光透過性が低下する。

これに対し、第一高屈折率層２上をマイグレートし難い金属からなる下地層が成膜されていると、当該下地層を成長核として、透明金属膜３が成長する。つまり、透明金属膜３の材料がマイグレートし難くなり、前述の島状構造を形成せずに膜が成長する。その結果、厚みが薄くとも平滑な透明金属膜３が得られやすくなる。

ここで、下地層には、パラジウム、モリブデン、亜鉛、ゲルマニウム、ニオブまたはインジウム；あるいはこれらの金属と他の金属との合金や、これらの金属の酸化物や硫化物（例えばＺｎＳ）が含まれることが好ましい。下地層には、これらが一種のみ含まれてもよく、二種以上が含まれてもよい。

下地層に含まれるパラジウム、モリブデン、亜鉛、ゲルマニウム、ニオブまたはインジウムの量は、２０質量％以上であることが好ましく、より好ましくは４０質量％以上であり、さらに好ましくは６０質量％以上である。下地層に上記金属が２０質量％以上含まれると、下地層と透明金属膜３との親和性が高まり、下地層と透明金属膜３との密着性が高まりやすい。下地層にはパラジウムまたはモリブデンが含まれることが特に好ましい。

一方、パラジウム、モリブデン、亜鉛、ゲルマニウム、ニオブまたはインジウムと合金を形成する金属は特に制限されないが、例えばパラジウム以外の白金族、金、コバルト、ニッケル、チタン、アルミニウム、クロム等でありうる。

下地層の厚みは、３ｎｍ以下であり、好ましくは０．５ｎｍ以下であり、より好ましくは単原子膜である。下地層は、透明基板１上に金属原子が互いに離間して付着している膜でもありうる。下地層の付着量が３ｎｍ以下であれば、下地層が透明導電体１００の光学アドミッタンスに影響を及ぼし難い。下地層の有無はＩＣＰ−ＭＳ法で確認される。また、下地層の厚みは、成膜速度と成膜時間との積から算出される。

下地層は、スパッタ法または蒸着法で成膜された層でありうる。スパッタ法の例には、イオンビームスパッタ法や、マグネトロンスパッタ法、反応性スパッタ法、２極スパッタ法、バイアススパッタ法等が含まれる。下地層成膜時のスパッタ時間は、所望の下地層の平均厚み、及び成膜速度に合わせて適宜選択される。スパッタ成膜速度は、好ましくは０．１〜１５Å／秒であり、より好ましくは０．１〜７Å／秒である。

一方、蒸着法の例には、真空蒸着法、電子線蒸着法、イオンプレーティング法、イオンビーム蒸着法等が含まれる。蒸着時間は、所望の下地層の厚み、及び成膜速度に合わせて適宜選択される。蒸着速度は、好ましくは０．１〜１５Å／秒であり、より好ましくは０．１〜７Å／秒である。

下地層が所望の形状にパターニングされた層である場合、パターニング方法は特に制限されない。下地層は、例えば、所望のパターンを有するマスク等を被成膜面に配置して、気相成膜法でパターン状に成膜された層であってもよく；公知のエッチング法によってパターニングされた層であってもよい。

１−６）低屈折率層
前述のように、本発明の透明導電体１００には、第二高屈折率層４上に、透明導電体の導通領域ａの光透過性（光学アドミッタンス）を調整する低屈折率層が含まれてもよい。低屈折率層は、透明導電体１００の導通領域ａにのみ成膜されていてもよく、透明導電体１００の導通領域ａ及び絶縁領域ｂの両方に成膜されていてもよい。

低屈折率層には、第一高屈折率層２に含まれる誘電性材料または酸化物半導材料、及び第二高屈折率層４に含まれるＺｎＳの波長５７０ｎｍの光の屈折率より、波長５７０ｎｍの光の屈折率が低い誘電性材料または酸化物半導体材料が含まれる。低屈折率層に含まれる誘電性材料または酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光屈折率は、第一高屈折率層２及び第二高屈折率層４に含まれる上記材料の波長５７０ｎｍの光の屈折率より、それぞれ０．２以上低いことが好ましく、０．４以上低いことがより好ましい。

低屈折率層に含まれる誘電性材料または酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の具体的な屈折率は１．８未満であることが好ましく、より好ましくは１．３０〜１．６であり、特に好ましくは１．３５〜１．５である。なお、低屈折率層の屈折率は主に、低屈折率層に含まれる材料の屈折率や、低屈折率層に含まれる材料の密度で調整される。

低屈折率層に含まれる誘電性材料または酸化物半導体材料は、ＭｇＦ_２、ＳｉＯ_２、ＡｌＦ_３、ＣａＦ_２、ＣｅＦ_３、ＣｄＦ_３、ＬａＦ_３、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＮｄＦ_３、ＹＦ_３、ＹｂＦ_３、Ｇａ_２Ｏ_３、ＬａＡｌＯ_３、Ｎａ_３ＡｌＦ_６、Ａｌ_２Ｏ_３、ＭｇＯ、及びＴｈＯ_２等でありうる。誘電性材料または酸化物半導体材料は中でも、ＭｇＦ_２、ＳｉＯ_２、ＣａＦ_２、ＣｅＦ_３、ＬａＦ_３、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＮｄＦ_３、Ｎａ_３ＡｌＦ_６、Ａｌ_２Ｏ_３、ＭｇＯ、またはＴｈＯ_２であることが好ましく、屈折率が低いとの観点から、ＭｇＦ_２及びＳｉＯ_２が特に好ましい。低屈折率層には、これらの材料が１種のみ含まれてもよく、２種以上含まれてもよい。

低屈折率層の厚みは、１０〜１５０ｎｍであることが好ましく、より好ましくは２０〜１００ｎｍである。低屈折率層の厚みが１０ｎｍ以上であると、透明導電体表面の光学アドミッタンスが微調整されやすい。一方、低屈折率層の厚みが１５０ｎｍ以下であれば、透明導電体の厚みが薄くなる。低屈折率層の厚みは、エリプソメーターで測定される。

低屈折率層は、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等、一般的な気相成膜法で成膜された層であり得る。成膜の容易性等の観点から、低屈折率層は、電子ビーム蒸着法またはスパッタ法で成膜された層であることが好ましい。

また、低屈折率層がパターニングされた層である場合、パターニング方法は特に制限されない。低屈折率層は、例えば、所望のパターンを有するマスク等を被成膜面に配置して、気相成膜法でパターン状に成膜された層であってもよく；公知のエッチング法でパターニングされた層であってもよい。

１−７）第三高屈折率層
前述のように、本発明の透明導電体１００には、低屈折率層上にさらに、透明導電体の導通領域ａの光透過性（光学アドミッタンス）を調整する第三高屈折率層が含まれてもよい。第三高屈折率層は、透明導電体１００の導通領域ａにのみ成膜されていてもよく、透明導電体１００の導通領域ａ及び絶縁領域ｂの両方に成膜されていてもよい。

第三高屈折率層には、前述の透明基板１の屈折率及び前記低屈折率層の屈折率より高い屈折率を有する誘電性材料または酸化物半導体材料が含まれることが好ましい。
第三高屈折率層に含まれる誘電性材料または酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の具体的な屈折率は１．５より大きいことが好ましく、１．７〜２．５であることがより好ましく、さらに好ましくは１．８〜２．５である。誘電性材料または酸化物半導体材料の屈折率が１．５より大きいと、第三高屈折率層によって、透明導電体１００の導通領域ａの光学アドミッタンスが十分に調整される。なお、第三高屈折率層の屈折率は、第三高屈折率層に含まれる材料の屈折率や、第三高屈折率層に含まれる材料の密度で調整される。

第三高屈折率層に含まれる誘電性材料または酸化物半導体材料は、絶縁性の材料であってもよく、導電性の材料であってもよい。誘電性材料または酸化物半導体材料は、金属酸化物または金属硫化物であることが好ましい。金属酸化物または金属硫化物の例には、前述の第一高屈折率層２または第二高屈折率層４に含まれる金属酸化物または金属硫化物等が含まれる。第三高屈折率層には、当該金属酸化物または金属硫化物が１種のみ含まれてもよく、２種以上が含まれてもよい。

第三高屈折率層の厚みは特に制限されず、好ましくは１〜４０ｎｍであり、さらに好ましくは５〜２０ｎｍである。第三高屈折率層の厚みが上記範囲であると、透明導電体１００の導通領域ａの光学アドミッタンスが十分に調整される。第三高屈折率層の厚みは、エリプソメーターで測定される。

第三高屈折率層の成膜方法は特に制限されず、第一高屈折率層２や第二高屈折率層４と同様の方法で成膜された層でありうる。

１−８）硫化防止層
前述のように、本発明の透明導電体では、第一高屈折率層２及び第二高屈折率層４のいずれか一方、もしくは両方にＺｎＳが含まれる。そこで、ＺｎＳが含まれる層と透明金属膜との間、具体的には第一高屈折率層２と透明金属膜３との間、もしくは透明金属膜３と第二高屈折率層４との間に、透明金属膜３の硫化を防止するための硫化防止層が含まれてもよい。第一高屈折率層２と透明金属膜３との間に前述の下地層が含まれる場合には、第一高屈折率層２と下地層との間に硫化防止層が含まれることが好ましい。硫化防止層は、透明導電体１００の導通領域ａのみに形成されてもよく、導通領域ａ及び絶縁領域ｂの両方に形成されてもよい。

透明金属膜３とＺｎＳを含む層（第一高屈折率層２または第二高屈折率層４）とが隣接して成膜されると、透明金属膜３の成膜時、もしくは第二高屈折率層４の成膜時に、透明金属膜中の金属が硫化されて金属硫化物が生成し、透明導電体の光透過性が低下することがある。これに対し、第一高屈折率層２と透明金属膜３との間、もしくは透明金属膜３と第二高屈折率層４との間に、硫化防止層が含まれると、金属硫化物の生成が抑制される。

硫化防止層は、金属酸化物、金属窒化物、金属フッ化物、またはＺｎを含む層でありうる。硫化防止層には、これらが一種のみ含まれてもよく、二種以上含まれてもよい。

金属酸化物の例には、ＴｉＯ_２、ＩＴＯ、ＺｎＯ、Ｎｂ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２、ＣｅＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｔｉ_３Ｏ_５、Ｔｉ_４Ｏ_７、Ｔｉ_２Ｏ_３、ＴｉＯ、ＳｎＯ_２、Ｌａ_２Ｔｉ_２Ｏ_７、ＩＺＯ、ＡＺＯ、ＧＺＯ、ＡＴＯ、ＩＣＯ、Ｂｉ_２Ｏ_３、ａ−ＧＩＯ、Ｇａ_２Ｏ_３、ＧｅＯ_２、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＨｆＯ_２、ＳｉＯ、ＭｇＯ、Ｙ_２Ｏ_３、ＷＯ_３、等が含まれる。
金属フッ化物の例には、ＬａＦ_３、ＢａＦ_２、Ｎａ_５Ａｌ_３Ｆ_１４、Ｎａ_３ＡｌＦ_６、ＡｌＦ_３、ＭｇＦ_２、ＣａＦ_２、ＢａＦ_２、ＣｅＦ_３、ＮｄＦ_３、ＹＦ_３等が含まれる。
金属窒化物の例には、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＡｌＮ等が含まれる。

硫化防止層の厚みは、透明金属膜３の成膜時、もしくは第二高屈折率層４の成膜時に、透明金属膜３が硫化されることを防止可能な厚みであれば、特に制限されない。ただし、第一高屈折率層２や第二高屈折率４に含まれるＺｎＳは、透明金属膜３に含まれる金属との親和性が高い。そのため、硫化防止層の厚みが非常に薄いと、透明金属膜３と第一高屈折率層２、または透明金属膜３と第二高屈折率層４とが接する部分が生じ、各層同士の密着性が高まりやすい。つまり、硫化防止層は比較的薄いことが好ましく、０．１ｎｍ〜１０ｎｍであることが好ましく、より好ましくは０．５ｎｍ〜５ｎｍであり、さらに好ましくは１ｎｍ〜３ｎｍである。硫化防止層の厚みは、エリプソメーターで測定される。

硫化防止層は、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等、一般的な気相成膜法で成膜された層でありうる。

硫化防止層が、所望の形状にパターニングされた層である場合、パターニング方法は特に制限されない。硫化防止層は、例えば、所望のパターンを有するマスク等を被成膜面に配置して、気相成膜法でパターン状に成膜された層であってもよく；公知のエッチング法によってパターニングされた層であってもよい。

２．透明導電体の光学アドミッタンスについて
本発明の透明導電体１００では、透明金属膜３が、第一高屈折率層２及び第二高屈折率層４に挟み込まれている。その結果、透明金属膜３が含まれる領域；つまり導通領域ａの表面の反射が抑制され、導通領域ａの光の透過性が高まる。

透明導電体（導通領域ａ）の表面（透明導電体における透明基板と反対側の表面）の反射率Ｒは、光が入射する媒質の光学アドミッタンスＹ_ｅｎｖと、透明導電体の表面の等価アドミッタンスＹ_Ｅとから定まる。ここで光が入射する媒質とは、透明導電体に入射する光が、その入射直前に通過する部材または環境であって；有機樹脂からなる部材、もしくは環境をいう。媒質の光学アドミッタンスＹ_ｅｎｖと、透明導電体の表面の等価アドミッタンスＹ_Ｅとの関係は以下の式で表される。

上記の式に基づけば、｜Ｙ_ｅｎｖ−Ｙ_Ｅ｜が０に近い程、透明導電体（導通領域ａ）の表面の反射率Ｒが低くなる。

前記媒質の光学アドミッタンスＹ_ｅｎｖは、電場強度と磁場強度との比（Ｈ／Ｅ）から求められ、媒質の屈折率ｎ_ｅｎｖと同一である。一方、等価アドミッタンスＹ_Ｅは、透明導電体を構成する層の光学アドミッタンスＹから求められる。例えば透明導電体（導通領域ａ）が一層からなる場合には、透明導電体の等価アドミッタンスＹ_Ｅは、当該層の光学アドミッタンスＹ（屈折率）と等しくなる。

一方、透明導電体が積層体である場合、１層目からｘ層目までの積層体の光学アドミッタンスＹ_ｘ（Ｅ_ｘ Ｈ_ｘ）は、１層目から（ｘ−１）層目までの積層体の光学アドミッタンスＹ_ｘ−１（Ｅ_ｘ−１ Ｈ_ｘ−１）と、特定のマトリクスとの積で表され；具体的には以下の式（１）または式（２）にて求められる。

・ｘ層目が誘電性材料または酸化物半導体材料からなる層である場合

・ｘ層目が理想金属層である場合

そして、ｘ層目が最表層であるときの、透明基板から最表層までの積層物の光学アドミッタンスＹ_ｘ（Ｅ_ｘ Ｈ_ｘ）が、当該透明導電体の等価アドミッタンスＹ_Ｅとなる。

図４Ａに、後述する実施例１の透明導電体（透明基板／第一高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ_２）／下地層（Ｍｏ）／透明金属膜（Ａｇ合金）／第二高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ_２）を備える透明導電体）の導通領域ａの波長５７０ｎｍのアドミッタンス軌跡を示す。グラフの横軸は、当該領域の光学アドミッタンスＹをｘ＋ｉｙで表したときの実部；つまり当該式におけるｘであり、縦軸は光学アドミッタンスの虚部；つまり当該式におけるｙである。なお、実施例１の透明導電体では、下地層の厚みが十分に薄いため、その光学アドミッタンスは無視できる。

図４Ａにおいて、アドミッタンス軌跡の最終座標が、導通領域ａの等価アドミッタンスＹ_Ｅである。そして、等価アドミッタンスＹ_Ｅの座標（ｘ_Ｅ，ｙ_Ｅ）と、光が入射する媒質のアドミッタンス座標（ｎ_ｅｎｖ，０）（図示せず）との距離が、透明導電体の導通領域ａの表面の反射率Ｒに比例する。

透明金属膜は、一般的に光学アドミッタンスの虚部の値が大きい。そのため、透明基板上に直接透明金属膜を積層すると、アドミッタンス軌跡が縦軸（虚部）方向に大きく移動する。図５Ａに、透明基板／透明金属膜／高屈折率層をこの順に備える透明導電体の波長５７０ｎｍのアドミッタンス軌跡を示し、図５Ｂに当該透明導電体の波長４５０ｎｍ、波長５７０ｎｍ、及び波長７００ｎｍのアドミッタンス軌跡を示す。図５Ａに示されるように、透明基板上に直接透明金属膜を積層すると、アドミッタンス軌跡の始点（透明基板のアドミッタンス座標（約１．５，０））から縦軸（虚部）方向にアドミッタンス軌跡が大きく移動し、アドミッタンス座標の虚部の絶対値が非常に大きくなる。そしてアドミッタンス座標の虚部の絶対値が大きくなると、透明金属膜上に高屈折率層を積層しても、等価アドミッタンスＹ_Ｅが、光が入射する媒質のアドミッタンス座標（ｎ_ｅｎｖ，０）に近づき難い。

また、図５Ａに示されるように、透明基板上に直接透明金属膜を積層すると、アドミッタンス軌跡が、グラフの横軸を中心に線対称になり難い。そして、特定波長（本発明では５７０ｎｍ）におけるアドミッタンス軌跡が、グラフの横軸を中心に線対称にならないと、図５Ｂに示されるように、他の波長（例えば４５０ｎｍや７００ｎｍ）における等価アドミッタンスＹ_Ｅの座標が、大きくぶれやすい。そのため、反射率Ｒを十分に小さくできない波長領域が生じる。

これに対し、図４Ａに示されるように、透明金属膜が、高い屈折率を有する層（第一高屈折率層及び第二高屈折率層）で挟み込まれると、第一高屈折率層によって、アドミッタンス軌跡の虚部の座標が正方向に大きく移動する。そして、透明金属膜によって、アドミッタンス軌跡が虚部の負方向に大きく移動しても、虚部の絶対値が大きくなり難くなる。また、透明金属膜の他方に配設された第二高屈折率層によって、アドミッタンス軌跡の虚部の座標が、再度正方向に大きく移動するため、等価アドミッタンスＹ_Ｅが、光が入射する媒質のアドミッタンス座標（ｎ_ｅｎｖ，０）に近くなる。

さらに、透明金属膜が高い屈折率を有する層（第一高屈折率層及び第二高屈折率層）で挟み込まれると、アドミッタンス軌跡がグラフの横軸を中心に線対称になりやすくなる。その結果、いずれの波長においても、等価アドミッタンスＹ_Ｅが、光が入射する媒質のアドミッタンス座標（ｎ_ｅｎｖ，０）に近くなる。

ここで、本発明の透明導電体では、透明金属膜の高屈折率層側の表面の波長５７０ｎｍにおける光学アドミッタンスをＹ１（＝ｘ_１＋ｉｙ_１）とし、透明金属膜の中間層側の表面の波長５７０ｎｍにおける光学アドミッタンスをＹ２（＝ｘ_２＋ｉｙ_２）とした場合に、ｘ_１及びｘ_２のうちいずれか一方、もしくは両方が１．６以上であることが好ましい。ｘ_１またはｘ_２のうちいずれか一方が、１．６以上であると透明導電体の光透過性が高まりやすい。

各層界面のアドミッタンスＹと、各層に存在する電場強度Ｅとの間には、下記関係式が成り立つ。

上記関係式に基づけば、透明金属膜表面の光学アドミッタンスＹ１及びＹ２の実数部（ｘ_１及びｘ_２）が大きくなれば、電場強度Ｅが小さくなり、電場損失（光の吸収）が抑制される。すなわち、透明導電体の光透過性が十分に高まる。

したがって、上記ｘ_１及びｘ_２のうち、いずれか一方、もしくは両方が１．６以上であることが好ましく、より好ましくは１．８以上であり、さらに好ましくは２．０以上である。特にｘ_１が１．６以上であることが好ましい。またｘ_１及びｘ_２は、７．０以下であることが好ましく、より好ましくは５．５以下である。ｘ_１は、第一高屈折率層の屈折率や、第一高屈折率層の厚み等で調整される。ｘ_２は、ｘ_１の値や透明金属膜の屈折率、第一透明金属膜の厚み等によって調整される。例えば、第一高屈折率層の屈折率が高い場合や、第一高屈折率層の厚みがある程度厚い場合には、ｘ_１及びｘ_２の値が大きくなりやすい。またｘ_１とｘ_２との差の絶対値（｜ｘ_１−ｘ_２｜）は１．５以下であることが好ましく、より好ましくは１．０以下であり、さらに好ましくは０．８以下である。

また、アドミッタンス軌跡は前述のように、グラフの横軸を中心に線対称であることが好ましい。したがって、上記Ｙ１の虚部の座標ｙ_１と、Ｙ２の虚部の座標ｙ_２が、ｙ_１×ｙ_２≦０を満たすことが好ましい。さらに、｜ｙ_１＋ｙ_２｜が０．８未満であることが好ましく、より好ましくは０．５以下、さらに好ましくは０．３以下である。

さらに、前述のｙ_１が十分に大きいことが好ましい。前述のように、透明金属膜の光学アドミッタンスは虚部の値が大きく、アドミッタンス軌跡が縦軸（虚部）方向に大きく移動する。そのため、ｙ_１が十分に大きければ、アドミッタンス座標の虚部の絶対値が適切な範囲に収まり、アドミッタンス軌跡が線対称になりやすい。ｙ_１は０．２以上であることが好ましく、より好ましくは０．３〜１．５であり、さらに好ましくは０．３〜１．０である。一方、前述のｙ_２は、−０．３〜−２．０であることが好ましく、より好ましくは−０．６〜−１．５である。

一方、導通領域ａの波長５７０ｎｍの光の等価アドミッタンス座標（ｘ_Ｅ，ｙ_Ｅ）と、透明導電体の第二高屈折率層側の表面と接する部材もしくは環境（媒質）の波長５７０ｎｍの光の等価アドミッタンス座標（ｎ_ｅｎｖ，０）との距離（（ｘ_Ｅ−ｎ_ｅｎｖ）^２＋（ｙ_Ｅ）^２）^０．５は、０．５未満であることが好ましく、さらに好ましくは０．３以下である。上記距離が０．５未満であれば、導通領域ａの表面の反射率Ｒ_ａが十分に小さくなり、導通領域ａの光の透過性が高まる。

さらに、透明金属膜３がパターニングされている場合には、導通領域ａの波長５７０ｎｍの光の等価アドミッタンス座標（ｘ_Ｅ，ｙ_Ｅ）と、絶縁領域ｂの波長５７０ｎｍの光の等価アドミッタンス座標（（ｘ_ｂ，ｙ_ｂ）で表す）との距離、（（ｘ_Ｅ−ｘ_ｂ）^２＋（ｙ_Ｅ−ｙ_ｂ）^２）^０．５が０．５未満であることが好ましく、より好ましくは０．３以下である。導通領域ａの等価アドミッタンス座標と、絶縁領域ｂの等価アドミッタンス座標との距離が近くなると、導通領域ａ及び絶縁領域ｂからなるパターンが視認され難くなる。また、｜（ｘ_ｅｎｖ−ｘ_ｂ）^２＋（ｙ_ｅｎｖ−ｙ_ｂ）^２−（ｘ_ｅｎｖ−ｘ_Ｅ）^２−（ｙ_ｅｎｖ−ｙ_Ｅ）^２｜が０．０１以下であることが好ましい。当該値が０．０１以下であると、導通領域ａ及び絶縁領域ｂがいずれも視認され難くなる。

導通領域ａの等価アドミッタンスＹ_Ｅの座標と、絶縁領域ｂの等価アドミッタンスＹ_ｂの座標とを十分に近づける；つまり（（ｘ_Ｅ−ｘ_ｂ）^２＋（ｙ_Ｅ−ｙ_ｂ）^２）^０．５を小さくするためには、（ｉ）導通領域ａのアドミッタンス軌跡がグラフの横軸を中心に線対称になるようにし、（ｉｉ）絶縁領域ｂには透明基板のみが含まれる構成とすることが好ましい。導通領域ａのアドミッタンス軌跡がグラフの横軸を中心に線対称になると、Ｙ_Ｅの座標は、自ずと透明基板１のアドミッタンスに近づくからである。

３．透明導電体の物性について
本発明の透明導電体の波長４００〜１０００ｎｍの光の平均透過率は８０％以上であることが好ましく、より好ましくは８３％以上、さらに好ましくは８５％以上である。なお、透明金属膜３がパターニングされており、透明導電体１００に導通領域ａ及び絶縁領域ｂが含まれる場合、いずれの領域においても、上記平均透過率は８０％以上である。波長４００〜１０００ｎｍの光の平均透過率が８０％以上であると、広い波長範囲の光に対して透明性が要求される用途、例えば太陽電池用の透明導電膜等にも透明導電体を適用することができる。

また特に、透明導電体の波長４５０〜８００ｎｍの光の平均透過率は、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれにおいても８３％以上であることが好ましく、より好ましくは８５％以上であり、さらに好ましくは８８％以上である。上記波長範囲における平均透過率が８５％以上であると、透明導電体を、可視光に対して高い透明性が要求される用途に適用することができる。

一方、透明導電体の波長４００ｎｍ〜８００ｎｍの光の平均吸収率は、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれにおいても１０％以下であることが好ましく、より好ましくは８％以下であり、さらに好ましくは７％以下である。また、透明導電体の波長４５０ｎｍ〜８００ｎｍの光の吸収率の最大値は、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれにおいても１５％以下であることが好ましく、より好ましくは１０％以下であり、さらに好ましくは９％以下である。一方、透明導電体の波長５００ｎｍ〜７００ｎｍの光の平均反射率は、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれにおいても、２０％以下であることが好ましく、より好ましくは１５％以下であり、さらに好ましくは１０％以下である。透明導電体の平均吸収率及び平均反射率が低いほど、前述の平均透過率が高まる。

上記平均透過率、平均反射率、及び平均反射率は、透明導電体の使用環境下での平均透過率、平均反射率、及び平均反射率であることが好ましい。具体的には、透明導電体が有機樹脂と貼り合わせて使用される場合には、透明導電体上に有機樹脂からなる層を配置して平均透過率及び平均反射率測定することが好ましい。一方、透明導電体が大気中で使用される場合には、大気中での平均透過率及び平均反射率を測定することが好ましい。透過率及び反射率は、透明導電体の表面の法線に対して５°傾けた角度から測定光を入射させて分光光度計で測定する。吸収率は、１００−（透過率＋反射率）の計算式より算出される。

また透明導電体１００に導通領域ａ及び絶縁領域ｂが含まれる場合、導通領域ａの反射率及び絶縁領域ｂの反射率がそれぞれ近似することが好ましい。具体的には、導通領域ａの視感反射率と、絶縁領域ｂの視感反射率との差ΔＲが３％以下であることが好ましく、より好ましくは１％以下であり、さらに好ましくは０．３％以下である。一方、導通領域ａ及び絶縁領域ｂの視感反射率は、それぞれ５％以下であることが好ましく、より好ましくは３％以下であり、さらに好ましくは１％以下である。視感反射率は、分光光度計（Ｕ４１００；日立ハイテクノロジーズ社製）で測定されるＹ値である。

また透明導電体１００に導通領域ａ及び絶縁領域ｂが含まれる場合、いずれの領域においても、Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるａ＊値及びｂ＊値は±３０以内であることが好ましく、より好ましくは±５以内であり、さらに好ましくは±３．０以内であり、特に好ましくは±２．０以内である。Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるａ＊値及びｂ＊値が±３０以内であれば、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれの領域も無色透明に観察される。Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるａ＊値及びｂ＊値は、分光光度計で測定される。

透明導電体の導通領域ａの表面電気抵抗は、５０Ω／□以下であることが好ましく、さらに好ましくは３０Ω／□以下である。導通領域の表面電気抵抗値が５０Ω／□以下である透明導電体は、静電容量方式のタッチパネル用の透明導電パネル等に適用できる。導通領域ａの表面電気抵抗値は、透明金属膜の厚み等によって調整される。導通領域ａの表面電気抵抗値は、例えばＪＩＳ Ｋ７１９４、ＡＳＴＭ Ｄ２５７等に準拠して測定される。また、市販の表面電気抵抗率計によっても測定される。

４．透明導電体の用途
前述の透明導電体は、液晶、プラズマ、有機エレクトロルミネッセンス、フィールドエミッションなど各種方式のディスプレイをはじめ、タッチパネルや携帯電話、電子ペーパー、各種太陽電池、各種エレクトロルミネッセンス調光素子など様々なオプトエレクトロニクスデバイスの基板等に好ましく用いることができる。

このとき、透明導電体の表面（例えば、透明基板と反対側の表面）は、接着層等を介して、他の部材と貼り合わせられてもよい。この場合には、前述のように、透明導電体の表面の等価アドミッタンス座標と、接着層のアドミッタンス座標と、がそれぞれ近似することが好ましい。これにより、透明導電体と接着層との界面での反射が抑制される。

一方、透明導電体の表面が空気と接するような構成で使用される場合には、透明導電体の表面のアドミッタンス座標と、空気のアドミッタンス座標と、がそれぞれ近似することが好ましい。これにより、透明導電体と空気との界面での光の反射が抑制される。

以下、本発明を実施例により更に詳細に説明する。しかしながら、本発明の範囲はこれによって何ら制限を受けない。

［実施例１］
シクロオレフィンポリマーからなるフィルム（厚み１００μｍ）上に、下記の方法で、第一高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ_２）／下地層（Ｍｏ）／透明金属膜（ＡＰＣ合金）／第二高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ_２）をこの順に積層した。その後、当該積層体を下記の方法でパターニングした。各層の厚みは、Ｊ．Ａ．Ｗｏｏｌｌａｍ Ｃｏ．Ｉｎｃ．製のＶＢ−２５０型ＶＡＳＥエリプソメーターで測定した。ただし、下地層の平均厚みはスパッタ装置のメーカー公称値の成膜速度から算出した。得られた透明導電体の分光特性を図４Ｂに示す。

（第一高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ_２））
前記透明基板上に、大阪真空社のマグネトロンスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ_２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、成膜レート３．０Å／ｓでＺｎＳ−ＳｉＯ_２をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。
ＺｎＳとＳｉＯ_２との比率（体積比）は、９５：５であり、第一高屈折率層の屈折率は２．１４であった。

（下地層（Ｍｏ））
前記第一高屈折率層上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．５Ｐａ、室温下、ターゲット側電力５０Ｗ、成膜レート０．４Å／ｓでＭｏをＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。

（透明金属膜（ＡＰＣ合金））
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．３Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１００Ｗ、成膜レート２．５Å／ｓでＡＰＣ合金（フルヤ金属社製）をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。

（第二高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ_２））
前記透明金属膜上に、第一高屈折率層と同様に、第二高屈折率層を成膜した。ＺｎＳとＳｉＯ_２との比率（体積比）は、９５：５であり、第一高屈折率層の屈折率は２．１４であった。

（積層体のパターニング）
得られた積層体上にレジスト層をパターン状に成膜し、第一高屈折率層、下地層、透明金属膜、及び第二高屈折率層を図３に示されるパターン（複数の導通領域ａと、これを区切るライン状の絶縁領域ｂとを含むパターン）状にＩＴＯエッチング液（林純薬製）でパターニングした。絶縁領域には、透明基板のみが含まれるものとした。また、ライン状の絶縁領域ｂの幅は１６μｍとした。

［実施例２］
コニカミノルタ製ＴＡＣフィルム（厚み４０μｍ）上に、第一高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ_２）／透明金属膜（ＡＰＣ合金）／第二高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ_２）をこの順に積層した。
下地層を成膜せず、第一高屈折率層及び第二高屈折率層のＺｎＳとＳｉＯ_２との比率（体積比）を８０：２０とした以外は、実施例１と同様に各層を成膜した。
得られた積層体を実施例１と同様にパターニングした。得られた透明導電体の分光特性を図６に示す。

［実施例３］
東洋紡製ＰＥＴ（コスモシャインＡ４３００ 厚み５０μｍ）からなる透明基板上に、第一高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ_２）／透明金属膜（ＡＰＣ−ＳＲ合金）／第二高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ_２）をこの順に積層した。
第一高屈折率層及び第二高屈折率層は、ＺｎＳとＳｉＯ_２との比率（体積比）を９０：１０とした以外は実施例１と同様に成膜した。
透明金属膜は、成膜時のターゲットをＡＰＣ−ＳＲ合金（フルヤ金属社製）変更した以外は、実施例２と同様に各層を成膜した。
得られた積層体を実施例１と同様にパターニングした。得られた透明導電体の分光特性を図７に示す。

［実施例４］
ポリカーボネートからなるフィルム（厚み１００μｍ）上に、第一高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ_２）／下地層（Ｐｄ）／透明金属膜（ＡＰＣ−ＳＲ合金）／第二高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ_２）をこの順に積層した。
第一高屈折率層、及び第二高屈折率層は、それぞれ実施例２と同様に成膜した。
下地層及び透明金属膜は、それぞれ以下の方法で成膜した。
得られた積層体を実施例１と同様にパターニングした。得られた透明導電体の分光特性を図８に示す。

（下地層（Ｐｄ））
真空デバイス社製のマグネトロンスパッタ装置（ＭＳＰ−１Ｓ）で、パラジウムを０．４秒間成膜し、平均厚み０．２ｎｍの成長核を形成した。

（透明金属膜（ＡＰＣ−ＳＲ））
ＦＴＳコーポレーション社の対向スパッタ機を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．５Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、成膜レート１４Å／ｓでＡｇを対向スパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。

［実施例５］
コニカミノルタ製ＴＡＣフィルム（厚み４０μｍ）上に、第一高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ_２）／透明金属膜（ＡＰＣ−ＳＲ合金）／第二高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ_２）をこの順に積層した。
透明金属膜は、実施例４と同様に成膜した。
第一高屈折率層及び第二高屈折率層は、それぞれＺｎＳとＳｉＯ_２との比率（体積比）を７０：３０とした以外は実施例１と同様に成膜した。
得られた積層体を実施例１と同様にパターニングした。得られた透明導電体の分光特性を図９に示す。

［実施例６］
シクロオレフィンポリマーからなるフィルム（厚み１００μｍ）上に、第一高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ_２）／透明金属膜（ＡＰＣ−ＴＲ合金）／第二高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ_２）をこの順に積層した。
第一高屈折率層及び第二高屈折率層は、それぞれ実施例２と同様に成膜した。
透明金属膜は、成膜時のターゲットをＡＰＣ−ＴＲ合金に変更した以外は、実施例４と同様に成膜した。
得られた積層体を実施例１と同様にパターニングした。得られた透明導電体の分光特性を図１０に示す。

［実施例７］
ガラスからなる透明基板（厚み５０μｍ）上に、第一高屈折率層（ＺｎＯ）／下地層（Ｐｄ）／透明金属膜（ＡＰＣ−ＴＲ合金）／第二高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ_２）をこの順に積層した。
第一高屈折率層は以下の方法で成膜した。
下地層は実施例４と同様の方法で成膜した。
透明金属膜は成膜時のターゲットをＡＰＣ−ＴＲ（フルヤ金属社製）とした以外は、実施例４と同様に成膜した。
第二高屈折率層は、実施例２と同様に成膜した。得られた積層体を実施例１と同様にパターニングした。
得られた積層体を実施例１と同様にパターニングした。得られた透明導電体の分光特性を図１１に示す。

（第一高屈折率層（ＺｎＯ））
大阪真空社のマグネトロンスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ_２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、成膜レート１．１Å／ｓでＺｎＯをＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。ＺｎＯの波長５７０ｎｍの光の屈折率は、２．０１であり、第一高屈折率層の波長５７０ｎｍの光の屈折率も２．０１とした。

［実施例８］
コニカミノルタ製ＴＡＣフィルム（厚み６０μｍ）上に、第一高屈折率層（ＩＴＯ）／下地層（Ｐｄ）／透明金属膜（Ａｇ−Ｂｉ−Ｇｅ−Ａｕ合金）／第二高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ_２）を順に積層した。
第一高屈折率層は以下の方法で成膜した。
下地層は実施例４と同様の方法で成膜した。
透明金属膜は成膜時のターゲットをＧＢＲ１５（コベルコ科研社製：Ａｇ（９８．３５ａｔ％）／Ｂｉ（０．３５ａｔ％）／Ｇｅ（０．３％）／Ａｕ（１．０ａｔ％））とした以外は、実施例４と同様に成膜した。
第二高屈折率層は、実施例２と同様の方法で成膜した。
得られた積層体を実施例１と同様にパターニングした。得られた透明導電体の分光特性を図１２に示す。

（第一高屈折率層（ＩＴＯ））
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ_２ ５ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．３Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、成膜レート２．０Å／ｓでＩＴＯをＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。ＩＴＯの波長５７０ｎｍの光の屈折率は、２．１２であり、第一高屈折率層の波長５７０ｎｍの光の屈折率も２．１２とした。ＩＴＯは、Ｉｎ_２Ｏ_３：ＳｎＯ_２＝９０：１０（質量％比）とした。

［実施例９］
東洋紡製ＰＥＴ（コスモシャインＡ４３００ 厚み５０μｍ）からなる透明基板上に、第一高屈折率層（Ｎｂ_２Ｏ_５）／下地層（Ｐｄ）／透明金属膜（Ａｇ−Ｂｉ−Ｇｅ−Ａｕ合金）／第二高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ_２）を順に積層した。
第一高屈折率層は以下の方法で成膜した。
下地層は実施例４と同様の方法で成膜した。
透明金属膜、及び第二高屈折率層は、それぞれ実施例８と同様の方法で成膜した。
得られた積層体を実施例１と同様にパターニングした。得られた透明導電体の分光特性を図１３に示す。

（第一高屈折率層（Ｎｂ_２Ｏ_５））
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ_２ １ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．５Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、成膜レート１．２Å／ｓでＮｂ_２Ｏ_５をＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。Ｎｂ_２Ｏ_５の波長５７０ｎｍの光の屈折率は、２．３１であり、第一高屈折率層の波長５７０ｎｍの光の屈折率も２．３１とした。

［実施例１０］
コニカミノルタ製ＴＡＣフィルム（厚み６０μｍ）上に、第一高屈折率層（ＺｒＯ_２）／下地層（Ｐｄ）／透明金属膜（Ａｇ−Ｂｉ合金）／第二高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ_２）を順に積層した。
第一高屈折率層は以下の方法で成膜した。
下地層は実施例４と同様の方法で成膜した。
透明金属膜は、成膜ターゲットをＧＢ１００（コベルコ科研社製：Ａｇ（９９．０ａｔ％）／Ｂｉ（１．０ａｔ％））とした以外は、実施例１と同様の方法で成膜した。
第二高屈折率層は、実施例２と同様に成膜した。
得られた積層体を実施例１と同様にパターニングした。得られた透明導電体の分光特性を図１４に示す。

（第一高屈折率層（ＺｒＯ_２））
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ_２ １ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．５Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、成膜レート０．５Å／ｓでＺｒＯ_２をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。ＺｒＯ_２の波長５７０ｎｍの光の屈折率は、２．０５であり、第一高屈折率層の波長５７０ｎｍの光の屈折率も２．０５とした。

［実施例１１］
東洋紡製ＰＥＴ（コスモシャインＡ４３００ 厚み５０μｍ）からなる透明基板上に、第一高屈折率層（Ｔａ_２Ｏ_５）／下地層（Ｐｄ）／透明金属膜（Ａｇ−Ｂｉ合金）／第二高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ_２）を順に積層した。
第一高屈折率層は以下の方法で成膜した。
下地層は実施例４と同様の方法で成膜した。
透明金属膜は、成膜ターゲットをＧＢ１００（コベルコ科研社製：Ａｇ（９９．０ａｔ％）／Ｂｉ（１．０ａｔ％））とした以外は、実施例４と同様の方法で成膜した。
第二高屈折率層は、実施例２と同様に成膜した。
得られた積層体を実施例１と同様にパターニングした。得られた透明導電体の分光特性を図１５に示す。

（第一高屈折率層（Ｔａ_２Ｏ_５））
Ｏｐｔｏｒｕｎ社のＧｅｎｅｒ １３００により、蒸着装置内の全圧が２．０×１０^−２Ｐａとなるように酸素導入し、４００ｍＡ、成膜レート４Å／ｓでＴａ_２Ｏ_５をイオンアシストせずに電子ビーム（ＥＢ）蒸着した。Ｔａ_２Ｏ_５の波長５７０ｎｍの光の屈折率は２．１６であり、第一高屈折率層の屈折率も２．１６とした。

［実施例１２］
コニカミノルタ製ＴＡＣフィルム（厚み４０μｍ）上に、第一高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ_２）／透明金属膜（ＡＰＣ合金）／第二高屈折率層（ＩＴＯ）をこの順に積層した。
第一高屈折率層は、実施例２と同様に成膜した。
透明金属膜は、実施例１と同様に成膜した。
第二高屈折率層は、実施例８の第一高屈折率層と同様に成膜した。
得られた積層体を実施例１と同様にパターニングした。得られた透明導電体の分光特性を図１６に示す。

［実施例１３］
ガラスからなる透明基板（厚み５０μｍ）上に、第一高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ_２）／透明金属膜（ＡＰＣ−ＴＲ合金）／第二高屈折率層（ＩＺＯ）を順に積層した。
第一高屈折率層及び透明金属膜は、それぞれ実施例６と同様に成膜した。
第二高屈折率層は、以下の方法で成膜した。
得られた積層体を実施例１と同様にパターニングした。得られた透明導電体の分光特性を図１７に示す。

（第二高屈折率層（ＩＺＯ））
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ_２ ５ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．３Ｐａ、室温下、ターゲット側電力３００Ｗ、成膜レート２．２Å／ｓでＩＺＯをＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。ＩＺＯの波長５７０ｎｍの光の屈折率は２．０５であり、第二高屈折率層の波長５７０ｎｍの光の屈折率も２．０５とした。ＩＺＯは、Ｉｎ_２Ｏ_３：ＺｎＯ＝９０：１０とした。

［実施例１４］
シクロオレフィンポリマーからなるフィルム（厚み１００μｍ）上に、第一高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ_２）／透明金属膜（ＡＰＣ−ＴＲ合金）／第二高屈折率層（ＧＺＯ）をこの順に積層した。
第一高屈折率層及び透明金属膜は、それぞれ実施例６と同様に成膜した。
第二高屈折率層は、以下の方法で成膜した。
得られた積層体を実施例１と同様にパターニングした。得られた透明導電体の分光特性を図１８に示す。

（第二高屈折率層（ＧＺＯ））
大阪真空社のマグネトロンスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ_２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、成膜レート１．１Å／ｓでＧＺＯをＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。
ＧＺＯの波長５７０ｎｍの光の屈折率は、２．０４であり、第二高屈折率層の波長５７０ｎｍの光の屈折率も２．０４とした。ＧＺＯは、Ｇａ_２Ｏ_３：ＺｎＯ＝５：９５とした。

［実施例１５］
ポリカーボネートからなるフィルム（厚み１００μｍ）上に、第一高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ_２）／透明金属膜（ＡＰＣ−ＳＲ合金）／第二高屈折率層（Ｎｂ_２Ｏ_５）をこの順に積層した。
第一高屈折率層及び透明金属膜は、それぞれ実施例４と同様に成膜した。
第二高屈折率層は、実施例９の第一高屈折率層と同様に成膜した。
得られた積層体を実施例１と同様にパターニングした。得られた透明導電体の分光特性を図１９に示す。

［実施例１６］
東洋紡製ＰＥＴ（コスモシャインＡ４３００ 厚み５０μｍ）からなる透明基板上に、第一高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ_２）／透明金属膜（Ａｇ−Ｂｉ−Ｇｅ−Ａｕ合金）／第二高屈折率層（ＴｉＯ_２）をこの順に成膜した。
第一高屈折率層は実施例２と同様に成膜し、透明金属膜は実施例８と同様に成膜した。
第二高屈折率層は、以下の方法で成膜した。
得られた積層体を実施例１と同様にパターニングした。得られた透明導電体の分光特性を図２０に示す。

（第二高屈折率層（ＴｉＯ_２））
Ｏｐｔｏｒｕｎ社のＧｅｎｅｒ １３００により、３２０ｍＡ、成膜レート３Å／ｓでＴｉＯ_２を、イオンアシストしながら電子ビーム（ＥＢ）蒸着した。イオンビームは電流５００ｍＡ、電圧５００Ｖ、加速電圧４００Ｖで照射した。イオンビーム装置内には、Ｏ_２ガス：５０ｓｃｃｍ、及びＡｒガス：８ｓｃｃｍを導入した。ＴｉＯ_２の波長５７０ｎｍの光の屈折率は２．３５であり、第二高屈折率層の波長５７０ｎｍの光の屈折率も２．３５とした。

［実施例１７］
コニカミノルタ製ＴＡＣフィルム（厚み４０μｍ）上に、第一高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ_２）／透明金属膜（ＡＰＣ−ＴＲ合金）／第二高屈折率層（ＩＧＺＯ）をこの順に成膜した。
第一高屈折率層は実施例２と同様に成膜し、透明金属膜は実施例６と同様に成膜した。
第二高屈折率層は、以下の方法で成膜した。
得られた積層体を実施例１と同様にパターニングした。得られた透明導電体の分光特性を図２１に示す。

（第二高屈折率層（ＩＧＺＯ））
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ_２ ５ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．３Ｐａ、室温下、ターゲット側電力３００Ｗ、成膜レート２．２Å／ｓでＩＧＺＯをＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。ＩＧＺＯの波長５７０ｎｍの光の屈折率は、２．０９であり、第二高屈折率層の波長５７０ｎｍの光の屈折率も２．０９とした。ＩＧＺＯは、Ｏ：Ｚｎ：Ｇａ：Ｉｎ＝４８．４：１３．２：２４．９：１３．６（ａｔ％比）とした。

［実施例１８］
シクロオレフィンポリマーからなるフィルム（厚み１００μｍ）上に、第一高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ_２）／透明金属膜（ＡＰＣ合金）／第二高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ_２）をこの順に積層した。
第一高屈折率層及び第二高屈折率層は、実施例２と同様に成膜した。
透明金属膜は、成膜ターゲットをＡＰＣ−ＳＲ（フルヤ金属社製）とした以外は、実施例４と同様の方法で成膜した。
得られた透明導電体の分光特性を図２２に示す。

［実施例１９］
ポリカーボネートからなるフィルム（厚み１００μｍ）上に、第一高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ_２）／透明金属膜（ＡＰＣ−ＳＲ合金）／第二高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ_２）／低屈折率層（ＳｉＯ_２）／第三高屈折率層（Ｂｉ_２Ｏ_３）をこの順に積層した。
第一高屈折率層、透明金属膜、及び第二高屈折率層は、それぞれ実施例４と同様に成膜した。
低屈折率層及び第三高屈折率層は、以下の方法で成膜した。
得られた透明導電体の分光特性を図２３に示す。

（低屈折率層（ＳｉＯ_２））
大阪真空社のマグネトロンスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ_２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力３００Ｗ、成膜レート１．６Å／ｓでＳｉＯ_２をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。ＳｉＯ_２の波長５７０ｎｍの光の屈折率は１．４６であり、低屈折率層の波長５７０ｎｍの光の屈折率も１．４６とした。

（第三高屈折率層（Ｂｉ_２Ｏ_３））
大阪真空社のマグネトロンスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ_２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、Ｂｉ_２Ｏ_３をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。Ｂｉ_２Ｏ_３の波長５７０ｎｍの光の屈折率は１．９５であり、第三高屈折率層の波長５７０ｎｍの光の屈折率も１．９５とした。

［実施例２０］
ガラスからなるフィルム（厚み５０μｍ）上に、第一高屈折率層（ＺｎＯ）／下地層（Ｐｄ）／透明金属膜（ＡＰＣ−ＴＲ合金）／第二高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ_２）／低屈折率層（ＳｉＯ_２）／第三高屈折率層（ＺｎＳ）をこの順に積層した。
第一高屈折率層、下地層、透明金属膜、及び第二高屈折率層は、それぞれ実施例７と同様に成膜した。
低屈折率層は、実施例１９と同様の方法で成膜した。
第三高屈折率層は、以下の方法で成膜した。
得られた透明導電体の分光特性を図２４に示す。

（第三高屈折率層（ＺｎＳ））
大阪真空社のマグネトロンスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ_２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、成膜レート３．８Å／ｓでＺｎＳをＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。ＺｎＳの波長５７０ｎｍの光の屈折率は、２．３７であり、第三高屈折率層の波長５７０ｎｍの光の屈折率も２．３７とした。

［実施例２１］
東洋紡製ＰＥＴ（コスモシャインＡ４３００ 厚み５０μｍ）からなる透明基板上に、第一高屈折率層（ＩＴＯ）／下地層（Ｐｄ）／透明金属膜（Ａｇ−Ｂｉ−Ｇｅ−Ａｕ合金）／第二高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ_２）をこの順に積層した。
第一高屈折率層、下地層、透明金属膜、及び第二高屈折率層は、それぞれ実施例８と同様に成膜した。
得られた透明導電体の分光特性を図２５に示す。

［実施例２２］
東洋紡製ＰＥＴ（コスモシャインＡ４３００ 厚み５０μｍ）からなる透明基板上に、第一高屈折率層（ＴｉＯ_２）／透明金属膜（Ａｇ−Ｂｉ合金）／第二高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ_２）をこの順に積層した。
第一高屈折率層は、実施例１６の第二高屈折率層と同様に成膜した。
透明金属膜は、実施例１１と同様に成膜した。
第二高屈折率層は、実施例２と同様に成膜した。
得られた透明導電体の分光特性を図２６に示す。

［実施例２３］
コニカミノルタ製ＴＡＣフィルム（厚み４０μｍ）上に、第一高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ_２）／透明金属膜（Ａｇ−Ｂｉ合金）／第二高屈折率層（ＩＴＯ）をこの順に積層した。
第一高屈折率層及び透明金属膜は、実施例１７とそれぞれ同様に成膜した。
第二高屈折率層は、実施例１２と同様に成膜した。
得られた透明導電体の分光特性を図２７に示す。

［実施例２４］
ガラスからなるフィルム（厚み５０μｍ）上に、第一高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ_２）／透明金属膜（Ａｇ−Ｇｅ合金）／第二高屈折率層（ＩＺＯ）をこの順に積層した。
第一高屈折率層は実施例２と同様に成膜した。
透明金属膜は、成膜ターゲットをＡｇ（９９．０ａｔ％）−Ｇｅ（１．０ａｔ％）合金とした以外は、実施例４と同様の方法で成膜した。
第二高屈折率層は実施例１３と同様に成膜した。
得られた透明導電体の分光特性を図２８に示す。

［実施例２５］
シクロオレフィンポリマーからなるフィルム（厚み１００μｍ）上に、第一高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ_２）／透明金属膜（Ａｇ−Ｐｄ合金）／第二高屈折率層（ＧＺＯ）をこの順に積層した。
第一高屈折率層は実施例２と同様に成膜した。
透明金属膜は、成膜ターゲットをＡｇ（９９．０ａｔ％）−Ｐｄ（１．０ａｔ％）合金とした以外は、実施例１と同様の方法で成膜した。
第二高屈折率層は実施例１４と同様に成膜した。
得られた透明導電体の分光特性を図２９に示す。

［実施例２６］
ポリカーボネートからなるフィルム（厚み１００μｍ）上に、第一高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ_２）／透明金属膜（Ａｇ−Ｃｕ合金）／第二高屈折率層（Ｎｂ_２Ｏ_５）／低屈折率層（ＳｉＯ_２）／第三高屈折率層（ＺｎＳ）をこの順に積層した。
第一高屈折率層及び第二高屈折率層は実施例１５と同様に成膜した。
透明金属膜は、成膜ターゲットをＡｇ（９５．０ａｔ％）−Ｃｕ（５．０ａｔ％）合金とした以外は、実施例４と同様の方法で成膜した。
低屈折率層及び第三高屈折率層は実施例２０と同様に成膜した。
得られた透明導電体の分光特性を図３０に示す。

［実施例２７］
東洋紡製ＰＥＴ（コスモシャインＡ４３００ 厚み５０μｍ）からなる透明基板上に、第一高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ_２）／透明金属膜（Ａｇ−Ｎｄ合金）／第二高屈折率層（ＴｉＯ_２）をこの順に積層した。
第一高屈折率層及び第二高屈折率層は実施例１６と同様に成膜した。
透明金属膜は、成膜ターゲットをＡｇ（９９．０ａｔ％）−Ｎｄ（１．０ａｔ％）合金とした以外は、実施例４と同様の方法で成膜した。
得られた透明導電体の分光特性を図３１に示す。

［実施例２８］
コニカミノルタ製ＴＡＣフィルム（厚み４０μｍ）上に、第一高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ_２）／透明金属膜（ＡＰＣ−ＴＲ合金）／第二高屈折率層（ＩＧＺＯ）をこの順に積層した。
第一高屈折率層及び第二高屈折率層は実施例１７と同様に成膜した。
透明金属膜は実施例６と同様に成膜した。
得られた透明導電体の分光特性を図３２に示す。

［実施例２９］
ポリカーボネートからなるフィルム（厚み１００μｍ）上に、第一高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ_２）／透明金属膜（Ａｇ−Ａｕ合金）／第二高屈折率層（Ｎｂ_２Ｏ_５）／低屈折率層（ＳｉＯ_２）／第三高屈折率層（ＺｎＳ）をこの順に積層した。
第一高屈折率層、第二高屈折率層、低屈折率層、第三高屈折率層は、それぞれ実施例２６の各層と同様に成膜した。
透明金属膜は成膜ターゲットをＡｇ（９８．０ａｔ％）−Ａｕ（２．０ａｔ％）合金とした以外は、実施例４と同様の方法で成膜した。

［実施例３０］
シクロオレフィンポリマーからなるフィルム（厚み１００μｍ）上に、第一高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ_２）／透明金属膜（ＡＰＣ−ＴＲ合金）／硫化防止層（ＺｎＯ）／第二高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ_２）をこの順に積層した。そして、得られた積層体を実施例１と同様にパターニングした。
第一高屈折率層及び第二高屈折率層は、それぞれ実施例２と同様に成膜した。
透明金属膜は実施例６と同様に成膜した。
硫化防止層は、実施例７の第一高屈折率層と同様に成膜した。

［実施例３１］
コニカミノルタ製ＴＡＣフィルム（厚み４０μｍ）上に、第一高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ_２）／硫化防止層（ＺｎＯ）／透明金属膜（ＡＰＣ合金）／第二高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ_２）をこの順に積層した。そして、得られた積層体を実施例１と同様にパターニングした。
第一高屈折率層及び第二高屈折率層は、それぞれ実施例２と同様に成膜した。
透明金属膜は実施例６と同様に成膜した。
硫化防止層は、実施例７の第一高屈折率層と同様に成膜した。

［実施例３２］
東洋紡製ＰＥＴ（コスモシャインＡ４３００ 厚み５０μｍ）からなる透明基板上に、第一高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ_２）／第一硫化防止層（ＺｎＯ）／透明金属膜（ＡＰＣ−ＴＲ合金）／第二硫化防止層（ＺｎＯ）／第二高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ_２）をこの順に積層した。そして、得られた積層体を実施例１と同様にパターニングした。
第一高屈折率層及び第二高屈折率層は、それぞれ実施例２と同様に成膜した。
透明金属膜は実施例６と同様に成膜した。
硫化防止層は、実施例７の第一高屈折率層と同様に成膜した。

［実施例３３］
東洋紡製ＰＥＴ（コスモシャインＡ４３００ 厚み５０μｍ）からなる透明基板上に、第一高屈折率層（ＺｎＳ系化合物）／第一硫化防止層（ＧＺＯ）／透明金属膜（ＡＰＣ−ＴＲ合金）／第二硫化防止層（ＧＺＯ）／第二高屈折率層（ＳＧＺＯ）／第三高屈折率層（ＩＴＯ）をこの順に積層した。そして、得られた積層体を実施例１と同様にパターニングした。

第一高屈折率層及び第二高屈折率層は、成膜時のターゲットを、それぞれ、ＺｎＳ化合物（ＺｎＳ・ＺｎＯ・Ｉｎ_２Ｏ_３・Ｇａ_２Ｏ_３・ＳｉＯ_２（Ｏ：Ｚｎ：Ｉｎ：Ｇａ：Ｓ：Ｓｉ（ａｔ％比）＝３５：３３：５：９：１７：１））及びＳＧＺＯ（Ｏ：Ｓ：Ｚｎ：Ｇａ（ａｔ％比）＝４８．４：０．８：４５．２：５．６）とした以外は、実施例１の第一高屈折率層と同様に成膜した。
硫化防止層は、実施例１４の第二高屈折率層と同様に成膜した。
透明金属膜は実施例６と同様に成膜した。
第三高屈折率層は、実施例８の第一高屈折率層と同様に成膜した。
得られた透明導電体の分光特性を図３６に示す。

［実施例３４］
東洋紡製ＰＥＴ（コスモシャインＡ４３００ 厚み５０μｍ）からなる透明基板上に、第一高屈折率層（ＺｎＳ系化合物）／第一硫化防止層（ＩＧＺＯ）／透明金属膜（ＡＰＣ−ＴＲ合金）／第二硫化防止層（ＩＧＺＯ）／第二高屈折率層（ＴＩＺＯ）／第三高屈折率層（ＩＴＯ）をこの順に積層した。そして、得られた積層体を実施例１と同様にパターニングした。

第一高屈折率層及び第二高屈折率層は、成膜時のターゲットを、それぞれ、ＺｎＳ・ＺｎＯ・Ｇａ_２Ｏ_３（Ｏ：Ｚｎ：Ｇａ：Ｓ（ａｔ％比）＝２９：５１：４：１６）及びＴＩＺＯ（Ｏ：Ｚｎ：Ｉｎ：Ｓｎ（ａｔ％比）＝４８：３２：１６：４）とした以外は、実施例１の第一高屈折率層と同様に成膜した。
硫化防止層は、実施例１７の第二高屈折率層と同様に成膜した。
透明金属膜は実施例６と同様に成膜した。
第三高屈折率層は、実施例８の第一高屈折率層と同様に成膜した。
得られた透明導電体の分光特性を図３７に示す。

［比較例１］
石英からなる透明基板上に、第一高屈折率層（ＺｎＳ）／透明金属膜（Ａｇ）／第二高屈折率層（ＺｎＳ）をこの順に積層した。
第一高屈折率層、透明金属膜、及び第二高屈折率層は、それぞれ以下の方法で成膜した。
得られた透明導電体の分光特性を図３３に示す。

（第一高屈折率層及び第二高屈折率層（ＺｎＳ））
第一高屈折率層及び第二高屈折率層は、それぞれシンクロン製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着機を用いて、抵抗加熱でＺｎＳからなる膜を成膜した。このときの投入電流値は２１０Ａ、成膜レートは５Å／ｓとした。

（透明金属膜（Ａｇ））
第一高屈折率層上に、シンクロン製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着機を用いて、抵抗加熱で銀を１２ｎｍ成膜した。このときの投入電流値は２１０Ａ、成膜レートは５Å／ｓとした。

［比較例２］
ＥＡＧＬＥ Ｇｌａｓｓからなる透明基板上に、第一高屈折率層（ＺｎＳ）／透明金属膜（Ａｇ）／第二高屈折率層（ＺｎＳ）を順に積層した。
第一高屈折率層、及び第二高屈折率層の成膜方法は、実施例１と同様とした。
透明金属膜は、比較例１と同様に成膜した。

［比較例３］
東洋紡製ＰＥＴ（コスモシャインＡ４３００ 厚み５０μｍ）からなる透明基板上に、第一高屈折率層（Ｎｂ_２Ｏ_５）／透明金属膜（Ａｇ）／第二高屈折率層（ＩＺＯ）を順に積層した。
各層はそれぞれ下記の方法で成膜した。
得られた透明導電体の導通領域の分光特性を図３４に示す。

（第一高屈折率層（Ｎｂ_２Ｏ_５））
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ_２ ５ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．３Ｐａ、室温下、ターゲット側電力３００Ｗ、成膜レート０．７４Å／ｓでＮｂ_２Ｏ_５をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。Ｎｂ_２Ｏ_５の波長５７０ｎｍの光の屈折率は２．３１であるが、高屈折率層の波長５７０ｎｍの光の屈折率は２．３５とした。

（透明金属膜（Ａｇ））
日本真空技術株式会社の小型スパッタ装置（ＢＣ４２７９）でＤＣスパッタした。このとき、ターゲット側電力２００Ｗとした。

（第二高屈折率層（ＩＺＯ））
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ_２ ５ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．３Ｐａ、室温下、ターゲット側電力３００Ｗ、成膜レート２．２Å／ｓでＩＺＯをＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。ＩＺＯの波長５７０ｎｍの光の屈折率は２．０５であるが、第二高屈折率層の波長５７０ｎｍの光の屈折率は１．９８とした。

［比較例４］
コニカミノルタ製ＴＡＣフィルム（透明基板）上に、第一高屈折率層（ＩＣＯ）／下地層（ＮｉＣｒ）／透明金属膜（ＡｇＡｕ）／密着層（ＮｉＣｒ）／第二高屈折率層（ＩＣＯ）／低屈折率層（ＳｉＯ_２）／フッ素系材料層（ＫＰ８０１Ｍ）を順に積層した。
低屈折率層は、実施例１２の低屈折率層と同様に成膜した。それ以外の各層は、それぞれ下記の方法で成膜した。

（第一高屈折率層及び第二高屈折率層（ＩＣＯ））
ターゲットをインジウム中にセリウムが１０原子％含まれる材料（ＩＣＯ）とした以外は、比較例３の第二高屈折率層と同様に成膜した。ＩＣＯの波長５７０ｎｍの光の屈折率は２．２であり、第一高屈折率層及び第二高屈折率層の波長５７０ｎｍの光の屈折率も２．２とした。

（下地層及び密着層（ＮｉＣｒ））
ターゲットをＮｉＣｒとした以外は、実施例５の下地層（Ｐｄ）と同様に成膜した。

（透明金属膜（ＡｇＡｕ））
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．３Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１００Ｗ、成膜レート２．５Å／ｓでＡｇ合金（Ａｇ中にＡｕが１．５原子％、Ｃｕが０．５原子％含まれる合金）をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。

（フッ素系材料層（ＫＰ８０１Ｍ））
Ｏｐｔｏｒｕｎ社のＧｅｎｅｒ １３００によって、１９０ｍＡ、成膜レート１０Å／ｓでフッ素系材料（信越化学工業社製：ＫＰ８０１Ｍ）を抵抗加熱蒸着した。

［比較例５］
東洋紡製ＰＥＴ（コスモシャインＡ４３００ 厚み５０μｍ）からなる透明基板上に、第一高屈折率層（ＩＴＯ）／透明金属膜（ＡＰＣ）／第二高屈折率層（ＩＴＯ）を順に積層した。
第一高屈折率層、及び第二高屈折率層はそれぞれ実施例１７の第一高屈折率層と同様の方法で成膜した。
透明金属膜は、下記の方法で成膜した。

（透明金属膜（ＡＰＣ））
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳを用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．３Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１００Ｗ、成膜レート２．５Å／ｓでＡｇとＰｄとＣｕとの合金（Ａｇ：Ｐｄ：Ｃｕ＝９９：１：１（質量比））をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。

［比較例６］
コーニング社製ガラス基板（＃７０５９、厚み１．１ｍｍ）からなる透明基板上に、第一高屈折率層（ａ−ＧＩＯ）／透明金属膜（Ａｇ）／第二高屈折率層（ａ−ＧＩＯ）を順に積層した。
各層はそれぞれ下記の方法で成膜した。

（第一高屈折率層及び第二高屈折率層（ａ−ＧＩＯ））
Ｏ_２ガスを混入したＡｒガス０．６Ｐａの雰囲気中、２．２Ｗ／ｃｍ^２の電力密度で、ＧａとＩｎの酸化物焼結体を直流スパッタした。導入するＯ_２ガスの割合は、８〜１２体積％とした。

（透明金属膜（Ａｇ））
Ａｒガス０．６Ｐａの雰囲気中、０．５５Ｗ／ｃｍ^２の電力密度で純度４ＮのＡｇターゲットを直流スパッタした。

［比較例７］
Ｋ９ガラス基板上に、第一高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ_２）／透明金属膜（Ａｇ）／第二高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ_２）を順に積層した。
各層はそれぞれ下記の方法で成膜した。
得られた透明導電体の導通領域の分光特性を図３５に示す。

（第一高屈折率層及び第二高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ_２））
第一高屈折率層及び第二高屈折率層は、前述の特許文献５に記載の方法と同様に成膜した。具体的には、マグネトロンスパッタにより、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２をＲＦスパッタした。ＺｎＳとＳｉＯ_２との比率（質量比）は、８０：２０であり、第一高屈折率層の屈折率は２．１４であった。

（透明金属膜（Ａｇ））
第一高屈折率層上に、前述の特許文献５に記載の方法と同様に、Ａｇターゲットを直流スパッタした。

［評価］
各実施例及び比較例で得られた透明導電体について、腐食性、フレキシブル性、光の透過率、光の反射率、光の吸収率、視感反射率、ａ＊値及びｂ＊値、並びに表面電気抵抗を測定した。結果を表１〜４に示す。さらに、透明導電体の光学アドミッタンスを算出した。値を表５〜８に示す。

（腐食評価）
実施例及び比較例で得られた透明導電体の腐食耐性を評価した。腐食耐性は、実施例または比較例で得られた透明導電体を、２個ずつ、６５℃、９５％Ｒｈ中に１００時間保存した後の外観で評価した。評価は、以下の基準とした。
○：３０ｍｍ×３０ｍｍの領域において、サイズ２０μｍ以上の腐食箇所が０個
△：３０ｍｍ×３０ｍｍの領域において、サイズ２０μｍ以上の腐食箇所が１個以上１０個未満
×：３０ｍｍ×３０ｍｍの領域において、サイズ２０μｍ以上の腐食箇所が１０個以上

（フレキシブル性評価）
実施例及び比較例で得られた透明導電体を平板状の支持部材に載置し、一端を固定した。当該透明導電体をＵ字状に屈曲させた。屈曲部の曲率半径は５ｍｍとした。そして、支持部材と平行に配置した摺動板に、透明導電体の他端を固定した。摺動板と支持部材とを平行に保ったまま、透明導電体の長さ方向に摺動板を１０００回往復移動させた。その後、透明導電体の各層にクラック等が生じたかを目視で確認した。フレキシブル性は以下のように評価した。
○：屈曲部位を含む３０ｍｍ×３０ｍｍの領域に、クラックが一つも生じなかった
△：屈曲部位を含む３０ｍｍ×３０ｍｍの領域に、１個以上５０個以下のクラックが生じた
×：屈曲部位を含む３０ｍｍ×３０ｍｍの領域に、５０個超のクラックが生じた

（光の透過率、反射率、及び吸収率の測定）
実施例１〜５、７〜１７、２２、３０〜３４の透明導電体表面については、以下のように光の透過率、反射率、及び吸収率を測定した。
各実施例で得られた透明導電体の第二高屈折率層上に、マッチングオイル（ニコン社製 屈折率＝１．５１５）を塗布した。そして、透明導電体とコーニング社製無アルカリガラス基板（ＥＡＧＬＥ ＸＧ（厚さ７ｍｍ×縦３０ｍｍ×横３０ｍｍ））とを貼り合わせた。そして、無アルカリガラス基板側から、透明導電体の透過率及び反射率を測定した。このとき、無アルカリガラス基板の表面の法線に対して、５°傾けた角度から、導通領域に測定光（例えば、波長４５０ｎｍ〜８００ｎｍの光）を入射させ、日立株式会社製：分光光度計 Ｕ４１００にて、光の透過率及び反射率を測定した。そして、吸収率は、１００−（透過率＋反射率）の計算式より算出した。

なお、反射率の測定値から、無アルカリガラス基板と大気との界面での反射（４％）、及び透明導電体の透明基板と大気との界面での反射（４％）を差し引いた値を、透明導電体の反射率とした。また、透過率についても、上記無アルカリガラス基板と大気との界面での反射、及び透明導電体の透明基板と大気との界面での反射を考慮し、透過率の測定値に８％足した値を透明導電体の透過率とした。

一方、実施例６、１８〜２１、２３〜２９、比較例１、３、及び７の透明導電体は、空気と接触して使用されるものとした。したがって、透明導電体上に、無アルカリガラス基板を貼り合わせずに、導通領域に測定光（例えば、波長４５０ｎｍ〜８００ｎｍの光）を入射させ、日立株式会社製：分光光度計 Ｕ４１００にて、光の透過率及び反射率を測定した。そして、吸収率は、１００−（透過率＋反射率）の計算式より算出した。なお、測定光は、第二高屈折率層側から入射させた。

なお、反射率の測定値から、透明導電体の透明基板と大気との界面での反射（４％）を差し引いた値を、透明導電体の反射率とした。また、透過率についても、上記透明導電体の透明基板と大気との界面での反射を考慮し、透過率の測定値に４％足した値を透明導電体の透過率とした。

（視感反射率の測定方法）
各透明導電体の視感反射率は、分光光度計（Ｕ４１００；日立ハイテクノロジーズ社製）で測定した。表中のΔＲは、導通領域の視感率と絶縁領域の視感率との差の絶対値を表す。

（導通領域のａ＊値及びｂ＊値の測定方法）
各透明導電体のＬ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるａ＊値及びｂ＊値は、日立株式会社製：分光光度計 Ｕ４１００で測定した。実施例１〜１７、及び３０〜３４については、導通領域のａ＊値及びｂ＊値をそれぞれ測定した。

（導通領域の表面電気抵抗の測定方法）
各透明導電体の導通領域に三菱化学アナリテック製のロレスタＥＰ ＭＣＰ−Ｔ３６０を接触させて、導通領域の表面電気抵抗を測定した。

（光学アドミッタンス）
実施例及び比較例で得られた透明導電体の光学アドミッタンスを特定した。透明金属の第一高屈折率層側の表面の波長５７０ｎｍの光学アドミッタンスをＹ１＝ｘ_１＋ｉｙ_１、透明金属膜の前記第二高屈折率層側の表面の波長５７０ｎｍの光学アドミッタンスをＹ２＝ｘ_２＋ｉｙ_２としたときの（ｘ_１，ｙ_１）、及び（ｘ_２，ｙ_２）の値を表に示す。
また、第一高屈折率層、透明金属膜、及び第二高屈折率層をパターニングした透明導電体については、前記透明金属膜を含む積層体（導通領域）表面の波長５７０ｎｍの光の等価アドミッタンスをＹ_Ｅ＝ｘ_Ｅ＋ｉｙ_Ｅで表し、前記透明金属膜を含まない積層体（絶縁領域）表面；つまり透明基板表面の波長５７０ｎｍの光の等価アドミッタンスをＹ_ｓｕｂ＝ｘ_ｓｕｂ＋ｉｙ_ｓｕｂで表したときの（ｘ_Ｅ，ｙ_Ｅ）、及び（ｘ_ｓｕｂ，ｙ_ｓｕｂ）の値をそれぞれ表に示す。さらに、（（ｘ_Ｅ−ｘ_ｓｕｂ）^２＋（ｙ_Ｅ）^２）^０．５の値、積層体の第二高屈折率層側の表面に接する部材の屈折率をｎ_ｅｎｖとしたときの｜（（ｘ_ｓｕｂ−ｘ_ｅｎｖ）／（ｘ_ｓｕｂ＋ｘ_ｅｎｖ））^２−（（ｘ_Ｅ−ｘ_ｅｎｖ）／（ｘ_Ｅ＋ｘ_ｅｎｖ））^２｜の値を、それぞれ表に示す。

透明導電体に含まれる層の光学アドミッタンスは、薄膜設計ソフトＥｓｓｅｎｔｉａｌ Ｍａｃｌｅｏｄ Ｖｅｒ．９．４．３７５で算出した。なお、算出に必要な各層の厚みｄ、屈折率ｎ、及び吸収係数ｋは、Ｊ．Ａ．Ｗｏｏｌｌａｍ Ｃｏ．Ｉｎｃ．製のＶＢ−２５０型ＶＡＳＥエリプソメーターで測定した。

表１〜表３に示されるように、第一高屈折率層または第二高屈折率層がＺｎＳ−ＳｉＯ_２からなるアモルファス層であったとしても、透明金属膜がＡｇ合金である場合には、波長４００〜８００ｎｍの光の平均透過率が８６．６％以上であり、波長４００〜１０００ｎｍの光の平均透過率が８０．７％以上であった（実施例１〜３４）。

これに対し、表４に示されるように、第一高屈折率層または第二高屈折率層にＺｎＳが含まれており、さらに透明金属膜がＡｇのみからなる場合（比較例１及び７）には、波長４００〜８００ｎｍの光の平均透過率が８４．２もしくは８６．８％であり、波長４００〜１０００ｎｍの光の平均透過率は８０％以下であった。第一高屈折率層または第二高屈折率層に含まれる硫黄成分によって、透明金属膜が硫化されて、光の透過性が低下したと推察される。

なお、蒸着法で透明金属膜を作製した比較例２では、連続膜が得られず、電気が導通しなかった。また、厚みが１２ｎｍになると連続膜になったものの（比較例１）、波長４００〜１０００ｎｍの光の平均反射率が８０％を下回った。金属本来の反射が生じたため、透過率が十分に高まらなかったと推察される。

一方、第二高屈折率層がＩＺＯやＩＣＯ、ＩＴＯ、ａ−ＧＩＯからなる膜では、透明金属膜が腐食した（比較例３〜６）。

また、第一高屈折率層または第二高屈折率層にＺｎＳが含まれる場合、ＺｎＳと共にＳｉＯ_２が含まれると、透明導電体のフレキシブル性が高まった。特に、第一高屈折率層または第二高屈折率層にＳｉＯ_２が１０体積％以上含まれると、透明導電体のフレキシブル性が良好であった。

本出願は、２０１３年１１月５日出願の特願２０１３−２２９２５６に基づく優先権を主張する。当該出願明細書および図面に記載された内容は、すべて本願明細書に援用される。

本発明で得られる透明導電体は、透明金属膜が硫化し難いため、光透過性が高く、さらに表面電気抵抗値が低い。したがって、各種方式のディスプレイをはじめ、タッチパネルや携帯電話、電子ペーパー、各種太陽電池、各種エレクトロルミネッセンス調光素子など様々なオプトエレクトロニクスデバイスに好ましく用いられる。

１ 透明基板
２ 第一高屈折率層
３ 透明金属膜
４ 第二高屈折率層
１００ 透明導電体

Claims (3)

1. 透明基板と、
   前記透明基板の波長５７０ｎｍの光の屈折率より、波長５７０ｎｍの光の屈折率が高い誘電性材料または酸化物半導体材料を含む第一高屈折率層と、
   ゲルマニウム、ビスマス、白金族、銅、金、モリブデン、亜鉛、ガリウム、スズ、インジウム、ネオジム、チタン、アルミニウム、タングステン、マンガン、鉄、ニッケル、イットリウム、及びマグネシウムからなる群から選ばれる一種以上の金属と銀との合金からなる透明金属膜と、
   前記透明基板の波長５７０ｎｍの光の屈折率より、波長５７０ｎｍの光の屈折率が高い誘電性材料または酸化物半導体材料を含む第二高屈折率層と、
   がこの順に積層された透明導電体であって、
   前記第一高屈折率層または前記第二高屈折率層のうち、少なくとも一方の層が、ＺｎＳと金属酸化物または金属フッ化物とを含むアモルファス層である、透明導電体。
2. 前記アモルファス層が含む前記金属酸化物が、ＳｉＯ_２である、請求項１に記載の透明導電体。
3. 前記透明金属膜が、所定の形状にパターニングされた金属パターンである、請求項１に記載の透明導電体。
   

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