JPWO2015002261A1 - 振動装置 - Google Patents

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Abstract

振動部の振動を振動部側に確実に閉じ込めることができる、振動装置を提供する。振動部2に、支持部4の第1の端部が連結されており、支持部4の第2の端部につなげられており、振動部2を囲むように枠状の基部3が設けられており、支持部4と、基部3の支持部4の第2の端部に連結されている部分との間に、屈曲振動部5を設けるように、基部3に、支持部4が延びる方向と交叉する方向に延びるスリット3aが形成されており、屈曲振動部5の両端が基部3の残りの部分に連ねられており、連ねられている部分が屈曲振動部5の固定端とされており、屈曲振動部5の支持部4の第2の端部に連結されている部分と、屈曲振動部5の固定端までの長さが、振動部2における固有振動の周波数に対応する該屈曲振動の波長をλとしたとき、λ/4とされている、振動装置1。

Description

本発明は、振動部に該振動部を支持するための支持部が連結されている振動装置に関する。
従来、共振子等として、様々な振動モードを利用した振動装置が用いられている。このような振動装置では、振動部の振動を阻害しないように振動部を支持する必要がある。
下記の特許文献1では、長さモードで振動する振動部の長さ方向に沿う面の中央に、T字状の支持部が連結されている。T字状の支持部は、第1の方向に延びる第1の部分と、第1の部分の一方の側面の中央に連結されており、第1の方向と直交する第2の方向に延びる第2の部分とを有する。この第2の部分の先端が振動部に連結されている。第1の部分の第2の部分に連結されている側の側面とは反対側の側面は、基部に設けられたスリットに臨んでいる。このスリットは、第1の部分の延びる方向に延ばされている。
このT字状の支持部では、第2の部分から伝播してきた振動が、第1の部分の上記スリットに臨んでいる部分を屈曲振動させる。第1の部分の屈曲振動する部分が振動反射部を構成している。この振動反射部の長さ、すなわち第1の方向に沿う長さは、振動部から伝搬する主振動の波長λの1/4とされている。
下記の特許文献2では、振動部の長さ方向に沿う面の中央に支持部が連結されている。支持部には、振動部を囲むように設けられた支持枠が連結されている。該支持枠が導電性接着剤などによりパッケージング材に保持されている。それによって、支持部の破損を抑制し得るとされている。また、支持部の形状をT字状などにすることにより振動の漏洩を抑制し得るとされている。
WO2010/110918 特開平10−117120号公報
特許文献1に記載の振動装置では、上記振動反射部の長さが、λ/4とされている。そのため、振動が閉じ込められず、基部側に振動が漏洩しがちであった。
また、T字状支持部の第1の部分の両端に連ねられている保持部分の面積が小さかった。そのため、T字状の支持腕と保持部分との音響インピーダンス差が小さく、十分な音響反射効果が得られなかった。
特許文献2に記載の振動装置では、支持部の形状及び寸法と、振動部において励振される振動の波長との関係については何ら考慮されていない。そのため、振動の漏洩を十分に抑制することができなかった。
本発明の目的は、振動部の振動を確実に振動部側に閉じ込めることができる、振動装置を提供することにある。
本発明に係る振動装置は、振動部と、支持部と、基部とを備える。上記支持部は、第1の端部と上記第1の端部とは反対側の第2の端部とを有する。上記支持部の上記第1の端部が上記振動部に連結されている。上記支持部は該振動部を支持している。
上記基部は、上記支持部の上記第2の端部につなげられている。上記基部は、上記振動部を囲むように設けられた枠状の形状を有する。本発明では、上記支持部と、上記支持部の第2の端部に連結されている上記基部の部分との間に、両端が固定端とされている屈曲振動部が設けられるように、上記基部に上記支持部が延びる方向と交叉する方向に延びるスリットが形成されている。
本発明では、上記屈曲振動部の両端が基部の残りの部分に連ねられており、該連ねられている部分が上記屈曲振動部の固定端とされている。
本発明では、上記屈曲振動部の上記支持部の第2の端部に連結されている部分と、該屈曲振動部の上記固定端までの長さが、上記振動部における固有振動の周波数に対応する該屈曲振動の波長をλとしたとき、λ/4とされている。
本発明に係る振動装置のある特定の局面では、全体が板状体であり、上記振動部、上記支持部及び上記基部を構成するように、上記支持部が設けられている部分を除いて上記振動部を囲む複数の貫通溝が板状体に形成されている。
本発明に係る振動装置の他の特定の局面では、上記振動部が、縮退半導体からなるSi層と、上記Si層上に積層されている励振部とを有し、該励振部が、圧電体層と、上記圧電体層に電圧を印加するための第1,第2の電極とを有する。
本発明に係る振動装置のさらに他の特定の局面では、上記振動部の外周縁と、上記基部との間の距離が、上記振動部の外周縁と上記屈曲振動部との間の距離と同等である。
本発明に係る振動装置の別の特定の局面では、上記振動部の外周縁と、上記基部との間の距離が、上記振動部の外周縁と上記屈曲振動部との間の距離よりも小さい。
本発明に係る振動装置では、屈曲振動部の両端が基部の残りの部分に連ねられており、該連ねられている部分が固定端とされているため、十分な音響反射効果が得られる。よって、振動部から伝搬してきた振動を屈曲振動部の振動により振動側に確実に反射させることができる。従って、振動部側に振動を確実に閉じ込めることが可能となる。
図1(a)は本発明の第1の実施形態に係る振動装置の平面図であり、図1(b)はその要部を示す正面断面図である。 図2は、本発明の第1の実施形態における支持部と屈曲振動部との寸法関係を説明するための部分切欠平面図である。 図3は、本発明の第2の実施形態に係る振動装置の平面図である。 図4は、本発明の第3の実施形態に係る振動装置の平面図である。 図5は、本発明の第4の実施形態に係る振動装置の平面図である。 図6は、屈曲振動部の支持部に連結されている部分と、屈曲振動部の外側の固定端との間の長さLsと、Qmとの関係を示す図である。 図7は、屈曲振動部の支持部に連結されている部分と、屈曲振動部の外側の固定端との間の長さLsと、臨界結合係数k(%)との関係を示す図である。 図8は、比較例1の振動装置の平面図である。 図9は、第1の変形例の振動装置の平面図である。
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
図1(a)は、本発明の第1の実施形態に係る振動装置の平面図である。振動装置1は、正方形板状の振動部2を有する。振動部2は、枠状の基部3に支持部4により連結されている。基部3は、特に限定されないが外周縁が正方形の形状を有している。
支持部4は、正方形板状の振動部2の1つの側面中央に連結されている。また、該側面と反対側の側面にも、支持部4が連結されている。すなわち、一対の支持部4,4が設けられている。
支持部4は、振動部2に連結されている第1の端部と、基部3に連結されている第2の端部とを有する。第2の端部は第1の端部と反対側である。
支持部4の第2の端部は、屈曲振動部5に連結されている。ここで、屈曲振動部5とは、基部3にスリット3aを設けることにより、スリット3aと支持部4との間に設けられている部分である。すなわち、基部3には、支持部4の延びる方向と直交する方向に延びるスリット3aが設けられている。言い換えれば、正方形板状の振動部2の支持部4が連結されている側面と平行な方向に延びるように、スリット3aが設けられている。
スリット3aと支持部4との間の基部部分が、屈曲振動部5を構成している。屈曲振動部5の外側縁がスリット3aに臨んでいる。反対側の縁は貫通溝6,6に臨んでいる。正方形板状の基部3に一対の貫通溝6,6を形成することにより、上記振動部2及び支持部4,4を設けることができる。
言い換えれば、振動部2は貫通溝6,6を介して、枠状の基部3に囲まれている。これにより、振動部2の外周縁と、上記基部3との間の距離が、上記振動部2の外周縁と上記屈曲振動部5との間の距離と同等に形成されている。
図1(a)に示すように、屈曲振動部5は、上記スリット3aが延びる方向に延ばされている。そして、図1(a)に破線A,Aで示す位置が屈曲振動部5の端部である。すなわち、屈曲振動部5の長さ方向端部は、屈曲振動部5のスリット3aの長さ方向端部に一致している。言い換えれば、スリット3aと貫通溝6,6との間の部分が屈曲振動部5を構成している。
本実施形態では、振動部2は、図1(b)に示す積層構造を有する。図1(b)に示すように、縮退半導体からなるSi層11上に、酸化ケイ素層12が積層されている。
縮退半導体からなるSi層11は、Siにn型ドーピング剤をドープすることにより縮退半導体とされている。この場合のドーピング濃度は、5×1019個/cm以上とされている。上記ドーピング剤については、特に限定されないが、n型のドーピング剤として、リン(P)が好適に用いられる。リン(P)を用いた場合、容易にn型の縮退半導体を製造することができる。
酸化ケイ素層12上に、励振部13が積層されている。励振部13は、圧電薄膜14と、圧電薄膜14の上面のほぼ全面に積層された第1の電極15と、下面のほぼ全面に積層された第2の電極16とを有する。ここで、これらの電極にはスリットや切欠きが設けられていてもよい。
圧電薄膜14は、厚み方向に配向している。従って、第1の電極15と第2の電極16との間に交番電界を印加することにより、励振部13が励振される。また、Si層11は、上記のように縮退半導体であるSiからなる。そのため、振動部2は、いわゆるMEMS構造を有する振動体である。
励振部13を励振させることにより、正方形板状の振動部2は、正方形板の拡がりモードで振動する。この振動特性を振動装置1で利用することができる。
また、上記正方形板の拡がり振動では、4つの側面の各中央に変位最小となる部分が位置している。本実施形態では、支持部4は、1つの側面の中央、すなわち変位最小となる部分に連結されている。従って、振動部2の振動は、支持部4に伝達され難い。加えて、本実施形態では、屈曲振動部5の作用により屈曲振動部5までの部分に振動を確実に閉じ込めることができる。それによって、振動特性を高めることができる。これを、以下において詳述する。
本実施形態では、支持部4が延びる方向と、屈曲振動部5が延びる方向とは直交している。
また、屈曲振動部5は、内側縁において貫通溝6に臨んでおり、外側縁がスリット3aに臨んでいる。従って、支持部4を経由して振動部2から振動が伝達されると、屈曲振動部5は、基部3の面方向と直交する方向に屈曲振動する。この場合、屈曲振動部5の両端は固定端である。すなわち、屈曲振動部5の破線Aで示す端部は基部3に連ねられているため、端部は固定端となる。
本実施形態では、伝搬してきた振動は屈曲振動部5の振動に変換され、屈曲振動部5と基部3との界面が屈曲振動の固定端となる。そのため、屈曲振動がこの界面で反射され、基部3側への振動の伝達を効果的に抑制することができる。
特に、破線Aで示す固定端の外側の基部部分の面積が大きいため、基部3の音響インピーダンスを高めることができる。従って、破線Aで示す部分における音響反射効率を高めることができる。それによって、振動の屈曲振動部5までの部分への閉じ込め性を高めることができる。
上記のように、屈曲振動部5の両端、すなわち固定端が基部の残りの部分に連ねられている。そのため、固定端の外側の基部部分の面積が大きくされている。この場合、固定端の外側の基部部分の面積が大きいほど好ましい。より具体的には、固定端の外側の基部の残りの部分の面積は、屈曲振動部5の面積より大きいことが望ましい。
図2は、支持部と屈曲振動部との寸法関係を説明するための部分切欠平面図である。図2では屈曲振動部5の両端を固定端として略図的に示す。
本実施形態では、上記屈曲振動部5の支持部4の第2の端部に連結されている部分と、屈曲振動部5の固定端との間の距離である長さLsは、振動部2における固有振動の周波数に対応する屈曲振動の波長をλとしたとき、λ/4とされている。よって、それによっても、振動の閉じ込め性をより一層高めることができる。
前述したように、本実施形態では、破線Aで示す固定端の外側の基部部分の面積が大きいため、音響反射効果を高めることができ、閉じ込め性を高めることができる。また、上記距離Lsがλ/4とされているため、閉じ込め性をより一層効果的に高める。これらを、図6及び図7を参照してより具体的に説明する。
上記振動装置1として、以下の仕様で振動装置1を作成した。振動部2の平面形状:150μm×150μm。
支持部4の第1の端部と第2の端部とを結ぶ方向の長さL=5μm、支持部4の幅方向寸法=5μm。
屈曲振動部5の幅方向寸法=5μm。
Si層11の厚み=10μm。Si層におけるn型ドーピング剤であるPのドーピング量=5×1019個/cm。酸化ケイ素層12の厚み:0.8μm。圧電薄膜14:窒化アルミニウム膜、厚み0.8μm。
第1,第2の電極15,16:Moからなり、厚み0.1μm。
上記振動装置1において、前述した距離Lsを種々変化させた。図6は、距離Lsと振動のQmとの関係を示し、図7は、距離Lsと振動の臨界結合係数k(%)との関係を示す図である。図6及び図7において実線は、上記実施形態の結果を示し、破線は、比較例1の結果を示す。
比較例1としては、図8に示す振動装置101を構成した。上記実施形態と同じ寸法の振動部102の対向し合う一対の側面中央に、長さ5μm及び幅方向寸法5μmの支持部の一端を連結した。この支持部104の他端に、長さが2Ls+5μmの屈曲振動部103の中央を連ねた。屈曲振動部103の両端を、屈曲振動部103の延びる方向と直交する方向であって、振動部102と反対側に延びる一対の外側支持部105に連結した。外側支持部105の幅方向寸法を5μm及び長さ方向寸法を5μmとした。その他の構成は上記実施形態と同様とした。従って、比較例1では、屈曲振動部103の両端が面積の小さな外側支持部105で支持されている点において、上記実施形態と異なる。
図6及び図7から明らかなように、上記実施形態及び比較例1において、距離Lsを変化させた場合、Qm及びkが変化することがわかる。特に、図6から明らかなように、本実施形態によれば、上記比較例1に比べ、広い範囲で、Qmを効果的に高め得ることがわかる。これは、屈曲振動部の固定端側に連ねられている部分の面積が大きくなっているためと考えられる。すなわち、音響反射効果が高められ、閉じ込め性が改善しているためと考えられる。
また、図6及び図7から明らかなように、距離Lsが変化すると、振動特性が変化する。特に、図6から、距離Lsがλ/4である0.25の場合、Qmが非常に高くなることがわかる。他方、距離Lsが0.5λすなわちλ/2付近では、Qmが著しく低下し、kも著しく低下することがわかる。
よって、本実施形態では、距離Lsがλ/4とされているため、より一層良好な振動特性を得ることができる。
なお、本実施形態では、距離Lsがλ/4とされていたが、距離Lsはλ/8〜3λ/8の範囲内であればよい。その場合には、屈曲振動部5が設けられていない場合に比べて良好な振動特性を得ることができる。また、距離Lsが0.18λ〜0.4λの範囲内にある場合、Qmが高い値で安定する。この範囲内であれば、製造バラツキによるQmの変動を小さくできるため、量産性に優れる振動装置を提供できる。
上述したように、本実施形態の振動装置1では、正方形板の拡がり振動モードの振動の変位最小となる部分に支持部4が連結されている。また、支持部4の第2の端部に屈曲振動部5が設けられている。さらに、屈曲振動部5の両端が固定端となるように屈曲振動部における上記距離Lsが上記特定の範囲とされている。そのため、振動を屈曲振動部5までの部分に確実に閉じ込めることができ、良好な振動特性を得ることができる。
第1の実施形態では、正方形板状の振動部2の一対の辺の両側に屈曲振動部5,5が設けられていたが、図3に示す第2の実施形態のように、他の一対の辺の外側にもスリット3a,3aを設け、さらに一対の屈曲振動部5,5を設けてもよい。この場合には、耐衝撃性を高めることができる。従って、より一層振動特性を高めることができる。
また、第1の実施形態及び第2の実施形態では、正方形板状の振動部2を用いたが、図4に示す第3の実施形態に係る振動装置21ように、矩形板状の振動部2Aを設けてもよい。この場合には、矩形板状の振動部2Aは、長さと幅とを有する矩形形状を有する。ここでは、幅方向寸法が変化する幅拡がり振動で、振動部2Aが振動する。このような幅拡がり変動モードを利用した振動部2Aを有する振動装置21にも、本発明を適用することができる。
さらに、図5に示す第4の実施形態に係る振動装置31のように、長さ方向を有する振動部2Bを用いてもよい。この場合には、細長いストリップ状の振動部2Bが形成されており、該振動部2Bの長さ方向に伸縮する振動モードが利用される。振動部2Bの長辺の中央に振動のノードが位置するため、該ノードに支持部4が連結されている。
図4及び図5に示したように、本発明において振動部において利用する振動モードは特に限定されない。また、上記実施形態ではSi層11上に、酸化ケイ素層12が積層されていたが、酸化ケイ素層12は積層されておらずともよい。もっとも、酸化ケイ素層12が積層されていることにより、周波数温度特性を改善することができる。なお、酸化ケイ素層12は、Si層11の両面に形成されていてもよい。その場合には、Si層の反りを抑制することができる。
さらに、図9に示す第1の変形例の振動装置41のように、振動部2の外周縁と基部3との間の距離d1が、振動部2の外周縁と屈曲振動部5との間の距離d2よりも小さくなるように貫通溝6Aを形成してもよい。この場合、固定端を示す破線Aの外側の基部3の部分Bの面積をより一層大きくすることができる。それによって、音響反射効果をより一層高めることができる。従って、閉じ込め性をより一層高めることができる。
1…振動装置
2,2A,2B…振動部
3…基部
3a…スリット
4…支持部
5…屈曲振動部
6,6A…貫通溝
11…Si層
12…酸化ケイ素層
13…励振部
14…圧電薄膜
15,16…第1,第2の電極
21…振動装置
31…振動装置
41…振動装置
本発明に係る振動装置では、屈曲振動部の両端が基部の残りの部分に連ねられており、該連ねられている部分が固定端とされているため、十分な音響反射効果が得られる。よって、振動部から伝搬してきた振動を屈曲振動部の振動により振動側に確実に反射させることができる。従って、振動部側に振動を確実に閉じ込めることが可能となる。
比較例1としては、図8に示す振動装置101を構成した。上記実施形態と同じ寸法の振動部102の対向し合う一対の側面中央に、長さ方向寸法5μm及び幅方向寸法5μmの支持部104の一端を連結した。この支持部104の他端に、長さが2Ls+5μmの屈曲振動部103の中央を連ねた。屈曲振動部103の両端を、屈曲振動部103の延びる方向と直交する方向であって、振動部102と反対側に延びる一対の外側支持部105に連結した。外側支持部105の幅方向寸法を5μm及び長さ方向寸法を5μmとした。その他の構成は上記実施形態と同様とした。従って、比較例1では、屈曲振動部103の両端が面積の小さな外側支持部105で支持されている点において、上記実施形態と異なる。
また、図6及び図7から明らかなように、距離Lsが変化すると、振動特性が変化する。特に、図6から、距離Lsがλ/4である0.25λの場合、Qmが非常に高くなることがわかる。他方、距離Lsが0.5λすなわちλ/2付近では、Qmが著しく低下し、kも著しく低下することがわかる。
また、第1の実施形態及び第2の実施形態では、正方形板状の振動部2を用いたが、図4に示す第3の実施形態に係る振動装置21ように、矩形板状の振動部2Aを設けてもよい。この場合には、矩形板状の振動部2Aは、長さと幅とを有する矩形形状を有する。ここでは、幅方向寸法が変化する幅拡がり振動で、振動部2Aが振動する。このような幅拡がり振動モードを利用した振動部2Aを有する振動装置21にも、本発明を適用することができる。

Claims (5)

  1. 振動部と、
    第1の端部と前記第1の端部とは反対側の第2の端部とを有し、前記第1の端部が前記振動部に連結されており、前記振動部を支持している支持部と、
    前記支持部の前記第2の端部につなげられており、前記振動部を囲むように設けられた枠状の基部とを備え、
    前記支持部と、前記支持部の前記第2の端部に連結されている前記基部の部分との間に、両端が固定端とされている屈曲振動部が設けられるように、前記基部に前記支持部が延びる方向と交叉する方向に延びるスリットが形成されており、
    前記屈曲振動部の両端が前記基部の残りの部分に連ねられており、該連ねられている部分が前記屈曲振動部の固定端とされており、前記屈曲振動部の前記支持部の前記第2の端部に連結されている部分と、該屈曲振動部の前記固定端までの長さが、前記振動部における固有振動の周波数に対応する該屈曲振動の波長をλとしたとき、λ/4とされている、振動装置。
  2. 全体が板状体であり、前記振動部、前記支持部及び前記基部を構成するように、前記支持部が設けられている部分を除いて前記振動部を囲む、複数の貫通溝が前記板状体に形成されている、請求項1に記載の振動装置。
  3. 前記振動部が、縮退半導体からなるSi層と、前記Si層上に積層されている励振部とを有し、該励振部が、圧電体層と、前記圧電体層に電圧を印加するための第1,第2の電極とを有する、請求項1または2に記載の振動装置。
  4. 前記振動部の外周縁と、前記基部との間の距離が、前記振動部の外周縁と前記屈曲振動部との間の距離と同等である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の振動装置。
  5. 前記振動部の外周縁と、前記基部との間の距離が、前記振動部の外周縁と前記屈曲振動部との間の距離よりも小さい、請求項1〜3のいずれか1項に記載の振動装置。
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