JPWO2014171056A1 - 薄膜半導体装置、有機el表示装置、及びそれらの製造方法 - Google Patents
薄膜半導体装置、有機el表示装置、及びそれらの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2014171056A1 JPWO2014171056A1 JP2015512289A JP2015512289A JPWO2014171056A1 JP WO2014171056 A1 JPWO2014171056 A1 JP WO2014171056A1 JP 2015512289 A JP2015512289 A JP 2015512289A JP 2015512289 A JP2015512289 A JP 2015512289A JP WO2014171056 A1 JPWO2014171056 A1 JP WO2014171056A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- aluminum oxide
- semiconductor device
- protective layer
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 281
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 156
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 42
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 565
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 264
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 173
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 55
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 68
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 47
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 18
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 12
- 229910017107 AlOx Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 abstract description 174
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 40
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 40
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 37
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 36
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 36
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 34
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 33
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 28
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 28
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 28
- 230000008569 process Effects 0.000 description 28
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 26
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 22
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 18
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 17
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 17
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 15
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 15
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 12
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 11
- 238000000560 X-ray reflectometry Methods 0.000 description 10
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 10
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 10
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 6
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 6
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 5
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 5
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 5
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 4
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 4
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 4
- 239000013074 reference sample Substances 0.000 description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 3
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 3
- 125000000896 monocarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 3
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 3
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018503 SF6 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- MGRWKWACZDFZJT-UHFFFAOYSA-N molybdenum tungsten Chemical compound [Mo].[W] MGRWKWACZDFZJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000012764 semi-quantitative analysis Methods 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004876 x-ray fluorescence Methods 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
- H01L21/02175—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal
- H01L21/02178—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal the material containing aluminium, e.g. Al2O3
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02266—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by physical ablation of a target, e.g. sputtering, reactive sputtering, physical vapour deposition or pulsed laser deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
- H01L21/76877—Filling of holes, grooves or trenches, e.g. vias, with conductive material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
- H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
- H01L21/84—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being other than a semiconductor body, e.g. being an insulating body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/5226—Via connections in a multilevel interconnection structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/24—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only semiconductor materials not provided for in groups H01L29/16, H01L29/18, H01L29/20, H01L29/22
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66969—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies not comprising group 14 or group 13/15 materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
- H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
- H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
- H01L21/32134—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by liquid etching only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/46—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428
- H01L21/461—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/465—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/351—Thickness
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
Description
本発明の一態様に係る薄膜半導体装置は、酸化アルミニウムを含む膜と、前記基板と前記酸化アルミニウムを含む膜との間に設けられた酸化物半導体層と、を備え、前記酸化アルミニウムを含む膜には、前記酸化物半導体層と電気的に接続される引き出し電極が埋め込まれた貫通孔が少なくとも1つ設けられ、酸化アルミニウムで構成され、前記酸化アルミニウムを含む膜の膜密度は2.80g/cm3以上3.25g/cm3以下である、ことを特徴とする。
<<実施の形態1>>
まず、本発明の実施の形態1に係る薄膜半導体装置10及び薄膜半導体装置10の製造方法について、図1〜図3を用いて説明する。なお、ここでは、薄膜半導体装置10としてTFTを例に挙げて説明する。
<薄膜半導体装置10の構成>
図1は、本発明の実施の形態1に係る薄膜半導体装置10の構成を模式的に示した断面図である。
以下、本実施の形態に係る薄膜半導体装置10の各構成要素について詳述する。
<薄膜半導体装置10の各構成要素>
(基板1)
基板1は、例えば、石英ガラス、無アルカリガラス、高耐熱性ガラス等のガラス材料で構成されるガラス基板である。なお、ガラス基板の中に含まれるナトリウムやリン等の不純物が酸化物半導体層4に侵入することを防止するために、基板1上にシリコン窒化膜(SiNx)、酸化シリコン(SiOy)又はシリコン酸窒化膜(SiOyNx)等からなるアンダーコート層を形成してもよい。アンダーコート層の膜厚は、例えば、100nm〜2000nm程度とする。
(ゲート電極2)
ゲート電極2は、基板1上に形成される。ゲート電極2は、導電性材料及びその合金等を用いた単層構造又は多層構造とすることができ、例えば、モリブデン(Mo)、アルミニウム(Al)、銅(Cu)、タングステン(W)、チタン(Ti)、クロム(Cr)、及びモリブデンタングステン(MoW)等により構成することができる。また、ゲート電極2は、酸化インジウム錫(ITO)、アルミニウムドープ酸化亜鉛(AZO)及びガリウムドープ酸化亜鉛(GZO)等の透明導電膜から構成されてもよい。ゲート電極2の膜厚は、例えば、20nm〜500nm程度とすることができる。
(ゲート絶縁膜3)
ゲート絶縁膜3は、ゲート電極2上に形成される。薄膜半導体装置10では、ゲート絶縁膜3は、ゲート電極2を覆うように基板1上の全面に形成される。ゲート絶縁膜3は、例えば、酸化シリコン(SiOy)、窒化シリコン(SiNx)、シリコン酸窒化膜(SiOyNx)、酸化アルミニウム(AlOz)、酸化タンタル(TaOw)、酸化ハフニウム(HfOx)を用いた単層構造又はこれらの積層構造等により構成することができる。積層構造により構成する場合、ゲート絶縁膜3は、例えば、酸化シリコン膜と窒化シリコン膜との二層構造とすることができる。
(酸化物半導体層4)
酸化物半導体層4は、ゲート絶縁膜3上に形成される半導体膜であって、チャネル領域を有する。酸化物半導体層4は、例えば、インジウム(In)、ガリウム(Ga)、及び亜鉛(Zn)のうち少なくとも1種を含む酸化物半導体によって構成される。このような酸化物半導体としては、例えば、アモルファス酸化インジウムガリウム亜鉛(IGZO、InGaZnO)が挙げられる。酸化物半導体層4の膜厚は、例えば、20nm〜200nm程度とすることができる。
(チャネル保護層5)
チャネル保護層5は、酸化物半導体層4のチャネル領域を保護する保護膜であって、酸化物半導体層4を覆うように全面に形成される。チャネル保護層5は、ソース電極6s及びドレイン電極6dを形成するときのエッチング処理時に、酸化物半導体層4のチャネル領域がエッチングされることを防止する目的で設けられるチャネルエッチングストッパ(CES)層として機能する。仮に酸化物半導体層にエッチングダメージが入ると、酸化物半導体層の表面に酸素欠損した層が形成される。この酸素欠損した層のキャリア濃度が非常に高いため、エッチングダメージが入った酸化物半導体層は導電化される。このような状態のままでは、TFTはトランジスタとして動作しない。そのため、酸化物半導体を用いたTFTにおいては、酸化物半導体層のチャネル領域にエッチングダメージの入らない構造にすることが有効となる。
(ソース電極6s、ドレイン電極6d)
ソース電極6s及びドレイン電極6dは、それぞれ酸化物半導体層4のチャネル領域の上方にチャネル保護層5を介して形成される。また、ソース電極6s及びドレイン電極6dは、間隔をあけて対向配置されることにより、酸化物半導体層4と電気的に接続されている。すなわち、ゲート電極2に電圧が印加されると、ソース電極6s及びドレイン電極6dから酸化物半導体層4にキャリアが移動する。
(保護層7)
保護層7は、ソース電極6s及びドレイン電極6d上に形成される。薄膜半導体装置10では、保護層7は、ソース電極6s及びドレイン電極6dを覆うように全面に形成される。保護層7の具体的な構成は、第一保護層7a、第二保護層7b、及び第三保護層7cの三層構造としている。第一保護層7aは、ソース電極6s及びドレイン電極6dとの密着性がよく、膜中に水素の含有量が少ない膜が好ましい。そのため、第一保護層7aは、例えば、酸化シリコン膜により構成される。第二保護層7bは、酸化物半導体層4への水素の侵入に対してバリア性を有する膜が好ましい。そのため、第二保護層7bは、例えば、酸化アルミニウム膜(酸化アルミニウムを含む膜)により構成される。第二保護層7bとして用いる酸化アルミニウム膜として、好ましい物性については、後述する。第三保護層7cは、水分等のバリア性を有し、引き出し電極8を埋め込むための貫通孔を形成する加工性を確保できる膜が好ましい。そのため、第三保護層7cは、例えば、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸窒化シリコン膜を用いた単層構造又はこれらの積層構造等によって構成することができる。保護層7の合計膜厚は、例えば、200nm〜1000nmとすることができる。
(引き出し電極8)
引き出し電極8は、保護層7に設けられたコンタクトホールに埋め込まれている。また、引き出し電極8は、下部8bがソース電極6s及びドレイン電極6dに接触することにより、ソース電極6s及びドレイン電極6dと電気的に接続される。これにより、酸化物半導体層4は、引き出し電極8と電気的に接続されることとなる。なお、図面には現れていないが、薄膜半導体装置10は、ゲート電極2と電気的に接続される引き出し電極(不図示)を備える。
<薄膜半導体装置10の製造方法>
以下、薄膜半導体装置10の製造方法について、図2、図3を用いて説明する。図2(a)〜図3(c)は、本発明の実施の形態1に係る薄膜半導体装置10の製造方法における各工程の構成を模式的に示した断面図である。
(基板1、ゲート電極2、及びゲート絶縁膜3の形成工程)
まず、図2(a)に示すように、基板1上にゲート電極2を形成する。具体的には、基板1としてガラス基板を準備した後、基板1上にゲート電極2を形成する。以下、ゲート電極2の形成工程について、詳しく述べる。
(酸化物半導体層4及びチャネル保護層5の形成工程)
図2(c)に示すように、ゲート絶縁膜3上に、酸化物半導体層4を形成する。酸化物半導体層4は、例えば、IGZO膜により構成される。具体的には、IGZO膜は、スパッタリング法等によって成膜することができる。例えば、組成比In:Ga:Zn=1:1:1のターゲット材を用いて、酸素雰囲気でスパッタリングすることによって、アモルファスIGZO膜が成膜される。更に、大気雰囲気で、アモルファスIGZO膜を200℃〜500℃程度の熱処理をすることによって、TFT特性が改善する。フォトリソグラフィー法及びウェットエッチング法を用いてアモルファスIGZO膜をパターニングすることにより、酸化物半導体層4を形成することができる。IGZO膜のウェットエッチングは、例えば、リン酸(HPO4)、硝酸(HNO3)、酢酸(CH3COOH)及び水を混合した薬液を用いて行うことができる。
(ソース電極6s及びドレイン電極6dの形成工程)
図3(a)に示すように、チャネル保護層5上に、ソース電極6s及びドレイン電極6dを形成する。
(保護層7の形成工程)
図3(b)に示すように、ソース電極6s及びドレイン電極6dが形成された基板1上を覆って保護層材料7´を堆積する。例えば、保護層材料7´は、酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、窒化シリコン膜が順に堆積されている。具体的には、第一保護層材料7a´である酸化シリコン膜は、例えば、プラズマCVD等によって成膜する。第一保護層材料7a´の膜厚は、例えば、50nm〜500nm程度である。第二保護層材料7b´である酸化アルミニウムは、例えば、スパッタリング法により堆積する。酸化アルミニウム膜により構成される第二保護層材料7b´の成膜には、例えば、反応性スパッタリング装置が用いられる。ターゲットにはアルミニウムが用いられ、プロセスガスにはアルゴンガス(Ar)とO2等が用いられる。ガス流量、圧力、印加電力及び周波数等の装置パラメーターは、基板サイズ、設定膜厚等によって適宜設定される。なお、酸化アルミニウムをターゲットとして用いることもできる。この場合、プロセスガスにはアルゴンガスが用いられる。第二保護層材料7b´の膜厚は、例えば、2nm〜50nm程度である。第三保護層材料7c´である窒化シリコン膜は、例えば、プラズマCVD等によって成膜する。第三保護層材料7c´の膜厚は、例えば、50nm〜700nm程度である。保護層材料7´の全体膜厚は、配線間におけるショートを抑制し、段差等を考慮して、300nm〜700nm程度が好ましい。
(保護層7へのコンタクトホール形成工程)
図3(c)に示すように、保護層材料7´上にレジスト9を配置する。レジスト9におけるソース電極6s及びドレイン電極6dの一部を覆う部分には、開口が設けられている。レジスト9は、例えば、レジスト材料を保護層材料7´上に積層した後、フォトリソグラフィー法を用いて露光することにより形成される。レジスト材料としては、ネガ型レジスト材料やポジ型レジスト材料等を用いることができる。レジスト9は、以下の工程で行うドライエッチング及びウェットエッチングの際のマスクとして機能する。
(引き出し電極8形成工程)
最後に、図4(b)に示すように、保護層7上に、引き出し電極8を形成する。具体的には、コンタクトホールの形成された保護層7上に、Mo膜、Cu膜が順に堆積された引き出し金属膜をスパッタリング法によって成膜する。フォトリソグラフィー法を用いて形成したレジストをマスクとして、ウェットエッチング法を用いて引き出し金属膜をエッチングすることにより、引き出し電極8を形成することができる。Mo膜、Cu膜のウェットエッチングは、例えば、過酸化水素水(H2O2)、及び有機酸を混合した薬液を用いて行うことができる。
<薄膜半導体装置10の第二保護層7bの詳細構成>
以下、薄膜半導体装置10の第二保護層7bの構成について、図5〜図16を用いて説明する。
(第二保護層7bの膜密度の好適範囲)
まず、薄膜半導体装置10における第二保護層7bの膜密度の好適範囲について検討する。
(第二保護層7bの膜密度の測定)
図7は、上述した製造方法で製造した薄膜半導体装置10における、第二保護層7bである酸化アルミニウム膜のXRR(X線反射率法)測定結果及び解析結果を示す図である。XRR測定結果と、膜密度、膜厚及び表面ラフネスをパラメーターとしたシミュレーション結果とを比較し、シミュレーションパラメーターを最適化することで、酸化アルミニウムの膜密度を求めることができる。
(第二保護層7bの膜密度の最適範囲)
ところで、薄膜半導体装置10を量産する場合、第二保護層7bを形成する工程で、成膜条件に誤差が出てしまう場合がある。これについて検討した結果、成膜条件の誤差に対する、第二保護層7bの膜密度の変化の大きさは、第二保護層7bである酸化アルミニウム膜の膜密度の目標値により異なることが分かった。これにより、薄膜半導体装置10における第二保護層7bの膜密度の最適範囲を、「成膜条件の誤差に対する、第二保護層7bの膜密度の変化の大きさが小さくなる範囲」として定めた。以下、具体的に第二保護層7bの膜密度の最適範囲について詳述する。
(酸化アルミニウム膜の屈折率)
図11は、酸化アルミニウム膜の屈折率と、酸化アルミニウム膜の膜密度との関係を示す図である。ここで、同図に示す各データは、図5で示されたものと同じサンプルにおける屈折率の測定値である。また、図11における縦軸は波長633nmにおける酸化アルミニウム膜の屈折率を示しており、横軸は酸化アルミニウム膜の膜密度を示している。
(酸化アルミニウム膜の膜厚)
図12は、薄膜半導体装置10における酸化物半導体層4であるIGZO膜のシート抵抗値と、酸化アルミニウム膜の膜厚との関係を示す図である。ここで、IGZO膜のシート抵抗値測定は、例えば、IGZO膜上に金属電極パターンを形成し、更にSiO保護膜及び異なる厚みの酸化アルミニウム膜を形成後、水素を含む保護膜を成膜したサンプルの、シート抵抗値を測定することで行った。また、同図における縦軸はIGZO膜のシート抵抗値を示しており、横軸は酸化アルミニウム膜の膜厚を示している。
(酸化アルミニウム膜の構造)
図13は、本実施の形態に係る酸化アルミニウム膜の規格化したウェットエッチングレートと、酸化アルミニウム膜の成膜条件との関係を示す図である。ここで、酸化アルミニウム膜のウェットエッチングレートは、図5と同様に、基準サンプルで規格化した値である。また、図13における縦軸は酸化アルミニウム膜の規格化ウェットエッチングレートを示しており、横軸は酸化アルミニウム膜の成膜条件を示している。as−depoは、成膜直後でアニールしていないサンプルを示し、500℃、600℃、700℃、800℃は、それぞれの温度でアニールした後のサンプルを示す。なお、500℃、600℃、700℃、800℃のアニールは、アニール処理をそれぞれ20分間ずつ行なっている。
(考察)
上述のように、酸化アルミニウム膜に加工性及び水素バリア性を確保するための膜密度の範囲は、2.80g/cm3以上3.25g/cm3以下である。一方、酸化アルミニウム膜の膜密度が2.80g/cm3以上3.25g/cm3以下であっても、種々の要素により酸化アルミニウム膜の性質が異なる可能性がある。以下、これについて考察する。
(酸化アルミニウム膜の屈折率についての考察)
酸化アルミニウム膜の膜密度は、単に単位体積当たりの質量で定義される物理量なので、AlOxの原子の緻密性や組成比xを反映しているとは言えるものの、原則、結晶構造かアモルファス構造かを反映するものではない。同じ膜密度の酸化アルミニウム膜であっても、結晶構造のものと、アモルファス構造のものとがあると考えられる。そして、結晶構造の酸化アルミニウム膜の屈折率と、アモルファス構造の酸化アルミニウム膜の屈折率とは異なることが知られている。また、X線回折測定の説明でも上述したように、アモルファス構造の酸化アルミニウム膜の加工性は、結晶構造の酸化アルミニウム膜の加工性と異なるという結果が得られている。従って、同じ膜密度の酸化アルミニウム膜であっても屈折率が異なれば、結晶構造であるかアモルファス構造であるかが異なり、それに伴い加工性が異なる可能性がある。
(酸化アルミニウム膜の組成)
本実施の形態1に係る酸化アルミニウム膜に含まれるAlOxの組成について検討するために、酸化アルミニウム膜をArガスでエッチングしつつ、XPS(X線蛍光分析法)でスペクトル測定を行った。なお、酸化アルミニウム膜の膜厚は35nmである。当該解析の結果、深さ0nm、9nm、19nm、28.8nmでのAlOxのスペクトルを得た。各スペクトルから半定量解析を行うことで、OとAlとの相対強度を得て、酸化アルミニウム膜に含まれるOの原子数比と、酸化アルミニウム膜に含まれるAlの原子数比とを求めた。図15は、当該酸化アルミニウム膜に含まれるAlOxの膜厚方向の深さと組成との関係を示すグラフである。グラフの横軸が膜厚方向の深さを示し、グラフの縦軸がOとAlとの原子数比を示す。深さ0nm、9nm、19nm、28.8nmでのアルミニウムの原子数比は、それぞれ32.92atm%、34.86atm%、35.02atm%、35.05atm%である。そのため、アルミニウムは、32.92atm%以上35.05atm%以下の比率を取るといえる。また、深さ0nm、9nm、19nm、28.8nmでの酸素の原子数比は、それぞれ58.96atm%、64.62atm%、64.50atm%、64.81atm%である。そのため、酸素は58.96atm%以上64.81atm%以下の比率を取るといえる。
(酸化アルミニウム膜の層構造)
図16は、本実施の形態1に係る酸化アルミニウム膜を含む三層構造の保護層の断面TEM(Transmission Electron Microscope)画像である。同図には、酸化シリコン膜7a(第1保護層)と、酸化アルミニウム膜7b(第2保護層)と、酸化シリコン膜7c(第3保護層)と、が現れている。なお、同図は、厚さ30nmの酸化アルミニウム膜の近傍を撮像したものである。酸化アルミニウム膜7bは、厚み方向に視ると、どの箇所においても濃淡の差がほぼ無く一定の濃さで現れている。一般的に、酸化アルミニウム膜の膜密度が小さいとTEM画像では薄く現れ、酸化アルミニウム膜の膜密度が大きいとTEM画像では濃く現れる。そのため、酸化アルミニウム膜7bの厚み方向の膜密度は膜全体で一定であり、酸化アルミニウム膜7bは単層構造である。ところで、酸化アルミニウム膜には、膜密度が等しい一層のみからなる単層構造のものと、膜密度が異なる複数の層からなる多層構造のどちらも作製可能である。第二保護層7bを構成する酸化アルミニウム膜は、単層構造である。そのため、第二保護層7bを構成する酸化アルミニウム膜は、多層構造の酸化アルミニウム膜と比べて、膜厚方向における加工性や水素バリア性が均一である。従って、第二保護層7bを構成する酸化アルミニウム膜では、膜厚方向において良好な加工性を確保できる。そのため、当該酸化アルミニウム膜に貫通孔を設けるためにウェットエッチングを行う際、当該酸化アルミニウム膜の表面から底面まで同一の薬液でウェットエッチングを行うことができる。また、第二保護層7bを構成する酸化アルミニウム膜では、膜厚方向において良好な水素バリア性を確保できる。そのため、酸化物半導体層に水素が入り込むことを抑制できる。
<薄膜半導体装置の実証>
本発明の実施の形態1に係る薄膜半導体装置を実際に作成し、その効果について実証した。まず、図1の記号を用いて、薄膜半導体装置の構成について説明する。
<<実施の形態2>>
次に、本発明の実施の形態2に係る薄膜半導体装置20及び薄膜半導体装置20の製造方法について説明する。
<薄膜半導体装置20の構成>
図18は、薄膜半導体装置20の構成を模式的に示した断面図である。実施の形態2は、実施の形態1に対して、水素のバリアを目的とした保護層11bがチャネル保護層11の中に含まれている点が異なる。また、保護層11bは、薄膜半導体装置10における第二保護層7bと同じ酸化アルミニウム膜で構成される。なお、同図において、図1に示す構成要素と同じ構成要素については同じ符号を付している。
<薄膜半導体装置20の製造方法>
次に、本発明の実施の形態2に係る薄膜半導体装置20の製造方法について、図19(a)〜図21(c)を用いて説明する。図19(a)〜図21(c)は、薄膜半導体装置20の製造方法における各工程の構成を模式的に示した断面図である。
<効果>
薄膜半導体装置20は、薄膜半導体装置10における第二保護層7bと同じく、膜密度が2.80g/cm3以上3.25g/cm3以下である酸化アルミニウム膜を、第二チャネル保護層11bとしてチャネル保護層11に含んだ構成である。そのため、酸化物半導体層4への水素の侵入を抑制しつつ、加工性を向上させることができる。更に、薄膜半導体装置20では、第二チャネル保護層11bを用いることで、適切なエッチングレートを確保することができるため、量産性のある製造方法を実現することができる。
<<実施の形態3>>
次に、本発明の実施の形態3に係る薄膜半導体装置30について説明する。
<薄膜半導体装置30の構成>
実施の形態3は、保護層7における第二保護層7bとして実施の形態1で示したものと同じ酸化アルミニウム膜を用いている。一方、薄膜半導体装置30は、図1の薄膜半導体装置10に対して、チャネルエッチング型TFTである点が異なる。図22は、薄膜半導体装置30の構成を模式的に示した断面図である。なお、同図において、図1に示す構成要素と同じ構成要素については同じ符号を付している。
<<実施の形態4>>
本発明の実施の形態4に係る薄膜半導体装置40の構成について説明する。
<薄膜半導体装置40の構成>
図23は、薄膜半導体装置40の構成を模式的に示した断面図である。実施の形態4は、保護層7における第二保護層7bとして、実施の形態1で示したものと同じ酸化アルミニウム膜を用いている。一方、薄膜半導体装置40は、図1の薄膜半導体装置10に対して、トップゲート型TFTである点が異なる。なお、同図において、図1に示す構成要素と同じ構成要素については同じ符号を付している。
<<実施の形態5>>
次に、本発明の実施の形態5に係る表示装置について説明する。本実施の形態は、上記の実施の形態1に係る薄膜半導体装置10を表示装置に適用した例である。なお、本実施の形態では、有機EL表示装置への適用例について説明する。
<<変形例>>
以上、本発明に係る薄膜半導体装置及びその製造方法等について、実施の形態に基づいて説明したが、本発明は、上記の実施の形態に限定されるものではない。例えば、各実施の形態に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で各実施の形態における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本発明に含まれる。
<基板>
上記実施の形態等では、基板としてガラス基板を用いた。しかしながら、これに限らず、例えば、プラスティック基板等を用いてもよい。また、基板が水素を通す材料で構成される場合には、基板と酸化物半導体層との間に水素保護膜を設ければよい。
<薄膜半導体装置>
上記実施の形態等では、薄膜半導体装置の例として、薄膜トランジスタを挙げて説明した。しかしながら、これに限らず、本発明の薄膜半導体装置は、基板と酸化アルミニウムを含む膜との間に酸化半導体層が設けられ、酸化アルミニウムを含む膜に貫通孔が設けられる薄膜半導体装置であればよい。例えば、2つの電極に酸化物半導体層が挟まれた薄膜太陽電池等にも、本発明を利用することができる。
2 ゲート電極
3 ゲート絶縁膜
4 酸化物半導体層
5、11 チャネル保護層
6s ソース電極
6d ドレイン電極
7、12 保護層
7a 第一保護層
7b 第二保護層
7c 第三保護層
8 引き出し電極
10、20、30、40 薄膜半導体装置
11a 第一チャネル保護層
11b 第二チャネル保護層
11c 第三チャネル保護層
50 有機EL表示装置
51 絶縁層
52 下部電極
53 隔壁層
54 有機EL層
55 上部電極
56 パッシベーション層
61 駆動トランジスタ
62 スイッチングトランジスタ
64 コンデンサ
67 信号線
68 選択線
69 電源線
Claims (11)
- 基板と、
酸化アルミニウムを含む膜と、
前記基板と前記酸化アルミニウムを含む膜との間に設けられた酸化物半導体層と、
を備え、
前記酸化アルミニウムを含む膜には、前記酸化物半導体層と電気的に接続される引き出し電極が埋め込まれた貫通孔が少なくとも1つ設けられ、
前記酸化アルミニウムを含む膜の膜密度は2.80g/cm3以上3.25g/cm3以下である、
薄膜半導体装置。 - 前記酸化アルミニウムを含む膜の膜密度は2.85g/cm3以上2.95g/cm3以下である、
請求項1に記載の薄膜半導体装置。 - 前記酸化アルミニウムを含む膜に含まれる酸化アルミニウムAlOxにおいて、
1.5<x<2.0である、
請求項1に記載の薄膜半導体装置。 - 前記酸化アルミニウムを含む膜に含まれる酸化アルミニウムAlOxにおいて、
1.79≦x≦1.85である、
請求項3に記載の薄膜半導体装置。 - 前記酸化アルミニウムを含む膜を構成する酸化アルミニウムは、アモルファス構造である、
請求項1に記載の薄膜半導体装置。 - 前記酸化アルミニウムを含む膜の屈折率は、1.58以上1.66以下である、
請求項1に記載の薄膜半導体装置。 - 前記酸化アルミニウムを含む膜の膜厚は、3nm以上30nm以下である、
請求項1に記載の薄膜半導体装置。 - 前記酸化アルミニウムを含む膜は、単層構造である、
請求項1に記載の薄膜半導体装置。 - 請求項1に記載の薄膜半導体装置における前記酸化アルミニウムを含む膜の上方に、前記引き出し電極と電気的に接続された下部電極、有機発光材料を含む発光層、及び上部電極を含む有機EL素子が設けられている、
有機EL表示装置。 - 基板を準備する工程と、
前記基板の上方に酸化物半導体層を形成する工程と、
前記酸化物半導体層の上方に、酸化アルミニウムを含む膜を形成する工程と、
前記酸化アルミニウムを含む膜に、少なくとも1つの貫通孔を形成する工程と、
前記酸化アルミニウムを含む膜に設けられた貫通孔に、前記酸化物半導体層と電気的に接続される引き出し電極を埋め込む工程と、
を含み、
前記酸化アルミニウムを含む膜の膜密度は2.80g/cm3以上3.25g/cm3以下である、
薄膜半導体装置の製造方法。 - 基板を準備する工程と、
前記基板の上方に酸化物半導体層を形成する工程と、
前記酸化物半導体層の上方に、酸化アルミニウムを含む膜を形成する工程と、
前記酸化アルミニウムを含む膜に、少なくとも1つの貫通孔ホールを形成する工程と、
前記酸化アルミニウムを含む膜に設けられた貫通孔に、前記酸化物半導体層と電気的に接続される引き出し電極を埋め込む工程と、
前記酸化アルミニウムを含む膜の上方に、前記引き出し電極と電気的に接続された下部電極、有機発光材料を含む発光層、及び上部電極を含む有機EL素子を形成する工程と、
を含み、
前記酸化アルミニウムを含む膜の膜密度は2.80g/cm3以上3.25g/cm3以下である、
有機EL表示装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013088573 | 2013-04-19 | ||
JP2013088573 | 2013-04-19 | ||
PCT/JP2014/001303 WO2014171056A1 (ja) | 2013-04-19 | 2014-03-07 | 薄膜半導体装置、有機el表示装置、及びそれらの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2014171056A1 true JPWO2014171056A1 (ja) | 2017-02-16 |
JP6142331B2 JP6142331B2 (ja) | 2017-06-07 |
Family
ID=51731023
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015512289A Active JP6142331B2 (ja) | 2013-04-19 | 2014-03-07 | 薄膜半導体装置、有機el表示装置、及びそれらの製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9431468B2 (ja) |
JP (1) | JP6142331B2 (ja) |
WO (1) | WO2014171056A1 (ja) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI573277B (zh) | 2011-05-05 | 2017-03-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
US9893088B2 (en) * | 2013-05-29 | 2018-02-13 | Joled Inc. | Thin film transistor device, method for manufacturing same and display device |
JP6082912B2 (ja) * | 2013-10-03 | 2017-02-22 | 株式会社Joled | 薄膜トランジスタ基板の製造方法 |
WO2016006530A1 (ja) * | 2014-07-11 | 2016-01-14 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法、ならびに液晶表示装置 |
US10269832B2 (en) * | 2014-10-10 | 2019-04-23 | Joled Inc. | Thin film transistor substrate, method for manufacturing thin film transistor substrate, and display panel |
JP6519073B2 (ja) * | 2014-12-03 | 2019-05-29 | 株式会社Joled | 薄膜トランジスタ及びその製造方法、並びに、表示装置 |
CN104576760A (zh) * | 2015-02-02 | 2015-04-29 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置 |
JP6985812B2 (ja) * | 2016-05-04 | 2021-12-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | トランジスタの作製方法 |
JP7078354B2 (ja) * | 2016-05-04 | 2022-05-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及びその作製方法 |
US9881956B2 (en) | 2016-05-06 | 2018-01-30 | International Business Machines Corporation | Heterogeneous integration using wafer-to-wafer stacking with die size adjustment |
JP6725317B2 (ja) | 2016-05-19 | 2020-07-15 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
JP7007080B2 (ja) | 2016-07-19 | 2022-02-10 | 株式会社ジャパンディスプレイ | Tft回路基板 |
CN111052379A (zh) * | 2017-09-29 | 2020-04-21 | 英特尔公司 | 带有后端晶体管的铁电电容器 |
DE112017007860T5 (de) * | 2017-09-29 | 2020-04-30 | Intel Corporation | Ladungsfangschicht in dünnfilmtransistoren mit rückseitigem gate |
KR20200143562A (ko) * | 2019-06-13 | 2020-12-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막트랜지스터 기판 및 이를 구비한 디스플레이 장치 |
JPWO2021019334A1 (ja) * | 2019-07-26 | 2021-02-04 | ||
JP2020181985A (ja) * | 2020-06-25 | 2020-11-05 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
US20240057403A1 (en) * | 2020-12-29 | 2024-02-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007073703A (ja) * | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード |
JP2010114413A (ja) * | 2008-10-08 | 2010-05-20 | Sony Corp | 薄膜トランジスタおよび表示装置 |
WO2011004717A1 (ja) * | 2009-07-06 | 2011-01-13 | シャープ株式会社 | コンタクトホール形成方法 |
JP2011222767A (ja) * | 2010-04-09 | 2011-11-04 | Sony Corp | 薄膜トランジスタならびに表示装置および電子機器 |
JP2013020691A (ja) * | 2011-06-16 | 2013-01-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 記憶装置及び半導体装置 |
JP2013065840A (ja) * | 2011-08-31 | 2013-04-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、及び半導体装置の作製方法 |
JP2013065843A (ja) * | 2011-08-31 | 2013-04-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置および半導体装置の作製方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5668917B2 (ja) | 2010-11-05 | 2015-02-12 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
CN105931967B (zh) * | 2011-04-27 | 2019-05-03 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置的制造方法 |
CN102959712A (zh) | 2011-06-17 | 2013-03-06 | 松下电器产业株式会社 | 薄膜晶体管以及薄膜晶体管的制造方法 |
KR102108572B1 (ko) * | 2011-09-26 | 2020-05-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
US8941113B2 (en) * | 2012-03-30 | 2015-01-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor element, semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor element |
JP6175740B2 (ja) * | 2012-03-30 | 2017-08-09 | 株式会社Joled | 薄膜トランジスタおよびその製造方法並びに表示装置および電子機器 |
WO2013183255A1 (ja) | 2012-06-08 | 2013-12-12 | パナソニック株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法 |
-
2014
- 2014-03-07 WO PCT/JP2014/001303 patent/WO2014171056A1/ja active Application Filing
- 2014-03-07 JP JP2015512289A patent/JP6142331B2/ja active Active
- 2014-03-07 US US14/408,633 patent/US9431468B2/en active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007073703A (ja) * | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード |
JP2010114413A (ja) * | 2008-10-08 | 2010-05-20 | Sony Corp | 薄膜トランジスタおよび表示装置 |
WO2011004717A1 (ja) * | 2009-07-06 | 2011-01-13 | シャープ株式会社 | コンタクトホール形成方法 |
JP2011222767A (ja) * | 2010-04-09 | 2011-11-04 | Sony Corp | 薄膜トランジスタならびに表示装置および電子機器 |
JP2013020691A (ja) * | 2011-06-16 | 2013-01-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 記憶装置及び半導体装置 |
JP2013065840A (ja) * | 2011-08-31 | 2013-04-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、及び半導体装置の作製方法 |
JP2013065843A (ja) * | 2011-08-31 | 2013-04-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置および半導体装置の作製方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6142331B2 (ja) | 2017-06-07 |
WO2014171056A1 (ja) | 2014-10-23 |
US20150194475A1 (en) | 2015-07-09 |
US9431468B2 (en) | 2016-08-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6142331B2 (ja) | 薄膜半導体装置、有機el表示装置、及びそれらの製造方法 | |
KR102435087B1 (ko) | 반도체 장치 | |
US10446711B2 (en) | Thin film transistor array substrate and method for manufacturing the same | |
JP4982620B1 (ja) | 電界効果型トランジスタの製造方法、並びに、電界効果型トランジスタ、表示装置、イメージセンサ及びx線センサ | |
JP5467728B2 (ja) | 薄膜電界効果型トランジスタおよびその製造方法 | |
US10644165B2 (en) | Thin-film transistor, method of fabricating thin-film transistor, and display device | |
JP5371467B2 (ja) | 電界効果型トランジスタ及び電界効果型トランジスタの製造方法 | |
KR102518392B1 (ko) | 박막트랜지스터 어레이 기판 | |
TW201145520A (en) | Thin film transistor, display device, and electronic unit | |
WO2014034874A1 (ja) | 薄膜トランジスタおよび表示装置 | |
JP2014007381A (ja) | 半導体装置及びその作製方法 | |
JP2011129926A (ja) | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 | |
JP2020174174A (ja) | 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタを有する表示装置、及び薄膜トランジスタの製造方法 | |
JP5507133B2 (ja) | ボトムゲート構造の薄膜トランジスタの製造方法 | |
TW201123441A (en) | Organic light-emitting display and method of manufacturing the same | |
JP2012028481A (ja) | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 | |
JP2015149467A (ja) | 薄膜トランジスタ基板の製造方法 | |
WO2014196107A1 (ja) | 薄膜トランジスタ素子とその製造方法及び表示装置 | |
JP6331052B2 (ja) | 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法及び有機el表示装置 | |
JP2011258804A (ja) | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 | |
KR20190060260A (ko) | 수소 차단층을 갖는 박막 트랜지스터, 그 제조방법 및 이를 포함하는 표시장치 | |
KR20190053338A (ko) | 수소 차단용 도핑부를 갖는 박막 트랜지스터, 그 제조방법 및 이를 포함하는 표시장치 | |
JPWO2015194176A1 (ja) | 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法及び有機el表示装置 | |
JP2016058554A (ja) | 薄膜トランジスタ | |
JP2015065282A (ja) | 薄膜トランジスタ、及び薄膜トランジスタの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161220 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170215 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170321 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170407 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6142331 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S303 | Written request for registration of pledge or change of pledge |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316303 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S803 | Written request for registration of cancellation of provisional registration |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316803 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |