JPWO2014010172A1 - 硫化物系ガラスと硫化物系ガラスセラミックスの製造方法 - Google Patents

Abstract

少なくとも硫黄元素及びリチウム元素を含む硫化物系ガラスと、前記硫化物系ガラスに取り込まれているニトリル化合物とを含むガラス固体電解質を結晶化させる硫化物系ガラスセラミックスの製造方法。

Description

本発明は、硫化物系ガラスと硫化物系ガラスセラミックスの製造方法に関する。

現行のリチウムイオン電池には、電解質として有機系電解液が主に用いられている。有機系電解液は高いイオン伝導度を示すものの、液体でかつ可燃性であることから、電池に用いた場合に、漏洩、発火等の危険性が懸念されている。従って、次世代リチウムイオン電池用電解質として、より安全性の高い固体電解質の開発が期待されている。
結晶化している固体電解質として、例えば、特許文献１及び２には、特定の結晶構造を有するリチウムイオン伝導性硫化物系結晶化ガラスが開示されている。
しかし、特許文献１及び２に記載の技術では、硫化物系ガラスを結晶化させるために高温で加熱する必要があった。

特開２００２−１０９９５５号公報 特開２００５−２２８５７０号公報

本発明の目的は、結晶化する際の温度を下げることができる硫化物系ガラスと硫化物系ガラスセラミックスの製造方法を提供することである。

本発明によれば、以下の硫化物系ガラスセラミックスの製造方法等が提供される。
１．硫化物系ガラスに取り込まれているニトリル化合物を含む硫化物系ガラスであって、ラマンスペクトルを５回測定し、該ラマンスペクトルにおける３３０〜４５０ｃｍ^−１のピークをＰＳ_４ ^３−、Ｐ_２Ｓ_７ ^４−及びＰ_２Ｓ_６ ^４−の各成分に対応するピークに波形分離したとき、前記各成分に対応するピークの面積比の標準偏差が、いずれも３．０面積％以下であり、ＰＳ_４ ^３−に対応するピークとＰ_２Ｓ_７ ^４−に対応するピークの面積比の合計が７０面積％以上である硫化物系ガラス。
２．少なくとも硫黄元素及びリチウム元素を含む硫化物系ガラスと、前記硫化物系ガラスに取り込まれているニトリル化合物とを含むガラス固体電解質を結晶化させる硫化物系ガラスセラミックスの製造方法。
３．少なくとも硫黄元素及びリチウム元素を含む硫化物系ガラスをニトリル化合物存在下で製造することにより前記硫化物系ガラスに前記ニトリル化合物が取り込まれているガラス固体電解質を製造する製造工程と、前記ガラス固体電解質を結晶化させる結晶化工程と、を含む硫化物系ガラスセラミックスの製造方法。
４．前記組成物又は前記ガラス固体電解質を加熱することにより結晶化させる２又は３に記載の硫化物系ガラスセラミックスの製造方法。
５．前記ニトリル化合物が式（３）で示される化合物である２〜４のいずれかに記載の硫化物系ガラスセラミックスの製造方法。
Ｒ（ＣＮ）ｎ ・・・（３）
（式中、Ｒは、炭素数が１以上１０以下のアルキル基、環形成炭素数が３以上１０以下のシクロアルキル基、又は環形成炭素数が６以上１８以下の芳香環を有する基であり、ｎは、１又は２である。）
６．前記硫化物系ガラスがリン元素を含む２〜５のいずれかに記載の硫化物系ガラスセラミックスの製造方法。
７．前記硫化物系ガラスセラミックスの原料である、硫化物系ガラスとニトリル化合物を含む組成物又は前記ガラス固体電解質を加熱することにより結晶化させる２又は３に記載の硫化物系ガラスセラミックスの製造方法。
８．少なくとも硫黄元素を含む化合物、リチウム元素を含む化合物及びニトリル化合物を含む原料を有機溶媒中で反応させる硫化物系ガラスの製造方法。
９．前記反応温度が、２０℃以上８０℃以下である８に記載の硫化物系ガラスの製造方法。
１０．前記反応時間が、１時間以上３６時間以下である８又は９に記載の硫化物系ガラスの製造方法。
１１．前記有機溶媒１リットルに対する原料の合計添加量が、０．００１ｋｇ以上１ｋｇ以下である８〜１０のいずれかに記載の硫化物系ガラスの製造方法。
１２．前記原料全体に占める前記ニトリル化合物の割合が、０．１重量％以上２０００重量％以下である８〜１１のいずれかに記載の硫化物系ガラスの製造方法。
１３．前記有機溶剤が、前記ニトリル化合物と他の有機溶媒の混合溶液である、８〜１２のいずれかに記載の硫化物系ガラスの製造方法。
１４．前記有機溶媒の混合溶液中のニトリル化合物量が、０．１重量％２０重量％以下である１３に記載の硫化物系ガラスの製造方法。
１５．前記有機溶媒が、非プロトン性有機溶媒である８〜１２のいずれかに記載の硫化物系ガラスの製造方法。
１６．前記非プロトン性有機溶媒が、炭化水素系有機溶媒、アミド化合物、ラクタム化合物、尿素化合物、有機イオウ化合物及び環式有機リン化合物からなる群から選択される１以上である１５に記載の硫化物系ガラスの製造方法。
１７．前記炭化水素系有機溶媒が、飽和炭化水素、不飽和炭化水素及び芳香族炭化水素からなる群から選択される１以上である１６に記載の硫化物系ガラスの製造方法。
１８．前記芳香族炭化水素が、トルエン、キシレン、デカリン及び１，２，３，４−テトラヒドロナフタレンからなる群から選択される１以上である１７に記載の硫化物系ガラスの製造方法。
１９．前記炭化水素系有機溶媒が、あらかじめ脱水されている１５に記載の硫化物系ガラスの製造方法。
２０．前記原料が、さらにアルカリ金属元素及び／又はハロゲン元素を含む化合物を含む８〜１９のいずれかに記載の硫化物系ガラスの製造方法。
２１．前記アルカリ金属元素が、リチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、ルビジウム（Ｒｂ）、セシウム（Ｃｓ）及びフランシウム（Ｆｒ）から選択される１以上である２０に記載の硫化物系ガラスの製造方法。
２２．前記ハロゲン元素が、フッ素（Ｆ）、塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）及びヨウ素（Ｉ）から選択される１種である２０に記載の硫化物系ガラスの製造方法。
２３．前記アルカリ金属元素及び／又はハロゲン元素を含む化合物が、ＬｉＦ、ＬｉＣｌ、ＬｉＢｒ、ＬｉＩ、ＢＣｌ_３、ＢＢｒ_３、ＢＩ_３、ＡｌＦ_３、ＡｌＢｒ_３、ＡｌＩ_３、ＡｌＣｌ_３、ＳｉＦ_４、ＳｉＣｌ_４、ＳｉＣｌ_３、Ｓｉ_２Ｃｌ_６、ＳｉＢｒ_４、ＳｉＢｒＣｌ_３、ＳｉＢｒ_２Ｃｌ_２、ＳｉＩ_４、ＰＦ_３、ＰＦ_５、ＰＣｌ_３、ＰＣｌ_５、ＰＯＣｌ_３、ＰＢｒ_３、ＰＯＢｒ_３、ＰＩ_３、Ｐ_２Ｃｌ_４、Ｐ_２Ｉ_４、ＳＦ_２、ＳＦ_４、ＳＦ_６、Ｓ_２Ｆ_１０、ＳＣｌ_２、Ｓ_２Ｃｌ_２、Ｓ_２Ｂｒ_２、ＧｅＦ_４、ＧｅＣｌ_４、ＧｅＢｒ_４、ＧｅＩ_４、ＧｅＦ_２、ＧｅＣｌ_２、ＧｅＢｒ_２、ＧｅＩ_２、ＡｓＦ_３、ＡｓＣｌ_３、ＡｓＢｒ_３、ＡｓＩ_３、ＡｓＦ_５、ＳｅＦ_４、ＳｅＦ_６、ＳｅＣｌ_２、ＳｅＣｌ_４、Ｓｅ_２Ｂｒ_２、ＳｅＢｒ_４、ＳｎＦ_４、ＳｎＣｌ_４、ＳｎＢｒ_４、ＳｎＩ_４、ＳｎＦ_２、ＳｎＣｌ_２、ＳｎＢｒ_２、ＳｎＩ_２、ＳｂＦ_３、ＳｂＣｌ_３、ＳｂＢｒ_３、ＳｂＩ_３、ＳｂＦ_５、ＳｂＣｌ_５、ＰｂＦ_４、ＰｂＣｌ_４、ＰｂＦ_２、ＰｂＣｌ_２、ＰｂＢｒ_２、ＰｂＩ_２、ＢｉＦ_３、ＢｉＣｌ_３、ＢｉＢｒ_３、ＢｉＩ_３、ＴｅＦ_４、Ｔｅ_２Ｆ_１０、ＴｅＦ_６、ＴｅＣｌ_２、ＴｅＣｌ_４、ＴｅＢｒ_２、ＴｅＢｒ_４、ＴｅＩ_４、ＮａＩ、ＮａＦ、ＮａＣｌ及びＮａＢｒからなる群から選択される１以上である２０に記載の硫化物系ガラスの製造方法。
２４．前記硫化リチウム、五硫化二リン、及び、アルカリ金属元素及び／又はハロゲン元素を含む原料の合計に対する、前記アルカリ金属元素及び／又はハロゲン元素を含む化合物の割合（モル％）が、１モル％以上である２０〜２３のいずれかに記載の硫化物系ガラスの製造方法。
２５．前記硫化リチウム、五硫化二リン、及び、アルカリ金属元素及び／又はハロゲン元素を含む原料の合計に対する、前記アルカリ金属元素及び／又はハロゲン元素を含む化合物の割合（モル％）が、５０モル％以下である２０〜２４のいずれかに記載の硫化物系ガラスの製造方法。

本発明によれば、硫化物系ガラスを結晶化する際の温度を下げることができる。

実施例及び比較例で使用した硫化物系ガラスを製造するための装置を示す図である。

［本発明の製造方法］
本発明の製造方法は、少なくとも硫黄元素及びリチウム元素を含む硫化物系ガラスと、前記硫化物系ガラスに取り込まれているニトリル化合物とを含むガラス固体電解質を結晶化させる硫化物系ガラスセラミックスの製造方法である。
本発明の製造方法によれば、硫化物系ガラスを結晶化する際の温度を下げることができる。

１．硫化物系ガラス
硫化物系ガラスセラミックスの原料である組成物は硫化物系ガラスを含む。硫化物系ガラスは、少なくとも硫黄元素及びリチウム元素を含む。
硫化物系ガラスは、下記式（１）又は式(２)に示す組成を満たすリチウムイオン伝導性無機固体電解質であることが好ましい。

Ｌｉ_ａＭ_ｂＰ_ｃＳ_ｄ ・・・（１）
式（１）において、Ｍは、Ｂ、Ｚｎ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ｇａ又はＧｅから選択される元素を示す。
ａ〜ｄは各元素の組成比を示し、ａ：ｂ：ｃ：ｄは１〜１２：０〜０．２：１：２〜９を満たす。
好ましくは、ｂは０であり、より好ましくは、ａ、ｃ及びｄの比（ａ：ｃ：ｄ）がａ：ｃ：ｄ＝１〜９：１：３〜７、さらに好ましくは、ａ：ｃ：ｄ＝１．５〜４：１：３．２５〜４．５である。

Ｌ_ａＭ_ｂＰ_ｃＳ_ｄＸ_ｅ ・・・（２）
式（２）において、Ｌは、アルカリ金属であり、リチウム又はナトリウムが好ましく、特にリチウムが好ましい。
Ｍは、下記式（Ｉ）で表される元素である。
Ｂ_ｆＡｌ_ｇＳｉ_ｈＧｅ_ｉＡｓ_ｊＳｅ_ｋＳｎ_ｌＳｂ_ｍＴｅ_ｎＰｂ_ｏＢｉ_ｐ・・・（Ｉ）
式（Ｉ）において、ｆ〜ｐはそれぞれ各元素の組成比を示す。ｆ、ｇ、ｈ、ｉ、ｊ、ｋ、ｌ、ｍ、ｎ、ｏ、ｐは、それぞれ０以上１以下であり、かつ、ｆ＋ｇ＋ｈ＋ｉ＋ｊ＋ｋ＋ｌ＋ｍ＋ｎ＋ｏ＋ｐ＝１である。式（Ｉ）は、Ｂ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ａｓ、Ｓｅ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｐｂ及びＢｉから選択される１種の元素、又は、２種以上の元素の組み合わせを表す。
式（Ｉ）において、ｉ、ｊ、ｋ、ｌ、ｍ、ｎ、ｏ及びｐが０である場合、即ち、Ｂ_ｆＡｌ_ｇＳｉ_ｈ（ｆ、ｇ、ｈは０以上１以下であり、かつｆ＋ｇ＋ｈ＝１）が好ましい。

式（２）において、Ｘは下記式（II）である。
Ｆ_ｓＩ_ｔＣｌ_ｕＢｒ_ｖ・・・（II）
式（II）において、ｓ、ｔ、ｕ及びｖはそれぞれ各元素の組成比を示す。ｓ、ｔ、ｕ及びｖは、それぞれ０以上１以下であり、かつ、ｓ＋ｔ＋ｕ＋ｖ＝１である。式（II）は、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩから選択される１種のハロゲン元素、又は、２種以上のハロゲン元素の組み合わせを表す。
好ましくは、ｓとｔが０である場合、即ち、Ｃｌ_ｕＢｒ_ｖ（ｕ、ｖはそれぞれ０以上１以下であり、ｕ＋ｖ＝１）である。より好ましくは、ｓとｔとｕが０である場合、即ち、Ｂｒである場合である。
Ｘは、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩから選択される１つのハロゲン原子であることが好ましく、特に、Ｉ，Ｂｒ又はＣｌであることが好ましく、より好ましくはＢｒである。

式（２）において、ａ〜ｅはそれぞれ各元素の組成比を示し、ａ：ｂ：ｃ：ｄ：ｅは１〜１２：０〜０．２：１：０〜９：０〜９を満たす。
好ましくは、ｂは０であり、より好ましくは、ａ、ｃ、ｄ及びｅの比（ａ：ｃ：ｄ：ｅ）がａ：ｃ：ｄ：ｅ＝１〜９：１：３〜７：０．０５〜３、さらに好ましくは、ａ：ｃ：ｄ：ｅ＝２〜６．５：１：３．５〜５：０．１〜１．５である。最も好ましくは、ａ：ｃ：ｄ：ｅ＝２〜６．５：１：３．５〜４．９５：０．１〜１．５である。
また、ｂ＝０でｃ＝１であると好ましい。また、ｄ＝４であると好ましい。

各元素の組成比は、下記するように、硫化物系ガラスを製造する際の原料化合物の配合量を調整することにより制御できる。

硫化物系ガラスの原料は、Ｌｉ_２Ｓ（硫化リチウム）、Ｐ_２Ｓ_３（三硫化二リン）、Ｐ_２Ｓ_５（五硫化二リン）、ＳｉＳ_２（硫化珪素）、Ｌｉ_４ＳｉＯ_４（オルト珪酸リチウム）、Ａｌ_２Ｓ_３（硫化アルミニウム）、単体のリン（Ｐ）、単体の硫黄（Ｓ）、シリコン（Ｓｉ）、ＧｅＳ_２（硫化ゲルマニウム）、Ｂ_２Ｓ_３（三硫化二砒素）、Ｌｉ_３ＰＯ_４（燐酸リチウム）、Ｌｉ_４ＧｅＯ_４（ゲルマン酸リチウム）、ＬｉＢＯ_２（メタホウ酸リチウム）、ＬｉＡｌＯ_３（リチウムアルミネート）等を用いることができる。
好ましい硫化物系ガラスの原料は、Ｌｉ_２Ｓ（硫化リチウム）、Ｐ_２Ｓ_５（五硫化二リン）である。
以下、硫化物系ガラスの原料として、Ｌｉ_２Ｓ（硫化リチウム）、Ｐ_２Ｓ_５（五硫化二リン）を用いた硫化物系ガラスについて説明する。

硫化リチウムは、特に制限なく、高純度のものが好ましい。
硫化リチウムは、例えば、特開平７−３３０３１２号公報、特開平９−２８３１５６号公報、特開２０１０−１６３３５６号公報、特開２０１１−８４４３８号公報に記載の方法により製造することができる。例として、特開２０１０−１６３３５６号公報に記載の硫化リチウムの製法は、炭化水素系有機溶媒中で水酸化リチウムと硫化水素とを７０℃〜３００℃で反応させて、水硫化リチウムを生成し、次いでこの反応液を脱硫化水素化することにより硫化リチウムを合成するものである。また、特開２０１１−８４４３８号公報に記載の製法は、水溶媒中で水酸化リチウムと硫化水素とを１０℃〜１００℃で反応させて、水硫化リチウムを生成し、次いでこの反応液を脱硫化水素化することにより硫化リチウムを合成するものである。

硫化リチウムは、好ましくは、硫黄酸化物のリチウム塩の総含有量が２．０重量％以下、より好ましくは１．５重量％以下であり、かつＮ−メチルアミノ酪酸リチウムの含有量が０．１５重量％以下、より好ましくは０．１重量％以下である。硫黄酸化物のリチウム塩の総含有量が２．０重量％以下であると、得られる固体電解質は、ガラス状電解質（完全非晶質）となる。即ち、硫黄酸化物のリチウム塩の総含有量が２．０重量％を超えると、得られる電解質は、最初から結晶化物の恐れがあり、この結晶化物のイオン伝導度は低い。

特開平７−３３０３１２号公報及び特開平９−２８３１５６号公報に記載の硫化リチウムは、硫黄酸化物のリチウム塩等を含むため、精製することが好ましい。
一方、特開２０１０−１６３３５６号公報に記載の硫化リチウムの製法で製造した硫化リチウムは、硫黄酸化物のリチウム塩等の含有量が非常に少ないため、精製せずに硫化物系ガラスの製造に用いてもよい。
好ましい精製法としては、例えば、国際公開第２００５／４００３９号に記載された精製法等が挙げられる。具体的には、上記のようにして得られた硫化リチウムを、有機溶媒を用い、１００℃以上の温度で洗浄する。

五硫化二リン（Ｐ_２Ｓ_５）は、特に限定なく使用することができる。純度が高いものが好ましく、９０％以上、好ましくは、９５％以上、さらに好ましくは９９％以上が用いられる。なお、五硫化二リンの純度は、^３１Ｐ−ＮＭＲを用いて測定することができる。
硫化リチウムと五硫化二リンの割合（モル比）は、通常５０：５０〜８０：２０、好ましくは６０：４０〜７５：２５である。
特に好ましくは、Ｌｉ_２Ｓ：Ｐ_２Ｓ_５＝６８：３２〜７４：２６（モル比）である。

本発明の硫化物系ガラスは、上記説明した各種原料、好ましくはＬｉ_２Ｓ及びＰ_２Ｓ_５から製造することができるが、前記に加えてアルカリ金属元素及び／又はハロゲン元素を含む化合物を加えてもよい。
上記アルカリ金属元素は、リチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、ルビジウム（Ｒｂ）、セシウム（Ｃｓ）及びフランシウム（Ｆｒ）から選択される１以上が挙げられ、好ましくはリチウム及びナトリウムから選択される１以上であり、より好ましくはリチウムである。
上記ハロゲン元素は、フッ素（Ｆ）、塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）及びヨウ素（Ｉ）から選択される１種であることが好ましく、Ｃｌ、Ｂｒ又はＩであることがより好ましく、特に、Ｂｒ又はＩであることが好ましい。

アルカリ金属元素及び／又はハロゲン元素を含む化合物は、具体的には、ＬｉＦ、ＬｉＣｌ、ＬｉＢｒ、ＬｉＩ、ＢＣｌ_３、ＢＢｒ_３、ＢＩ_３、ＡｌＦ_３、ＡｌＢｒ_３、ＡｌＩ_３、ＡｌＣｌ_３、ＳｉＦ_４、ＳｉＣｌ_４、ＳｉＣｌ_３、Ｓｉ_２Ｃｌ_６、ＳｉＢｒ_４、ＳｉＢｒＣｌ_３、ＳｉＢｒ_２Ｃｌ_２、ＳｉＩ_４、ＰＦ_３、ＰＦ_５、ＰＣｌ_３、ＰＣｌ_５、ＰＯＣｌ_３、ＰＢｒ_３、ＰＯＢｒ_３、ＰＩ_３、Ｐ_２Ｃｌ_４、Ｐ_２Ｉ_４、ＳＦ_２、ＳＦ_４、ＳＦ_６、Ｓ_２Ｆ_１０、ＳＣｌ_２、Ｓ_２Ｃｌ_２、Ｓ_２Ｂｒ_２、ＧｅＦ_４、ＧｅＣｌ_４、ＧｅＢｒ_４、ＧｅＩ_４、ＧｅＦ_２、ＧｅＣｌ_２、ＧｅＢｒ_２、ＧｅＩ_２、ＡｓＦ_３、ＡｓＣｌ_３、ＡｓＢｒ_３、ＡｓＩ_３、ＡｓＦ_５、ＳｅＦ_４、ＳｅＦ_６、ＳｅＣｌ_２、ＳｅＣｌ_４、Ｓｅ_２Ｂｒ_２、ＳｅＢｒ_４、ＳｎＦ_４、ＳｎＣｌ_４、ＳｎＢｒ_４、ＳｎＩ_４、ＳｎＦ_２、ＳｎＣｌ_２、ＳｎＢｒ_２、ＳｎＩ_２、ＳｂＦ_３、ＳｂＣｌ_３、ＳｂＢｒ_３、ＳｂＩ_３、ＳｂＦ_５、ＳｂＣｌ_５、ＰｂＦ_４、ＰｂＣｌ_４、ＰｂＦ_２、ＰｂＣｌ_２、ＰｂＢｒ_２、ＰｂＩ_２、ＢｉＦ_３、ＢｉＣｌ_３、ＢｉＢｒ_３、ＢｉＩ_３、ＴｅＦ_４、Ｔｅ_２Ｆ_１０、ＴｅＦ_６、ＴｅＣｌ_２、ＴｅＣｌ_４、ＴｅＢｒ_２、ＴｅＢｒ_４、ＴｅＩ_４、ＮａＩ、ＮａＦ、ＮａＣｌ、ＮａＢｒ等が挙げられ、好ましくは、ＬｉＣｌ、ＬｉＢｒ、ＬｉＩ、ＰＣｌ_５、ＰＣｌ_３、ＰＢｒ_５及びＰＢｒ_３であり、より好ましくは、ＬｉＣｌ、ＬｉＢｒ、ＬｉＩ及びＰＢｒ_３である。

硫化リチウム、五硫化二リン、及び、アルカリ金属元素及び／又はハロゲン元素を含む化合物の合計に対する、硫化リチウムと五硫化二リンの合計の割合（モル％）は、５０モル％以上であることが好ましく、５５モル％以上でもよく、６０モル％以上でもよく、７０モル％以上でもよく、８０モル％以上でもよく、８５モル％以上でもよい。一方、９９モル％以下が好ましく、９８モル％以下でもよく、９７モル％以下でもよく、９６モル％以下でもよい。

硫化リチウム、五硫化二リン、及び、アルカリ金属元素及び／又はハロゲン元素を含む化合物の合計に対する、アルカリ金属元素及び／又はハロゲン元素を含む化合物の割合（モル％）は、１モル％以上が好ましく、２モル％以上でもよく、３モル％以上でもよく、４モル％以上でもよい。一方、５０モル％以下が好ましく、４５モル％以下でもよく、４０モル％以下でもよく、３０モル％以下でもよく、２０モル％以下でもよく、１５モル％以下でもよい。

硫化物系ガラスの製造方法としては、溶融急冷法、メカニカルミリング法（ＭＭ法）、有機溶媒中で原料を反応させるスラリー法等がある。

（ａ）溶融急冷法
溶融急冷法は、例えば、特開平６−２７９０４９号公報、国際公開第２００５／１１９７０６号に記載されている。
具体的には、Ｐ_２Ｓ_５とＬｉ_２Ｓとニトリル化合物を所定量乳鉢にて混合しペレット状にしたものを、カーボンコートした石英管中に入れ真空封入する。所定の反応温度で反応させた後、氷中に投入し急冷することにより、硫化物系ガラス固体電解質が得られる。
反応温度は、好ましくは４００℃〜１０００℃、より好ましくは、８００℃〜９００℃である。
反応時間は、好ましくは０．１時間〜１２時間、より好ましくは、１〜１２時間である。
上記反応物の急冷温度は、通常１０℃以下、好ましくは０℃以下であり、その冷却速度は、通常１〜１００００Ｋ／ｓｅｃ程度、好ましくは１０〜１００００Ｋ／ｓｅｃである。

製造に使用するニトリル化合物は、０．１重量％以上が好ましく、０．２重量％以上がより好ましく、０．５重量％以上がさらに好ましい。ここで、製造に使用するニトリル化合物の量の上限は特に問わないが、製造に使用する量が多いと製造コストが高くなるため、例えば、０．１重量％以上１００重量％以下が好ましく、０．２重量％以上８０重量％以下がより好ましく、０．５重量％以上５０重量％以下がさらに好ましい。
尚、ここでのニトリル化合物は硫化物系ガラスの原料全体に占めるニトリル化合物の割合を意味する。ガラス固体電解質中に取り込まれるニトリル化合物は、後述する通り「ガスクロマトグラフ分析により検出される、硫化物系ガラス中のニトリル化合物の量」となるが、過剰量のニトリル化合物は、封入時、あるいは反応時に揮発あるいは変質する等して消費される。

（ｂ）メカニカルミリング法
メカニカルミリング法（ＭＭ法）は、例えば、特開平１１−１３４９３７号公報、特開２００４−３４８９７２号公報、特開２００４−３４８９７３号公報に記載されている。
具体的には、Ｐ_２Ｓ_５とＬｉ_２Ｓとニトリル化合物を所定量乳鉢にて混合し、例えば、各種ボールミル等を使用して所定時間反応させることにより、硫化物系ガラス固体電解質が得られる。

上記原料を用いたＭＭ法は、室温で反応を行うことができる。ＭＭ法によれば、室温でガラス固体電解質を製造できるため、原料の熱分解が起らず、仕込み組成のガラス固体電解質を得ることができるという利点がある。
また、ＭＭ法では、ガラス固体電解質の製造と同時に、ガラス固体電解質を微粉末化できるという利点もある。
ＭＭ法は回転ボールミル、転動ボールミル、振動ボールミル、遊星ボールミル等種々の形式を用いることができる。
ＭＭ法の条件としては、例えば、遊星型ボールミル機を使用した場合、回転速度を数十〜数百回転／分とし、０．５時間〜１００時間処理すればよい。

また、特開２０１０−９０００３号公報に記載されているように、ボールミルのボールは異なる径のボールを混合して使用してもよい。
また、特開２００９−１１０９２０号公報や特開２００９−２１１９５０号公報に記載されているように、硫化リチウム（Ｌｉ_２Ｓ）と五硫化二リン（Ｐ_２Ｓ_５）とニトリル化合物の混合物に対して有機溶媒を添加してスラリー状にし、このスラリーをメカニカルミリング処理してもよい。
また、スラリー状にする際の混合の順番を問わず、例えば、Ｐ_２Ｓ_５とＬｉ_２Ｓとニトリル化合物と有機溶媒を同時に混合してもよく、有機溶媒にＰ_２Ｓ_５とＬｉ_２Ｓとニトリル化合物を同時に又は順番に添加してもよい。

また、特開２０１０−３０８８９号公報に記載のようにメカニカルミリング処理の際のミル内の温度を調整してもよい。
メカニカルミリングの際に原料が６０℃以上１６０℃以下になるようにすることが好ましい。
反応物を回収後、過剰量のニトリル化合物や有機溶媒を除去するために、真空下、加温条件での処理を行うことが望ましい。
製造に使用するニトリル化合物は０．１重量％以上５００重量％以下が好ましく、０．１重量％以上４００重量％以下がより好ましく、０．５重量％以上３００重量％以下がさらに好ましい。尚、ここでのニトリル化合物は硫化物系ガラスの原料全体に占めるニトリル化合物の割合を意味する。
反応物を回収後、過剰量のニトリル化合物や有機溶媒を除去するために、真空下、加温条件での処理を行うことが望ましい。

（ｃ）スラリー法
スラリー法は、例えば、国際公開第２００４／０９３０９９号、国際公開第２００９／０４７９７７号に記載されている。
具体的には、所定量のＰ_２Ｓ_５粒子とＬｉ_２Ｓ粒子を有機溶媒中で所定時間反応させることにより、硫化物系ガラス固体電解質が得られる。

ここで、特開２０１０−１４０８９３号公報に記載されているように、反応を進行させるため、原料を含むスラリーをビーズミルと反応容器との間で循環させながら反応させてもよい。
また、国際公開第２００９／０４７９７７号公報に記載されているように、原料の硫化リチウムを予め粉砕しておくと効率的に反応を進行させることができる。
また、特願２０１０−２７０１９１号に記載されているように、原料の硫化リチウムの比表面積を大きくするために溶解パラメーターが９．０以上の極性溶媒（例えば、メタノール、ジエチルカーボネート、アセトニトリル）に所定時間浸漬してもよい。

反応温度は、好ましくは２０℃以上８０℃以下、より好ましくは、３０℃以上８０℃以下である。
反応時間は、好ましくは１時間以上３６時間以下、より好ましくは、２時間以上３２時間以下である。
原料である硫化リチウムと五硫化二リンが、有機溶媒の添加により溶液又はスラリー状になる程度であることが好ましい。通常、有機溶媒１リットルに対する原料（合計量）の添加量は０．００１ｋｇ以上１ｋｇ以下程度となる。好ましくは０．００５ｋｇ以上０．５ｋｇ以下、特に好ましくは０．０１ｋｇ以上〜０．３ｋｇである。

製造に使用するニトリル化合物は０．１重量％以上２０００重量％以下が好ましく、０．１重量％以上１５００重量％以下がより好ましく、０．５重量％以上１０００重量％以下がさらに好ましい。ニトリル化合物が添加されていることにより、電解質ガラスを調製する際に、反応中のミルの運転を安定にするという効果が得られる。
尚、ここでのニトリル化合物は硫化物系ガラスの原料全体に占めるニトリル化合物の割合を意味する。

有機溶媒は、ニトリル化合物であってもよく、他の有機溶媒とニトリル化合物の混合溶液であってもよい。
有機溶媒中のニトリル化合物量としては、０．１重量％２０重量％以下が好ましく、０．１重量％以上１５重量％以下がより好ましく、０．５重量％以上１０重量％以下がさらに好ましい。
この手法で得られるニトリル含有組成物は、有機溶媒とニトリル化合物含有のスラリー溶液となる。このスラリー溶液をそのまま結晶化を行う工程へ用いてもよい。また、スラリー溶液を乾燥し、ニトリル化合物含有組成物の紛体を回収した後、結晶化の工程に用いてもよい。
有機溶媒としては、特に制限はないが、非プロトン性有機溶媒が特に好ましい。
非プロトン性有機溶媒としては、非プロトン性有機溶媒（例えば、炭化水素系有機溶媒）、非プロトン性の極性有機化合物（例えば、アミド化合物、ラクタム化合物、尿素化合物、有機イオウ化合物、環式有機リン化合物等）を、単独溶媒として、又は、混合溶媒として、好適に使用することができる。
炭化水素系有機溶媒としては、溶媒である炭化水素系溶媒としては、飽和炭化水素、不飽和炭化水素又は芳香族炭化水素が使用できる。

飽和炭化水素としては、ヘキサン、ペンタン、２−エチルヘキサン、ヘプタン、デカン、シクロヘキサン等が挙げられる。
不飽和炭化水素としては、ヘキセン、ヘプテン、シクロヘキセン等が挙げられる。
芳香族炭化水素としては、トルエン、キシレン、デカリン、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン等が挙げられる。
これらのうち、特にトルエン、キシレンが好ましい。

炭化水素系溶媒は、あらかじめ脱水されていることが好ましい。具体的には、水分含有量として１００重量ｐｐｍ以下が好ましく、特に３０重量ｐｐｍ以下であることが好ましい。
尚、必要に応じて炭化水素系溶媒に他の溶媒を添加してもよい。具体的には、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類、テトラヒドロフラン等のエーテル類、エタノール、ブタノール等のアルコール類、酢酸エチル等のエステル類等、ジクロロメタン、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素等が挙げられる。

上記溶融急冷法、ＭＭ法及びスラリー法の温度条件、処理時間、仕込み料等の製造条件は、使用設備等に合わせて適宜調整することができる。

２．ニトリル化合物
硫化物系ガラスセラミックスの原料である組成物はニトリル化合物を含む。ニトリル化合物は、例えば下記式（３）で表わされる化合物である。
Ｒ（ＣＮ）ｎ ・・・（３）
（式中、Ｒは、炭素数が１以上１０以下のアルキル基、環形成炭素数が３以上１０以下のシクロアルキル基、又は環形成炭素数が６以上１８以下の芳香環を有する基であり、好ましくは分岐した構造を有する炭素数３以上６以下のアルキル基であり、より好ましくは分岐した構造を有する炭素数３以上５以下のアルキル基である。ｎは、１又は２である。）

上記ニトリル化合物としては、例えばアセトニトリル、プロピオニトリル、３−クロロプロピオニトリル、ベンゾニトリル、４−フルオロベンゾニトリル、ターシャリーブチロニトリル、イソブチロニトリル、シクロヘキシルニトリル、カプロニトリル、イソカプロニトリル、マロノニトリル、フマルニトリル等が挙げられ、好ましくはプロピオニトリル、イソカプロニトリル、イソブチロニトリルである。

組成物において、硫化物系ガラスとニトリル化合物の重量割合は、好ましくは１：２０〜１：０．０１、より好ましくは１：１５〜1：０．０２、さらに好ましくは１：１０〜１：０．０５である。ニトリル化合物が硫化物系ガラスよりも多すぎると、目的物の生産効率が低下するため好ましくない。また、ニトリル化合物の使用量が少なすぎると、目的とする結晶化温度を低下させる効果が発現しなくなる。

ニトリル化合物は、硫化物系ガラスの内部に取り込まれている。硫化物系ガラスの内部に取り込まれているニトリル化合物以外に取り込まれていないニトリル化合物が存在していてもよい。

尚、ニトリル化合物が硫化物系ガラスの内部に取り込まれているとは、組成物から硫化物系ガラスを分離し、分離した硫化物系ガラスを１００℃の温度で真空下、加熱し、さらに水、アルコール等の極性溶媒に溶解して均一溶液とした後、ガスクロマトグラフ分析を行った場合にニトリル化合物が検出されることを意味する。
上記ガスクロマトグラフ分析により検出される、硫化物系ガラス中のニトリル化合物の量は、硫化物系ガラスとニトリル化合物の合計重量に対して、０．１重量％以上３０重量％以下であることが好ましく、０．１重量％以上２０重量％以下であることがより好ましく、０．５重量％以上１５重量％以下であることがさらに好ましい。
ニトリル化合物が０．１重量％未満であると、結晶化温度の低下効果が少なくなるおそれがあり、３０重量％より多いと目的とする結晶構造ができなくなるおそれがある。

３．その他の含有物
硫化物系ガラスセラミックスの原料である組成物はニトリル化合物以外の任意の溶媒を含んでいてもよい。
任意の溶媒としては、特に制限はないが、非プロトン性有機溶媒が特に好ましい。
非プロトン性有機溶媒としては、非プロトン性有機溶媒（例えば、炭化水素系有機溶媒）、非プロトン性の極性有機化合物（例えば、アミド化合物、ラクタム化合物、尿素化合物、有機イオウ化合物、環式有機リン化合物等）を、単独溶媒として、又は、混合溶媒として、好適に使用することができる。
炭化水素系有機溶媒としては、溶媒である炭化水素系溶媒としては、飽和炭化水素、不飽和炭化水素又は芳香族炭化水素が使用できる。

飽和炭化水素としては、ヘキサン、ペンタン、２−エチルヘキサン、ヘプタン、デカン、シクロヘキサン等が挙げられる。
不飽和炭化水素としては、ヘキセン、ヘプテン、シクロヘキセン等が挙げられる。
芳香族炭化水素としては、トルエン、キシレン、デカリン、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン等が挙げられる。
これらのうち、特にトルエン、キシレンが好ましい。

組成物において、ニトリル化合物とその他の溶媒の割合は、好ましくは０．１：９９．９〜９９．９：０．１（重量比）、より好ましくは１：９９〜９９：１（重量比）、さらに好ましくは３：９７〜９８：２（重量比）である。
ここで、その他の溶媒は、硫化物系ガラスの内部に取り込まれていてもいなくてもよい。ニトリル化合物の含有量が少ない０．１：９９．９（重量比）未満では、結晶化温度の低下が不十分となるおそれがある。

４．結晶化
結晶化は、上記組成物を加熱することにより結晶化することが好ましい。結晶化する際の温度は得たい結晶構造により適宜決定すればよい。
例えば、Ｌｉ_７Ｐ_３Ｓ_１１結晶構造を得るためには、８０℃以上２５０℃以下であることが好ましく、より好ましくは、１００℃以上２４０℃以下である。Ｌｉ_３ＰＳ_４結晶構造を得るためには、８０℃以上２５０℃以下であることが好ましく、より好ましくは、１００℃以上２２０℃以下である。
結晶化は真空下、あるいは不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。加熱時間は、得たい結晶構造や加熱温度により適宜変更することができる。例えば、１０分以上５時間以内を例示することができる。

［本発明の硫化物系ガラス］
本発明の硫化物系ガラスは、ラマンスペクトルにおいて３３０〜４５０ｃｍ^−１、特に４００ｃｍ^−１付近のラマンシフトに特徴的なピークが検出される。このピークは非対称であることから、複数成分の混合ピークである。このピークは、ＰＳ_４ ^３−、Ｐ_２Ｓ_７ ^４−及びＰ_２Ｓ_６ ^４−の３種類混合ピークとして同定されている（Ｍ．Ｔａｃｈｅｚ，Ｊ．−Ｐ．Ｍａｌｕｇａｎｉ，Ｒ．Ｍｅｒｃｉｅｒ， ａｎｄ Ｇ．Ｒｏｂｅｒｔ，Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｉｏｎｉｃｓ，１４，１８１（１９８４））。

分解能の高い装置を用いて、上記ピークを成分毎に検出することが望ましいが、ピーク分離が不充分であっても、一般の、又は装置専用の波形解析ソフトを用いて個別のピークに分離することが可能である。波形解析ソフトとしては、例えば、Ｔｈｅｒｍｏ ＳＣＩＥＮＴＩＦＩＣ社製のＧＲＡＭＳ ＡＩが使用できる。分離されたピークから、各成分の面積値を求めることができ、上記三成分（ＰＳ_４ ^３−、Ｐ_２Ｓ_７ ^４−及びＰ_２Ｓ_６ ^４−）における各成分のピーク強度比（面積％）を求めることができる。

波形分離の具体的な方法は次の通りである。
（１）各ラマンスペクトルについて、４６０ｃｍ^−１及び３５０ｃｍ^−１の測定点を通るように直線をひき、ベースラインとする。
（２）４６０ｃｍ^−１〜３５０ｃｍ^−１の間の実験点から上記ベースラインを差し引く。
（３）非線形最少二乗法を用いて、ＰＳ_４ ^３−、Ｐ_２Ｓ_７ ^４−、Ｐ_２Ｓ_６ ^４−に対応する３本のフィッティング関数（８０％ガウシアン関数と２０％ロレンチアン関数の和）で表されるピークに分離し、各ピークの面積強度比を算出する。（波形分離ソフトの使用）
ただし、Ｐ_２Ｓ_７ ^４−とＰ_２Ｓ_６ ^４−のフィッティング関数のピーク位置は、それぞれ４０６ｃｍ^−１と３８５ｃｍ^−１に固定し、ＰＳ_４ ⁴⁻のフィッティング関数のピーク位置の初期値は４２０ｃｍ^−１に設定する。

ラマンスペクトルの測定は、１つの測定対象（粒子の集合体）につき５回（５か所）とすることが望ましい。尚、１測定対象の同一箇所を繰り返し測定するのではなく、測定対象の異なる箇所を５回測定する。同一の測定対象についてラマンスペクトルの測定を複数回行う場合、各成分のピーク面積値（ピーク強度比）の標準偏差は、上記の面積値（ピーク強度比）から一般的な計算方法を用いて算出することができる。

本発明の硫化物系ガラスでは、各成分（ＰＳ_４ ^３−、Ｐ_２Ｓ_７ ^４−及びＰ_２Ｓ_６ ^４−）に対応するピークの面積比（面積％）の標準偏差が３．０面積％以下の場合、各ガラス粒子の表面が均質であり、電池に用いた場合に電池性能が安定化する。上記標準偏差は、好ましくは、各成分についていずれも２．７面積％以下であり、より好ましくは、各成分についていずれも２．５面積％以下であり、特に好ましくは、各成分についていずれも２．２面積％以下である。

各成分の中でＰＳ_４ ^３−、Ｐ_２Ｓ_７ ^４−は、伝導性能が高い成分であり、これらの比率は、高いことが好ましい。具体的には、ＰＳ_４ ^３−、Ｐ_２Ｓ_７ ^４−及びＰ_２Ｓ_６ ^４−の三成分において、ＰＳ_４ ^３−に対応するピークとＰ_２Ｓ_７ ^４−に対応するピークの面積比の合計（ＰＳ_４ ^３−＋Ｐ_２Ｓ_７ ^４−）は、７０面積％以上である。好ましくは、ＰＳ_４ ^３−＋Ｐ_２Ｓ_７ ^４−は、７５面積％以上であり、より好ましくは、ＰＳ_４ ^３−＋Ｐ_２Ｓ_７ ^４−は、８０面積％以上である。また、Ｐ_２Ｓ_６ ^４−は、伝導性能が低い成分であり、この比率は、３０面積％以下である。

製造例１−硫化リチウムの製造（１）
（１）硫化リチウムの製造
硫化リチウム（Ｌｉ_２Ｓ）は、特開平７−３３０３１２号公報の第１の態様（２工程法）の方法に従って製造した。具体的には、撹拌翼のついた１０リットルオートクレーブにＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）３３２６．４ｇ（３３．６モル）及び水酸化リチウム２８７．４ｇ（１２モル）を仕込み、３００ｒｐｍ、１３０℃に昇温した。昇温後、液中に硫化水素を３リットル／分の供給速度で２時間吹き込んだ。
続いて、この反応液を窒素気流下（２００ｃｃ／分）で昇温し、反応した硫化水素の一部を脱硫化水素化した。昇温するにつれ、硫化水素と水酸化リチウムの反応により副生した水が蒸発を始めたが、この水はコンデンサにより凝縮し系外に抜き出した。水を系外に留去すると共に反応液の温度は上昇するが、１８０℃に達した時点で昇温を停止し、一定温度に保持した。脱硫化水素反応が終了後（約８０分）反応を終了し、硫化リチウムを得た。

（２）硫化リチウムの精製
上記（１）で得られた５００ｍＬのスラリー反応溶液（ＮＭＰ−硫化リチウムスラリー）中のＮＭＰをデカンテーションした後、脱水したＮＭＰ１００ｍＬを加え、１０５℃で約１時間撹拌した。その温度のままＮＭＰをデカンテーションした。さらにＮＭＰ１００ｍＬを加え、１０５℃で約１時間撹拌し、その温度のままＮＭＰをデカンテーションし、同様の操作を合計４回繰り返した。デカンテーション終了後、窒素気流下２３０℃（ＮＭＰの沸点以上の温度）で硫化リチウムを常圧下で３時間乾燥した。得られた硫化リチウム中の不純物含有量を測定した。
尚、亜硫酸リチウム（Ｌｉ_２ＳＯ_３）、硫酸リチウム（Ｌｉ_２ＳＯ_４）並びにチオ硫酸リチウム（Ｌｉ_２Ｓ_２Ｏ_３）の各硫黄酸化物、及びＮ−メチルアミノ酪酸リチウム（ＬＭＡＢ）の含有量は、イオンクロマトグラフ法により定量した。その結果、硫黄酸化物の総含有量は０．１３重量％であり、ＬＭＡＢは０．０７重量％であった。

製造例２−硫化リチウムの製造（２）
硫化リチウムの製造及び精製は、特開２０１０−１６３３５６号公報の実施例２と同様に行った。具体的には、下記のように行った。
窒素気流下で非水溶性媒体としてトルエン（広島和光製試薬）２７０ｇを６００ｍＬセパラブルフラスコに加え、続いて水酸化リチウム３０ｇ（本荘ケミカル製）を投入し、フルゾーン撹拌翼３００ｒｐｍで撹拌しながら、９５℃に保持した。
スラリー中に硫化水素（巴商会製）を３００ｍＬ／分の供給速度で吹き込みながら１０４℃まで昇温した。セパラブルフラスコからは、水とトルエンの共沸ガスが連続的に排出された。この共沸ガスを、系外のコンデンサで凝縮させることにより脱水した。この間、留出するトルエンと同量のトルエンを連続的に供給し、反応液レベルを一定に保持した。

凝縮液中の水分量は徐々に減少し、硫化水素導入後６時間で水の留出は認められなくなった（水分量は総量で２２ｍＬであった）。尚、反応の間は、トルエン中に固体が分散して撹拌された状態であり、トルエンから分層した水分は無かった。
この後、硫化水素を窒素に切り替え３００ｍＬ／分で１時間流通した。
固形分をろ過・乾燥して得た白色粉末を分析したところ（塩酸滴定及び硝酸銀滴定）、硫化リチウムの純度は９８．５％であった。Ｘ線回折測定したところ、硫化リチウムの結晶パターン以外のピークが検出されないことを確認した。得られた硫化リチウムの比表面積を窒素ガスによるＢＥＴ法で、ＡＵＴＯＳＯＲＢ６を用いて測定した結果、１２．６ｍ^２／ｇであった。

実施例１（Ｌｉ／Ｐモル比＝７０／３０）
図１に示す装置を用いた。撹拌機として、アシザワ・ファインテック社製スターミルミニツェア（０．１５Ｌ）（ビーズミル）を用い、０．５ｍｍφジルコニアボール４５０ｇを仕込んだ。温度保持槽として、撹拌機付の１．５Ｌガラス製反応器を使用した。

製造例２により製造した硫化リチウム（Ｌｉ_２Ｓ）３９．０５ｇ（７０モル％）と五硫化二リン（Ｐ_２Ｓ_５）（アルドリッチ社製）８０．９５ｇ（３０モル％）に、脱水トルエン（広島和光純薬製社製）１１４０ｇ、脱水イソブチロニトリル６０ｇを加えた混合物を温度保持槽及びミルに充填した。
ポンプにより内容物を４００ｍＬ／分の流量で温度保持槽とミル内とを循環させ、温度保持槽を８０℃になるまで昇温した。
ミル本体は、液温が７０℃に保持できるよう外部循環により温水を通水し、周速８ｍ／ｓの条件で運転した。約１２時間反応後、スラリーを採取し、一部を１５０℃にて乾燥し白色粉末の電解質ガラスを得た。

この白色粉末の電解質ガラスを１００℃の温度で真空下、加熱し、さらに脱水メタノールを加えて均一溶液とした後、ガスクロマトグラフ分析を行うとイソブチロニトリルが２．９重量％含まれていることが分かった。
また、この白色粉末のスラリー溶液を窒素置換したオートクレーブ内に封入し、１８０℃で２時間加熱して、電解質ガラスセラミックを得た。得られた電解質ガラスセラミックについてＸ線回折（ＸＲＤ）測定（ＣｕＫα：λ＝１．５４１８Å）を行った結果、ＸＲＤスペクトルはＬｉ_７Ｐ_３Ｓ_１１由来の結晶パターンであった。
イオン伝導度測定の結果、この粉末のイオン伝導度は１．８×１０^−３Ｓ／ｃｍであった。

比較例１（Ｌｉ／Ｐモル比＝７０／３０）
イソブチロニトリルを添加せずに電解質ガラスを調製した以外は、実施例１と同じ条件にて電解質ガラスを調製し、この電解質ガラスを１８０℃で２時間加熱した。加熱した電解質ガラスはＸＲＤスペクトルより結晶パターンは観測できず、１８０℃の加温処理では、結晶化されず、電解質ガラスの状態を維持していることが確認された。イオン伝導度は１．５×１０^−４Ｓ／ｃｍであった。

比較例２（Ｌｉ／Ｐモル比＝７０／３０）
スラリー溶液の加温条件を１８０℃から２５０℃とした以外は、比較例１と同じ条件で実施した。ＸＲＤスペクトルはＬｉ_７Ｐ_３Ｓ_１１由来の結晶パターンであった。イオン伝導度は１．５×１０^−３Ｓ／ｃｍであった。

実施例２（Ｌｉ／Ｐモル比＝７５／２５）
仕込み原料をＬｉ_２Ｓ４２．１ｇ（７５モル％）とＰ_２Ｓ_５（アルドリッチ社製）６７．９ｇ（２５モル％）に変更し、反応条件を４０時間とした以外は、実施例１と同じ条件で実施した。電解質ガラスセラミックのＸＲＤスペクトルは、Ｌｉ_３ＰＳ_４由来のパターンであった。電解質ガラスセラミックのイオン電導度は、１．１×１０^−４Ｓ／ｃｍであった。反応中のミルの駆動電力が安定していたことから、反応中のミルの運転は非常に安定していたと考えられる。
Ｌｉ_２Ｓ比率が高い電解質ガラスを調製する際に反応中のミルの運転が不安定になる傾向が見られるが、ニトリル化合物が添加されていることで、ミルの運転が安定化するという効果が得られる。
また、電解質ガラスを１００℃の温度で真空下、加熱し、さらに脱水メタノールを加えて均一溶液とした後、ガスクロマトグラフ分析を行うとイソブチロニトリルが２．６重量％含まれていることが分かった。

実施例３（Ｌｉ／Ｐモル比＝７５／２５）
仕込み原料をＬｉ_２Ｓ４２．１ｇ（７５モル％）とＰ_２Ｓ_５（アルドリッチ社製）６７．９ｇ（２５モル％）に変更し、反応条件を４０時間、温度保持槽を４０℃、ミル本体は、液温が４０℃になるように保持した以外は、実施例１と同じ条件で実施した。電解質ガラスセラミックのＸＲＤスペクトルは、Ｌｉ_３ＰＳ_４由来のパターンであった。電解質ガラスセラミックのイオン電導度は、１．２×１０^−４Ｓ／ｃｍであった。反応中のミルの駆動電力が安定していたことから、反応中のミルの運転は非常に安定していたと考えられる。
Ｌｉ_２Ｓ比率が高い電解質ガラスを調製する際に反応中のミルの運転が不安定になる傾向が見られるが、ニトリル化合物が添加されていることで、ミルの運転が安定化するという効果が得られる。
また、電解質ガラスを１００℃の温度で真空下、加熱し、さらに脱水メタノールを加えて均一溶液とした後、ガスクロマトグラフ分析を行うとイソブチロニトリルが２．４重量％含まれていることが分かった。

比較例３（Ｌｉ／Ｐモル比＝７５／２５）
イソブチロニトリルを添加せずに電解質ガラスを調製した以外は、実施例２と同じ条件にて電解質ガラスを調製した。ＸＲＤスペクトルより結晶パターンは観測できず、１８０℃の加温処理では、結晶化されず、電解質ガラスの状態を維持していることが確認された。イオン伝導度は１．１×１０^−４Ｓ／ｃｍであった。

実施例４（Ｌｉ／Ｐモル比＝７０／３０）
製造例１で製造した硫化リチウム（Ｌｉ_２Ｓ）０．６５０８ｇ（０．０１４１７モル（７０モル％））と五硫化二リン（Ｐ_２Ｓ_５）（アルドリッチ社製）を１．３４９２ｇ（０．００６０７モル（３０モル％））をよく混合した。そして、この混合した粉末、トルエン１．８ｇ、イソブチロニトリル０．２ｇ、直径１０ｍｍのジルコニア製ボール１０ケと遊星型ボールミル（フリッチュ社製：型番Ｐ−７）アルミナ製ポットに投入し完全密閉するとともにこのアルミナ製ポット内に窒素を充填し、窒素雰囲気にした。

そして、はじめの数分間は、遊星型ボールミルの回転を低速回転（８５ｒｐｍ）にして硫化リチウムと五硫化二リンを十分混合した。その後、徐々に遊星型ボールミルの回転数を上げ３７０ｒｐｍまで回転数を上げた。遊星型ボールミルの回転数を３７０ｒｐｍで２０時間メカニカルミリングを行った。反応物を回収し、１５０℃にて乾燥し白色粉末を得た。この粉体をＸ線回折（ＸＲＤ）測定（ＣｕＫα：λ＝１．５４１８Å）により評価した結果、ガラス化（硫化物ガラス）していることが確認できた。
この硫化物ガラスを１００℃の温度で真空下、加熱し、さらに脱水メタノールを加えて均一溶液とした後、ガスクロマトグラフ分析を行うとイソブチロニトリルが２．８重量％含まれていることが分かった。
また、硫化物ガラスの粉末を窒素雰囲気下、１８０℃で２時間加熱して、電解質ガラスセラミックを得た。得られた電解質ガラスセラミックは、ＸＲＤスペクトルよりＬｉ_７Ｐ_３Ｓ_１１由来の結晶パターンであった。
イオン伝導度測定の結果、この粉末のイオン伝導度は１．７×１０^−３Ｓ／ｃｍであった。

比較例４（Ｌｉ／Ｐモル比＝７０／３０）
イソブチロニトリルを添加せずに電解質ガラスを調製した以外は、実施例４と同じ条件にて電解質ガラスを調製した。ＸＲＤスペクトルより結晶パターンは観測できず、１８０℃の加温処理では、結晶化されず、電解質ガラスの状態を維持していることが確認された。イオン伝導度は１．１×１０^−４Ｓ／ｃｍであった。

実施例５（Ｌｉ／Ｐモル比＝７５／２５）
イソブチロニトリルを６ｇ添加して電解質ガラスを調製した以外は、実施例２と同じ条件にて電解質ガラスを調製した。反応中のミルの駆動電力が安定していたことから、反応中のミルの運転は非常に安定していたと考えられる。この電解質ガラスを２００℃で２時間加熱した。電解質ガラスセラミックのＸＲＤスペクトルは、Ｌｉ_３ＰＳ_４由来のパターンであった。電解質ガラスセラミックのイオン電導度は、１．２×１０^−４Ｓ／ｃｍであった。
Ｌｉ_２Ｓ比率が高い電解質ガラスを調製する際に反応中のミルの運転が不安定になる傾向が見られるが、少量のニトリル化合物が添加されていることで、ミルの運転が安定化するという効果が得られる。
また、電解質ガラスを１００℃の温度で真空下、加熱し、さらに脱水メタノールを加えて均一溶液とした後、ガスクロマトグラフ分析を行うとイソブチロニトリルが１．９重量％含まれていることが分かった。

比較例５（Ｌｉ／Ｐモル比＝７５／２５）
イソブチロニトリルを添加せずに電解質ガラスを調製した以外は、実施例２と同じ条件にて電解質ガラスを調製した。反応中のミルの駆動電力が不安定であったことから、反応中のミルの運転も不安定であったと考えられる。この電解質ガラスを２００℃で２時間加熱したが、結晶化されず、電解質ガラスの状態を維持していることが確認された。イオン伝導度は１．２×１０^−４Ｓ／ｃｍであった。

実施例６（Ｌｉ／Ｐ／Ｂｒモル比＝６４／２１／１５）
仕込み原料をＬｉ_２Ｓ３６．３ｇ（６４モル％）、Ｐ_２Ｓ_５（アルドリッチ社製）５７．６ｇ（２１モル％）、ＬｉＢｒ（アルドリッチ社製）１６．１ｇ（１５モル％）に変更し、イソブチルニトリルを６ｇ添加し電解質ガラスを調製した以外は、実施例２と同じ条件にて電解質ガラスを調製した。反応中のミルの駆動電力が安定していたことから、反応中のミルの運転は非常に安定していたと考えられる。この電解質ガラスを２００℃で２時間加熱し、ガラスセラミックを得た。電解質ガラスセラミックのイオン電導度は、１．５×１０^−３Ｓ／ｃｍであった。
Ｌｉ_２Ｓ比率が高い電解質ガラスを調製する際に反応中のミルの運転が不安定になる傾向が見られるが、少量のニトリル化合物が添加されていることで、ミルの運転が安定化するという効果が得られる。
また、電解質ガラスを１００℃の温度で真空下、加熱し、さらに脱水メタノールを加えて均一溶液とした後、ガスクロマトグラフ分析を行うとイソブチロニトリルが２．０重量％含まれていることが分かった。

比較例６（Ｌｉ／Ｐ／Ｂｒモル比＝６４／２１／１５）
イソブチロニトリルを添加せずに電解質ガラスを調製した以外は、実施例６と同じ条件にて電解質ガラスを調製した。反応中のミルの駆動電力が不安定であったことから、反応中のミルの運転も不安定であったと考えられる。この電解質ガラスを２００℃で２時間加熱したが、結晶化されず、電解質ガラスの状態を維持していることが確認された。イオン伝導度は４．０×１０^−４Ｓ／ｃｍであった。

以上の実施例及び比較例の結果を表１及び表２に示す。表２は、各実施例で得られた電解質ガラスセラミックスについてラマンスペクトルを５回測定し、波形分離ソフトを用いて、上記ラマンスペクトルにおける３３０〜４５０ｃｍ^−１のピークを各成分（ＰＳ_４ ^３−、Ｐ_２Ｓ_７ ^４−及びＰ_２Ｓ_６ ^４−）に対応するピークに波形分離した結果を示す。

本発明の硫化物系ガラスセラミックスの製造方法を用いれば、硫化物系ガラスを結晶化する際の温度を下げることができる。製造された硫化物系ガラスセラミックスは、リチウム二次電池の固体電解質等に好適に利用できる。

上記に本発明の実施形態及び／又は実施例を幾つか詳細に説明したが、当業者は、本発明の新規な教示及び効果から実質的に離れることなく、これら例示である実施形態及び／又は実施例に多くの変更を加えることが容易である。従って、これらの多くの変更は本発明の範囲に含まれる。
本願のパリ優先の基礎となる日本出願明細書の内容を全てここに援用する。

Claims (6)

1. 硫化物系ガラスに取り込まれているニトリル化合物を含む硫化物系ガラスであって、ラマンスペクトルを５回測定し、該ラマンスペクトルにおける３３０〜４５０ｃｍ^−１のピークをＰＳ_４ ^３−、Ｐ_２Ｓ_７ ^４−及びＰ_２Ｓ_６ ^４−の各成分に対応するピークに波形分離したとき、前記各成分に対応するピークの面積比の標準偏差が、いずれも３．０面積％以下であり、ＰＳ_４ ^３−に対応するピークとＰ_２Ｓ_７ ^４−に対応するピークの面積比の合計が７０面積％以上である硫化物系ガラス。
2. 少なくとも硫黄元素及びリチウム元素を含む硫化物系ガラスと、前記硫化物系ガラスに取り込まれているニトリル化合物とを含むガラス固体電解質を結晶化させる硫化物系ガラスセラミックスの製造方法。
3. 少なくとも硫黄元素及びリチウム元素を含む硫化物系ガラスをニトリル化合物存在下で製造することにより前記硫化物系ガラスに前記ニトリル化合物が取り込まれているガラス固体電解質を製造する製造工程と、前記ガラス固体電解質を結晶化させる結晶化工程と、を含む硫化物系ガラスセラミックスの製造方法。
4. 前記組成物又は前記ガラス固体電解質を加熱することにより結晶化させる請求項２又は３に記載の硫化物系ガラスセラミックスの製造方法。
5. 前記ニトリル化合物が式（３）で示される化合物である請求項２〜４のいずれかに記載の硫化物系ガラスセラミックスの製造方法。
   Ｒ（ＣＮ）ｎ ・・・（３）
   （式中、Ｒは、炭素数が１以上１０以下のアルキル基、環形成炭素数が３以上１０以下のシクロアルキル基、又は環形成炭素数が６以上１８以下の芳香環を有する基であり、ｎは、１又は２である。）
6. 前記硫化物系ガラスがリン元素を含む請求項２〜５のいずれかに記載の硫化物系ガラスセラミックスの製造方法。
   

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