JPWO2013157064A1 - はんだ付け装置及び方法並びに製造された基板及び電子部品 - Google Patents

はんだ付け装置及び方法並びに製造された基板及び電子部品 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2013157064A1
JPWO2013157064A1 JP2012518679A JP2012518679A JPWO2013157064A1 JP WO2013157064 A1 JPWO2013157064 A1 JP WO2013157064A1 JP 2012518679 A JP2012518679 A JP 2012518679A JP 2012518679 A JP2012518679 A JP 2012518679A JP WO2013157064 A1 JPWO2013157064 A1 JP WO2013157064A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
fatty acid
organic fatty
containing solution
molten solder
processed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2012518679A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5079170B1 (ja
Inventor
克守 谷黒
克守 谷黒
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TANIGUROGUMI CORP
Original Assignee
TANIGUROGUMI CORP
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TANIGUROGUMI CORP filed Critical TANIGUROGUMI CORP
Application granted granted Critical
Publication of JP5079170B1 publication Critical patent/JP5079170B1/ja
Publication of JPWO2013157064A1 publication Critical patent/JPWO2013157064A1/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K3/00Tools, devices, or special appurtenances for soldering, e.g. brazing, or unsoldering, not specially adapted for particular methods
    • B23K3/06Solder feeding devices; Solder melting pans
    • B23K3/0607Solder feeding devices
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K1/00Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
    • B23K1/08Soldering by means of dipping in molten solder
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K1/00Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
    • B23K1/0008Soldering, e.g. brazing, or unsoldering specially adapted for particular articles or work
    • B23K1/0016Brazing of electronic components
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K1/00Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
    • B23K1/20Preliminary treatment of work or areas to be soldered, e.g. in respect of a galvanic coating
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K1/00Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
    • B23K1/20Preliminary treatment of work or areas to be soldered, e.g. in respect of a galvanic coating
    • B23K1/203Fluxing, i.e. applying flux onto surfaces
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K3/00Tools, devices, or special appurtenances for soldering, e.g. brazing, or unsoldering, not specially adapted for particular methods
    • B23K3/06Solder feeding devices; Solder melting pans
    • B23K3/0646Solder baths
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K3/00Tools, devices, or special appurtenances for soldering, e.g. brazing, or unsoldering, not specially adapted for particular methods
    • B23K3/06Solder feeding devices; Solder melting pans
    • B23K3/0646Solder baths
    • B23K3/0669Solder baths with dipping means
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K3/00Tools, devices, or special appurtenances for soldering, e.g. brazing, or unsoldering, not specially adapted for particular methods
    • B23K3/08Auxiliary devices therefor
    • B23K3/082Flux dispensers; Apparatus for applying flux
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/22Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
    • B23K35/24Selection of soldering or welding materials proper
    • B23K35/26Selection of soldering or welding materials proper with the principal constituent melting at less than 400 degrees C
    • B23K35/262Sn as the principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/03Manufacturing methods
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/11Manufacturing methods
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L24/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/741Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/741Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
    • H01L24/742Apparatus for manufacturing bump connectors
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28Applying non-metallic protective coatings
    • H05K3/282Applying non-metallic protective coatings for inhibiting the corrosion of the circuit, e.g. for preserving the solderability
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/3457Solder materials or compositions; Methods of application thereof
    • H05K3/3468Applying molten solder
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36Electric or electronic devices
    • B23K2101/42Printed circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/03Manufacturing methods
    • H01L2224/033Manufacturing methods by local deposition of the material of the bonding area
    • H01L2224/0331Manufacturing methods by local deposition of the material of the bonding area in liquid form
    • H01L2224/03312Continuous flow, e.g. using a microsyringe, a pump, a nozzle or extrusion
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/03Manufacturing methods
    • H01L2224/034Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the bonding area
    • H01L2224/0341Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the bonding area in liquid form
    • H01L2224/03418Spray coating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/03Manufacturing methods
    • H01L2224/036Manufacturing methods by patterning a pre-deposited material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/03Manufacturing methods
    • H01L2224/038Post-treatment of the bonding area
    • H01L2224/0381Cleaning, e.g. oxide removal step, desmearing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/03Manufacturing methods
    • H01L2224/038Post-treatment of the bonding area
    • H01L2224/0382Applying permanent coating, e.g. in-situ coating
    • H01L2224/03821Spray coating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/0401Bonding areas specifically adapted for bump connectors, e.g. under bump metallisation [UBM]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/05001Internal layers
    • H01L2224/05073Single internal layer
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/05001Internal layers
    • H01L2224/05075Plural internal layers
    • H01L2224/0508Plural internal layers being stacked
    • H01L2224/05082Two-layer arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/05001Internal layers
    • H01L2224/05099Material
    • H01L2224/051Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05101Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/05111Tin [Sn] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/05001Internal layers
    • H01L2224/05099Material
    • H01L2224/051Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/05147Copper [Cu] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/05575Plural external layers
    • H01L2224/0558Plural external layers being stacked
    • H01L2224/05582Two-layer coating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/05599Material
    • H01L2224/056Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05601Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/05611Tin [Sn] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/05599Material
    • H01L2224/056Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05638Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/05647Copper [Cu] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/05599Material
    • H01L2224/0569Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11Manufacturing methods
    • H01L2224/113Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector
    • H01L2224/1131Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector in liquid form
    • H01L2224/11312Continuous flow, e.g. using a microsyringe, a pump, a nozzle or extrusion
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11Manufacturing methods
    • H01L2224/116Manufacturing methods by patterning a pre-deposited material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11Manufacturing methods
    • H01L2224/118Post-treatment of the bump connector
    • H01L2224/1182Applying permanent coating, e.g. in-situ coating
    • H01L2224/11821Spray coating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099Material
    • H01L2224/131Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13101Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/13111Tin [Sn] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/1354Coating
    • H01L2224/13599Material
    • H01L2224/1369Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/741Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/38Effects and problems related to the device integration
    • H01L2924/381Pitch distance
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/08Treatments involving gases
    • H05K2203/081Blowing of gas, e.g. for cooling or for providing heat during solder reflowing
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/12Using specific substances
    • H05K2203/122Organic non-polymeric compounds, e.g. oil, wax, thiol
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/13Moulding and encapsulation; Deposition techniques; Protective layers
    • H05K2203/1333Deposition techniques, e.g. coating
    • H05K2203/1366Spraying coating
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/15Position of the PCB during processing
    • H05K2203/1518Vertically held PCB
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0085Apparatus for treatments of printed circuits with liquids not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46; conveyors and holding means therefor
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31678Of metal

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Abstract

【課題】低コストで、歩留まりが高く、信頼性の高いはんだ付けを行うことができるはんだ付け装置及び方法を提供する。【解決手段】銅電極2を有する被処理部材10を有機脂肪酸含有溶液31に浸漬し、浸漬した被処理部材10を有機脂肪酸含有溶液31中で水平移動する第1処理部と、処理した被処理部材10を上方向の蒸気雰囲気の空間部24に引き上げながら、被処理部材10に向けて溶融はんだ5aの噴流5’を吹き付ける噴射手段33を備えた第2処理部と、処理した被処理部材10を空間部24中で水平移動した後に有機脂肪酸含有溶31液中に降下させながら、被処理部材10上の余剰の溶融はんだ5aに有機脂肪酸含有溶液31を吹き付けて除去する噴射手段34を備えた第3処理部と、処理した被処理部材10を有機脂肪酸含有溶液31中で水平移動した後に上方向に引き上げて溶液外に取り出す第4処理部とを備えるはんだ付け装置により上記課題を解決した。【選択図】図1

Description

本発明は、はんだ付け装置及び方法並びに製造された基板及び電子部品に関する。さらに詳しくは、低コストで、歩留まりが高く、信頼性の高いはんだ付けを行うことができるはんだ付け装置及び方法、並びに製造された基板及び電子部品に関する。
近年、プリント基板、ウエハー及びフレキシブル基板等の基板(以下、これらを「実装基板」ということがある。)は、配線密度や実装密度がますます向上している。実装基板は、電子部品をはんだ付けするための銅電極を多数有している。その銅電極上にははんだバンプが設けられ、電子部品はそのはんだバンプにはんだ付けされて実装基板に実装される。
はんだバンプは、微細で、形状及び寸法等が揃っており、必要な部分にのみはんだバンプが形成されていることが要求されている。そうした要求を満たすはんだバンプの形成方法として、特許文献1には、ペーストでペーストバンプを形成するための開口を備えたスクリーン版であって、剛性な第1の金属層、樹脂系の接着剤層及び第2の金属層からなり、かつ第1の金属層の開口に対して接着剤層及び第2の金属層の開口が縮径していることを特徴とするスクリーン版を用い、緻密で一定形状のバンプを容易に形成する手法等が提案されている。
ところで、コネクタ、QFP(Quad Flat Package)、SOP(Small Out line Package)、BGA(Ball Grid Array)等の電子部品は、リード端子等の接続端子の寸法にばらつきが存在することがある。接続端子の寸法がばらついた電子部品をはんだ付け不良なくはんだ付けするためには、実装基板に設けるはんだバンプを厚くすることにより、電子部品の寸法ばらつきの影響を小さくする必要がある。実装基板に実装するための電子部品にCSP(Chip Size Package)等の小型の電子部品が混在する場合、そうした小型電子部品用のはんだバンプの大きさは極めて小さく微細である。
一般的なはんだバンプの形成方法として、銅電極が設けられた実装基板をそのまま溶融はんだ中にディッピング(浸漬)する方法が知られている。しかしながら、銅電極にはんだが接触すると、銅とはんだに含まれる錫とが化合してCuSn金属間化合物が生成する。このCuSn金属間化合物は、銅電極がはんだ中の錫で浸食される態様で形成されることから「銅溶食」又は「銅食われ」等(以下「銅溶食」と呼ぶ。)と呼ばれることがある。こうした銅溶食は、電気接続部である銅電極の信頼性を低下させ、実装基板の信頼性を損なわせるおそれがある。そのため、溶融はんだ中への実装基板のディッピング時間を短縮して銅溶食を抑制することが必要であり、そのために、実装基板の銅電極上に予備はんだ層を形成し、その後に実装基板を溶融はんだ中にディッピングする方法(ディッピング方法)が検討されている。
特開平10−286936号公報
上記したはんだバンプの形成方法のうち、スクリーン版を用いたはんだバンプの形成方法は生産性が悪いという難点があり、ディッピング方法でのはんだバンプの形成方法は、最初にディッピング(浸漬)する部分と、最後にディッピングする部分とで、銅溶食に差が生じ、同じ基板の各部で銅電極の信頼性に差が生じる。そのため、銅溶食の問題が依然として解決できていないという問題があった。
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、その目的は、低コストで、歩留まりが高く、信頼性の高いはんだ付けを行うことができるはんだ付け装置及びはんだ付け方法を提供することにある。また、本発明の他の目的は、そうしたはんだ付け装置やはんだ付け方法で製造された基板及び電子部品を提供することにある。
(1)上記課題を解決するための本発明に係るはんだ付け装置は、銅電極を有する被処理部材を有機脂肪酸含有溶液に浸漬し、浸漬した前記被処理部材を前記有機脂肪酸含有溶液中で水平移動する第1処理部と、該第1処理部で処理した前記被処理部材を上方向の蒸気雰囲気の空間部に引き上げながら、前記被処理部材に向けて溶融はんだの噴流を吹き付ける噴射手段を備えた第2処理部と、該第2処理部で処理した前記被処理部材を前記空間部中で水平移動した後に前記有機脂肪酸含有溶液中に降下させながら、前記被処理部材上の余剰の溶融はんだに前記有機脂肪酸含有溶液を吹き付けて除去する噴射手段を備えた第3処理部と、該第3処理部で処理した前記被処理部材を前記有機脂肪酸含有溶液中で水平移動した後に上方向に引き上げて溶液外に取り出す第4処理部と、を備え、前記被処理部材を前記第1処理部から第4処理部に連続して移動する搬送手段と、前記第1処理部に前記被処理部材を投入する投入口及び前記第4処理部から処理後の前記被処理部材を排出する排出口が設けられており、それ以外は密閉又は略密閉されていることを特徴とする。
本発明に係るはんだ付け装置において、(a1)前記有機脂肪酸含有溶液がパルミチン酸含有溶液であることが好ましく、(b1)前記溶融はんだが前記有機脂肪酸含有溶液で処理された溶融はんだであることが好ましく、(c1)前記余剰の溶融はんだを除去する液体が前記有機脂肪酸含有溶液であることが好ましく、(d1)前記第4処理部で処理した後に前記被処理部材の表面に付着した有機脂肪酸含有溶液を液切りする噴射手段をさらに備えることが好ましく、(e1)前記空間部が、前記有機脂肪酸含有溶液の蒸気によって加圧されていることが好ましく、(f1)前記空間部の温度と前記有機脂肪酸含有溶液の温度とが同じであり、該空間部内の温度が、該空間部内で吹き付ける溶融はんだの温度と同じ又はその温度よりも高いことが好ましく、(g1)前記噴射手段の下方の前記有機脂肪酸含有溶液の底に貯まった溶融はんだを回収して、前記溶融はんだを吹き付ける前記噴射手段に送るための循環装置を備えることが好ましい。
(2)上記課題を解決するための本発明に係るはんだ付け方法は、銅電極を有する被処理部材を有機脂肪酸含有溶液に浸漬し、浸漬した前記被処理部材を前記有機脂肪酸含有溶液中で水平移動する第1処理工程と、該第1処理工程で処理した前記被処理部材を上方向の蒸気雰囲気の空間部に引き上げながら、前記被処理部材に向けて溶融はんだの噴流を吹き付ける第2処理工程と、該第2処理工程で処理した前記被処理部材を前記空間部中で水平移動した後に前記有機脂肪酸含有溶液中に降下させながら、前記被処理部材上の余剰の溶融はんだに液体を吹き付けて除去する第3処理工程と、該第3処理工程で処理した前記被処理部材を前記有機脂肪酸含有溶液中で水平移動した後に上方向に引き上げて溶液外に取り出す第4処理工程と、を備え、前記被処理部材を前記第1処理工程から第4処理工程に連続して移動する搬送手段と、前記第1処理工程に前記被処理部材を投入する投入口と、前記第4処理工程から処理後の前記被処理部材を排出する排出口とを有し、該投入口及び該排出口以外は密閉又は略密閉されているはんだ付け装置を使用することを特徴とする。
本発明に係るはんだ付け方法において、(a2)前記有機脂肪酸含有溶液がパルミチン酸含有溶液であることが好ましく、(b2)前記溶融はんだが前記有機脂肪酸含有溶液で処理された溶融はんだであることが好ましく、(c2)前記余剰の溶融はんだを除去する液体が前記有機脂肪酸含有溶液であることが好ましく、(d2)前記第4処理工程で処理した後に処理後の前記被処理部材の表面に付着した有機脂肪酸含有溶液を液切りする工程をさらに備えることが好ましく、(e2)前記空間部が、前記有機脂肪酸含有溶液の蒸気によって加圧されていることが好ましく、(f2)前記空間部の温度と前記有機脂肪酸含有溶液の温度とが同じであり、該空間部内の温度が、該空間部内で吹き付ける溶融はんだの温度と同じ又はその温度よりも高いことが好ましく、(g2)前記空間部の下方の前記有機脂肪酸含有溶液の底に貯まった溶融はんだを回収して、前記溶融はんだを吹き付ける噴射手段に送って再利用することが好ましい。
(3)上記課題を解決するための本発明に係る基板は、上記本発明に係るはんだ付け装置又ははんだ付け方法で製造された基板であって、該基板が有する銅電極は、その表面から、銅溶食防止層、はんだ層及び有機脂肪酸コーティング層の順で設けられていることに特徴を有する。
(4)上記課題を解決するための本発明に係る電子部品は、上記本発明に係るはんだ付け装置又ははんだ付け方法で製造された電子部品であって、該電子部品が有する銅電極は、その表面から、銅溶食防止層、はんだ層及び有機脂肪酸コーティング層の順で設けられていることに特徴を有する。
本発明に係るはんだ付け装置及びはんだ付け方法によれば、有機脂肪酸含有溶液への浸漬処理、空間部に引き上げながら行う溶融はんだの付着処理、空間部から降下させながら行う余剰の溶融はんだの除去処理、及び有機脂肪酸含有溶液への再浸漬処理を連続して行うので、従来のディッピング処理のような銅電極の銅溶食が起こらず、しかもその後の種々の実装工程での銅溶食を起こさない基板や電子部品を製造することができる。その結果、電気的接続部である銅電極の信頼性が高く、歩留まりのよい基板や電子部品を低コストで製造することができる。
特に、有機脂肪酸含有溶液に浸漬した後に、その有機脂肪酸含有溶液の蒸気雰囲気の空間部に引き上げながら、被処理部材に設けられている銅電極に向けて溶融はんだの噴流を吹き付けて溶融はんだを銅電極に付着させ、さらに、その空間部から降下させながら余剰の溶融はんだに有機脂肪酸含有溶液を吹き付けて除去するので、清浄化された銅電極表面に、銅溶食防止層を欠陥なく一様に形成することができ、しかも余剰の溶融はんだを除去した状態で再び有機脂肪酸含有溶液に浸漬して有機脂肪酸コーティング層を設けている。その結果、銅溶食防止層上に最小限のはんだ層を設けた状態でそのはんだ層のはんだ濡れ性等を維持する有機脂肪酸コーティング層が設けられているので、その後の実装工程で、種々の溶融はんだ槽にディッピングされたり、ペーストはんだを印刷した後にリフロー炉に投入されたり、焼成路に投入されたりした場合であっても、銅電極の銅食われが起きず、しかもはんだ濡れ性を損なわず、その後に実装工程で処理することができる。
本発明に係る基板及び電子部品によれば、基板及び電子部品が有する銅電極は、その表面から、銅溶食防止層、はんだ層及び有機脂肪酸コーティング層の順で設けられているので、その後のリフロー炉や焼成路等で熱が加わっても、銅溶食防止層で銅電極の溶食がブロックされる。その結果、種々の工程を経て行われる電子部品の実装工程での電気的接続部(銅電極部)の信頼性が低下せず、微細な銅電極でも歩留まりよく製造できるので、低コストで信頼性の高い基板及び電子部品を提供できる。
本発明に係るはんだ付け装置の一例を示す模式的な構成図である。 被処理部材である基板の一例を示す模式的な断面図である。 処理後の基板(処理部材)の一例を示す模式的な断面図である。 各処理部又は各工程を経た後の被処理部材の形態を示す模式的な断面図である。 溶融はんだを噴射して溶融はんだを銅電極上に付着させる工程を示す模式的な断面図である。 有機脂肪酸含有溶液を噴射して余剰の溶融はんだを除去する工程を示す模式的な断面図である。 銅電極上に形成された金属間化合物層の例であり、(A)は比較例で形成された銅電極部の模式的な断面図であり、(B)は実施例で形成された銅電極部の模式的な断面図である。 保持ジグに保持されて連続処理された電子部品の一例を示す模式図である。 製造された電子部品の一例を示す斜視図と断面図である。 製造された電子部品の他の例を示す斜視図である。 はんだ付けされた銅電極部を加熱した後のマイクロボイドの発生形態の例であり、(A)(B)は比較例での結果であり、(C)(D)は実施例での結果である。 実施例で得られたはんだ接続部の断面の元素マッピング像である。 基板の微細な銅電極に、銅溶食防止層、はんだ層及び有機脂肪酸コーティング層の順で設けた形態を示す光学顕微鏡写真(A)(B)及び電子顕微鏡写真(C)である。 基板の微細な銅電極に、銅溶食防止層、はんだ層及び有機脂肪酸コーティング層の順で設けた断面形態を示す電子顕微鏡写真(A)及びその元素マッピング像(B)である。
以下、本発明に係るはんだ付け装置及びはんだ付け方法、並びに製造された基板及び電子部品について、図面を参照しつつ説明する。なお、本願では、「本発明」を「本願の実施形態」と言い換えることができる。なお、「銅溶食防止層」とは、電極を構成する銅電極がはんだによって溶食(銅原子が拡散して溶け出す態様のこと。)されるのを防ぐように機能する層のことである。
[はんだ付け装置及び方法]
本発明に係るはんだ付け装置20及び方法は、図1に示すように、有機脂肪酸含有溶液31への浸漬処理(浸漬処理部A)、空間部32に引き上げながら行う溶融はんだ5aの付着処理(付着処理部B)、空間部32から降下させながら行う余剰の溶融はんだ5aの除去処理(除去処理部B)、及び有機脂肪酸含有溶液31への再浸漬処理(再浸漬処理部C)、を連続して行う装置及び方法である。こうしたはんだ付け装置20及び方法により、従来のディッピング処理のような銅電極の銅溶食が起こらず、しかもその後の種々の実装工程での銅溶食を起こさない基板や電子部品を製造することができる。その結果、電気的接続部である銅電極の信頼性が高く、歩留まりのよい基板や電子部品を低コストで製造することができる。
以下、装置の各構成及び工程について詳しく説明する
(被処理部材)
被処理部材10は、はんだ付け装置20及び方法に適用されるものであり、具体的には、プリント基板、ウエハー及びフレキシブル基板等の基板(「実装基板」ともいう。)や、コネクタ、QFP(Quad Flat Package)、SOP(Small Out line Package)、BGA(Ball Grid Array)、半導体チップ、チップ抵抗、チップコンデンサ、ジャンパー配線材等の電子部品を挙げることができる。また、ここに例示したもの以外の公知の基板や電子部品、さらには今後開発される新しい基板や電子部品を含む。
被処理部材10は、基材1に銅電極2が任意の形態で設けられており、本発明に係るはんだ付け装置20及び方法は、そうした銅電極2へのはんだ付けする際に適用する装置及び方法である。
こうした被処理部材10は、例えば図1に矢印を含む点線でループさせた搬送手段(ベルトコンベアー)28によって、連続的に搬送される。被処理部材10を搬送手段28に取り付ける取り付けジグは、搬送する被処理部材10の形状を考慮して各種のものを用いることができる。例えば図2に示すプリント基板の場合には、その矩形のプリント基板を周縁で挟んで保持する枠状ジグ(図示しない)を任意に用いることができ、例えば図8に示す電子部品40の場合には、その電子部品40の形状に合わせた保持ジグ42を任意に用いることができる。
(有機脂肪酸含有溶液への浸漬処理)
被処理部材10は、図1の投入部21の投入口26から装置20内に投入される。投入された被処理部材10は、浸漬処理部Aで、有機脂肪酸含有溶液槽22に降下して有機脂肪酸含有溶液31に浸漬する。こうした有機脂肪酸含有溶液槽22は、有機脂肪酸含有溶液31を一定量満たしている。有機脂肪酸含有溶液槽22の大きさ及び形状は特に限定されないが、被処理部材10を有機脂肪酸含有溶液31に浸漬できる十分な大きさと形状であり、被処理部材10の連続な搬送に支障のない大きさと形状で構成されていることが好ましい。図1の例では、有機脂肪酸含有溶液槽22は矩形又は円筒形の水槽構造で構成されており、その浸漬処理部Aは有機脂肪酸含有溶液槽22のやや周縁部に位置している。そして、後述する再浸漬処理部Cの対称位置にある。なお、浸漬した被処理部材10は、後述する溶融はんだ付着処理のために引き上げられる箇所まで水平方向に水平移動する。
有機脂肪酸含有溶液槽22中の有機脂肪酸含有溶液31は、浸漬処理部A及び再浸漬処理部C等のいずれの場所でも同じ温度である。有機脂肪酸含有溶液31の温度は、そこから蒸発した蒸気で空間部24の温度を溶融はんだ5aの噴流温度と同じ又は略同じ温度とすることから、溶融はんだ5aの噴流温度によって決まる。例えば溶融はんだ5aの噴流温度が250℃である場合は、有機脂肪酸含有溶液31の温度も同じ又は同程度の温度であることが好ましい。こうした温度に設定することにより、有機脂肪酸含有溶液31から蒸発した蒸気の温度を、溶融はんだ5aの噴流温度と同じ又は同程度の温度にすることができる。有機脂肪酸含有溶液31の温度の制御手段としては、有機脂肪酸含有溶液槽22の周りにヒーターや冷却器を巻き付けたり、槽中にヒーターや冷却管を挿入したり、槽中の有機脂肪酸含有溶液31を温調機器(図示しない)に循環して温度制御してもよい。
なお、処理前の被処理部材10が有機脂肪酸含有溶液31に投入される箇所の温度と、処理後の被処理部材10が有機脂肪酸含有溶液31から引き上げられる箇所の温度は、他の箇所の有機脂肪酸含有溶液31の温度よりも低くしてもよい。その温度は、基板の種類やはんだの種類によっても異なるので一概には言えないが、例えば50℃以上240℃以下程度に制御されていることが好ましい。その制御手段としては、被処理部材10が最初に投入される部分や最後に引き上げられる部分の槽周りにヒーターや冷却器を巻き付けて制御してもよいし、その部分の槽中にヒーターや冷却管を挿入して制御してもよい。こうした温度に設定することにより、常温の被処理部材10がいきなり高温の有機脂肪酸含有溶液31に投入されて熱膨張による不具合等が生じたり、有機脂肪酸含有溶液31中での高温の被処理部材10がいきなり常温の空間に引き上げられて熱収縮による不具合等が生じたりするのを防ぐことができる。
有機脂肪酸含有溶液槽22中の有機脂肪酸含有溶液31は、炭素数が12以上20以下の有機脂肪酸を含む溶液であることが好ましい。炭素数11以下の有機脂肪酸でも使用可能ではあるが、そうした有機脂肪酸は、吸水性があり、例えば投入部21側や排出部23側で有機脂肪酸含有溶液31の温度を下げた場合にはあまり好ましくない。また、炭素数21以上の有機脂肪酸は、融点が高いこと、浸透性が悪いこと、取扱いし難いこと等の難点がある。代表的なものとしては、炭素数16のパルミチン酸が好ましい。有機脂肪酸としては、炭素数16のパルミチン酸のみを用いることが特に好ましく、必要に応じて炭素数12以上20以下の有機脂肪酸、例えば炭素数18のステアリン酸を含有させることもできる。
有機脂肪酸含有溶液31は、5質量%以上25質量%以下のパルミチン酸を含み、残部がエステル合成油からなるものが好ましく用いられる。こうした有機脂肪酸含有溶液31を用いることにより、その有機脂肪酸含有溶液31は、投入部21から有機脂肪酸含有溶液31中に投入された被処理部材10の銅電極表面に存在する酸化物やフラックス成分等の不純物を選択的に取り込み、銅電極表面を清浄化することができる。特に、炭素数16のパルミチン酸を10質量%前後(例えば、5質量%以上15質量%以下)含有する有機脂肪酸含有溶液31が好ましい。なお、有機脂肪酸含有溶液31には、ニッケル塩やコバルト塩等の金属塩や酸化防止剤等の添加剤は含まれていない。
有機脂肪酸の濃度が5質量%未満では、銅電極2の表面に存在する酸化物やフラックス成分等の不純物を選択的に取り込んで精製する効果がやや低く、さらに低濃度での管理が煩雑になることがある。一方、有機脂肪酸の濃度が25質量%を超えると、有機脂肪酸含有溶液31の粘度が高くなること、300℃以上の高温領域では発煙と悪臭の問題を生ずること、等の問題がある。したがって、有機脂肪酸の含有量は、5質量%以上25質量%以下であることが好ましく、特に炭素数16のパルミチン酸のみを用いる場合は、10質量%前後(例えば、5質量%以上15質量%以下)の含有量であることが好ましい。
有機脂肪酸含有溶液槽22では、上記した有機脂肪酸含有溶液31に投入された被処理部材10が浸漬し、その結果、被処理部材10が有する銅電極2の表面に存在する酸化物や不純物等が除去されて清浄化される。そして、銅電極2の表面は、有機脂肪酸含有溶液31を構成する有機脂肪酸のコーティング層3(図4(B)参照)が形成される。このコーティング層3は、銅電極2の表面を清浄し、さらには銅電極2の表面の酸化を抑制して酸化被膜の生成を防ぐことができる。
(空間部)
被処理部材10は、図1に示すように、浸漬処理部Aの有機脂肪酸含有溶液31で処理された後、処理部Bである空間部24に引き上げられる。空間部24は、有機脂肪酸含有溶液31と同じ又は略同じ有機脂肪酸含有溶液31の蒸気雰囲気の加圧された空間部であって、被処理部材10に設けられている銅電極2に向けて溶融はんだ5aの噴流5’を吹き付ける噴射手段33及び余剰の溶融はんだ5aに有機脂肪酸含有溶液31を吹き付けて除去する噴射手段34を水平方向に離して配置している空間部である。
この空間部24は、有機脂肪酸含有溶液31の蒸気等で満たされており、加圧状態になっていることが好ましい。空間部24の圧力は特に限定されないが0.1Pa前後であることが好ましい。特に有機脂肪酸含有溶液31の蒸気によって上記範囲の加圧状態になっていることにより、被処理部材10の銅電極2が酸化したり不純物で汚染されたりすることがない。この空間部24は、先ず、有機脂肪酸含有溶液31で空間部24の天面まで満たした後、窒素ガスを導入して有機脂肪酸含有溶液31の液面を下げて図1に示す空間部24を形成し、その後、有機脂肪酸含有溶液31を加温して空間部24をその蒸気で満たすことによって形成される。
空間部24の雰囲気温度は、はんだ付けする溶融はんだ5aの温度と同じ又はそれに近い温度であることが好ましい。同じ温度であってもよいが、溶融はんだ5aの温度よりもやや高く設定することが好ましい。例えば、溶融はんだ5aの噴流温度に比べて、2℃以上10℃以下の高さで設定されていることが好ましく、2℃以上5℃以下の雰囲気温度に設定されていることが好ましい。この温度範囲内とすることにより、銅電極2の表面に噴射した後の溶融はんだ5aの噴流5’をその銅電極2の表面に満遍なく流動させることができ、特にファインピッチの銅電極や小面積の銅電極の表面の隅々にまで溶融はんだ5aを広げることができる。雰囲気温度が溶融はんだ5aの噴流温度よりも低い場合は、溶融はんだ5aの粘度が低下して溶融はんだ5aの流動性が低下することがあり、一方、雰囲気温度が10℃を超える高さで設定されると、温度が高すぎて被処理部材10に熱ダメージを与えるおそれがある。
空間部24の下には有機脂肪酸含有溶液槽22があり、その有機脂肪酸含有溶液槽22から蒸発した有機脂肪酸含有溶液31の蒸気が空間部24を満たしている。その量は特に限定されないが、空間部24の圧力を0.1MPa前後にする蒸気を発生させることができる程度の量であればよい。
空間部24の下の有機脂肪酸含有溶液31の温度は、そこから蒸発した蒸気で空間部24の温度を溶融はんだ5aの噴流温度と同じ又は略同じ温度とすることから、溶融はんだ5aの噴流温度によって決まる。例えば溶融はんだ5aの噴流温度が250℃である場合は、有機脂肪酸含有溶液31の温度も同じ又は同程度の温度であることが好ましい。こうした温度に設定することにより、有機脂肪酸含有溶液31から蒸発した蒸気の温度を、溶融はんだ5aの噴流温度と同じ又は同程度の温度にすることができる。有機脂肪酸含有溶液31の温度の制御手段としては、有機脂肪酸含有溶液槽22の周りにヒーターや冷却器を巻き付けたり、槽中にヒーターや冷却管を挿入したり、槽中の有機脂肪酸含有溶液31を温調機器(図示しない)に循環して温度制御してもよい。
(溶融はんだの噴射処理)
処理部Bである空間部24では、被処理部材10の銅電極2に向けて溶融はんだ5aの噴射処理(付着処理ともいう。)を行う。すなわち、有機脂肪酸含有溶液31から上方の空間部24に被処理部材10を引き上げながら、その被処理部材10に対して溶融はんだ5aの噴流5’を噴射させて、銅電極2上に溶融はんだ5aを付着させる。噴射処理は、溶融はんだ5aの噴流5’を吹き付ける噴射手段33によって行われ、例えば図1に示すように、噴射ノズル33が好ましく用いられる。この噴射ノズル33は、銅電極2が設けられている面の側に配置されていることが好ましいが、通常、被処理部材10の両面側に配置されている。
最初に、噴射ノズル33から噴射される溶融はんだ5aについて説明する。溶融はんだ5aとしては、はんだを加熱して溶融させ、噴流5’として吹き付けることができる程度に流動化させたものを用いる。その加熱温度は、はんだ組成によって任意に選択されるが、通常、150℃以上300℃以下程度の範囲内から良好な温度が設定される。本発明では、錫を主成分とし、ニッケルを副成分として少なくとも含み、さらに銀、銅、亜鉛、ビスマス、アンチモン及びゲルマニウムから選ばれる1種又は2種以上を副成分として任意に含む溶融鉛フリーはんだが用いられる。
好ましいはんだ組成は、Sn−Ni−Ag−Cu−Ge合金であり、具体的には、ニッケル0.01質量%以上0.5質量%以下、銀2質量%以上4質量%以下、銅0.1質量%以上1質量%以下、ゲルマニウム0.001質量%以上0.02質量%以下、残部が錫のはんだ合金を用いることが、銅食われを安定して防ぐことができるCuNiSn金属間化合物4(図7(B)参照。)を形成するために好ましい。そうしたCuNiSn金属間化合物4を形成するための特に好ましい組成は、0.01質量%以上0.07質量%以下、銀0.1質量%以上4質量%以下、銅0.1質量%以上1質量%以下、ゲルマニウム0.001質量%以上0.01質量%以下、残部が錫のはんだ合金である。こうしたSn−Ni−Ag−Cu−Ge合金ではんだ付けする場合は、240℃以上260℃以下の温度の溶融はんだ5aとして用いることが好ましい。
また、ビスマスを含むはんだは、溶融はんだ5aの加熱温度をさらに低温化することができ、その成分組成を調整することにより、例えば150℃近くまで低温化させることができる。こうした低温化は、空間部24内の蒸気の温度も下げることができるのでより好ましい。ビスマスを含有するはんだ組成も、上記同様、ニッケルを0.01質量%以上0.5質量%以下含有することが好ましく、0.01質量%以上0.07質量%以下含有することがより好ましい。こうすることにより、CuSn金属間化合物層4を容易に形成できる低温型の溶融はんだ5aとすることができる。
また、その他の亜鉛やアンチモンも、必要に応じて配合される。いずれの場合であっても、はんだ組成は、少なくともニッケルを0.01質量%以上0.5質量%以下含有することが好ましく、0.01質量%以上0.07質量%以下含有することがより好ましい。
こうした組成の溶融はんだ5aは、鉛を含まない鉛フリーはんだであるとともに、上記含有量のニッケルを必須に含むので、図7(B)に示すように、溶融はんだ5aに含まれるニッケルが銅電極2の銅と化合し、さらに溶融はんだ5aの錫とも化合して、CuNiSn金属間化合物層4を銅電極2の表面に容易に形成することができる。形成されたCuNiSn金属間化合物層4は、銅電極2の銅溶食防止層として作用し、銅電極2の欠損や消失を防ぐように作用する。したがって、CuNiSn金属間化合物層4を有するはんだ層5は、その後において、そのはんだ層5が形成された基板をはんだ槽中にディッピングするディッピング工程に投入する場合のように、銅電極2にとって過酷とも言える処理にも容易に耐えることができる。そのため、低コストのはんだディッピング工程を適用しても、歩留まりがよく、信頼性の高いはんだ層5を形成できる。さらに、そのはんだ層5を利用した電子部品の実装を低コストで信頼性高く行うことができる実装基板を歩留まりよく得ることができる。
溶融はんだ5aに含まれるニッケル含有量は、CuNiSn金属間化合物層4の厚さに影響することがわかっている。具体的には、ニッケル含有量が0.01質量%以上、0.5質量%以下(好ましくは0.07質量%以下)の範囲では、1μm以上3μm以下程度の略均一厚さのCuNiSn金属間化合物層4を生成できる。この範囲内の厚さのCuNiSn金属間化合物層4は、銅電極2中の銅が溶融はんだ5a中又ははんだ層5中に溶け込んで溶食されるのを防ぐことができる。
ニッケル含有量が0.01質量%では、CuNiSn金属間化合物層4の厚さが約1μm以上1.5μm以下程度になり、ニッケル含有量が例えば0.07質量%では、CuNiSn金属間化合物層4の厚さが約2μm程度になり、ニッケル含有量が0.5質量%では、CuNiSn金属間化合物層4の厚さが約3μm程度になる。
ニッケル含有量が0.01質量%未満では、CuNiSn金属間化合物層4の厚さが1μm未満になって、そのCuNiSn金属間化合物層4が銅電極2を覆いきれない箇所が生じ、その箇所から銅の溶食が起こりやすくなることがある。ニッケル含有量が0.5質量%を超えると、硬いCuNiSn金属間化合物層4が厚さ3μmを超えてさらに厚くなり、そのCuNiSn金属間化合物層4に亀裂が生じることがある。その結果、その亀裂部分から銅の溶食が起こりやすくなる。なお、好ましいニッケル含有量は0.01質量%以上0.07質量%以下であり、この範囲のニッケル含有量を有する溶融はんだ5aは、ニッケル含有量が0.07質量%を超え、0.5質量%以下の場合に比べて、CuNiSn金属間化合物層4の亀裂を起こす可能性がなく、平滑な均一層を形成することができる。
溶融はんだ5aとして用いるはんだは、精製処理されていることが好ましい。具体的には、炭素数12〜20の有機脂肪酸を5質量%以上25質量%以下含有する溶液を180℃以上350℃以下に加熱し、その加熱された溶液と溶融はんだ5aとを接触させて激しく撹拌混合する。こうすることにより、酸化銅とフラックス成分等で汚染された精製処理前の溶融はんだ5aを清浄化することができ、酸化銅やフラックス成分等を除去した溶融はんだ5aを得ることができる。その後、酸化銅やフラックス成分等が除去された溶融はんだ5aを含む混合液を、有機脂肪酸含有溶液貯槽(図示しない)に導入し、その有機脂肪酸含有溶液貯槽中において比重差で分離した清浄化後の溶融はんだ5aをその有機脂肪酸含有溶液貯槽の底部からポンプで鉛フリーはんだ液貯槽に戻す。こうした精製処理を行うことで、噴流として使用する溶融はんだ5a中の銅濃度及び不純物濃度の経時的な上昇を抑制し、かつ酸化銅やフラックス残渣等の不純物を鉛フリーはんだ液貯槽に持ち込ませないようにすることができる。その結果、鉛フリーはんだ液貯槽内の溶融はんだ5aの経時的な組成変化を抑制することができるので、安定した接合信頼性の高い溶融はんだ5aを用いたはんだ層5を連続して形成することができる。また、そうしたはんだ層5を備えた実装基板を連続して製造することができる。
精製された溶融はんだ5aは、はんだ層5の接合品質に影響する酸化銅やフラックス残渣等の不純物を含まない。さらにその溶融はんだ5aは、処理していない溶融はんだに比べて粘度も下がる。その結果、微細なパターンの銅電極2上にはんだ層5を形成する場合に、その銅電極2上に満遍なくはんだ層5を形成でき、はんだ層5と電子部品との接合品質のロット間ばらつきがなくなり、経時的な品質安定性に寄与することができる。
精製に用いる有機脂肪酸含有溶液に含まれる有機脂肪酸は、上記した有機脂肪酸含有溶液31が含むものと同じであるので、ここではその説明を省略する。なお、精製に用いる有機脂肪酸含有溶液の温度は、精製する溶融はんだ5aの融点で決まり、有機脂肪酸含有溶液と溶融はんだ5aとは、少なくとも溶融はんだ5aの融点以上の高温領域(一例としては240℃〜260℃)で激しく撹拌接触させる。また、有機脂肪酸含有溶液の上限温度は、発煙の問題や省エネの観点から350℃程度であり、望ましくは精製処理する溶融はんだ5aの融点以上の温度〜300℃の範囲である。例えば、ニッケル0.01質量%以上0.07質量%以下、銀0.1質量%以上4質量%以下、銅0.1質量%以上1質量%以下、ゲルマニウム0.001質量%以上0.01質量%以下、残部が錫のはんだ合金は、240℃以上260℃以下の温度で溶融はんだ5aとして用いるので、有機脂肪酸含有溶液の温度もそれと同じ240℃以上260℃以下程度であることが好ましい。
こうした有機脂肪酸含有溶液で精製した溶融はんだ5aは、図1及び図5に示すように、被処理部材10が有機脂肪酸含有溶液31から上方に引き上げられている途中で、噴射手段33から被処理部材10に向かって噴流5’として噴霧される。噴射手段33からの溶融はんだ5aの噴射圧力は特に限定されず、溶融はんだ5aの種類、温度、粘度等に応じて任意に設定される。通常は0.3MPa〜0.8MPa程度の圧力で噴射する。雰囲気温度は、上記したように、溶融はんだ5aの噴流温度と同じ又はそれに近い温度(好ましくはやや高い温度)であることが好ましい。こうして、図4(C)及び図5に示すように、銅電極2に付着して盛り上がった溶融はんだ5aが設けられる。また、噴射手段33から吹付ける溶融はんだ5aの噴流5’の流速と吹付け処理時間は、溶融はんだ5aの種類等を考慮して任意に設定する。また、噴射手段33の形状と吹付け角度等の条件についても、溶融はんだ5aの種類等を考慮して任意に適用又は設定する。
(余剰の溶融はんだの除去処理)
溶融はんだ5aが盛られた被処理部材10は、図1に示すように、空間部24内に引き上げられた後に空間部24内を水平方向に移動し、その後、余剰の溶融はんだ5aに有機脂肪酸含有溶液31’を吹き付けて除去する工程に移行する。その除去工程は、被処理部材10を有機脂肪酸含有溶液31中に降下させながら、その途中の空間部24内に配置された噴射手段34から有機脂肪酸含有溶液31’を吹き付けて行う工程である。この除去工程により、図4(C)及び図6に示すように、銅電極2上に盛り上がった溶融はんだ5aを除去して、除去しきれない溶融はんだ5aのみを残すことができる。除去しきれない溶融はんだ5aとは、銅電極2上に形成されたCuNiSn金属間化合物層4に付着した溶融はんだ5aのことであり、その付着した溶融はんだ5aがはんだ層5を構成する。
溶融はんだ5aを除去するための有機脂肪酸含有溶液31’は、有機脂肪酸含有溶液槽22に含まれる有機脂肪酸含有溶液31と同じもの又は略同じものである。空間部24が有機脂肪酸含有溶液31の蒸気雰囲気であることから、有機脂肪酸含有溶液31を構成する有機脂肪酸含有溶液31と同じものが用いられる。なお、窒素ガス等の不活性ガスを一部混入させてもよい。一方、酸素を含む空気や水等は、はんだ層5の酸化や有機脂肪酸含有溶液への相溶性の観点から混入させない。噴射手段34からの有機脂肪酸含有溶液31’の噴射圧力は特に限定されず、溶融はんだ5aの種類、温度、粘度等に応じて任意に設定される。通常は0.2MPa〜0.4MPa程度の圧力で噴射する。
噴射液体として用いる有機脂肪酸含有溶液31’の温度は、溶融はんだ5aの温度(例えば250℃前後)と同じ又は略同じであることが好ましい。こうして余剰の溶融はんだ5aを吹き飛ばすと同時に、露出した溶融はんだ5aの表面には、有機脂肪酸のコーティング層6(図4(D)及び図9(B)参照)を形成できる。
(溶融はんだの再利用)
空間部24の下方の有機脂肪酸含有溶液槽22の底部には、図1に示すように、噴射手段33から噴射した溶融はんだ5aや噴射手段34で掻き落とされた溶融はんだ5aが比重差で沈んでいる。図1に示すように、沈んだ溶融はんだ5aを回収して再利用するための循環装置37が設けられていてもよい。この循環装置37は、有機脂肪酸含有溶液槽22の底に貯まった溶融はんだ5aを、溶融はんだ5aを吹き付ける噴射手段33に送っている。
なお、有機脂肪酸含有溶液31と溶融はんだ5aとは、比重差で分離され、有機脂肪酸含有溶液槽22の底に沈んだ溶融はんだ5aを取り出して、有機脂肪酸含有溶液31と分離することができる。こうして分離された溶融はんだ5aと有機脂肪酸含有溶液31は、必要に応じて濾過処理等が施された後に再利用することができる。
(有機脂肪酸含有溶液への再浸漬処理)
空間部24内を降下させながら余剰の溶融はんだ5aを除去した被処理部材10は、再び有機脂肪酸含有溶液31中に浸漬する。再浸漬処理部Cは、例えば図1に示すように、有機脂肪酸含有溶液槽22と同じ槽内に位置したやや周縁部にあり、処理部Bで処理された被処理部材10が再び有機脂肪酸含有溶液31に投入される領域である。そして、前述した浸漬処理部Aの対称位置にある。
再浸漬処理部Cの有機脂肪酸含有溶液31の温度は、前述したように、有機脂肪酸含有溶液槽22中の各部の温度と同じである。また、その有機脂肪酸含有溶液31やその含有成分等も前述したとおりであるので、ここではそれらの説明は省略する。
(その後の工程)
再浸漬処理部Cから引き上げられた後は、図1に示す排出部23の空間で、処理部材11の表面に付着した有機脂肪酸含有溶液31を液切りする。こうした液切りにより、余剰に付着した有機脂肪酸含有溶液31を除去することができる。この液切りは、エアーノズル等の噴射手段39を用いることが好ましい。このときの噴射手段39の噴射圧力は特に限定されず、処理部材11の大きさや形状に応じて任意に設定される。こうして、処理後の処理部材11を得ることができる。
液切りされた処理部材11は、図1の排出部23の排出口27から装置20外に排出される。
なお、図1に示す空間部24の上には、装置20全体を覆う密閉カバー28が設けられている。この密閉カバー28は、投入口26と排出口27以外を密閉又はほぼ密閉するためのカバーである。この密閉カバー28ではんだ付け装置20全体を密閉又はほぼ密閉することにより、例えば250℃前後に加温されて蒸発しやすい有機脂肪酸含有溶液31が、蒸気になって外部に放散するのを防ぐことができるとともに、外部からの汚染物質が装置内に入り込むのを防ぐことができる。
得られた処理部材11がプリント基板等の基板である場合は、その基板の銅電極2の表面には、銅溶食防止層4と最小限のはんだ層5と有機脂肪酸コーティング層6とがその順で設けられている。その結果、その基板がその実装工程で、種々の溶融はんだ槽にディッピングされたり、ペーストはんだを印刷した後にリフロー炉に投入されたり、焼成路に投入されたりした場合であっても、銅電極2の銅食われが起きず、しかもはんだ濡れ性を損なわず、その後に実装工程で処理することができる。
得られた処理部材11が電子部品である場合も、その電子部品の銅電極2の表面には、銅溶食防止層4と最小限のはんだ層5と有機脂肪酸コーティング層6がその順で設けられている。その結果、その電子部品の実装工程で、種々の溶融はんだ槽にディッピングされたり、印刷されたペーストはんだ上に載置された後にリフロー炉に投入されたり、焼成路に投入されたりした場合であっても、電子部品の銅電極2の銅食われが起きず、しかもはんだ濡れ性を損なわず、その後に実装工程で処理することができる。
以上説明したように、本発明に係るはんだ付け装置20及び方法は、有機脂肪酸含有溶液31への浸漬処理、空間部24に引き上げながら行う溶融はんだ5aの付着処理、空間部24から降下させながら行う余剰の溶融はんだ5aの除去処理、及び有機脂肪酸含有溶液31への再浸漬処理を連続して行うので、従来のディッピング処理のような銅電極の銅溶食が起こらず、しかもその後の種々の実装工程での銅溶食を起こさない基板や電子部品を製造することができる。その結果、電気的接続部である銅電極の信頼性が高く、歩留まりのよい基板や電子部品を低コストで製造することができる。
特に、有機脂肪酸含有溶液31に浸漬した後に、その有機脂肪酸含有溶液31の蒸気雰囲気の空間部24に引き上げながら、被処理部材10に設けられている銅電極2に向けて溶融はんだ5aの噴流5’を吹き付けて溶融はんだ5aを銅電極2に付着させ、さらに、その空間部24から降下させながら余剰の溶融はんだ5aに有機脂肪酸含有溶液31を吹き付けて除去するので、清浄化された銅電極表面に、銅溶食防止層4を欠陥なく一様に形成することができ、しかも余剰の溶融はんだ5aを除去した状態で再び有機脂肪酸含有溶液31に浸漬して有機脂肪酸コーティング層6を設けている。その結果、銅溶食防止層4上に最小限のはんだ層5を設けた状態でそのはんだ層5のはんだ濡れ性等を維持する有機脂肪酸コーティング層6が設けられているので、その後の実装工程で、種々の溶融はんだ槽にディッピングされたり、ペーストはんだを印刷した後にリフロー炉に投入されたり、焼成路に投入されたりした場合であっても、銅電極2の銅食われが起きず、しかもはんだ濡れ性を損なわず、その後に実装工程で処理することができる。
[製造された基板及び電子部品]
本発明に係る基板10は、図3及び図4(D)に示すように、上記本発明に係るはんだ付け装置20又ははんだ付け方法で製造された基板であって、その基板10が有する銅電極2は、その表面から、銅溶食防止層4、はんだ層5及び有機脂肪酸コーティング層6の順で設けられている。基板10としては、プリント基板、ウエハー及びフレキシブル基板等の各種の基板を挙げることができる。特にウエハーは、電極の幅やピッチが狭いので、本発明に係る装置及び方法を適用することが好ましく、狭ピッチの微細電極に、はんだ層5を精度よく設けることができる。また、大きな電子部品を設けるプリント基板やフレキシブル基板の場合も、そのはんだ層5の表面を清浄化した状態で保持し、又はその後の工程で処理できるので、信頼性がある基板として用いることができる。
また、本発明に係る電子部品は、図9及び図10に示すように、上記本発明に係るはんだ付け装置20又ははんだ付け方法で製造された電子部品40,51,52であって、その電子部品40,51,52が有する銅電極2は、その表面から、銅溶食防止層4、はんだ層5及び有機脂肪酸コーティング層6の順で設けられている。電子部品としては、半導体チップ、半導体モジュール、ICチップ、ICモジュール、誘電体チップ、誘電体モジュール、抵抗体チップ、抵抗体モジュール、等々を挙げることができる。
こうした基板及び電子部品によれば、その後のリフロー炉や焼成路等で熱が加わっても、銅溶食防止層4で銅電極2の銅溶食がブロックされる。その結果、種々の工程を経て行われる電子部品の実装工程での電気的接続部(銅電極部)の信頼性が低下せず、しかも歩留まりよく製造できるので、低コストで信頼性の高い基板及び電子部品を提供できる。
以下、実施例と比較例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明する。
[実施例1]
一例として、基材1に幅が例えば200μmで厚さが例えば10μmの銅配線パターンが形成された基板10を準備した。この基板10は、銅配線パターンのうち、電子部品の実装部分となる幅が例えば200μmで長さが例えば50μmの銅電極2のみが多数露出し、他の銅配線パターンは絶縁層で覆われている。
有機脂肪酸含有溶液槽22に投入する有機脂肪酸含有溶液31として、ニッケル塩やコバルト塩等の金属塩や酸化防止剤等が含まれていないエステル合成油にパルミチン酸を10質量%になるように含有させた有機脂肪酸含有溶液31を準備した。有機脂肪酸含有溶液槽22中の有機脂肪酸含有溶液31の温度を250℃に制御した。用いた溶融はんだ5aは、Ni:0.05質量%、Ge:0.005質量%、Ag:3質量%、Cu:0.5質量%、残部がSnからなる5元系鉛フリーはんだを用い、250℃に加熱して溶融はんだ5aとして準備した。
空間部24は、最初に有機脂肪酸含有溶液31を天面まで満たした後に窒素ガスを導入して上部空間を形成し、その状態で有機脂肪酸含有溶液31の温度を250℃まで昇温して、上部空間を有機脂肪酸含有溶液31の蒸気で満たした。こうして準備されたはんだ付け装置20に基板10を投入した。
基板10を搬送し、その基板10を浸漬処理部Aで有機脂肪酸含有溶液31中に浸漬して、銅電極2上に有機脂肪酸コーティング層3を設けた(例えば図4(B)参照)。この有機脂肪酸コーティング層3は、有機脂肪酸含有溶液31で銅表面を清浄化した結果として付着されるものである。基板10を、浸漬処理部Aで水平移動させた後に、図1及び図5に示すように上方に引き上げながら、基板10の両面側に向けられてセットした噴射ノズル33から、例えば250℃の溶融はんだ5aの噴流5’を噴射した。溶融はんだ5aが吹き付けられた銅電極2上には、例えば図4(C)に示すように、溶融はんだ5aが付着して盛られた状態になった。
引き続いて、図1に示すように、空間部24内で基板10を水平方向に移動し、その後、下方の有機脂肪酸含有溶液槽22内に降下させながら基板10上の余剰の溶融はんだ5aを除去した(図1及び図6参照。)。その除去手段は、基板10の両面にいずれも例えば30°に傾けてセットした噴射ノズル34を用いて行った。噴射ノズル34からは、例えば250℃の有機脂肪酸含有溶液31を噴射させた。その結果、図4(D)に示す形態の基板11を得た。なお、この基板11は、銅電極2上に、銅溶食防止層4、はんだ層5、有機脂肪酸コーティング層6の順でが設けられている。その後、基板11を、有機脂肪酸含有溶液槽22中で水平方向に移動し、その後、上方に引き上げた。基板11を有機脂肪酸含有溶液31から引き出した直後に、エアーノズル39からのエアー噴射により液切りした。こうして基板11を得た。
得られた基板11のはんだ層5の断面の走査型電子顕微鏡写真形態を図11(C)に示した。図11(C)に示す断面写真から、CuNiSn金属間化合物層4の厚さを走査型電子顕微鏡写真で測定したところ、1.5μmの厚さで均一に形成されていた。また、図11(D)は、150℃で240時間エージングした後のはんだ層5の断面の走査型電子顕微鏡写真である。ボイド等の不具合は発生していなかった。また、その断面をX線マイクロアナライザー(EPMA)の元素マッピングで評価し、図12に示した。
[比較例1]
実施例1において、はんだ材料として、Ag:3質量%、Cu:0.5質量%、残部がSnからなる3元系鉛フリーはんだを用いた他は、実施例1と同様にして、比較例1の基板を得た。実施例1と同様に、断面の走査型電子顕微鏡写真から、CuNiSn金属間化合物層は存在せず(図11(A)を参照。)、銅電極2上には、CuSn金属間化合物層7が形成されていた。また、図11(B)は、150℃で240時間エージングした後のはんだ層5の断面の走査型電子顕微鏡写真である。ボイド等の不具合が発生していた。
[実施例2]
実施例1において、基材1として、幅が約25μmで厚さが約9μmの銅電極をピッチ約55μmで形成した基板10(例えば図13及び図14を参照。)を用いた。それ以外は、実施例1と同じにして、実施例2の基板11を得た。
図13は、得られた基板11の平面図(A)(B)と斜視図(C)である。図13(A)(B)は光学顕微鏡写真であり、図13(C)は電子顕微鏡写真である。図13の顕微鏡写真から、微細な銅電極2上に、欠陥や不具合にないはんだ層5がきれいに設けられていることが確認できた。また、図14は、得られた基板11の断面の電子顕微鏡写真(A)と、その断面をX線マイクロアナライザー(EPMA)の元素マッピングで評価した像である。図14(A)に示したように、銅電極2上には、厚さ約2μmの銅溶食防止層4と、厚さ約2μmのはんだ層5がその順で設けられていることが確認できた。なお、有機脂肪酸コーティング層6がはんだ層5上に付着していることも確認できた。
1 基材
2 銅電極
3 コーティング層
4 銅溶食防止層
5 はんだ層
5’ 溶融はんだの噴流
5a 溶融はんだ
6 コーティング層
7 CuSn化合物層
10 被処理部材(基板又は電子部品)
11 処理部材(基板又は電子部品)
20 はんだ付け装置
21 投入部
22 有機脂肪酸含有溶液槽
23 排出部
24 空間部
25 密閉カバー
26 投入口
27 排出口
28 搬送手段(ベルトコンベアー)
31 有機脂肪酸含有溶液
31’ 有機脂肪酸含有溶液の噴流
32 有機脂肪酸含有溶液の蒸気雰囲気
33 噴射手段(溶融はんだの噴射ノズル)
34 噴射手段(有機脂肪酸含有溶液の噴射ノズル)
35 溶融はんだの供給経路
36 有機脂肪酸含有溶液の供給経路
37 溶融はんだの循環装置
39 噴射手段(余剰の有機脂肪酸含有溶液の除去手段)
40 電子部品
41 素子
42 電子部品の保持ジグ
51,52 半導体チップ
A 浸漬処理部
B 溶融はんだ付着処理部及び余剰の溶融はんだの除去処理部
C 再浸漬処理部

Claims (11)

  1. 銅電極を有する被処理部材を有機脂肪酸含有溶液に浸漬し、浸漬した前記被処理部材を前記有機脂肪酸含有溶液中で水平移動する第1処理部と、
    該第1処理部で処理した前記被処理部材を上方向の蒸気雰囲気の空間部に引き上げながら、前記被処理部材に向けて溶融はんだの噴流を吹き付ける噴射手段を備えた第2処理部と、
    該第2処理部で処理した前記被処理部材を前記空間部中で水平移動した後に前記有機脂肪酸含有溶液中に降下させながら、前記被処理部材上の余剰の溶融はんだに前記有機脂肪酸含有溶液を吹き付けて除去する噴射手段を備えた第3処理部と、
    該第3処理部で処理した前記被処理部材を前記有機脂肪酸含有溶液中で水平移動した後に上方向に引き上げて溶液外に取り出す第4処理部と、を備え、
    前記被処理部材を前記第1処理部から第4処理部に連続して移動する搬送手段と、前記第1処理部に前記被処理部材を投入する投入口及び前記第4処理部から処理後の前記被処理部材を排出する排出口が設けられており、それ以外は密閉又は略密閉されていることを特徴とするはんだ付け装置。
  2. 前記有機脂肪酸含有溶液がパルミチン酸含有溶液である、請求項1に記載のはんだ付け装置。
  3. 前記溶融はんだが前記有機脂肪酸含有溶液で処理された溶融はんだである、請求項1又は2に記載のはんだ付け装置。
  4. 前記余剰の溶融はんだを除去する液体が前記有機脂肪酸含有溶液である、請求項1〜3のいずれか1項に記載のはんだ付け装置。
  5. 前記第4処理部で処理した後に前記被処理部材の表面に付着した有機脂肪酸含有溶液を液切りする噴射手段をさらに備える、請求項1〜4のいずれか1項に記載のはんだ付け装置。
  6. 前記空間部が、前記有機脂肪酸含有溶液の蒸気によって加圧されている、請求項1〜3のいずれか1項に記載のはんだ付け装置。
  7. 前記空間部の温度と前記有機脂肪酸含有溶液の温度とが同じであり、該空間部内の温度が、該空間部内で吹き付ける溶融はんだの温度と同じ又はその温度よりも高い、請求項1〜6のいずれか1項に記載のはんだ付け装置。
  8. 前記噴射手段の下方の前記有機脂肪酸含有溶液の底に貯まった溶融はんだを回収して、前記溶融はんだを吹き付ける前記噴射手段に送るための循環装置を備える、請求項1〜7のいずれか1項に記載のはんだ付け装置。
  9. 銅電極を有する被処理部材を有機脂肪酸含有溶液に浸漬し、浸漬した前記被処理部材を前記有機脂肪酸含有溶液中で水平移動する第1処理工程と、
    該第1処理工程で処理した前記被処理部材を上方向の蒸気雰囲気の空間部に引き上げながら、前記被処理部材に向けて溶融はんだの噴流を吹き付ける第2処理工程と、
    該第2処理工程で処理した前記被処理部材を前記空間部中で水平移動した後に前記有機脂肪酸含有溶液中に降下させながら、前記被処理部材上の余剰の溶融はんだに液体を吹き付けて除去する第3処理工程と、
    該第3処理工程で処理した前記被処理部材を前記有機脂肪酸含有溶液中で水平移動した後に上方向に引き上げて溶液外に取り出す第4処理工程と、を備え、
    前記被処理部材を前記第1処理工程から第4処理工程に連続して移動する搬送手段と、前記第1処理工程に前記被処理部材を投入する投入口と、前記第4処理工程から処理後の前記被処理部材を排出する排出口とを有し、該投入口及び該排出口以外は密閉又は略密閉されているはんだ付け装置を使用することを特徴とする。
  10. 請求項1〜8のいずれか1項に記載のはんだ付け装置又は請求項9に記載のはんだ付け方法で製造された基板であって、該基板が有する銅電極は、その表面から、銅溶食防止層、はんだ層及び有機脂肪酸コーティング層の順で設けられていることに特徴とする基板。
  11. 請求項1〜8のいずれか1項に記載のはんだ付け装置又は請求項9に記載のはんだ付け方法で製造された電子部品であって、該電子部品が有する銅電極は、その表面から、銅溶食防止層、はんだ層及び有機脂肪酸コーティング層の順で設けられていることに特徴とする電子部品。
JP2012518679A 2012-04-16 2012-04-16 はんだ付け装置及び方法並びに製造された基板及び電子部品 Active JP5079170B1 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2012/060218 WO2013157064A1 (ja) 2012-04-16 2012-04-16 はんだ付け装置及び方法並びに製造された基板及び電子部品

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP5079170B1 JP5079170B1 (ja) 2012-11-21
JPWO2013157064A1 true JPWO2013157064A1 (ja) 2015-12-21

Family

ID=47435502

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012518679A Active JP5079170B1 (ja) 2012-04-16 2012-04-16 はんだ付け装置及び方法並びに製造された基板及び電子部品

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9289841B2 (ja)
EP (1) EP2835204B1 (ja)
JP (1) JP5079170B1 (ja)
KR (1) KR101704868B1 (ja)
CN (1) CN103492112B (ja)
TW (1) TWI581882B (ja)
WO (1) WO2013157064A1 (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6267427B2 (ja) * 2013-01-29 2018-01-24 株式会社谷黒組 はんだ付け方法及び実装基板
JP6150881B2 (ja) * 2013-03-21 2017-06-21 株式会社谷黒組 はんだ付け装置及びはんだ付け方法
CN106704037B (zh) * 2015-11-16 2018-06-26 上海新力动力设备研究所 一种导弹发动机带止口锁底封头结构
US20190366460A1 (en) * 2018-06-01 2019-12-05 Progress Y&Y Corp. Soldering apparatus and solder nozzle module thereof
JP6928284B1 (ja) * 2020-02-14 2021-09-01 千住金属工業株式会社 鉛フリーかつアンチモンフリーのはんだ合金、はんだボール、およびはんだ継手
CN112366154A (zh) * 2020-11-06 2021-02-12 深圳市Tcl高新技术开发有限公司 芯片转移方法

Family Cites Families (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2933412A (en) * 1957-08-15 1960-04-19 Western Electric Co Method of protecting solder-coated articles
JPS5171977A (ja) * 1974-12-19 1976-06-22 Sumitomo Electric Industries
JPH0665071B2 (ja) * 1988-03-14 1994-08-22 株式会社日立製作所 流動型ナトリウム―硫黄電池
EP0390692A3 (en) * 1989-03-29 1991-10-02 Terumo Kabushiki Kaisha Method of forming thin film, apparatus for forming thin film and sensor
JPH06252542A (ja) * 1993-02-25 1994-09-09 Sharp Corp 半田層の形成方法
JP3529240B2 (ja) 1997-04-16 2004-05-24 山一電機株式会社 スクリーン版の製造方法
EP1004674B1 (en) * 1997-06-03 2004-03-10 Kureha Chemical Industry Co., Ltd. Human adamts-1 protein, gene coding for the same, pharmaceutical composition, and method for immunologically assaying human adamts-1 protein
JP3311282B2 (ja) * 1997-10-13 2002-08-05 株式会社東芝 金属部材の接合方法及び接合体
US6444489B1 (en) * 2000-12-15 2002-09-03 Charles W. C. Lin Semiconductor chip assembly with bumped molded substrate
TW558821B (en) * 2002-05-29 2003-10-21 Via Tech Inc Under bump buffer metallurgy structure
JP2005131703A (ja) * 2003-10-31 2005-05-26 Nippon Joint Kk 球形状ハンダ及びその製造方法
US7095116B1 (en) * 2003-12-01 2006-08-22 National Semiconductor Corporation Aluminum-free under bump metallization structure
US7487451B2 (en) * 2003-12-11 2009-02-03 International Business Machines Corporation Creating a voice response grammar from a presentation grammar
US7213329B2 (en) * 2004-08-14 2007-05-08 Samsung Electronics, Co., Ltd. Method of forming a solder ball on a board and the board
US7148569B1 (en) * 2004-09-07 2006-12-12 Altera Corporation Pad surface finish for high routing density substrate of BGA packages
EP1795293A4 (en) * 2004-09-30 2011-02-23 Tamura Seisakusho Kk BRAZING COMPOSITION AND BRAZING LAYER FORMATION METHOD USING THE SAME
US7478741B1 (en) * 2005-08-02 2009-01-20 Sun Microsystems, Inc. Solder interconnect integrity monitor
KR100723497B1 (ko) * 2005-08-11 2007-06-04 삼성전자주식회사 솔더볼 랜드에 두 종류 이상의 표면처리부를 갖는인쇄회로기판 및 이를 포함하는 반도체 패키지
JP4137112B2 (ja) * 2005-10-20 2008-08-20 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 電子部品の製造方法
US7820543B2 (en) * 2007-05-29 2010-10-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Enhanced copper posts for wafer level chip scale packaging
JP4844842B2 (ja) * 2007-10-25 2011-12-28 ホライゾン技術研究所株式会社 プリント回路板及びプリント回路板の表面処理方法
US8492263B2 (en) * 2007-11-16 2013-07-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Protected solder ball joints in wafer level chip-scale packaging
WO2009090776A1 (ja) * 2008-01-17 2009-07-23 Horizon Technology Laboratory Co., Ltd. 半導体装置およびその製造方法
JP4375491B1 (ja) * 2008-06-23 2009-12-02 日本ジョイント株式会社 電子部品のはんだ付け装置およびはんだ付け方法
JP5176893B2 (ja) * 2008-11-18 2013-04-03 日立金属株式会社 はんだボール
WO2010089905A1 (ja) * 2009-02-09 2010-08-12 日本ジョイント株式会社 電子部品用錫またははんだ合金の製造方法、製造装置、及びはんだ合金
JP2011114334A (ja) * 2009-11-26 2011-06-09 Horizon Gijutsu Kenkyusho Kk はんだ皮膜の形成方法及びその装置
WO2011018861A1 (ja) * 2009-08-10 2011-02-17 ホライゾン技術研究所株式会社 はんだプリコート被膜の形成方法及びその装置
TWI381901B (zh) * 2009-12-15 2013-01-11 Univ Yuan Ze 抑制錫-鎳介金屬於銲點中生成的方法
TWI401131B (zh) * 2010-03-12 2013-07-11 Air Prod & Chem 於軟焊時提供惰性化氣體的設備及方法
JP2011211137A (ja) * 2010-03-30 2011-10-20 Horizon Gijutsu Kenkyusho Kk 半導体装置及びその製造方法、電子装置及びその製造方法
JP4665071B1 (ja) * 2010-04-22 2011-04-06 ホライゾン技術研究所株式会社 錫またははんだプリコート皮膜の形成方法及びその装置
JP5552957B2 (ja) * 2010-08-17 2014-07-16 Tdk株式会社 端子構造、プリント配線板、モジュール基板及び電子デバイス
JP5552958B2 (ja) * 2010-08-17 2014-07-16 Tdk株式会社 端子構造、プリント配線板、モジュール基板及び電子デバイス
WO2013038816A1 (ja) * 2011-09-16 2013-03-21 株式会社村田製作所 導電性材料、それを用いた接続方法、および接続構造
US20130206225A1 (en) * 2012-02-10 2013-08-15 Lockheed Martin Corporation Photovoltaic cells having electrical contacts formed from metal nanoparticles and methods for production thereof
EP2671661B1 (en) * 2012-04-14 2017-04-05 Tanigurogumi Corporation Soldering device and method, and manufactured substrate and electronic component
CN104246996B (zh) * 2012-04-17 2017-09-29 株式会社谷黑组 焊料凸块及其形成方法、以及具备有焊料凸块的基板及其制造方法
JP5854137B2 (ja) * 2012-06-22 2016-02-09 株式会社村田製作所 電子部品モジュール
JP5594324B2 (ja) * 2012-06-22 2014-09-24 株式会社村田製作所 電子部品モジュールの製造方法
CN103717340B (zh) * 2012-08-02 2018-11-20 株式会社谷黑组 具有电极熔蚀防止层的部件及其制造方法
KR102165264B1 (ko) * 2013-10-10 2020-10-13 삼성전자 주식회사 아연 입자를 함유하는 비전도성 폴리머 막, 비전도성 폴리머 페이스트, 이들을 포함하는 반도체 패키지, 및 반도체 패키지의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
WO2013157064A1 (ja) 2013-10-24
EP2835204A1 (en) 2015-02-11
CN103492112B (zh) 2016-08-17
US9289841B2 (en) 2016-03-22
EP2835204B1 (en) 2017-03-15
CN103492112A (zh) 2014-01-01
TW201414557A (zh) 2014-04-16
TWI581882B (zh) 2017-05-11
US20140212678A1 (en) 2014-07-31
JP5079170B1 (ja) 2012-11-21
EP2835204A4 (en) 2016-04-20
KR101704868B1 (ko) 2017-02-08
KR20140135592A (ko) 2014-11-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5191616B1 (ja) はんだバンプの形成方法及び実装基板の製造方法
JP5079170B1 (ja) はんだ付け装置及び方法並びに製造された基板及び電子部品
JP5129898B1 (ja) 電極溶食防止層を有する部品及びその製造方法
JP5079169B1 (ja) はんだ付け装置及び方法並びに製造された基板及び電子部品
JP6150881B2 (ja) はんだ付け装置及びはんだ付け方法
JP6076698B2 (ja) 電極溶食防止層を有する部品

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120828

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120828

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150907

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5079170

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250