JPH06252542A - 半田層の形成方法 - Google Patents
半田層の形成方法Info
- Publication number
- JPH06252542A JPH06252542A JP3637993A JP3637993A JPH06252542A JP H06252542 A JPH06252542 A JP H06252542A JP 3637993 A JP3637993 A JP 3637993A JP 3637993 A JP3637993 A JP 3637993A JP H06252542 A JPH06252542 A JP H06252542A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solder
- solder layer
- liquid
- wiring board
- forming
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3457—Solder materials or compositions; Methods of application thereof
Abstract
(57)【要約】
【目的】 微小ピッチの基板配線に対して、ブリッジの
ない良好な半田層の形成を行う。 【構成】 基板１を熔融した半田金属３に接触させて配
線２の表面に半田層を形成する半田層の形成方法に於い
て、基板１を熔融した半田金属３に接触させる工程と、
半田の融点以上の温度に加熱された液体（グリセリンが
好ましい）４を前記基板１に吹き付ける工程とを有す
る。 【効果】 比重の大きい高温の液体を吹き付けるため、
半田ブリッジが確実に除去され、また、液体としてグリ
セリンを用いると、その還元作用によって、半田表面の
酸化物の除去が同時に行われる。
ない良好な半田層の形成を行う。 【構成】 基板１を熔融した半田金属３に接触させて配
線２の表面に半田層を形成する半田層の形成方法に於い
て、基板１を熔融した半田金属３に接触させる工程と、
半田の融点以上の温度に加熱された液体（グリセリンが
好ましい）４を前記基板１に吹き付ける工程とを有す
る。 【効果】 比重の大きい高温の液体を吹き付けるため、
半田ブリッジが確実に除去され、また、液体としてグリ
セリンを用いると、その還元作用によって、半田表面の
酸化物の除去が同時に行われる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子部品又は配線基板
への半田層の形成方法に係り、特に、熔融半田に直接、
電子部品の端子又は配線基板を接触させて、半田層を形
成する方法に関する。
への半田層の形成方法に係り、特に、熔融半田に直接、
電子部品の端子又は配線基板を接触させて、半田層を形
成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子部品又は配線基板に半田層を形成す
る方法には、種々の方法があるが、その中の１つとし
て、ディップ方式やフロー方式に代表される、熔融半田
に直接半田付け部分を接触させて、半田層を形成する方
法がある。この方法は、プロセスが簡単で容易に実現可
能であることから、広く一般に使用されている。ところ
が、この方法では、半田層の厚さを正確に制御すること
が困難で、特に端子ピッチ又は配線ピッチが狭いピッチ
で形成されているような場合には、端子又は配線間に半
田ブリッジが発生し、回路が短絡するという不具合があ
った。
る方法には、種々の方法があるが、その中の１つとし
て、ディップ方式やフロー方式に代表される、熔融半田
に直接半田付け部分を接触させて、半田層を形成する方
法がある。この方法は、プロセスが簡単で容易に実現可
能であることから、広く一般に使用されている。ところ
が、この方法では、半田層の厚さを正確に制御すること
が困難で、特に端子ピッチ又は配線ピッチが狭いピッチ
で形成されているような場合には、端子又は配線間に半
田ブリッジが発生し、回路が短絡するという不具合があ
った。
【０００３】このため近年では、ホットエアーレベリン
グ（Hot Air Leveling）法と呼ばれる方法が用いられる
ようになってきた。このホットエアーレベリング法は、
熔融半田に直接半田付け箇所を接触させて半田を付着さ
せた後、高温高圧の空気を吹き付けることによって、余
分な半田を除去し、半田ブリッジを防止するとともに半
田層の厚さを制御する方法である。
グ（Hot Air Leveling）法と呼ばれる方法が用いられる
ようになってきた。このホットエアーレベリング法は、
熔融半田に直接半田付け箇所を接触させて半田を付着さ
せた後、高温高圧の空気を吹き付けることによって、余
分な半田を除去し、半田ブリッジを防止するとともに半
田層の厚さを制御する方法である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このホ
ットエアーレベリング法は、余分な半田の除去に、流体
としては比重の小さい気体を使用しているために、約２
００μｍ以上の端子ピッチ又は配線ピッチに対して有効
であるが、これ以下の狭いピッチの半田付けに対して
は、半田の表面張力が強いために余分な半田を除去でき
ず、半田ブリッジが発生するという問題点があった。
ットエアーレベリング法は、余分な半田の除去に、流体
としては比重の小さい気体を使用しているために、約２
００μｍ以上の端子ピッチ又は配線ピッチに対して有効
であるが、これ以下の狭いピッチの半田付けに対して
は、半田の表面張力が強いために余分な半田を除去でき
ず、半田ブリッジが発生するという問題点があった。
【０００５】以上の問題点に鑑み、本発明の目的は、約
２００μｍ以下の狭いピッチの電子部品の端子及び配線
基板の熔融半田による半田付けにおいて、余分な半田を
除去し、半田ブリッジを防止するとともに半田層の厚さ
を制御する方法を提供することである。
２００μｍ以下の狭いピッチの電子部品の端子及び配線
基板の熔融半田による半田付けにおいて、余分な半田を
除去し、半田ブリッジを防止するとともに半田層の厚さ
を制御する方法を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するため、次の構成を有する。すなわち、本発明は、
電子部品又は配線基板を、熔融した半田金属に接触させ
て半田メッキを行う半田層の形成方法に於いて、電子部
品又は配線基板を熔融した半田金属に接触させる工程
と、半田の融点以上の温度に加熱された液体を、前記電
子部品又は配線基板に吹き付ける工程とを有することを
特徴とする半田層の形成方法である。
成するため、次の構成を有する。すなわち、本発明は、
電子部品又は配線基板を、熔融した半田金属に接触させ
て半田メッキを行う半田層の形成方法に於いて、電子部
品又は配線基板を熔融した半田金属に接触させる工程
と、半田の融点以上の温度に加熱された液体を、前記電
子部品又は配線基板に吹き付ける工程とを有することを
特徴とする半田層の形成方法である。
【０００７】また、本発明は、電子部品が搭載された配
線基板を、熔融した半田金属に接触させて半田付けを行
う半田層の形成方法に於いて、電子部品が搭載された配
線基板を熔融した半田金属に接触させる工程と、半田の
融点以上の温度に加熱された液体を、前記電子部品が搭
載された配線基板に吹き付ける工程とを有することを特
徴とする半田層の形成方法である。また、本発明は、上
記の半田層の形成方法に於いて、半田の融点以上の温度
に加熱された液体が、グリセリンを含むことを特徴とす
る半田層の形成方法である。
線基板を、熔融した半田金属に接触させて半田付けを行
う半田層の形成方法に於いて、電子部品が搭載された配
線基板を熔融した半田金属に接触させる工程と、半田の
融点以上の温度に加熱された液体を、前記電子部品が搭
載された配線基板に吹き付ける工程とを有することを特
徴とする半田層の形成方法である。また、本発明は、上
記の半田層の形成方法に於いて、半田の融点以上の温度
に加熱された液体が、グリセリンを含むことを特徴とす
る半田層の形成方法である。
【０００８】
【作用】本発明は、従来のホットエアーレベリング法に
対して、ホットリキッドレベリング（Hot Liquid Level
ing）法と呼べる方法である。本発明によれば、熔融半
田法による半田付けに際し、高温の液体を吹き付けて余
分な半田を除去し、半田ブリッジを防止するとともに半
田層の厚さを制御する。この液体は、従来のホットエア
ーレベリング法で用いられた空気よりも比重が極めて大
きいため、半田の除去効果が高い。また、この液体とし
てグリセリンを用いると、その還元作用によって、半田
表面の酸化物の除去が同時に行われるので、信頼性の高
い接合が得られる。
対して、ホットリキッドレベリング（Hot Liquid Level
ing）法と呼べる方法である。本発明によれば、熔融半
田法による半田付けに際し、高温の液体を吹き付けて余
分な半田を除去し、半田ブリッジを防止するとともに半
田層の厚さを制御する。この液体は、従来のホットエア
ーレベリング法で用いられた空気よりも比重が極めて大
きいため、半田の除去効果が高い。また、この液体とし
てグリセリンを用いると、その還元作用によって、半田
表面の酸化物の除去が同時に行われるので、信頼性の高
い接合が得られる。
【０００９】
【実施例】次に、図面を参照して本発明の一実施例を説
明する。図１は、本発明の半田層の形成方法の工程順を
説明するための断面図である。最初に、同図（ａ）は、
フラックス塗布工程を示す。半田層を形成すべき配線２
をもつ基板１の配線の有る面側に、フラックス塗布用噴
霧ノズル６を臨ませる。この状態で、該ノズル６から該
面側に向けて、フラックスを霧状に噴射する。これによ
り、該面側にフラックス５を塗布する。
明する。図１は、本発明の半田層の形成方法の工程順を
説明するための断面図である。最初に、同図（ａ）は、
フラックス塗布工程を示す。半田層を形成すべき配線２
をもつ基板１の配線の有る面側に、フラックス塗布用噴
霧ノズル６を臨ませる。この状態で、該ノズル６から該
面側に向けて、フラックスを霧状に噴射する。これによ
り、該面側にフラックス５を塗布する。
【００１０】次いで、同図（ｂ）は半田付け工程を示
す。図に示す噴流半田槽において、基板１の前記面側に
熔融半田噴流ノズル７を臨ませる。この状態でこのノズ
ル７からフロー半田３を前記面側へ噴出させて前記面側
をフロー半田３と接触させることにより、半田３を配線
２の上に付ける。次いで、同図（ｃ）は余分半田の除去
工程を示す。この工程においては、半田層が形成された
基板１の表面に、半田の融点以上の温度に加熱された液
体４を吹き付ける、高温液体噴射ノズル８を臨ませる。
この状態で該ノズル８から、前記基板表面に液体４を層
流状態で吹き付けることにより、余分な半田の除去を行
う。
す。図に示す噴流半田槽において、基板１の前記面側に
熔融半田噴流ノズル７を臨ませる。この状態でこのノズ
ル７からフロー半田３を前記面側へ噴出させて前記面側
をフロー半田３と接触させることにより、半田３を配線
２の上に付ける。次いで、同図（ｃ）は余分半田の除去
工程を示す。この工程においては、半田層が形成された
基板１の表面に、半田の融点以上の温度に加熱された液
体４を吹き付ける、高温液体噴射ノズル８を臨ませる。
この状態で該ノズル８から、前記基板表面に液体４を層
流状態で吹き付けることにより、余分な半田の除去を行
う。
【００１１】このとき、例えば、半田に融点が１８３℃
の鉛−錫共晶半田を用いた場合、液体４の温度は、２０
０〜２３０℃程度が好ましい。また、この液体４として
は、例えば、グリセリンやフッ素系不活性溶剤（例え
ば、商品名フロリナート ＦＣ−７０：住友スリーエム
株式会社製）が使用できる。前記液体４に、例えば、グ
リセリンを使用した場合には、その還元作用により半田
表面の酸化物を除去でき、光沢のある良好な半田層の形
成ができる。
の鉛−錫共晶半田を用いた場合、液体４の温度は、２０
０〜２３０℃程度が好ましい。また、この液体４として
は、例えば、グリセリンやフッ素系不活性溶剤（例え
ば、商品名フロリナート ＦＣ−７０：住友スリーエム
株式会社製）が使用できる。前記液体４に、例えば、グ
リセリンを使用した場合には、その還元作用により半田
表面の酸化物を除去でき、光沢のある良好な半田層の形
成ができる。
【００１２】また、液体４に、例えば、フッ素系不活性
溶剤にハロゲン化物（例えば、塩酸等）を少量混ぜたも
のを使用することによって、グリセリンを使用した場合
と同様の効果を得ることも可能である。なお、高温液体
の吹き付け方としては、図１（ｃ）に示したような層流
状態で行う他に、気体（例えば、アルゴン、窒素等）を
混ぜて、バブル状態で吹き付けを行ってもよい。
溶剤にハロゲン化物（例えば、塩酸等）を少量混ぜたも
のを使用することによって、グリセリンを使用した場合
と同様の効果を得ることも可能である。なお、高温液体
の吹き付け方としては、図１（ｃ）に示したような層流
状態で行う他に、気体（例えば、アルゴン、窒素等）を
混ぜて、バブル状態で吹き付けを行ってもよい。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
微小ピッチの電子部品の端子や配線基板に対して、ブリ
ッジのない良好な半田層の形成ができるという効果があ
る。また、本発明によれば、半田層表面の酸化物を除去
して光沢のある良好な半田層の形成ができるという効果
がある。
微小ピッチの電子部品の端子や配線基板に対して、ブリ
ッジのない良好な半田層の形成ができるという効果があ
る。また、本発明によれば、半田層表面の酸化物を除去
して光沢のある良好な半田層の形成ができるという効果
がある。
【図１】本発明の実施例に係る半田層の形成方法の工程
順を説明するための断面図
順を説明するための断面図
１ 基板 ２ 配線 ３ 半田 ４ 高温液体 ５ フラックス ６ フラックス塗布用噴霧ノズル ７ 熔融半田噴流ノズル ８ 高温液体射出ノズル
Claims (3)
- 【請求項１】 電子部品又は配線基板を、熔融した半田
金属に接触させて半田メッキを行う半田層の形成方法に
於いて、 電子部品又は配線基板を、熔融した半田金属に接触させ
る工程と、 半田の融点以上の温度に加熱された液体を、前記電子部
品又は配線基板に吹き付ける工程とを有することを特徴
とする半田層の形成方法。 - 【請求項２】 電子部品が搭載された配線基板を、熔融
した半田金属に接触させて半田付けを行う半田層の形成
方法に於いて、 電子部品が搭載された配線基板を、熔融した半田金属に
接触させる工程と、 半田の融点以上の温度に加熱された液体を、前記電子部
品が搭載された配線基板に吹き付ける工程とを有するこ
とを特徴とする半田層の形成方法。 - 【請求項３】 請求項１又は請求項２に於いて、半田の
融点以上の温度に加熱された液体が、グリセリンを含む
ことを特徴とする半田層の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3637993A JPH06252542A (ja) | 1993-02-25 | 1993-02-25 | 半田層の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3637993A JPH06252542A (ja) | 1993-02-25 | 1993-02-25 | 半田層の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06252542A true JPH06252542A (ja) | 1994-09-09 |
Family
ID=12468216
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3637993A Pending JPH06252542A (ja) | 1993-02-25 | 1993-02-25 | 半田層の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06252542A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0311676B1 (en) * | 1987-04-23 | 1993-08-18 | EASTMAN KODAK COMPANY (a New Jersey corporation) | Apparatus for printing from microfilm |
| WO2011018861A1 (ja) * | 2009-08-10 | 2011-02-17 | ホライゾン技術研究所株式会社 | はんだプリコート被膜の形成方法及びその装置 |
| JP2011228608A (ja) * | 2010-04-22 | 2011-11-10 | Horizon Technology Laboratory Co Ltd | 錫またははんだプリコート皮膜の形成方法及びその装置 |
| CN102290240A (zh) * | 2010-05-07 | 2011-12-21 | Tdk株式会社 | 电子部件的制造方法 |
| WO2012060022A1 (ja) * | 2010-11-05 | 2012-05-10 | ホライゾン技術研究所株式会社 | 鍚またははんだ皮膜の形成方法及びその装置 |
| KR101439119B1 (ko) * | 2012-07-26 | 2014-09-11 | 티디케이가부시기가이샤 | 전자 부품의 제조 방법 및 전자 부품의 제조 장치 |
| KR20140135592A (ko) * | 2012-04-16 | 2014-11-26 | 가부시키가이샤 다니구로구미 | 납땜 장치 및 방법 그리고 제조된 기판 및 전자 부품 |
| KR20150005419A (ko) * | 2012-04-14 | 2015-01-14 | 가부시키가이샤 다니구로구미 | 납땜 장치 및 방법 그리고 제조된 기판 및 전자 부품 |
-
1993
- 1993-02-25 JP JP3637993A patent/JPH06252542A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0311676B1 (en) * | 1987-04-23 | 1993-08-18 | EASTMAN KODAK COMPANY (a New Jersey corporation) | Apparatus for printing from microfilm |
| WO2011018861A1 (ja) * | 2009-08-10 | 2011-02-17 | ホライゾン技術研究所株式会社 | はんだプリコート被膜の形成方法及びその装置 |
| JP2011228608A (ja) * | 2010-04-22 | 2011-11-10 | Horizon Technology Laboratory Co Ltd | 錫またははんだプリコート皮膜の形成方法及びその装置 |
| CN102290240A (zh) * | 2010-05-07 | 2011-12-21 | Tdk株式会社 | 电子部件的制造方法 |
| WO2012060022A1 (ja) * | 2010-11-05 | 2012-05-10 | ホライゾン技術研究所株式会社 | 鍚またははんだ皮膜の形成方法及びその装置 |
| KR20150005419A (ko) * | 2012-04-14 | 2015-01-14 | 가부시키가이샤 다니구로구미 | 납땜 장치 및 방법 그리고 제조된 기판 및 전자 부품 |
| KR20140135592A (ko) * | 2012-04-16 | 2014-11-26 | 가부시키가이샤 다니구로구미 | 납땜 장치 및 방법 그리고 제조된 기판 및 전자 부품 |
| KR101439119B1 (ko) * | 2012-07-26 | 2014-09-11 | 티디케이가부시기가이샤 | 전자 부품의 제조 방법 및 전자 부품의 제조 장치 |
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