JP3410601B2 - 部品の取外し方法及びはんだ付け方法 - Google Patents
部品の取外し方法及びはんだ付け方法Info
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/225—Correcting or repairing of printed circuits
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
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- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路
（ＬＳＩ）等の電子部品と回路基板を接続する電子回路
の製造方法に関し、特に、はんだ付けされた部品の取外
し方法および該取外し方法で取外された部品のはんだ付
け方法に関するものである。
（ＬＳＩ）等の電子部品と回路基板を接続する電子回路
の製造方法に関し、特に、はんだ付けされた部品の取外
し方法および該取外し方法で取外された部品のはんだ付
け方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電子回路等に使用される半導体集積回路
（以後、ＬＳＩと記す）は種々の要求により、はんだ付
けした後、このはんだを溶融して、一旦取り外し、再び
はんだ付けして利用する場合が多い。この様にする理由
としては、たとえば、 ＬＳＩの性能を確認するためテスト用基板にＬＳＩを
はんだ付けし通電テストにより良否を確認しテスト用基
板から取り外して回路基板に接続する。 回路基板に、はんだ付けした後、位置ズレ等製造トラ
ブルにより取り外して付けかえる。 電子回路の高性能化のため新しい機能のＬＳＩと交換
する等がある。 図１は従来技術を用いてフリップチップタイプのＬＳＩ
をテスト用基板から取外した例を示したものであり、
（ａ）はＬＳＩ取り外し前の状態を示し、（ｂ）は取外
した状態を示す。（ａ）の状態でＬＳＩ２がはんだ付け
されたテストボード１はホットプレート４により加熱さ
れる。はんだ３が溶融された状態で真空ピンセット５等
でＬＳＩを持ち上げるとＬＳＩ２はテストボード１から
離れ（ｂ）に示す状態になる。はんだ３は融点を越える
と急速に表面の酸化が進行し、この状態で部品を取外す
と、表面の酸化膜６´によりはんだの流動が妨げられ、
（ｂ）に示す様に、ＬＳＩに残されたはんだ６は突起状
になり、はんだ量も一定しない。
（以後、ＬＳＩと記す）は種々の要求により、はんだ付
けした後、このはんだを溶融して、一旦取り外し、再び
はんだ付けして利用する場合が多い。この様にする理由
としては、たとえば、 ＬＳＩの性能を確認するためテスト用基板にＬＳＩを
はんだ付けし通電テストにより良否を確認しテスト用基
板から取り外して回路基板に接続する。 回路基板に、はんだ付けした後、位置ズレ等製造トラ
ブルにより取り外して付けかえる。 電子回路の高性能化のため新しい機能のＬＳＩと交換
する等がある。 図１は従来技術を用いてフリップチップタイプのＬＳＩ
をテスト用基板から取外した例を示したものであり、
（ａ）はＬＳＩ取り外し前の状態を示し、（ｂ）は取外
した状態を示す。（ａ）の状態でＬＳＩ２がはんだ付け
されたテストボード１はホットプレート４により加熱さ
れる。はんだ３が溶融された状態で真空ピンセット５等
でＬＳＩを持ち上げるとＬＳＩ２はテストボード１から
離れ（ｂ）に示す状態になる。はんだ３は融点を越える
と急速に表面の酸化が進行し、この状態で部品を取外す
と、表面の酸化膜６´によりはんだの流動が妨げられ、
（ｂ）に示す様に、ＬＳＩに残されたはんだ６は突起状
になり、はんだ量も一定しない。
【０００３】フリップチップ端子のＬＳＩを接続する場
合は、接続に供されるはんだ量を一定の精度に保つこと
が必須条件となる。また、この様な接続では接合部の良
否が接続完了後は外観から判定できないため予めＬＳＩ
側のはんだ量をはんだ高さにより計測する方法を用いる
が図１に示した様な従来の方法では、はんだ量が一定せ
ず、はんだの形状も不定形のためこのまま接続が不可能
となる。このため図２に示すごとく、ＬＳＩ例のはんだ
を一旦除去し、しかる後に、はんだ量の一定したはんだ
ボール等ではんだを供給し、さらにフラックスを塗布後
再度はんだを加熱溶融により球体化して、はんだ量検査
を可能にする必要があった。この様な技術については、
たとえば特開昭４−６１１９１号に述べられている。
合は、接続に供されるはんだ量を一定の精度に保つこと
が必須条件となる。また、この様な接続では接合部の良
否が接続完了後は外観から判定できないため予めＬＳＩ
側のはんだ量をはんだ高さにより計測する方法を用いる
が図１に示した様な従来の方法では、はんだ量が一定せ
ず、はんだの形状も不定形のためこのまま接続が不可能
となる。このため図２に示すごとく、ＬＳＩ例のはんだ
を一旦除去し、しかる後に、はんだ量の一定したはんだ
ボール等ではんだを供給し、さらにフラックスを塗布後
再度はんだを加熱溶融により球体化して、はんだ量検査
を可能にする必要があった。この様な技術については、
たとえば特開昭４−６１１９１号に述べられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前記した様な従来技術
を検討すると、以下のような問題点がある。 はんだ付けされたＬＳＩのはんだを大気中で溶融し取
外す方法は、はんだの表面に酸化膜が形成される。 この酸化膜ははんだの表面張力による流動を妨げ、外
した後のはんだの形状は突起状となり一定化しない。こ
の様な不定形状のはんだは、はんだ量の測定が困難とな
る。 酸化膜の形成により、ＬＳＩ側、基板側に残るはんだ
量は、不均一となり、接続のために必要な均一なはんだ
量を確保できない。 部品外し時に酸化膜が形成されるため、このはんだを
そのまま用いて接続する場合はフラックス等の酸化膜除
去手段を用いないと正常な接続が得られない。ＬＳＩ
外し時に、はんだ付けパット、メタライズが露出した場
合、このメタライズが酸化し、はんだぬれ不良が発生す
る。 はんだ表面の酸化を防止するためフラックスを塗布し
てから部品の取外しを行う工法も有るが、洗浄が必要と
なる。また、フラックスのこげつきやミスト等により設
備のメンテナンスに多大の工数を要する。
を検討すると、以下のような問題点がある。 はんだ付けされたＬＳＩのはんだを大気中で溶融し取
外す方法は、はんだの表面に酸化膜が形成される。 この酸化膜ははんだの表面張力による流動を妨げ、外
した後のはんだの形状は突起状となり一定化しない。こ
の様な不定形状のはんだは、はんだ量の測定が困難とな
る。 酸化膜の形成により、ＬＳＩ側、基板側に残るはんだ
量は、不均一となり、接続のために必要な均一なはんだ
量を確保できない。 部品外し時に酸化膜が形成されるため、このはんだを
そのまま用いて接続する場合はフラックス等の酸化膜除
去手段を用いないと正常な接続が得られない。ＬＳＩ
外し時に、はんだ付けパット、メタライズが露出した場
合、このメタライズが酸化し、はんだぬれ不良が発生す
る。 はんだ表面の酸化を防止するためフラックスを塗布し
てから部品の取外しを行う工法も有るが、洗浄が必要と
なる。また、フラックスのこげつきやミスト等により設
備のメンテナンスに多大の工数を要する。
【０００５】本発明の目的は、複雑なプロセスを使用す
ることなく、上記問題点を解決するはんだ付けした部品
の取外し方法を提供することにある。本発明の他の目的
は、上記取外し方法により取外された部品の基板へのは
んだ付け方法を提供することにある。
ることなく、上記問題点を解決するはんだ付けした部品
の取外し方法を提供することにある。本発明の他の目的
は、上記取外し方法により取外された部品の基板へのは
んだ付け方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、はんだ材により接続された部品を低酸素
濃度雰囲気中で加熱し、はんだを溶融後、この雰囲気中
で部品を分離するようにしている。また、前記低酸素濃
度雰囲気の酸素濃度が１０００ＰＰＭ以下であるように
している。また、はんだ溶融後、部品の分離を真空吸引
手段により行ない、該真空吸引手段と部品とが非接触状
態で該分離を開始するようにしている。また、はんだ溶
融後、部品の分離開始時の前記真空吸引手段の吸引ノズ
ルと部品との距離が０．０５〜０．３であるようにして
いる。また、前記部品の分離後における部品のパターン
上に残るはんだ量を該部品の端子パターンの径を変える
ことによりコントロールするようにしている。また、部
品と該部品を取付ける基板の接続において部品の端子パ
ターン径を基板の端子パターン径より大きくし、該部品
と基板の接続分離後のはんだ量が基板よりも部品に多く
残るようにしている。また、部品と該部品を取付ける基
板の接続において部品の端子パターン径を基板の端子パ
ターン径より小さくし、該部品と基板の分離後のはんだ
量が部品より基板側に多く残るようにしている。はんだ
材により接続された部品を低酸素濃度雰囲気中で加熱
し、はんだを溶融後、この雰囲気中で部品を分離した部
品を、該部品が取り付けられていた基板とは異る基板の
接続個所に、有機溶材を塗布後搭載し、酸素濃度２ＰＰ
Ｍ以下の雰囲気で該部品及び基板を同時に加熱し、はん
だ付けを行うようにしている。
め、本発明は、はんだ材により接続された部品を低酸素
濃度雰囲気中で加熱し、はんだを溶融後、この雰囲気中
で部品を分離するようにしている。また、前記低酸素濃
度雰囲気の酸素濃度が１０００ＰＰＭ以下であるように
している。また、はんだ溶融後、部品の分離を真空吸引
手段により行ない、該真空吸引手段と部品とが非接触状
態で該分離を開始するようにしている。また、はんだ溶
融後、部品の分離開始時の前記真空吸引手段の吸引ノズ
ルと部品との距離が０．０５〜０．３であるようにして
いる。また、前記部品の分離後における部品のパターン
上に残るはんだ量を該部品の端子パターンの径を変える
ことによりコントロールするようにしている。また、部
品と該部品を取付ける基板の接続において部品の端子パ
ターン径を基板の端子パターン径より大きくし、該部品
と基板の接続分離後のはんだ量が基板よりも部品に多く
残るようにしている。また、部品と該部品を取付ける基
板の接続において部品の端子パターン径を基板の端子パ
ターン径より小さくし、該部品と基板の分離後のはんだ
量が部品より基板側に多く残るようにしている。はんだ
材により接続された部品を低酸素濃度雰囲気中で加熱
し、はんだを溶融後、この雰囲気中で部品を分離した部
品を、該部品が取り付けられていた基板とは異る基板の
接続個所に、有機溶材を塗布後搭載し、酸素濃度２ＰＰ
Ｍ以下の雰囲気で該部品及び基板を同時に加熱し、はん
だ付けを行うようにしている。
【０００７】
〔実施例１〕図３は本発明をＬＳＩの取外しに適用した
実施例１を説明するための図である。１はテストボー
ド、２はＬＳＩ、３ははんだ、４はホットプレート、５
は真空ピンセット、６は分離後のはんだ、７はＬＳＩ端
子パターン、８はテスト基板端子パターン、９はチャン
バー、１０はチャンバー開閉扉、１１はＮ2ガス導入
孔、１２はＮ2ガス分配板である。
実施例１を説明するための図である。１はテストボー
ド、２はＬＳＩ、３ははんだ、４はホットプレート、５
は真空ピンセット、６は分離後のはんだ、７はＬＳＩ端
子パターン、８はテスト基板端子パターン、９はチャン
バー、１０はチャンバー開閉扉、１１はＮ2ガス導入
孔、１２はＮ2ガス分配板である。
【０００８】本実施例１で示す部品取外し方法はＮ2ガ
スを充填した低酸素濃度チャンバー９中でＬＳＩ２とテ
ストボード１を分離する方法である。図３の左側は分離
前の状態を、図３の右側は分離後の状態を示す。テスト
ボード１にはんだ付けされたＬＳＩ２はホットプレート
４上で加熱される。この時チャンバー９内にはＮ2ガス
が導入されており、部品を取り囲む雰囲気の酸素濃度は
大気中に比較し充分低くなっている。分離前の状態（図
３の左側）はんだ３が溶融後、真空ピンセット５が下降
しＬＳＩ２と一定の距離(l)から吸着し、テストボード
１と分離し、図の右側の状態になる。はんだは融点より
１０〜４０℃くらい高く加熱され、この温度に到達後、
分離を開始する。また、ＬＳＩを吸着するときの真空ピ
ンセットとＬＳＩの距離(l)０．０５〜０．３の間隔を
保つ必要がある。その理由は、はんだが溶融した状態で
真空ピンセット５がＬＳＩに接触すると、はんだがつぶ
れ、均一な分離が困難となり、また、間隔が大きすぎる
とＬＳＩ２が分離する際に傾めに上昇するため、はんだ
量が不均一となるためである。また、この場合の部品の
サイズは１０〜２０ｍｍ、部品重量は０．５〜２ｇ程
度、真空ピンセットの吸着口径（ｄ）は部品面積（被吸
着面）の４０〜８０％程度に設計し、吸着力（Ｆ）（実
際は風速）は（部品重量はんだ表面張力による固定力）
の１．２倍以上とした。
スを充填した低酸素濃度チャンバー９中でＬＳＩ２とテ
ストボード１を分離する方法である。図３の左側は分離
前の状態を、図３の右側は分離後の状態を示す。テスト
ボード１にはんだ付けされたＬＳＩ２はホットプレート
４上で加熱される。この時チャンバー９内にはＮ2ガス
が導入されており、部品を取り囲む雰囲気の酸素濃度は
大気中に比較し充分低くなっている。分離前の状態（図
３の左側）はんだ３が溶融後、真空ピンセット５が下降
しＬＳＩ２と一定の距離(l)から吸着し、テストボード
１と分離し、図の右側の状態になる。はんだは融点より
１０〜４０℃くらい高く加熱され、この温度に到達後、
分離を開始する。また、ＬＳＩを吸着するときの真空ピ
ンセットとＬＳＩの距離(l)０．０５〜０．３の間隔を
保つ必要がある。その理由は、はんだが溶融した状態で
真空ピンセット５がＬＳＩに接触すると、はんだがつぶ
れ、均一な分離が困難となり、また、間隔が大きすぎる
とＬＳＩ２が分離する際に傾めに上昇するため、はんだ
量が不均一となるためである。また、この場合の部品の
サイズは１０〜２０ｍｍ、部品重量は０．５〜２ｇ程
度、真空ピンセットの吸着口径（ｄ）は部品面積（被吸
着面）の４０〜８０％程度に設計し、吸着力（Ｆ）（実
際は風速）は（部品重量はんだ表面張力による固定力）
の１．２倍以上とした。
【０００９】図４は、はんだの組成がＳｎ９７％、Ａｇ
３％のものを使用し、ＬＳＩの端子のパターン７の径が
０．１５φ、テストボードパターン８の径が０．１５φ
を使用した時のチャンバー内雰囲気の酸素濃度において
分離後のＬＳＩのはんだ６が球形化する割合を示したも
のであり、このサンプルでは、酸素濃度１０００ＰＰＭ
以下にする必要がある。この様な方法によれば、はんだ
溶融時に形成される酸化膜厚は薄くなり、酸化膜により
はんだの流動を拘束する力は、はんだの表面張力により
流動する力に対して充分小さくなるため、分離後のはん
だが球体化すると共に、はんだはＬＳＩ及びテストボー
ドの端子パターンにそれぞれ均一に分離することが可能
となる。
３％のものを使用し、ＬＳＩの端子のパターン７の径が
０．１５φ、テストボードパターン８の径が０．１５φ
を使用した時のチャンバー内雰囲気の酸素濃度において
分離後のＬＳＩのはんだ６が球形化する割合を示したも
のであり、このサンプルでは、酸素濃度１０００ＰＰＭ
以下にする必要がある。この様な方法によれば、はんだ
溶融時に形成される酸化膜厚は薄くなり、酸化膜により
はんだの流動を拘束する力は、はんだの表面張力により
流動する力に対して充分小さくなるため、分離後のはん
だが球体化すると共に、はんだはＬＳＩ及びテストボー
ドの端子パターンにそれぞれ均一に分離することが可能
となる。
【００１０】〔実施例２〕図５は本発明の実施例２を説
明するための図である。図５の（ａ）はＬＳＩ２とテス
トボード２の分離前の状態を、図５の（ｂ）は分離後の
状態を示す。ＬＳＩ２の端子パターン７の径はテストボ
ード１の端子パターン８の径に対して大きく設計されて
いる。この様なＬＳＩと基板がはんだ付けされたものを
実施例１に示した方法で分離すると図５の（ｂ）の様に
なる。すなわち、酸化膜の形成が充分小さい状態では、
ＬＳＩ２とテストボード１が分離する際、接続されたは
んだ３は、それぞれの端子パターン７，８の径により表
面張力が最も安定する形状に分配される。したがって端
子パターン径が大きい方に多量のはんだが、端子パター
ン径の小さい方に少量のはんだがが均一に分離される。
明するための図である。図５の（ａ）はＬＳＩ２とテス
トボード２の分離前の状態を、図５の（ｂ）は分離後の
状態を示す。ＬＳＩ２の端子パターン７の径はテストボ
ード１の端子パターン８の径に対して大きく設計されて
いる。この様なＬＳＩと基板がはんだ付けされたものを
実施例１に示した方法で分離すると図５の（ｂ）の様に
なる。すなわち、酸化膜の形成が充分小さい状態では、
ＬＳＩ２とテストボード１が分離する際、接続されたは
んだ３は、それぞれの端子パターン７，８の径により表
面張力が最も安定する形状に分配される。したがって端
子パターン径が大きい方に多量のはんだが、端子パター
ン径の小さい方に少量のはんだがが均一に分離される。
【００１１】実施例２によれば、接続される部品及び基
板のパターン径を任意の比率に設計することにより分離
後のはんだ量を任意の比率にしかも均一に分配すること
が可能となる。たとえば、接続品質を確保するためにＬ
ＳＩに供給する必要なはんだ量ａが決定している場合、
テストボードに残るはんだ量ｂを加えた（ａ＋ｂ）のは
んだ量を、ＬＳＩとテストボード接合時に供給すること
により必要なはんだ量を確保することができる。
板のパターン径を任意の比率に設計することにより分離
後のはんだ量を任意の比率にしかも均一に分配すること
が可能となる。たとえば、接続品質を確保するためにＬ
ＳＩに供給する必要なはんだ量ａが決定している場合、
テストボードに残るはんだ量ｂを加えた（ａ＋ｂ）のは
んだ量を、ＬＳＩとテストボード接合時に供給すること
により必要なはんだ量を確保することができる。
【００１２】〔実施例３〕実施例１、実施例２に示した
方法で分離したＬＳＩは、はんだ量が均一であり、球体
化されているため、従来技術に示した様に、はんだを除
去後、再度はんだ供給する必要がない。また、球体化し
ているため、はんだ量の検査が容易に実施可能となる。
さらに、このはんだ表面には、ごく薄い酸化膜しか生成
していないため、通常のはんだ付けで必要とするフラッ
クスを必要とせずはんだ付けが可能となる。
方法で分離したＬＳＩは、はんだ量が均一であり、球体
化されているため、従来技術に示した様に、はんだを除
去後、再度はんだ供給する必要がない。また、球体化し
ているため、はんだ量の検査が容易に実施可能となる。
さらに、このはんだ表面には、ごく薄い酸化膜しか生成
していないため、通常のはんだ付けで必要とするフラッ
クスを必要とせずはんだ付けが可能となる。
【００１３】図６は本発明の実施例３を説明するための
図である。２はＬＳＩ、６はＬＳＩ側のはんだバンプ、
１４は基板、１５は基板端子パターン、１３は仮固定
液、１７ははんだ付けチャンバー、１８は真空ポンプ、
１９はＨｅ（ヘリウム）導入ポート、１６はカーボンヒ
ータを示す。
図である。２はＬＳＩ、６はＬＳＩ側のはんだバンプ、
１４は基板、１５は基板端子パターン、１３は仮固定
液、１７ははんだ付けチャンバー、１８は真空ポンプ、
１９はＨｅ（ヘリウム）導入ポート、１６はカーボンヒ
ータを示す。
【００１４】ＬＳＩ２のはんだバンプ６は実施例１に示
す方法でテストボードから分離されたＬＳＩのはんだバ
ンプである。ＬＳＩが実装される基板１４には仮固定液
１３が所定の量塗布された後、基板１４の端子パターン
１５の位置にＬＳＩが搭載されている。仮固定液はＬＳ
Ｉ２を基板１４に搭載した際に搬送で位置がズレないこ
とや、はんだ付け時の微量の、酸化を防止する目的で塗
布するもので通常ペンタエチレングリコールや、ポリエ
チレングリコールが使用される。
す方法でテストボードから分離されたＬＳＩのはんだバ
ンプである。ＬＳＩが実装される基板１４には仮固定液
１３が所定の量塗布された後、基板１４の端子パターン
１５の位置にＬＳＩが搭載されている。仮固定液はＬＳ
Ｉ２を基板１４に搭載した際に搬送で位置がズレないこ
とや、はんだ付け時の微量の、酸化を防止する目的で塗
布するもので通常ペンタエチレングリコールや、ポリエ
チレングリコールが使用される。
【００１５】はんだ付けは２ＰＰＭ以下の低酸素雰囲気
で行う。１７はこのための、はんだ付けチャンバーで、
真空ポンプ１８によりチャンバー内の空気を排出後、Ｈ
ｅガス等の不活性ガス、あるいは水素等の還元性ガスを
導入し槽内の酸素濃度が２ＰＰＭ以下（モニタは図示せ
ず）になったことを確認してカーボンヒータに通電して
加熱しはんだを溶融して、接続を行う。尚仮固定液は加
熱時、あるいは冷却時の真空脱気により蒸発させる。
で行う。１７はこのための、はんだ付けチャンバーで、
真空ポンプ１８によりチャンバー内の空気を排出後、Ｈ
ｅガス等の不活性ガス、あるいは水素等の還元性ガスを
導入し槽内の酸素濃度が２ＰＰＭ以下（モニタは図示せ
ず）になったことを確認してカーボンヒータに通電して
加熱しはんだを溶融して、接続を行う。尚仮固定液は加
熱時、あるいは冷却時の真空脱気により蒸発させる。
【００１６】本方法によれば、はんだ付け時、酸化膜を
除去するために必要なフラックスを使用することなくは
んだ付けが可能となり、洗浄作業が不要となる。また、
ＬＳＩのはんだバンプ６上にできた微量の酸化膜を、エ
キシマレーザー等の、波長の短いレーザーで除去するこ
とにより一層顕著な効果を得ることができる。本実施例
では、フリップチップタイプのＬＳＩを実施例として、
とりあげ説明したが、本発明はこれに限定されるもので
はない。ＱＦＰ等のフラットリードタイプのＬＳＩにつ
いても同様に適用できる。
除去するために必要なフラックスを使用することなくは
んだ付けが可能となり、洗浄作業が不要となる。また、
ＬＳＩのはんだバンプ６上にできた微量の酸化膜を、エ
キシマレーザー等の、波長の短いレーザーで除去するこ
とにより一層顕著な効果を得ることができる。本実施例
では、フリップチップタイプのＬＳＩを実施例として、
とりあげ説明したが、本発明はこれに限定されるもので
はない。ＱＦＰ等のフラットリードタイプのＬＳＩにつ
いても同様に適用できる。
【００１７】
【発明の効果】本発明により、部品取外し後、部品ある
いは基板側に残ったはんだをそのまま使用することが可
能となり、接続に必要なはんだを再供給するための残っ
たはんだの除去、はんだの再供給、はんだ球体化等の処
理が不要となる。従って従来これに要した工数及び設備
投資そしてはんだ材が不要となり、大巾な原価低減、工
程の簡略化が可能となる。また、後工程での部品はんだ
付けにフラックスを用いること無くはんだ付けできるた
めフラックス除去のための洗浄が不要となる。
いは基板側に残ったはんだをそのまま使用することが可
能となり、接続に必要なはんだを再供給するための残っ
たはんだの除去、はんだの再供給、はんだ球体化等の処
理が不要となる。従って従来これに要した工数及び設備
投資そしてはんだ材が不要となり、大巾な原価低減、工
程の簡略化が可能となる。また、後工程での部品はんだ
付けにフラックスを用いること無くはんだ付けできるた
めフラックス除去のための洗浄が不要となる。
【図１】部品取外しの従来方法を説明するための図であ
る。
る。
【図２】部品取外し後のはんだ供給の従来方法を説明す
るための図出ある。
るための図出ある。
【図３】本発明の実施例１を説明するための図である。
【図４】横軸に雰囲気中の酸素濃度、縦軸にはんだ球体
化率をとり、両者の関係をプロットしたグラフを示す図
である。
化率をとり、両者の関係をプロットしたグラフを示す図
である。
【図５】本発明の実施例２を説明するための図である。
【図６】本発明の実施例３を説明するための図である。
１ テストボード
２ ＬＳＩ
３ はんだ（分離前）
４ ホットプレート
５ 真空ピンセット
６ はんだ（分離後）
６´ はんだ表面酸化膜
７ ＬＳＩ端子パターン
８ テスト基板端子パターン
９ チャンバー
１０ チャンバー開閉扉
１１ Ｎ2ガス導入孔
１２ Ｎ2ガス分配板
１３ 仮固定液
１４ 基板
１５ 基板端子パターン
１６ カーボンヒーター
１７ はんだ付けチャンバー
１８ 真空ポンプ
１９ Ｈｅ導入ポート
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 田村 光範
神奈川県秦野市堀山下１番地 株式会社
日立製作所 汎用コンピュータ事業部
内
(72)発明者 小野 薫
神奈川県秦野市堀山下１番地 株式会社
日立製作所 汎用コンピュータ事業部
内
(56)参考文献 特開 平６−244548（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−235763（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H05K 3/34
Claims (5)
- 【請求項１】 はんだ材により基板に接続された部品を
低酸素濃度雰囲気中で加熱し、はんだを溶融後、この雰
囲気中で部品を分離する部品取外し方法において、 前記はんだ溶融後、部品の分離を真空吸引手段により行
ない、該真空吸引手段と部品とが非接触状態で該分離を
開始することを特徴とする部品取外し方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の部品取外し方法におい
て、 はんだ溶融後、部品の分離開始時の前記真空吸引手段の
吸引ノズルと部品との距離が０．０５〜０．３ｍｍであ
ることを特徴とする部品取外し方法。 - 【請求項３】 請求項１記載の部品取外し方法におい
て、 前記部品の分離後における部品のパターン上に残るはん
だ量を該部品または基板の端子パターンの径を変えるこ
とによりコントロールすることを特徴とする部品取外し
方法。 - 【請求項４】 請求項３記載の部品取外し方法におい
て、 部品と該部品を取付ける基板の接続において部品の端子
パターン径を基板の端子パターン径より大きくし、該部
品と基板の接続分離後のはんだ量が基板よりも部品に多
く残るようにすることを特徴とする部品取外し方法。 - 【請求項５】 請求項３記載の部品取外し方法におい
て、 部品と該部品を取付ける基板の接続において部品の端子
パターン径を基板の端子パターン径より小さくし、該部
品と基板の分離後のはんだ量が部品より基板側に多く残
るようにすることを特徴とする部品取外し方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02192096A JP3410601B2 (ja) | 1996-01-12 | 1996-01-12 | 部品の取外し方法及びはんだ付け方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02192096A JP3410601B2 (ja) | 1996-01-12 | 1996-01-12 | 部品の取外し方法及びはんだ付け方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09199847A JPH09199847A (ja) | 1997-07-31 |
| JP3410601B2 true JP3410601B2 (ja) | 2003-05-26 |
Family
ID=12068517
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02192096A Expired - Fee Related JP3410601B2 (ja) | 1996-01-12 | 1996-01-12 | 部品の取外し方法及びはんだ付け方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3410601B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003037357A (ja) * | 2001-07-26 | 2003-02-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | はんだ付け方法及び加熱装置 |
| WO2008015731A1 (fr) * | 2006-07-31 | 2008-02-07 | Fujitsu Limited | Procédé et appareil de soudure pour monter un composant sur une carte à circuit imprimé |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3214995B2 (ja) * | 1993-12-28 | 2001-10-02 | 株式会社日立製作所 | 電子回路の製造方法 |
| JP2757738B2 (ja) * | 1992-12-25 | 1998-05-25 | ヤマハ株式会社 | 回路部品の着脱装置および回路部品の着脱方法 |
-
1996
- 1996-01-12 JP JP02192096A patent/JP3410601B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09199847A (ja) | 1997-07-31 |
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