JPH057076A - チツプ状電子部品の半田付け方法 - Google Patents

チツプ状電子部品の半田付け方法

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JPH057076A
JPH057076A JP15690391A JP15690391A JPH057076A JP H057076 A JPH057076 A JP H057076A JP 15690391 A JP15690391 A JP 15690391A JP 15690391 A JP15690391 A JP 15690391A JP H057076 A JPH057076 A JP H057076A
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Japan
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solder
high temperature
cream
solder cream
chip
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Masato Kitamura
真人 北村
Masayuki Kondo
正幸 近藤
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Murata Manufacturing Co Ltd
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Murata Manufacturing Co Ltd
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    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
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    • H05K3/34Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/3457Solder materials or compositions; Methods of application thereof

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Abstract

(57)【要約】 【目的】基板面に設けた銅電極上にチップ状電子部品を
高温半田クリームを用いてリフロー半田付けする場合の
半田付け性を簡単な方法で改善する。 【構成】銅電極1にあらかじめ溶融温度が190℃以下
である半田による半田膜3を形成しておき、この半田膜
3上に高温半田クリーム4を塗布する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、基板面に設けた銅電極
上にチップ状電子部品を溶融温度が200℃以上である
高温半田クリームを用いてリフロー半田付けするチップ
状電子部品の半田付け方法に関する。
【0002】
【従来の技術】ハイブリッドIC等を構成する基板面に
銅ペーストを印刷して焼付けてなる銅電極上にチップ状
電子部品を半田付けする場合、通常は次のような半田付
け方法が採用されている。
【0003】すなわち、SnとPbとの組成比率が6
0:40付近の溶融温度が190℃以下である半田クリ
ームを銅電極上に塗布し、その半田クリーム上にチップ
状電子部品を搭載し、その後に加熱して半田クリームを
溶融するリフロー半田付けが行われている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上記のように溶融温度
が190℃以下の半田クリームを用いる場合には特に問
題は生じないが、ハイブリッドIC等のように基板面に
多品種のチップ状電子部品を搭載する場合、その構成
上、特定のチップ状電子部品については溶融温度が20
0℃以上の高温半田クリームを用いる必要が生じること
がある。
【0005】ところが、高温半田クリームは一般的に半
田付け性があまり良好ではなく、特に銅電極の場合には
電極面が高温になる程酸化し易くなることなどとあいま
って高温半田クリームを用いる場合には半田付け性が非
常に悪化してくるという問題があった。
【0006】このような問題を解決するには窒素雰囲気
中で半田付けすることも1つの方法であるが、設備が高
価でランニングコストもかかり、しかも必ずしもそれだ
けで半田付け性が改善されるとは限らない。
【0007】したがって、本発明は、上記事情に鑑みて
なされたものであって、銅電極に対して高温半田クリー
ムを用いてリフロー半田付けする場合の半田付け性を簡
単な方法で改善することができるチップ状電子部品の半
田付け方法を提供することを目的としている。
【0008】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明のチップ状電子部品の半田付け方法に
おいては、銅電極上にあらかじめ溶融温度が190℃以
下である半田による半田膜を形成しておき、この半田膜
上に高温半田クリームを塗布し、この高温半田クリーム
上にチップ状電子部品を搭載し、その後に加熱して半田
膜および高温半田クリームを溶融することにより銅電極
上にチップ状電子部品を半田付けするようにしたことを
特徴としている。
【0009】
【作用】銅電極と高温半田クリームとの間に存在する溶
融温度が190℃以下の半田は銅電極に対する半田付け
性が良好であり、しかも高温半田クリームともなじみが
よいため、銅電極に対して高温半田クリームを用いても
良好な半田付けが行われる。
【0010】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細
に説明する。
【0011】まず、図1(a)に示すように、上面に銅
電極1が設けられた基板2を準備する。
【0012】ついで、図1(b)に示すように、基板2
面の銅電極1上に溶融温度が190℃以下である半田に
よる半田膜3を形成する。この半田膜3は、その膜厚が
できるだけ薄くなるように形成することが好ましく、例
えば5〜10μmの範囲に設定され、基板2を溶融半田
中に浸漬したり、半田ペーストを塗布した後に加熱して
その半田ペーストを溶融させたり、メッキ処理したりし
て形成される。
【0013】溶融半田中に浸漬して半田膜3を形成する
場合には、基板2を溶融半田中から引き上げた状態のま
ま半田を固化させると、半田膜厚が厚くなるため、溶融
半田中から引き上げた後に銅電極1上の余分な半田を除
去し、その後に固化させる必要がある。
【0014】また、半田ペーストを用いて半田膜3を形
成する場合には、いったん塗布した後で余分な半田ペー
ストを除去するか、半田ペーストをいったん溶融した後
に余分な溶融半田を除去し、その後に固化させる。さら
に、メッキ処理により半田膜3を形成する場合には、メ
ッキ処理時間を調節するなどして膜厚を所定値にする。
【0015】ついで、図1(c)に示すように半田膜3
の上に溶融温度が200℃以上である高温半田クリーム
4を塗布する。この高温半田クリーム4の塗布は印刷な
どの手段で行い、その膜厚は例えば200μm前後にな
るようにする。
【0016】ついで、図1(d)に示すように高温半田
クリーム4の上に積層コンデンサなどのチップ状電子部
品5をその端子電極6部分が銅電極1上に位置するよう
にして搭載する。
【0017】最後に、基板2を高温半田クリーム4が溶
融する温度で加熱する。この加熱により、半田膜3およ
びこの高温半田クリーム4が溶融し、溶融した半田が固
化したときにチップ状電子部品5が銅電極1上に半田付
けされる。図1(e)はチップ状電子部品5が銅電極1
上に半田付けされた状態を示している。
【0018】上記のような工程で銅電極1上にリフロー
半田付けされたチップ状電子部品5は、銅電極1に対す
る半田付け性が良好で、しかも高温半田クリーム4とも
なじみのよい半田膜3が銅電極1と高温半田クリーム4
との間に存在しているため、銅電極1に対して確実に接
続される。
【0019】しかも、半田膜3はその膜厚が高温半田ク
リーム4に対して十分に薄いため、実質的に高温半田ク
リーム4だけの場合と同様の半田組成とみなすことがで
きる。
【0020】
【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明によれば銅電極上にあらかじめ溶融温度が190
℃以下である半田による半田膜を形成しておき、この半
田膜上に高温半田クリームを塗布するようにしたので、
簡単な方法であるにもかかわらず、高温半田クリームを
用いてリフロー半田付けする場合の半田付け性を改善す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例に係るチップ状電子部品の半田
付け方法の説明に供する図であって、(a)〜(e)は
それぞれ各工程における基板の部分側面図である。
【符号の説明】
1 銅電極 2 基板 3 半田膜 4 高温半田クリーム 5 チップ状電子部品 6 端子電極

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 【請求項1】 基板(2)面に設けた銅電極(1)上に
    チップ状電子部品(5)を溶融温度が200℃以上であ
    る高温半田クリーム(4)を用いてリフロー半田付けす
    るチップ状電子部品の半田付け方法であって、銅電極
    (1)上にあらかじめ溶融温度が190℃以下である半
    田による半田膜(3)を形成しておき、その半田膜
    (3)上に高温半田クリーム(4)を塗布し、この高温
    半田クリーム(4)上にチップ状電子部品(5)を搭載
    し、その後に加熱して半田膜(3)および高温半田クリ
    ーム(4)を溶融することにより銅電極(1)上にチッ
    プ状電子部品(5)を半田付けすることを特徴とするチ
    ップ状電子部品の半田付け方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3021014U (ja) * 1995-07-27 1996-02-16 株式会社生研クリーン 水の磁化活性装置

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JPS63283001A (ja) * 1987-05-14 1988-11-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd チップ電子部品
JPH0191494A (ja) * 1987-10-02 1989-04-11 Fujitsu Ltd プリント基板への部品の半田付け方法
JPH0218989A (ja) * 1988-07-07 1990-01-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半田付け方法
JPH02205098A (ja) * 1989-02-02 1990-08-14 Fujitsu Ltd 表面実装部品の半田付け方法

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