JPS59155993A - 膜回路基板 - Google Patents
膜回路基板Info
- Publication number
- JPS59155993A JPS59155993A JP3029883A JP3029883A JPS59155993A JP S59155993 A JPS59155993 A JP S59155993A JP 3029883 A JP3029883 A JP 3029883A JP 3029883 A JP3029883 A JP 3029883A JP S59155993 A JPS59155993 A JP S59155993A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- thick film
- circuit board
- circuit
- solder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
不発明は膜回路基板、特に半１」」付が可＾ヒな１膜回
路基板に関するも・のである。
路基板に関するも・のである。
従来、例えば第１図（ａ）に平面図、（ｂ）に断面図全
糸子如くアルミナ基板１上に例えば厚膜導体回路２と厚
膜抵抗体３とガラス膜４とを被着して成る回路要素を含
む厚膜回路基板がある。ガラス膜４は、一般に混成集積
回路あ組立工程で半田クワレ全防止したり才だ半田流れ
會防止し、組立完成後の大気湿度から厚膜回路全保護す
るためのものである。この様な半田クワレ防止、半田流
れ防止用としてのガラス膜は厚膜導体回路２の比較的薄
い部分、例えば基板のスルホールの中またはその近傍等
に、あるいは部品半田付ランドの周囲等に半田が不所望
な部分に付着した。！７、広がったりしないようにコー
ト丁れは特に有効である。
糸子如くアルミナ基板１上に例えば厚膜導体回路２と厚
膜抵抗体３とガラス膜４とを被着して成る回路要素を含
む厚膜回路基板がある。ガラス膜４は、一般に混成集積
回路あ組立工程で半田クワレ全防止したり才だ半田流れ
會防止し、組立完成後の大気湿度から厚膜回路全保護す
るためのものである。この様な半田クワレ防止、半田流
れ防止用としてのガラス膜は厚膜導体回路２の比較的薄
い部分、例えば基板のスルホールの中またはその近傍等
に、あるいは部品半田付ランドの周囲等に半田が不所望
な部分に付着した。！７、広がったりしないようにコー
ト丁れは特に有効である。
ガラス膜４をコートする方法として厚膜導体回１１洛２
の所望部分にガラスベース）＝にスクリーン印刷し、次
ＶＣ高温で焼成するのが一般的であるが、。
の所望部分にガラスベース）＝にスクリーン印刷し、次
ＶＣ高温で焼成するのが一般的であるが、。
不発明者はこの焼成時に厚膜導体回路２がガラスに拡散
して薄くなるという現象全見出した）従って従来は薄く
なって完成された厚膜回路基板を用いて、混成ＩＣの組
立工程中に基板上に半田付による部品搭載または放熱板
付は等を行なっていたわけである。この作業は厚膜回路
基板１を溶融半田中ＶＣ入れ、厚膜導体２上に半田膜５
を付着するというものである。次に部品を搭載し、ベル
ト炉等にて半田膜５全リフローして部品を半田付する。
して薄くなるという現象全見出した）従って従来は薄く
なって完成された厚膜回路基板を用いて、混成ＩＣの組
立工程中に基板上に半田付による部品搭載または放熱板
付は等を行なっていたわけである。この作業は厚膜回路
基板１を溶融半田中ＶＣ入れ、厚膜導体２上に半田膜５
を付着するというものである。次に部品を搭載し、ベル
ト炉等にて半田膜５全リフローして部品を半田付する。
この方法は作業性がよく低コストで部品半田付ができる
ので有用である。しかし、厚膜回路基板１を溶融半田に
入れたり、基板上の半田膜５をリフローする蒔溶融半田
は除々に厚膜導体回路２に拡散する・拡散した半田は厚
膜導体回路２の一番薄いスルホールの近傍の厚膜導体回
路２の上のガラス膜４と、ガラス膜の々い領域との境界
で、厚嬶２与体がガラスｌＣ拡散して薄くなっているた
め、アルミナ基板１ ｖｃ 丘で容易に到達してし１い
、厚膜導体回路はその部分２１でＭｒ線し、不良ＶＣな
るという事故につながっていた。
ので有用である。しかし、厚膜回路基板１を溶融半田に
入れたり、基板上の半田膜５をリフローする蒔溶融半田
は除々に厚膜導体回路２に拡散する・拡散した半田は厚
膜導体回路２の一番薄いスルホールの近傍の厚膜導体回
路２の上のガラス膜４と、ガラス膜の々い領域との境界
で、厚嬶２与体がガラスｌＣ拡散して薄くなっているた
め、アルミナ基板１ ｖｃ 丘で容易に到達してし１い
、厚膜導体回路はその部分２１でＭｒ線し、不良ＶＣな
るという事故につながっていた。
本発明の目的は膜回路の半田付部（でおける断線。
不良全除去した構造を提供することである・即ち本発明
は絶縁性基°板上に膜導体回路を有する厚膜回路基板に
おいて、該膜導体回路の所望部分には半田付が可能な金
属膜と、該金属膜の酸化被膜とが順次被着して成ること
を特徴とする・以下に図面全参照にして本発明の一実施
例全説明する。第２図（ａ）、 （ｂ）は夫々不発明の
一実施例の各表面図と１所面図を示す。
は絶縁性基°板上に膜導体回路を有する厚膜回路基板に
おいて、該膜導体回路の所望部分には半田付が可能な金
属膜と、該金属膜の酸化被膜とが順次被着して成ること
を特徴とする・以下に図面全参照にして本発明の一実施
例全説明する。第２図（ａ）、 （ｂ）は夫々不発明の
一実施例の各表面図と１所面図を示す。
特にスルホールを有する基板の厚膜導体回路は前にも述
べたようにスルーホール内２．ｒ、び近傍の膜厚のコン
トロールがむずかしいが、本実施例はこのようなスルー
ホールを有する膜回路基板にも適用できる。即ち、第２
図ＶＣ示すようにスルーホール用穴ケ設けたアルミナ基
板１上に厚膜導体回路２、厚膜抵抗体３、ガラス膜４を
有する厚膜回路基板１において、厚膜導体回路２半田付
けが可能な金属膜６を選択的に付着する。この場合回路
と回路間がショートしないように付着することが重要で
ある。
べたようにスルーホール内２．ｒ、び近傍の膜厚のコン
トロールがむずかしいが、本実施例はこのようなスルー
ホールを有する膜回路基板にも適用できる。即ち、第２
図ＶＣ示すようにスルーホール用穴ケ設けたアルミナ基
板１上に厚膜導体回路２、厚膜抵抗体３、ガラス膜４を
有する厚膜回路基板１において、厚膜導体回路２半田付
けが可能な金属膜６を選択的に付着する。この場合回路
と回路間がショートしないように付着することが重要で
ある。
付着方法としては所望厚膜導体回路上に、銅ペースト等
半田付けの可能なペーストラスクリーンと印刷する方法
と、厚膜導体上に所望のマスク（メタルマスクまたはホ
トレジスト等）を設ケ、ソの上から蒸着、スパッタ、メ
ッキ等ＶＣ、Ｃジ付着する方法等がある。このようにし
て金属膜６全付着した後で゛屯気炉等を用いて酸素雰囲
気中で加熱することにより金属膜６の表面に金属酸化膜
６１を形成する。勿論金属膜６の上に酸化膜を別に形成
してもよい。
半田付けの可能なペーストラスクリーンと印刷する方法
と、厚膜導体上に所望のマスク（メタルマスクまたはホ
トレジスト等）を設ケ、ソの上から蒸着、スパッタ、メ
ッキ等ＶＣ、Ｃジ付着する方法等がある。このようにし
て金属膜６全付着した後で゛屯気炉等を用いて酸素雰囲
気中で加熱することにより金属膜６の表面に金属酸化膜
６１を形成する。勿論金属膜６の上に酸化膜を別に形成
してもよい。
この順化膜６１は従来の厚膜回路基板上のガラス膜４の
役目を行なう。半田付の可能な金属膜６は、厚膜導体回
路２の比較的薄い厚膜導体回路が浴融半田浴に入った時
、半田拡散を遅らせる効果を有し、丑だガラスを施こさ
なくてもよいため厚膜導体の薄化もない。そのため半田
拡散による厚膜導体の断線がなく半田膜り作業が歩買よ
くできる。
役目を行なう。半田付の可能な金属膜６は、厚膜導体回
路２の比較的薄い厚膜導体回路が浴融半田浴に入った時
、半田拡散を遅らせる効果を有し、丑だガラスを施こさ
なくてもよいため厚膜導体の薄化もない。そのため半田
拡散による厚膜導体の断線がなく半田膜り作業が歩買よ
くできる。
以上説明１．た３〔うＶＣ本発明による厚膜回路を用い
ると後工程の組立工程で作業性がよく低コストで部品搭
載ができ、半田ＶＣよる厚１暉昇体の断報することか低
減し７た歩留のよい信頼性ｖｃ 俊れてかる混成集積Ｉ
ＩＪ路ができその効果は著しい。
ると後工程の組立工程で作業性がよく低コストで部品搭
載ができ、半田ＶＣよる厚１暉昇体の断報することか低
減し７た歩留のよい信頼性ｖｃ 俊れてかる混成集積Ｉ
ＩＪ路ができその効果は著しい。
本発明は、半田付が可能な金属として実施例では具体的
に′ｊ１１］を挙げたが半田付ができ、その表面が酸化
できれは、ｌｃ＊ ＮＬその細膜でも良く、捷た厚膜導
体や薄膜導体の一部にガラス膜を被着ｌ〜、一部に金Ｊ
、＋ｉ ｌ！１：とその金属酸化膜全被着した場合でも
、不発明の効果があることは言うまでもない。
に′ｊ１１］を挙げたが半田付ができ、その表面が酸化
できれは、ｌｃ＊ ＮＬその細膜でも良く、捷た厚膜導
体や薄膜導体の一部にガラス膜を被着ｌ〜、一部に金Ｊ
、＋ｉ ｌ！１：とその金属酸化膜全被着した場合でも
、不発明の効果があることは言うまでもない。
第１１図（ａ）、 （ｂ）は従来の厚膜回路基板の平面
図と断面図、第２図（ａ）、 （ｂ）は本発明の一実施
例による厚膜回路の表面図と断面図全示す。 １・・・アルミナ基板、２・・・・・厚膜導体１１２１
路、２１・・・・厚膜導体断線溝、３・・・・・厚膜抵
抗体、４・・・・ガラス膜、訃・・・・・半田％６・・
・・・・半田付可能々金属膜、６１・・・−・・金属膜
６の酸化被膜。
図と断面図、第２図（ａ）、 （ｂ）は本発明の一実施
例による厚膜回路の表面図と断面図全示す。 １・・・アルミナ基板、２・・・・・厚膜導体１１２１
路、２１・・・・厚膜導体断線溝、３・・・・・厚膜抵
抗体、４・・・・ガラス膜、訃・・・・・半田％６・・
・・・・半田付可能々金属膜、６１・・・−・・金属膜
６の酸化被膜。
Claims (1)
- 絶縁性基板上（Ｃ膜導体が形成された回路要素を含むＩ
ｔ順！Ｊ路基＆において、該膜導体の半田付部分の周囲
に金属膜葡設け、その金属膜の上にば化被膜を設けたこ
とを特徴とする膜回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3029883A JPS59155993A (ja) | 1983-02-25 | 1983-02-25 | 膜回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3029883A JPS59155993A (ja) | 1983-02-25 | 1983-02-25 | 膜回路基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59155993A true JPS59155993A (ja) | 1984-09-05 |
Family
ID=12299828
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3029883A Pending JPS59155993A (ja) | 1983-02-25 | 1983-02-25 | 膜回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59155993A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11251484A (ja) * | 1998-03-06 | 1999-09-17 | Mitsui High Tec Inc | チップサイズ型半導体装置 |
-
1983
- 1983-02-25 JP JP3029883A patent/JPS59155993A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11251484A (ja) * | 1998-03-06 | 1999-09-17 | Mitsui High Tec Inc | チップサイズ型半導体装置 |
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