JPH01140695A - 電子回路部品の製造方法 - Google Patents

電子回路部品の製造方法

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Publication number
JPH01140695A
JPH01140695A JP29896387A JP29896387A JPH01140695A JP H01140695 A JPH01140695 A JP H01140695A JP 29896387 A JP29896387 A JP 29896387A JP 29896387 A JP29896387 A JP 29896387A JP H01140695 A JPH01140695 A JP H01140695A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
conductor
pattern
laser beam
paste
electronic circuit
Prior art date
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Pending
Application number
JP29896387A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroyuki Otani
博之 大谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP29896387A priority Critical patent/JPH01140695A/ja
Publication of JPH01140695A publication Critical patent/JPH01140695A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/027Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed by irradiation, e.g. by photons, alpha or beta particles
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/10Using electric, magnetic and electromagnetic fields; Using laser light
    • H05K2203/107Using laser light

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、電子機器などの回路に広く用いることのでき
る電子回路部品の製造方法に関する。
従来の技術 近年、電子回路部品は電子機器の小型化、多様化に伴い
、高密度配線、高密度実装が可能となるような微細加工
が必要となってきた。中でも、回路基板においては、微
細パターンを容易にしかも高信頼性に形成することが不
可欠になってきた。
以下図面を参照しながら従来の電子回路部品の製造方法
の一例について説明する。
第4図および第5図は従来のセラミック回路基板の構成
を示すものである。第4図において、11はアルミナ(
A/ tOs )などのセラミックM板、12゜13 
ハAg /Pdなどの導体ペーストをスクリーン印刷し
、焼成したいわゆる厚膜導体である。14は厚膜では形
成することのできない微細形状導体をM4Cu 、 A
g/f’dなどの金属を蒸着やメツキなどにより形成し
たいわゆる薄膜導体である。c、dはそれぞれ厚膜導体
の線幅、線間隔であり、e、 fはそれぞれ薄膜導体の
線幅、線間隔を示している。。、。
= 0.15〜0.3 triであF)e、fは0.0
5〜0.2 mが一般的である。ま之、第5図は第4図
のように導体形成されたセラミック回路基板に部品を実
装したものである。すなわち、厚膜導体13の上には、
チップ部品15金、ま7t#膜導体14の上には金バン
グ16を介して半導体チップ17が実装されている。以
上の方法で構成されたセフミック回路部品は電子機器な
どに使用される。
発明が解決しようと、する問題点 しかしながら、上記のような方法では、半導体チップな
どtl−実装するtめに微細形状の導体バッドを形成し
なくてはならず、厚膜導体形成後に数多くの工数をかけ
、薄膜導体を形成する必要がある。しかも、熱や電解液
にさらされるような工程を通して、厚膜導体の密着強度
の劣下、半田濡れの劣下、絶縁抵抗値の劣下など信頼性
上大きな問題を有していた。また、微細形状の導体パッ
ドを印刷などにより形成した場合でも、線間、線幅が1
00μm以下になると、途切れやにじみによυ所定の形
状が得られず、しかも電気特性上その導体抵抗値はばら
つき、さらににじみ、途切れの程度が大きいと、オープ
ンやショートなど重大な欠陥を生じるという問題があっ
た。
本発明は、上記問題点に鑑み、少ない工数で基板上に微
細導体パターン全形成し、信頼性上問題のない電子回路
部品の製造方法を提供することを目的とする。
問題点を解決するための手段 上記問題点を解決するために本発明の電子回路部品の製
造方法は、基板上に、導体ペーストを途布し焼成してな
る導体層を、レーザービームにより所定形状に加工する
方法である。
作用 上記本発明の製造方法によれば、基板上に、導体ペース
ト塗布し焼成してなる厚膜導体層と、あらかじめプログ
ラムされ九条件で、レーザービームにより所定形状に微
細加工するので、従来より薄膜でなくては得られないよ
うな100μm以下の微細パターンも容易に形成でき、
工数のがかる薄膜導体を形成する必要がなくなる。また
、過大の熱や電解液にさらされることがないため、lq
膜導体層の基板への密着力が低下し之シ、半田刃れ性が
悪くなるという問題も解決することができる。
実施例 以下、本発明の一実施例の電子回路部品の製造方法につ
いて図面を参照しながら説明する。
第1図〜第3図は本発明の一実施例における成子回路部
品の断面図である。第1図において1はアμミナ基板、
2および3はAg/Fc1a導体層である。上記導体層
2.3はAg/?dを主成分とする導体ペーストを充分
大きな面積にスクリーン印111Jし乾燥後焼成する。
上記のようだして形成した導体NIIJ2.3を第2図
のごとく、YAGレーザ−ビーム4で所定の形状に微細
加工する。この時、線間aは60μm、線幅すは100
μmである。第3図は上記の基板上にすなわち電子回路
部品上に所定の部品を実装した状態を示す。第3図にお
いて、5お工び6は各導体層2.3の上に配置された半
導体チップ、7は企バンプ、8は金ワイヤーである。
以上のように本実施例によれば、セラミック基板上に形
成が安価で工数の少ない厚膜導体を形成し、レーザービ
ームで微細加工するだけで、従来の厚膜印刷では得られ
ない薄膜導体と同様の微細導体形状が得られる。しかも
半導体チップ用の導体形状が変わっても、レーザービー
ムカットのプログラムを変更するのみでよい。
なお、本実施例で7〜ミナ基板としたが他のセラミック
基板や、金属基板でもよい。さらに、導体ペーストをA
g/pdとしたが他の導体ペーストでもよく、レーザー
ビームはYAG以外のものでもよい。
発明の効果 以上のように本発明の製造方法によれば、基板上に、導
体ペーストを塗布し焼成してなるU−膜導体層を、あら
かじめプログラムされた条件で、レーザービームにより
所定形状に微細加工するので、従来より薄膜でなくては
得られないような100μm以下の微細パターンも容易
に形成でき、工数のかかる薄膜導体を形成する必要がな
くなる。また、過大の熱や電解液にさらされることがな
いため、厚膜導体層の基板への密着力が低下し友り、半
田濡れ性が悪くなるという問題も解決することができる
。さらに導体ペーストは印刷法により基板上に塗布でき
るため、微細導体形状のにじみや、途切れによる導通抵
抗値のばらつきや、オープン、ショートなど信頼性上の
問題も解決することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図、第2図、第3図は本発明の一実施例における電
子回路部品の製造方法を示す断面図、第4図、第5図は
従来の1「子回路部品の製造方法を示す断面図である。 1・・・アルミナ基板、2.3・・・導体層、4・・・
レーザービーム。 代理人   森  木  義  弘 第1図 第2図 第3図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.基板上に、導体ペーストを塗布し焼成してなる導体
    層を、レーザービームにより所定形状に加工する電子回
    路部品の製造方法。
JP29896387A 1987-11-26 1987-11-26 電子回路部品の製造方法 Pending JPH01140695A (ja)

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JP29896387A JPH01140695A (ja) 1987-11-26 1987-11-26 電子回路部品の製造方法

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JPH01140695A true JPH01140695A (ja) 1989-06-01

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JP (1) JPH01140695A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0415336A2 (en) * 1989-08-31 1991-03-06 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for manufacturing thick film circuit substrate
WO2003037049A1 (en) * 2001-10-22 2003-05-01 Invint Limited Circuit formation by laser ablation of ink

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0415336A2 (en) * 1989-08-31 1991-03-06 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for manufacturing thick film circuit substrate
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