JPH09293953A - メタライズ基板の製造方法 - Google Patents
メタライズ基板の製造方法Info
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- JPH09293953A JPH09293953A JP13103796A JP13103796A JPH09293953A JP H09293953 A JPH09293953 A JP H09293953A JP 13103796 A JP13103796 A JP 13103796A JP 13103796 A JP13103796 A JP 13103796A JP H09293953 A JPH09293953 A JP H09293953A
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- metallized substrate
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 平坦で、かつピンホールが少ないメタライズ
導電回路を、スクリーン印刷法でセラミックス基板上に
作製するメタライズ基板の製造方法の提供。 【解決手段】 低抵抗金属粉末が重量％で４０〜８０
％、有機バインダー、及び有機溶剤から成るビヒクルが
重量％で２０〜６０％の組成で混練した後、５〜２０μ
ｍのナイロンメッシュを通し、印刷に必要な粘度に調整
したメタライズ用ペーストをスクリーン印刷法によりセ
ラミック基板上に塗布し、乾燥、メタライズ焼成を行う
ことを特徴とするメタライズ基板の製造方法。
導電回路を、スクリーン印刷法でセラミックス基板上に
作製するメタライズ基板の製造方法の提供。 【解決手段】 低抵抗金属粉末が重量％で４０〜８０
％、有機バインダー、及び有機溶剤から成るビヒクルが
重量％で２０〜６０％の組成で混練した後、５〜２０μ
ｍのナイロンメッシュを通し、印刷に必要な粘度に調整
したメタライズ用ペーストをスクリーン印刷法によりセ
ラミック基板上に塗布し、乾燥、メタライズ焼成を行う
ことを特徴とするメタライズ基板の製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、メタライズ基板の
製造方法に関し、特に、セラミック基板上の低抵抗金属
ペーストによる回路の表面平滑性の向上、及びスクリー
ン印刷時に発生するピンホールなどの欠陥の少ないメタ
ライズ基板を得るための製造方法に関するものである。
製造方法に関し、特に、セラミック基板上の低抵抗金属
ペーストによる回路の表面平滑性の向上、及びスクリー
ン印刷時に発生するピンホールなどの欠陥の少ないメタ
ライズ基板を得るための製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、電子回路を構成するための基板
としては、金属絶縁基板、有機基板、セラミックス基板
があるが、これらの基板に要求される性質として、高
い絶縁性、機械的強度が確保されること、他の電子部
品を劣化させないこと、メタライズ導体と容易に接合
体を形成できること、熱伝導率が大きいことなどであ
る。
としては、金属絶縁基板、有機基板、セラミックス基板
があるが、これらの基板に要求される性質として、高
い絶縁性、機械的強度が確保されること、他の電子部
品を劣化させないこと、メタライズ導体と容易に接合
体を形成できること、熱伝導率が大きいことなどであ
る。
【０００３】この要求を満足する材料として、セラミッ
クス基板があり、このセラミックス基板には、アルミ
ナ、窒化アルミニウム等がある。
クス基板があり、このセラミックス基板には、アルミ
ナ、窒化アルミニウム等がある。
【０００４】しかし、セラミックス単体では、電子機器
に用いられるトランジスタ、ダイオード、ＩＣ、ＬＳ
Ｉ、その他各種電子部品を直接実装することができない
ため、セラミックス表面に金属化膜を形成し導体層とし
て使用するか、または金属化膜を介して導体金属箔とを
接合することにより、電子回路を構成している。
に用いられるトランジスタ、ダイオード、ＩＣ、ＬＳ
Ｉ、その他各種電子部品を直接実装することができない
ため、セラミックス表面に金属化膜を形成し導体層とし
て使用するか、または金属化膜を介して導体金属箔とを
接合することにより、電子回路を構成している。
【０００５】この電子回路の構成方法には、（ａ）導体
金属ペーストによるセラミックス基板上への金属化膜形
成を、１０〜３０μｍ程度の厚みにスクリーン印刷、乾
燥、焼成を行い回路形成を行う方法と、（ｂ）導体金属
箔とセラミックス基板の間にろう付け用ペーストや箔を
挿入して接合を行い回路形成を行う方法とがある。
金属ペーストによるセラミックス基板上への金属化膜形
成を、１０〜３０μｍ程度の厚みにスクリーン印刷、乾
燥、焼成を行い回路形成を行う方法と、（ｂ）導体金属
箔とセラミックス基板の間にろう付け用ペーストや箔を
挿入して接合を行い回路形成を行う方法とがある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記
（ａ）の方法の場合、導体厚みが１０〜３０μｍと薄い
ため、回路に流せる電流は１００Ａ以下と使用範囲が限
定されてしまう欠点があり、後者（ｂ）の接合基板の場
合、金属箔によって回路を構成するため、導体厚みを２
００〜５００μｍにすることは可能であるが、回路のパ
ターンを金型によって作製した箔を精度良く設置した
り、あるいは塩化物や酸によるエッチングで回路を形成
するなど製造プロセスが複雑であるという欠点があっ
た。
（ａ）の方法の場合、導体厚みが１０〜３０μｍと薄い
ため、回路に流せる電流は１００Ａ以下と使用範囲が限
定されてしまう欠点があり、後者（ｂ）の接合基板の場
合、金属箔によって回路を構成するため、導体厚みを２
００〜５００μｍにすることは可能であるが、回路のパ
ターンを金型によって作製した箔を精度良く設置した
り、あるいは塩化物や酸によるエッチングで回路を形成
するなど製造プロセスが複雑であるという欠点があっ
た。
【０００７】また、低抵抗金属粉末とエチルセルロース
系のバインダーを樹脂の溶剤であるエチレングリコール
モノエチルエーテルとテルピネオールで溶解して成るビ
ヒクルに混練して、ペーストを作製し、前記ペーストを
セラミック基板上にスクリーン印刷法で８０μｍ以上の
厚みを形成する場合、スクリーンのメッシュを通してペ
ーストを基板に転写し、スクリーンが離れる際に表面張
力によりパターンエッジ部分に盛り上がりを生じさせる
サドル現象を引き起こす。
系のバインダーを樹脂の溶剤であるエチレングリコール
モノエチルエーテルとテルピネオールで溶解して成るビ
ヒクルに混練して、ペーストを作製し、前記ペーストを
セラミック基板上にスクリーン印刷法で８０μｍ以上の
厚みを形成する場合、スクリーンのメッシュを通してペ
ーストを基板に転写し、スクリーンが離れる際に表面張
力によりパターンエッジ部分に盛り上がりを生じさせる
サドル現象を引き起こす。
【０００８】また、乾燥時において、２〜５ｍｍ幅のパ
ターンに収縮が起こり、凹部が発生する。
ターンに収縮が起こり、凹部が発生する。
【０００９】また、セラミック基板上への塗布厚みが３
０μｍを越えると、メタライズ回路表面は粗面となり、
ピンホール等の欠陥を発生するというような欠陥があっ
た。
０μｍを越えると、メタライズ回路表面は粗面となり、
ピンホール等の欠陥を発生するというような欠陥があっ
た。
【００１０】また、２回以上の塗布および連続印刷の場
合、バインダーの溶剤であるエチレングリコールモノエ
チルエーテルの蒸気圧が３.８ｍｍＨｇであることよ
り、スクリーン印刷時のスクリーン上で乾燥されやす
く、スクリーンメッシュへのペーストの目詰まり等が引
き起こされ、メタライズ膜へのピンホール、膜厚の制御
の困難および作業性が悪いなど問題があった。
合、バインダーの溶剤であるエチレングリコールモノエ
チルエーテルの蒸気圧が３.８ｍｍＨｇであることよ
り、スクリーン印刷時のスクリーン上で乾燥されやす
く、スクリーンメッシュへのペーストの目詰まり等が引
き起こされ、メタライズ膜へのピンホール、膜厚の制御
の困難および作業性が悪いなど問題があった。
【００１１】このような、メタライズ膜に凹凸およびピ
ンホールがあるメタライズ基板に電子部品を実装した場
合、電子部品とメタライズ導体回路間に空隙が生じ、熱
抵抗を増加させる原因となる。
ンホールがあるメタライズ基板に電子部品を実装した場
合、電子部品とメタライズ導体回路間に空隙が生じ、熱
抵抗を増加させる原因となる。
【００１２】そこで、本発明の技術的課題は、前述のメ
タライズ用ペーストを用いて、平坦性が有り、ピンホー
ルの少ない導体金属層を厚さ８０μｍ以上形成すること
で、１００Ａ以上の電流を流すことの可能なメタライズ
導体回路を、スクリーン印刷法で１回あるいは数回塗り
という簡略化したプロセスによって得ることができるメ
タライズ基板の製造方法を提供することにある。
タライズ用ペーストを用いて、平坦性が有り、ピンホー
ルの少ない導体金属層を厚さ８０μｍ以上形成すること
で、１００Ａ以上の電流を流すことの可能なメタライズ
導体回路を、スクリーン印刷法で１回あるいは数回塗り
という簡略化したプロセスによって得ることができるメ
タライズ基板の製造方法を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、メタライズ用
ペーストの低抵抗金属粉末組成物は、重量％表示で４０
〜８０％とし、ビヒクルは２０〜６０％で混練してペー
スト状にし、アルミナおよび窒化アルミニウム基板の表
面にスクリーン印刷法を用いて、１回あるいは数回塗布
で１００〜４００μｍの厚みを形成し、乾燥後、高真空
雰囲気中および不活性雰囲気中において、熱処理を施す
ことによって、ピンホールの少ない、表面粗さが小さな
平坦性の高いメタライズ膜が形成され、熱抵抗が低く、
作業性の良い、簡単なプロセスを有するメタライズ基板
の製造方法を提供するものである。
ペーストの低抵抗金属粉末組成物は、重量％表示で４０
〜８０％とし、ビヒクルは２０〜６０％で混練してペー
スト状にし、アルミナおよび窒化アルミニウム基板の表
面にスクリーン印刷法を用いて、１回あるいは数回塗布
で１００〜４００μｍの厚みを形成し、乾燥後、高真空
雰囲気中および不活性雰囲気中において、熱処理を施す
ことによって、ピンホールの少ない、表面粗さが小さな
平坦性の高いメタライズ膜が形成され、熱抵抗が低く、
作業性の良い、簡単なプロセスを有するメタライズ基板
の製造方法を提供するものである。
【００１４】即ち、本発明は、実装された電子部品から
発生する熱を放熱する、メタライズ導体回路となるメタ
ライズ用ペーストを、セラミック基板上にスクリーン印
刷法で形成して成るメタライズ基板の製造方法におい
て、金、銀、銅を単体あるいは、ニッケル、パラジウ
ム、チタンを少なくとも１種混合した低抵抗金属粉末を
重量％で４０〜８０％、有機バインダー、及び有機溶剤
から成るビヒクルを重量％で２０〜６０％の組成で混練
して、ペースト状にしたメタライズ用ペーストを、５〜
２０μｍのナイロンメッシュを通し、印刷に必要な粘度
に調整し、スクリーン印刷法によりセラミック基板上
に、所定の厚さに少なくとも１回以上塗布し、乾燥、メ
タライズ焼成を行うことを特徴とするメタライズ基板の
製造方法である。
発生する熱を放熱する、メタライズ導体回路となるメタ
ライズ用ペーストを、セラミック基板上にスクリーン印
刷法で形成して成るメタライズ基板の製造方法におい
て、金、銀、銅を単体あるいは、ニッケル、パラジウ
ム、チタンを少なくとも１種混合した低抵抗金属粉末を
重量％で４０〜８０％、有機バインダー、及び有機溶剤
から成るビヒクルを重量％で２０〜６０％の組成で混練
して、ペースト状にしたメタライズ用ペーストを、５〜
２０μｍのナイロンメッシュを通し、印刷に必要な粘度
に調整し、スクリーン印刷法によりセラミック基板上
に、所定の厚さに少なくとも１回以上塗布し、乾燥、メ
タライズ焼成を行うことを特徴とするメタライズ基板の
製造方法である。
【００１５】本発明は、上記メタライズ基板の製造方法
において、前記ビヒクルは、エチルセルロース系のバイ
ンダーに分散剤、可塑剤を添加したものを、蒸気密度
３.８以上、室温での蒸気圧１.５ｍｍＨｇ以下の有機溶
剤で溶解されて成ることを特徴とするメタライズ基板の
製造方法である。
において、前記ビヒクルは、エチルセルロース系のバイ
ンダーに分散剤、可塑剤を添加したものを、蒸気密度
３.８以上、室温での蒸気圧１.５ｍｍＨｇ以下の有機溶
剤で溶解されて成ることを特徴とするメタライズ基板の
製造方法である。
【００１６】本発明は、上記メタライズ基板の製造方法
において、前記有機バインダーを、エチレングリコール
モノエチルエーテル、及びエチレングリコールモノエチ
ルエーテルアセテート等の蒸気密度３.８以上、室温で
の蒸気圧１.５ｍｍＨｇ以下の溶剤で溶解して成るビヒ
クルに前記低抵抗金属粉末を混練したメタライズ用ペー
ストを用いることを特徴とするメタライズ基板の製造方
法である。
において、前記有機バインダーを、エチレングリコール
モノエチルエーテル、及びエチレングリコールモノエチ
ルエーテルアセテート等の蒸気密度３.８以上、室温で
の蒸気圧１.５ｍｍＨｇ以下の溶剤で溶解して成るビヒ
クルに前記低抵抗金属粉末を混練したメタライズ用ペー
ストを用いることを特徴とするメタライズ基板の製造方
法である。
【００１７】本発明は、上記メタライズ基板の製造方法
において、スクリーン印刷法により前記金属導体回路を
所定の厚さに、少なくとも１回以上塗布して形成し、乾
燥、メタライズ焼成を行うことによって、塗布厚みを５
０μｍ以上とし、真空及び不活性雰囲気下で焼き付けて
メタライズ膜を形成することを特徴とするメタライズ基
板の製造方法である。
において、スクリーン印刷法により前記金属導体回路を
所定の厚さに、少なくとも１回以上塗布して形成し、乾
燥、メタライズ焼成を行うことによって、塗布厚みを５
０μｍ以上とし、真空及び不活性雰囲気下で焼き付けて
メタライズ膜を形成することを特徴とするメタライズ基
板の製造方法である。
【００１８】本発明は、メタライズ基板の製造方法にお
いて、前記セラミックス基板はアルミナ及び窒化アルミ
ニウムのうち少なくとも１種からなることを特徴とする
メタライズ基板の製造方法である。
いて、前記セラミックス基板はアルミナ及び窒化アルミ
ニウムのうち少なくとも１種からなることを特徴とする
メタライズ基板の製造方法である。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態につ
いて説明する。
いて説明する。
【００２０】本発明の実施の形態に係わるメタライズ組
成物の１例として、銅とチタンの混合粉末の場合を示
す。銅粉末は、平均粒径１μｍ以下の微粉末である。ま
た、チタン粉末は、平均粒径１０μｍである。この銅粉
末およびチタン粉末を所要の量に秤量混合して、銅が８
５〜９９重量％、残部のチタンが１〜１５重量％となる
ように混合する。
成物の１例として、銅とチタンの混合粉末の場合を示
す。銅粉末は、平均粒径１μｍ以下の微粉末である。ま
た、チタン粉末は、平均粒径１０μｍである。この銅粉
末およびチタン粉末を所要の量に秤量混合して、銅が８
５〜９９重量％、残部のチタンが１〜１５重量％となる
ように混合する。
【００２１】得られたメタライズ混合粉末（低抵抗金属
粉末）４０ないし８０重量％にエチルセルロース系バイ
ンダーに分散剤、可塑剤を少量添加したものをエチレン
グリコールモノブチルエーテルあるいはエチレングリコ
ールモノエチルエーテルアセテート等の蒸気密度３.８
以上、室温での蒸気圧１.５ｍｍＨｇ以下の溶剤で溶解
して得られるビヒクルを２０〜６０重量％の割合で添加
混合し、３本ロールミル等を用いて粒度が５μｍ以下に
なるまで混練し、均一に分散させてスクリーン印刷に適
した粘度に調整したペースト状にする。なお、この場合
の粘度は、１回あるいは数回印刷で８０μｍ以上の厚み
を形成するために、５００〜１０００ｄＰａ・ｓとす
る。
粉末）４０ないし８０重量％にエチルセルロース系バイ
ンダーに分散剤、可塑剤を少量添加したものをエチレン
グリコールモノブチルエーテルあるいはエチレングリコ
ールモノエチルエーテルアセテート等の蒸気密度３.８
以上、室温での蒸気圧１.５ｍｍＨｇ以下の溶剤で溶解
して得られるビヒクルを２０〜６０重量％の割合で添加
混合し、３本ロールミル等を用いて粒度が５μｍ以下に
なるまで混練し、均一に分散させてスクリーン印刷に適
した粘度に調整したペースト状にする。なお、この場合
の粘度は、１回あるいは数回印刷で８０μｍ以上の厚み
を形成するために、５００〜１０００ｄＰａ・ｓとす
る。
【００２２】このようにして得られたメタライズ用ペー
ストをスクリーン印刷機を用いてアルミナまたは窒化ア
ルミニウムセラミックス基板上に所定の回路パターン
で、厚みが８０μｍ以上となるように、１回、あるいは
数回塗布してパターン形成を行った。
ストをスクリーン印刷機を用いてアルミナまたは窒化ア
ルミニウムセラミックス基板上に所定の回路パターン
で、厚みが８０μｍ以上となるように、１回、あるいは
数回塗布してパターン形成を行った。
【００２３】また、スクリーンは、８０〜１２５メッシ
ュの開口率の大きい、乳剤厚みが８０〜４００μｍのも
のを用いる。
ュの開口率の大きい、乳剤厚みが８０〜４００μｍのも
のを用いる。
【００２４】こうして得られたペースト状金属組成物
を、セラミックス基板表面に塗布する。ここで、セラミ
ックス基板は、熱伝導率の良い、酸化物、窒化物、ある
いは数％の焼結助剤を含むセラミックス焼結体のいずれ
でもよい。なお、酸化物として、アルミナ（Ａｌ
2Ｏ3）、あるいは、窒化物として、窒化アルミニウム
（ＡｌＮ）が例示できる。
を、セラミックス基板表面に塗布する。ここで、セラミ
ックス基板は、熱伝導率の良い、酸化物、窒化物、ある
いは数％の焼結助剤を含むセラミックス焼結体のいずれ
でもよい。なお、酸化物として、アルミナ（Ａｌ
2Ｏ3）、あるいは、窒化物として、窒化アルミニウム
（ＡｌＮ）が例示できる。
【００２５】この基板表面に２５０μｍの厚みのメタラ
イズ用ペーストが塗布されたセラミックス基板を高真空
中、または不活性雰囲気下で熱処理を施すことによっ
て、メタライズ基板が得られる。
イズ用ペーストが塗布されたセラミックス基板を高真空
中、または不活性雰囲気下で熱処理を施すことによっ
て、メタライズ基板が得られる。
【００２６】このメタライズ基板の素子実装時の半田濡
れ性および表面酸化を防止するため、ニッケルめっき、
あるいは金めっきが施される。この場合のめっきは、メ
タライズパターンが独立している時は無電解めっきを用
い、連続している時は電気あるいは無電解めっきのいず
れでも良い。
れ性および表面酸化を防止するため、ニッケルめっき、
あるいは金めっきが施される。この場合のめっきは、メ
タライズパターンが独立している時は無電解めっきを用
い、連続している時は電気あるいは無電解めっきのいず
れでも良い。
【００２７】図１は、エチルセルロース系バインダーを
溶解する溶剤として、エチレングリコールモノエチルエ
ーテルとエチレングリコールモノブチルエーテルの混合
重量比の割合を変えたビヒクルを使用して作製したペー
ストでセラミックス基板表面に１５０μｍの厚みでパタ
ーンニングした時の１０×１０ｍｍの大きさのメタライ
ズパターンのφ０.５ｍｍ以上の発生したピンホール数
を示したものである。
溶解する溶剤として、エチレングリコールモノエチルエ
ーテルとエチレングリコールモノブチルエーテルの混合
重量比の割合を変えたビヒクルを使用して作製したペー
ストでセラミックス基板表面に１５０μｍの厚みでパタ
ーンニングした時の１０×１０ｍｍの大きさのメタライ
ズパターンのφ０.５ｍｍ以上の発生したピンホール数
を示したものである。
【００２８】図１からわかるように、メタライズパター
ン表面のピンホールは、エチレングリコールモノエチル
エーテルの添加量が５０〜１００重量％の範囲において
は、ピンホールの数は２０〜３０個程度で、エチレング
リコールモノエチルエーテルの添加量が５０重量％より
少なくなると、徐々にピンホールの発生は少なくなり、
エチレングリコールモノブチルエーテルが１００重量％
になると、ピンホールの数は０〜２個程度になることが
わかる。
ン表面のピンホールは、エチレングリコールモノエチル
エーテルの添加量が５０〜１００重量％の範囲において
は、ピンホールの数は２０〜３０個程度で、エチレング
リコールモノエチルエーテルの添加量が５０重量％より
少なくなると、徐々にピンホールの発生は少なくなり、
エチレングリコールモノブチルエーテルが１００重量％
になると、ピンホールの数は０〜２個程度になることが
わかる。
【００２９】図２は、エチルセルロース系バインダーを
溶解する溶剤として、エチレングリコールモノエチルエ
ーテルとエチレングリコールモノブチルエーテルの混合
重量比の割合を変えたビヒクルを使用して作製したメタ
ライズ用ペーストでセラミックス基板表面に１５０μｍ
の厚みでパターンニングした時のメタライズパターン表
面の表面粗さおよびパターン平坦度の変化を示したもの
である。
溶解する溶剤として、エチレングリコールモノエチルエ
ーテルとエチレングリコールモノブチルエーテルの混合
重量比の割合を変えたビヒクルを使用して作製したメタ
ライズ用ペーストでセラミックス基板表面に１５０μｍ
の厚みでパターンニングした時のメタライズパターン表
面の表面粗さおよびパターン平坦度の変化を示したもの
である。
【００３０】図２からわかるように、メタライズパター
ン表面の表面粗さは、エチレングリコールモノエチルエ
ーテルの添加量が少なくなるに従い、小さくなることが
わかる。また、パターンの端部が盛り上がってしまうサ
ドル現象も、添加量が少なくなるに従い、減少していく
傾向であった。
ン表面の表面粗さは、エチレングリコールモノエチルエ
ーテルの添加量が少なくなるに従い、小さくなることが
わかる。また、パターンの端部が盛り上がってしまうサ
ドル現象も、添加量が少なくなるに従い、減少していく
傾向であった。
【００３１】表１は、エチルセルロース系バインダーを
溶解する溶剤として、エチレングリコールモノエチルエ
ーテルとエチレングリコールモノブチルエーテルを用い
たビヒクルを使用して作製したメタライズ用ペースト
で、セラミックス基板表面に１５０μｍの厚みでパター
ンニングするとき、スクリーン上でのペースト放置時間
に対する１０×１０ｍｍの大きさのメタライズパターン
内のかすれ、スクリーンの目詰まりについて示したもの
である。
溶解する溶剤として、エチレングリコールモノエチルエ
ーテルとエチレングリコールモノブチルエーテルを用い
たビヒクルを使用して作製したメタライズ用ペースト
で、セラミックス基板表面に１５０μｍの厚みでパター
ンニングするとき、スクリーン上でのペースト放置時間
に対する１０×１０ｍｍの大きさのメタライズパターン
内のかすれ、スクリーンの目詰まりについて示したもの
である。
【００３２】 ○：パターンのかすれ、スクリーンの目詰まりなし。 △：パターンの１割以内の面積がかすれる。 ×：パターンのかすれがパターンの面積の１割を越える。
【００３３】表１の結果より、エチレングリコールモノ
ブチルエーテルを用いてバインダーを溶解したビヒクル
で作製したメタライズ用ペーストは、１０分間放置して
もパターンのかすれ、スクリーンの目詰まりが起こらな
いことより、作業効率の向上につながることがわかっ
た。
ブチルエーテルを用いてバインダーを溶解したビヒクル
で作製したメタライズ用ペーストは、１０分間放置して
もパターンのかすれ、スクリーンの目詰まりが起こらな
いことより、作業効率の向上につながることがわかっ
た。
【００３４】
【発明の効果】以上、説明した本発明によるメタライズ
基板の製造方法によれば、パターンのピンホール等の欠
陥が少なく、平坦度が高く、表面が平滑なメタライズ基
板を簡単なプロセスによって得ることができる。
基板の製造方法によれば、パターンのピンホール等の欠
陥が少なく、平坦度が高く、表面が平滑なメタライズ基
板を簡単なプロセスによって得ることができる。
【図１】エチレングリコールモノエチルエーテルとエチ
レングリコールモノブチルエーテルの混合重量比に対す
る発生したピンホール数を示す図。
レングリコールモノブチルエーテルの混合重量比に対す
る発生したピンホール数を示す図。
【図２】エチレングリコールモノエチルエーテルとエチ
レングリコールモノブチルエーテルの混合重量比に対す
る表面粗さとパターン平坦度を示す図。
レングリコールモノブチルエーテルの混合重量比に対す
る表面粗さとパターン平坦度を示す図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岩田 伸一 宮城県仙台市太白区郡山６丁目７番１号 株式会社トーキン内
Claims (5)
- 【請求項１】 実装された電子部品から発生する熱を放
熱する、メタライズ導体回路となるメタライズ用ペース
トを、セラミック基板上にスクリーン印刷法で形成して
成るメタライズ基板の製造方法において、金、銀、銅を
単体あるいは、ニッケル、パラジウム、チタンを少なく
とも１種混合した低抵抗金属粉末を重量％で４０〜８０
％、有機バインダー、及び有機溶剤から成るビヒクルを
重量％で２０〜６０％の組成で混練して、ペースト状に
したメタライズ用ペーストを、５〜２０μｍのナイロン
メッシュを通し、印刷に必要な粘度に調整し、スクリー
ン印刷法によりセラミック基板上に、所定の厚さに少な
くとも１回以上塗布し、乾燥、メタライズ焼成を行うこ
とを特徴とするメタライズ基板の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１記載のメタライズ基板の製造方
法において、前記ビヒクルは、エチルセルロース系のバ
インダーに分散剤、可塑剤を添加したものを、蒸気密度
３.８以上、室温での蒸気圧１.５ｍｍＨｇ以下の有機溶
剤で溶解されて成ることを特徴とするメタライズ基板の
製造方法。 - 【請求項３】 請求項１記載のメタライズ基板の製造方
法において、前記有機バインダーを、エチレングリコー
ルモノエチルエーテル、及びエチレングリコールモノエ
チルエーテルアセテート等の蒸気密度３.８以上、室温
での蒸気圧１.５ｍｍＨｇ以下の溶剤で溶解して成るビ
ヒクルに前記低抵抗金属粉末を混練したメタライズ用ペ
ーストを用いることを特徴とするメタライズ基板の製造
方法。 - 【請求項４】 請求項１記載のメタライズ基板の製造方
法において、スクリーン印刷法により前記金属導体回路
を所定の厚さに、少なくとも１回以上塗布して形成し、
乾燥、メタライズ焼成を行うことによって、塗布厚みを
５０μｍ以上とし、真空及び不活性雰囲気下で焼き付け
てメタライズ膜を形成することを特徴とするメタライズ
基板の製造方法。 - 【請求項５】 請求項１記載のメタライズ基板の製造方
法において、前記セラミックス基板はアルミナ及び窒化
アルミニウムのうち少なくとも１種からなることを特徴
とするメタライズ基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13103796A JPH09293953A (ja) | 1996-04-25 | 1996-04-25 | メタライズ基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13103796A JPH09293953A (ja) | 1996-04-25 | 1996-04-25 | メタライズ基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09293953A true JPH09293953A (ja) | 1997-11-11 |
Family
ID=15048554
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13103796A Pending JPH09293953A (ja) | 1996-04-25 | 1996-04-25 | メタライズ基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09293953A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107986810A (zh) * | 2018-01-22 | 2018-05-04 | 中国计量大学 | 功率电子器件用AlN陶瓷敷铜基板及其制备方法 |
| CN110248465A (zh) * | 2019-06-20 | 2019-09-17 | 天津荣事顺发电子有限公司 | 一种厚膜和覆铜一体陶瓷电路板及其制备方法 |
-
1996
- 1996-04-25 JP JP13103796A patent/JPH09293953A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107986810A (zh) * | 2018-01-22 | 2018-05-04 | 中国计量大学 | 功率电子器件用AlN陶瓷敷铜基板及其制备方法 |
| CN107986810B (zh) * | 2018-01-22 | 2022-11-18 | 中国计量大学 | 功率电子器件用AlN陶瓷敷铜基板及其制备方法 |
| CN110248465A (zh) * | 2019-06-20 | 2019-09-17 | 天津荣事顺发电子有限公司 | 一种厚膜和覆铜一体陶瓷电路板及其制备方法 |
| CN110248465B (zh) * | 2019-06-20 | 2024-03-19 | 上海铠琪科技有限公司 | 一种厚膜和覆铜一体陶瓷电路板及其制备方法 |
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