JPS61256688A - 回路基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はビデオテープレコーダなどの民生用電子機器を
はじめ０ム機器９通信機器などに用いられる回路基板、
とシわけ半導体チップを実装した混成集積回路を構成す
るのに適した回路基板の製造方法に関するものである。

従来の技術 近年、電子機器の小型、軽量化や高性能化に対する進歩
はめざましいものがある。

その要因としては半導体技術の進歩によるところが極め
て大きいことはいうまでもないが、同時に電子回路の構
成手段として半導体ＩＣを用いた混成集積回路装置が広
範に利用されるようになって米たことも大きな役割を果
している。

この混成集積回路装置は通称ハイブリッドＸＯとも呼ば
れるものであり、現状では様々な構成や形態を有するも
のが使われている。

その代表的なものとしてはセラミック基板上に導体回路
を形成した回路基板に直接半導体Ｘａチップをワイヤー
ポンド法によシ接続し、その周辺部に、チップコンデン
サ、ミニモールド型のトランジスタ、チップ抵抗器など
を実装して機能ブロック回路を構成したものがある。

ところで、このような半導体ＩＣｊチップを直接実装す
ることにより構成した混成集積回路に用いられる回路基
板としては、従来第３囚人〜Ｂに示す工程を経て作られ
ている。

この回路基板は、アルミナなどのセラミック絶縁基板１
の表面に、銀や金、白金などの貴金属系のメタルグレー
ズ系導体ペーストを用いてスクリーン印刷法によシ配線
回路状に塗布し、ＳＯＯ〜９００″Ｃの高温中で焼成す
ることにより回路導体層２を形成したいわゆる厚膜印刷
法により作られたものである。

発明が解決しようとする問題点 しかしながら上記のような回路基板では半導体ＩＣチッ
プと直接ワイヤーボンド法で接続するための回路導体層
２は全て金や銀などの貴金属により構成されるため、回
路導体層２の材料費が高価につくことや、貴金属系のメ
タルグレーズ系の導体ペーストで形成した回路導体層２
はその中でガラス分を含んでいるために半導体ＩＣチッ
プとワイヤーボンド接続においてアルミニウム線や金線
などとのボンディング接続が不安定で、信頼性に乏しい
こと、さらにはスクリーン印刷法によって回路導体層２
を形成するためパターン微細化かはかシにくい不都合が
あった。

本発明は上記問題点に鑑み、経済性にすぐれ、かつ微細
配線化や半導体ＩＣチップとのワイヤーボンドの接続の
信頼性にすぐれた回路基板の製造方法を提供するもので
ある。

問題点を解決するための手段 上記問題点を解決するために本発明の回路基板は、絶縁
基板の少くとも一方の主面上にワイヤーボンドが可能な
金属薄膜層を形成し、その表面に所望とする配線回路図
形状に７オトリソ技術を利用して耐エツチング性を有す
る第１レジスト層を形成し、露出した金属薄膜層をエツ
チングして除去してから、さらに第１レジスト層を除去
し、金属薄膜による回路導体層の一部に第２レジスト層
を形成し、露出した金属薄膜層の表面に無電解めっき法
によってはんだづけが可能な金属層を析出させ、第２レ
ジスト層を除去する方法により作られ穴ものである。

作用 本発明は上記した方法によって、半導体ＩＣチップと良
好なワイヤーボンド接続ができる金属層を部分的に設け
た回路基板を作るものであシ、導体材料費が安価で、微
細パターンの形成が可能な回路基板が得られるものであ
る。

実施例 以下本発明の一実施例による回路基板の製造方法につい
て図面を参照しながら説明する。

第１図は本発明の一実施例における回路基板の要部断面
図である。第１図において３は絶縁基板、４は金属薄膜
層、６は第１レジスト層、６は第２レジスト層、７は導
電金属層である。

以上のように構成された回路基板について以下筒２因五
〜Ｆを用いてその製造工程を詳細に説明する。

本実施例における回路基板は先ず第２図人に示すように
絶縁基板３の少くとも一方の主面全体にワイヤーボンド
が可能な金属薄膜層４を析出させる。

本実施例においては絶縁基板３としてアルミナなどのセ
ラミック絶縁基板の他にガラスエポキシ基板などの合成
樹脂基板や透明ガラス基板などを使用し、その主面上に
ワイヤーボンドが可能な金属薄膜層４としてアルミニウ
ム金属層を、真空蒸着法によシ１〜５μの厚さに析出さ
せた。

次に第２図Ｂに示すように、アルミニウムの金属薄膜層
４の表面にフォトリソ技術を利用して耐エツチング性を
有する第２レジスト層５を所望の配線図形状に形成する
。そして、第２図Ｃに示すごとく第１レジスト層６で被
覆されないアルミニウムの金属薄膜層４をカセイソーダ
や塩酸などの稀釈溶液に浸漬して溶解除去することによ
りて所望とする回路導体層を形成し、第２図りに示すよ
うに第１レジスト層６を除去してから半導体装置膜層６
をスクリーン印刷法などによって形成する。

それから第２図Ｅに示すように第２レジスト層６が被覆
されないアルミニウムから成る金属薄膜層４の表面に無
電解めっき法によってはんだづけが可能な導電金属７を
析出させた。この場合、無電解めっきとしてはアルミニ
ウムの金属薄膜層４の表面に析出が可能なものでなけれ
ばならないが、アルミニウムは両性金属であるため酸と
アルカリの両方の溶液中で溶解するので無電解めっき浴
は中性浴で析出可能なものでなければならない。

この目的に合致する無電解めっきとして、本実施例にお
いては下記する組成の無電解めっき液を用いてアルミニ
ウムの金属薄膜層４にニッケル金属層７を析出させた。

硫酸ニッケル　　　　　　　１０〜２０９／１乳酸　　
　　　１〜５ｍｌ／１ 次亜リン酸ナトリウム　　　　　６〜１５ｆ／１クエン
酸ナトリウム　　　　　３０〜６０ｆ／１浴温度　　　
　　　　　　　　４０’Ｃ〜４５℃浴ＰＨ７〜７．に のようにしてワイヤーボンドの接続を必要としないアル
ミニウムの金属薄膜層４から成る回路導体層上にはんだ
づけが可能なニッケルの導電金属層７を析出させた後で
第２図Ｆに示すように第２レジスト層６を除去してアル
ミニウムの金属薄膜層４を露出させることにより部分的
にワイヤーボンドが可能な回路基板を作成した。

発明の効果 以上の説明から明らかなように本発明による回路基板は
、絶縁基板の主面上にまずワイヤーボンドが可能な金属
薄膜層としてアルミニウムを析出させ、フォトエツチン
グ法によって所望の回路導体層を形成した後で、半導体
ＩＣチップとワイヤーボンド法によシ接続を必要とする
回路導体層に耐無電解めっき性のレジストを被覆し、し
かる後に無電解めっき法によって露出したアルミニウム
薄膜層から成る回路導体層上にはんだづけが可能な金属
層を析出させ、最終的に耐無電解めっき性のレジスト層
を除去することによシ作られたものである。

従って本発明による回路基板は、ワイヤーボンドを必要
とする回路導体層を含め全ての導体層が高価な貴金属を
使用することなく、アルミニウムやニッケルなどの卑金
属系の導体層で構成することができるため、材料コスト
が安両につくこと、フォトエツチング方式により回路導
体層を形成するため、微細パターンの形成が容易にでき
ること、さらにはワイヤーボンドする導体層がアルミニ
ウム金属薄膜層のみで形成されるため、アルミニウム線
や金線などの金属細線との接合強度が、従来の銀や金な
どの貴金属ペーストを印刷し高温焼成して形成したいわ
ゆる厚膜導体層のものと比較して著しく向上する特徴が
得られるものである。

【図面の簡単な説明】

発明の一実施例における回路基板の製造工程を説明する
ための要部断面図、第３図ム）Ｂは従来の回路基板の製
造工程を説明するための要部断面図である。 ３・・・・・・絶縁基板、４・・・・・・金属薄膜層、
５・・・・・・第２レジスト層、６・・・・・・第２レ
ジスト層、７・・・・・・導電金属層。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名３・
１、ｅ」収差板 第２図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）絶縁基板の少くとも一主面上にワイヤーボンドが
   可能な金属薄膜層を形成し、前記金属薄膜層に所望とす
   る配線図形状に耐エッチング性を有する第１レジスト層
   を形成し、前記第１レジスト層が被覆されていない金属
   薄膜層を除去し、前記第１レジスト層を除去して、露出
   した配線図形状の金属薄膜層の一部分に耐無電解めっき
   性を有する第２レジスト層を形成し、前記露出した金属
   薄膜層上に無電解めっき法によりはんだづけが可能な金
   属層を析出させた後、前記第２レジスト層を除去するこ
   とを特徴とした回路基板の製造方法。
2. （２）ワイヤーボンドが可能な金属薄膜層としてアルミ
   ニウムを用いた特許請求の範囲第１項記載の回路基板の
   製造方法。