JPH03165590A - セラミック配線回路板およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、セラミック配線回路板およびその製造方法
に関し、詳しくは、半導体搭載用配線回路板等として利
用され、配線回路に外部接続用の端子ピン等の外部金属
部材をろう付けして用いるセラミック配線回路板と、こ
のようなセラミック配線回路板を製造する方法に関する
ものである。

〔従来の技術〕

従来、セラミック配線回路板の製造方法としては、テレ
フンケン法、活性金属法、金属ペースト法等の方法が採
用されている。また、近年、配線回路を構成する導体金
属層として、銅をセラミック絶縁基板上に直接メタライ
ズする方法が提案されている。銅は導電性や耐マイグレ
ーション性に優れた卑金属であり、微細配線化や低コス
ト化を図ることができるとして、様々な製造方法が検討
されている。

一方、セラミック配線回路板を半導体バフケージにおけ
る半導体搭載基板等として利用する場合には、外部回路
に電気的および機械的に接続するための端子ピンをセラ
ミック配線回路板の配線回路に接合しておく必要がある
。端子ピンを配線回路に接合するには、銀ろう材等を用
いたろう付け法が採用されている。セラミック配線回路
板は、上記半導体搭載基板の伯にも、各種の用途におい
て、端子ピン等の金属部材をろう付けで接合しなければ
ならない場合が゛ある。

〔発明が解決しようとする課題〕

ところが、前記した銅層からなる配線回路を備えたセラ
ミック配線回路板は、端子ピン等をろう付けして使用す
るには、多くの問題を有しているすなわち、銅の直接メ
タライズ法でセラミック絶縁基板上に形成された銅層に
、銀ろう材を用いて端子ピンを接合しようとすると、銅
がろう材中に含まれる銀に食われてしまうという問題が
ある。そこで、従来は、銅層の表面をニッケルで被覆し
て、このニッケル層を銀に対するバリア層とすることが
行われている。このニッケルバリア層の厚みを厚くすれ
ば、銀の拡散を良好に防止して銅層を保護できることに
なる。しかし、ニッケルバリア層が厚くなると、内部応
力が増大してセラミック絶縁基板と銅層との密着力が低
下するという問題がある。そのため、ニッケルバリア層
の厚み増大には限度があり、充分なバリア性を発揮させ
ることができなかった。また、ろう付け工程における加
熱で、銅とニッケルの拡散が生じてしまい、銀の拡散に
対するニッケルバリア層のバリア効果が実質的に大きく
低下するという問題もあった上記のような問題を改善す
るには、ニッケル層の膜厚や膜質、銀ろう材の量やろう
付け温度、時間等の処理条件を厳密に管理する必要があ
るが、生産現場において、これらの条件を厳密に管理す
るのは非常に困難であり、ろう付け工程の歩留まりが低
い原因となっていた。

そこで、この発明の課題は、ろう付けで端子ピン等の外
部金属部材を接合するセラミック配線回路板において、
ろう付け工程で前記したような厳密な工程管理を必要と
せず、簡単かつ確実にろう付けを行うことができ、ろう
付接合強度の高いセラミック配線回路板を提供するとと
もに、このようなセラミック配線板を能率的に製造する
方法を提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

上記課題を解決する、この発明のうち、請求項１記載の
セラミック配線回路板は、配線回路に外部金属部材をろ
う付けして使用するセラミック配線回路板であって、配
線回路を構成する導体金属層のうち、少なくとも、ろう
付け個所の配線回路を構成する導体金属層が、セラミッ
ク絶縁基板に直接形成されたニッケル層であり、このニ
ッケル層からなる配線回路部分以外の配線回路部分を構
成する導体金属層が銅層であるようにしている。

セラミック絶縁基板は、通常の配線板と同様に、アルミ
ナ、窒化アルミニウムその他、酸化物系、窒化物系、炭
化物系等の各種セラミックからなるものが用いられる。

セラミック配線回路板に導体金属層を形成する方法は、
スパッタ法やイオンブレーティング法等のいわゆる乾式
メツキ法、あるいは、無電解メツキ法や電解メツキ法等
の湿式メツキ法、その他、通常の配線板と同様の膜形成
手段が採用できる。

配線回路の回路形成手段としても、サブトラクティブ法
やアディティブ法、セミアデイティブ法等、通常の配線
板製造に採用されている回路形成手段が用いられる。

ニッケル層は、配線回路のうち、少なくともろう付けを
行う個所に形成しておくが、ろう付け個所以外でも、必
要に応じて、配線回路の一部をニッケル層で構成するこ
とができる。ニッケル層の材料としては、純ニッケルの
ほか、ニッケルを主成分とする合金であって、ろう材に
よる食われがな（、融点がろう付け温度よりも大きなも
のであれば使用することができる。具体的には、Ｎｉ　
−Ｐ　（Ｐ含有率約３％）やＮ１−Ｂ（Ｂ含有率約１％
）等が挙げられる。

銅層は、配線回路のうち、前記ニッケル層が形成された
部分以外の個所に形成しておく。したがって、配線回路
は、少なくともろう付け個所はニソケル層で形成されて
いるとともに、ろう付け個所以外は、銅層のみで形成さ
れているか、または、銅層とニッケル層の両方で形成さ
れている場合がある。銅層とニッケル層は、電気的な接
続が必要な個所では、一方の導体金属層の一部に他方の
導体金属層を重ねて形成しておくことができる。

ニッケル層と銅層の形成は、どちらの導体金属層を先に
形成してもよい。

この発明にかかるセラミック配線回路板には、ろう付け
によって外部金属部材を接合するが、外部金属部材とし
ては、例えば、半導体パッケージ用の端子ピンその他、
通常の配線回路板において、電気的接続あるいは機械的
接続等に利用されている各種の金属部品を使用すること
ができる。ろう付けに用いるろう材の種類やろう付け処
理条件等も、通常の配線板製造分野で行われているろう
付け方法が適用できる。なお、ろう付け個所のニッケル
層は銅層に比べて導電性が低いので、ろう材として、銀
ろう等の高導電性ろう材を用いれば、導電性を良好にす
ることができ好ましい。

請求項２記載のセラミック配線回路板の製造方法は、請
求項１記載のセラミック配線回路板の製造方法であって
、ニッケル層と銅層のうち、何れか一方の導体金属層か
らなる配線回路部分を形成し、この導体金属層の表面全
体に耐蝕合金層を形成した後、残りの導体金属層からな
る配線回路部分を形成する。

先に形成する導体金属層からなる配線回路部分の形成工
程は、通常の配線板における回路形成方法と全く同様に
行われる。この導体金属層の表面に形成する耐蝕合金層
は、後工程で残りの導体金属層からなる配線回路部分を
形成する際に、先の導体金属層を保護しておくものであ
り、耐蝕合金層の材質としては、後の回路形成工程で用
いるエツチング液等で侵されないようなものを用いる。

具体的には、後の回路形成方法やそこで用いる処理液等
によっても違うが、例えば、Ｐを５％以上、好ましくは
１０％以上含む、Ｎ１−Ｐ合金やＮ１−Ｗ−Ｐ合金等の
ニッケルを主成分とする合金が使用できる。耐蝕合金層
の形成方法は、無電解メツキ法等の通常の膜形成手段が
採用できる。耐蝕合金層は、先の導体金属層の上面およ
び側面の表面全体を覆うように形成しておく。

耐蝕合金層が形成された後、残りの導体金属層からなる
配線回路部分を形成する方法は、通常の回路形成手段が
任意に適用できる。このとき、先に形成された導体金属
層からなる配線回路部分は耐蝕合金層で保護されている
ので、先の配線回路部分をエツチングレジストで完全に
覆ったり、先の導体金属層を侵さないような処理液を用
いたりする必要はない。

〔作　　用〕

請求項１記載の発明によれば、配線回路のうち、ろう付
け個所となる絶縁基板の表面に、直接ニッケル層を形成
しているので、従来の配線板のように、ろう付け個所の
銅層が銀による食われ現象を起こすという問題が生じな
い。また、ろう付け個所の銅層の上にニッケルバリア屓
を形成した場合のように、銅層とニッケルバリア屡の拡
散によってバリア効果が低下するという問題も生じない
。ろう付け個所以外の信号回路部となる大部分の配線回
路には、回路材料として優れた銅層を形成しているので
、従来の銅層のみからなる配線回路と同様に、微細配線
化や導電性能等の要求を充分に満足させることができる
。

請求項２記載の発明によれば、ニッケル層と銅層の２種
類の導体金属層からなる配線回路を備えた請求項１記載
のセラミック配線回路板を能率的に製造することができ
る。すなわち、２種類の導体金属層からなる配線回路を
形成するには、一方の導体金属層からなる配線回路部分
（２）を形成する第１の工程と、他方の導体金属からな
る配線回路部分（６）を形成する第２の工程を順次行う
が、この発明では、第１の工程で形成された配線回路部
分（２）を耐蝕合金層で覆った状態で第２の工程を行う
ので、第２の工程で使用するエツチング液等の処理手段
が、配線回路部分（Ａ）の導体金属層を侵したり悪影響
を与えるのを確実に防止することができる。

特に、第２の工程で配線回路部分（６）をパターン形成
するために、エツチングレジスト層を形成する際に、第
１の工程で形成された配線回路部分（４）は耐蝕合金層
で覆われているのでエツチングレジストを形成しなくて
もよくなり、第２の工程におけるエツチングレジスト層
の形成工程が簡略化できる。

しかも、第１の工程で形成された配線回路部分（Ａ）は
平坦な絶縁基板表面に凸状に形成されているので、通常
の印刷塗布等によるエツチングレジスト形成手段では、
配線回路部分（４）の上面はエツチングレジストで覆え
ても、配線回路部分（Ａ）の側面にはエツチングレジス
トを形成することができない。もし、耐蝕合金層を形成
せず配線回路部分（４）の側面が直接露出したままで、
第２の工程におけるエツチングを行えば、配線回路部分
Ｃ）の側面がエツチングされてしまう、いわゆるサイド
エツチングの問題が生じる。しかし、この発明の方法で
は、配線回路部分（２）の側面にも耐蝕合金層を形成し
ておくので、この部分にエツチングレジストが形成され
なくても、配線回路部分（２）の導体金属層が工・ノチ
ングされる心配がない。

〔実　施　例〕

ついで、この発明の実施例を図を参照しながら以下に詳
しく説明する。

第１図はセラミック配線回路板の製造方法および外部金
属部材のろう付け方法を、順次工程にしたがって示して
いる。

工程（ａｌに示すように、アルミナ基板等のセラミック
絶縁基板１０に、スルーホール用孔１１等を加工した後
、第１の導体金属層となるニッケル層２０を形成し、所
定の配線回路にパターン形成する。この実施例では、ス
ルーホール用孔１１の部分で外部金属部材となる端子ビ
ンのろう付けを行うので、ニッケル層２０は、少なくと
もスルーホール用孔１１の部分を含む個所に形成されて
いる。端子ビンを絶縁基板１０の平坦な部分にろう付け
するのであれば、その部分に平坦なランド部状のニッケ
ル層２０を形成しておけばよい。

工程（ｂｌに示すように、ニッケル１２０の表面全体を
覆ってＮ１−Ｐ等の耐蝕合金層３０を形成した後、工程
（Ｃ）に示すように、第２の導体金属層となる銅層４０
を形成する。銅層４０ば、絶縁基板１０の表面に所定の
回路パターンにしたがって形成され、銅層４０の一部は
、ろう付け個所のニッケル層２０に耐蝕合金層３０を介
して連結されるように形成して、銅Ｆｉ４０とニッケル
層２０を電気的に接続しておく。

このようにして、この発明にかかるセラミック配線回路
板が製造されるが、このセラミック配線回路板に端子ビ
ンをろう付け接合した状態を工程（ｄ）に示している。

ろう付け個所のニッケル層２０の表面（この場合は、表
面の耐蝕合金層３０を介して）に銀ろう材６０を介して
端子ビン５０を配置し、通常の加熱手段で加熱すると、
銀ろう材６０による接合作用で端子ビン５０がニッケル
層２０とろう付け接合される。

つぎに、実際にセラミック配線回路板を製造し、そのろ
う付け性能を検証した結果について説明する。

一実施１！ｌ１ｌ− ９６％アルミナ基板を用い、スパッタ法で基板全面にニ
ッケル層を約３ｐｍメタライズした。ついで、通常のフ
ォトリソ法で所定の回路パターンを形成した。この回路
パターンは、少な（ともろう付け個所を含むものである
。回路パターン形成工程におけるエツチング液として硫
酸と過酸化水素の混合溶液を用いた。

つぎに、ニッケル層の表面全体に、無電解ニッケルメッ
キで、Ｎ１−Ｐ（Ｐ含有量約１３％）からなる耐蝕合金
層を３〜５ｎ形成した。この耐蝕合金層は、後工程で銅
層をエツチングする際のエツチング液である塩化第二銅
や塩化第二鉄等に侵されないものである。

スパッタ法で、絶縁基板の全面に１０μ重の銅層をメタ
ライズした後、通常のフォトリソ法で、所定の回路パタ
ーンを形成した。銅層のエツチング液として塩化第二銅
を用いたが、Ｎ１−Ｐ耐蝕合金層で覆われたニッケル層
には、腐食や熔解除去は全くみられず、銅層とニッケル
層からなる所定の回路パターンを備えたセラミック配線
回路板が製造できた。

得られたセラミック配線回路板に対し、ニッケル層（お
よび耐蝕合金層）の形成個所である２１１φの範囲に、
０．４５　＝ｇ＋φの４２アロイからなる端子ビンを銀
ろう付けで２０本ろう付け接合した。

この端子ビンが接合された試料に、３回ビン曲げ試験を
行ったところ、下記第１表に示す結果が得られた。試験
は、端子ビンを３回折り曲げた状態で、セラミック絶縁
基板と導体金属層の界面に剥離が生じないかどうかで評
価した。比較例１は、実施例１と同じ絶縁基板にスパッ
タリングで８μ讃の銅層を形成した後、銅層の表面に無
電解ニラゲルメツキでニッケルバリア層（Ｐ含有率約１
３％）を５〜８ｎ形成したものに対して、前記同様に２
■■φの範囲に２０本の端子ビンをろう付けして、実施
例１と同じ試験を行った。

第１表 上記試験の結果、この発明のセラミック配線回路板は、
従来のものに比べて、端子ビンに対するろう付け接合強
度がはるかに優れていることが実証できた。

実施例２− 窒化アルミニウム基板を用い、基板全面にスパッタ法で
約１０μの銅層をメタライズした後、通常のフォトリソ
法で所定の回路パターンを形成した。この回路パターン
は、後述のろう付け個所を除く配線回路部分に形成され
ている。回路形成の際のエツチング液として塩化第二銅
溶液を用いたつぎに、銅層の表面全体に、無電解メツキ
法でＮ１−Ｐ耐蝕合金層（Ｐ含有率約１３％）を３〜５
μ形成した。このＮ１−Ｐ耐蝕合金層は、ニッケル層に
対するエツチング液である硫酸十過酸化水素混合溶液や
過硫酸アンモニウム溶液等に侵されないものである。

つぎに、スパッタ法で基板全面にニッケル層をメタライ
ズした後、通常のフォトリソ法で所定の回路パターンを
形成した。この回路パターンは、少なくともろう付け個
所では、銅層を介さず、ニッケル層が絶縁基板の表面に
直接形成された状態になっている。ニッケル層のエツチ
ング液として硫酸と過酸化水素の混合溶液を用いたが、
ＮｉＰ耐蝕合金層で覆われた銅層には、腐食や熔解除去
は全くみられず、銅層とニッケル層からなる所定の回路
パターンを備えたセラミック配線回路板が製造できた。

得られたセラミック配線回路板に対し、実施例１と同様
に端子ビンをろう付け接合して３回ピン曲げ試験を行っ
た結果を、第２表に示している。

なお、比較例２は、実施例２と同じ絶縁基板にスパッタ
リングで８μｌの銅層を形成した後、銅層の表面に無電
解メツキでニッケルバリア層（Ｐ含有率約１３％）を５
〜８μ形成したものに対して、実施例２と同じように端
子ビンをろう付けしたものを用いた。

第２表 上記試験の結果と前記実施例１の試験結果と比べれば、
この発明にかかるセラミック配線回路板は、銅層とニッ
ケル層のどらちを先に形成しても、良好な結果が得られ
ることが判る。

一実施例３− 酸またはアルカリで表面を粗面化した９６％アルミナ基
板を用い、基板全面に無電解メツキ法で約１〜３ｎのＮ
１−Ｐ（Ｐ含有率約３％）またはＮ１−Ｂ（Ｂ含有率約
１％）からなるニッケル層をメタライズした後、通常の
フォトリソ法でろう付け個所を含む所定の回路パターン
を形成した。

回路形成の際のエツチング液には硫酸と過酸化水素の混
合溶液を用いた。

つぎに、ニッケル層の表面全体に、さらに無電解メツキ
法でＮ１−Ｐ耐蝕合金層（Ｐ含有率約１３％）を３〜５
μ形成した。

つぎに、無電解メツキ法で基板全面に銅層を１０μ諧メ
タライズした後、通常のフォトリソ法で所定の回路パタ
ーンを形成した。銅層のエツチング液として塩化第二銅
を用いたが、Ｎ１−Ｐ耐蝕合金層で覆われたニッケル層
には、腐食や溶解除去は全くみられず、銅層とニッケル
層からなる所定の回路パターンを備えたセラミック配線
回路板が製造できた。

得られたセラミック配線回路板に対し、実施例１と同様
に端子ピンをろう付け接合して３回ピン曲げ試験を行っ
た結果を、第３表に示している。

なお、比較例３は、実施例３と同じ絶縁基板に無電解メ
ツキ法で１０ｘの銅層を形成した後、銅層の表面に無電
解メツキでニッケルバリヤ層（Ｐ含有率約１３％）を５
〜８μｌ形成したものに対して、実施例３と同じように
端子ビンをろう付けしたものを用いた。

一実施例４− 酸またはアルカリで表面を粗面化した９６％アルミナ基
板を用い、基板全面に無電解メツキ法で銅層をメタライ
ズした後、通常のフォトリソ法で所定の回路パターンを
形成した。この回路パターンは、後述のろう付け個所を
除く配線回路部分に形成されている。回路形成の際のエ
ツチング液には塩化第二銅溶液を用いた。

つぎに、銅層の表面全体に、無電解メツキ法でＮ１−Ｐ
耐蝕合金層（Ｐ含有率約１３％）を形成した。

つぎに、無電解メツキ法で基板全面にＮ１−Ｐ（Ｐ含有
率約３％）またはＮ１−Ｂ（Ｂ含有率約１％）からなる
ニッケル層を１０ｎメタライズした後、通常のフォトリ
ソ法で所定の回路パターンを形成した。ニッケル層のエ
ツチング液として硫酸と過酸化水素の混合溶液を用いた
が、Ｎ１−Ｐ耐蝕合金層で覆われた銅層には、腐食や溶
解除去は全くみられず、銅層とニッケル層からなる所定
の回路パターンを備えた一セラミック配線回路板が製造
できた。

得られたセラミック配線回路板に対し、実施例１と同様
に端子ビンをろう付け接合して３回ビン曲げ試験を行っ
た結果を、第４表に示している。

なお、比較例４は、実施例４と同じ絶縁基板に無電解メ
ツキ法で１０ｐ園の銅層を形成した後、銅層の表面に無
電解メツキでニッケルバリア層（Ｐ含有率約１３％）を
５〜８μ形成したものに対して、実施例４と同じように
端子ピンをろう付けしたものを用いた。

第４表 上記試験および実施例３の試験結果をみれば、この発明
のセラミック配線回路板は、ニッケル層として、純ニッ
ケルだけでなく、比較的少量のＰやＢを含むニッケル合
金を用いても優れた性能を発揮できることが実証された
。

一実施例５ アルカリで表面を粗面化した窒化アルミニウム基板を用
い、基板全面に無電解メツキ法でＮ１−Ｐ　（Ｐ含有率
約３％）またはＮ１−Ｂ（Ｂ含有率約１％）からなるニ
ッケル層を１〜３　ｔｒ＊メタライズした。ニッケル層
の回路パターンと逆パターンに現像形成されたドライフ
ィルムをメンキレジストとしてニッケル層の上に形成し
た後、無電解メツキ法でＮ１−Ｐ耐蝕合金層（Ｐ含有率
約１３％）を形成した。つぎに、ドライフィルムからな
るレジストを剥離した後、硫酸および過酸化水素の混合
溶液をエツチング液に用いて、Ｎ１−Ｐ耐蝕合金層で覆
われていない不要な部分のニッケル層を選択的にエツチ
ング除去して、所定の回路パターンを有するニッケル層
を形成した。ニッケル層の表面は耐蝕合金層で覆われた
ままである。

つぎに、無電解メツキ法で基板全面に１０．ｗの銅層を
形成した後、通常のフォトリソ法で所定の回路パターン
を形成した。銅層のエツチング液として塩化第二銅を用
いたが、Ｎｉ　−Ｐ耐蝕合金層で覆われたニッケル層に
は、腐食や溶解除去は全くみられず、銅層とニッケル層
からなる所定の回路パターンを備えたセラミック配線回
路板が製造できた。

得られたセラミック配線回路板に対し、実施例１と同様
に端子ピンをろう付け接合して３回ビン曲げ試験を行っ
た結果を、第５表に示している。

なお、比較例５は、実施例５と同じ絶縁基板に無電解メ
ツキ法で１０μ簡の銅層を形成した後、銅層の表面に無
電解メツキでニッケルバリヤ層（Ｐ含有率約１３％）を
５〜８μ■形成したものに対して、実施例５と同じよう
に端子ピンをろう付けしたものを用いた。

第５表 〔発明の効果〕 以上に述べた、この発明にかかるセラミック配線回路板
は、セラミック絶縁基板に形成された導体金属層からな
る配線回路のうち、少なくとも、ろう付け個所ではニッ
ケル層が直接基板表面に形成されているので、このニッ
ケル層部分に外部全屈部材のろう付けを行えば、銅の食
われ現象や銅とニッケルバリア層の拡散によるバリア効
果の低下等の問題が発生せず、絶縁基板とろう付け個所
の配線回路との密着力を充分に維持することができ、従
来のセラミック配線回路基板に比べて、ろう付け接合強
度を格段に向上させることができる。また、ニッケル層
以外の配線回路部分は、導電性等に優れた銅層で形成さ
れているので、電気的な性能については、従来の銅層の
みからなる配線回路基板に劣らず良好であって、微細配
線回路にも適用できるものである。

しかも、従来のセラミック配線回路板のように、銅層に
ろう付けを行ったり、銅層の上にニッケルバリア層を形
成してろう付けを行う方法では、ろう付け工程の厳密な
管理が必要であったが、この発明のセラミック配線基板
であれば、そのような厳密な管理を行わずとも、ろう付
け個所のニッケル層と絶縁基板との密着力は強力である
ため、ろう付け作業が容易になり、作業能率を高めるこ
とができる。

請求項２記載のセラミック配線基板の製造方法によれば
、ニッケル層による配線回路部分の形成工程と、銅層に
よる配線回路部分の形成工程を別工程で行う際に、先に
形成された配線回路部分を耐蝕合金層で覆っておくこと
によって、後の配線回路部分をエツチング形成する際の
エツチング液等で先の配線回路部分が腐食されたり破損
するのを確実に防止することができ、ニッケル層および
銅層が混在するセラミック配線回路板である前記請求項
１記載の発明の作用効果を良好に発揮できるとともに、
電気的な回路性能等にも優れた配線回路を備えたセラミ
ック配線回路板を能率的に製造することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の実施例を示すセラミック配線回路板
の製造工程およびろう付け工程を段階的に示す模式的断
面図である。 １０・・・絶縁基板　２０・・・ニッケル層　３０・・
・耐蝕合金層　４０・・・銅層　５０・・・端子ピン　
６ｏ・・・銀ろう材

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １　配線回路に外部金属部材をろう付けして使用するセ
   ラミック配線回路板であって、配線回路を構成する導体
   金属層のうち、少なくとも、ろう付け個所の配線回路を
   構成する導体金属層が、セラミック絶縁基板に直接形成
   されたニッケル層であり、このニッケル層からなる配線
   回路部分以外の配線回路部分を構成する導体金属層が銅
   層であることを特徴とするセラミック配線回路板。 ２　請求項１記載のセラミック配線回路板の製造方法で
   あって、ニッケル層と銅層のうち、何れか一方の導体金
   属層からなる配線回路部分をまず形成し、この導体金属
   層の表面全体に耐蝕合金層を形成した後、残りの導体金
   属層からなる配線回路部分を形成するようにするセラミ
   ック配線回路板の製造方法。