JPWO2013128859A1 - 電源接続回路 - Google Patents
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Abstract
Description
図3は、本発明の電源接続回路31の概念図である。図3において、電源接続回路31は、入力端子3(第1の端子)より入力電圧VINを入力し、出力端子5に出力電圧VOUTを出力するMOSスイッチSW1と、MOSスイッチSW1のゲートに電荷を供給する昇圧回路CPと、出力電圧VOUTが基準電圧よりも低いときに、ゲートG1から出力端子5(第2の端子)と異なるグラウンド端子GND(第3の端子)へ電流パスを形成して、ゲートG1に溜まった電荷をグラウンド端子GNDへ放電し、出力電圧VOUTが基準電圧よりも高いときに、この電流パスを遮断する電荷放電部33とを備えている。MOSスイッチSW1は、NチャネルMOSトランジスタで構成されている。
図6は、本発明の実施形態1の電源接続回路61の回路図である。
昇圧回路CPがMOSスイッチSW1のゲートG1に電荷を供給して、ゲート電圧を昇圧してMOSスイッチSW1はオンする。MOSスイッチSW1がオンすると、入力端子3より入力電圧VINが出力電圧VOUTとして出力端子5に伝達される。出力端子5はショートしていないため、出力電圧VOUTは基準電圧VREFよりも大きい。出力電圧VOUTが基準電圧VREFよりも大きいため、コンパレータCMPは検出信号としてLOWをスイッチSW2のゲートG2に出力する。検出信号はLOWであるため、MOSスイッチSW2はオフする。このとき、整流素子部63はフローティングになり、ゲートG1とグラウンド端子GNDとの間は遮断される。ここで、昇圧回路CPがゲートG1に電荷を供給するのをやめて、MOSスイッチSW1をオフすると、入力電圧VINは出力端子5に伝達されなくなる。また、MOSスイッチSW1のゲートG1と出力端子5との間に電流が流れるパスがないため、出力端子5からゲートG1に電流は流れない。
昇圧回路CPによりMOSスイッチSW1がオンしているとき、出力端子5がグラウンドにショートすると、出力電圧VOUTは基準電圧VREFよりも小さくなる。すると、コンパレータCMPは、ショートしたことを示す検出信号としてHIをスイッチSW2のゲートG2に出力する。検出信号がHIであるため、スイッチSW2はオンする。
図7は、本発明の実施形態2の電源接続回路71の回路図である。図7において、電源接続回路71は、入力端子3より入力される入力電圧VINを出力電圧VOUTとして出力端子5に伝達するスイッチSW1と、スイッチSW1のゲートG1に電荷を供給する昇圧回路CPとを備えている。また、ゲートG1に溜まった電荷をグラウンド端子GNDに放電するためのツェナーダイオードT7と、出力電圧VOUTと基準電圧VREFを比較するコンパレータCMPとを備えている。さらに、コンパレータCMPの出力に応じてゲートG1からグラウンド端子GNDに電荷を流すスイッチSW2を備えている。実施形態2の電源接続回路71は、実施形態1の整流素子部63が1つのツェナーダイオードT7で構成されたものである。ツェナーダイオードT7は、一方の端子K7がカソードであり、他方の端子A7がアノードである。スイッチSW1は、NチャネルMOSトランジスタで構成されたMOSスイッチである。
昇圧回路CPがスイッチSW1のゲートG1に電荷を供給して、ゲート電圧を昇圧してスイッチSW1はオンする。スイッチSW1がオンすると、入力端子3より入力電圧VINが出力電圧VOUTとして出力端子5に伝達される。出力端子5はショートしていないため、出力電圧VOUTは基準電圧VREFよりも大きい。出力電圧VOUTが基準電圧VREFよりも大きいため、コンパレータCMPは検出信号としてLOWをスイッチSW2のゲートG2に出力する。検出信号はLOWであるため、スイッチSW2はオフする。このとき、ツェナーダイオードT7はフローティングになり、ゲートG1とグラウンド端子GNDとの間は遮断される。ここで、昇圧回路CPがゲートG1に電荷を供給するのをやめて、スイッチSW1をオフすると、入力電圧VINは出力端子5に伝達されなくなる。また、スイッチSW1のゲートG1と出力端子5との間に電流が流れるパスがないため、出力端子5からゲートG1に電流は流れない。
昇圧回路CPによりスイッチSW1がオンしているとき、出力端子5がグラウンドにショートすると、出力電圧VOUTは基準電圧VREFよりも小さくなる。すると、コンパレータCMPは、ショートしたことを示す検出信号としてHIをスイッチSW2のゲートG2に出力する。検出信号がHIであるため、スイッチSW2はオンする。
図8は、本発明の実施形態2の電源接続回路81の回路図である。図8において、電源接続回路81は、入力端子3より入力される入力電圧VINを出力電圧VOUTとして出力端子5に伝達するスイッチSW1と、スイッチSW1のゲートG1に電荷を供給する昇圧回路CPとを備えている。また、ゲートG1に溜まった電荷をグラウンド端子GNDに放電するためのダイオードDI1〜DI3と、出力電圧VOUTと基準電圧VREFを比較するコンパレータCMPとを備えている。さらに、コンパレータCMPの出力に応じてゲートG1からグラウンドGNDに電荷を流すスイッチSW2を備えている。実施形態2の電源接続回路81は、実施形態1の整流素子部63が、順方向が前記ゲートから前記グラウンド端子への方向となるように直列接続された1以上のダイオードDI1〜DI3で構成されたものである。ダイオードDI1〜DI3は、一方の端子A8が直列端のアノードであり、他方の端子K8が直列端のカソードである。ダイオードDI1〜DI3の各々の順方向閾値電圧Vfの総和は、ツェナーダイオードT4の降伏電圧VDと同じかそれよりも低い電圧値である。
昇圧回路CPがスイッチSW1のゲートG1に電荷を供給して、ゲート電圧を昇圧してスイッチSW1はオンする。スイッチSW1がオンすると、入力端子3より入力電圧VINが出力電圧VOUTとして出力端子5に伝達される。出力端子5はショートしていないため、出力電圧VOUTは基準電圧VREFよりも大きい。出力電圧VOUTが基準電圧VREFよりも大きいため、コンパレータCMPは検出信号としてLOWをスイッチSW2のゲートG2に出力する。検出信号はLOWであるため、スイッチSW2はオフする。このとき、ダイオードDI1〜DI3はフローティングになり、ゲートG1とグラウンド端子GNDとの間は遮断される。ここで、昇圧回路CPがゲートG1に電荷を供給するのをやめて、スイッチSW1をオフすると、入力電圧VINは出力端子5に伝達されなくなる。また、スイッチSW1のゲートG1と出力端子5との間に電流が流れるパスがないため、出力端子5からゲートG1に電流は流れない。
昇圧回路CPによりスイッチSW1がオンしているとき、出力端子5がグラウンドにショートすると、出力電圧VOUTは基準電圧VREFよりも小さくなる。すると、コンパレータCMPは、ショートしたことを示す検出信号としてHIをスイッチSW2のゲートG2に出力する。検出信号がHIであるため、スイッチSW2はオンする。
図9は、実施形態4の電源接続回路の回路図である。
図10は、実施形態5の電源接続回路の回路図である。
図11は、実施形態6の電源接続回路の回路図である。
昇圧回路CPがスイッチSW1のゲートG1に電荷を供給して、ゲート電圧を昇圧してスイッチSW1はオンする。スイッチSW1がオンすると、入力端子3より入力電圧VINが出力電圧VOUTとして出力端子5に伝達される。出力端子5はショートしていないため、出力電圧VOUTは基準電圧VREFよりも大きい。出力電圧VOUTが基準電圧VREFよりも大きいため、コンパレータCMPは検出信号としてLOWを発振回路OSCのイネーブル端子に出力する。すると、発振回路OSCは、ディスエーブルとなり、LOWをゲートG2に出力する。そして、スイッチSW2は、オフする。つまり、ゲートG1からグラウンド端子GNDへの電流パスが遮断される。ここで、昇圧回路CPがゲートG1に電荷を供給するのをやめて、スイッチSW1をオフすると、入力電圧VINは出力端子5に伝達されなくなる。また、スイッチSW1のゲートG1と出力端子5との間に電流が流れるパスがないため、出力端子5からゲートG1に電流は流れない。
昇圧回路CPによりスイッチSW1がオンしているとき、出力端子5がグラウンドにショートすると、出力電圧VOUTは基準電圧VREFよりも小さくなる。すると、コンパレータCMPは、ショートしたことを示す検出信号としてHIを発振回路OSCのイネーブル端子に出力する。すると、発振回路OSCは、イネーブルとなり、クロック信号をゲートG2に出力する。
図12は、実施形態7の電源接続回路の回路図である。
電源接続回路
3 入力端子
5 出力端子
33、43、53、57 電荷放電部
55、59、63 整流素子部
VIN 入力電圧
VOUT 出力電圧
VGS ゲートソース間電圧
VD 降伏電圧
Vf 閾値電圧
VREF 基準電圧
SW1 スイッチ
SW2 スイッチ部
D1、D2 ドレイン
S1、S2 ソース
G1、G2 ゲート
CP 昇圧回路
T1、T2、T6 ツェナーダイオード
DI1、DI2、DI3 ダイオード
M1、M2、M3 MOSトランジスタ
B1、B2、B3 バイポーラトランジスタ
A1、A2、A6、A7、A8、A9、A10 アノード
K1、K2、K6、K7、K8、K9、K10 カソード
CMP コンパレータ
GND グラウンド端子
OSC 発振回路
図8は、本発明の実施形態2の電源接続回路81の回路図である。図8において、電源接続回路81は、入力端子3より入力される入力電圧VINを出力電圧VOUTとして出力端子5に伝達するスイッチSW1と、スイッチSW1のゲートG1に電荷を供給する昇圧回路CPとを備えている。また、ゲートG1に溜まった電荷をグラウンド端子GNDに放電するためのダイオードDI1〜DI3と、出力電圧VOUTと基準電圧VREFを比較するコンパレータCMPとを備えている。さらに、コンパレータCMPの出力に応じてゲートG1からグラウンドGNDに電荷を流すスイッチSW2を備えている。実施形態2の電源接続回路81は、実施形態1の整流素子部63が、順方向が前記ゲートから前記グラウンド端子への方向となるように直列接続された1以上のダイオードDI1〜DI3で構成されたものである。ダイオードDI1〜DI3は、一方の端子A8が直列端のアノードであり、他方の端子K8が直列端のカソードである。ダイオードDI1〜DI3の各々の順方向閾値電圧Vfの総和は、ツェナーダイオードT7の降伏電圧VDと同じかそれよりも低い電圧値である。
電源接続回路
3 入力端子
5 出力端子
33、43、53、57 電荷放電部
55、59、63 整流素子部
VIN 入力電圧
VOUT 出力電圧
VGS ゲートソース間電圧
VD 降伏電圧
Vf 閾値電圧
VREF 基準電圧
SW1 スイッチ
SW2 スイッチ部
D1、D2 ドレイン
S1、S2 ソース
G1、G2 ゲート
CP 昇圧回路
T1、T2、T7 ツェナーダイオード
DI1、DI2、DI3 ダイオード
M1、M2、M3 MOSトランジスタ
B1、B2、B3 バイポーラトランジスタ
A1、A2、A6、A7、A8、A9、A10 アノード
K1、K2、K6、K7、K8、K9、K10 カソード
CMP コンパレータ
GND グラウンド端子
OSC 発振回路
AND アンド回路
Claims (21)
- 入力端子にドレインが接続され、出力端子にソースが接続されたMOSスイッチと、
前記MOSスイッチのゲートに電荷を供給する昇圧回路と、
前記ゲートとグラウンド端子との間に接続された電荷放電部と、
前記出力端子の電圧と基準電圧とを比較するコンパレータと、
を備え、
前記電荷放電部は、
前記ゲートとグラウンド端子との間に接続された整流素子部と、
前記ゲートと前記グラウンド端子との間に前記整流素子部と直列接続され、前記コンパレータの出力信号を制御端子に入力するスイッチと、
を備えることを特徴とする電源接続回路。 - 前記整流素子部は、
前記ゲート側にカソードが接続され、前記グラウンド端子側にアノードが接続された1つのツェナーダイオードからなることを特徴とする請求項1に記載の電源接続回路。 - 前記整流素子部は、
順方向が前記ゲートから前記グラウンド端子への方向となるように直列接続された1以上のダイオードからなることを特徴とする請求項1に記載の電源接続回路。 - 前記整流素子部は、
順方向が前記ゲートから前記グラウンド端子への方向となるように直列接続された1以上のダイオード接続されたMOSトランジスタからなることを特徴とする請求項1に記載の電源接続回路。 - 前記整流素子部は、
順方向が前記ゲートから前記グラウンド端子への方向となるように直列接続された1以上のダイオード接続されたバイポーラトランジスタからなることを特徴とする請求項1に記載の電源接続回路。 - 入力端子にドレインが接続され、出力端子にソースが接続されたMOSスイッチと、
前記MOSスイッチのゲートに電荷を供給する昇圧回路と、
前記ゲートとグラウンド端子との間に接続された電荷放電部と、
前記出力端子の電圧と基準電圧とを比較するコンパレータと、
を備え、
前記電荷放電部は、
前記ゲートと前記グラウンド端子との間に接続されたスイッチと、
前記コンパレータの出力信号に応じて、クロック信号を前記スイッチの制御端子に供給するクロック信号供給部と、
を備えることを特徴とする電源接続回路。 - 前記クロック信号供給部は、
前記コンパレータの出力信号に応じて、イネーブルして前記クロック信号を生成する発振回路を備えることを特徴とする請求項6に記載の電源接続回路。 - 前記クロック信号供給部は、
前記コンパレータの出力信号に応じて、前記昇圧回路の内部のクロック信号を前記スイッチの制御端子に供給することを特徴とする請求項6に記載の電源接続回路。 - 第1の端子より入力電圧を入力し、第2の端子に出力電圧を出力するMOSスイッチと、
前記MOSスイッチのゲートに電荷を供給する昇圧回路と、
前記出力電圧が基準電圧よりも低いときに、前記ゲートから第3の端子へ電流パスを形成し、前記出力電圧が前記基準電圧よりも高いときに、前記電流パスを遮断する電荷放電部と、
を備えることを特徴とする電源接続回路。 - 前記電荷放電部は、
前記出力電圧が前記基準電圧よりも低いときに、前記電流パスを形成し、前記出力電圧が前記基準電圧よりも高いときに、前記電流パスを遮断するスイッチ部を備えることを特徴とする請求項9に記載の電源接続回路。 - 前記電荷放電部は、
閾値電圧がツェナーダイオードの降伏電圧以下であり前記スイッチの閾値電圧以上である整流素子部を備え、
前記スイッチ部は、
前記出力電圧が前記基準電圧よりも低いときに、前記整流素子部を前記ゲートと前記第3の端子との間に接続し、前記出力電圧が前記基準電圧よりも高いときに、前記整流素子部の前記ゲートと前記第3の端子との間の接続を解除することを特徴とする請求項10に記載の電源接続回路。 - 前記整流素子部と前記スイッチ部は、前記ゲートと前記第3の端子との間に互いに直列接続されていることを特徴とする請求項11に記載の電源接続回路。
- 前記整流素子部は、
前記ゲート側にカソードが接続され、前記第3の端子側にアノードが接続された1つのツェナーダイオードからなることを特徴とする請求項12に記載の電源接続回路。 - 前記整流素子部は、
順方向が前記ゲートから前記第3の端子への方向となるように直列接続された1以上のダイオードからなることを特徴とする請求項12に記載の電源接続回路。 - 前記整流素子部は、
順方向が前記ゲートから前記第3の端子への方向となるように直列接続された1以上のダイオード接続されたMOSトランジスタからなることを特徴とする請求項12に記載の電源接続回路。 - 前記整流素子部は、
順方向が前記ゲートから前記第3の端子への方向となるように直列接続された1以上のダイオード接続されたバイポーラトランジスタからなることを特徴とする請求項12に記載の電源接続回路。 - 前記電荷放電部は、
前記出力電圧が前記基準電圧よりも低いときに、クロック信号を前記スイッチ部の制御端子に供給し、前記出力電圧が前記基準電圧よりも高いときに、前記クロック信号の供給を止めるクロック信号供給部を備えることを特徴とする請求項10に記載の電源接続回路。 - 前記クロック信号供給部は、
前記出力電圧が前記基準電圧よりも低いときに、前記クロック信号を生成し、前記出力電圧が前記基準電圧よりも高いときに、前記クロック信号の生成を止める発振回路を備えることを特徴とする請求項17に記載の電源接続回路。 - 前記クロック信号供給部は、
前記出力電圧が前記基準電圧よりも低いときに、前記昇圧回路の内部のクロック信号を前記スイッチ部の制御端子に供給し、前記出力電圧が前記基準電圧よりも高いときに、前記昇圧回路の内部のクロック信号の供給を止めることを特徴とする請求項17に記載の電源接続回路。 - 前記出力電圧が前記基準電圧よりも低くなったときに、前記出力端子がショートしたことを示す検出信号を出力するショート検出部をさらに備え、
前記電荷放電部は、前記検出信号に応じて、前記MOSスイッチのゲートに溜まった電荷を前記第3の端子に放電することを特徴とする請求項10ないし19のいずれか1項に記載の電源接続回路。 - 前記ショート検出部は、
前記出力電圧と前記基準電圧とを比較して前記検出信号を出力するコンパレータを備えることを特徴とする請求項20に記載の電源接続回路。
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