JPWO2013022097A1 - プライマー薄膜を含む構造体及び該構造体の製造方法 - Google Patents
プライマー薄膜を含む構造体及び該構造体の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2013022097A1 JPWO2013022097A1 JP2013528084A JP2013528084A JPWO2013022097A1 JP WO2013022097 A1 JPWO2013022097 A1 JP WO2013022097A1 JP 2013528084 A JP2013528084 A JP 2013528084A JP 2013528084 A JP2013528084 A JP 2013528084A JP WO2013022097 A1 JPWO2013022097 A1 JP WO2013022097A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- mesh
- printing
- primer
- coupling agent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 144
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims abstract description 95
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 95
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 claims abstract description 75
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 73
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 67
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract description 57
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 39
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 38
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 36
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 35
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 34
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 28
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 27
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 27
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 126
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 114
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 93
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 claims description 65
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 52
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 48
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 47
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 45
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 39
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 claims description 33
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 31
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 30
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 23
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 18
- 239000005871 repellent Substances 0.000 claims description 17
- 239000003921 oil Substances 0.000 claims description 14
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims description 8
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 8
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 claims description 5
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 5
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 claims description 4
- 150000004645 aluminates Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 claims description 2
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 abstract description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 32
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 31
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 239000002585 base Substances 0.000 description 23
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 23
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 23
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 21
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 16
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 15
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 14
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 14
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 13
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 11
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 11
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 11
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 11
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 10
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 10
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 8
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 8
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 8
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 7
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 7
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- -1 polypropylene Polymers 0.000 description 6
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- ZHPNWZCWUUJAJC-UHFFFAOYSA-N fluorosilicon Chemical compound [Si]F ZHPNWZCWUUJAJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 5
- 229910017709 Ni Co Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910003267 Ni-Co Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910003262 Ni‐Co Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 4
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- PPDADIYYMSXQJK-UHFFFAOYSA-N trichlorosilicon Chemical compound Cl[Si](Cl)Cl PPDADIYYMSXQJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 3
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 3
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- PYGSKMBEVAICCR-UHFFFAOYSA-N hexa-1,5-diene Chemical group C=CCCC=C PYGSKMBEVAICCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 3
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 2
- IDCBOTIENDVCBQ-UHFFFAOYSA-N TEPP Chemical compound CCOP(=O)(OCC)OP(=O)(OCC)OCC IDCBOTIENDVCBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- GMVLGJDMPCRIJK-CGZBRXJRSA-N benzyl n-[(2s)-1-[(3-hydroxyoxan-4-yl)amino]-4-methyl-1-oxopentan-2-yl]carbamate Chemical compound N([C@@H](CC(C)C)C(=O)NC1C(COCC1)O)C(=O)OCC1=CC=CC=C1 GMVLGJDMPCRIJK-CGZBRXJRSA-N 0.000 description 2
- 238000009739 binding Methods 0.000 description 2
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 2
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 2
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010335 hydrothermal treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001256 stainless steel alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 2
- 238000005011 time of flight secondary ion mass spectroscopy Methods 0.000 description 2
- VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N titanium(IV) isopropoxide Chemical compound CC(C)O[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 238000009941 weaving Methods 0.000 description 2
- 229910000851 Alloy steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 1
- 229920000742 Cotton Polymers 0.000 description 1
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 244000043261 Hevea brasiliensis Species 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000459 Nitrile rubber Polymers 0.000 description 1
- 229910052774 Proactinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000297 Rayon Polymers 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- WDJHALXBUFZDSR-UHFFFAOYSA-M acetoacetate Chemical compound CC(=O)CC([O-])=O WDJHALXBUFZDSR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000011149 active material Substances 0.000 description 1
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOGRDCAXLAAR-UHFFFAOYSA-N aluminium isopropoxide Chemical compound [Al+3].CC(C)[O-].CC(C)[O-].CC(C)[O-] SMZOGRDCAXLAAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IKHOZNOYZQPPCK-UHFFFAOYSA-K aluminum;4,4-diethyl-3-oxohexanoate Chemical compound [Al+3].CCC(CC)(CC)C(=O)CC([O-])=O.CCC(CC)(CC)C(=O)CC([O-])=O.CCC(CC)(CC)C(=O)CC([O-])=O IKHOZNOYZQPPCK-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- YNCDEEFMDXHURQ-UHFFFAOYSA-N aluminum;ethyl 3-oxobutanoate Chemical compound [Al].CCOC(=O)CC(C)=O YNCDEEFMDXHURQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002194 amorphous carbon material Substances 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 229910002056 binary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- VNTLIPZTSJSULJ-UHFFFAOYSA-N chromium molybdenum Chemical compound [Cr].[Mo] VNTLIPZTSJSULJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- KQAHMVLQCSALSX-UHFFFAOYSA-N decyl(trimethoxy)silane Chemical compound CCCCCCCCCC[Si](OC)(OC)OC KQAHMVLQCSALSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 125000000664 diazo group Chemical group [N-]=[N+]=[*] 0.000 description 1
- JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(dimethyl)silane Chemical compound CO[Si](C)(C)OC JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N dimethyldichlorosilane Chemical compound C[Si](C)(Cl)Cl LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-J diphosphate(4-) Chemical compound [O-]P([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 235000011180 diphosphates Nutrition 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- XEJNLUBEFCNORG-UHFFFAOYSA-N ditridecyl hydrogen phosphate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCOP(O)(=O)OCCCCCCCCCCCCC XEJNLUBEFCNORG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 229910001325 element alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 150000002221 fluorine Chemical class 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000007735 ion beam assisted deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000005300 metallic glass Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005055 methyl trichlorosilane Substances 0.000 description 1
- JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N methyltrichlorosilane Chemical compound C[Si](Cl)(Cl)Cl JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229920003052 natural elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000005445 natural material Substances 0.000 description 1
- 229920001194 natural rubber Polymers 0.000 description 1
- 125000001971 neopentyl group Chemical group [H]C([*])([H])C(C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 238000002294 plasma sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011505 plaster Substances 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 description 1
- HKJYVRJHDIPMQB-UHFFFAOYSA-N propan-1-olate;titanium(4+) Chemical compound CCCO[Ti](OCCC)(OCCC)OCCC HKJYVRJHDIPMQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002964 rayon Substances 0.000 description 1
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000007873 sieving Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 229920003051 synthetic elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 239000005061 synthetic rubber Substances 0.000 description 1
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 1
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- NLLZTRMHNHVXJJ-UHFFFAOYSA-J titanium tetraiodide Chemical compound I[Ti](I)(I)I NLLZTRMHNHVXJJ-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- RCHUVCPBWWSUMC-UHFFFAOYSA-N trichloro(octyl)silane Chemical compound CCCCCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl RCHUVCPBWWSUMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NMEPHPOFYLLFTK-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(octyl)silane Chemical compound CCCCCCCC[Si](OC)(OC)OC NMEPHPOFYLLFTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQDJYEQOELDLCP-UHFFFAOYSA-N trimethylsilane Chemical compound C[SiH](C)C PQDJYEQOELDLCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 description 1
- 239000002759 woven fabric Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41N—PRINTING PLATES OR FOILS; MATERIALS FOR SURFACES USED IN PRINTING MACHINES FOR PRINTING, INKING, DAMPING, OR THE LIKE; PREPARING SUCH SURFACES FOR USE AND CONSERVING THEM
- B41N1/00—Printing plates or foils; Materials therefor
- B41N1/24—Stencils; Stencil materials; Carriers therefor
- B41N1/242—Backing sheets; Top sheets; Intercalated sheets, e.g. cushion sheets; Release layers or coatings; Means to obtain a contrasting image, e.g. with a carbon sheet or coating
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41C—PROCESSES FOR THE MANUFACTURE OR REPRODUCTION OF PRINTING SURFACES
- B41C1/00—Forme preparation
- B41C1/14—Forme preparation for stencil-printing or silk-screen printing
- B41C1/147—Forme preparation for stencil-printing or silk-screen printing by imagewise deposition of a liquid, e.g. from an ink jet; Chemical perforation by the hardening or solubilizing of the ink impervious coating or sheet
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41F—PRINTING MACHINES OR PRESSES
- B41F15/00—Screen printers
- B41F15/14—Details
- B41F15/34—Screens, Frames; Holders therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41N—PRINTING PLATES OR FOILS; MATERIALS FOR SURFACES USED IN PRINTING MACHINES FOR PRINTING, INKING, DAMPING, OR THE LIKE; PREPARING SUCH SURFACES FOR USE AND CONSERVING THEM
- B41N1/00—Printing plates or foils; Materials therefor
- B41N1/24—Stencils; Stencil materials; Carriers therefor
- B41N1/247—Meshes, gauzes, woven or similar screen materials; Preparation thereof, e.g. by plasma treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/0605—Carbon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/0641—Nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
- C23C14/081—Oxides of aluminium, magnesium or beryllium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/58—After-treatment
- C23C14/5846—Reactive treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/34—Nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/401—Oxides containing silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/405—Oxides of refractory metals or yttrium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/42—Silicides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/517—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using a combination of discharges covered by two or more of groups C23C16/503 - C23C16/515
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/56—After-treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
- C23C28/04—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings of inorganic non-metallic material
- C23C28/042—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings of inorganic non-metallic material including a refractory ceramic layer, e.g. refractory metal oxides, ZrO2, rare earth oxides
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
- Y10T428/24917—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] including metal layer
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/249921—Web or sheet containing structurally defined element or component
- Y10T428/249953—Composite having voids in a component [e.g., porous, cellular, etc.]
- Y10T428/249987—With nonvoid component of specified composition
- Y10T428/24999—Inorganic
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T442/00—Fabric [woven, knitted, or nonwoven textile or cloth, etc.]
- Y10T442/10—Scrim [e.g., open net or mesh, gauze, loose or open weave or knit, etc.]
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Textile Engineering (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Printing Plates And Materials Therefor (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Manufacture Or Reproduction Of Printing Formes (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【課題】 ドライプロセスによって形成され、フッ素含有シランカップリング剤と強固に結合するプライマー薄膜を含む構造体を提供する。【解決手段】 本発明の一実施形態に係る構造体は、基材と、ケイ素、チタン、アルミニウム、酸化アルミニウム，又はジルコニウムから成る群より選択される少なくとも一つの物質を含み該基材表面にドライプロセスにより形成されるプライマー薄膜と、を備える。【選択図】 図４
Description
相互参照 本出願は、２０１１年８月１０日に出願された特願２０１１−１７４９０８号に関連する。当該日本国特許出願の内容は参照により全体として本明細書に組み込まれる。本出願は、また、２０１２年２月１４日に出願された特願２０１２−２９０９０号に関連する。当該日本国特許出願の内容は参照により全体として本明細書に組み込まれる。 本発明は、プライマー薄膜を含む構造体に関し、特に、フッ素含有シランカップリング剤用のプライマー薄膜を含む構造体に関する。また、本発明は、当該構造体の製造方法に関する。
基材の表面をフッ素を含有するシランカップリング剤でコーティングすることで、基材表面に撥油性を付与する表面改質処理が知られている。例えば、スクリーン印刷用メッシュの表面にフッ素含有シランカップリング剤から成るフッ素コーティング層を形成することにより、メッシュに撥油性を付与し、印刷ペーストに対する離型性を向上させることが検討されている。フッ素含有シランカップリング剤は、メッシュへの定着性を確保するため、メッシュ本体に直接形成するのではなく、プライマー薄膜を介して形成することが多い。例えば、メッシュ本体に液体状プライマーを塗布し、この液体状プライマーの上にフッ素含有シランカップリング剤を塗布する方法が知られている（特許文献１、２）。また、電子部品搬送装置において、吸着コレットの吸着口に設けられる多孔質シートをフッ素含有シランカップリング剤でコーティングすることで、多孔質シートに搬送対象の電子部品が貼り付くことを防止する技術が知られている。多孔質シートへフッ素含有シランカップリング剤をコーティングする際にも、液体状のプライマーを用いることが多い。
しかしながら、液体状のプライマーを用いると、メッシュや多孔質シート等のワークの開口部に液体状のプライマーが濡れ広がり、その開口部を閉塞するという問題がある。特に、スクリーン印刷用のメッシュに液体状プライマーを用いると、当該プライマーによって印刷パターン開口部が閉塞され、印刷ペーストを印刷パターンに従って精度良く塗布することができないという問題が生じる。
そこで、液体状のプライマーに代えて、基体上にＣＶＤ法等のドライプロセスによりプライマー薄膜を形成することがある。例えば、ＣＶＤ法を用いて形成されるダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）等の非晶質炭素材料から成る非晶質炭素膜をプライマー薄膜として利用することが検討されている。しかしながら、フッ素含有シランカップリング剤は、非晶質炭素膜への定着性が十分でない。
そこで、本発明の様々な実施形態は、ドライプロセスによって形成され、フッ素含有カップリング剤と強固に結合するプライマー薄膜を含む構造体を提供する。また、本発明の様々な実施形態は、当該構造体の製造方法を提供する。
本発明者らは、ケイ素（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏｘ（ｘは、任意の数である。）），又はジルコニウム（Ｚｒ）を含むプライマー組成物層が、フッ素を含有するシランカップリング剤と強固に結合することを発見した。このプライマー層においては，ケイ素（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏｘ），もしくはジルコニウム（Ｚｒ）、又はこれらの酸化物に由来する水酸基が，フッ素含有シランカップリング剤の官能基と，脱水縮合反応による共有結合、水素結合，及び／又はこれら以外の結合を形成するため，プライマー層とフッ素含有シランカップリング剤とが強固に結合すると考えられる。本明細書において、プライマー層という用語は、プライマー薄膜という用語と交換可能に用いられる。
本発明の一実施形態に係るプライマー組成物は、ケイ素、チタン、アルミニウム、酸化アルミニウム，又はジルコニウムのうち少なくとも１つを含み、基材表面にドライプロセスにより形成される。
本発明の一実施形態に係る構造体は、基材と、ケイ素、チタン、アルミニウム、酸化アルミニウム，又はジルコニウムのうち少なくとも１つを含み、該基材表面にドライプロセスにより形成されるプライマー薄膜と、を備える。本発明の一実施形態において、ケイ素、チタン、アルミニウム、酸化アルミニウム，又はジルコニウムのうち少なくとも１つを含むプライマー組成物は、基材上に直接形成されてもよく、中間層を介して間接的に形成されてもよい。
本発明の一実施形態に係る構造体の製造方法は、基材を準備する工程と、前記基材に、ケイ素、チタン、アルミニウム、酸化アルミニウム，又はジルコニウムのうち少なくとも１つを含む薄膜をドライプロセスにより直接又は間接に形成する工程と、を備える。
本発明の様々な実施形態によれば、ドライプロセスによって形成され、フッ素含有シランカップリング剤と強固に結合するプライマー薄膜を含む構造体が提供される。また、本発明の様々な実施形態によって、当該構造体の製造方法が提供される。
本発明の様々な実施形態について添付図面を参照して説明する。これらの図面において、同一又は類似の構成要素には同一又は類似の参照符号を付し、その同一又は類似の構成要素についての詳細な説明は適宜省略する。
本発明の一実施形態に係るプライマー薄膜は、ケイ素、チタン、アルミニウム、酸化アルミニウム，又はジルコニウムのうち少なくとも１つを含み、基材表面にドライプロセスにより形成される。このプライマー薄膜は、様々な構造物にフッ素含有シランカップリング剤を定着させるためのプライマー層として利用される。例えば、本発明の一実施形態に係るプライマー薄膜は、スクリーン印刷用メッシュにフッ素含有シランカップリング剤を形成する際のプライマー層として用いられる。図１はスクリーン版の全体構成を模式的に表す平面図であり、図２は本発明の一実施形態に係るスクリーン版を模式的に表す断面図である。このスクリーン版には、本発明の一実施形態に係るプライマー薄膜が形成されている。図１及び図２は、本発明の一実施形態に係るスクリーン版の構成を模式的に示すものであり、その寸法は必ずしも正確に図示されていない点に留意されたい。なお、本発明に係るプライマー層は、スクリーンメッシュを備えない印刷用孔版や多孔質シート等の開口部に形成することも可能である。
図示の通り、スクリーン版１０は、鉄製の鋳物、ステンレス鋼、又はアルミニウム合金等から成る枠体１２に、ポリエステル等の樹脂やステンレス鋼（ＳＵＳ３０４）等から成るメッシュ１６を張り、このメッシュ１６の全部又は一部に乳剤１４を塗布して構成される。
本発明の一実施形態に係るメッシュ１６は、様々な材質や線径の糸を編み込んで作成される。メッシュ１６を構成する糸の表面粗さ、断面形状、及び折り方は、その用途等に応じて適宜変更され得る。断面形状は、例えば、丸型、楕円型、四角形型、多角形型、不定形型、及び星型が含まれる。折り方の例には、平織り、綾折、及び３次元形状折が含まれる。メッシュ１６を構成する糸の材料は、例えば、ステンレス鋼、鉄鋼、銅、チタニウム、若しくはタングステン等の金属又はこれらの合金である。また、金属には非晶質金属なども含まれる。さらには、メッシュ１６を構成する糸の材料として、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリエチレン、ナイロン、ビニル等の化学繊維、レーヨン等の混紡繊維、炭素繊維、ガラス繊維等の無機材料、羊毛、絹、綿、若しくはセルロース等の天然素材繊維であってもよい。例えば、メッシュ１６として、＃５００−１９メッシュを用いることができる。＃５００−１９メッシュは、メッシュを構成する線材（繊維糸）の線径が１９μｍ、メッシュ開口部幅（目開き、つまり隣接する線材の間隔）が概ね３０μｍであり、メッシュカウントが５００である。メッシュカウントが５００とは、１inch幅に５００本のメッシュ線材が存在することを意味する。メッシュ１６においては、繊維糸同士が上下に交差する部分（交点部分）をめっきの析出物、接着剤、蒸着膜、又はスパッタ膜等で固定することができる。このめっきの析出物は、例えば電解Ｎｉめっき法、電解Ｎｉ−Ｃｏ合金めっき法、又は電解Ｃｒめっき法により形成される。一実施形態においては、メッシュ糸の交点部分を押しつぶし、メッシュの糸１本の厚みに相当する厚みまでメッシュ１６の厚みを薄型化することができる。メッシュ１６の材質、線径、メッシュ数、メッシュ開口部の大きさの均一性、メッシュ開口部の位置、メッシュ開口部のテーパ角度、及び開口部の形状等の仕様は、ここで述べたものに限られず、印刷方法、印刷パターン、印刷対象、要求される耐久性等に応じて適宜変更することができる。また、一実施形態において、メッシュ１６は、通常、糸状の素材を編み込むことによって形成されるが、それ以外の方法によって形成することも可能である。例えば、メッシュ１６は、電鋳法、印刷法、及びフォトリソグラフィー法により形成され得る。また、メッシュ１６は、基材に対して、レーザ加工、エッチィング加工、ドリル加工、パンチング加工、及び放電加工等の様々な方法で貫通孔を形成することにより形成される。このとき形成される貫通孔が、メッシュ１６の開口部に相当する。上述した材質や作成方法は適宜組み合わせられる。また、メッシュ１６の開口部のエッジ部は、適宜面取りされる。メッシュ１６は、複数のメッシュを組み合わせたものであってもよい。例えば、同じ種類のメッシュ同士や異なる種類のメッシュ同士が組み合わせられる。
一実施形態においては、乳剤１４として、例えばジアゾ系の感光乳剤を用いることができる。乳剤１４には、例えばフォトリソグラフィ法によって、印刷パターンに対応する印刷パターン開口部１８が形成される。印刷パターン開口部１８は、乳剤１４を厚み方向に貫通するように形成される。フォトリソグラフィ法を用いる場合には、フォトマスクのマスクパターンをメッシュ１６に塗布された乳剤１４に露光することにより乳剤１４の一部を硬化させ、続いて、乳剤１４のうち露光により硬化した部分のみをメッシュ１６上に残存させ、それ以外の部分を除去することで、印刷パターン開口部１８を形成する。印刷パターン開口部１８は、乳剤１４の内壁２２によって画定されている。また、印刷パターンが形成されたメッシュ１６を枠体１２に直接貼り付ける代わりに、メッシュ１６とは別の支持スクリーン（不図示）を枠体１２に張り、この支持スクリーンにメッシュ
１６を貼り付けてもよい。一実施形態において、支持スクリーンのメッシュ１６と重なる部分は、カッターナイフ等で切り取られる。印刷パターン開口部１８は、フォトリソグラフィ法以外の用途でも形成することができる。例えば、印刷パターンの再現性が厳格には要求されない場合には、粘土、漆喰等の印刷パターン開口部をスクリーンメッシュ上に形成可能な任意の素材を用いることができる。メッシュ１６は、ベタ印刷（solid print）にも用いられ得る。メッシュ１６をベタ印刷に用いる場合には、乳剤１４を設ける必要がない。
１６を貼り付けてもよい。一実施形態において、支持スクリーンのメッシュ１６と重なる部分は、カッターナイフ等で切り取られる。印刷パターン開口部１８は、フォトリソグラフィ法以外の用途でも形成することができる。例えば、印刷パターンの再現性が厳格には要求されない場合には、粘土、漆喰等の印刷パターン開口部をスクリーンメッシュ上に形成可能な任意の素材を用いることができる。メッシュ１６は、ベタ印刷（solid print）にも用いられ得る。メッシュ１６をベタ印刷に用いる場合には、乳剤１４を設ける必要がない。
他の実施形態において、乳剤１４に代えて、印刷パターン開口部１８が形成された板状又は箔状の印刷パターン保持部を設けてもよい。この印刷パターン保持部は、例えば、金属、合金、樹脂、又はセラミクス材料等の様々な材料から形成され得る。印刷パターン保持部の材料として用いられる金属の一例としては、鉄鋼、銅、Ｎｉ、金、銀、亜鉛、アルミニウム、及びチタニウムが含まれる。印刷パターン保持部の材料として用いられる合金の一例としては、アルミニウム合金、チタニウム合金、ステンレス鋼合金、クロムーモリブデン鋼合金、Ｎｉ−Ｃｏ合金もしくはＮｉ−Ｗ合金等の二元合金、及び多元合金が含まれる。印刷パターン保持部の材料として用いられる樹脂の一例としては、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリエチレン、ナイロン、アクリル、ＰＥＴ、ＰＥＮ、ポリイミド、ポリイミドアミド、ガラスエポキシ、及びＦＲＰが含まれる。これら以外にも、印刷パターン保持部の材料として、セルロース、ガラス、セラミクス、ニトリル等の合成ゴム、又は天然ゴムを用いることができる。これらの材料は適宜他の材料と組み合わせて用いられる。これらの材料から形成された板状又は箔状の印刷パターン保持部は、メッシュ１６に貼り付けられる。印刷パターン保持部の印刷パターンは、メッシュ１６への貼り付け前に形成されてもよく、貼り付け後に形成されてもよい。
一実施形態において、印刷パターン開口部を有する印刷パターン保持部は、例えば電鋳法にて析出するメッキ皮膜により形成される。他の実施形態における印刷パターン保持部は、板状又は箔状の基材に、レーザ加工、エッチィング加工、ドリル加工、パンチング加工、放電加工、及び／又はこれら以外の様々な方法で貫通孔を形成することにより作製される。
本発明の一実施形態に係る印刷用孔版においては、メッシュ１６が省略され、枠体１２に直接印刷パターン保持部が設けられる。また、本発明の他の実施形態においては、枠体１２も省略され、印刷パターン保持部が印刷機に、直接又は任意の支持具によって装着される。 少なくとも１つ
本発明の一実施形態において、メッシュ１６の各糸の表面には、ケイ素、チタン、アルミニウム、酸化アルミニウム，又はジルコニウムのうち少なくとも１つを含むプライマー層が形成される。プライマー薄膜は非常に薄く形成されるため図示を省略した。なお、スクリーン版１０に代えて、印刷パターンの開口部にメッシュを備えない印刷用孔版を用いる場合には、この印刷用孔版の当該開口部周辺及び開口部内壁に、ケイ素、チタン、アルミニウム、酸化アルミニウム，又はジルコニウムのうち少なくとも１つ、又は化合物を含むプライマー薄膜プライマー層を形成することができる。一実施形態においては、非晶質炭素膜やプラズマによるドライプロセスにて形成するポリマー状の炭素膜から成るプライマー層に，ケイ素、チタン、アルミニウム、酸化アルミニウム，又はジルコニウムのうち少なくとも１つを含有させることで、フッ素含有シランカップリング剤との結合を強化するとともに，当該プライマー層の摺動性，ガスバリア性、及び延伸性を向上させることができる。
本発明の一実施形態に係るプライマー組成物は、メッシュ１６の表面に、例えば、２極スパッタリング法、３極スパッタリング法、マグネトロンスパッタリング法、対抗ターゲット式スパッタリング法などの様々なプラズマスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法、ＥＣＲスパッタリング法などの様々なイオンビームスパッタリング法、直流（ＤＣ）プラズマＣＶＤ法、低周波プラズマＣＶＤ法、高周波（ＲＦ）プラズマＣＶＤ法、パルス波プラズマＣＶＤ法、マイクロ波プラズマＣＶＤ法、大気圧プラズマ法（例えば誘電体バリア放電方式）、準大気圧プラズマ法などの様々なプラズマＣＶＤ法、直流印加式（ＤＣ）イオンプレーティング法、ホロカソード放電法（ＨＣＤ法）、高周波励起法（ＲＦ法）などのプラズマを利用する様々なイオンプレーティング法、イオンビーム蒸着法（ＩＢＤ法）、イオンビームアシスト蒸着法（ＩＢＡＤ法）、イオン蒸着薄膜形成法（ＩＶＤ法）などのイオンビームを利用する様々なイオンプレーティング法、又はこれらの組み合わせなどの様々な公知のドライプロセスにより形成される。例えば、固形のＳｉターゲット、Ｔｉターゲット、Ａｌターゲット、Ａｌ２Ｏ３ターゲット，及びＺｒターゲットなどを用いる物理蒸着法（ＰＶＤ法）であれば、真空雰囲気にて所定のガス圧・流量のスパッタガス（例えば、アルゴンガスなどの不活性ガス）が導入された成膜装置にメッシュ１６の基体を設置し、Ｓｉターゲット、Ｔｉターゲット、Ａｌターゲット、Ａｌ２Ｏ３ターゲット，又はＺｒターゲットなどをスパッタリングすることで、当該基体上に本発明の実施形態に係るプライマー薄膜を形成することができる。このスパッタガスに酸素（Ｏ）、窒素（Ｎ）又はそれらの混合ガスを混合することで、反応性スパッタリング法により、ケイ素、チタン、アルミニウム、酸化アルミニウム，又はジルコニウムとＯ又はＮとの生成物（例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＮ２、ＴｉＯ２、ＴｉＮ２、ＺｒＯ２など）から成るプライマー薄膜を形成してもよい。ガスを原料とする化学蒸着法（プラズマＣＶＤ法）を用いる場合は、ワークを配置して真空減圧したプラズマＣＶＤ装置にシラン（ＳｉＨ４）やテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）などのＳｉプライマー層用主原料ガス、又は、チタンクロライド（ＴｉＣｌ４）、チタンアイオダイド（ＴｉＩ４）、チタンイソプロポキシドＴｉ（ｉ−ＯＣ３Ｈ７）４などのＴｉプライマー層用を使用することにより、Ｓｉ又はＴｉを含むプライマー層を形成することができる。また、一実施形態においては、トリメチルアルミニウム（Ａｌ（ＣＨ３））３）、アルミニウムクロライド（ＡｌＣｌ３）などの主原料ガスに、必要に応じて酸素ガス又は窒素ガスを混合することにより、アルミニウム及び酸素又は窒素を含むプライマー層を形成することができる。また、基体上に形成されたケイ素、チタン、アルミニウム、酸化アルミニウム，又はジルコニウムのうち少なくとも１つを含むプライマー薄膜に、酸素プラズマ又は窒素プラズマを照射することにより、このプライマー薄膜に酸素又は窒素の双方又は一方を含有させることもできる。一実施形態においては、上記のようにプライマー薄膜に酸素又は窒素の双方又は一方を含有させることにより、プライマー薄膜に極性が付与されるので、プライマー薄膜とフッ素含有シランカップリング剤の化学吸着性及び物理吸着性（定着性）をより高めることができる。
プライマー層がジルコニウムを含む場合には，酸素プラズマ、窒素プラズマ、又は酸素と窒素の両方をプラズマプロセスにて高エネルギーでプライマー層の表層に照射することで，ジルコニウムを含むプライマー層の表層に発生する酸化物層（不動態層）を活性化することができる。このように，プライマー層がジルコニウムを含む場合には、水熱処理を行うことなく，プライマー層の表層に形成される不動態層を活性化することができるので、水熱処理による表面活性化が困難な印刷用孔版や多孔性シートなどへも容易に適用できる。
また、一実施形態において、プライマー薄膜に酸素又は窒素の双方又は一方を含有させることにより、該薄膜の水に対するぬれ性を向上させ、印刷用のスクリーンメッシュに水溶性乳剤（液状乳剤）を塗布した場合の乳剤のぬれ性を向上させることができる。この結果、乳剤塗布時の泡に起因するピンフォールの発生を防止することができるので、スクリーンメッシュへの乳剤固着強度向上に伴う印刷用孔版の耐刷性を向上させることができる。本発明にかかるケイ素、チタン、アルミニウム、酸化アルミニウム、又はジルコニウムのうち少なくとも１つを含むプライマー薄膜を形成した後、例えば実質的に炭素、或いは炭素と水素にて構成される非晶質炭素膜よりなる層をさらに形成した後、酸素ガスで該非晶質炭素膜からなる層の一部又は全部をアッシング除去しながら酸素プラズマによる酸素を照射することも可能である。また、必要に応じて、上記の主原料ガスに、アルゴン、水素、窒素などのキャリアガスを混合することも可能である。これらのドライプロセスによりプライマー層が形成されるワークが熱による変形、損傷を受けやすい部材である場合（例えば、乳剤が塗布された印刷用孔版）には、ドライプロセスにおいて冷却装置を使用したり、成膜時間を非常に短くしたりすることで、ワークが高温になることを防止しても良い。ケイ素、チタン、アルミニウム、酸化アルミニウム，又はジルコニウムのうち少なくとも１つからなる本発明の実施形態に係るプライマー層は、必要に応じてアモルファス状に形成されてもよい。
本発明の一実施形態に係るケイ素、チタン、アルミニウム、酸化アルミニウム，又はジルコニウムのうち少なくとも１つを含むプライマー層は、直進性の高いプラズマ（プロセス）によって形成されるため、液体状プライマーのように基体裏面等の不必要な部分へ回り込みにくい。よって、本発明の一実施形態においては、プライマー層を基体の所望の面（例えば撥水・撥油性を発現させたい孔版のプリント基板面など）のみに選択的に形成することができ、マスキングにより基体上の特定部分のみに選択的に形成することもできる。例えば、直進性の高いプラズマプロセスによってプライマー層を形成することにより、＃５００スクリーン印刷用メッシュのように直径が２０μｍ程度の細い線材から成るメッシュにおいても、当該メッシュの線材のプラズマが到来する側にプライマー層を選択的に形成することができる。このとき、メッシュの線材の裏側への回り込みを抑制して所望の面のみにプライマー層を選択的に形成することができる。また、印刷用孔版においては、印刷用ペーストを充填する側の面（スキージ面）に撥水、撥油性を付与してしまうと、印刷用ペーストの充填性やペーストのスキージによるローリング性（ペースト粘弾性の制御）が阻害され、印刷カスレなどの不具合を引き起こすおそれがあるが、直進性の高いプラズマプロセスによってプライマー層を形成することにより、スキージ面と反対側の面に選択的にプライマー層を形成し、かかる不具合を回避することができる。
一実施形態において、スキージ面には、実質的に炭素のみから成る非晶質炭素膜及び／又は実質的に水素及び炭素のみから成る従来の非晶質炭素膜を形成することができる。かかる従来の非晶質炭素膜は、その表面が不活性であるため、フッ素含有シランカップリング剤との結合反応を起こしにくい。したがって、スキージ面に付着したフッ素含有シランカップリング剤等のカップリング剤を簡単に除去することができる。表面が不活性な従来の非晶質炭素膜は、スキージ面だけでなく、撥水層又は撥水撥油層の形成が望ましくない任意の領域に形成され得る。
また、印刷用スクリーンメッシュは，例えば，メッシュのワイヤが重なっている凸部分とそれ以外の凹部分とを有するとともにメッシュ表面にも細かな凹凸を有するが，電界を利用するプラズマドライプロセスを用いてプライマー層を形成することにより、当該プライマー層は、まず電界の集中する凸部分に形成され、続いて凹部に形成される。したがって、形成時間を制御し、及び／又は，電
界中の遮蔽板，ワーク，及び／又は電極の配置を適正化することでプライマー層によるメッシュの被覆率（メッシュの表面積に占めるプライマー層が形成された領域の割合）を微細に制御することができる。
界中の遮蔽板，ワーク，及び／又は電極の配置を適正化することでプライマー層によるメッシュの被覆率（メッシュの表面積に占めるプライマー層が形成された領域の割合）を微細に制御することができる。
また、本発明の一実施形態においては、ケイ素、チタン、アルミニウム、酸化アルミニウム、又はジルコニウムのうち少なくとも１つを含む接着性や延性のあるプライマー薄膜を印刷用スクリーンメッシュに形成することで、該スクリーンを構成するワイヤ同士の交点部分を接着固定することができ、スクリーンメッシュの耐久性を向上させ、歪み変形を防止することができる。
本発明にかかるプライマー薄膜層は、メッシュ１６に乳剤１４を塗布する前にメッシュ１６に形成されてもよく、乳剤１４を塗布した後に印刷パターン開口部に露出するメッシュ１６に形成されてもよい。また、他の実施形態において、本発明にかかるプライマー薄膜層は、乳剤１４と共に又は乳剤１４に代えて、枠体１２にメッシュ１６を張った後に、印刷パターン開口部１８が形成された板状又は箔状の印刷パターン保持部の印刷パターン開口部の露出部分に形成されてもよい。さらに他の実施形態においては、乳剤１４に代えて、印刷パターン開口部１８が形成された板状又は箔状の印刷パターン保持部に本発明に係るプライマー組成物、並びに／又は、撥水層及び／又は撥水・撥油層が形成されてもよい。また、メッシュ１６と、本発明に係るプライマー薄膜層の間には、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で必要に応じて様々な中間層を形成することができる。
メッシュ１６に形成された乳剤の印刷パターン開口部１８に臨む端部においては、メッシュ１６の目開きの一部が乳剤によって埋まってしまうことが多いので、印刷ペーストが転写されにくい。そこで、メッシュ１６の印刷パターン開口部１８に露出した部分のみでなく、乳剤１４にも本発明に係るプライマー薄膜層を形成し、当該プライマー薄膜層の上に撥水層及び／又は撥水・撥油層を形成することにより、印刷ペーストの転写性をさらに向上させることができる。
メッシュ１６に塗布された感光性の乳剤１４の印刷パターン開口部１８部分にＵＶ光等の乳剤露光用に使用する高エネルギーの光を照射してもよい。この場合、当該露出光により、メッシュ１６の表面に形成された本発明にかかるプライマー薄膜が酸化（表面活性化）される。これにより、メッシュ１６の表面に、シランカップリング剤をより強固に定着させることができる。
上述のようにしてメッシュ１６表面に形成されたプライマー薄膜上の少なくとも一部分には、例えばフッ素を含有するシランカップリング剤から成るコーティング薄膜２０が形成される。このようなフッ素含有シランカップリング剤として、フロロサーフ社のFG-5010Z130-0.2を用いることができる。一実施形態において、このコーティング薄膜２０は、印刷パターン開口部１８を透過する印刷ペーストの透過体積に実質的な影響を与えないほど薄く形成され、例えば、約２０ｎｍの厚さに形成される。コーティング薄膜２０の膜厚はこれに限定されず、用いられるフッ素含有シランカップリング剤の種類により適宜変更され、例えば、１ｎｍ〜１μｍの範囲で形成される。
フッ素含有シランカップリング剤のコーティング薄膜２０は、様々な方法でプライマー薄膜上に設けられる。例えば、コーティング薄膜２０は、不織布等の布、スポンジ、スポンジ状ローラ、刷毛、及び／又はこれら以外の様々な塗布用具を用いてプライマー薄膜が形成されたメッシュ１６上に塗布される。また、コーティング薄膜２０は、フッ素含有シランカップリング剤を霧状にして噴霧することによって形成することもできる。これら以外にも、ディッピング法、抵抗加熱法、蒸着法、及び／又はこれら以外の様々な方法によって形成され得る。
印刷用のスクリーンメッシュを印刷孔版に組み付ける前に当該スクリーンメッシュに対してフッ素を含有するシランカップリング剤から成るコーティング薄膜を形成してしまうと、乳剤などの孔版の構成部材と当該スクリーンメッシュとの接着性が悪化してしまうが、前記コーティング薄膜形成前に、プライマー層のみが形成されたスクリーンメッシュを孔版の構成部材に接着し、その後、孔版に接着されたスクリーンメッシュの撥水、撥油性の必要な部分にフッ素を含有するシランカップリング剤から成るコーティング層を形成することができる。
シランカップリング剤は、プライマー層中のケイ素、チタン、アルミニウム、酸化アルミニウム，又はジルコニウムのうち少なくとも１つ、または各々元素の酸化物に由来する水酸基と化学結合（例えば、脱水縮合反応による結合又は水素結合など）により結合するので、プライマー層の表面に強固な結合架橋層を伴う連続性のある面状のフッ素樹脂膜が形成される。
また、上述した反応性スパッタリング法や酸素プラズマ又は窒素プラズマの照射により、プライマー薄膜に酸素又は窒素を含有させてプライマー薄膜に電気的極性を付与することができる。この電気的極性によりプライマー薄膜とフッ素含有シランカップリング剤との間に極性による結合が生じ、この結合によってもフッ素含有シランカップリング剤をプライマー薄膜に強固に定着させることができる。
上述のようにして形成されるプライマー薄膜及びコーティング膜は、数十ｎｍ程度と非常に薄く形成されるので、微細な構造を有するメッシュや印刷用孔版への応用に適している。つまり、本発明の実施形態に係るプライマー薄膜及びコーティング膜がメッシュや印刷用孔版の微細な印刷パターン開口部に付着しても、当該印刷パターン開口部の形状をほとんど変化させず、このため印刷精度が劣化しない。
本発明の実施形態においては，プライマー層中のケイ素、チタン、アルミニウム、酸化アルミニウム，又はジルコニウムのうち少なくとも１つに由来する水酸基と脱水縮合反応により結合可能な任意のフッ素含有カップリング剤又はフッ素コート剤を用いることができる。例えば、一実施形態におけるフッ素含有カップリング剤は、基材と−Ｏ−Ｍ結合（ここで、Ｍは、Ｔｉ、Ａｌ、又はＺｒ）可能な元素Ｍを含むカップリング剤であっても良い。また，液体状のカップリング剤等のフッ素ケイ素化合物を真空装置に導入することにより、例えば、真空蒸着法の一種である抵抗加熱法等によってフッ素ケイ素化合物からなり，撥水・撥油性を有するフッ素含有層を本発明にかかるプライマー層上に形成することもできる。
フッ素含有カップリング剤は、撥水・撥油機能を奏し、その分子構造内にフッ素の置換基を有するカップリング剤を意味する。薄膜２０として使用可能なフッ素含有カップリング剤には、以下のものが含まれる。(i) ＣＦ3 （ＣＦ2 ）7 ＣＨ2 ＣＨ2 Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）3(ii) ＣＦ3 （ＣＦ2 ）7 ＣＨ2 ＣＨ2 ＳｉＣＨ3 Ｃｌ2(iii）ＣＦ3 （ＣＦ2 ）7 ＣＨ2 ＣＨ2 ＳｉＣＨ3 （ＯＣＨ3 ）2(iv)（ＣＨ3 ）3 ＳｉＯＳＯ2 ＣＦ3(v) ＣＦ3 ＣＯＮ（ＣＨ3 ）ＳｉＣＨ3(vi) ＣＦ3 ＣＨ2 ＣＨ2 Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）3(vii) ＣＦ3 ＣＨ2 ＳｉＣｌ3(Viii) ＣＦ3 （ＣＦ2 ）5 ＣＨ2 ＣＨ2 ＳｉＣｌ3(ix) ＣＦ3 （ＣＦ2 ）5 ＣＨ2 ＣＨ2 Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）3(x)ＣＦ3 （ＣＦ2 ）7 ＣＨ2 ＣＨ2 ＳｉＣｌ3 これらのフッ素カップリング剤はあくまで一例であり、本発明に適用可能なフッ素含有カップリング剤はこれらの例に限定されるものではない。フッ素含有カップリング剤としては、例えば、フロロサーフ社から販売されているＦＧ−５０１０Ｚ１３０−0.2（フッ素樹脂0.02〜0.2％、フッ素系溶剤99.8%〜99.98%）を用いることができる。
また、コーティング薄膜２０は、カップリング剤を主成分とする第１層と、撥水性材料又は撥水・撥油性材料を主成分とする第２層と、から成る２層構造であってもよい。この第１層は、例えば、メッシュ１６表面の本発明に係るプライマー層上に前記プライマー層と水素結合及び／又は縮合反応による−Ｏ−Ｍ結合（ここで、Ｍは、Ｓｉ、Ｔｉ、Ａｌ、及びＺｒから成る群より選択されるいずれかの元素。）を形成可能なカップリング剤から成る薄膜である。かかるカップリング剤には、例えば、シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミネート系カップリング剤、及びジルコネート系カップリング剤が含まれる。これらのカップリング剤は、他の種類のカップリング剤と混合して用いることもできる。第２層は、例えば、メチルトリクロロシラン、オクチルトリクロロシラン、ジメチルジクロロシラン等のアルキルクロロシラン類、ジメチルジメトキシシラン、オクチルトリメトキシシラン等のアルキルメトキシシラン類、ヘキサメチルジシラザンおよびシリル化剤、及びシリコーン等の撥水性材料から成る薄膜である。また、上述したフッ素含有シランカップリング剤から成る薄膜を第２層として用いることもできる。第２層として利用可能な撥水性材料又は撥水・撥油性材料は、本明細書で明示されたものに限定されない。薄膜２０の材料は、使用されるメッシュの目開きや線径及び／又は印刷用孔版の印刷パターン開口部の大きさ、印刷用ペーストやインクの組成（水性であるか油性であるか、内容物である顔料などの含有物の粒径の大きさ）、粘度、チクソ性、及び印刷時の温度や湿度等の様々な印刷条件を考慮して適宜選定される。
シランカップリング剤は、例示するまでもなく広く普及している。市販されている様々なシランカップリング剤を薄膜２０の第１層として用いることができる。本発明に適用可能なシランカップリング剤の一例は、デシルトリメトキシシラン（商品名「ＫＢＭ−３１０３」信越化学工業（株））等である。
コーティング薄膜２０を構成するチタネート系カップリング剤には、例えばテトラメトキシチタネート、テトラエトキシチタネート、テトラプロポキシチタネート、テトライソプロポキシチタネート等が含まれる。例えば商品名「プレンアクト３８Ｓ」（味の素ファインテクノ株式会社）が市販されている。
コーティング薄膜２０を構成するアルミネート系カップリング剤には、アルミニウムアルキルアセトアセテート・ジイソプロピレート、アルミニウムエチルアセトアセテート・ジイソプロピレート、アルミニウムトリスエチルアセトアセテート、アルミニウムイソプロピレート等が含まれる。例えば商品名「プレンアクトＡＬ−Ｍ」（アルキルアセテートアルミニウムジイソプロピレート、味の素ファインテクノ（株）製）が市販されている。
コーティング薄膜２０を構成するジルコニア系カップリング剤としては、ネオペンチル（ジアリル）オキシ，トリメタクリルジルコネイト、テトラ（２，２ジアリロキシメチル）ブチル、ジ（ジトリデシル）ホスフェイトジルコネイト、及びシクロ［ジネオペンチル（ジアリル）］ピロホスフェイトジネオペンチル（ジアリル）ジルコネイトが含まれる。例えば商品名「ケンリアクトＮＺ０１」（ケンリッチ社）が市販されている。
また、本発明の一実施形態に係るＳｉ又はＴｉを含むプライマー薄膜は、例えば炭素からなる非晶質炭素膜プライマー層に比べＮｉ、Ｃｏ、Ｆｅなどの元素からなる基材表層から基材中への拡散を起こしにくく、該元素で構成される基材上にも密着良く形成することができる。Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅなどの元素は、例えば、Ｆｅ，Ｎｉ、Ｃｒ合金であるステンレス鋼製メッシュ１６、さらにはステンレス鋼製メッシュ１６の表層に該メッシュ１６の変形防止に備え交点部分を固定するため形成されるＮｉメッキ皮膜やＮｉ−Ｃｏ合金メッキ皮膜、又は、メッシュ１６自体を電鋳法によりＮｉメッキやＮｉ−Ｃｏ合金メッキによる析出皮膜にて形成した場合の基材に存在することが多い。
上述のように、本発明の一実施形態においては、ドライプロセスにより形成されたケイ素、チタン、アルミニウム、酸化アルミニウム，又はジルコニウムのうち少なくとも１つを含むプライマー薄膜の上にフッ素含有シランカップリング剤を形成するので、液体状プライマーをメッシュ１６に塗布する従来の手法と比較し
て、メッシュ１６の細かな目開き部の閉塞を抑制することができる。また、液体プライマー塗布時には、不必要な部分への濡れ広がり、回り込みの発生、重力や基材表面の不均一な表面張力分布によってプライマー層の膜厚が不均一となるが、本発明の一実施形態においては、ドライプロセスによりプライマー層を形成するので、膜厚を比較的均一に形成することができる。このようにして形成されたプライマー薄膜は、例えばフッ素含有シランカップリング剤と強固に結合するため、メッシュ１６の印刷パターン開口部１８から露出する部分にフッ素含有シランカップリング剤を定着性よく形成することができる。
て、メッシュ１６の細かな目開き部の閉塞を抑制することができる。また、液体プライマー塗布時には、不必要な部分への濡れ広がり、回り込みの発生、重力や基材表面の不均一な表面張力分布によってプライマー層の膜厚が不均一となるが、本発明の一実施形態においては、ドライプロセスによりプライマー層を形成するので、膜厚を比較的均一に形成することができる。このようにして形成されたプライマー薄膜は、例えばフッ素含有シランカップリング剤と強固に結合するため、メッシュ１６の印刷パターン開口部１８から露出する部分にフッ素含有シランカップリング剤を定着性よく形成することができる。
また、本発明に係るプライマー層をフッ素含有シランカップリング剤でコーティングすることにより、該プライマー層に存在するピンフォールなどの欠陥部分にフッ素含有シランカップリング剤が毛管現象により進入し、ピンフォールの壁面をフッ素含有シランカップリング剤によりコーティングすることができるので、基材の耐候性を向上させることができる。例えば、印刷用ペーストのバインダーや溶媒に使用される基材アタック性の強い溶剤の進入を逆毛管現象にて防止し、溶剤に弱く、膨潤して形状変化し易い印刷用孔版の乳剤などの基材を保護することが可能となる。
本発明に係るプライマー層を介して撥水性及び／又は撥水・撥油性のコーティング層を印刷用孔版やメッシュにもうけることにより、印刷パターン開口部やメッシュ開口部から印刷後にペーストを容易に拭き取ることができる。これにより、使用したペーストの拭き取り漏れによるペーストの固化による孔版の損傷を防止することができる。
以上のように構成されたスクリーン版１０は、乳剤１４の下面２６が被印刷物と対向するように配置して使用される。スクリーン版１０を所定位置に配置後、上面２４にはんだペーストや電子部品の内部電極を構成する金属ペースト等の印刷ペーストを塗布し、スキージ（不図示）を上面２４に一定圧で押し当てたまま上面２４に沿ってスライドさせることにより、塗布された印刷ペーストが印刷パターン開口部１８を通過し、被印刷物に転写される。スクリーン版１０は、これらの印刷ペースト以外にも、印刷物印刷用のインク、染料、塗料、防錆材、接着剤、反応性活材、グリーンシート用スラリー、リソグラフィー用レジスト、感圧材、感温材、及び吸着剤等を転写するために用いられ得る。
また、メッシュ１６は、スクリーン印刷法（転写法）以外の印刷法においても用いられる印刷用孔版にも応用され得る。メッシュ１６は、例えば、インクジェット等の加圧機構によって押し出されたインクを被印刷物に転写する加圧印刷法、被印刷物側を低圧とすることによりインクを転写するバキューム印刷法用の孔版に応用され得る。本発明の非晶質炭素膜が形成されたメッシュ１６を用いた孔版を利用可能な印刷方法は、本明細書で例示されたものに限られない。
続いて、スクリーン版１０の製造方法の一例について説明する。まず、鉄製鋳物、ステンレス鋼やアルミニウム合金から成る枠体１２、及び、スパッタリング法等により表面にケイ素、チタン、アルミニウム、酸化アルミニウム，又はジルコニウムのうち少なくとも１つを含むプライマー薄膜が形成されたメッシュ１６を準備し、このメッシュ１６を枠体１２に張る。メッシュ１６は、枠体１２に直接取り付けてもよく、支持スクリーンを介して取り付けてもよい。次に、このメッシュ１６に感光乳剤１４を塗布し、フォトリソグラフィ法により印刷パターンに対応する印刷パターン開口部１８を乳剤１４に形成する。続いて、メッシュ１６の印刷パターン開口部１８における露出部分の下面２６側にフッ素含有シランカップリング剤のコーティング薄膜２０を塗布し、スクリーン版１０が得られる。
図３は、本発明の一実施形態に係る多孔質シートを備える電子部品搬送装置３０に備えられた吸着コレットの一部を模式的に示す図である。吸着コレット３２は、任意の電子部品搬送装置に、上下及び水平方向に移動可能に設けられている。図示のとおり、吸着コレット３２は、筒状に形成され、その一端が不図示の負圧源に接続されている。吸着コレット３２の吸着口付近には、本発明の一実施形態に係る多孔性シート３４が設けられている。電子部品３６は、ウェハシート３８上に載置されている。この電子部品３６をウェハシートから他の作業スペースに搬送する際には、吸着コレット３２を電子部品３６の上に位置決めした状態で、負圧源から負圧を供給することにより、電子部品３６が吸着コレット３２の吸着口付近に吸着される。次に、電子部品３６を吸着したまま、吸着コレットを所定の作業スペースまで移動させ、当該作業スペースにおいて負圧の供給を停止することにより、電子部品３６を所定の作業スペースまで運搬することができる。このような吸着コレット３２は、例えば、特開2011-014582号公報等に記載されており、当業者にとって、その詳細な構成や動作は自明であるため、本明細書においてはその詳細な説明を省略する。また、吸着コレット３２は、電子部品以外にもグリーンシート等の様々な部材の搬送に用いられる。
多孔性シート３４は、例えば、ポリプロピレンなどの合成樹脂、ステンレス鋼等の金属、ジルコニア等のセラミクス、通気性の確保された包帯等の織物、不織布、又はこれらの複合体で構成されており、上述したスクリーン印刷用メッシュ１６と同様に目開き部分を有する。多孔性シート３４の表面には、本発明の一実施形態に係るケイ素、チタン、アルミニウム、酸化アルミニウム，又はジルコニウムのうち少なくとも１つを含むプライマー薄膜がスパッタリング法等のドライプロセスにより形成され、このプライマー薄膜の上にフッ素含有シランカップリング剤層が形成される。このプライマー薄膜は、上述したメッシュ１６上に形成されるプライマー薄膜と同様の方法で形成される。したがって、この本発明の一実施形態に係るプライマー薄膜は、多孔性シート３４の目開き部分を閉塞しないように形成できる。本発明の一実施形態に係るプライマー薄膜は、多孔性シート３４のうち電子部品３６が吸着される部分に選択的に形成される。これにより、多孔性シート３４と吸着コレット３２との接触部分にはプライマー薄膜（及びフッ素含有シランカップリング剤）を形成せず、多孔性シート３４と吸着コレット３２との接着性を確保することができる。
多孔性シート３４は、本発明の一実施形態に係るプライマー組成物から成るプライマー薄膜としてフッ素含有シランカップリング剤を強固に保持することができるので、平滑性に優れた表面特性を有し、高い耐摩耗性を有する。これにより、電子部品３６を搬送する際に、電子部品の多孔性シート３４への張り付き、多孔性シートの空孔部へのゴミや異物吸引による目詰まり等を抑制することができ、電子部品３６の搬送効率を向上させることができる。多孔性シート３４は、その表面に凹凸構造を有する。この凹部に形成されたフッ素含有シランカップリング剤は、硬いケイ素膜、チタン膜、酸化アルミニウム，又はジルコニア膜を伴う凸部によって外部から作用する応力から保護されるので、多孔性シート３４への定着性が非常に高い。
上述したスクリーン印刷用メッシュ及び電子部品搬送装置用多孔質シートは、本発明のプライマー薄膜を適用する一例に過ぎず、本発明のプライマー薄膜は、液体状プライマーによる目詰まりが発生し得るあらゆるワークに用いることができる。例えば、本発明のプライマー薄膜は、篩い分け用メッシュ、液体洗浄用メッシュ（洗浄用ザル、洗浄用ネットなど）、バレルめっき装置用メッシュ、ストレーナ等の各種フィルター、及び／又はこれら以外の液体状プライマーによる目詰まりが発生し得る任意の部材に適用され得る。
以下に述べる方法により、フッ素含有シランカップリング剤が本発明の実施形態に係るケイ素、チタン、アルミニウム、酸化アルミニウム，又はジルコニウムのうち少なくとも１つを含むプライマー薄膜上に定着性良く形成されることを確認した。まず、Ｓｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ａｌ２Ｏ３、又はＺｒのいずれか一つを含むプライマー薄膜をステンレス鋼（ＳＵＳ３０４）表面に形成し、これらのプライマー薄膜にフッ素コーティング(フッ素含有シランカップリング剤)を形成した試料（実施例１〜９）を作製した。そして、各試料におけるフッ素コーティング層の定着性を調査するため、各試料について水（純水）との接触角の測定を行った。フッ素含有シランカップリング剤がプライマー薄膜上に保持されていれば、その撥水性により水との接触角は高くなるので、この接触角を測定することによりフッ素含有シランカップリング剤がプライマー薄膜上に保持されているか否かを確認することができる。
１．試料の作製 まず、ステンレス鋼（ＳＵＳ３０４）から成る基材を、各試料の基材として準備した。このステンレス鋼（ＳＵＳ３０４）基材は、１辺が30mm、厚さが1mm、表面粗さRaが概ね0.0５μmの矩形形状のものを準備し、超音波洗浄装置にてイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を使用し15分間洗浄を行った。
（１）実施例１の試料の作成 まず、高圧ＤＣパルスプラズマＣＶＤ装置に上記ステンレス鋼（ＳＵＳ３０４）基材及び純度99.999%、101.6φＸ5ｔ（ｍｍ）のＳｉターゲット（株式会社高純度化学研究所製）を互いに対向するように約12cm離して設置し、当該ＣＶＤ装置を3x10-3Paまで真空減圧した。次に、流量40SCCMのArガスをガス圧が1.5Paとなるよう調整して当該ＣＶＤ装置に導入し、印加電圧-4.5kVp、パルス周波数10kHz、パルス幅10μsの条件で合計30分間スパッタリングを行い、Ｓｉの薄膜層を基材の試料面に堆積させた。このようにしてＳｉの薄膜層が形成された基材に、フッ素系シランカップリング剤であるフロロサーフ社のFG-5010Z130-0.2の溶液（フッ素樹脂0.02〜0.2%、フッ素系溶剤99.8〜99.98%）をディップ塗布し、２日間、室温にて乾燥させて、実施例１の試料を得た。
（２）実施例２の試料の作成 試料１と同様に、高圧ＤＣパルスプラズマＣＶＤ装置にステンレス鋼（ＳＵＳ３０４）基材とＳｉターゲットを設置し、当該ＣＶＤ装置を3x10-3Paまで真空減圧した。次に、流量20SCCMのArガスと流量20SCCMの酸素との混合ガスを、ガス圧が1.5Paとなるよう調整して当該ＣＶＤ装置に導入し、この混合ガスをスパッタガスとして用い、印加電圧-4.5kVp、パルス周波数10kHz、パルス幅10μsの条件で３０分間スパッタリングを行い、酸素雰囲気中でＳｉの薄膜層を基材の試料面に堆積させた。このようにしてＳｉの薄膜層が形成された基材に、実施例１と同様にFG-5010Z130-0.2の溶液をディップ塗布し、２日間、室温にて乾燥させて、実施例２の試料を得た。
（３）実施例３の試料の作成 SRDS-7000T型汎用小型成膜装置（サンユー電子製）の反応容器中に設けられているターンテーブルに上記ステンレス鋼（ＳＵＳ３０４）基材を配置し、当該反応容器内を1x10-4Paまで真空排気した後、流量100sccm、ガス圧10PaのArガスを用いRF出力100W、右回りの試料台回転数10rpm、試料台温度＝R.T.(加温、水冷なし)の条件にて、基材を１分間逆スパッタリングした。続いて、流量１００sccm、ガス圧2PaのArガスを用いて、出力DC４００W、にてTS間距離100mm、オフセット40mm、右回りの試料台回転数10rpm、左5RPMのマグネット遥動、試料台温度＝R.T.(加温、水冷なし)、にて３分間スパッタリングを行い、大気開放時はＮ２ガスによるリーク約３分間の条件において、Ｔｉの薄膜層を基材の試料面に堆積させた。Ｔｉターゲットは、2N8 101.6Dx5t DBのＴｉターゲット(ソニーケミカルインフォメーションデバイス株式会社製)を使用した。このようにしてＴｉの薄膜層が形成された基材に、実施例１と同様にFG-5010Z130-0.2の溶液をディップ塗布し、２日間、室温にて乾燥させて、実施例３の試料を得た。
（４）実施例４の試料の作成 実施例１と同様の方法でステンレス鋼（ＳＵＳ３０４）基材にＳｉの薄膜層を形成した試料を準備する。次に、この試料を高圧ＤＣパルスプラズマＣＶＤ装置に投入し、1x10-3Paまで真空減圧した後、流量30SCCM、ガス圧２Paの酸素ガスを当該ＣＶＤ装置に導入し、印加電圧-2.5kV、パルス周波数10kHz、パルス幅10μsの条件で、試料表面に２分間酸素プラズマを照射し、Ｓｉの薄膜層に酸素を含有させた。このようにして得られた酸素含有Ｓｉ薄膜層が形成された基材に、実施例１と同様にFG-5010Z130-0.2の溶液をディップ塗布し、２日間、室温にて乾燥させて、実施例４の試料を得た。
（５）実施例５の試料の作成 実施例３と同様の方法でステンレス鋼（ＳＵＳ３０４）基材にＴｉの薄膜層を形成した試料を準備する。次に、この試料を高圧ＤＣパルスプラズマＣＶＤ装置に投入し、1x10-3Paまで真空減圧した後、流量30SCCM、ガス圧２Paの酸素ガスを当該ＣＶＤ装置に導入し、印加電圧-2.5kV、パルス周波数10kHz、パルス幅10μsの条件で、試料表面に２分間酸素プラズマを照射し、Ｔｉの薄膜層に酸素を含有させた。このようにして得られた酸素含有Ｔｉ薄膜層が形成された基材に、実施例１と同様にFG-5010Z130-0.2の溶液をディップ塗布し、２日間、室温にて乾燥させて、実施例５の試料を得た。
（６）実施例６の試料の作成 実施例２と同様の方法でテンレス鋼（ＳＵＳ３０４）基材にＳｉ酸化物薄膜層を形成した試料を準備する。次に、この試料を高圧ＤＣパルスプラズマＣＶＤ装置に投入し、1x10-3Paまで真空減圧した後、流量30SCCM、ガス圧２Paの窒素ガスを当該ＣＶＤ装置に導入し、印加電圧-2.5kV、パルス周波数10kHz、パルス幅10μsの条件で、試料表面に２分間
窒素プラズマを照射し、Ｓｉ酸化物層に窒素を含有させた。このようにして得られた窒素含有Ｓｉ酸化物薄膜層が形成された基材に、実施例１と同様にFG-5010Z130-0.2の溶液をディップ塗布し、２日間、室温にて乾燥させて、実施例６の試料を得た。
窒素プラズマを照射し、Ｓｉ酸化物層に窒素を含有させた。このようにして得られた窒素含有Ｓｉ酸化物薄膜層が形成された基材に、実施例１と同様にFG-5010Z130-0.2の溶液をディップ塗布し、２日間、室温にて乾燥させて、実施例６の試料を得た。
（７）実施例７の試料の作成 実施例３と同様の方法でテンレス鋼（ＳＵＳ３０４）基材にＴｉ薄膜層を形成した試料を準備する。次に、この試料を高圧ＤＣパルスプラズマＣＶＤ装置に投入し、1x10-3Paまで真空減圧した後、流量30SCCM、ガス圧２Paの窒素ガスを当該ＣＶＤ装置に導入し、印加電圧-2.5kV、パルス周波数10kHz、パルス幅10μsの条件で、試料表面に２分間窒素プラズマを照射し、Ｔｉ薄膜層に窒素を含有させた。このようにして得られた窒素含有Ｔｉ薄膜層が形成された基材に、実施例１と同様にFG-5010Z130-0.2の溶液をディップ塗布し、２日間、室温にて乾燥させて、実施例７の試料を得た。
（８）実施例８の試料の作成 ステンレス鋼（ＳＵＳ３０４）基材とＡｌターゲットを互いに対抗するようにSRDS-7000T型汎用小型成膜装置（サンユー電子製）の反応容器中に設けられているターンテーブルに設置し、反応容器を1x10-4Paまで真空排気した。続いて実施例３と同条件で基材の逆スパッタリングを行い、流量100sccm、圧力３PaのＡｒガスをスパッタリングガスとして導入し、出力DC400W、TS距離100mm、OFS55mm、試料台回転数10rpmの条件で、５分間、スパッタリングを行い、基材にアルミニウム薄膜層を形成した。このようにして得られたアルミニウム薄膜層が形成された基材に、実施例１と同様にFG-5010Z130-0.2の溶液をディップ塗布し、２日間室温にて乾燥させて、実施例８の試料を得た。なお、Ａｌターゲットは、株式会社高純度化学研究所製、Ａｌ ４Ｎ ４“φ×５ｔ 純度９９．９９％を使用した。
（９）実施例９の試料の作成 ステンレス鋼（ＳＵＳ３０４）基材とＡｌ２Ｏ３ターゲットを互いに対抗するようにSRDS-7000T型汎用小型成膜装置（サンユー電子製）の反応容器中に設けられているターンテーブルに設置し、反応容器を1x10-4Paまで真空排気した。続いて実施例３と同条件で基材の逆スパッタリングを行い、流量がそれぞれ100sccmのArガスとＯ２ガスとの混合ガスをスパッタリングガスとして用い、Arガス及びＯ２混合ガスのガス圧１０Pa、RF出力400W、TS距離100mm、OFS55mm、試料台回転数10rpmの条件で、７０分間、スパッタリングを行い、基材にＡｌ２Ｏ３薄膜層を形成した。このようにして得られたＡｌ２Ｏ３薄膜層が形成された基材に、実施例１と同様にFG-5010Z130-0.2の溶液をディップ塗布し、２日間室温にて乾燥させて、実施例９の試料を得た。なお、Ａｌ２Ｏ３ターゲットは、株式会社高純度化学研究所製、Ａｌ２Ｏ３ ４Ｎ ４“φ×５ｔ 純度９９．９９％を使用した。
（８）比較例１の試料の作成 一切成膜処理を行っていないステンレス鋼（ＳＵＳ３０４）基材に、実施例１と同様にFG-5010Z130-0.2の溶液をディップ塗布し、２日間、室温にて乾燥させて、比較例１の試料を得た。
超音波疲労加速試験による水との接触角の測定 次に、フッ素含有シランカップリング剤のプライマー薄膜への定着性を調べるために、各試料をイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）中に投入し超音波洗浄による疲労加速試験により、各試料の水との接触角の経時劣化推移を測定した。試験は、株式会社エスエヌヂィ製のUS-20KSを用い、発振38kHz（BLT 自励発振）、高周波出力480Wの条件で行った。超音波洗浄は、圧電振動子からの振動によって局部的に激しい振動を発生させＩＰＡ中にキャビティ（空洞）が発生する。このキャビティが基材表面でつぶれるときに基材表面に対して大きな物理的衝撃力を発生させるので、基材に形成された薄膜の密着力などを確認するのに好適である。プライマー薄膜との結合が弱いフッ素含有シランカップリング剤は、キャビティからの衝撃により基材表面から剥離するので、基材表面における接触角を調べることにより、フッ素含有シランカップリング剤とその下層のプライマー薄膜との密着性を確認することができる。
図４は、５分間の超音波洗浄を行った実施例１〜９の水との接触角の測定結果を示すグラフである。同図の縦軸は，試料上の１０ヶ所の測定位置において測定した接触角の平均値を示す。接触角の測定は、Fibro system社製の携帯式接触角計ＰＧ−Ｘ（モバイル接触角計）を使用して、室温２５℃、湿度３０％の環境にて行った。図示の通り、実施例１〜９の試料については、いずれも１００°以上の接触角を保った。このように、各実施例について、試料表面に撥水性を発揮するために十分な量のフッ素含有シランカップリング剤が残存していることが確認された。
一方、５分間の超音波洗浄を行った比較例１の試料の水との接触角は９５°程度であった。比較例１の試料については、さらに超音波洗浄を３０分間行った後の時点で水との接触角の平均が９１°程度まで低下していることを確認し試験を中止した。９１°の接触角は、「撥水性」と呼べる境界付近の接触角であり、フッ素シランカップリング剤を塗布する前の状態のステンレス鋼基材自体の水との接触角（概ね８０°）に近接している。このように、比較例１については、３０分間程度の短い時間の超音波洗浄により、フッ素含有シランカップリング剤の剥離が発生したことが確認された。
図５は、１２０分間の超音波洗浄を行った実施例１〜３、８〜９の水との接触角の測定結果を示すグラフである。同図の縦軸は，試料上の１０ヶ所の測定位置において測定した接触角の平均値を示す。図示の通り、実施例１〜３、８〜９の試料については、いずれも１００°以上の接触角を保った。このように、実施例１〜３の各試料について、１２０間の超音波洗浄を行った後でも試料表面に撥水性を発揮するために十分な量のフッ素含有シランカップリング剤から成る層が残存していることが確認された。実施例４〜７については、酸素プラズマ又は窒素プラズマの照射により、プライマー薄膜に酸素又は窒素を含むので、フッ素含有シランカップリング剤との結合がより強固であると推定されるため、１２０分間の超音波洗浄後の時点では接触角の測定を行わなかった。以下に示すとおり、２４０分間の超音波洗浄を行った後でも試料４〜７は高い接触角を維持しているため、１２０分間の超音波洗浄後においても当然に高い接触角を維持していたものと考えられる。
図６は、２４０分間の超音波洗浄を行った実施例１〜７の水との接触角の測定結果を示すグラフである。同図の縦軸は，試料上の１０ヶ所の測定位置において測定した接触角の平均値を示す。図示の通り、実施例１〜７の試料については、いずれも９５°以上の接触角を保った。特に、実施例３〜７については、１００°以上の高い接触角が確認できた。このように、実施例１〜７について、試料表面に撥水性を発揮するために十分な量のフッ素含有シランカップリング剤から成る層が残存していることが確認された。以上の実験結果から、実施例１〜９については、基材にフッ素含有シランカップリング剤を強固に固定できることが確認された。
Ｓｉ、Ｔｉ、Ａｌ ２ Ｏ ３ 薄膜の官能基の分析 次に、以下に示す方法で、Ｓｉ、Ｔｉ、Ａｌ２Ｏ３を含むプライマー薄膜の官能基を分析した。まず、１辺が30mm、厚さが1mm、表面粗さRaが0.034μmの矩形形状のステンレス鋼（ＳＵＳ３０４）基材を準備し、この基材を超音波洗浄装置にてイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を使用し15分間超音波洗浄を行った。
Ｓｉを含む薄膜 ステンレス鋼（ＳＵＳ３０４）基材に、実施例１と同様の方法でＳｉの薄膜層を形成した試料を準備した。続いて、アルバック・ファイ株式会社 PHI TRIFT 2 ＴＯＦ−ＳＩＭＳ（Gaイオン ２５kV）を用いて、この試料の表面に存在する水酸基の定性を行った。ネガティブイオンモードで測定した結果、m/z17.003±0.010の範囲にピークが明確に検出され、ＯＨ(水酸基)が存在することが確認できた。
Ｔｉを含む薄膜 ステンレス鋼（ＳＵＳ３０４）基材に、実施例３と同様の方法でＴｉの薄膜層を形成した試料を準備した。続いて、アルバック・ファイ株式会社 PHI TRIFT 2 ＴＯＦ−ＳＩＭＳ（Gaイオン ２５kV）を用いて表面に存在する水酸基の定性を行った。ネガティブイオンモードで測定した結果、m/z17.003±0.010の範囲にピークが明確に検出され、ＯＨ(水酸基)が存在することが確認できた。
Ａｌ ２ Ｏ ３ を含む薄膜 ステンレス鋼（ＳＵＳ３０４）基材に、実施例９と同様の方法でＡｌ２Ｏ３の薄膜層を形成した試料を準備した。その後、フーリエ変換赤外分光法による分析（ＦＴ−ＩＲ分析）で得られた吸収スペクトルから官能基を推定した。測定には、Bruker社製HYPERION3000を用いた。顕微ＡＴＲ法で、高感度反射８波数、３２回の測定を行った結果、３６００〜３３００（ｃｍ−１）付近にＯＨ（水酸基）が形成されていることが確認できた。なお、本発明の一実施形態であるアルミニウム薄膜（実施例８と同様の方法でＡｌの薄膜層）については、アルミニウムの大気と接する表層に酸化アルミニウムの不動態層が自然に形成されるので、上記のＡｌ２Ｏ３と同様水酸基が形成されていると考えられる。
以上により、本発明の一実施形態にかかるプライマー薄膜層には水酸基が形成されていることが確認された。また、当該プライマー薄膜層の水酸基は、フッ素含有しランカップリング剤と縮合反応による−Ｏ−Ｍ結合（ここで、Ｍは、Ｓｉ、Ｔｉ、Ａｌ、及びＺｒから成る群より選択されるいずれかの元素。）を形成するので、本発明におけるプライマー薄膜層には、フッ素含有シランカップリング剤を強固に結合できることが確認できた。
スクリーンマスクを用いた印刷実験 次に、以下に示す方法によって、本発明の一実施形態に係るスクリーン版用メッシュの目開き（開口部）部分が印刷ペーストによって実質的に閉塞されないことを確認した。まず、300mmx300mmに切り出したステンレス鋼製のメッシュ（SS325-16）を３枚準備した。このメッシュは、１インチの幅に325本のステンレス鋼の線材が存在し、該ステンレス鋼の線径が16μmである。次に、予めテトロン製メッシュが貼られた３版の印刷用孔版枠体を準備し、このテトロン製メッシュに、先に準備したメッシュ（SS325-16）をそれぞれ貼り付けた。次に、このメッシュ（SS325-16）のそれぞれに主要成分が概ね酢酸ビニル系エマルジョン１３％、ポリビニルアルコール８％、光重合性樹脂１４％、水６５％の成分で構成される乳剤膜を形成した。乳剤膜厚は概ね２０μm、ステンレス鋼製メッシュ含む乳剤スクリーンの総厚は概ね４８μｍ、ステンレス鋼製メッシュのバイアス角度は３０°となるように形成されている。
次に、この乳剤にフォトリソグラフィ法にて所定の印刷パターンを形成した。具体的には、印刷パターンは、メッシュの中央部に形成された線幅１５００μｍ、長さ約１０ｃｍの直線状のバス電極と、このバス電極と直交する方向に延びる長さ約５ｃｍ、線幅約７０μｍの複数の細線（フィンガー電極線）とから成る櫛形の印刷パターンである。
次に、上述のようにして印刷パターンが形成されたメッシュの一つを、高圧ＤＣパルスプラズマＣＶＤ装置に設置し、実施例１と同様に、純度99.999%、101.6φＸ5ｔ（ｍｍ）のＳｉターゲット（株式会社高純度化学研究所製）を用いて、当該メッシュ（具体的には，乳剤スクリーン版の印刷パターン開口部に露出するメッシュ含む印刷パターン開口部の存在するエリア全体）にＳｉの薄膜層を形成した。具体的には、ＣＶＤ装置を3x10-3Paまで真空減圧した後、流量30SCCM、ガス圧が1.5Paのアルゴンガスを当該ＣＶＤ装置
に導入し、印加電圧-4kVp、パルス周波数10kHz、パルス幅10μsの条件で90秒間アルゴンガスプラズマによるスパッタリングを行った。次に、15分間プラズマ処理を中止して乳剤及びメッシュを冷却した後、再度同条件の下で90秒間アルゴンガスプラズマによるスパッタリングを行い、Ｓｉの薄膜層をメッシュ表面を含むスクリーン版のプリント基板面側の印刷パターン有効エリア全体に堆積させた。このようにしてＳｉの薄膜層が形成されたメッシュ、および乳剤に、フッ素含有シランカップリング剤であるフロロサーフ社のFG-5010Z130-0.2の溶液（フッ素樹脂0.02〜0.2%、フッ素系溶剤99.8〜99.98%）を不織布にて塗布し、２日間、室温にて乾燥させて、実施例１０の試料を得た。
に導入し、印加電圧-4kVp、パルス周波数10kHz、パルス幅10μsの条件で90秒間アルゴンガスプラズマによるスパッタリングを行った。次に、15分間プラズマ処理を中止して乳剤及びメッシュを冷却した後、再度同条件の下で90秒間アルゴンガスプラズマによるスパッタリングを行い、Ｓｉの薄膜層をメッシュ表面を含むスクリーン版のプリント基板面側の印刷パターン有効エリア全体に堆積させた。このようにしてＳｉの薄膜層が形成されたメッシュ、および乳剤に、フッ素含有シランカップリング剤であるフロロサーフ社のFG-5010Z130-0.2の溶液（フッ素樹脂0.02〜0.2%、フッ素系溶剤99.8〜99.98%）を不織布にて塗布し、２日間、室温にて乾燥させて、実施例１０の試料を得た。
次に、印刷パターンが形成された別のメッシュを、高圧ＤＣパルスプラズマＣＶＤ装置に設置し、実施例１０と同様に、純度99.999%、101.6φＸ5ｔ（ｍｍ）のＳｉターゲット（株式会社高純度化学研究所製）を用いて、当該メッシュ（乳剤スクリーン版の印刷パターン開口部に露出するメッシュ含む印刷パターン有効エリア全体）にＳｉの薄膜層を形成した。具体的には、ＣＶＤ装置を3x10-3Paまで真空減圧した後、流量30SCCMのアルゴンガスと流量10SCCMの酸素ガスとの混合ガスを、ガス圧が1.5Paとなるよう調整して当該ＣＶＤ装置に導入し、印加電圧-4kVp、パルス周波数10kHz、パルス幅10μsの条件で90秒間アルゴンガスプラズマによるスパッタリングを行った。次に、15分間プラズマ処理を中止して乳剤及びメッシュを冷却した後、再度同条件の下で90秒間アルゴンガスプラズマによるスパッタリングを行い、酸素雰囲気中でＳｉの薄膜層をメッシュ表面に堆積させた。このようにしてＳｉ酸化物の薄膜層が形成されたメッシュに、フッ素系シランカップリング剤であるフロロサーフ社のFG-5010Z130-0.2の溶液（フッ素樹脂0.02〜0.2%、フッ素系溶剤99.8〜99.98%）を不織布にて塗布し、２日間、室温にて乾燥させて、実施例１１の試料を得た。
印刷パターンが形成された残りのメッシュ（表面処理を行っていない乳剤スクリーン版）を比較例２とした。
次に、実施例１０、１１及び比較例２の乳剤スクリーン版を印刷機にセットし、下記条件で印刷を行なった。 高粘度印刷用ペースト：ナミックス社製Ｘ７３４８Ｓー１７（相当品）、Ａｇペースト粒径φ１μｍ、 スキージ：ウレタンスキージ スキージアタック角度：７０° スキージスピード：１１０ｍｍ／ｓ オフセット量：１ｍｍ スキージ押し込み量：２ｍｍ 被印刷体：東レ株式会社製「ルミラー」ＰＥＴフィルム
印刷終了後、シンナーなどの洗浄液による乳剤パターン開口部の表面洗浄を行わずに実施例１０、１１及び比較例２の各試料について、乳剤スクリーン版の印刷パターン開口部を観察した。この観察結果を図７〜図９に示す。図７は実施例１０の試料表面の写真を示し、図８は実施例１１の試料表面の写真、図９は比較例２の試料表面の写真を示す。図７及び図８においては、印刷パターン開口部が、写真の上部及び下部に黒い横方向の線としてはっきりと確認できるので、印刷ペーストが目詰まりしていないことが分かる。また、メッシュ開口部の目詰まりは確認されなかった。また、被印刷物(ＰＥＴフィルム)には印刷パターンに従って印刷ペーストが転写されていることが確認された。一方、図９においては、印刷パターンの開口部が写真の上部及び下部に灰色の横方向の線として確認できるので、印刷パターン開口部に印刷ペーストが詰まっていることが確認できた。このように、実施例１０及び実施例１１の試料においては、メッシュ表面に本発明の実施形態に係るプライマー薄膜を介してフッ素含有シランカップリング剤により形成されたフッ素樹脂層が強固に定着しており、このフッ素含有シランカップリング剤によるフッ素樹脂層により印刷ペーストの離型性が高められたものと考えられる。一方、比較例２の試料においては、フッ素含有シランカップリング剤によるフッ素樹脂薄膜が形成されていないメッシュの基材が露出した部分に印刷ペーストが貼り付いたものと考えられる。以上により、本発明の一実施形態に係るスクリーン印刷用メッシュ（実施例１０、１１）においては、メッシュの目開きにプライマー薄膜による閉塞も発生しないことが確認できた。
また、実施例１０、１１及び比較例２の各試料について、印刷パタ−ン開口部付近の乳剤表面及び印刷パターン開口部に露出したメッシュの繊維糸をＣＣＤカメラを用いて観察した。この観察結果を図１０〜図１２に示す。図１０及び図１１に示すとおり、実施例１０及び実施例１１の試料表面の乳剤部分及び印刷パターン開口部に露出したメッシュの繊維糸には、印刷用ペーストが固着していないことが確認された。一方、図１２に示すとおり、比較例２の試料表面の乳剤部分及び印刷パターン開口部に露出したメッシュの繊維糸には、印刷用ペーストが固着していることが確認された（この印刷ペーストは、図１２の写真では白く見えている）。以上により、実施例１０及び実施例１１の試料においては、フッ素含有シランカップリング剤は、メッシュだけでなく乳剤部にも本発明におけるプライマー薄膜を介して強固に定着することが確認できた。
図１０〜図１２に示されているように、図１０〜図１２の各図の下方にある印刷パターン開口部に露出したメッシュ繊維糸を観察すると、図１２の比較例２においては、メッシュ繊維糸のほぼ全表面、及びメッシュの開口部（目開き）の一部については、その開口部全てを塞ぐように印刷用ペーストが付着していることが確認できる。つまり、比較例２は、ペーストの離型性が悪いことが確認できる。一方、図１０及び図１１にそれぞれ示されている実施例１０、１１においては、メッシュ繊維糸に残留している印刷用ペーストは僅かであること、メッシュの開口部（目開き）の印刷ペーストによる目詰まりが無いことが確認できる。つまり、実施例１０、１１は、ペーストの離型性に優れていることが確認できた。
次に、以下に示す方法によって、本発明の一実施形態係るドライプロセスによる薄膜プライマー層が予め形成されたメッシュが、印刷用スクリーン版に製版されるにあたり、その後枠体に貼られ乳剤を塗布された後、露光現像により形成された乳剤部の印刷パターン開口部に再度露出した状態での、フッ素含有シランカップリング剤の固定能を確認した。
まず、３００ｍｍ×３００ｍｍの矩形のステンレス鋼製メッシュ（＃５００−１９）を準備した。このメッシュ（＃５００−１９）に、以下のようにして、本発明に係るＳｉを含む非晶質炭素膜より成るプライマー層を成膜した。まず、準備したメッシュ（＃５００−１９）を高圧パルスプラズマＣＶＤ装置に投入し、ＣＶＤ装置の反応容器を1x10-3Paまで真空減圧した。次に、この真空減圧後のＣＶＤ装置に、流量30SCCM、ガス圧２Paでアルゴンガスを導入し、印加電圧-4kV、パルス周波数10kHz、パルス幅10μｓの条件で、アルゴンガスプラズマによりメッシュ（＃５００−１９）をクリーニングした。次に、アルゴンガスを排気した後、当該ＣＶＤ装置に、流量30SCCM、ガス圧２Paでトリメチルシランを導入し、印加電圧-4kV、パルス周波数10kHz、パルス幅10μｓの条件で６分間成膜処理を行った。以上により、メッシュ（＃５００−１９）の表面に、Ｓｉを含む非晶質炭素膜を形成した。
次に、アセチレンガスを排気後、当該ＣＶＤ装置に、流量30SCCM、ガス圧２Paで酸素ガスを導入し、印加電圧-３ｋV、パルス周波数10kHz、パルス幅10μｓの条件で、非晶質炭素膜が形成されたメッシュ（＃５００−１９）に酸素プラズマを３分間照射した。これにより、ケイ素及び、酸素を含有する非晶質炭素膜（ドライプロセスによる薄膜プライマー層）が得られた。
このようにして非晶質炭素膜が形成されたメッシュを、４５０ｍｍ×４５０ｍｍの鉄製鋳物枠体に、ポリエステルメッシュを介して取り付けた。次に、このように枠体に取り付けられた非晶質炭素膜が形成されたメッシュに、乳剤を塗布した。この乳剤は、メッシュ中央部の１５０ｍｍ×１５０ｍｍの矩形の範囲に、厚みが５μｍとなるように塗布された。この乳剤の主成分の組成比は、概ね、酢酸ビニル系エマルジョン１３％、ポリビニルアルコール８％、光重合性樹脂１４％、水６５％とした。次に、公知のフォトリソグラフィー法により、メッシュ上に形成された乳剤に露光現像し、前記乳剤の塗布された矩形の範囲（１５０ｍｍ×１５０ｍｍ）の概ね中央部分に、３０ｍｍ×３０ｍｍの矩形の印刷パターン開口部を形成した。
次に、メッシュのうち印刷パターン開口部に露出している部分にフッ素含有シランカップリング剤を不織布（株式会社旭化成製のＢＥＭＣＯＴ ＣＬＥＡＮ ＷＩＰＥ−Ｐ）に含ませて手塗り塗布した。フッ素含有シランカップリング剤として、フロロサーフ社のＦＧ−５０１０Ｚ１３０−0.2の溶液（フッ素樹脂0.02〜0.2％、フッ素系溶剤99.8%〜99.98%）を用いた。その後、フッ素含有シランカップリング剤が塗布されたメッシュを、室温、湿度約50%にて１８０分間乾燥させた。その後、同様の手順で、メッシュのうち印刷パターン開口部に露出している部分に、同じフッ素含有シランカップリング剤を再度塗布し、同条件で１８０分間乾燥させた。このようにして、乳剤スクリーン版の完成体を得た。
次に、乳剤スクリーン版の完成体から、フッ素含有シランカップリング剤が塗布されたメッシュをカッターナイフで切り出した。次に、この切り出されたメッシュを、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を満たした超音波洗浄装置に投入し、５分間超音波洗浄した。この超音波洗浄により、メッシュに固定されていない余剰のフッ素含有カップリング剤を除去した。超音波洗浄は、株式会社エスエヌディ製の商品名ＵＳ−２０ＫＳ（発振３８ｋＨｚ（ＢＬＴ 自励発振）、高周波出力４８０Ｗ）を使用して行った。
このようにして準備されたフッ素含有シランカップリング剤が塗布されたメッシュの油（ミネラルスピリット）との接触角を、当該メッシュを空間中に浮かせて保持し、当該メッシュ上の異なる１０点で測定した。接触角測定は、Fibro system社製の携帯式接触角計ＰＧ−Ｘ（モバイル接触角計）を使用して、室温２５℃、湿度３０％の環境にて行った。測定された接触角の平均値は７８°であり、測定されたメッシュの表面は撥水撥油性を有することが確認された。なお、同様の条件で接触角を測定した未処理のステンレス鋼製メッシュ（＃５００−１９）の油（ミネラルスピリット）との接触角は２７°程度である。これにより、超音波洗浄後においても上記のメッシュの表面には、フッ素含有シランカップリング剤が固定されることが確認された。
このように、本発明の一実施形態に従ってＳｉ及び酸素を含有する非晶質炭素膜から成るプライマー層を有するメッシュには、フッ素含有カップリング剤が定着性良く形成されることが確認できた。
１０：スクリーン版 １２：枠体 １４：乳剤 １６：メッシュ １８：印刷パターン開口部 ２０：コーティング薄膜 ３０：電子部品搬送装置 ３２：吸着コレット ３４：多孔性シート３４
Claims (20)
- 基材と、 ケイ素、チタン、アルミニウム、酸化アルミニウム，又はジルコニウムから成る群より選択される少なくとも一つの物質を含み、該基材表面の一部又は全部にドライプロセスにより形成されるプライマー薄膜と、 を備える構造体。
- 前記プライマー薄膜が、さらに酸素又は窒素を含む請求項１に記載の構造体。
- 前記プライマー薄膜がＳｉ酸化物、Ｔｉ酸化物、又はＺｒ酸化物を含む請求項１に記載の構造体。
- 前記ドライプロセスは、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、ＣＶＤ法、真空蒸着法、ＭＢＥ法、クラスターイオンビーム法、高周波イオンプレーティング法、及びこれらを組み合わせから成る群より選択される一つのプロセスである請求項１に記載の構造体。
- 前記基材表面のうち前記プライマー薄膜が形成されていない位置に、実質的に炭素のみから成る非晶質炭素膜又は実質的に炭素及び水素のみから成る非晶質炭素膜が形成された、請求項１に記載の構造体。
- 前記基材が、印刷パターンに対応する開口部が形成された印刷用孔版である請求項１に記載の構造体。
- 前記基材が、メッシュ本体である請求項１に記載の構造体。
- 前記基材が、印刷用孔版に用いられるメッシュ本体である請求項１に記載の構造体。
- 前記基材が、印刷用孔版の印刷パターン開口部が形成された印刷パターン保持部である請求項１に記載の構造体。
- 前記基材が、多孔質シート本体である請求項１に記載の構造体。
- 印刷用メッシュ本体と、 前記印刷用メッシュ本体に直接又は間接にドライプロセスにより形成され、ケイ素、チタン、アルミニウム、酸化アルミニウム，又はジルコニウムから成る群より選択される少なくとも一つの物質を含むプライマー薄膜と、 前記プライマー薄膜に形成された撥水性及び／又は撥水・撥油性を有するコーティング層と、 を備える印刷用孔版。
- 前記プライマー薄膜が、さらに酸素又は窒素を含む請求項１１に記載の印刷用孔版。
- 前記プライマー薄膜がＳｉ酸化物、Ｔｉ酸化物、又はＺｒ酸化物を含む請求項１１に記載の印刷用孔版。
- 前記コーティング層が、フッ素含有カップリング剤から成る請求項１１に記載の印刷用孔版。
- 前記コーティング層が、フッ素含有シランカップリング剤から成る請求項１１に記載の印刷用孔版。
- 前記コーティング層が、 前記プライマー薄膜と水素結合及び／又は縮合反応による−Ｏ−Ｍ結合（ここで、Ｍは、Ｓｉ、Ｔｉ、Ａｌ、及びＺｒから成る群より選択されるいずれかの元素。）を形成可能なカップリング剤を主成分とし、前記プライマー薄膜に形成された第１層と、 撥水材料又は撥水・撥油性材料を主成分とし、前記第１層に形成された第２層と、 を備える、 請求項１１に記載の印刷用孔版。
- 前記カップリング剤が、シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミネート系カップリング剤、及びジルコネート系カップリング剤から成る群より選択されるカップリング剤である、 請求項１１に記載の印刷用孔版。
- 前記印刷用メッシュ本体に形成された乳剤層をさらに備え、 前記プライマー薄膜が前記乳剤層に形成された、 請求項１１に記載の印刷用孔版。
- 基材を準備する工程と、 前記基材に、ケイ素、チタン、アルミニウム、酸化アルミニウム，又はジルコニウムから成る群より選択される少なくとも一つの元素を含む薄膜をドライプロセスにより直接又は間接に形成する工程と、 を備える構造体の製造方法。
- 前記薄膜が、窒素もしくは酸素、又は、窒素と酸素との混合ガスを用いてプラズマ処理する工程をさらに備える請求項１９に記載の構造体の製造方法。
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011174908 | 2011-08-10 | ||
| JP2011174908 | 2011-08-10 | ||
| JP2012029090 | 2012-02-14 | ||
| JP2012029090 | 2012-02-14 | ||
| PCT/JP2012/070529 WO2013022097A1 (ja) | 2011-08-10 | 2012-08-10 | プライマー薄膜を含む構造体及び該構造体の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017065374A Division JP2017179606A (ja) | 2011-08-10 | 2017-03-29 | プライマー薄膜を含む構造体及び該構造体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2013022097A1 true JPWO2013022097A1 (ja) | 2015-03-05 |
| JP6121326B2 JP6121326B2 (ja) | 2017-04-26 |
Family
ID=47668599
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013528084A Active JP6121326B2 (ja) | 2011-08-10 | 2012-08-10 | プライマー薄膜を含む印刷用孔版及び該印刷用孔版の製造方法 |
| JP2017065374A Withdrawn JP2017179606A (ja) | 2011-08-10 | 2017-03-29 | プライマー薄膜を含む構造体及び該構造体の製造方法 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017065374A Withdrawn JP2017179606A (ja) | 2011-08-10 | 2017-03-29 | プライマー薄膜を含む構造体及び該構造体の製造方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US9469097B2 (ja) |
| EP (1) | EP2743092A4 (ja) |
| JP (2) | JP6121326B2 (ja) |
| KR (1) | KR20140006981A (ja) |
| CN (1) | CN103717403B (ja) |
| TW (1) | TWI532537B (ja) |
| WO (1) | WO2013022097A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW201510666A (zh) * | 2013-05-20 | 2015-03-16 | Taiyo Chemical Industry Co Ltd | 經改善潤溼性之表面改質處理之構造體及印刷用孔版、與製造彼等之方法 |
| JPWO2015115399A1 (ja) * | 2014-01-28 | 2017-03-23 | 太陽誘電ケミカルテクノロジー株式会社 | 炭素膜を備える構造体及び炭素膜を形成する方法 |
| US9613908B2 (en) * | 2014-12-15 | 2017-04-04 | Applied Materials, Inc. | Ultra-thin dielectric diffusion barrier and etch stop layer for advanced interconnect applications |
| JP2017013330A (ja) * | 2015-06-30 | 2017-01-19 | 太陽誘電ケミカルテクノロジー株式会社 | 印刷用孔版及びその製造方法 |
| JP6213934B1 (ja) * | 2016-06-27 | 2017-10-18 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | スクリーンメッシュ |
| US10584039B2 (en) * | 2017-11-30 | 2020-03-10 | L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Titanium-containing film forming compositions for vapor deposition of titanium-containing films |
| DE102020122181A1 (de) | 2020-08-25 | 2022-03-03 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung eingetragener Verein | Druckform zur Herstellung einer Struktur eines elektronischen Bauelementes, insbesondere einer photovoltaischen Solarzelle und Verfahren zur Herstellung solch einer Druckform |
| CN112662997B (zh) * | 2020-12-18 | 2023-03-10 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 一种超疏水耐磨涂层及其制备方法与应用 |
Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6377787A (ja) * | 1986-09-15 | 1988-04-07 | インタ−ナショナル・ビジネス・マシ−ンズ・コ−ポレ−ション | プリント配線板製造用マスク及びその製造方法 |
| JPH09315024A (ja) * | 1996-05-24 | 1997-12-09 | Fuji Photo Film Co Ltd | 湿し水不要平版印刷原版 |
| JPH11348172A (ja) * | 1998-06-09 | 1999-12-21 | Dainippon Printing Co Ltd | 光触媒フィルム及びその製造方法 |
| JP2000192227A (ja) * | 1986-12-29 | 2000-07-11 | Ppg Ind Ohio Inc | 多層低輻射率被覆生成物の製法 |
| JP2002067267A (ja) * | 2000-08-24 | 2002-03-05 | Citizen Watch Co Ltd | スクリーン印刷機およびそれに用いる印刷マスクの製造方法 |
| JP2003019874A (ja) * | 2001-07-10 | 2003-01-21 | Suzutora:Kk | 印刷用スクリーン紗 |
| JP2003019875A (ja) * | 2001-07-10 | 2003-01-21 | Suzutora:Kk | 印刷用スクリーン紗 |
| JP2005144973A (ja) * | 2003-11-19 | 2005-06-09 | Process Lab Micron:Kk | 孔版印刷用のマスク |
| WO2008133263A1 (ja) * | 2007-04-25 | 2008-11-06 | Think Laboratory Co., Ltd. | 円筒状スクリーン版及びその製造方法 |
| JP2010137543A (ja) * | 2008-11-12 | 2010-06-24 | Tocalo Co Ltd | 印刷機用ロール及びその製造方法 |
| JP2010191144A (ja) * | 2009-02-18 | 2010-09-02 | Toppan Printing Co Ltd | 反射防止フィルム |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5230851B2 (ja) * | 1974-10-11 | 1977-08-11 | ||
| US4898790A (en) | 1986-12-29 | 1990-02-06 | Ppg Industries, Inc. | Low emissivity film for high temperature processing |
| US5059295A (en) | 1986-12-29 | 1991-10-22 | Ppg Industries, Inc. | Method of making low emissivity window |
| US5028759A (en) | 1988-04-01 | 1991-07-02 | Ppg Industries, Inc. | Low emissivity film for a heated windshield |
| US5270517A (en) | 1986-12-29 | 1993-12-14 | Ppg Industries, Inc. | Method for fabricating an electrically heatable coated transparency |
| US4806220A (en) | 1986-12-29 | 1989-02-21 | Ppg Industries, Inc. | Method of making low emissivity film for high temperature processing |
| NL8701176A (nl) * | 1987-05-15 | 1988-12-01 | Stork Screens Bv | Dessineerdeklaag voor een metalen zeefdruksjabloon; zeefdruksjabloon voorzien van een dessineerdeklaag en werkwijze voor het aanbrengen van een dessineerpatroon in een deklaag welke aanwezig is op een metalen zeefdruksjabloon. |
| US4803100A (en) | 1987-10-21 | 1989-02-07 | International Business Machines Corporation | Suspension and use thereof |
| NL9302238A (nl) * | 1993-12-22 | 1995-07-17 | Stork Screens Bv | Metallisch zeefmateriaal met draad- of vezelstruktuur en werkwijze voor de vervaardiging van een dergelijk materiaal. |
| DE19738874A1 (de) * | 1996-09-13 | 1998-04-23 | Sefar Ag | Verfahren zum Herstellen einer Gewebebahn, insbesondere für eine Siebdruckform, sowie Gewebe, insbesondere Siebdruckgewebe |
| DE19738879A1 (de) * | 1996-09-13 | 1998-04-30 | Sefar Ag | Siebdruckform und Vorrichtung dafür |
| JPH11245371A (ja) * | 1998-02-27 | 1999-09-14 | Sanyo Electric Co Ltd | マスク、及びスキージ |
| US6555858B1 (en) * | 2000-11-15 | 2003-04-29 | Motorola, Inc. | Self-aligned magnetic clad write line and its method of formation |
| KR100389034B1 (ko) * | 2000-11-30 | 2003-06-25 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 상하층 접속 형성 방법 및 그 방법에 의해형성된 반도체 장치 |
| GB0226910D0 (en) * | 2002-11-18 | 2002-12-24 | Gr Advanced Materials Ltd | Stencil master |
| JP2005133166A (ja) * | 2003-10-31 | 2005-05-26 | Tdk Corp | パターン転写用スタンパ及びその製造方法 |
| JP2006347062A (ja) | 2005-06-17 | 2006-12-28 | Fluoro Technology:Kk | スクリーン印刷版の版膜面処理剤 |
| US7413982B2 (en) * | 2006-03-29 | 2008-08-19 | Eastman Kodak Company | Process for atomic layer deposition |
| JP5187924B2 (ja) | 2007-08-21 | 2013-04-24 | 株式会社フロロテクノロジー | スクリーン印刷版の版面処理剤 |
| KR101659390B1 (ko) * | 2008-06-11 | 2016-09-26 | 토요잉크Sc홀딩스주식회사 | 레이저 제판용 수지 스크린 인쇄판 및 그 제조 방법, 그리고 수지 스크린 인쇄판 및 그 제조 방법 |
| JP2011014582A (ja) | 2009-06-30 | 2011-01-20 | Tesetsuku:Kk | 電子部品用搬送装置 |
-
2012
- 2012-08-10 WO PCT/JP2012/070529 patent/WO2013022097A1/ja active Application Filing
- 2012-08-10 JP JP2013528084A patent/JP6121326B2/ja active Active
- 2012-08-10 EP EP12821458.2A patent/EP2743092A4/en not_active Withdrawn
- 2012-08-10 US US14/237,830 patent/US9469097B2/en active Active
- 2012-08-10 KR KR1020137029854A patent/KR20140006981A/ko active Search and Examination
- 2012-08-10 TW TW101129150A patent/TWI532537B/zh active
- 2012-08-10 CN CN201280038856.7A patent/CN103717403B/zh active Active
-
2016
- 2016-08-25 US US15/247,216 patent/US20160361942A1/en not_active Abandoned
-
2017
- 2017-03-29 JP JP2017065374A patent/JP2017179606A/ja not_active Withdrawn
Patent Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6377787A (ja) * | 1986-09-15 | 1988-04-07 | インタ−ナショナル・ビジネス・マシ−ンズ・コ−ポレ−ション | プリント配線板製造用マスク及びその製造方法 |
| JP2000192227A (ja) * | 1986-12-29 | 2000-07-11 | Ppg Ind Ohio Inc | 多層低輻射率被覆生成物の製法 |
| JPH09315024A (ja) * | 1996-05-24 | 1997-12-09 | Fuji Photo Film Co Ltd | 湿し水不要平版印刷原版 |
| JPH11348172A (ja) * | 1998-06-09 | 1999-12-21 | Dainippon Printing Co Ltd | 光触媒フィルム及びその製造方法 |
| JP2002067267A (ja) * | 2000-08-24 | 2002-03-05 | Citizen Watch Co Ltd | スクリーン印刷機およびそれに用いる印刷マスクの製造方法 |
| JP2003019874A (ja) * | 2001-07-10 | 2003-01-21 | Suzutora:Kk | 印刷用スクリーン紗 |
| JP2003019875A (ja) * | 2001-07-10 | 2003-01-21 | Suzutora:Kk | 印刷用スクリーン紗 |
| JP2005144973A (ja) * | 2003-11-19 | 2005-06-09 | Process Lab Micron:Kk | 孔版印刷用のマスク |
| WO2008133263A1 (ja) * | 2007-04-25 | 2008-11-06 | Think Laboratory Co., Ltd. | 円筒状スクリーン版及びその製造方法 |
| JP2010137543A (ja) * | 2008-11-12 | 2010-06-24 | Tocalo Co Ltd | 印刷機用ロール及びその製造方法 |
| JP2010191144A (ja) * | 2009-02-18 | 2010-09-02 | Toppan Printing Co Ltd | 反射防止フィルム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201306955A (zh) | 2013-02-16 |
| JP2017179606A (ja) | 2017-10-05 |
| TWI532537B (zh) | 2016-05-11 |
| KR20140006981A (ko) | 2014-01-16 |
| US9469097B2 (en) | 2016-10-18 |
| US20140208968A1 (en) | 2014-07-31 |
| CN103717403A (zh) | 2014-04-09 |
| US20160361942A1 (en) | 2016-12-15 |
| CN103717403B (zh) | 2016-08-31 |
| JP6121326B2 (ja) | 2017-04-26 |
| EP2743092A1 (en) | 2014-06-18 |
| EP2743092A4 (en) | 2015-04-01 |
| WO2013022097A1 (ja) | 2013-02-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6121326B2 (ja) | プライマー薄膜を含む印刷用孔版及び該印刷用孔版の製造方法 | |
| JP5802752B2 (ja) | プライマー組成物、該組成物から成るプライマー層を含む構造体、及び該構造体の製造方法 | |
| US9186879B2 (en) | Screen-printing stencil having amorphous carbon films and manufacturing method therefor | |
| JP6412547B2 (ja) | 濡れ性を良くする表面改質処理がなされた構造体及び印刷用孔版、これらを製造する方法 | |
| TWI511801B (zh) | 將撥水撥油層固定於非晶質碳膜層之方法及以該方法形成之積層體 | |
| JP2016501988A (ja) | 耐食皮膜を用意する方法 | |
| US20150314588A1 (en) | Mesh structure and method for manufacturing the same | |
| CN110747449B (zh) | 一种用于电子屏幕的自洁疏水膜层的制备方法 | |
| JP6125210B2 (ja) | 工作物を収容可能なメッシュ構造体 | |
| JP6309748B2 (ja) | 非晶質炭素膜を備える電気接続部材搭載用マスク及びその製造方法並びに該電気接続部材搭載用マスクを使用した電気接続部材搭載方法 | |
| JP2014077163A (ja) | アモルファスカーボン膜被覆部材 | |
| JP2017039320A (ja) | 有機高分子層が設けられた印刷用孔版及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150803 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150803 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160802 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161003 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161206 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170106 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170228 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170329 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6121326 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |