JPWO2013015157A1 - 基板製造装置及び基板製造方法 - Google Patents

Abstract

第１の塗布ステーションにおいて、下地基板の片面に、液状の薄膜材料が塗布され、下地基板に塗布された薄膜材料に光を照射して薄膜材料の表層部が硬化される。第１の塗布ステーションで薄膜材料が塗布された下地基板が反転ステーションに搬入される。反転ステーションで、下地基板に塗布された薄膜材料に光を照射して薄膜材料の内部まで硬化させるとともに、下地基板の裏表を反転させる。搬送装置が、第１の塗布ステーションと反転ステーションとの間で下地基板を搬送する。制御装置が、第１の塗布ステーション、反転ステーション、及び搬送装置を制御する。制御装置は、搬送装置を制御して、第１の塗布ステーションで処理された下地基板を反転ステーションに搬送する。

Description

本発明は、薄膜材料の液滴を吐出して下地基板上に薄膜を形成する基板製造装置に関する。

プリント配線板等の下地基板の表面に、薄膜パターン形成用の材料（薄膜材料）の液滴をノズル孔から吐出して、下地基板上に薄膜パターンを形成する技術が知られている。薄膜パターンは、例えば、ソルダーレジストのパターンである。

コンピュータグラフィックスの画像情報をもとに、基板上に直接、液状樹脂を吹き付け、パターン形成を行う液状樹脂噴射装置が開示されている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に記載の液状樹脂噴射装置により、薄膜パターンを容易に形成することができる。また、フォトリソグラフィーでパターン形成を行う場合に比べ、プロセスの短時間化及び生産コストの削減を実現することができる。

特許第３５４４５４３号公報

下地基板の両面に、より簡便に薄膜パターンを形成することが可能な技術が望まれる。本発明の目的は、簡易な構成で下地基板の両面に薄膜パターンを形成することが可能な基板製造装置を提供することである。

本発明の一観点によると、
下地基板の片面に、液状の薄膜材料を塗布し、前記下地基板に塗布された薄膜材料に光を照射して薄膜材料の表層部を硬化させる第１の塗布ステーションと、
前記第１の塗布ステーションで薄膜材料が塗布された下地基板が搬入され、下地基板に塗布された薄膜材料に光を照射して薄膜材料の内部まで硬化させるとともに、前記下地基板の裏表を反転させる反転ステーションと、
前記第１の塗布ステーションと前記反転ステーションとの間で下地基板を搬送する搬送装置と、
前記第１の塗布ステーション、前記反転ステーション、及び前記搬送装置を制御する制御装置と
を有し、
前記制御装置は、前記搬送装置を制御して、前記第１の塗布ステーションで処理された下地基板を前記反転ステーションに搬送する基板製造装置が提供される。

本発明の他の観点によると、
下地基板を第１の塗布ステーションに搬入し、前記第１の塗布ステーションにおいて、前記下地基板の第１の面に、液状の薄膜材料を塗布して、前記下地基板に塗布された薄膜材料の表層部を硬化させる工程と、
前記第１の塗布ステーションから前記下地基板を取り出して本硬化部に搬入し、前記本硬化部において、前記下地基板の前記第１の面に塗布された薄膜材料を、その内部まで硬化させる工程と、
前記下地基板を、前記本硬化部から反転部まで搬送し、前記反転部において、前記下地基板の裏表を反転させる工程と、
前記反転部から前記下地基板を取り出し、前記下地基板の上下が反転した状態で、前記下地基板を前記第１の塗布ステーションまで搬送し、前記第１の塗布ステーションにおいて、前記下地基板の第１の面とは反対側の第２の面に、液状の薄膜材料を塗布して、前記下地基板の前記第２の面に塗布された薄膜材料の表層部を硬化させる工程と、
前記下地基板を、前記第１の塗布ステーションから前記本硬化部まで搬送し、前記本硬化部において、前記下地基板の前記第２の面に塗布された薄膜材料を、その内部まで硬化させる工程と
を有する基板製造方法が提供される。

反転ステーションで、片面に薄膜パターンが形成された下地基板の裏表を反転させることにより、もう一方の面に、容易に薄膜パターンを形成することが可能になる。

図１は、実施例１による基板製造装置を示す概略図である。 図２Ａは、アライメントステーションに備えられたアライメント装置の概略図であり、図２Ｂ及び図２Ｃは、アライメントステーション内の下地基板を示す平面図である。 図３Ａ及び図３Ｂは、塗布ステーションに備えられた液滴吐出装置の概略図である。 図４Ａは、ノズルユニットを示す概略図であり、図４Ｂは、ノズルユニットの液滴吐出面を示す底面図であり、図４Ｃは、ノズルユニットの配置を示す概略的な平面図である。 図５Ａ〜図５Ｄは、反転ステーションに備えられた基板反転装置及び紫外線照射装置の概略図である。 図６Ａ、図６Ｃ、及び図６Ｅは、基板保持器の概略的な平面図であり、図６Ｂ、図６Ｄ、及び図６Ｆは、基板保持器の概略的な側面図である。 図７は、実施例２による基板製造装置の概略図である。 図８は、実施例３による基板製造装置の概略図である。 図９は、実施例４による基板製造装置の概略図である。 図１０は、実施例５による基板製造装置の概略図である。 図１１は、実施例６による基板製造装置の概略図である。 図１２Ａ〜図１２Ｅは、実施例７による基板製造装置の反転ステーションの概略図である。 図１３Ａ〜図１３Ｄは、実施例８による基板製造装置の反転ステーションの概略図である。 図１４は、実施例９による基板製造装置の塗布ステーションの概略平面図である。 図１５Ａ〜図１５Ｄは、実施例９による塗布ステーションで薄膜パターンを形成する手順を説明するための塗布ステーション内の概略平面図である。 図１５Ｅ〜図１５Ｈは、実施例９による塗布ステーションで薄膜パターンを形成する手順を説明するための塗布ステーション内の概略平面図である。 図１６Ａ〜図１６Ｃは、実施例１０による基板製造装置の反転ステーションの概略図である。 図１６Ｄ〜図１６Ｆは、実施例１０による基板製造装置の反転ステーションの概略図である。 図１７は、実施例１１による基板製造装置の概略図である。 図１８Ａ〜図１８Ｃは、実施例１１による基板製造装置で基板の処理を行うときの処理手順を説明するための概略図である。 図１８Ｄ〜図１８Ｅは、実施例１１による基板製造装置で基板の処理を行うときの処理手順を説明するための概略図である。 図１８Ｆ〜図１８Ｇは、実施例１１による基板製造装置で基板の処理を行うときの処理手順を説明するための概略図である。 図１９Ａは、実施例１２による基板製造装置の概略図であり、図１９Ｂは、一時蓄積装置の概略側面図である。 図２０Ａ〜図２０Ｃは、実施例１２による基板製造装置で基板の処理を行うときの処理手順を説明するための概略図である。 図２０Ｄ〜図２０Ｅは、実施例１２による基板製造装置で基板の処理を行うときの処理手順を説明するための概略図である。 図２１は、実施例１３による基板製造装置の概略図である。 図２２Ａ、図２２Ｂ、及び図２２Ｃは、それぞれ２段目の塗布ステーションが故障している場合の基板の経路の第１、第２、及び第３の例を示す概略図である。 図２３Ａ、図２３Ｂ、及び図２３Ｃは、それぞれ１段目の塗布ステーションが故障している場合の基板の経路の第１、第２、及び第３の例を示す概略図である。 図２４Ａ〜図２４Ｂは、実施例１４による基板製造装置で基板の処理を行うときの処理手順を説明するための概略図である。 図２４Ｃ〜図２４Ｄは、実施例１４による基板製造装置で基板の処理を行うときの処理手順を説明するための概略図である。 図２５は、実施例１５による基板製造装置の概略図である。 図２６は、実施例１５の変形例による基板製造装置の概略図である。

［実施例１］
図１に、実施例１による基板製造装置の概略図を示す。実施例１による基板製造装置は、筐体１８の内部に配置されたアライメントステーション２、塗布ステーション３、反転ステーション４、アライメントステーション５、塗布ステーション６、紫外線照射装置８、９、及び、リフタ１１〜１４を含む。基板製造装置の筐体１８に、基板の搬出入口１及び７が設けられている。実施例１による基板製造装置は、例えば矩形状のプリント配線板である下地基板２１〜２７の両面（第１の面と第２の面）に、ソルダーレジストの薄膜パターンを形成するために用いられる。本明細書において、薄膜パターンが形成されていない下地基板を単に「基板」という場合がある。

基板製造装置は、コンベア１５、１６、及び制御装置２０を含む。コンベア１５は、基板２１〜２７を、筐体１８の外部から内部に搬入する。リフタ１１〜１４が、筐体１８内のステーションの間で、基板２１〜２７を搬送する。コンベア１６は、筐体１８の内部から外部に基板２１〜２７を搬出する。実施例１による基板製造装置の通常運転時においては、基板搬出入口１から基板が搬入され、基板搬出入口７から、基板が搬出される。筐体１８内の各装置の動作及びコンベア１５、１６の動作は、制御装置２０によって制御される。制御装置２０は記憶装置２０ａを含む。

基板２１〜２７は、コンベア１５に載せられて、搬出入口１を通って筐体１８内に搬入される。このとき、基板２１〜２７の第１の面が、図の上方（Ｚ軸の正方向）を向いている。

鉛直上方をＺ軸の正方向とするＸＹＺ直交座標系を定義する。以下の説明において、アライメントステーション２から塗布ステーション６までの５つのステーションは、順にＸ軸の正方向に向かって配置されている。搬出入口１から筐体１８内に搬入された基板２１〜２７は、各ステーション２〜６を経由して、全体としてＸ軸の正方向に向かって搬送され、搬出入口７から筐体１８の外部へ搬出される。

まず、実施例１による基板製造装置の通常運転時の動作について説明する。筐体１８の内部に導入された基板２１〜２７は、リフタ１１によって、アライメントステーション２に搬送される。アライメントステーション２においては、基板２１〜２７の表面に形成されたアライメントマークが検出され、検出結果に基づいて、基板２１〜２７のアライメント（位置合わせ）が行われる。

アライメントが行われた基板２１〜２７は、リフタ１１によって、塗布ステーション３に搬送される。塗布ステーション３において、基板２１〜２７の第１の面にソルダーレジストの薄膜パターンが形成される。塗布ステーション３で形成された薄膜パターンは、その表層部のみが硬化した状態であり、薄膜パターンの内部は液状のままである。表層部のみが硬化する現象を「仮硬化」といい、内部まで硬化する現象を「本硬化」ということとする。

第１の面に薄膜パターンが形成された基板２１〜２７は、リフタ１２により、塗布ステーション３から反転ステーション４に搬送される。反転ステーション４において、基板２１〜２７の表裏が反転される。この結果、基板２１〜２７の第２の面が、Ｚ軸の正方向を向くことになる。また、反転ステーション４において、基板２１〜２７の第１の面に形成された薄膜パターンの本硬化が行われる。

表裏が反転され、かつ第１の面の薄膜パターンが本硬化された基板２１〜２７は、リフタ１３で、反転ステーション４から２番目のアライメントステーション５に搬送される。２番目のアライメントステーション５においては、基板２１〜２７の第２の面に形成されたアライメントマークが検出され、検出結果に基づいて、基板２１〜２７のアライメントが行われる。

基板２１〜２７は、リフタ１３によって、アライメントステーション５から２番目の塗布ステーション６に搬送される。２番目の塗布ステーション６において、基板２１〜２７の第２の面にソルダーレジストの薄膜パターンが形成される。

第２の面に薄膜パターンが形成された基板２１〜２７は、リフタ１４によって、塗布ステーション６からコンベア１６に搬送される。コンベア１６は、基板２１〜２７を、搬出入口７から筐体１８の外部へ搬出する。基板２１〜２７がコンベア１６の上に載せられた状態で、紫外線照射装置９により、基板２１〜２７の第２の面の全体に紫外線が照射される。紫外線照射により、基板２１〜２７の第２の面に形成された薄膜パターンが本硬化する。紫外線照射装置９は、コンベア１６の上に載せられた基板２１〜２７の上方を通過するように、筐体１８内を移動する。紫外線照射装置９が基板２１〜２７の上方を通過するときに、基板２１〜２７の第２の面に紫外線を照射する。または、紫外線照射装置９を筐体１８内に固定し、基板２１〜２７がコンベア１６に載せられて、紫外線照射装置９の下方を通過するときに、紫外線照射装置９から基板２１〜２７に紫外線が照射される構成としてもよい。基板２１〜２７への紫外線の照射は、制御装置２０によって制御される。

実施例１による基板製造装置においては、アライメントステーション２、塗布ステーション３、反転ステーション４、アライメントステーション５、塗布ステーション６の各ステーションで、処理が並行して行われる。例えば、アライメントステーション２で、基板２２の第１の面に形成されたアライメントマークの検出、及び基板２２のアライメントが行われている期間に、塗布ステーション３において、他の基板２３の第１の面に薄膜パターンが形成される。この間、反転ステーション４では、他の基板２４の第１の面に形成された薄膜パターンの本硬化と、基板２４の表裏の反転が行われ、アライメントステーション５では、他の基板２５の第２の面に形成されたアライメントマークの検出、及び基板２５のアライメントが行われる。塗布ステーション６においては、他の基板２６の第２の面に薄膜パターンが形成される。なお、この間に、コンベア１５は、薄膜パターン未形成の他の基板２１を筐体１８内に搬入し、コンベア１６は、薄膜パターンが両面に形成された基板２７を、筐体１８から搬出する。このように、処理が並行して行われるため、生産効率の向上を実現することができる。

図２Ａ〜図２Ｃを参照して、アライメントステーション２について説明する。図２Ａは、アライメントステーション２に備えられたアライメント装置の概略図を示す。アライメント装置は、ベース（基台）３１の上に、ベース３１側から順に配置されるＹステージ３２、θステージ３３、チャックプレート３４を含む。チャックプレート３４は、リフタ１１（図１）によって、アライメントステーション２に搬送された基板２２を吸着保持する。

Ｙステージ３２は、θステージ３３及びチャックプレート３４と共に、基板２２をＹ軸方向に移動させる。θステージ３３は、Ｚ軸に平行な軸を回転中心として、チャックプレート３４と共に基板２２を回転させる。本明細書において、Ｙステージ３２、θステージ３３、及びチャックプレート３４をまとめて「移動ステージ」という。チャックプレート３４による基板２２の吸着、Ｙステージ３２及びθステージ３３による基板２２の移動は、制御装置２０によって制御される。

アライメント装置は、ＣＣＤカメラ３５〜３８を含む。ＣＣＤカメラ３５〜３８は、チャックプレート３４に保持された基板２２の表面に形成されているアライメントマークを撮像する。ＣＣＤカメラ３５〜３８による撮像は、制御装置２０によって制御される。また、ＣＣＤカメラ３５〜３８によって得られた画像データ（検出結果）は、制御装置２０に送信される。

図２Ｂは、アライメントステーション２に備えられた移動ステージ、及びチャックプレート３４に吸着保持された基板２２の平面図を示す。基板２２の第１の面に、アライメントマーク２２ａ〜２２ｄが形成されている。アライメントマーク２２ａ〜２２ｄは、例えばそれぞれ四隅の近傍に配置されている。

リフタ１１によってチャックプレート３４の上まで搬送された基板２２は、チャックプレート３４に吸着保持される。チャックプレート３４に保持された基板２２は、Ｙステージ３２により、アライメントステーション２内をＹ軸の負の方向に移動される。図２Ｂにおいては、移動された後のチャックプレート３４及び基板２２を括弧内に示した。

ＣＣＤカメラ３５〜３８は、リフタ１１から基板２２を受け取るときのチャックプレート３４の位置よりも、Ｙ軸の負の側に配置されている。また、ＣＣＤカメラ３５〜３８は、それぞれアライメントマーク２２ａ〜２２ｄを同時に撮像可能なように相対位置関係を有する。基板２２は、Ｙステージ３２によってＣＣＤカメラ３５〜３８の下方に移動され、ＣＣＤカメラ３５〜３８が、それぞれ基板２２の第１の面に形成されたアライメントマーク２２ａ〜２２ｄを撮像する。撮像された画像データが、制御装置２０に送信される。

制御装置２０は、ＣＣＤカメラ３５〜３８によって取得された画像データを解析し、基板２２の位置、及び、Ｚ軸に平行な軸を回転中心とした回転方向の位置（姿勢）を算出する。その後、基板２２の回転方向の位置を補正する。回転方向の位置の補正を「θ補正」という。

図２Ｂには、一例として、基板２２に、ＸＹ平面の回転方向に関して、目標位置から反時計回りに角度αだけ位置ずれが生じている場合を示した。この場合、アライメントマーク２２ａに対応する頂点と、アライメントマーク２２ｄに対応する頂点とを結ぶ辺は、後者の頂点を基準として、Ｘ軸の正方向から反時計回りに角度αだけ傾いていることになる。この位置ずれは、ＣＣＤカメラ３５〜３８によって取得された画像データに基づいて、制御装置２０が算出する。制御装置２０は、θステージ３３を時計回りに角度αだけ回転させることによって、θ補正を行う。

図２Ｃに、θ補正後のチャックプレート３４及び基板２２の平面図を示す。θ補正の結果、矩形状の基板２２の各辺は、Ｘ軸またはＹ軸に平行となる。基板２２のθ補正を行った後、制御装置２０は、Ｙステージ３２を駆動して、基板２２をＹ軸の正の方向に移動させる。Ｙステージ３２の移動距離は、図２Ｂに示した工程において、Ｙステージ３２をＹ軸の負の方向に移動させた距離と等しい。

図２Ｃの括弧内に、Ｙ軸の正の方向に移動した後のチャックプレート３４及び基板２２を示す。θ補正が施された基板２２は、リフタ１１（図１）により、アライメントステーション２から塗布ステーション３（図１）に搬送される。リフタ１１は、θステージ３３の回転によって、θ補正後の基板２２の回転方向の位置（姿勢）を維持して、塗布ステーション３まで搬送する。

図１に示したアライメントステーション２でθ補正が完了しているため、塗布ステーション３では、基板２２のθ補正を行うことなく、基板２２の第１の面への、薄膜パターンの形成を開始することができる。塗布ステーション３でθ補正を行い、その後に薄膜パターンを形成する場合と比べると、塗布ステーション３での処理時間を短くすることができる。その結果、タクトタイムの短縮、及び生産効率の向上を実現することが可能である。

基板２２に、伸び歪が発生している場合がある。伸び歪が発生していると、薄膜パターン形成時点における基板の寸法が設計値とは異なる。制御装置２０は、アライメントステーション２で取得された画像データに基づき、基板２２の寸法を算出する。算出された基板の寸法に基づいて、塗布ステーション３で薄膜パターンを形成するときに使用される吐出制御用画像データを生成する。生成された吐出制御用画像データは、制御装置２０の記憶装置２０ａに格納される。

図３Ａ及び図３Ｂに、塗布ステーション３（図１）に備えられた液滴吐出装置７０の概略図を示す。図３Ａに示すように、液滴吐出装置７０は、ＸＹ平面に平行な姿勢で設置されたベース（基台）４１、及び、ベース４１上に、ベース４１側から順に配置されたＸステージ４３、Ｙステージ４４、チャックプレート４５を含む。チャックプレート４５は、リフタ１１（図１）によって、塗布ステーション３に搬送された基板２３を吸着保持する。

Ｘステージ４３は、Ｙステージ４４及びチャックプレート４５と共に、基板２３をＸ軸方向に移動させる。Ｙステージ４４は、チャックプレート４４と共に、基板２３をＹ軸方向に移動させる。Ｘステージ４３、Ｙステージ４４、及びチャックプレート４５をまとめて、「移動ステージ」という。チャックプレート４５による基板２３の吸着、Ｘステージ４３及びＹステージ４４による基板２３の移動は、制御装置２０によって制御される。

なお、移動ステージとして、Ｘステージ４３、Ｙステージ４４、及びチャックプレート４５の機能を有する高機能ステージを用いてもよい。

ベース４１にフレーム４２が固定されている。フレーム４２は、２本の支柱４２ａ、４２ｂ、及び梁４２ｃを含む。支柱４２ａ、４２ｂは、ベース４１のＹ軸方向の略中央に取り付けられている。梁４２ｃは、Ｘ軸方向に沿うように、支柱４２ａ、４２ｂに支持される。ノズルユニット４７ａ〜４７ｆが、フレーム４２により、チャックプレート４４の上方に支持されている。

ノズルユニット４７ａ〜４７ｆは、連結部材４６を介して、フレーム４２の梁４２ｃに支持されている。ノズルユニット４７ａ〜４７ｆは、それぞれ複数のノズルヘッド及び紫外光源を含む。ノズルヘッドは、例えば紫外線硬化型の薄膜材料の液滴を、チャックプレート４４に保持された基板２３の第１の面に向けて吐出する。薄膜材料の吐出は、基板２３をＹ軸方向に移動させながら行われる。吐出された薄膜材料により、基板２３の第１の面に所定の平面形状を有する薄膜パターンが形成される。紫外光源から出射される紫外線により、薄膜パターンが仮硬化する。

制御装置２０の記憶装置２０ａに、基板２３の第１の面に形成すべき薄膜パターンの平面形状を定義する画像データ（パターン定義データ）が記憶されている。パターン定義データは、例えばガーバフォーマットで与えられる。さらに、記憶装置２０ａに、移動ステージによる基板２３の移動量とノズルヘッドからのインクの吐出時期との関係（吐出タイミング）を示すデータが記憶されている。これらのデータは、基板２３が歪を生じていないという前提で与えられた設計データである。基板２３に歪が生じている場合には、この設計データをそのまま使用することはできない。

制御装置２０は、これらの設計データから、アライメントステーション２（図１）で撮像された基板２３の画像データに基づき、吐出制御用画像データを生成する。吐出制御用画像データは、例えばラスタフォーマットで与えられる。以下、吐出制御用画像データの生成手順について説明する。制御装置２０が、アライメントステーション２で取得された画像データから、基板２３のＸ方向、Ｙ方向の伸縮量を算出する。Ｘ方向及びＹ方向について、基板２３のＸ方向及びＹ方向の伸縮量に応じて、パターン定義データを補正する。補正後のパターン定義データに基づいて、ラスタフォーマットの吐出制御用画像データを生成する。

制御装置２０は、記憶装置２０ａに保存された吐出制御用画像データに基づいて、基板２３の第１の面の所定領域に薄膜材料が塗布されるように、ノズルユニット４７ａ〜４７ｆからの薄膜材料の吐出、及び移動ステージによる基板２３の移動を制御する。基板２３が、Ｙ軸方向に沿って移動し、ノズルユニット４７ａ〜４７ｆの鉛直下方（Ｚ軸の負の方向）を通過する時に、基板２３の第１の面に薄膜材料が塗布される。

図３Ｂに、液滴吐出装置７０のノズルユニット４７ａ〜４７ｆの近傍の概略図を示す。ノズルユニット４７ａ〜４７ｆは、同一の構成を有し、Ｘ軸方向に沿って等間隔に連結部材４６に固定されている。連結部材４６は、フレームの梁４２ｃに、Ｚ軸方向に移動可能に取り付けられている。連結部材４６をＺ軸方向に移動させることにより、ノズルユニット４７ａ〜４７ｆと、基板２３との間の距離を変化させることができる。連結部材４６によるノズルユニット４７ａ〜４７ｆのＺ軸方向への移動は、制御装置２０によって制御される。なお、ノズルユニット４７ａ〜４７ｆは、連結部材４６を介さず、直接フレームの梁４２ｃに固定されていてもよい。

図４Ａに、ノズルユニット４７ａの斜視図を示す。ノズルユニット４７ａは、ノズルホルダ４７ａｃに、Ｙ軸方向に沿って交互に組み付けられたノズルヘッド４７ａ１〜４７ａ４、及び紫外光源４７ａ５〜４７ａ９を含む。各ノズルヘッド４７ａ１〜４７ａ４は、Ｙ軸方向に沿って配置される２列のノズル列を備える。各ノズル列は、Ｘ軸方向に沿って配列する複数、例えば１９２個のノズル孔によって構成される。各ノズル列のＸ軸方向に沿う長さは、たとえば約３０ｍｍである。このためノズルユニット４７ａのＸ軸方向に沿う長さも約３０ｍｍである。各ノズル孔から紫外線硬化型の薄膜材料が吐出される。

紫外光源４７ａ５〜４７ａ９は、例えば発光ダイオード（ＬＥＤ）を含んで構成され、紫外域の波長の光を発光する。ノズルヘッド４７ａ１〜４７ａ４の各ノズル孔から基板２３に吐出された紫外線硬化型の薄膜材料は、紫外光源４７ａ５〜４７ａ９から発せられる光によって仮硬化される。紫外光源４７ａ５〜４７ａ９からの紫外光の出射は、制御措置２０によって制御される。

図４Ｂに、ノズルユニット４７ａ（ノズルヘッド４７ａ１〜４７ａ４）の底面図を示す。図４Ｂでは、紫外光源４７ａ５〜４７ａ９の記載は省略した。

ノズルヘッド４７ａ１〜４７ａ４の１つのノズル列に着目すると、ノズル孔はＸ軸方向に沿って１６０μｍ間隔で配置される。各ノズルヘッド４７ａ１〜４７ａ４において、Ｙ軸の正側のノズル列のノズル孔は、Ｙ軸の負側のノズル列のノズル孔に対し、Ｘ軸の正方向に８０μｍずれている。このため各ノズルヘッド４７ａ１〜４７ａ４は、Ｘ軸方向に８０μｍ間隔で千鳥状（ジグザク）に配列される３８４個のノズル孔を含み、約３００ｄｐｉに相当する解像度を有する。各ノズル孔に圧電素子が配置されており、圧電素子に電圧を印加することにより薄膜材料がノズル孔から吐出される。圧電素子への電圧の印加は制御装置２０によって制御される。すなわち、制御装置２０によって薄膜材料の吐出が制御される。なお、実施例１においては、ノズルヘッド４７ａ１〜４７ａ４の各々に２列のノズル列を配置したが、ノズル列の本数は、１列でもよいし、３列以上でもよい。

ノズルヘッド４７ａ１〜４７ａ４は、順に相対位置をＸ軸の正の方向にずらされながら、全体としてＹ軸方向に沿って配置される。すなわち、ノズルヘッド４７ａ２はノズルヘッド４７ａ１に対し、２０μｍだけＸ軸の正の方向にずれて配置される。同様にノズルヘッド４７ａ３、ａ４は、それぞれノズルヘッド４７ａ２、ａ３に対し、２０μｍだけＸ軸の正の方向にずれて配置される。ノズルユニット４７ａは、Ｘ軸方向に２０μｍ間隔（約１２００ｄｐｉに相当する解像度）で配置される複数のノズル孔を備える。

図４Ｃに、ノズルユニット４７ａ〜４７ｆの概略的な平面図を示す。上述のように、各ノズルユニット４７ａ〜４７ｆは、Ｘ軸方向に沿う約３０ｍｍの範囲に、液滴吐出能力を有する。また、複数のノズルユニット４７ａ〜４７ｆは、Ｘ軸方向に沿って等間隔に配置される。隣り合うノズルユニット４７ａ〜４７ｆ間の距離は、たとえば約６０ｍｍである。

塗布ステーション３（図１）における処理について説明する。リフタ１１が基板２３を搬送し、チャックプレート４５（図３Ａ）の上に載せる。チャックプレート４５に保持された基板２３をＹ軸の負の方向に移動させながら、各ノズルユニット４７ａ〜４７ｆの下方のＹ軸方向に沿う奇数列領域（図４Ｃにおいて丸印を付した領域）の着弾目標位置（薄膜材料を塗布すべき位置）に向けて、ノズルユニット４７ａ〜４７ｆから薄膜材料を吐出する。奇数列領域の着弾目標位置への塗布が終了したら、Ｘステージ４３（図３Ａ）で基板２３をＸ軸の正の方向に、たとえば１０μｍだけ移動させる。その後、基板２３をＹ軸の正の方向に移動させながら、各ノズルユニット４７ａ〜４７ｆの下方のＹ軸方向に沿う偶数列領域（図４Ｃにおいてバツ印を付した領域）の着弾目標位置に向けて、ノズルユニット４７ａ〜４７ｆから薄膜材料を吐出する。基板２３の移動の往路と復路とで、それぞれ奇数列領域と偶数列領域の目標位置に薄膜材料を着弾させることができる。これにより、約２４００ｄｐｉに相当する高解像度で薄膜パターンを形成することができる。

偶数列領域への薄膜材料の塗布が終了すると、Ｘステージ４３を駆動し、基板２３を、Ｘ軸の正の方向に約３０ｍｍ移動させる。Ｙステージ４４により、基板２３をＹ軸方向に往復させ、往路と復路とで、それぞれ奇数列領域と偶数列領域の描画を行う。

更にもう一度同様の処理を行い、Ｙ軸方向に沿って基板２３を合計３往復させることにより、基板２３の第１の面への薄膜パターンの形成を完了する。

図３Ａ〜図４Ｃに示した液滴吐出装置７０は、６つのノズルユニット４７ａ〜４７ｆを備える。ノズルユニットの数は６つに限られない。例えば、ノズルユニットの個数を１つとしてもよい。

図５Ａ〜図５Ｄに、反転ステーション４（図１）に備えられた基板反転装置５０及び紫外線照射装置（薄膜材料固化装置）６０の概略図を示す。図５Ａに示すように、基板反転装置５０は、反転ステーション４に搬送された基板２１〜２７を保持する基板保持器５１、及び基板保持器５１を支持する棒状の支持部材５２を含む。基板保持器５１は、長方形の４つの辺のうち１つの短辺を除去した残りの３つの辺に沿う棒状の部材で構成される。相互に平行な２本の長辺に沿う部分を「腕」といい、１本の短辺に沿う部分を「連結部分」ということとする。支持部材５２は、連結部分の中点に接続されており、２本の腕とは反対向きに伸びる。基板保持器５１は、支持部材５２を回転軸として回転可能である。支持部材５２による基板保持器５１の回転は、制御装置２０によって制御される。

紫外線照射装置６０は、支持部材６１及び紫外光源６２を含む。支持部材６１は、基板反転装置５０の支持部材５２の延在方向と平行な方向に延在している。紫外光源６２は、ランプまたはＬＥＤを含み、紫外線領域の波長の光を発光する。紫外光源６２は、ノズルユニットに含まれる紫外光源４７ａ５〜４７ａ９（図４Ａ）よりも高出力である。紫外光源２から放射される紫外光の波長は、ノズルユニットの紫外光源から出射される紫外光の波長と等しくてもよいし、異なっていてもよい。

紫外光源６２は、支持部材６１に、その延在方向に移動可能に支持されている。紫外光源６２からの紫外光の出射、及び紫外光源６２の支持部材６１に沿う移動は、制御装置２０によって制御される。

図５Ｂに示すように、塗布ステーション３（図１）で第１の面に薄膜パターンが形成された基板２１〜２７、一例として基板２４は、リフタ１２（図１）によって反転ステーション４に搬送される。基板２４は、リフタ１２によって、基板保持器５１に、基板２４の第１の面（薄膜パターンが形成された面）が上向きとなるように（Ｚ軸の正の方向を向くように）載せられる。基板保持器５１は基板２４を、吸着、押圧、クランプ等することによって固定的に保持する。すなわち基板２４は、基板保持器５１に対して相対的に移動しないように保持される。基板保持器５１による基板２４の固定的な保持及びその解除は、制御装置２０によって制御される。

図５Ｃに示すように、紫外光源６２から紫外光を出射させながら、紫外光源６２を支持部材６１に沿って移動させる。紫外光源６２を支持部材６１に沿って移動させるとき、紫外光源６２が、基板保持器５１に保持された基板２４の上方を通過し、紫外光源６２から出射された紫外光が、少なくとも基板２４の薄膜パターンが痙性された領域、例えば基板２４の第１の面の全域に照射される。紫外光源６２から出射された紫外光は、例えば１０００ｍＪ／ｃｍ^２のエネルギ密度で、基板２４の第１の面全体に照射される。紫外光の照射により、基板２４の第１の面に形成された薄膜パターンの本硬化が行われる。薄膜パターンの本硬化を行うときは、仮硬化を行うときに比べて、強いエネルギ密度で基板２４に紫外光が照射される。

図５Ｄに示すように、基板２４の第１の面の薄膜パターンを本硬化させた後、支持部材５２を回転軸として、基板保持器５１を１８０°回転させる。これによって、基板保持器５１に保持された基板２４の表裏が反転される。表裏が反転された基板２４は、リフタ１３（図１）によってアライメントステーション５に搬送される。アライメントステーション５での処理が終了すると、基板２４は、塗布ステーション６に搬送される。リフタ１３による搬送が行われる前には、基板保持器５１による基板２４の保持は解除される。

図６Ａ〜図６Ｆを参照して、基板保持器５１の基板保持構造について説明する。図６Ａ、図６Ｃ、及び図６Ｅは、基板保持器５１の概略的な平面図を示し、図６Ｂ、図６Ｄ、及び図６Ｆは、基板保持器５１の概略的な側面図を示す。

図６Ａ及び図６Ｂに示す例では、基板保持器５１は、腕の表面に、真空吸着パッド５３を備える。図６Ａ及び図６Ｂには、２本の腕の上面に複数の真空吸着パッド５３が形成されている例を示した。基板２４はリフタ１２（図１）によって、真空吸着パッド５３の上に載せられ、真空吸着パッド５３からの吸引力により、基板保持器５１に吸着保持される。

図６Ｃ及び図６Ｄに示す例では、基板保持器５１は、２本の腕の上に、腕と平行に延在する押さえローラ５４が備えられている。リフタ１２（図１）によって、基板保持器５１の上面に載せられた基板２４の縁の上に、押さえローラ５４が移動する。基板２４は押さえローラ５４に押圧されることによって、基板保持器５１に固定的に保持される。

図６Ｅ及び図６Ｆに示す例では、基板保持器５１がクランプ機構５５を備える。クランプ機構５５は、２本の腕に平行な方向に伸びる立ち上がり部分を有し、その一部（クランプ先）が内側に倒れるように、例えば９０°屈曲する。基板保持器５１の上に載せられた基板２４の縁がクランプ機構５５に挟まれることにより、基板２４が基板保持器５１に保持される。

図６Ａ〜図６Ｆのいずれの構成例においても基板保持器５１は、薄膜パターンの形成されていない部分において基板２４に接触する。

上述の例においては、紫外光を照射し、基板２４の第１の面の薄膜パターンを本硬化させた後、基板保持器５１を回転させて、基板２４の表裏を反転させた。基板２４の表裏を反転させた後、Ｚ軸の負の側から基板２４の第１の面に紫外光を照射して本硬化を行ってもよい。また、紫外光の照射による本硬化と、基板保持器５１の回転による基板２４の反転とを同時平行的に行ってもよい。この場合、たとえば回転中の基板２４の第１の面に所定強度の紫外光が照射されるように、紫外光源６２を、基板２４の回転と同期させて回転移動させる等の構成を採用する。基板２４を反転させる期間に本硬化を行うことにより、反転ステーション４での処理時間を短くすることができる。

第１の面の薄膜パターンの本硬化、及び、表裏の反転が行われた基板２４は、リフタ１３（図１）により、アライメントステーション５（図１）に搬送される。

アライメントステーション５は、アライメントステーション２と同様の構成と機能を備える。基板２４の第１の面とは反対側の第２の面に形成されたアライメントマークがＣＣＤカメラで検出され、θ補正が行われる。また、撮像された画像データから、第１の面の薄膜パターン形成が完了した基板２４の寸法を算出し、基板２４の第２の面に薄膜パターンを形成する際に用いる吐出制御用画像データを、新たに生成する。さらに、アライメントステーション５内で基板２４のθ補正を行う。

リフタ１３（図１）が、θ補正後の基板２４を、その回転方向の向きを維持して、塗布ステーション６（図１）のステージまで搬送する。

塗布ステーション６は、塗布ステーション３と同様の構成と機能を備える。塗布ステーション６においては、第２の面の吐出制御用画像データに基づいて、基板２４の第２の面に薄膜パターンが形成される。

なお、第２の面の吐出制御用画像データは、１段目のアライメントステーション２で取得された画像データに基づいて作成することもできる。この場合、アライメントステーション５で得られる画像データは、たとえばθ補正にのみ使用される。

基板２４のθ補正を、アライメントステーション５で行うため、塗布ステーション６ではθ補正の必要がない。このため、塗布ステーション６に搬送された基板２４に対して、回転方向の位置合わせを行うことなく、第２の面への薄膜パターンの形成を開始することができる。これにより、塗布ステーション６での処理時間を短くすることができ、タクトタイムの短縮、生産効率の向上を図ることが可能である。

第２の面への薄膜パターンの形成が終了した基板２４は、リフタ１４（図１）によって、コンベア１６に搬送される。コンベア１６上に載せられた基板２４の第２の面に、紫外線照射装置９を出射した紫外線が照射されることにより、薄膜パターンの本硬化が行われる。その後、基板２４は、コンベア１６によって、搬出入口７から筐体１８の外部へ搬出される。

実施例１による基板製造装置では、塗布ステーション３（図１）における基板２４の第１の面への薄膜パターンの形成終了から、塗布ステーション６（図１）のステージに基板２４を載せるまでの間に、反転ステーション４において、基板２４の第１の面に形成された薄膜パターンを本硬化させる。塗布ステーション３で基板２４の第１の面に形成された薄膜パターンは、どこにも接触することなく、反転ステーション４で本硬化される。

薄膜パターンが本硬化のなされていない状態では、薄膜パターンにタック（べたつき）が発生する。基板２４の第１の面の薄膜パターンの本硬化を実施しないまま、基板２４の第２の面の薄膜パターンの形成を行うと、例えばリフタ１３（図１）による基板２４のハンドリングの際や、塗布ステーション６で基板２４の第２の面に薄膜パターンを形成する時に、第１の面の薄膜パターンに傷等の痕跡がつく場合がある。また、タックに起因して、種々の処理に不具合が生じる場合もある。

基板２４の第１の面の薄膜パターン形成終了時から、塗布ステーション６のステージに基板２４を載せるまでの間に、基板２４の第１の面に形成された薄膜パターンを本硬化させることで、基板２４の第１の面の薄膜パターンに傷や痕跡がつくことを防止することができる。このため高品質の薄膜パターンを形成することが可能である。

また、紫外線照射装置９を出射した紫外線によって、基板２４の第２の面の薄膜パターンの本硬化が行われるため、筐体１８の外部に搬出された後に、基板２４の第２の面の薄膜パターンに傷や痕跡がつくことを防止することができる。

図１を参照して、実施例１による基板製造装置の非通常運転時の動作について説明する。非通常運転時とは、たとえば、塗布ステーション３、６に配置される液滴吐出装置の一方が故障中、またはメンテナンス中であって、他方の塗布ステーションしか使用できない状態をいう。

２段目の塗布ステーション６の液滴吐出装置に不具合が生じている期間や、液滴吐出装置のメンテナンスを行う期間における基板製造装置の動作について説明する。この動作は、制御装置２０からの制御によって実現される。

筐体１８の内部に導入された基板に対するアライメントステーション２、塗布ステーション３、及び反転ステーション４における処理は通常運転時と同じである。すなわち、アライメントステーション２において、基板の第１の面に形成されたアライメントマークを検出し、検出結果に基づいて、基板のθ補正を行う。また、アライメントステーション２において取得された画像データに基づき、基板のサイズを算出し、把握されたサイズに応じて、吐出制御用画像データを生成する。リフタ１１が、基板の回転方向の位置（姿勢）を維持した状態で塗布ステーション３のステージに搬送する。塗布ステーション３において、吐出制御用画像データに基づいて、基板の第１の面に、薄膜パターンが形成される。リフタ１２が、基板を塗布ステーション３から反転ステーション４に搬送する。反転ステーション４において、基板の第１の面に形成された薄膜パターンの本硬化と、表裏の反転とが行われる。

第１の面の薄膜パターンの本硬化、及び表裏の反転が行われた基板は、リフタ１２または１１により、１段目のアライメントステーション２に搬送される。アライメントステーション２においては、ＣＣＤカメラ３５〜３８（図２Ａ）によって、基板の第２の面に形成されたアライメントマークが検出される。検出結果に基いて、基板のθ補正が行われる。また、ＣＣＤカメラ３５〜３８によって取得された画像データに基づき、基板のサイズを算出し、算出されたサイズに応じて、基板の第２の面に形成する薄膜パターンの吐出制御用画像データを生成する。

なお、第２の面に形成する薄膜パターンの吐出制御用画像データは、第１の面のアライメントマークを撮像した画像データに基づいて生成することもできる。この場合、基板反転後に、アライメントステーション２で得られる画像データは、θ補正にのみ使用される。

θ補正が施された基板は、リフタ１１により、塗布ステーション３に搬送される。

塗布ステーション３において、液滴吐出装置により、第２の面に形成する薄膜パターンの吐出制御用画像データに基づいて、基板の第２の面に薄膜パターンを形成する。

第２の面に薄膜パターンが形成された基板は、リフタ１１によって、コンベア１５に搬送される。コンベア１５は、搬出入口１から筐体１８の外部へ基板を搬出する。塗布ステーション６の液滴吐出装置の故障時またはメンテナンス時においては、基板搬出入口１は、基板の搬入及び搬出に使用される。コンベア１５上に載置された状態で、紫外線照射装置８により、基板の第２の面の全域に紫外線が照射され、第２の面に形成された薄膜パターンの本硬化が行われる。紫外線照射装置８は、コンベア１５に載せられた基板の上方を通過するように、筐体１８内を移動可能であり、基板の上方を通過しながら、基板の第２の面に紫外線を照射する。なお、紫外線照射装置８を筐体１８内に固定的に配置し、基板をコンベア１５で搬送する期間に、基板が紫外線照射装置８の下方を通過するようにしてもよい。基板への紫外線の照射は、制御装置２０によって制御される。

実施例１による基板製造装置においては、塗布ステーション６の液滴吐出装置の故障時またはメンテナンス時には、１段目の塗布ステーション３の液滴吐出装置を用いて、基板の第１の面及び第２の面の両方に薄膜パターンを形成する。このように、２段目の塗布ステーション６が使用できない状態でも、１段目の塗布ステーション３を使用して薄膜パターンの形成作業を継続することができる。

通常運転時は、各ステーション２〜４で同時平行的に基板を処理するが、２段目の塗布ステーション６の液滴吐出装置の故障時またはメンテナンス時には、基板は同時平行的ではなく、１枚ずつ処理される。例えば１枚の基板に対する処理が終了し、基板が筐体１８から搬出された後に、他の基板が筐体１８内に搬入される。このため、非通常運転時には、通常運転時に比べて、生産効率は低くなる。

事情に応じ、第２の面への薄膜パターンの形成を行わず、塗布ステーション３での薄膜パターン形成終了後に、リフタ１１を用いて基板をコンベア１５に搬送することもできる。第１の面への薄膜パターン形成終了後、反転ステーション４で第１の面の薄膜パターンの本硬化を行い、その後、リフタ１２または１１を用いて基板をコンベア１５に搬送することも可能である。さらに、反転ステーション４では、薄膜パターンの本硬化だけでなく、基板の表裏の反転を行ってもよい。

上述のように、２段目の塗布ステーション６の液滴吐出装置の故障時またはメンテナンス時には、１段目の塗布ステーション３の液滴吐出装置を用いて薄膜材料の塗布を行う。１段目の塗布ステーション３の液滴吐出装置の故障時またはメンテナンス時には、２段目の塗布ステーション６の液滴吐出装置を用いて、薄膜材料の塗布を行う。

次に、１段目の塗布ステーション３の液滴吐出装置に不具合が生じている期間や、液滴吐出装置のメンテナンスを行う期間の基板製造装置の動作について説明する。

コンベア１６が、搬出入口７から筐体１８内に基板を搬入する。基板搬出入口７は、基板の搬出用のみならず、基板搬入用としても使用される。なお、搬入時、基板の第１の面がＺ軸の正方向を向いている。

筐体１８の内部に導入された基板は、リフタ１４または１３によって、アライメントステーション５に搬送される。アライメントステーション５において、基板の第１の面に形成されたアライメントマークが検出される。検出結果に基いて基板のθ補正が行われる。また、アライメントステーション５において取得された画像データに基づき、基板のサイズが算出され、算出されたサイズに応じて、吐出制御用画像データが生成される。

θ補正が行われた基板が、リフタ１３によって、塗布ステーション６のステージまで搬送される。生成された吐出制御用画像データに基づいて、基板の第１の面に薄膜パターンが形成される。その後、基板は、リフタ１３によって反転ステーション４に搬送され、第１の面に形成された薄膜パターンの本硬化と、表裏の反転とが行われる。

第２の面がＺ軸の正方向を向いた状態の基板が、リフタ１３により、再びアライメントステーション５に搬送される。アライメントステーション５において、基板の第２の面面に形成されたアライメントマークが検出され、検出結果に基いて、基板のθ補正が行われる。また、アライメントステーション５で取得された画像データに基づき、基板のサイズが算出され、算出されたサイズに応じて、第２の面に形成する薄膜パターンの吐出制御用画像データが生成される。

なお、第２の面に形成する薄膜パターンの吐出制御用画像データは、第１の面のアライメントマークの検出結果に基づいて作成することもできる。

θ補正が施された基板は、リフタ１３により、塗布ステーション６のステージまで搬送される。

塗布ステーション６において、液滴吐出装置により、第２の面に形成する薄膜パターンの吐出制御用画像データに基づいて、第２の面に薄膜パターンが形成される。

第２の面に薄膜パターンが形成された基板は、リフタ１４によって、コンベア１６に搬送される。コンベア１６は、搬出入口７から筐体１８の外部へ基板を搬出する。コンベア１６の上に載せられた状態で、紫外線照射装置９により、基板の第２の面の全域に紫外線が照射され、薄膜パターンの本硬化が行われる。

１枚の基板に対する処理が終了し、基板が筐体１８から搬出された後に、次に処理すべき基板が筐体１８内に搬入される。

事情に応じ、第２の面に薄膜パターンを形成せず、塗布ステーション６での第１の面の薄膜パターンの形成終了後に、リフタ１４を用いて基板をコンベア１６に搬送することもできる。第１の面の薄膜パターンの形成終了後、反転ステーション４で第１の面の薄膜パターンの本硬化を行い、その後、リフタ１３または１４で基板をコンベア１６に搬送することも可能である。さらに、反転ステーション４では、薄膜パターンの本硬化だけでなく、基板の表裏の反転を行ってもよい。

なお、塗布ステーション３、６の液滴吐出装置の一方が使用不可能な場合に、第１の面、第２の面の順に薄膜パターンを形成する例を説明したが、第２の面、第１の面の順に薄膜パターンを形成することもできる。また、第１の面だけに薄膜パターンを形成する例について示したが、第２の面だけに薄膜パターンを形成してもよい。

実施例１による基板製造装置においては、２段目の塗布ステーション６の液滴吐出装置の故障時またはメンテナンス時には、１段目の塗布ステーション３の液滴吐出装置を用いて、薄膜材料の塗布を行い、１段目の塗布ステーション３の液滴吐出装置の故障時またはメンテナンス時には、２段目の塗布ステーション６の液滴吐出装置を用いて、薄膜材料の塗布を行う。このため、実施例１による基板製造装置は、作業の継続性にすぐれている。

［実施例２］
図７に、実施例２による基板製造装置の概略図を示す。以下、実施例１との相違点について説明し、同一の構成については説明を省略する。実施例２においては、アライメントステーション２、５が、θ補正を行うためのアライメント装置を含まない。その代わりに、塗布ステーション３、６の液滴吐出装置がθステージ４９及びＣＣＤカメラ６３〜６６を含む。

実施例２による基板製造装置の通常運転時の動作について説明する。

実施例２のアライメントステーション２、５には、θ補正を伴わない簡易的なアライメントを行うアライメント装置である仮置ステージ４８が配置される。基板２１〜２７は、リフタ１１、１３によって、アライメントステーション２、５の仮置ステージ４８の上に載せられる。基板２１〜２７は、固定ピンへの押し当て等の簡易的なアライメントを施された後、塗布ステーション３、６に搬送される。

塗布ステーション３、６の液滴吐出装置は、Ｙステージ４４とチャックプレート４５との間にθステージ４９を含む。θステージ４９は、チャックプレート４５に保持された基板２１〜２７を、Ｚ軸に平行な直線を回転中心として回転させることが可能である。液滴吐出装置は、基板２１〜２７の上方を向く面に形成されたアライメントマークを検出するＣＣＤカメラ６３〜６６を含む。

塗布ステーション３、６に搬送された基板２１〜２７は、チャックプレート４５に吸着保持され、ＣＣＤカメラ６３〜６６によって、上方を向く面のアライメントマークが検出される。検出結果、すなわち撮影された画像データが、制御装置２０に送信される。

制御装置２０は検出結果を解析し、基板２１〜２７のＸ及びＹ方向の位置、及び、回転方向の位置（姿勢）を算出する。算出された結果に基づき、θステージ４９を駆動することで、基板２１〜２７のθ補正を行う。また、制御装置２０は、ＣＣＤカメラ６３〜６６の検出結果に基いて、基板２１〜２７のサイズを算出し、算出されたサイズに応じて、吐出制御用画像データを生成する。

実施例２による基板製造装置においては、アライメントステーション２、５で基板２１〜２７のθ補正を行わず、塗布ステーション３、６で、基板２１〜２７のθ補正を行う。さらに、生成した吐出制御用画像データに基づいて、基板２１〜２７に薄膜パターンを形成する。

実施例２による基板製造装置の非通常運転時の動作について、実施例１と異なる点を中心に説明する。

２段目の塗布ステーション６の液滴吐出装置が故障やメンテナンスで使用できないときには、実施例２による基板製造装置の動作は、制御装置２０によって、以下のように制御される。

搬出入口１から筐体１８の内部に導入された基板は、アライメントステーション２の仮置ステージ４８の上に載せられ、簡易的なアライメントが施される。その後、アライメントステーション２から塗布ステーション３のチャックプレート４５まで搬送される。

基板はチャックプレート４５に吸着保持され、ＣＣＤカメラ６３〜６６によって第１の面のアライメントマークが検出される。検出結果は制御装置２０に送信される。制御装置２０は検出結果を解析し、基板の位置、及び、回転方向の姿勢を検出する。検出結果に基づいて、基板のθ補正を行う。また制御装置２０は、ＣＣＤカメラ６３〜６６の検出結果に基いて、基板のサイズを算出し、算出されたサイズに応じて、吐出制御用画像データを生成する。その後、生成された吐出制御用画像データに基づいて、基板の第１の面に薄膜パターンを形成する。

基板はリフタ１２によって反転ステーション４に搬送され、基板の第１の面に形成された薄膜パターンの本硬化と、表裏の反転とが行われる。その後、アライメントステーション２の仮置ステージ４８に載せることにより、簡易的なアライメントを行なう。簡易的なアライメントを行なった後、再び、塗布ステーション３の液滴吐出装置のチャックプレート４５の上に戻される。

塗布ステーション３では、ＣＣＤカメラ６３〜６６によって基板の第２の面に形成されたアライメントマークが検出され、検出結果に基いて、基板のθ補正が行われる。また、ＣＣＤカメラ６３〜６６によって取得された画像データに基づき、基板のサイズが算出され、算出されたサイズに応じて、基板の第２の面に形成する薄膜パターンの吐出制御用画像データが生成される。第２の面に形成する薄膜パターンの吐出制御用画像データに基づいて、基板の第２の面に薄膜パターンを形成する。

第２の面に薄膜パターンが形成された基板は、コンベア１５に搬送され、紫外線照射装置８により、第２の面の薄膜パターンの本硬化が行われる。その後、コンベア５が、搬出入口１から筐体１８の外部へ基板を搬出する。

１段目の塗布ステーション３の液滴吐出装置が使用できないときには、基板製造装置は制御装置２０によって、以下のように制御される。

基板は搬出入口７から筐体１８の内部に導入される。筺体１８内に導入された基板は、リフタ１４、１３により、アライメントステーション５の仮置ステージ４８まで搬送され、簡易的なアライメントが行われる。その後、アライメントステーション５から塗布ステーション６の液滴吐出装置のチャックプレート４５まで搬送される。

チャックプレート４５に吸着保持された基板の第１の面のアライメントマークが、ＣＣＤカメラ６３〜６６によって検出され、検出結果が制御装置２０に送信される。制御装置２０は検出結果を解析し、基板の位置、及び回転方向の姿勢を検出し、θ補正を行う。また制御装置２０は、ＣＣＤカメラ６３〜６６の検出結果に基づいて、基板のサイズを算出し、算出されたサイズに応じて、吐出制御用画像データを生成する。その後、生成された吐出制御用画像データに基づいて、基板の第１の面に薄膜パターンを形成する。

第１の面に薄膜パターンが形成された基板は、リフタ１３によって反転ステーション４に搬送され、第１の面に形成された薄膜パターンの本硬化と、表裏の反転とが行われる。その後、アライメントステーション５の仮置ステージ４８で簡易的なアライメントを行い、再び塗布ステーション６の液滴吐出装置のチャックプレート４５の上に戻される。

塗布ステーション６では、ＣＣＤカメラ６３〜６６によって、基板の第２の面に形成されたアライメントマークが検出され、検出結果に基いて、基板のθ補正が行われる。また、ＣＣＤカメラ６３〜６６によって取得された画像データに基づき、基板のサイズが算出され、算出されたサイズに応じて、基板の第２の面に形成する薄膜パターンの吐出制御用画像データが生成される。第２の面に形成する薄膜パターンの吐出制御用画像データに基づいて、第２の面に薄膜パターンを形成する。

第２の面に薄膜パターンが形成された基板は、コンベア１６に搬送され、紫外線照射装置９により、第２の面の薄膜パターンの本硬化が行われる。本硬化後の基板は、搬出入口７から筐体１８の外部へ搬出される。

実施例２による基板製造装置も、塗布ステーション３、６の液滴吐出装置の一方が使用不可能なときには、他方の塗布ステーションを用いて薄膜パターンを形成することができる。これにより、作業の継続性を確保することができる。

［実施例３］
図８に、実施例３による基板製造装置の概略図を示す。以下、実施例１との相違点について説明し、同一の構成については説明を省略する。実施例３は、紫外線照射装置８（図１）を含まない点、及び、反転ステーション４が、基板搬出口１７を備える点で実施例１と相違する。実施例３による基板製造装置の通常運転時の動作は、実施例１のそれに等しい。非通常運転時においては、実施例３による基板製造装置は、基板の片面、例えば第１の面に薄膜パターンを形成する。

２段目の塗布ステーション６の液滴吐出装置の故障時、またはメンテナンス時に、実施例３による基板製造装置は、制御装置２０によって以下のように制御される。

筐体１８の内部に導入された基板２１〜２４に対するアライメントステーション２、塗布ステーション３、及び反転ステーション４における処理は、通常運転時の処理と同一である。

第１の面に形成された薄膜パターンの本硬化と、表裏の反転とが行われた基板２１〜２４は、基板搬出口１７から筐体１８の外部へ搬出される。搬出はコンベアを用いて行ってもよいし、人手で行ってもよい。

なお、反転ステーション４に搬送した基板２１〜２４について、表面に形成された薄膜パターンの本硬化及び基板の反転の一方または双方を行わず、基板搬出口１７から基板２１〜２４を搬出することもできる。

実施例１では、塗布ステーション６の液滴吐出装置が使用できない場合には、１枚の基板に対する処理が終了し、基板が筐体１８から搬出された後に、他の基板を筐体１８内に搬入した。実施例３においては、各ステーション２〜４で基板の処理を同時並行的に行うことができる。このため、塗布ステーション６の液滴吐出装置が使用できない場合でも、高い生産効率を維持することが可能である。

塗布ステーション３の液滴吐出装置の故障時またはメンテナンス時には、塗布ステーション６の液滴吐出装置を用い、制御装置２０の制御によって、同様に、基板片面、例えば基板第１の面に薄膜パターンを形成する。

基板は、コンベア１６で搬送され、搬出入口７から筐体１８内に導入される。筐体１８の内部に導入された基板は、リフタ１４、１３によって、アライメントステーション５に搬送される。アライメントステーション５において、基板のθ補正が行われる。また、アライメントステーション５において取得された画像データに基づき、基板のサイズが算出され、算出されたサイズに応じて、第１の面に形成する薄膜パターンの吐出制御用画像データが生成される。

リフタ１３が、θ補正後の基板を、アライメントステーション５から塗布ステーション６のステージの上まで搬送する。生成された吐出制御用画像データに基づいて、第１の面に薄膜パターンを形成する。基板は、リフタ１３によって反転ステーション４に搬送され、第１の面に形成された薄膜パターンの本硬化と、表裏の反転とが行われる。その後、基板は搬出口１７から、例えばコンベアまたは人手によって、筐体１８の外部へ搬出される。

基板を反転ステーション４に搬送した後、薄膜パターンの本硬化及び基板の反転の一方または双方を行わず、搬出口１７からの搬出を行ってもよい。

実施例３においては、塗布ステーション３の液滴吐出装置が使用できない場合にも、反転ステーション４でソルダーレジストの本硬化と基板の反転を行っている期間に、アライメントステーション５におけるアライメント、または、塗布ステーション６における薄膜材料の塗布を行うことができる。このため、実施例１において、塗布ステーション３の液滴吐出装置が使用できない場合よりも、生産効率を高くすることが可能である。

実施例３による基板製造装置は、塗布ステーション３、６の液滴吐出装置の一方が使用できない際には、他方の塗布ステーションを用いて基板片面への薄膜パターンの形成を行い、片面の処理が完了した基板を搬出口１７から筐体１８の外部へ搬出する。このため、実施例３による基板製造装置も、塗布ステーションの故障時に継続して作業を行うことが可能である。なお、搬出口１７は、塗布ステーション３と塗布ステーション６とを結ぶ基板搬送経路から、基板を、基板製造装置の外部（筐体１８の外部）に取り出すことができる。

［実施例４］
図９に、実施例４による基板製造装置の概略図を示す。以下、実施例２との相違点について説明し、同一の構成については説明を省略する。実施例４は、紫外線照射装置８（図７）を含まない点、及び、反転ステーション４が、基板搬出口１７を備える点で実施例２と相違する。実施例４による基板製造装置の通常運転時の動作は、実施例２のそれに等しい。非通常運転時においては、実施例４による基板製造装置は、実施例３と同様に、基板の片面のみ、例えば第１の面に薄膜パターンを形成する。

塗布ステーション６の液滴吐出装置の故障時、またはメンテナンス時には、実施例４による基板製造装置は、制御装置２０によって、以下のように制御される。

筐体１８の内部に導入された基板２１〜２４に対するアライメントステーション２、塗布ステーション３、及び反転ステーション４における処理は通常運転時と等しい。

第１の面に形成された薄膜パターンの本硬化と、表裏の反転とが行われた基板２１〜２４が、搬出口１７から筐体１８の外部へ搬出される。搬出はコンベアを用いて行ってもよいし、人手で行ってもよい。

なお、反転ステーション４に搬送された基板２１〜２４の第１の面に形成された薄膜パターンの本硬化、及び基板の反転の一方または双方を行わず、搬出口１７からの搬出を行うこともできる。

実施例２では、塗布ステーション６の液滴吐出装置が使用できない場合には、１枚の基板に対する処理が終了し、基板が筐体１８から搬出された後に、他の基板を筐体１８に搬入した。実施例４においては、各ステーション２〜４で基板の処理を同時並行的に行うことができる。このため、塗布ステーション６の液滴吐出装置が使用できない場合でも、高い生産効率を維持することが可能である。

１段目の塗布ステーション３の液滴吐出装置の故障時またはメンテナンス時には、塗布ステーション６の液滴吐出装置を用い、制御装置２０の制御によって、同様に、基板片面、例えば第１の面に薄膜パターンを形成する。

基板は、コンベア１６で搬送され、搬出入口７から筐体１８内に導入される。筐体１８の内部に導入された基板は、リフタ１４、１３によって、アライメントステーション５に搬送され、簡易的なアライメントが行われる。その後、基板は、塗布ステーション６の液滴吐出装置のチャックプレート４５まで搬送される。塗布ステーション６において、ＣＣＤカメラ６３〜６６によって、基板の第１の面のアライメントマークが検出される。制御装置２０は、検出結果に基づき、基板２１〜２４の位置、及び回転方向の姿勢を検出し、基板のθ補正を行う。また、制御装置２０は、基板のサイズを算出し、算出されたサイズに応じて、吐出制御用画像データを生成する。その後、生成された吐出制御用画像データに基づいて、基板の第１の面に薄膜パターンを形成する。薄膜パターンが痙性された基板は、リフタ１３によって反転ステーション４に搬送され、第１の面に形成された薄膜パターンの本硬化と、表裏の反転とが行われる。その後、基板は搬出口１７から、例えばコンベアまたは人手によって、筐体１８の外部へ搬出される。

２段目の塗布ステーション６の液滴吐出装置が使用できない場合と同様に、反転ステーション４において、薄膜パターンの本硬化、及び基板の反転の一方または双方を行わず、搬出口１７から基板を搬出してもよい。

実施例４においては、１段目の塗布ステーション３の液滴吐出装置が使用できない場合にも、反転ステーション４で薄膜パターンの本硬化と基板の反転を行っている期間に、アライメントステーション５におけるアライメント、または、塗布ステーション６における薄膜材料の塗布を行うことができる。このため、実施例２において、塗布ステーション３の液滴吐出装置が使用できない場合よりも、生産効率を高くすることが可能である。

実施例４による基板製造装置も、実施例３と同様に、塗布ステーション３、６の液滴吐出装置の一方が使用できない際には、他方の塗布ステーションを用いて基板片面に薄膜パターンを形成する。片面に薄膜パターンが痙性された基板を搬出口１７から基板製造装置の外部（筐体１８の外部）へ搬出する。実施例４による基板製造装置も、塗布ステーションの故障時に継続して作業を行うことが可能である。

［実施例５］
図１０に、実施例５による基板製造装置の概略図を示す。以下、実施例１との相違点について説明し、同一の構成については説明を省略する。実施例５は、図１に示したアライメントステーション５、塗布ステーション６、紫外線照射装置９、リフタ１３、１４、及びコンベア１６を含まない点で実施例１と相違する。また、実施例５による基板製造装置は、筐体１８が基板搬出入口７（図１）を備えない。さらに、制御装置２０による制御の内容が、実施例１と異なる。実施例５による基板製造装置においては、実施例１による基板製造装置の塗布ステーション６の液滴吐出装置が使用不可能な場合に、基板の両面に薄膜パターンを形成する手順と同一の手順で基板の両面に薄膜パターンが形成される。

基板２１が、コンベア１５で搬送され、搬出入口１から筐体１８内に導入される。基板２１の第１の面は、上方（Ｚ軸の正の方向）を向いている。基板２１は、リフタ１１でコンベア１５からアライメントステーション２に搬送される。

アライメントステーション２において、基板２１の第１の面に形成されたアライメントマークが検出される。検出結果に基づいて、基板２１のθ補正が行われる。また、アライメントステーション２において取得された画像データに基づき、基板２１のサイズが算出され、算出されたサイズに応じて、吐出制御用画像データが生成される。

θ補正が行われた基板２１が、リフタ１１によって、塗布ステーション３に搬送される。塗布ステーション３においてはθ補正を行わず、基板２１の第１の面に、吐出制御用画像データに基づいて薄膜パターンを形成する。

薄膜パターンが形成された基板２１は、リフタ１２によって反転ステーション４に搬送される。反転ステーション４において、基板２１の第１の面に形成された薄膜パターンの本硬化と、基板２１の反転とが行われる。

反転された基板２１は、リフタ１２、１１により、アライメントステーション２に搬送される。アライメントステーション２において、基板２１の第２の面に形成されたアライメントマークが検出され、検出結果に基づいて、基板２１のθ補正が行われる。また、ＣＣＤカメラ３５〜３８によって取得された画像データに基づき、基板２１のサイズが算出され、算出されたサイズに応じて、基板の第２の面に形成する薄膜パターンの吐出制御用画像データが生成される。

なお、第２の面に形成する薄膜パターンの吐出制御用画像データの生成に、基板２１の第１の面のアライメントマークの検出結果を利用してもよい。この場合、基板２１の第２の面のアライメントマークの撮像結果は、θ補正にのみ使用される。

θ補正が施された基板２１は、リフタ１１により、塗布ステーション３に搬送される。

塗布ステーション３において、θ補正を行わず、液滴吐出装置により、基板２１の第２の面に形成する薄膜パターンの吐出制御用画像データに基づいて、基板２１の第２の面に薄膜パターンを形成する。

第２の面に薄膜パターンが形成された基板２１は、リフタ１１によってコンベア１５に搬送され、紫外線照射装置８からの紫外線の照射によって、第２の面の薄膜パターンの本硬化が行われる。コンベア１５は、基板２１を搬出入口１から筐体１８の外部へ搬出する。

実施例５による基板製造装置の構成は、実施例１による基板製造装置と比べて簡易であり、装置の低コスト化を図ることが可能である。

［実施例６］
図１１に、実施例６による基板製造装置の概略図を示す。以下、実施例２との相違点について説明し、同一の構成については説明を省略する。実施例６は、図７に示したアライメントステーション５、塗布ステーション６、紫外線照射装置９、リフタ１３、１４、及びコンベア１６を含まない点で実施例２と相違する。また、実施例６による基板製造装置は、筐体１８が基板搬出入口７を備えない。さらに、制御装置２０による制御の内容が、実施例２と異なる。実施例６による基板製造装置においては、実施例２による基板製造装置の塗布ステーション６の液滴吐出装置が使用不可能な場合に、基板の両面に薄膜パターンを形成する手順と同一の手順で、基板の両面に薄膜パターンが形成される。

基板２１がコンベア１５で搬送され、搬出入口１から筐体１８内に導入される。基板２１の第１の面は、上方（Ｚ軸の正の方向）を向いている。筺体１８内に導入された基板２１は、リフタ１１でアライメントステーション２に搬送される。

アライメントステーション２において、基板２１の簡易的なアライメントを行う。アライメント終了後、基板２１は、塗布ステーション３に搬送される。

塗布ステーション３において、基板２１の第１の面に薄膜パターンを形成する。第１の面に薄膜パターンが形成された基板２１は、リフタ１２によって反転ステーション４に搬送される。反転ステーション４において、基板の第１の面に形成された薄膜パターンの本硬化と、基板の反転とが行われる。

その後、基板２１はアライメントステーション２に搬送される。アライメントステーション２で簡易的なアライメントが行われた後、基板２１は、再び、塗布ステーション３に搬送される。

塗布ステーション３では、基板２１の第２の面に薄膜パターンを形成する。第２の面に薄膜パターンが形成された基板２１は、リフタ１１により、コンベア１５に搬送され、第２の面の薄膜パターンの本硬化が行われる。その後、基板２１は、搬出入口１から筐体１８の外部へ搬出される。

実施例６による基板製造装置の構成は、実施例２による基板製造装置の構成と比べて、簡易であり、装置の低コスト化を図ることが可能である。

［実施例７］
図１２Ａ〜図１２Ｅに、実施例７による基板製造装置の反転ステーションの概略図を示す。この反転ステーションは、上記実施例１〜実施例６による基板製造装置の反転ステーション４（図１、図７〜図１１）に適用することができる。

図１２Ａに示すように、Ｙ軸方向に長い紫外光源６２の両側に、一対の半円周状のガイド５６が設置されている。紫外光源６２は両側のガイド５６に案内されて移動可能である。紫外光源６２の移動は制御装置２０によって制御される。基板２４の回転前の状態では、薄膜パターンが形成された面がＺ軸の正の方向を向いている。紫外光源６２を出射した紫外光は、基板２４の薄膜パターンが形成された面に照射される。なお、図１２Ａ〜図１２Ｅに示す例においては、紫外光源６２は、発散する紫外光を出射する。

図１２Ｂ〜図１２Ｅに示すように、制御装置２０は、支持部材５２を回転軸として基板２４を、一定の角速度で回転させる。基板２４の回転に同期させて、回転中の基板２４の薄膜パターン形成面に所定強度以上の紫外光が照射されるように、紫外光源６２をガイド５６に沿って一定速度で移動させる。紫外光の照射は、図７Ｅに示すように、基板２４の薄膜パターン形成面がＺ軸の負の方向を向いたときに終了する。

実施例７においては、基板の反転と、紫外線照射とを並行して行うことができる。このため、反転ステーション４での処理時間を短縮することができる。

［実施例８］
図１３Ａ〜図１３Ｄに、実施例８による基板製造装置の反転ステーションの概略図を示す。この反転ステーションは、上記実施例１〜実施例６による基板製造装置の反転ステーション４（図１、図７〜図１１）に適用することができる。以下、実施例７との相違点について説明し、同一の構成については説明を省略する。

図１３Ａ〜図１３Ｄに示す実施例８においては、紫外光源６２は、集束する紫外光を出射する。図１３Ａに示すように、Ｙ軸方向に長い支持部材６１の両端に一対のガイド５６が設置されている。支持部材６１に、Ｘ軸方向に長い紫外光源６２が、その一端において支持されている。支持部材６１は両端のガイド５６に案内されて移動可能である。支持部材６１の移動は制御装置２０によって制御される。

図１３Ａ〜図１３Ｄに示すように、制御装置２０は、支持部材５２を回転軸として基板２４を一定の角速度で回転させる。基板２４の回転に同期させて、支持部材６１をガイド５６に沿って一定速度で移動させる。さらに、紫外光源６２を支持部材６１に沿ってＹ軸方向に一定速度で移動させる。基板２４の薄膜パターン形成面がＺ軸の正の方向に向いている状態を図１３Ａに示す。基板２４が徐々に回転して、基板２４の薄膜パターン形成面がＺ軸の負の方向を向く状態を図１３Ｄに示した。図１３Ａに示す状態では、紫外光源６２は、紫外光を基板２４のＹ軸の正側の端部に照射する。図１３Ｄに示す状態に至るまでに、紫外光源６２は、紫外光を基板２４のＹ軸の負側の端部に照射する位置まで移動する。紫外光の照射は、基板２４の薄膜パターン形成面がＺ軸の正の方向を向いているときに開始され、基板２４の薄膜パターン形成面がＺ軸の負の方向を向いたときに終了する。

実施例８においても、実施例７と同様に、反転ステーション４での処理時間を短縮することができる。

上記実施例１〜実施例８においては、ノズルユニットに対する基板の移動（ＸＹ平面内での移動）をステージのみによって行ったが、フレーム４２（図３Ａ）をＹ軸方向に移動可能とし、ノズルユニット４７ａ〜４７ｆ（図３Ａ）を、フレーム４２にＸ軸方向及びＺ軸方向に移動可能としてもよい。ノズルユニットと基板とは、相対的に移動させればよい。ただし、基板のみをＸＹ平面内で移動させる構成の方が、ノズルユニットをもＸＹ平面方向に移動させる構成に比べて、薄膜パターンの位置精度を高めることができる。

また、実施例１〜実施例８においては、基板製造装置によって、プリント配線板上にソルダーレジストの薄膜パターンを形成したが、実施例１〜実施例８による基板製造装置は、その他の薄膜パターンの形成にも適用することができる。例えば、実施例１〜実施例８による基板製造装置は、ガラス基板上に絶縁膜を形成するタッチパネルの製造に利用することができる。

さらに、仮置ステージ４８（図７等）を備える実施例において、基板を液滴吐出装置に搬送する前に、仮置ステージを経由させることは必須ではない。例えば、実施例２の塗布ステーション６（図８）の液滴吐出装置が故障中またはメンテナンス中の時に、反転ステーション４から、アライメントステーション２を経由することなく、塗布ステーション３に基板を搬送してもよい。アライメントステーション２による処理を省略することにより、タクトタイムの増加を抑制することができる。この点は、実施例６による基板製造装置の通常動作等においても同様である。

また、実施例１〜実施例８において、アライメント機能をリフタや基板反転装置にもたせてもよい。さらに、実施例５や実施例６において、塗布ステーション３（図１０、図１１）と反転ステーション４（図１０、図１１）との間に、アライメントステーションを設けてもよい。反転ステーション４で処理された基板を、アライメントステーション２を経由して塗布ステーション３に搬送する代わりに、塗布ステーション３と反転ステーション４との間に設けたアライメントステーションを経由して塗布ステーション３に搬送することにより、タクトタイムの短縮を図ることができる。

また、実施例１〜実施例８においては、各ステーションを直線的に配置したが、たとえば各ステーションを多角形の頂点に当たる位置に設置してもよい。このような構成とすることにより、例えばアライメントに伴って生じるタクトタイムの増大を抑制することが可能である。

［実施例９］
図１４に、実施例９による基板製造装置の塗布ステーション３の概略平面図を示す。この塗布ステーション３は、実施例１〜実施例８による基板製造装置の１段目の塗布ステーション３（図１、図７〜図１１）及び２段目の塗布ステーション６（図１、図７〜図９）に適用することができる。なお、実施例９による塗布ステーション３は、基板のアライメント機能を備えているため、実施例１〜実施例８に、実施例９による塗布ステーション３を適用した場合には、アライメントステーション２、５（図１、図７〜図１１）が省略される。

図１４に示すように、塗布ステーション３に、第１の塗布ステージ８５Ａ及び第２の塗布ステージ８５Ｂが備えられている。第１の塗布ステージ８５Ａは、塗布ステーション３内の第１の受け渡し領域８０Ａ、第１のアライメント領域８１Ａ、及び塗布領域８２の間で移動可能である。第２の塗布ステージ８５Ｂは、塗布ステーション３内の第２の受け渡し領域８０Ｂ、第２のアライメント領域８１Ｂ、及び塗布領域８２の間で移動可能である。塗布領域８２は、第１の塗布ステージ８５Ａと第２の塗布ステージ８５Ｂとで共用される。

第１及び第２の受け渡し領域８０Ａ、８０Ｂの上方をリフタ１１が通過可能である。第１の塗布ステージ８５Ａが第１の受け渡し領域８０Ａに配置されている状態で、リフタ１１から第１の塗布ステージ８５Ａに、またはその逆に、基板を受け渡すことができる。同様に、第２の塗布ステージ８５Ｂが第２の受け渡し領域８０Ｂに配置されている状態で、リフタ１１から第２の塗布ステージ８５Ｂに、またはその逆に、基板を受け渡すことができる。

第１のアライメント領域８１Ａ及び第２のアライメント領域８１Ｂに、それぞれ複数台の撮像装置８３が配置されている。第１の塗布ステージ８５Ａが第１のアライメント領域８１Ａに配置された状態で、第１の塗布ステージ８５Ａに保持された基板のアライメントマークが撮像装置８３によって撮像される。撮像結果を解析することにより、基板のθ補正を行うとともに、Ｘ方向及びＹ方向の伸縮量を算出することができる。同様に、第２の塗布ステージ８５Ｂが第２のアライメント領域８１Ｂに配置された状態で、第２の塗布ステージ８５Ｂに保持された基板のθ補正を行うとともに、Ｘ方向及びＹ方向の伸縮量を算出することができる。

塗布領域８２に、ノズルユニット４７ａ〜４７ｆが備えられている。第１の塗布ステージ８５Ａを塗布領域８２に配置して、ノズルユニット４７ａ〜４７ｆに対して基板を走査することにより、第１の塗布ステージ８５Ａに保持されている基板の上面に薄膜パターンを形成することができる。同様に、第２の塗布ステージ８５Ｂを塗布領域８２に配置することにより、第２の塗布ステージ８５Ｂに保持されている基板の上面に薄膜パターンを形成することができる。

次に、塗布ステーション３で基板に薄膜パターンを形成する手順について説明する。図１５Ａに示すように、第１の塗布ステージ８５Ａ及び第２の塗布ステージ８５Ｂが、それぞれ第１の受け渡し領域８０Ａ及び第２の受け渡し領域８０Ｂに配置されている。この状態で、リフタ１１（図１４）が、未処理の基板２１を第１の塗布ステージ８５Ａに載せる。

図１５Ｂに示すように、第１の塗布ステージ８５Ａを第１のアライメント領域８１Ａまで移動させる。この状態で、基板２１の上面に形成されたアライメントマークを撮像装置８３（図１４）で撮像する。撮像結果に基づいて、基板２１のθ補正を行うとともに、薄膜パターンを形成するための吐出制御用画像データを生成する。

図１５Ｃに示すように、第１の塗布ステージ８５Ａを塗布領域８２まで移動させ、基板２１に対する薄膜材料の塗布処理を行う。並行して、リフタ１１が、次に処理すべき基板２２を第２の塗布ステージ８５Ｂに載せる。

図１５Ｄに示すように、第２の塗布ステージ８５Ｂを第２のアライメント領域８１Ｂに移動させる。この状態で、第２の塗布ステージ８５Ｂに保持されている基板２２の上面に形成されたアライメントマークを撮像装置８３（図１４）で撮像する。撮像結果に基づいて、基板２２のθ補正を行うとともに、吐出制御用画像データを生成する。第１の塗布ステージ８５Ａに保持されている基板２１に対しては、薄膜材料の塗布処理が継続して行われている。

図１５Ｅに示すように、基板２１への薄膜材料の塗布が完了した後、第１の塗布ステージ８５Ａを塗布領域８２から第１の受け渡し領域８０Ａまで移動させる。並行して、第２の塗布ステージ８５Ｂを第２のアライメント領域８１Ｂから塗布領域８２まで移動させる。

図１５Ｆに示すように、第２の塗布ステージ８５Ｂに保持された基板２２の上面に薄膜材料を塗布する。並行して、リフタ１２（図１）が、第１の塗布ステージ８５Ａに保持されている基板２１を、塗布ステーション３から搬出する。

図１５Ｇに示すように、リフタ１１（図１４）が、次に処理すべき基板２３を、第１の塗布ステージ８５Ａに載せる。このとき、塗布領域８２では、第２の塗布ステージ８５Ｂに保持されている基板２２の上面への薄膜材料の塗布処理が継続している。

図１５Ｈに示すように、第１の塗布ステージ８５Ａを第１のアライメント領域８１Ａまで移動させる。この状態で、基板２３の上面に形成されているアライメントマークを撮像する。撮像結果に基づいて、基板２３のθ補正を行うとともに、吐出制御用画像データを生成する。このとき、塗布領域８２では、第２の塗布ステージ８５Ｂに保持されている基板２２の上面への薄膜材料の塗布処理が継続している。

第２の塗布ステージ８５Ｂに保持されている基板２２への薄膜材料の塗布が完了すると、第２の塗布ステージ８５Ｂを第２の受け渡し領域８０Ｂまで移動させ、基板２２を塗布ステーション３から搬出する。並行して、図１５Ｃに示した工程と同様に、第１の塗布ステージ８５Ａを、塗布領域８２まで移動させるとともに、第２の塗布ステージ８５Ｂに、次に処理すべき基板を載せる。その後、図１５Ｄから図１５まで処理を繰返し実行する。

上述のように、実施例９においては、塗布ステーション３内において、１枚の基板に対する薄膜材料の塗布が行われている期間に、次に処理すべき基板のθ補正、及び吐出制御用画像データの生成が並行して行われる。このため、処理時間を短縮することができる。

［実施例１０］
図１６Ａ〜図１６Ｆに、実施例１０による基板製造装置の反転ステーション４の概略図を示す。以下、実施例１との相違点について説明し、同一の構成については説明を省略する。実施例１０の反転ステーション４は、実施例１〜実施例９の基板製造装置の反転ステーション４（図１、図７〜図１１）に適用される。

図１６Ａに示すように、反転ステーション４内にローラコンベア９０が備えられている。ローラコンベア９０の上流端から下流端に向かって、搬入部４Ａ、本硬化部４Ｂ、反転部４Ｃ、及び搬出部４Ｄが画定されている。塗布ステーション２（図１、図７〜図１１）で薄膜材料が塗布された基板２１が、リフタ１２（図１、図７〜図１１）により、ローラコンベア９０の搬入部４Ａの上に載せられる。薄膜材料が塗布された第１の面２１Ａが上方を向き、反対側の第２の面２１Ｂがローラコンベア９０に接触する。

本硬化部４Ｂのローラコンベア９０の上方に、本硬化用光源９１が配置されている。本硬化用光源９１は、ローラコンベア９０により、その下方を通過する基板２１の上面に紫外線を照射する。

反転部４Ｃでは、ローラコンベア９０が、基板２１を下から支持する第１のローラ９０Ａと、基板２１の上面に接する第２のローラ９０Ｂとを含む。第１のローラ９０Ａと第２のローラ９０Ｂとの上下関係を逆転させることにより、基板２１の裏表を反転させることができる。基板２１を反転させると、薄膜材料が塗布された第１の面２１Ａが下方を向き、薄膜材料が塗布されていない第２の面が上方を向く。

ローラコンベア９０の搬出部４Ｄまで搬送された基板２１が、リフタ１３（図１、図７〜図９）により、反転ステーション４から搬出され、２段目の塗布ステーション６（図１、図７〜図９）等に搬入される。

図１６Ｂに示すように、搬入部４Ａのローラコンベア９０に載せられた基板２１が、本硬化部４Ｂを通過して反転部４Ｂに向けて搬送される。本硬化部４Ｂを通過するときに、本硬化用光源９１からの紫外線に照射され、基板２１の第１の面２１Ａに塗布されている薄膜材料が本校化する。制御装置２０が、基板２１の送り速度を記憶した記憶装置２０ｂを含む。記憶装置２０ｂに記憶されている送り速度は、基板２１の第１の面２１Ａに投入される光エネルギ密度が、薄膜材料を本硬化させるのに十分な大きさになるように設定されている。なお、記憶装置２０ｂに、光照射時間を記憶させておいてもよい。この場合には、制御装置２０は、記憶装置２０ｂに記憶されている照射時間から、基板２１の送り速度を算出する。

図１６Ｃに示すように、基板２１が反転部４Ｃのローラコンベア９０まで搬送される。第１のローラ９０Ａと第２のローラ９０Ｂとの間に基板２１が挟まれた状態で、第１のローラ９０Ａ、第２のローラ９０Ｂ、及び基板２１を、搬送方向と平行な直線を回転中心として１８０°回転させる。図１６Ｄに、第１のローラ９０Ａ、第２のローラ９０Ｂ、及び基板２１を９０°回転させた状態の側面図を示す。基板２１の第１の面２１Ａが手前を向いている。

図１６Ｅに、第１のローラ９０Ａ、第２のローラ９０Ｂ、及び基板２１を９０°回転させた状態の側面図を示す。第１のローラ９０Ａと第２のローラ９０Ｂとの上下関係が逆転し、基板２１の第２の面２１Ｂが上方を向く。図１６Ｆに示すように、裏表が反転された基板２１を、ローラコンベア９０の搬出部４Ｄまで搬送する。

実施例１０のように、ローラコンベア９０を用いて、本硬化と基板の反転を行うことも可能である。

［実施例１１］
図１７に、実施例１１による基板製造装置の概略図を示す。基板ストッカ９３に、複数の基板が蓄積される。塗布ステーション３で、基板に所定の平面形状を有する薄膜パターンが形成される。塗布ステーション３で形成された薄膜パターンは、仮硬化の状態であり、本硬化は行われていない。反転ステーション４が、本硬化部４Ｂ及び反転部４Ｃを含む。本硬化部４Ｂで、基板に塗布された薄膜材料が本硬化される。反転ステーション４Ｃで、基板の裏表が反転される。実施例１１による基板製造装置には、本硬化部４Ｂの他に、本硬化ステーション９４が配置されている。本硬化ステーション９４でも、基板に塗布された薄膜材料の本硬化が行われる。

搬送装置１００が、基板ストッカ９３、本硬化ステーション９４、塗布ステーション３、反転ステーション４の本硬化部４Ｂと反転部４Ｃとの間で、基板を搬送する。搬送装置１００には、ローラコンベア、基板の上面を吸着して保持するリフタ、基板を下から支えるロボットアーム等が用いられる。搬送装置１００、及び各ステーション内の装置は、制御装置２０により制御される。図１７において、基板が処理される時の基板の移動経路を、矢印を付した曲線で示す。

基板ストッカ９３に蓄積されている未処理基板が、搬送装置１００によって塗布ステーション３に搬送される。塗布ステーション３で基板の一方の表面である第１の面に薄膜パターンが形成される。薄膜パターンが形成された基板が、搬送装置１００によって反転ステーション４の本硬化部４Ｂに搬送される。本硬化部４Ｂで、薄膜パターンが本硬化される。その後、反転ステーション４Ｃで、基板が反転される。反転された基板が、搬送装置１００で塗布ステーション３に搬送される。塗布ステーション３で、基板の第１の面とは反対側の第２の面に、薄膜パターンが形成される。第２の面に薄膜パターンが形成された基板が、搬送装置１００で本硬化ステーション９４に搬送される。本硬化ステーション９４は、基板の第２の面に形成された薄膜パターンを本硬化させる。第２の面の薄膜パターンが本硬化された後、基板は、搬送装置１００によって基板ストッカ９３まで搬送される。次に、図１８Ａ〜図１８Ｇを参照して、基板に薄膜パターンを形成する方法について、より詳細に説明する。

図１８Ａに示した反転ステーション４の搬入部４Ａ、本硬化部４Ｂ、及び反転部４Ｃの構成は、図１６Ａに示した実施例１０による基板製造装置のものと同一の構成を有する。基板ストッカ９３（図１７）から基板２１が塗布ステーション３に搬送される。塗布ステーション３で、基板２１の第１の面２１Ａに薄膜パターンが形成される。薄膜パターンが形成された基板２１が、搬送装置１００（図１７）により、反転ステーション４の搬入部４Ａに搬入される。薄膜パターンが形成された第１の面２１Ａが上方を向いている。

図１８Ｂに示すように、ローラコンベア９０を駆動することにより、基板２１が、本硬化部４Ｂを経由して反転部４Ｃまで搬送する。ローラコンベア９０は、塗布ステーション３から本硬化部４Ｂまで、及び本硬化部４Ｂから反転部４Ｃまで、基板２１を搬送する搬送装置１００（図１７）として機能する。基板２１の第１の面２１Ａに形成された薄膜パターンは、本硬化部４Ｂで本硬化用光源９１の下を通過する時に、紫外光の照射によって硬化される。

図１８Ｃに示すように、基板２１が反転ステーション４Ｃの第１のローラ９０Ａと第２のローラ９０Ｂとの間に挟まれる。図１８Ｄに示すように、第１のローラ９０Ａと第２のローラ９０Ｂとの上下を逆転させる。これにより、基板２１の第２の面２１Ｂが上方を向く。

図１８Ｅに示すように、ローラコンベア９０を駆動して、基板２１を搬入部４Ａまで搬送する。このとき、本硬化部４Ｂでは何ら処理は行われず、基板２１は本硬化部４Ｂを単に通過するのみである。

図１８Ｆに示すように、搬送装置１００（図１７）が、基板２１を反転ステーション４から塗布ステーション３に搬送する。塗布ステーション３で、基板２１の第２の面２１Ｂに薄膜パターンを形成する。

図１８Ｇに示すように、搬送装置１００（図１７）が、基板２１を、塗布ステーション３から本硬化ステーション９４まで搬送する。本硬化ステーション９４では、基板２１の第２の面２１Ｂに形成されている薄膜パターンに、本硬化用光源９２から紫外線が照射される。これにより、第２の面２１Ｂに形成されている薄膜パターンが本硬化される。第２の面の薄膜パターンが本硬化された基板２１は、搬送装置１００（図１７）によって基板ストッカ９３まで搬送される。

実施例１１では、図１８Ｆに示した工程で、基板２１の第２の面２１Ｂに薄膜パターンを形成した後、基板２１を反転ステーション４に戻すことなく、本硬化ステーション９４で薄膜パターンの本硬化を行うことができる。

図１７に示したように、塗布ステーション３は、基板が図１７において左向きに搬送されるとき、すなわち第１の面に薄膜パターンを形成するとき、及び基板が右向きに搬送されるとき、すなわち第２の面に薄膜パターンが形成されるときの両方で使用される。図１７において基板が左向きに搬送される経路を「往路」といい、右向きに搬送される経路を「復路」ということとする。

塗布ステーション３に、図１４に示した実施例９による塗布ステーション３を採用することが好ましい。実施例９による塗布ステーション３は、第１の塗布ステージ８５Ａ（図１４）と第２の塗布ステージ８５Ｂ（図１４）とを備えている。例えば、往路で第１の塗布ステージ８５Ａを使用し、復路で第２の塗布ステージ８５Ｂを施用することができる。このため、往路を搬送される基板と、復路を搬送される基板とが、塗布ステーション３内ですれ違うことができる。これにより、基板ストッカ９３から搬出された基板が往路及び復路を経由して基板ストッカ９３に戻ってくる前に、次に処理すべき基板を、往路に送り出すことができる。

［実施例１２］
図１９Ａに、実施例１２による基板製造装置の概略図を示す。実施例１２による基板製造装置は、基板ストッカ９３、塗布ステーション３、反転ステーション４、及び一時蓄積装置９５を含む。反転ステーション４は、実施例１１の反転ステーション４（図１８Ａ）と同様の構成を有し、本硬化部４Ｂと反転部４Ｃとを含む。搬送装置１００が、基板ストッカ９３、塗布ステーション３、反転ステーション４の本硬化部４Ｂ、反転ステーション４の反転部４Ｃ、及び一時蓄積装置９５との間で基板を搬送する。搬送装置１００、及び各ステーション内の装置は、制御装置２０により制御される。

図１９Ｂに、一時蓄積装置９５の概略側面図を示す。一時蓄積装置９５は、基板を載せるテーブルを有する。このテーブルの上に、複数の基板２１が積み重ねられる。搬送装置１００によって一時蓄積装置９５に搬入された基板は、既に蓄積されている基板の最も上に載せされる。また、搬送装置１００は、一時蓄積装置９５に積み重ねられている基板２１のうち最も上の基板を保持して、一時蓄積装置９５から搬出する。

図２０Ａ〜図２０Ｅを参照して、実施例１２による基板製造装置による基板の処理方法について説明する。

図２０Ａに示すように、基板製造装置の動作開始時点では、処理すべきすべての基板２１が基板ストッカ９３に蓄積されており、一時蓄積装置９５には、基板が蓄積されていない。基板ストッカ９３に蓄積されている基板２１は、第１の面が上方を向く姿勢で積み重ねられている。

図２０Ｂに示すように、搬送装置１００が、基板ストッカ９３に蓄積されている基板を１枚ずつ取り出して、塗布ステーション３、反転ステーション４の本硬化部４Ｂ、及び反転ステーション４の反転部４Ｃを経由し、一時蓄積装置９５まで搬送する。基板ストッカ９３から一時蓄積装置９５まで搬送する経路を「往路」ということとする。塗布ステーション３で、基板２１の第１の面に薄膜パターンが形成される。本硬化部４Ｂで、基板２１の第１の面に形成された薄膜パターンが本硬化される。反転部４Ｃで、基板２１の第２の面が上方を向くように、基板の裏表が反転される。一時蓄積装置９５において、基板２１は、第２の面が上方を向く姿勢で積み重ねられる。

図２０Ｃに、基板ストッカ９３に蓄積されていたすべての基板２１が搬出され、一時蓄積装置９５に一時的に蓄積された状態を示す。

図２０Ｄに示すように、搬送装置１００は、一時蓄積装置９５に蓄積されている基板２１を１枚ずつ搬出し、塗布ステーション３、反転ステーション４の本硬化部４Ｂを経由して、基板ストッカ９３まで搬送する。一時蓄積装置９５から基板ストッカ９３まで搬送する経路を「復路」ということとする。塗布ステーション３で、基板２１の第２の面に薄膜パターンが形成される。本硬化部４Ｂで、第２の面に形成されている薄膜パターンが本硬化される。

図２０Ｅに示すように、一時蓄積装置９５に一時的に蓄積されていた基板２１が、すべて基板ストッカ９３に搬送される。基板ストッカ９３に蓄積された基板２１は、両面に薄膜パターンが形成されている。

実施例１２では、図２０Ｂに示した往路を搬送される基板と、図２０Ｄに示した復路を搬送される基板とのすれ違いが生じない。このため、１枚の基板が往路を搬送されている期間に、次に処理すべき基板を基板ストッカ９３から往路に送り出すことができる。

［実施例１３］
図２１に、実施例１３による基板製造装置の概略図を示す。未処理の基板が、搬入側の基板ストッカ９３に蓄積されている。搬送装置１００が、１段目の塗布ステーション３、反転ステーション４の本硬化部４Ｂ、反転ステーション４の反転部４Ｃ、中間ストッカ９８、２段目の塗布ステーション６、本硬化ステーション９６、及び搬出側の基板ストッカ９７の間で、基板を搬送する。塗布ステーション３、６には、例えば図１４に示した実施例９による塗布ステーションが採用される。反転ステーション４には、図１６Ａに示した実施例１０による反転ステーションが採用される。本硬化ステーション９６は、例えば実施例１による基板製造装置のローラコンベア１６及び紫外線照射装置８を含む。搬送装置１００、及び各ステーション内の装置は、制御装置２０により制御される。

搬送装置１００、及び各ステーション内の装置は、制御装置２０に制御される。制御装置２０は、記憶装置２０ｃを含む。記憶装置２０ｃは、１段目の塗布ステーション３、及び２段目の塗布ステーション６の故障の有無を記憶する。塗布ステーション３、６が故障していない場合には、基板ストッカ９３に蓄積された基板が、搬送装置１００により、１段目の塗布ステーション３、反転ステーション４の本硬化部４Ｂ、反転ステーション４の反転部４Ｃ、２段目の塗布ステーション６、本硬化ステーション９６、を経由して、搬出側の基板ストッカ９７まで搬送される。これにより、基板の両面に薄膜パターンが形成される。中間ストッカ９８は使用されない。

中間ストッカ９８は、反転ステーション４と２段目の塗布ステーション６との間に配置されている。中間ストッカ９８は、複数の基板を蓄積することができる。また、中間ストッカ９８に蓄積された基板は、基板製造装置の外部に搬出することができる。逆に、基板製造装置の外部から中間ストッカ９８に基板を搬入することも可能である。

図２２Ａ、図２２Ｂ、及び図２２Ｃに、それぞれ２段目の塗布ステーション６が故障している場合の基板の経路の第１、第２、及び第３の例を示す。図２２Ａに示した第１の例では、２段目の塗布ステーション６及び本硬化ステーション９６に基板が搬入されるが、何も処理することなく搬出される。図２２Ｂに示した第２の例では、反転ステーション４から搬出された基板が、２段目の塗布ステーション６及び本硬化ステーション９６を経由することなく、直接、搬出用の基板ストッカ９７まで搬送される。図２２Ｃに示した第３の例では、反転ステーション４で反転処理された基板が、搬送装置１００により、中間ストッカ９８に搬送される。処理済の基板は、中間ストッカ９８から外部に取り出される。

図２３Ａ、図２３Ｂ、及び図２３Ｃに、それぞれ１段目の塗布ステーション３が故障している場合の基板の経路の第１、第２、及び第３の例を示す。図２３Ａに示した第１の例では、１段目の塗布ステーション３及び反転ステーション４に基板が搬入されるが、何も処理することなく搬出される。図２３Ｂに示した第２の例では、搬入側の基板ストッカ９３から搬出された基板が、１段目の塗布ステーション３及び反転ステーション４を経由することなく、直接、２段目の塗布ステーション６まで搬送される。図２３Ｃに示した第３の例では、搬入側の基板ストッカ９３を使用せず、未処理の基板が中間ストッカ９８に準備されている。未処理の基板は、中間ストッカ９８から２段目の塗布ステーション６に搬送される。

図２２Ａ〜図２３Ｃに示したように、塗布ステーション３、６のうち一方が故障している場合でも、基板の片面に薄膜パターンを形成することができる。

［実施例１４］
図２４Ａ〜図２４Ｄを参照して、実施例１４による基板製造装置について説明する。以下、実施例１３との相違点について説明し、同一の構成については説明を省略する。実施例１４では、実施例１３の搬入用の基板ストッカ９３及び中間ストッカ９８（図２１）に代えて、移動ストッカ９９Ａ、９９Ｂが配置される。移動ストッカ９９Ａ、９９Ｂは、搬送装置１００の搬送経路から取り外して移動することができる。図２４Ａ〜図２４Ｄには、２段目の塗布ステーション６が故障しているときの基板の処理の流れを示す。

図２４Ａに示すように、搬入用の移動ストッカ９９Ａに、複数の未処理の基板が蓄積されている。他方の移動ストッカ９９Ｂには、基板が蓄積されていない。移動ストッカ９９Ａ及び９９Ｂが、それぞれ図２１の搬入用の基板ストッカ９３及び中間ストッカ９８の位置に配置されている。搬送装置１００は、移動ストッカ９９Ａから、１段目の塗布ステーション３、反転ステーション４を経由して、もう一方の移動ストッカ９９Ｂまで基板を搬送する。これにより、基板の第１の面に薄膜パターンが形成される。移動ストッカ９９Ａに蓄積されていたすべての基板が、もう一方の移動ストッカ９９Ｂに搬送された後、図２４Ｂに示すように、移動ストッカ９９Ａ、９９Ｂを搬送装置１００の搬送経路から取り外す。

図２４Ｃに示すように、空になった移動ストッカ９９Ａを、中間ストッカ９８（図２１）の位置に配置し、片面に薄膜パターンが形成された基板を蓄積している移動ストッカ９９Ｂを、搬入用の基板ストッカ９３（図２１）の位置に配置する。移動ストッカ９９Ａ、９９Ｂの移動は、人手で行なってもよいし、移動ストッカ９９Ａ、９９Ｂに自動運転機能を持たせてもよい。

図２４Ｄに示すように、移動ストッカ９９Ｂから、塗布ステーション３、及び反転ステーション４の本硬化部４Ｂを経由して、もう一方の移動ストッカ９９Ａまで基板を搬送する。これにより、基板の第２の面に、薄膜パターンが形成される。反転ステーション４に、図１６Ａに示した実施例１０による反転ステーション４が採用されている場合には、反転部４Ｃを基板が通過するが、反転動作は行われない。

実施例１４では、搬送装置１００により基板を一方向に搬送するのみで、両面に薄膜パターンを形成することができる。１段目の塗布ステーション３が故障している場合には、図２１に示した中間ストッカ９８及び搬出用の基板ストッカ９７を、それぞれ移動ストッカ９９Ａ、９９Ｂに置き換えればよい。

［実施例１５］
図２５に、実施例１５による基板製造装置の概略図を示す。以下、図２１に示した実施例１３との相違点について説明し、同一の構成については説明を省略する。実施例１５では、図２１に示した中間ストッカ９８及び本硬化ステーション９６が配置されない。すなわち、２つの塗布ステーション３、６に対して、１つの本硬化部４Ｂが配置される。

搬入用の基板ストッカ９３から２段目の塗布ステーション６までの基板の流れは、図２１に示した実施例１３と同一である。実施例１５では、２段目の塗布ステーション６で第２の面に薄膜パターンが形成された基板が、搬送装置１００によって反転ステーション４の本硬化部４Ｂに戻される。本硬化部４Ｂで、基板の第２の面の薄膜パターンが本硬化される。その後、基板は、本硬化部４Ｂから搬出用の基板ストッカ９７に搬送される。

塗布ステーション３、６における薄膜材料の塗布処理時間に比べて、本硬化部４Ｂにおける本硬化処理が短い場合には、実施例１５のように、１つの本硬化部４Ｂで、第１の面及び第２の面の薄膜パターンの本硬化を行うようにしてもよい。

図２６に、実施例１５の変形例による基板製造装置の各ステーションの平面レイアウトの一例を示す。図２６に示すように、搬入用の基板ストッカ９３、１段目の塗布ステーション３、本硬化部４Ｂ、反転部４Ｃ、２段目の塗布ステーション６、及び搬出用の基板ストッカ９７が、円周に沿って配置されている。この円周の中心部に、搬送装置１００が配置されている。搬送装置１００には、例えば回転伸縮アームを用いることができる。

以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。

１ 搬出入口
２ アライメントステーション
３ 塗布ステーション
４ 反転ステーション
４Ａ 搬入部
４Ｂ 本硬化部
４Ｃ 反転部
４Ｄ 搬出部
５ アライメントステーション
６ 塗布ステーション
７ 搬出入口
８、９ 紫外線照射装置
１１〜１４ リフタ
１５、１６ コンベア
１７ 搬出口
１８ 筐体
２０ 制御装置
２０ａ、２０ｂ、２０ｃ 記憶装置
２１〜２７ 基板
２２ａ〜２２ｄ アライメントマーク
３１ ベース
３２ Ｙステージ
３３ θステージ
３４ チャックプレート
３５〜３８ ＣＣＤカメラ
４１ ベース
４２ フレーム
４２ａ、４２ｂ 支柱
４２ｃ 梁
４３ Ｘステージ
４４ Ｙステージ
４５ チャックプレート
４６ 連結部材
４７ａ〜４７ｆ ノズルユニット
４７ａ１〜４７ａ４ ノズルヘッド
４７ａ５〜４７ａ９ 紫外光源
４７ａｃ ノズルホルダ
４８ 仮置ステージ
４９ θステージ
５０ 基板反転装置
５１ 基板保持器
５２ 支持部材
５３ 真空吸着パッド
５４ 押さえローラ
５５ クランプ機構
５６ ガイド
６０ 紫外線照射装置
６１ 支持部材
６２ 紫外光源
６３〜６６ ＣＣＤカメラ
７０ 液滴吐出装置
８０Ａ 第１の受け渡し領域
８０Ｂ 第２の受け渡し領域
８１Ａ 第１のアライメント領域
８１Ｂ 第２のアライメント領域
８２ 塗布領域
８３ 撮像装置
８５Ａ 第１の塗布ステージ
８５Ｂ 第２の塗布ステージ
９０ ローラコンベア
９０Ａ 第１のローラ
９０Ｂ 第２のローラ
９１、９２ 本硬化用光源
９３ 基板ストッカ
９４ 本硬化ステーション
９５ 一時蓄積装置
９６ 本硬化ステーション
９７ 基板ストッカ
９８ 中間ストッカ
９９Ａ、９９Ｂ 移動ストッカ
１００ 搬送装置

Ｘステージ４３は、Ｙステージ４４及びチャックプレート４５と共に、基板２３をＸ軸方向に移動させる。Ｙステージ４４は、チャックプレート４５と共に、基板２３をＹ軸方向に移動させる。Ｘステージ４３、Ｙステージ４４、及びチャックプレート４５をまとめて、「移動ステージ」という。チャックプレート４５による基板２３の吸着、Ｘステージ４３及びＹステージ４４による基板２３の移動は、制御装置２０によって制御される。

ベース４１にフレーム４２が固定されている。フレーム４２は、２本の支柱４２ａ、４２ｂ、及び梁４２ｃを含む。支柱４２ａ、４２ｂは、ベース４１のＹ軸方向の略中央に取り付けられている。梁４２ｃは、Ｘ軸方向に沿うように、支柱４２ａ、４２ｂに支持される。ノズルユニット４７ａ〜４７ｆが、フレーム４２により、チャックプレート４５の上方に支持されている。

ノズルユニット４７ａ〜４７ｆは、連結部材４６を介して、フレーム４２の梁４２ｃに支持されている。ノズルユニット４７ａ〜４７ｆは、それぞれ複数のノズルヘッド及び紫外光源を含む。ノズルヘッドは、例えば紫外線硬化型の薄膜材料の液滴を、チャックプレート４５に保持された基板２３の第１の面に向けて吐出する。薄膜材料の吐出は、基板２３をＹ軸方向に移動させながら行われる。吐出された薄膜材料により、基板２３の第１の面に所定の平面形状を有する薄膜パターンが形成される。紫外光源から出射される紫外線
により、薄膜パターンが仮硬化する。

紫外光源４７ａ５〜４７ａ９は、例えば発光ダイオード（ＬＥＤ）を含んで構成され、紫外域の波長の光を発光する。ノズルヘッド４７ａ１〜４７ａ４の各ノズル孔から基板２３に吐出された紫外線硬化型の薄膜材料は、紫外光源４７ａ５〜４７ａ９から発せられる光によって仮硬化される。紫外光源４７ａ５〜４７ａ９からの紫外光の出射は、制御装置２０によって制御される。

紫外線照射装置６０は、支持部材６１及び紫外光源６２を含む。支持部材６１は、基板反転装置５０の支持部材５２の延在方向と平行な方向に延在している。紫外光源６２は、ランプまたはＬＥＤを含み、紫外線領域の波長の光を発光する。紫外光源６２は、ノズルユニットに含まれる紫外光源４７ａ５〜４７ａ９（図４Ａ）よりも高出力である。紫外光源６２から放射される紫外光の波長は、ノズルユニットの紫外光源から出射される紫外光の波長と等しくてもよいし、異なっていてもよい。

図５Ｃに示すように、紫外光源６２から紫外光を出射させながら、紫外光源６２を支持部材６１に沿って移動させる。紫外光源６２を支持部材６１に沿って移動させるとき、紫外光源６２が、基板保持器５１に保持された基板２４の上方を通過し、紫外光源６２から出射された紫外光が、少なくとも基板２４の薄膜パターンが形成された領域、例えば基板２４の第１の面の全域に照射される。紫外光源６２から出射された紫外光は、例えば１０００ｍＪ／ｃｍ^２のエネルギ密度で、基板２４の第１の面全体に照射される。紫外光の照射により、基板２４の第１の面に形成された薄膜パターンの本硬化が行われる。薄膜パターンの本硬化を行うときは、仮硬化を行うときに比べて、強いエネルギ密度で基板２４に紫外光が照射される。

上述の例においては、紫外光を照射し、基板２４の第１の面の薄膜パターンを本硬化さ
せた後、基板保持器５１を回転させて、基板２４の表裏を反転させた。基板２４の表裏を反転させた後、Ｚ軸の負の側から基板２４の第１の面に紫外光を照射して本硬化を行ってもよい。また、紫外光の照射による本硬化と、基板保持器５１の回転による基板２４の反転とを同時並行的に行ってもよい。この場合、たとえば回転中の基板２４の第１の面に所定強度の紫外光が照射されるように、紫外光源６２を、基板２４の回転と同期させて回転移動させる等の構成を採用する。基板２４を反転させる期間に本硬化を行うことにより、反転ステーション４での処理時間を短くすることができる。

通常運転時は、各ステーション２〜４で同時平行的に基板を処理するが、２段目の塗布ステーション６の液滴吐出装置の故障時またはメンテナンス時には、基板は同時並行的ではなく、１枚ずつ処理される。例えば１枚の基板に対する処理が終了し、基板が筐体１８から搬出された後に、他の基板が筐体１８内に搬入される。このため、非通常運転時には、通常運転時に比べて、生産効率は低くなる。

第２の面がＺ軸の正方向を向いた状態の基板が、リフタ１３により、再びアライメントステーション５に搬送される。アライメントステーション５において、基板の第２の面に形成されたアライメントマークが検出され、検出結果に基いて、基板のθ補正が行われる。また、アライメントステーション５で取得された画像データに基づき、基板のサイズが算出され、算出されたサイズに応じて、第２の面に形成する薄膜パターンの吐出制御用画像データが生成される。

第２の面に薄膜パターンが形成された基板は、コンベア１５に搬送され、紫外線照射装置８により、第２の面の薄膜パターンの本硬化が行われる。その後、コンベア１５が、搬出入口１から筐体１８の外部へ基板を搬出する。

基板は、コンベア１６で搬送され、搬出入口７から筐体１８内に導入される。筐体１８
の内部に導入された基板は、リフタ１４、１３によって、アライメントステーション５に搬送され、簡易的なアライメントが行われる。その後、基板は、塗布ステーション６の液滴吐出装置のチャックプレート４５まで搬送される。塗布ステーション６において、ＣＣＤカメラ６３〜６６によって、基板の第１の面のアライメントマークが検出される。制御装置２０は、検出結果に基づき、基板２１〜２４の位置、及び回転方向の姿勢を検出し、基板のθ補正を行う。また、制御装置２０は、基板のサイズを算出し、算出されたサイズに応じて、吐出制御用画像データを生成する。その後、生成された吐出制御用画像データに基づいて、基板の第１の面に薄膜パターンを形成する。薄膜パターンが形成された基板は、リフタ１３によって反転ステーション４に搬送され、第１の面に形成された薄膜パターンの本硬化と、表裏の反転とが行われる。その後、基板は搬出口１７から、例えばコンベアまたは人手によって、筐体１８の外部へ搬出される。

実施例４による基板製造装置も、実施例３と同様に、塗布ステーション３、６の液滴吐出装置の一方が使用できない際には、他方の塗布ステーションを用いて基板片面に薄膜パターンを形成する。片面に薄膜パターンが形成された基板を搬出口１７から基板製造装置の外部（筐体１８の外部）へ搬出する。実施例４による基板製造装置も、塗布ステーションの故障時に継続して作業を行うことが可能である。

第２の塗布ステージ８５Ｂに保持されている基板２２への薄膜材料の塗布が完了すると、第２の塗布ステージ８５Ｂを第２の受け渡し領域８０Ｂまで移動させ、基板２２を塗布ステーション３から搬出する。並行して、図１５Ｃに示した工程と同様に、第１の塗布ステージ８５Ａを、塗布領域８２まで移動させるとともに、第２の塗布ステージ８５Ｂに、次に処理すべき基板を載せる。その後、図１５Ｄから図１５Ｈまで処理を繰返し実行する。

図１６Ａに示すように、反転ステーション４内にローラコンベア９０が備えられている。ローラコンベア９０の上流端から下流端に向かって、搬入部４Ａ、本硬化部４Ｂ、反転部４Ｃ、及び搬出部４Ｄが画定されている。塗布ステーション３（図１、図７〜図１１）で薄膜材料が塗布された基板２１が、リフタ１２（図１、図７〜図１１）により、ローラコンベア９０の搬入部４Ａの上に載せられる。薄膜材料が塗布された第１の面２１Ａが上方を向き、反対側の第２の面２１Ｂがローラコンベア９０に接触する。

図１６Ｂに示すように、搬入部４Ａのローラコンベア９０に載せられた基板２１が、本硬化部４Ｂを通過して反転部４Ｃに向けて搬送される。本硬化部４Ｂを通過するときに、本硬化用光源９１からの紫外線に照射され、基板２１の第１の面２１Ａに塗布されている薄膜材料が本硬化する。制御装置２０が、基板２１の送り速度を記憶した記憶装置２０ｂを含む。記憶装置２０ｂに記憶されている送り速度は、基板２１の第１の面２１Ａに投入される光エネルギ密度が、薄膜材料を本硬化させるのに十分な大きさになるように設定されている。なお、記憶装置２０ｂに、光照射時間を記憶させておいてもよい。この場合には、制御装置２０は、記憶装置２０ｂに記憶されている照射時間から、基板２１の送り速度を算出する。

塗布ステーション３に、図１４に示した実施例９による塗布ステーション３を採用することが好ましい。実施例９による塗布ステーション３は、第１の塗布ステージ８５Ａ（図１４）と第２の塗布ステージ８５Ｂ（図１４）とを備えている。例えば、往路で第１の塗布ステージ８５Ａを使用し、復路で第２の塗布ステージ８５Ｂを使用することができる。このため、往路を搬送される基板と、復路を搬送される基板とが、塗布ステーション３内ですれ違うことができる。これにより、基板ストッカ９３から搬出された基板が往路及び復路を経由して基板ストッカ９３に戻ってくる前に、次に処理すべき基板を、往路に送り出すことができる。

Claims (10)

1. 下地基板の片面に、液状の薄膜材料を塗布し、前記下地基板に塗布された薄膜材料に光を照射して薄膜材料の表層部を硬化させる第１の塗布ステーションと、
   前記第１の塗布ステーションで薄膜材料が塗布された下地基板が搬入され、下地基板に塗布された薄膜材料に光を照射して薄膜材料の内部まで硬化させるとともに、前記下地基板の裏表を反転させる反転ステーションと、
   前記第１の塗布ステーションと前記反転ステーションとの間で下地基板を搬送する搬送装置と、
   前記第１の塗布ステーション、前記反転ステーション、及び前記搬送装置を制御する制御装置と
   を有し、
   前記制御装置は、前記搬送装置を制御して、前記第１の塗布ステーションで処理された下地基板を前記反転ステーションに搬送する基板製造装置。
2. 前記反転ステーションは、前記下地基板に塗布された薄膜材料の内部まで硬化させた後、前記下地基板の裏表を反転させる請求項１に記載の基板製造装置。
3. 前記反転ステーションで、前記下地基板に塗布されている薄膜材料に照射される光のエネルギ密度が、前記第１の塗布ステーションで、前記下地基板に塗布された薄膜材料に照射される光のエネルギ密度よりも高い請求項１または２に記載の基板製造装置。
4. 前記制御装置は、前記搬送装置を制御して、前記反転ステーションで反転された下地基板を、前記第１の塗布ステーションに再搬入する請求項１に記載の基板製造装置。
5. さらに、
   複数枚の下地基板を蓄積する一時蓄積装置を有し、
   前記搬送装置は、前記反転ステーションと前記一時蓄積装置との間で下地基板を搬送し、
   前記制御装置は、前記搬送装置を制御して、前記反転ステーションから前記一時蓄積装置まで下地基板を搬送して、前記一時蓄積装置に複数枚の下地基板を順番に蓄積し、前記一時蓄積装置に蓄積された複数枚の下地基板を順番に取り出して、前記第１の塗布ステーションまで搬送する請求項４に記載の基板製造装置。
6. さらに、下地基板の片面に、液状の薄膜材料を塗布して、前記下地基板に塗布された薄膜材料の表層部を硬化させる第２の塗布ステーションを有し、
   前記搬送装置は、前記反転ステーションで反転された下地基板を、前記第２の塗布ステーションまで搬送する請求項１乃至３のいずれか１項に記載の基板製造装置。
7. さらに、
   前記制御装置は、前記第１の塗布ステーション及び前記第２の塗布ステーションに故障が発生しているか否かを記憶する記憶装置を有し、前記第１の塗布ステーション及び前記第２の塗布ステーションの一方に故障が発生しているとき、前記制御装置は、前記搬送装置を制御して、故障が発生している塗布ステーションに搬入された下地基板に薄膜材料を塗布することなく、当該下地基板を、故障が発生している塗布ステーションから搬出する請求項６に記載の基板製造装置。
8. さらに、前記反転ステーションから搬出された下地基板を蓄積する中間ストッカを有し、
   前記第２の塗布ステーションが故障しているとき、前記制御装置は、前記搬送装置を制御して、前記反転ステーションから搬出された下地基板を前記中間ストッカに蓄積する請求項７に記載の基板製造装置。
9. さらに、前記第２の塗布ステーションに搬送する下地基板を蓄積する中間ストッカを有し、
   前記第１の塗布ステーションが故障しているとき、前記制御装置は、前記搬送装置を制御して、前記中間ストッカに蓄積されている下地基板を前記第２の塗布ステーションまで搬送する請求項５に記載の基板製造装置。
10. 下地基板を第１の塗布ステーションに搬入し、前記第１の塗布ステーションにおいて、前記下地基板の第１の面に、液状の薄膜材料を塗布して、前記下地基板に塗布された薄膜材料の表層部を硬化させる工程と、
    前記第１の塗布ステーションから前記下地基板を取り出して本硬化部に搬入し、前記本硬化部において、前記下地基板の前記第１の面に塗布された薄膜材料を、その内部まで硬化させる工程と、
    前記下地基板を、前記本硬化部から反転部まで搬送し、前記反転部において、前記下地基板の裏表を反転させる工程と、
    前記反転部から前記下地基板を取り出し、前記下地基板の上下が反転した状態で、前記下地基板を前記第１の塗布ステーションまで搬送し、前記第１の塗布ステーションにおいて、前記下地基板の第１の面とは反対側の第２の面に、液状の薄膜材料を塗布して、前記下地基板の前記第２の面に塗布された薄膜材料の表層部を硬化させる工程と、
    前記下地基板を、前記第１の塗布ステーションから前記本硬化部まで搬送し、前記本硬化部において、前記下地基板の前記第２の面に塗布された薄膜材料を、その内部まで硬化させる工程と
    を有する基板製造方法。

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