JPWO2011152333A1 - Bi置換希土類鉄ガーネット単結晶とその製造方法及び光デバイス - Google Patents
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Abstract
Description
R3-xBixFe5-wAwO12(但し、前記RはY, Eu, Gd, Ho, Yb, Lu, Nd, Tm, La, Sm, Dy, Er, Ce, Prからなる群から選ばれる一種又は二種以上の希土類元素で前記Gdを必ず含み、前記AはGa, Al, In, Sc, Co, Ni, Cr, V, Ti, Si, Ge, Mg, Zn, Nb, Ta, Sn, Zr, Hf, Pt, Rh, Te, Os, Ce, Luからなる群から選ばれる一種又は二種以上の元素であり、前記xは0.7<x≦1.5、前記wは0<w≦1.5)で表される組成を有すると共に、
Pbを含有せず且つPtを含有し、
更に、Mn又は第2族元素の少なくとも1つの元素を含有し、
前記Mn又は第2族元素の少なくとも1つの元素をMで表すと共に、
前記Bi置換希土類鉄ガーネット単結晶中の、M濃度(atppm)を[M]、Pt濃度(atppm)
を[Pt]と表し、[M]と[Pt]との関係式Δを
と表したときに、係数αが0.815±0.035の数値範囲内の何れかの値に設定され、且つ、Δが-0.40atppm以上3.18atppm以下に設定されることを特徴とする。
Pt製の坩堝に、少なくともBi2O3と鉛化合物を含まない溶媒とFe2O3とGd2O3、及び前記Fe2O3と前記Gd2O3以外の溶質を入れ、
前記溶媒に更にMO又はMO2又はM2O3(但し、MはMn又は第2族元素の少なくとも1つ)の何れかの混合物を投入し、
Bi置換希土類鉄ガーネット単結晶中の、M濃度(atppm)を[M]、Pt濃度(atppm)を[Pt]と表し、[M]と[Pt]との関係式Δを
と表したときに、係数αが0.815±0.035の数値範囲内の何れかの値に設定され、且つ、Δが-0.40atppm以上3.18atppm以下に設定される前記Bi置換希土類鉄ガーネット単結晶を、磁性ガーネット結晶基板上に育成することを特徴とする。
以下、前記製造方法により作製された、本発明に係るガーネット単結晶の実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。表1に、本発明に係るガーネット単結晶の一例であるGd系ガーネット単結晶の各組成式と、Mn濃度(atppm)、Pt濃度(atppm)、Δ値(atppm)、及び中心波長1.55μmにおけるIL値(dB)をそれぞれ示す。なお、係数αは0.815で統一するものとし、Δ値(atppm)は小数点以下第3位を四捨五入した。表1において上から順に各々実施例1〜8とした。又、作製したガーネット単結晶の組成分析と、Mn濃度及びPt濃度の分析は、ICP・MS分析法で行った。
ガーネット単結晶中のMn濃度及びPt濃度を変更して、Δ値を変更した以外は、前記実施例1〜8と同様の条件で比較例1〜2のガーネット単結晶を作製した。そして、作製したガーネット単結晶を前記実施例1〜8と同様に評価した。比較例1はΔ値が-0.40atppm未満となるようにMn濃度及びPt濃度を設定し、比較例2はΔが3.18atppmを超えるように設定した。
Claims (8)
- R3-xBixFe5-wAwO12(但し、前記RはY, Eu, Gd, Ho, Yb, Lu, Nd, Tm, La, Sm, Dy, Er, Ce, Prからなる群から選ばれる一種又は二種以上の希土類元素で前記Gdを必ず含み、前記AはGa, Al, In, Sc, Co, Ni, Cr, V, Ti, Si, Ge, Mg, Zn, Nb, Ta, Sn, Zr, Hf, Pt, Rh, Te, Os, Ce, Luからなる群から選ばれる一種又は二種以上の元素であり、前記xは0.7<x≦1.5、前記wは0<w≦1.5)で表される組成を有すると共に、
Pbを含有せず且つPtを含有し、
更に、Mn又は第2族元素の少なくとも1つの元素を含有し、
前記Mn又は第2族元素の少なくとも1つの元素をMで表すと共に、
前記Bi置換希土類鉄ガーネット単結晶中の、M濃度(atppm)を[M]、Pt濃度(atppm)を[Pt]と表し、[M]と[Pt]との関係式Δを
と表したときに、係数αが0.815±0.035の数値範囲内の何れかの値に設定され、且つ、Δが-0.40atppm以上3.18atppm以下に設定されることを特徴とするBi置換希土類鉄ガーネット単結晶。 - 前記Δが-0.20atppm以上1.21atppm以下に設定されることを特徴とする請求項1に記載のBi置換希土類鉄ガーネット単結晶。
- 前記Δが0atppmに設定されることを特徴とする請求項1又は2に記載のBi置換希土類鉄ガーネット単結晶。
- Pt製の坩堝に、少なくともBi2O3と鉛化合物を含まない溶媒とFe2O3とGd2O3、及び前記Fe2O3と前記Gd2O3以外の溶質を入れ、
前記溶媒に更にMO又はMO2又はM2O3(但し、MはMn又は第2族元素の少なくとも1つ)の何れかの混合物を投入し、
Bi置換希土類鉄ガーネット単結晶中の、M濃度(atppm)を[M]、Pt濃度(atppm)を[Pt]と表し、[M]と[Pt]との関係式Δを
と表したときに、係数αが0.815±0.035の数値範囲内の何れかの値に設定され、且つ、Δが-0.40atppm以上3.18atppm以下に設定される前記Bi置換希土類鉄ガーネット単結晶を、磁性ガーネット結晶基板上に育成することを特徴とするBi置換希土類鉄ガーネット単結晶の製造方法。 - 前記Δが-0.20atppm以上1.21atppm以下に設定されることを特徴とする請求項4に記載のBi置換希土類鉄ガーネット単結晶の製造方法。
- 前記Δが0atppmに設定されることを特徴とする請求項4又は5に記載のBi置換希土類鉄ガーネット単結晶の製造方法。
- 前記Bi置換希土類鉄ガーネット単結晶を不活性ガス雰囲気中で育成することを特徴とする請求項4乃至6の何れかに記載のBi置換希土類鉄ガーネット単結晶の製造方法。
- 請求項1乃至3の何れかに記載のBi置換希土類鉄ガーネット単結晶を備えた、光アイソレータ、光サーキュレータ、光アッテネータ、ファラデーミラー、電流センサ、磁界センサ、磁気光学スイッチ。
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