JPWO2011013630A1 - ナノインプリント用レジスト下層膜形成組成物 - Google Patents
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Abstract
Description
すなわち、本発明は第1観点として、ナノインプリントを用いるパターン形成プロセスにおいてナノインプリントに使用されるレジストの下層膜を熱焼成、光照射又はその両方を行うことによって形成するための組成物であって、ケイ素原子を含む重合性化合物(A)、重合開始剤(B)、及び溶剤(C)を含むナノインプリント用レジスト下層膜形成組成物、
第2観点として、前記重合性化合物(A)が、ケイ素原子を5乃至45質量%含有するものである第1観点に記載のレジスト下層膜形成組成物、
第3観点として、前記重合性化合物(A)が、カチオン重合可能な反応性基を少なくとも一つ有する重合性化合物、ラジカル重合可能な反応性基を少なくとも一つ有する重合性化合物、又はそれら両者であり、前記重合開始剤(B)が光重合開始剤である第1観点又は第2観点に記載のレジスト下層膜形成組成物、
第4観点として、前記重合性化合物(A)が、カチオン重合可能な反応性基を少なくとも一つ有する重合性化合物、ラジカル重合可能な反応性基を少なくとも一つ有する重合性化合物、又はそれら両者であり、前記重合開始剤(B)が熱重合開始剤である第1観点又は第2観点に記載のレジスト下層膜形成組成物、
第5観点として、カチオン重合可能な反応性基がエポキシ基、オキセタン基、又はそれらの基のいずれか若しくは双方を含む有機基である第3観点又は第4観点に記載のレジスト下層膜形成組成物、
第6観点として、ラジカル重合可能な反応性基がビニル基、又はビニル基を含む有機基である第3観点又は第4観点に記載のレジスト下層膜形成組成物、
第7観点として、上記重合性化合物(A)が、式(I):
式(II):
からなる群から選ばれた少なくとも1種の有機ケイ素化合物、その加水分解物、その加水分解縮合物又はそれらの混合物を含有するケイ素原子を含有する重合性化合物(A1)である第1観点乃至第6観点のいずれか一つに記載のレジスト下層膜形成組成物、
第8観点として、上記重合性化合物(A)が、上記式(I)で表される有機ケイ素化合物及び上記式(II)で表される有機ケイ素化合物からなる群から選ばれた少なくとも1種の有機ケイ素化合物、その加水分解物、その加水分解縮合物又はそれらの混合物を含有するケイ素原子を含有する重合性化合物(A1)と、
一般式(III)、
式(IV)、
からなる群から選ばれた少なくとも1種の有機ケイ素化合物、その加水分解物、その加水分解縮合物又はそれらの混合物を含有するケイ素原子を含有する重合性化合物(A2)との組み合わせである第1観点乃至第6観点のいずれか一つに記載のレジスト下層膜形成組成物、
第9観点として、上記ケイ素原子を含有する重合性化合物(A)は、上記(A1)中のケイ素原子と上記(A2)中のケイ素原子との存在比がモル比で100:0乃至50である重合性化合物(A1)と重合性化合物(A2)の組み合わせからなり、該重合性化合物(A1)と該重合性化合物(A2)を加水分解し、それを縮合した重量平均分子量100乃至100000の、重合性有機基を有する縮合物である第1観点乃至第6観点のいずれか一つに記載のレジスト下層膜形成組成物、
第10観点として、上記ケイ素原子を含有する重合性化合物(A)が、上記式(I)で表される有機ケイ素化合物、又は上記式(I)で表される有機ケイ素化合物と式(III)で表される有機ケイ素化合物の組み合わせからなり、上記式(I)で表される有機ケイ素化合物中、又は上記式(I)で表される有機ケイ素化合物及び式(III)で表される有機ケイ素化合物の両者中において、a+bの値、又はa+bの値とa1+b1の値が1となる有機ケイ素化合物を5乃至75質量%の割合で含有し、それらを加水分解し、縮合した重量平均分子量100乃至1000000の、重合性有機基を有する縮合物である第1観点乃至第6観点のいずれか一つに記載のレジスト下層膜形成組成物、
第11観点として、重合性化合物(A)が熱カチオン重合可能な反応性基と光ラジカル重合可能な反応性基を10:90乃至90:10のモル比で含有するものである第7観点乃至第10観点のいずれか一つに記載のレジスト下層膜形成組成物、
第12観点として、更に、架橋性化合物、表面改質剤又はその両方を含む第1観点乃至第11観点のいずれか一つに記載のレジスト下層膜形成組成物、
第13観点として、第1観点乃至第12観点に記載のレジスト下層膜形成組成物を基板上に塗布してレジスト下層膜を形成する工程、及び前記レジスト下層膜に熱焼成、光照射又はその両方を行うことによってレジスト下層膜を硬化する工程、及び前記レジスト下層膜の上にナノインプリント用レジスト組成物を塗布し熱焼成することによってナノインプリント用レジストを形成する工程を含む、ナノインプリントを用いるパターン形成プロセスにおいて使用される積層構造の形成方法、
第14観点として、第1観点乃至第12観点に記載のレジスト下層膜形成組成物を基板上に塗布してレジスト下層膜を形成する工程、及び前記レジスト下層膜に熱焼成、光照射又はその両方を行うことによってレジスト下層膜を硬化する工程、及び前記レジスト下層膜の上にナノインプリント用レジスト組成物を塗布し熱焼成することによってナノインプリント用レジストを形成する工程、ステップ・アンド・リピート法によりインプリントする工程を含む、ナノインプリントを用いるパターン形成プロセスにおいて使用される積層構造の形成方法、
第15観点として、前記基板が高さ/直径で示されるアスペクト比が0.01以上のホール、又は高さ/幅で示されるアスペクト比が0.01以上の段差を有する基板である、第13観点又は第14観点に記載の形成方法、及び
第16観点として、前記光照射が波長250nm乃至650nmの光によって行われる、第13観点乃至第15観点のいずれか一つに記載の形成方法である。
本発明のレジスト下層膜形成組成物は、有機ケイ素化合物に由来する無機原子であるケイ素原子を5〜45質量%含むことにより、酸素ガスによるプラズマエッチング速度が小さくなり、エッチング耐性のあるハードマスク層となる。
また、本発明のレジスト下層膜のレジストパターンに従うエッチング時に使用されるフッ素系ガス(例えばCF4)は、レジストに比べ充分に高いエッチング速度を有しているため、レジストパターンに従い本発明のレジスト下層膜をエッチング除去し、レジストパターンを本発明の下層膜に転写することが可能であり、形成されたレジスト膜とレジスト下層膜を保護膜として基板の加工ができる。
該レジスト下層膜上に形成したナノインプリント用レジストに、微細な凹凸を有するテンプレートを押しつけて加圧し、加圧した状態で光照射又は熱焼成して組成物を硬化させた後、塗膜からテンプレートを離型する際に、本発明の下層膜とナノインプリント用レジスト間の高い密着性により、レジストパターンの欠け、倒れ、剥がれ、又はレジスト小片の再付着による異物等のパターニング欠損の問題が起こりにくい。
更に、本発明のレジスト下層膜の上層に形成されるレジストとのインターミキシングを起こさず、フォトレジスト溶媒に不溶であり、塗布時または加熱乾燥時に下層膜から上層のレジスト膜に低分子量物質の拡散がなく、レジスト下層膜は良好な矩形のナノパターニング特性を有する。
また、本発明のナノインプリントを用いるパターン形成プロセスにおいて使用される積層構造の形成方法によると、基板の加工において、高い解像性をもたらし、また、大きなアスペクト比を有する基板も加工することが可能となる。
前記重合性化合物(A)が、カチオン重合可能な反応性基を少なくとも一つ有する重合性化合物、ラジカル重合可能な反応性基を少なくとも一つ有する重合性化合物、又はそれらの組み合わせであり、前記重合開始剤(B)が光重合開始剤を用いることができる。
重合性化合物(A)を含む下層膜を光照射することにより光カチオン重合開始剤の作用により、重合性化合物(A)のカチオン重合が進み下層膜が形成される。そして、カチオン重合可能な反応性基はエポキシ基、オキセタン基、又はそれらの基のいずれか若しくは双方を含む有機基であることが好ましい。重合性化合物(A)が縮合物である場合は、重合性部位であるエポキシ基は縮合物中に二個以上有することで上塗りされるフォトレジストの溶媒に対する耐溶媒溶解性の点で好ましい。
ラジカル重合には熱ラジカル重合開始剤又は光ラジカル重合開始剤を用いることができる。
本発明ではケイ素原子を含有する重合性化合物(A)として、式(I):
式(II):
からなる群から選ばれた少なくとも1種の有機ケイ素化合物、その加水分解物、その加水分解縮合物又はそれらの混合物を含有するケイ素原子を含有する重合性化合物(A1)を用いることができる。
重合性化合物(A1)は、上記式(I)で表される有機ケイ素化合物及び式(II)で表される有機ケイ素化合物からなる群から選ばれた少なくとも1種の有機ケイ素化合物、その加水分解物、その加水分解縮合物又はそれらの混合物を含有するケイ素原子を含有する重合性化合物(A1)である。
上記ケイ素原子を含有する重合性化合物(A2)は、一般式(III)、
式(IV)、
からなる群から選ばれた少なくとも1種の有機ケイ素化合物、その加水分解物、その加水分解縮合物又はそれらの混合物を含有するケイ素原子を含有する化合物である。
重合性化合物(A2)は、上記式(III)で表される有機ケイ素化合物と式(IV)で表される有機ケイ素化合物からなる群から選ばれた少なくとも1種の有機ケイ素化合物、その加水分解物、その縮合物又はそれらの混合物を含有するケイ素原子を含有する重合性化合物(A2)である。
上記有機ケイ素化合物を加水分解し縮合させる際に、有機ケイ素化合物の加水分解性基(例えば塩素原子やアルコキシ基)の1モル当たり、1モルを越え100モル以下、好ましくは1モル乃至50モルの水を用いる。
上記ケイ素原子を含有する重合性化合物(A)は、上記式(I)で表される有機ケイ素化合物、又は上記式(I)で表される有機ケイ素化合物と式(III)で表される有機ケイ素化合物の組み合わせからなり、上記式(I)で表される有機ケイ素化合物中、又は上記式(I)で表される有機ケイ素化合物及び式(III)で表される有機ケイ素化合物の両者中において、a+bの値、又はa+bの値とa1+b1の値が1となる有機ケイ素化合物を5乃至75質量%の割合で含有する有機ケイ素化合物を加水分解し、それを縮合した重量平均分子量100乃至1000000の、重合性有機基を有する縮合物が好ましい。
本発明のレジスト下層膜形成組成物には、さらにβ−ジケトン、コロイド状シリカ、コロイド状アルミナ、有機ポリマー、界面活性剤、シランカップリング剤、ラジカル発生剤、トリアゼン化合物、アルカリ化合物などの成分を添加してもよい。
加水分解に用いられる有機溶媒としては、例えばn−ペンタン、i−ペンタン、n−ヘキサン、i−ヘキサン、n−ヘプタン、i−ヘプタン、2,2,4−トリメチルペンタン、n−オクタン、i−オクタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒;ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、トリメチルベンゼン、メチルエチルベンゼン、n−プロピルベンセン、i−プロピルベンセン、ジエチルベンゼン、i−ブチルベンゼン、トリエチルベンゼン、ジ−i−プロピルベンセン、n−アミルナフタレン、トリメチルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒;メタノール、エタノール、n−プロパノール、i−プロパノール、n−ブタノール、i−ブタノール、sec−ブタノール、t−ブタノール、n−ペンタノール、i−ペンタノール、2−メチルブタノール、sec−ペンタノール、t−ペンタノール、3−メトキシブタノール、n−ヘキサノール、2−メチルペンタノール、sec−ヘキサノール、2−エチルブタノール、sec−ヘプタノール、ヘプタノール−3、n−オクタノール、2−エチルヘキサノール、sec−オクタノール、n−ノニルアルコール、2,6−ジメチルヘプタノール−4、n−デカノール、sec−ウンデシルアルコール、トリメチルノニルアルコール、sec−テトラデシルアルコール、sec−ヘプタデシルアルコール、フェノール、シクロヘキサノール、メチルシクロヘキサノール、3,3,5−トリメチルシクロヘキサノール、ベンジルアルコール、フェニルメチルカルビノール、ジアセトンアルコール、クレゾール等のモノアルコール系溶媒;
アセトン、メチルエチルケトン、メチル−n−プロピルケトン、メチル−n−ブチルケトン、ジエチルケトン、メチル−i−ブチルケトン、メチル−n−ペンチルケトン、エチル−n−ブチルケトン、メチル−n−ヘキシルケトン、ジ−i−ブチルケトン、トリメチルノナノン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、2,4−ペンタンジオン、アセトニルアセトン、ジアセトンアルコール、アセトフェノン、フェンチョン等のケトン系溶媒;
ケイ素原子を含まずエポキシ環を有する重合性化合物としては、特に制限はないが、一個乃至六個、また二個乃至四個のエポキシ環を有する化合物を使用することができる。上記エポキシ環を有する重合性化合物としては、例えば、ジオール化合物、トリオール化合物、ジカルボン酸化合物及びトリカルボン酸化合物等の二個以上の水酸基またはカルボキシル基を有する化合物と、エピクロルヒドリン等のグリシジル化合物から製造することができる、二個以上のグリシジルエーテル構造またはグリシジルエステル構造を有する化合物を挙げることができる。
例えば、光照射によって活性ラジカルを生じ前記重合性化合物のラジカル重合を起こすことのできる化合物、すなわち光ラジカル重合開始剤、及び光照射によってプロトン酸及び炭素陽イオン等のカチオン種を生じ前記重合性化合物のカチオン重合を起こすことのできる化合物、すなわち光カチオン重合開始剤等を挙げることができる。
芳香族スルホニウム塩化合物としては、例えば、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロノルマルブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムカンファースルホネート及びトリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート等が挙げられる。
本発明のレジスト下層膜形成組成物は、前記重合性化合物(A)、重合開始剤(B)等の各成分(以下、「固形分」という)を溶媒(C)に溶かした溶液状態で使用されることが好ましい。固形分とはレジスト下層膜形成組成物の全成分から溶剤を除いたものである。溶剤としては、固形分を溶解し、均一溶液とできるものであれば使用することができる。有機ケイ素化合物を加水分解し縮合物を得てそれを重合性化合物(A)とする場合に、有機ケイ素化合物の加水分解に用いる有機溶媒をそのままレジスト下層膜形成組成物の溶媒(C)に用いることが好ましい。
前記加工基板が高さ/直径で示されるアスペクト比が1以上のホールを有する半導体、発光ダイオード、固体撮像素子、記録装置、又はディスプレイ装置に用いる基板である。
半導体、発光ダイオード、固体撮像素子、記録装置、又はディスプレイ装置の製造に使用される加工基板(例えば、シリコン/二酸化シリコン被覆基板、シリコンウエハ基板、シリコンナイトライド基板、ガラス基板、ITO基板、ポリイミド基板、低誘電率材料(low−k材料)被覆基板等)の上に、スピナー、コーター、スプレー、インクジェット等の適当な塗布方法により本発明のレジスト下層膜形成組成物が塗布され塗布膜が形成される。そして、塗布膜に光照射又は熱焼成を行う前に、必要に応じて乾燥工程をおくことができる。溶媒を含むレジスト下層膜形成組成物が使用された場合は、乾燥工程をおくことが好ましい。
また、凹凸や反りのある加工基板上に平坦化を目的として本発明のレジスト下層膜形成組成物を形成することができる。
3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(信越化学工業(株)製、商品名KBM403)45.0g、モノメチルトリメトキシシラン(信越化学工業(株)製、商品名KBM13)26.0g、水20.2g、及びパラトルエンスルホン酸0.690gをプロピレングリコールモノメチルエーテル143.2gに加え、80℃で24時間攪拌し、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシランとモノメチルトリメトキシシランを加水分解しそれらの縮合物を得た。3−グリシドキシプロピルトリメトキシシランとモノメチルトリメトキシシランのモル比は、50%:50%であった。得られたポリシロキサン樹脂は重量平均分子量が1300であり、数平均分子量が1000であった。
3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(信越化学工業(株)製、商品名KBM403)38.1g、モノメチルトリメトキシシラン(信越化学工業(株)製、商品名KBM13)11.0g、3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン(信越化学工業(株)製、商品名KBM503)20.0g、水17.1g、及びパラトルエンスルホン酸0.583gをプロピレングリコールモノメチルエーテル139.2gに加え、80℃で8時間攪拌し、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシランとモノメチルトリメトキシシランと3−メタクリロキシプロピル トリメトキシシランを加水分解しそれらの縮合物を得た。3−グリシドキシプロピルトリメトキシシランとモノメチルトリメトキシシランと3−メタクリロキシプロピル トリメトキシシランのモル比は、50%:25%:25%であった。得られたポリシロキサン樹脂は重量平均分子量が900であり、数平均分子量が800であった。
3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(信越化学工業(株)製、商品名KBM403)38.1g、3−メタクリロキシプロピル トリメトキシシラン(信越化学工業(株)製、商品名KBM503)40.0g、水17.1g、及びパラトルエンスルホン酸0.583gをプロピレングリコールモノメチルエーテル157.3gに加え、80℃で8時間攪拌し、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシランと3−メタクリロキシプロピル トリメトキシシランを加水分解しそれらの縮合物を得た。3−グリシドキシプロピルトリメトキシシランと3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシランのモル比は、50%:50%であった。得られたポリシロキサン樹脂は重量平均分子量が1200であり、数平均分子量が1000であった。
実施例1乃至実施例3で得たレジスト下層膜形成組成物の溶液をスピナーにより、半導体基板(シリコンウエハ基板)上に塗布し塗布膜を形成した。塗布膜を380nm強化ランプ((株)オーク製作所製、メタルハライドランプ)を用い、ランプの全波長を照射した(露光量200mJ/cm2)。そして、溶剤を除去して乾燥させるため、ホットプレート上、130℃で1分間加熱し、レジスト下層膜(膜厚179nm)を形成した。次いで、これらのレジスト下層膜をインプリント用レジストに使用する溶媒である乳酸エチル及びプロピレングリコールモノメチルエーテル、及び本発明で使用したインプリント用レジスト中に含まれるブチルアクリレートに浸漬し、実施例1乃至実施例3で得たレジスト下層膜形成組成物より得られたレジスト下層膜は、それらの溶剤に不溶であることを確認した。
前記と同様にして、実施例1乃至実施例3で得たレジスト下層膜形成組成物の溶液よりシリコンウエハー基板上にレジスト下層膜を表1に記載した膜厚で形成した。そして、分光エリプソメーターにより、下層膜の波長633nmでの屈折率(n値)及び減衰係数(k値)を測定し、その値を表1に示した。
表1で実施例1乃至3としているものは実施例1乃至3のレジスト下層膜形成組成物から得られたレジスト下層膜を評価したものである。
前記と同様にして、実施例1乃至実施例3で得たレジスト下層膜形成組成物の溶液よりシリコンウエハー基板上にレジスト下層膜を表2に記載した膜厚で形成した。そして、日本サイエンティフィック製RIEシステムES401を用い、ドライエッチングガスとしてO2とCF4を使用した条件下で、その下層膜のドライエッチング速度(単位時間当たりの膜厚の減少量)を測定した。得られた結果は、ドライエッチング速度の選択性として示す。KrFレーザーリソグラフィー用のフォトレジスト(信越化学工業(株)製、商品名SEPR430)の同様の条件下でのドライエッチング速度を1.00とした時の、下層膜のドライエッチング速度の比を示したものが、ドライエッチング速度の選択比である。
表2で実施例1乃至3としているものは実施例1乃至3のレジスト下層膜形成組成物から得られたレジスト下層膜を評価したものである。
アクリル酸ブチル(東京化成工業(株)製)11.7g、アクリル酸イソボルニル(東京化成工業(株)製)20.0g、エチレングリコールジメタクリレート(東京化成工業(株)製)9.52g、及び2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニル−プロパン−1−オン(チバ・ジャパン(株)製、商品名DAROCUR1173)0.788gを混合し、室温で5時間攪拌した。アクリル酸ブチル、アクリル酸イソボルニル、エチレングリコールジメタクリレート、及び2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニル−プロパン−1−オンのモル比は、38%:40%:20%:2%であった。
本発明のレジスト下層膜のナノインプリント試験において、光ナノインプリント装置による(モレキュラーインプリント社製、商品名IMPRIO)のステップ・アンド・リピート法を使用した。実施例1乃至3で得たレジスト下層膜形成組成物の溶液よりシリコンウエハー基板上にレジスト下層膜(膜厚50nm)をそれぞれ形成した。上記のインプリント用光硬化レジストをドロップ塗布法により1箇所当り0.00784μlの液滴を、2.5×2.5cm2の面積に7×7の合計49箇所に設けた。レジスト材料の液滴を作成した加工基板を、80nmのラインが等間隔で刻まれている石英のテンプレートとの距離を均一になるように水平に設定した。0.4mm/秒から0.003mm/秒の速度で減少させ、テンプレートを加工基板に向かって降下させた。テンプレートがレジスト表面と接し始めた後、1.0乃至1.5Nの押しつけ圧力で加重をかけて、テンプレートの凹凸部を完全に基板に密着させた。その後、光照射(20秒間)を行い、インプリント用レジストを光硬化された。テンプレートを上昇させ、光ナノインプリントによるレジストパターンの形成プロセスを完了した。
ナノインプリント評価(80nmのライン、ライン:スペースの比率は1:1)の結果を表3に示す。
評価結果2はレジストの硬化性を示し、上記記載のレジスト溶剤への溶出試験により確認した。(良)は 乳酸エチル及びプロピレングリコールモノメチルエーテルに浸漬し、浸漬前と浸漬後のレジストの膜厚差が1nm以下であり、(不可)は浸漬前と浸漬後のレジストの膜厚差が1nm以上であり、溶媒に浸漬後レジストパターン形状が消失する場合である。
評価結果3はレジスト下層膜上でのレジストの流動性(残膜性)を示し、SEM観察によるレジストの断面形状評価において、(良)はレジストがテンプレートのサイズに一様に広がり、更にかつレジストの残膜が均一であり、(可)はレジストの残膜に塗布ムラがあるが、レジストがテンプレートのサイズに一様に広がる場合であり、(不可)はレジストがテンプレートのサイズに一様に広がらない場合であった。
評価結果4はテンプレートからのレジストの剥離性を示し、(良)はテンプレートにレジストの付着物がなくパターン形成に成功した場合とし、(不良)はテンプレートに一部のレジストが付着し基板上のパターンに剥がれがあった場合を示した。
特に、実施例2乃至3のナノインプリント用レジスト下層膜形成組成物から得られたレジスト下層膜を用いた場合は、インプリントプロセスによる光照射前でレジスト液滴をより広がりやすく、レジスト流動性(残膜性)に優れる一方、光照射後はレジストとの相互作用が改善し、テンプレートからのレジストの離型性が最良となったと考えられる。
これは、実施例2のナノインプリント用レジスト下層膜形成組成物から得られたレジスト下層膜を用いた場合、レジスト下層膜の成膜後の光照射前に67°であった水の接触角が、光照射後(380nm強化ランプ((株)オーク製作所製、メタルハライドランプ)、露光量2J/cm2)に63°に減少するナノインプリント用レジスト下層膜形成組成物であるためである。
比較データとして、実施例1のナノインプリント用レジスト下層膜形成組成物は、光照射前に67°であった水の接触角が、光照射後(380nm強化ランプ((株)オーク製作所製、メタルハライドランプ)、露光量2J/cm2)も67°と変化しない。そのため、評価結果3と評価結果4に差が現れたと考える。
Claims (16)
- ナノインプリントを用いるパターン形成プロセスにおいてナノインプリントに使用されるレジストの下層膜を熱焼成、光照射又はその両方を行うことによって形成するための組成物であって、ケイ素原子を含む重合性化合物(A)、重合開始剤(B)、及び溶剤(C)を含むナノインプリント用レジスト下層膜形成組成物。
- 前記重合性化合物(A)が、ケイ素原子を5乃至45質量%含有するものである請求項1に記載のレジスト下層膜形成組成物。
- 前記重合性化合物(A)が、カチオン重合可能な反応性基を少なくとも一つ有する重合性化合物、ラジカル重合可能な反応性基を少なくとも一つ有する重合性化合物、又はそれら両者であり、前記重合開始剤(B)が光重合開始剤である請求項1又は請求項2に記載のレジスト下層膜形成組成物。
- 前記重合性化合物(A)が、カチオン重合可能な反応性基を少なくとも一つ有する重合性化合物、ラジカル重合可能な反応性基を少なくとも一つ有する重合性化合物、又はそれら両者であり、前記重合開始剤(B)が熱重合開始剤である請求項1又は請求項2に記載のレジスト下層膜形成組成物。
- カチオン重合可能な反応性基がエポキシ基、オキセタン基、又はそれらの基のいずれか若しくは双方を含む有機基である請求項3又は請求項4に記載のレジスト下層膜形成組成物。
- ラジカル重合可能な反応性基がビニル基、又はビニル基を含む有機基である請求項3又は請求項4に記載のレジスト下層膜形成組成物。
- 上記重合性化合物(A)が、式(I):
式(II):
からなる群から選ばれた少なくとも1種の有機ケイ素化合物、その加水分解物、その加水分解縮合物又はそれらの混合物を含有するケイ素原子を含有する重合性化合物(A1)である請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載のレジスト下層膜形成組成物。 - 上記重合性化合物(A)が、上記式(I)で表される有機ケイ素化合物及び上記式(II)で表される有機ケイ素化合物からなる群から選ばれた少なくとも1種の有機ケイ素化合物、その加水分解物、その加水分解縮合物又はそれらの混合物を含有するケイ素原子を含有する重合性化合物(A1)と、
一般式(III)、
式(IV)、
からなる群から選ばれた少なくとも1種の有機ケイ素化合物、その加水分解物、その加水分解縮合物又はそれらの混合物を含有するケイ素原子を含有する重合性化合物(A2)との組み合わせである請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載のレジスト下層膜形成組成物。 - 上記ケイ素原子を含有する重合性化合物(A)は、上記(A1)中のケイ素原子と上記(A2)中のケイ素原子との存在比がモル比で100:0乃至50である重合性化合物(A1)と重合性化合物(A2)の組み合わせからなり、該重合性化合物(A1)と該重合性化合物(A2)を加水分解し、それを縮合した重量平均分子量100乃至100000の、重合性有機基を有する縮合物である請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載のレジスト下層膜形成組成物。
- 上記ケイ素原子を含有する重合性化合物(A)が、上記式(I)で表される有機ケイ素化合物、又は上記式(I)で表される有機ケイ素化合物と式(III)で表される有機ケイ素化合物の組み合わせからなり、上記式(I)で表される有機ケイ素化合物中、又は上記式(I)で表される有機ケイ素化合物及び式(III)で表される有機ケイ素化合物の両者中において、a+bの値、又はa+bの値とa1+b1の値が1となる有機ケイ素化合物を5乃至75質量%の割合で含有し、それらを加水分解し、縮合した重量平均分子量100乃至1000000の、重合性有機基を有する縮合物である請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載のレジスト下層膜形成組成物。
- 重合性化合物(A)が熱カチオン重合可能な反応性基と光ラジカル重合可能な反応性基を10:90乃至90:10のモル比で含有するものである請求項7乃至請求項10のいずれか1項に記載のレジスト下層膜形成組成物。
- 更に、架橋性化合物、表面改質剤又はその両方を含む請求項1乃至請求項11のいずれか1項に記載のレジスト下層膜形成組成物。
- 請求項1乃至請求項12に記載のレジスト下層膜形成組成物を基板上に塗布してレジスト下層膜を形成する工程、及び前記レジスト下層膜に熱焼成、光照射又はその両方を行うことによってレジスト下層膜を硬化する工程、及び前記レジスト下層膜の上にナノインプリント用レジスト組成物を塗布し熱焼成することによってナノインプリント用レジストを形成する工程を含む、ナノインプリントを用いるパターン形成プロセスにおいて使用される積層構造の形成方法。
- 請求項1乃至請求項12に記載のレジスト下層膜形成組成物を基板上に塗布してレジスト下層膜を形成する工程、及び前記レジスト下層膜に熱焼成、光照射又はその両方を行うことによってレジスト下層膜を硬化する工程、及び前記レジスト下層膜の上にナノインプリント用レジスト組成物を塗布し熱焼成することによってナノインプリント用レジストを形成する工程、ステップ・アンド・リピート法によりインプリントする工程を含む、ナノインプリントを用いるパターン形成プロセスにおいて使用される積層構造の形成方法。
- 前記基板が高さ/直径で示されるアスペクト比が0.01以上のホール、又は高さ/幅で示されるアスペクト比が0.01以上の段差を有する基板である、請求項13又は請求項14に記載の形成方法。
- 前記光照射が波長250nm乃至650nmの光によって行われる、請求項13乃至請求項15のいずれか1項に記載の形成方法。
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WO2012161185A1 (ja) * | 2011-05-25 | 2012-11-29 | 三菱レイヨン株式会社 | シロキサンオリゴマーの製造方法 |
KR20140060331A (ko) * | 2011-09-08 | 2014-05-19 | 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 | 중합체 및 그것을 포함하는 조성물 그리고 접착제용 조성물 |
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US9340687B2 (en) * | 2014-05-21 | 2016-05-17 | Jetcoat Corporation | Aluminum chelate, method for manufacturing the same, and photocured ink including the same |
TWI632188B (zh) * | 2014-08-27 | 2018-08-11 | 日商富士軟片股份有限公司 | 底層膜形成用樹脂組成物、積層體、圖案形成方法、壓印形成用套組及元件的製造方法 |
JP6362487B2 (ja) * | 2014-09-08 | 2018-07-25 | セイコーインスツル株式会社 | ガラス用プライマー組成物、および接着部材 |
TWI529207B (zh) * | 2014-12-04 | 2016-04-11 | 財團法人工業技術研究院 | 光壓印樹脂組成物溶液、光壓印樹脂薄膜與圖案化的方法 |
CN109195999B (zh) * | 2016-05-11 | 2021-04-16 | Dic株式会社 | 光压印用固化性组合物及使用其的图案形成方法 |
KR20180014287A (ko) | 2016-07-28 | 2018-02-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 패터닝된 경화물의 제조 방법 및 패터닝된 경화물 |
JP6865047B2 (ja) * | 2017-01-27 | 2021-04-28 | 東京応化工業株式会社 | インプリント用下層膜形成用組成物及びパターン形成方法 |
KR102256347B1 (ko) * | 2017-03-08 | 2021-05-27 | 캐논 가부시끼가이샤 | 패턴 형성 방법, 및 가공 기판, 광학 부품 및 석영 몰드 레플리카의 제조 방법, 및 임프린트 전처리 코팅 재료 및 그와 임프린트 레지스트와의 세트 |
US11966164B2 (en) | 2017-10-25 | 2024-04-23 | Nissan Chemical Corporation | Semiconductor device production method employing silicon-containing resist underlayer film-forming composition including organic group having ammonium group |
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WO2020059604A1 (ja) * | 2018-09-18 | 2020-03-26 | 富士フイルム株式会社 | インプリント用積層体、インプリント用積層体の製造方法、パターン形成方法およびキット |
WO2020066442A1 (ja) * | 2018-09-27 | 2020-04-02 | 富士フイルム株式会社 | インプリント用下層膜形成用組成物、下層膜、パターン形成方法および半導体素子の製造方法 |
RU2718756C2 (ru) * | 2018-09-28 | 2020-04-14 | Владислав Юрьевич Мирчев | Адгезив для струйной печати и способ его изготовления |
WO2020184497A1 (ja) * | 2019-03-14 | 2020-09-17 | 富士フイルム株式会社 | インプリント用の下層膜形成用組成物、下層膜形成用組成物の製造方法、キット、パターン製造方法、および半導体素子の製造方法 |
IT201900006736A1 (it) | 2019-05-10 | 2020-11-10 | Applied Materials Inc | Procedimenti di fabbricazione di package |
IT201900006740A1 (it) | 2019-05-10 | 2020-11-10 | Applied Materials Inc | Procedimenti di strutturazione di substrati |
US11931855B2 (en) | 2019-06-17 | 2024-03-19 | Applied Materials, Inc. | Planarization methods for packaging substrates |
US11862546B2 (en) | 2019-11-27 | 2024-01-02 | Applied Materials, Inc. | Package core assembly and fabrication methods |
KR20220112264A (ko) * | 2019-12-04 | 2022-08-10 | 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 | 폴리머의 제조 방법 |
US11257790B2 (en) | 2020-03-10 | 2022-02-22 | Applied Materials, Inc. | High connectivity device stacking |
US11454884B2 (en) | 2020-04-15 | 2022-09-27 | Applied Materials, Inc. | Fluoropolymer stamp fabrication method |
US11400545B2 (en) | 2020-05-11 | 2022-08-02 | Applied Materials, Inc. | Laser ablation for package fabrication |
US11676832B2 (en) | 2020-07-24 | 2023-06-13 | Applied Materials, Inc. | Laser ablation system for package fabrication |
US11521937B2 (en) | 2020-11-16 | 2022-12-06 | Applied Materials, Inc. | Package structures with built-in EMI shielding |
US11404318B2 (en) | 2020-11-20 | 2022-08-02 | Applied Materials, Inc. | Methods of forming through-silicon vias in substrates for advanced packaging |
US11705365B2 (en) | 2021-05-18 | 2023-07-18 | Applied Materials, Inc. | Methods of micro-via formation for advanced packaging |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW334469B (en) * | 1995-08-04 | 1998-06-21 | Doconitele Silicon Kk | Curable organosiloxane compositions and semiconductor devices |
US7455955B2 (en) | 2002-02-27 | 2008-11-25 | Brewer Science Inc. | Planarization method for multi-layer lithography processing |
KR20050026088A (ko) * | 2002-08-01 | 2005-03-14 | 몰레큘러 임프린츠 인코퍼레이티드 | 임프린트 리소그래피용 산란측정 정렬 |
US7027156B2 (en) | 2002-08-01 | 2006-04-11 | Molecular Imprints, Inc. | Scatterometry alignment for imprint lithography |
JP3689093B2 (ja) * | 2003-03-31 | 2005-08-31 | 株式会社東芝 | 微細パターン形成方法 |
CN1619417A (zh) | 2003-11-21 | 2005-05-25 | 奥博杜卡特股份公司 | 多层超微压印平版印刷 |
US7906180B2 (en) * | 2004-02-27 | 2011-03-15 | Molecular Imprints, Inc. | Composition for an etching mask comprising a silicon-containing material |
JP4904742B2 (ja) | 2004-09-16 | 2012-03-28 | 旭硝子株式会社 | パターンの形成方法およびパターンを有する物品 |
JP4246174B2 (ja) | 2005-04-01 | 2009-04-02 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ナノインプリント方法及び装置 |
WO2006132672A2 (en) * | 2005-06-02 | 2006-12-14 | Dow Corning Corporation | A method of nanopatterning, a cured resist film use therein, and an article including the resist film |
JP2007030212A (ja) * | 2005-07-22 | 2007-02-08 | Ricoh Co Ltd | プラスチック成形用スタンパの製造方法 |
JP5000112B2 (ja) | 2005-09-09 | 2012-08-15 | 東京応化工業株式会社 | ナノインプリントリソグラフィによるパターン形成方法 |
EP1972998A4 (en) * | 2005-12-06 | 2009-12-30 | Nissan Chemical Ind Ltd | SILICON-CONTAINING SUB-JACENT LAYER FILM FORMATION COMPOSITION FOR FORMATION OF PHOTO-RETICULATION COAT-RESISTANT UNDERLYING LAYER FILM |
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