JPWO2010137711A1 - 半導体用シール組成物、半導体装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
このような多孔質構造を有する半導体層間絶縁層においては、誘電率をさらに低下させるために空隙率を大きくすると、配線材料として埋め込まれる銅などの金属成分が半導体層間絶縁層中の細孔に入り込みやすくなり、誘電率が上昇したり、リーク電流が発生したりする場合があった。
また例えば、国際公開第09/012184号パンフレットには、low−k材料が疎水性の表面を有する場合に、ポリビニルアルコール系両親媒性ポリマーをその表面に付与することで材料の親水性・疎水性を制御する技術が開示されている。
さらに例えば、特開2006−352042号公報には、カチオン性ポリマーと界面活性剤を含む半導体研磨用組成物が開示されている。
また、国際公開第09/012184号パンフレットに記載の技術では、ポリビニルアルコール系両親媒性ポリマー間の水素結合により、嵩高い層が形成されやすく、これによる比誘電率の上昇や、層間絶縁層と配線材料の密着性の低下が発生する場合があった。
すなわち本発明の第1の態様は、2以上のカチオン性官能基を有する重量平均分子量が2000〜100000の樹脂を含有し、ナトリウムおよびカリウムの含有量がそれぞれ元素基準で10重量ppb以下であって、動的光散乱法で測定された体積平均粒子径が10nm以下である半導体用シール組成物である。
前記樹脂は、カチオン性官能基当量が43〜430であることが好ましい。
また前記カチオン性官能基が1級アミノ基および2級アミノ基から選択された少なくとも1種であることが好ましく、前記樹脂がポリエチレンイミンまたはポリエチレンイミン誘導体であることがより好ましい。
前記層間絶縁層は、多孔質シリカを含み、その表面に前記多孔質シリカに由来するシラノール残基を有することが好ましい。
前記層間絶縁層に10nm〜32nm幅の凹状の溝が形成される工程をさらに含み、前記シール組成物付与工程は、前記凹状の溝の側面の層間絶縁層に前記半導体用シール組成物を付与する工程であることがより好ましい。
本発明の半導体用シール組成物は、例えば、多孔質の層間絶縁層上に形成された細孔を被覆する樹脂層を形成するために用いられ、2以上のカチオン性官能基を有する重量平均分子量が2000〜100000の樹脂の少なくとも1種を含有し、ナトリウムおよびカリウムの含有量が、それぞれ元素基準で10重量ppb以下であって、動的光散乱法で測定された体積平均粒子径が10nm以下である。
かかる構成の半導体用シール組成物を、多孔質構造を有する層間絶縁層に付与すると、例えば、前記樹脂が有する2以上のカチオン性官能基が前記層間絶縁層上に多点吸着して、前記層間絶縁層の表面に存在する細孔(ポア)が樹脂層によって被覆される。これにより多孔質の層間絶縁層への金属成分の拡散を抑制することができる。さらに、前記樹脂が形成する樹脂層は薄層(例えば、5nm以下)であるため、層間絶縁層と、樹脂層を介して層間絶縁層上に形成された配線材料との密着性に優れ、比誘電率の変化を抑制することができる。
本発明の半導体用シール組成物は、2以上のカチオン性官能基を有する重量平均分子量が2000〜100000の樹脂の少なくとも1種を含む。
前記樹脂は、カチオン性官能基の少なくとも1種を2以上有するものであるが、必要に応じて、アニオン性官能基やノニオン性官能基をさらに有していてもよい。また前記樹脂は、カチオン性官能基を有する繰り返し単位構造を有するものであってもよく、また特定の繰り返し単位構造を持たず、樹脂を構成するモノマーが分岐的に重合して形成されるランダムな構造を有するものであってもよい。本発明においては、金属成分の拡散抑制の観点から、前記樹脂は特定の繰り返し単位構造を持たず、樹脂を構成するモノマーが分岐的に重合して形成されるランダムな構造を有するものであることが好ましい。
また前記ノニオン性官能基は、水素結合受容基であっても、水素結合供与基であってもよい。例えば、ヒドロキシ基、カルボニル基、エーテル結合等を挙げることができる。
さらに前記アニオン性官能基は、負電荷を帯びることができる官能基であれば特に制限はない。例えば、カルボン酸基、スルホン酸基、硫酸基等を挙げることができる。
さらに多孔質の層間絶縁層の表面を公知の方法、例えば、国際公開第04/026765号パンフレット、国際公開第06/025501号パンフレットなどに記載の方法で疎水化処理した場合は、前記表面の極性基の密度が減少するので、200〜400であることもまた好ましい。
ここでカチオン性官能基当量とは、カチオン性官能基当たりの重量平均分子量を意味し、樹脂の重量平均分子量(Mw)を、1分子に相当する樹脂が含むカチオン性官能基数(n)で除して得られる値(Mw/n)である。このカチオン性官能基当量が大きいほどカチオン性官能基の密度が低く、一方、カチオン性官能基当量が小さいほどカチオン性官能基の密度が高い。
さらに前記特定単位構造がカチオン性官能基を2以上含む場合、2以上のカチオン性官能基は同一であっても異なっていてもよい。
また前記カチオン性官能基は、多孔質層間絶縁層上に存在するカチオン性官能基の吸着点(例えば、シラノール残基)間の平均距離に対する、特定単位構造の主鎖長の比(以下、「カチオン性官能基間の相対距離」ということがある)が、0.08〜1.2となるように含まれていることが好ましく、0.08〜0.6となるように含まれていることがより好ましい。かかる態様であることで樹脂が多孔質の層間絶縁層上に、より効率的に多点吸着しやすくなる。
本発明における特定単位構造は、層間絶縁層への吸着性の観点から、カチオン性官能基間の相対距離が0.08〜1.2であって、分子量が30〜500であることが好ましく、カチオン性官能基間の相対距離が0.08〜0.6であって、分子量が40〜200であることがより好ましい。
前記ノニオン性官能基を含む単位構造として、具体的には、ビニルアルコールに由来する単位構造、アルキレンオキシドに由来する単位構造、ビニルピロリドンに由来する単位構造等を挙げることができる。
前記第2の単位構造としては、前記特定単位構造を構成するモノマーと重合可能なモノマーに由来する単位構造であれば特に制限はない。例えば、オレフィンに由来する単位構造等を挙げることができる。
かかる樹脂を構成し得るモノマーとしては、例えば、エチレンイミンおよびその誘導体を挙げることができる。
また本発明におけるポリエチレンイミンは、モノエタノールアミンから得られる粗エチレンイミンを用いて得られたものであってもよい。具体的には例えば特開2001−2123958号公報等を参照することができる。
これらのポリエチレンイミン誘導体は、上記ポリエチレンイミンを用いて通常行われる方法により製造することができる。具体的には例えば、特開平6―016809号公報等に記載の方法に準拠して製造することができる。
例えば、本発明の半導体用シール組成物を、配線間隔が32nm以下で層間絶縁層上の細孔直径が2nm程度である半導体装置の製造に適用する場合、前記樹脂の重量平均分子量が100000よりも大きいと、樹脂の大きさが配線間隔よりも大きくなり、樹脂が、配線材料が埋め込まれる凹状の溝に入り込めず、溝の側面の細孔が十分に被覆されない場合がある。また、重量平均分子量が2000未満であると、層間絶縁層上の細孔直径よりも樹脂分子の大きさが小さくなり、樹脂分子が層間絶縁層上の細孔に入り込んで層間絶縁層の誘電率が上昇する場合がある。また多点で吸着しない場合がある。
尚、重量平均分子量は、樹脂の分子量測定に通常用いられるGPC装置を用いて測定される。
本発明の半導体用シール組成物は、ナトリウムおよびカリウムの含有量がそれぞれ元素基準で10重量ppb以下である。ナトリウムまたはカリウムの含有量がそれぞれ元素基準で10重量ppbを越えると、リーク電流が発生する場合がある。
なお前記「250℃まで加熱しても分解性を有さない化合物」とは、25℃で測定した重量に対する、250℃、窒素下で1時間保持した後の重量の変化が50%未満の化合物のことをいう。
本発明において体積平均粒子径は、大塚電子社製ELSZ−2を用い、23−26℃において、動的光散乱法(動的光散乱法で観測された散乱光の時間的揺らぎを、光子相関法を用いて解析する方法、例えば、積算回数70回、繰り返し回数1回などの条件)で測定される。
半導体用シール組成物中に粒子径の大きいミセルが形成されていると、例えば、本発明の半導体用シール組成物を配線間隔が32nm以下である半導体装置の製造に適用する場合に、半導体用シール組成物を構成する樹脂が、配線材料が埋め込まれる凹状の溝に充分に入り込むことができず、溝の側面の細孔を充分に被覆できない場合がある。
また、前記カチオン性官能基がカチオンの状態であるpHの範囲とは、半導体用シール組成物のpHが、カチオン性官能基を含む樹脂のpKb以下であることをいう。例えば、カチオン性官能基を含む樹脂がポリアリルアミンである場合、pKbは8〜9であり、ポリエチレンイミンである場合、pKbは7〜11である。
すなわち、本発明において半導体用シール組成物のpHは、層間絶縁層を構成する化合物種類と、樹脂の種類とに応じて適宜選択することができ、例えば、pH2〜11であることが好ましく、pH7〜11であることがより好ましい。
尚、pH(25℃)は通常用いられるpH測定装置を用いて測定される。
本発明の半導体装置の製造方法は、基板上に層間絶縁層を有する半導体装置の製造方法であって、前記半導体用シール組成物を、前記層間絶縁層に接触させるシール組成物付与工程を含み、必要に応じて、その他の工程をさらに含んで構成される。
本発明における層間絶縁層は、低誘電率材料から構成され、多孔質性であれば特に制限はないが、多孔質シリカを含み、表面に多孔質シリカに由来するシラノール残基を有することが好ましい。前記シラノール残基が、前記樹脂に含まれるカチオン性官能基と相互作用することにより、前記樹脂が層間絶縁層上の細孔を被覆するように前記樹脂からなる薄層が形成される。
本発明における多孔質シリカとしては、半導体装置の層間絶縁層に通常用いられる多孔質シリカを特に制限なく用いることができる。例えば、WO91/11390パンフレットに記載されたシリカゲルと界面活性剤等とを用いて、密封した耐熱性容器内で水熱合成する有機化合物と無機化合物との自己組織化を利用した均一なメソ細孔を持つ酸化物や、Nature誌、1996年、379巻(703頁)またはSupramolecular Science誌、1998年、5巻(247頁等)に記載されたアルコキシシラン類の縮合物と界面活性剤とから製造される多孔質シリカ等を挙げることができる。
中でも、以下に示す特定のシロキサン化合物を含む多孔質シリカ形成用組成物を用いて形成される多孔質シリカを用いることが好ましい。
本発明における多孔質シリカ形成用組成物は、(A)アルコキシシラン化合物の加水分解物と、(B)下記一般式(1)で表されるシロキサン化合物の加水分解物と、
RC及びRDは、ケイ素原子と酸素原子とを相互に連結して環状シロキサン構造を形成する単結合を表すか、または、それぞれ独立に、水素原子、フェニル基、−CaH2a+1基、−(CH2)b(CF2)cCF3基、もしくは−CdH2d−1基を表す。
aは1〜6の整数を、bは0〜4の整数を、cは0〜10の整数を、dは2〜4の整数を、nは3以上の整数をそれぞれ表わす。)
また本発明における多孔質シリカ形成用組成物は、必要に応じて、水や有機溶剤等の溶媒、触媒等をさらに含んで構成することができる。
前記加水分解物は、得られる多孔質材料の主骨格を形成する成分であり、緻密な無機ポリマーであることが好ましい。
前記アルコキシシラン化合物は、アルコキシ基(ケイ素原子に結合したアルコキシ基)の加水分解により生じたシラノール基の部位で重縮合し、無機ポリマーを形成する。このため、緻密な無機ポリマーとして(A)成分を得るためには、使用するアルコキシシラン化合物1分子中に少なくともアルコキシ基が2つ以上含まれることが好ましい。ここで、アルコキシ基は、1つのケイ素原子に2つ以上結合してもよい。また、前記アルコキシシラン化合物は、1つのケイ素に1つのアルコキシ基が結合した結合単位が、同一分子内に2つ以上含まれる化合物であってもよい。
〔式中、R1は互いに同一でも異なってもよく、それぞれ−CaH2a+1基、またはフェニル基を示し、aは1〜6の整数である。〕
〔式中、R2は、−CaH2a+1基、フェニル基、−(CH2)c(CF2)bCF3基、水素原子、またはフッ素原子を示し、xが2以下の場合、2以上のR3は互いに同一でも異なってもよく、それぞれ−CaH2a+1基、またはフェニル基を示し、xは0〜3の整数、aは1〜6の整数、bは0〜10の整数、cは0〜4の整数である。〕
〔式中、y、zは互いに同一でも異なってもよく、0〜2の整数、R4及びR7は互いに同一でも異なってもよく、それぞれ、−CaH2a+1基、フェニル基、−(CH2)c(CF2)bCF3基、水素原子、又はフッ素原子を示す。R5及びR6は互いに同一でも異なってもよく、それぞれ−CaH2a+1基、又はフェニル基を示し、aは1〜6の整数、bは0〜10の整数、cは0〜4の整数を示す。Aは、酸素原子、−(CH2)d−基、又はフェニレン基を示し、dは1〜6の整数である。〕
トリメトキシフェネチルシラン、トリエトキシフェネチルシラン等の3級アルコキシフェネチルシラン;
aは1〜6の整数を、bは0〜4の整数を、cは0〜10の整数を、dは2〜4の整数をそれぞれ表わす。
Lは0〜8の整数を、mは0〜8の整数を、nは0〜8の整数をそれぞれ表わし、かつ3≦L+m+n≦8である。
本発明において用いられ得る環状シロキサン化合物は、これらの中から1種又は2種以上を用いることができる。上記環状シロキサンのうち、1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサンが特に好ましい。
前記界面活性剤としては特に制限はないが、例えば、分子量200〜5000の界面活性剤が好ましい。分子量が小さい場合には、十分な空孔が形成されないため多孔質シリカの低誘電率化ができない場合があり、また、分子量が大きい場合には、形成される空孔が大きくなりすぎ、得られる多孔質シリカの機械強度が低下する場合がある。
好ましくは、例えば、以下の界面活性剤を挙げることができる。
ここで、長鎖アルキル基としては、好ましくは炭素原子数8〜24のもの、さらに好ましくは炭素原子数12〜18のものである。また、親水基としては、例えば、4級アンモニウム塩、アミノ基、ニトロソ基、ヒドロキシ基、カルボキシル基等が挙げられ、なかでも4級アンモニウム塩、又はヒドロキシ基であることが好ましい。
前記界面活性剤として具体的には、次の一般式(x)で示されるアルキルアンモニウム塩が好ましい。
〔上記一般式(x)中、aは0〜2の整数であり、bは0〜4の整数であり、nは8〜24の整数であり、mは0〜12の整数であり、Lは1〜24の整数であり、Xは水酸化物イオン、ハロゲン化物イオン、HSO4 −又は1価の有機アニオンを表す。〕
ここで、ポリアルキレンオキシド構造としてはポリエチレンオキシド構造、ポリプロピレンオキシド構造、ポリテトラメチレンオキシド構造、ポリブチレンオキシド構造等を挙げることができる。
前記ポリアルキレンオキサイド構造を有する化合物としては、具体的には、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックコポリマー、ポリオキシエチレンポリオキシブチレンブロックコポリマー;ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル等のエーテル型化合物;ポリオキシエチレングリセリン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル、ポリエチレンソルビトール脂肪酸エステル、ソルビタン脂肪酸エステル、プロピレングリコール脂肪酸エステル、ショ糖脂肪酸エステル等のエーテルエステル型化合物;等を挙げることができる。
本発明における組成物は、(D)電気陰性度が2.5以下の元素((D)元素)の少なくとも1種を含有する。
本発明で用いる(D)元素は、例えば、前記(A)成分と前記(B)成分との反応性を高め、最終的に得られる多孔質材料の疎水性、及び、機械強度を高める効果がある。
また、(D)元素としては、原子量では130以上、具体的には周期律表における第6周期に分類される重い元素(原子番号55以上の元素)が好ましい。
これらの化合物を用いて、(D)元素を導入することができる。この際、これらの化合物と、水やアルコール等の有機溶媒と、の混合物として導入することが好ましい。
Xは、酸素原子、または>NR20基を表し、R20は水素原子または−CeH2e+1基を表し、eは1〜3の整数を表わす。
また、一般式(3)で表されるジシリル化合物は、その他のシリル化合物と併用してもよい。その他のシリル化合物としては、塩化トリメチルシリル、塩化トリエチルシリル、トリメチルシリルジメチルアミン、トリメチルシリルジエチルアミン、トリメチルシリルジフェニルアミン等が挙げられる。
前記基板としては、特に制限されず、例えば、ガラス、石英、シリコンウエハ、ステンレス、プラスチック等を挙げることができる。またその形状も、特に制限されず、板状、皿状等のいずれであってもよい。
該感熱処理における加熱温度は、80〜400℃が好ましい。
ここでいう加熱処理とは、有機溶媒、水などの揮発成分を除去することを目的とした200℃未満での加熱処理(低温加熱処理)と、空孔形成のため添加した界面活性剤を熱分解除去することを目的とした200℃以上での加熱処理(高温加熱処理)のいずれの加熱処理についても含まれる。
塗布直後の前駆体材料は、有機溶媒や水が前駆体材料中に吸着した状態であるので、低温加熱処理により、揮発成分を除去することが好ましい。
前記低温加熱処理の温度は、80〜200℃、好ましくは100〜150℃である。この温度であれば、有機溶媒、水のような揮発成分が除去され、しかも、急激な加熱による組成物層の膨れ、剥がれ等の不都合は生じない。低温加熱処理に要する時間は、1分以上あればよいが、ある時間を超えると硬化速度は極端に遅くなるので、効率を考えれば1〜60分が好ましい。
シリカゾルを加熱させる方法としては特に制限されず、ゾルを加熱させるための公知の方法をいずれも採用できる。
前記高温加熱処理における加熱温度は、高温ほど界面活性剤の分解が容易となるが、半導体プロセス上の問題を考慮すれば、400℃以下好ましくは、350℃以下の温度であることがより好ましい。少なくとも200℃以上、好ましくは300℃以上の温度がプロセス時間も考慮すると好ましい。また、高温加熱は、窒素、酸素、水素、空気など、加熱雰囲気に特に制限はなく公知の方法によって実施できるが、半導体プロセスで実施する場合では、Cu配線の酸化により配線抵抗が上昇するため、非酸素雰囲気下で実施することが好ましい。ここでいう非酸化性雰囲気とは、焼成(高温加熱処理)時の酸素濃度が50ppm以下であることを示す。
例えば、紫外線の波長は、好ましくは10nm〜400nm、さらに好ましくは150nm〜250nmである。この範囲であれば、上述の(B)成分中の官能基をケイ素原子から切断するだけの十分なエネルギーを持つ。紫外線強度は、官能基の切断時間などに影響を及ぼし、紫外線強度が高いほど、時間が短縮されるので、好ましくは1mW/cm2〜50mW/cm2、さらに好ましくは5mW/cm2〜20mW/cm2である。
前記層間絶縁層の等電点、および前記カチオン性官能基がカチオンの状態であるpHの範囲については、既述の通りである。
かかる態様であることで、層間絶縁層に形成された凹状の溝の側面を構成する層間絶縁層上に存在する細孔を効果的に被覆することができ、前記凹状の溝に配線材料を埋め込む場合に、配線材料を構成する金属成分が層間絶縁層中に拡散することを抑制することができる。
尚、凹状の溝の側面とは、基板と平行な面に対してほぼ直交するように形成された面を意味する。
本発明においては、前記半導体用シール組成物を層間絶縁層に接触させた後、必要に応じて洗浄工程や乾燥工程をさらに設けてもよい。
配線形成工程は、公知のプロセス条件に従って行うことができる。例えば、メタルCVD法、スパッタリング法または電解メッキ法により銅配線を形成し、CMPにより膜を平滑化する。次いでその膜の表面にキャップ膜を形成する。さらに必要であれば、ハードマスクを形成し、上記の工程を繰り返すことで多層化することができ、本発明の半導体装置を製造することができる。
前記バリア膜形成工程は、通常用いられるプロセス条件に従って行うことができる。前記シール組成物付工程後に、例えば、気相成長法(CVD)により、窒化チタン等のチタン化合物や窒化タンタル等のタンタル化合物からなるバリア膜を形成することができる。本発明においては、タンタル化合物からなるバリア膜を形成することが好ましい。
本発明の半導体装置は、多孔質の層間絶縁層と、2以上のカチオン性官能基を有する重量平均分子量が2000〜100000の樹脂を含み、厚さが0.3nm〜5nmである樹脂層と、銅からなる層と、がこの順で配置された構造を備え、必要に応じてその他の層を含んで構成される。層間絶縁層と配線材料との間に、特定の樹脂を含む樹脂層が配置されていることで32nm以下の微細な回路構成であってもリーク電流等の発生が抑制され、良好な特性を示すことができる。
本発明においては、前記樹脂層と前記銅を含む配線材料との間に、銅バリア層(好ましくは、タンタル化合物からなる層)がさらに配置されていることが好ましい。
尚、本発明の半導体装置は、前記半導体装置の製造方法によって製造することができる。
本明細書に記載された全ての文献、特許出願、および技術規格は、個々の文献、特許出願、および技術規格が参照により取り込まれることが具体的かつ個々に記された場合と同程度に、本明細書に参照により取り込まれる。
テトラエトキシシラン(山中セミコンダクター製、電子工業グレード、Si(OC2H5)4)。
1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサン(トリケミカル社製の環状シロキサン化合物、電子工業グレード、(CH3Si(H)O)4)。
ポリオキシエチレン(20)ステアリルエーテル(シグマケミカル社製、商品名:Brij78、C18H37(CH2CH2O)2OH)を、電子工業用エタノールに溶解した後、イオン交換樹脂を用いて10ppb以下まで脱金属処理を施したものである。
硝酸セシウム水溶液(和光純薬、特級、CsNO3)中のセシウム(Cs)。
ヘキサメチルジシロキサン(アルドリッチ製、((CH3)3Si)2O)を蒸留精製したものである。
脱金属処理された抵抗値18MΩ以上の純水。
エタノール(和光純薬製、電子工業グレード、C2H5OH)
1−プロピルアルコール(関東化学製、電子工業グレード、CH3CH2CH2OH)
2−ブチルアルコール(関東化学製、電子工業グレード、CH3(C2H5)CHOH)。
1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサン(トリケミカル社製、電子工業グレード、(CH3Si(H)O)4)。
90.9gのテトラエトキシシランと70.9gのエタノールを室温下で混合攪拌した後、1mol/Lの硝酸80mLを添加し、50℃で1時間撹拌した。次に、20.9gのポリオキシエチレン(20)ステアリルエーテルを280gのエタノールで溶解した溶液を滴下混合した。混合後、30℃で4時間撹拌した。得られた溶液を25℃、30hPaの減圧下、90gになるまで濃縮した。濃縮後、1−プロピルアルコールと2−ブチルアルコールを体積で1:1に混合した溶液を添加し、前駆体溶液1885gを得た。
前駆体溶液300gに硝酸セシウム水溶液をCs濃度が15ppmとなるまで添加した。次いで、1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサン1.7gを添加し、25℃で1時間撹拌し、多孔質シリカ形成用組成物を得た。この時の1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサンの添加量は、テトラエトキシシランに対して10モル%であった。
多孔質シリカ形成用組成物1.0mLをシリコンウエハ表面上に滴下し、2000rpmで60秒間回転させて、シリコンウエハ表面に塗布した後、窒素雰囲気下150℃で1分間、次いで、350℃で10分間加熱処理した。その後、172nmエキシマランプを装備したチャンバー内で350℃まで加熱し、圧力1Paで出力14mW/cm2により、紫外線を10分間照射することにより、層間絶縁層(多孔質シリカ膜)を得た。
得られた層間絶縁層の密度は、0.887g/cm3であった。
また、得られた層間絶縁層の、比誘電率kは2.0、弾性率Eは6.60GPaであった。
また比誘電率は、水銀プローブ装置(SSM5130)を用い、25℃、相対湿度30%の雰囲気下、周波数1MHzにて常法により比誘電率を測定した。
また弾性率は、ナノインデンテーター(Hysitron社、Triboscope)により、膜厚の1/10以下の押し込み深さで常法により弾性率を測定した。
上記で得られた層間絶縁層(以下「low−k」ということがある)に、ポリエチレンイミン水溶液1(PEI、BASF社製、重量平均分子量25,000、250mg/100mL、pH10.52、カチオン性官能基当量309)を、市販のスプレーボトル”AIR−BOY”(Carl Roth GmbH社製)を用いて、スプレー法(溶液の接触時間20秒、スプレー距離10センチメートル)で接触させた。次いで水を、上記と同様のスプレーボトルを用いて、スプレー法(超純水の接触時間10秒、スプレー距離10センチメートル)により接触させた。エアブローにより乾燥させて、層間絶縁層上に樹脂層を形成した。その後、23℃55%の恒温恒湿環境に15時間以上保管した試料(low−k/PEI)について以下の評価を行なった。
尚、「水」、には、超純水(Millipore社製Milli−Q水、抵抗18MΩ・cm(25℃)以下)を使用した。
得られた試料(以下、「low−k/PEI」ということがある)について、FACE固体表面エナジー解析装置(CA−XE型)を用いて、水の接触角を23℃55%RHの環境下で常法により測定したところ、13.2°であった。
〜評価基準〜
A:接触角の差が30°を超えていた。
B:接触角の差が20°以上30以下であった。
C:接触角の差が20°未満であった。
得られた試料(low−k/PEI)について、XPS装置としてESCALAB220iXL(VG社製)を用い、X線源AlKα、分析領域φ1mmの条件で、形成された樹脂層の元素組成を測定したところ、上記で得られた層間絶縁層(low−k)と比較して増加した組成は、C/N=2.34であった。これにより、ポリエチレンイミンの層が形成されたことが確認できた。
また原子間力顕微鏡により樹脂層表面の形態観察を行ったところ、RMSが0.369nm(層間絶縁層のみで0.403nm)であり、均一な厚みの層が形成されていた。
得られた試料(low−k/PEI)の樹脂層上にスパッタリングにより金属銅膜を形成して試料1(以下、「low−k/PEI/Cu」ということがある)を作製した。
得られた試料1(low−k/PEI/Cu)を目視により観察したところ、樹脂層上に金属銅色の金属膜が形成されていることが確認できた。
尚、スパッタリングは、装置としてHSM-521(島津製作所製)を用い、設定電流0.4A、設定電圧440V、Ar雰囲気下、スパッタ時間2分10秒の条件で行なった。
上記で得られた試料1(low−k/PEI/Cu)について、表面形状測定装置として、DEKTAK3(Veeco Metrology Group社製、version 3.22b FP/J)を用いて形成された金属膜の膜厚を測定したところ、50nm〜100nmであった。
上記で得られた試料1(low−k/PEI/Cu)について、FIB加工装置としてSMI2050(セイコーインスツルメンツ社製)を用いて、断面試料を作製した。透過型電子顕微鏡としてJEM−2200FS(日本電子社製、加速電圧220kV)を用いて樹脂層上に金属銅膜が形成された試料の断面を観察して、金属成分の拡散深度を測定したところ、金属成分の拡散深度は0nmであった。
上記で得られた試料1(low−k/PEI/Cu)の断面を上記と同様にして観察し、元素マッピングを行った。ポリエチレンイミンに由来する窒素原子の分布状態から、形成された樹脂層の厚さを見積もったところ、5nm以下であった。
上記と同様にして、シリコンウエハ上に樹脂層を形成した試料(Si/PEI)を作製した。これを用いた以外は上記と同様にして樹脂層上に金属銅膜を形成し、試料(Si/PEI/Cu)を作製した。得られた試料(Si/PEI/Cu)について金属銅膜の密着性を以下のようにして評価したところ、評価は「A」レベルであった。
測定試料を窒素・水素雰囲気下、350℃で30分加熱処理した後、23℃55%の恒温恒湿環境に15時間以上保管した。その後、JIS K5600に準じた碁盤目試験(ただしテープとして、ニチバン社製のセロハンテープ(CT405AP-18 幅18mm)を使用した)を行い、下記評価基準に従って密着性を評価した。
A:カットの縁が完全に滑らかで、どの格子の目にもはがれがなかった。
B:カットの交差点における小さなはがれがあった。クロスカット部分で影響を受けたのは5%以下だった。
C:カットの縁に沿ってまたは交差点においてはがれがあった。クロスカット部分で影響を受けたのは5%を越えて15%以下だった。
D:カットの縁に沿って部分的または大はがれが生じ、格子の目において部分的または全面的なはがれがあった。クロスカット部分で影響を受けたのは15%を越えて35%以下だった。
E:カットの縁に沿って部分的または大はがれが生じ、数箇所の格子の目において部分的または全面的なはがれがあった。クロスカット部分で影響を受けたのは15%を越えて35%以下だった。
F:カットの縁に沿って部分的または大はがれが生じ、多数箇所の格子の目において部分的または全面的なはがれがあった。クロスカット部分で影響を受けたのは35%を越えていた。
上記と同様にして、層間絶縁層(low−k)上に樹脂層を形成した試料(low−k/PEI)を作製した。これを用いた以外は上記と同様にして樹脂層上に金属銅膜を形成し、試料(low−k/PEI/Cu)を作製した。得られた試料(low−k/PEI/Cu)について金属銅膜の密着性を以下のようにして評価したところ、評価は「B」であった。
測定試料を、23℃、55%の恒温恒湿環境に15時間以上保管した。その後、JIS K5600に準じた碁盤目試験(ただしテープとして、ニチバン社製のセロハンテープ(CT405AP-18 幅18mm)を使用した)を行った。露出した面を光学顕微鏡(株式会社ハイロックス製デジタルマイクロスコープKH−7700)、電界放出型走査電子顕微鏡(JEOL製JSM−6701F)、表面形状測定装置(DEKTAK3(Veeco Metrology Group社製、version 3.22b FP/J))により形態を観察した。さらに各露出面はJEOL製エネルギー分散形X線分析装置(EX−37001)を用いて元素分析を実施して同定した。下記評価基準に従って密着性を評価した。
A:low−k材料の残存面積が、10%未満(Si露出面積が90%以上)
B:low−k材料の残存面積が、10%以上30%未満(Si露出面積が70%以上90%未満)
C:low−k材料の残存面積が、30%以上90%未満(Si露出面積が10%以上70%未満)
D:low−k材料の残存面積が、90%以上(Si露出面積が10%未満)
実施例1におけるポリエチレンイミン水溶液1について、大塚電子製ELSZ−2を用いて動的光散乱法により体積平均粒子径を測定したところ、検出限界以下(<10nm)であった。
尚、測定条件は、積算回数70回、繰り返し回数1回、解析条件は、ヒストグラム解析、キュムラント解析を用いた。
実施例1において、ポリエチレンイミン水溶液の代わりに、超純水を用いた以外は実施例1と同様にして、試料C1を作製した。
上記で得られた試料C1について、実施例1と同様にして金属成分の拡散評価を行なったところ、金属成分の拡散深度は20nmであり、実用上問題のあるレベルだった。
また、金属膜の密着性を実施例1の密着性評価1と同様にして評価したところ、評価は「A」レベルであり、実施例1の密着性評価2と同様にして評価したところ、層間絶縁層の上に樹脂層が形成されていないため、評価は「A」レベルであり、水の接触角の差の評価結果は「C」であった。
尚、動的光散乱法による体積平均粒子径は、検出限界以下であった。
実施例1において、ポリエチレンイミン水溶液の代わりに、ポリエチレングリコール水溶液(PEG、和光純薬社製、100mg/100mL、重量平均分子量10000)を用いた以外は実施例1と同様にして、樹脂層を形成した試料C2を作製した。
実施例1と同様にして形成された樹脂層の厚さを見積もったところ、5nm以下であった。
さらに上記密着性評価2と同様にして、密着性を評価したところ評価は「D」であり、密着性に劣っていた。水の接触角の差の評価結果は「B」であった。
尚、動的光散乱法による体積平均粒子径は、検出限界以下(<10nm)であった。
国際公開2009/087961号パンフレットの段落番号[0283]合成例A6に準拠して、エチレン重合体の末端にポリエチレングリコール鎖が結合したポリマー(数平均分子量6115、以下「AB3」と称する)を調製し、これを超純水に溶解して、AB3水溶液(100mg/mL、pH7.64)を得た。
上記で得られたAB3水溶液を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、層間絶縁層(low−k)上に樹脂層を形成した試料C3を作製した。水の接触角の差の評価結果は「B」であった。
原子間力顕微鏡により樹脂層表面の形態観察を行ったところ、RMSが約50nmであり、薄い均一な層を形成することができなかった。
尚、動的光散乱法による体積平均粒子径は、ヒストグラム解析の結果、99.5nmであった。
すなわち本発明の第1の態様は、2以上のカチオン性官能基を有する重量平均分子量が2000〜100000の樹脂としてポリエチレンイミンまたはポリエチレンイミン誘導体を含有し、ナトリウムおよびカリウムの含有量がそれぞれ元素基準で10重量ppb以下であって、動的光散乱法で測定された体積平均粒子径が10nm以下である半導体用シール組成物である。
前記樹脂は、カチオン性官能基当量が43〜430であることが好ましい。
Claims (9)
- 2以上のカチオン性官能基を有する重量平均分子量が2000〜100000の樹脂を含有し、ナトリウムおよびカリウムの含有量がそれぞれ元素基準で10重量ppb以下であって、動的光散乱法で測定された体積平均粒子径が10nm以下である、半導体用シール組成物。
- 前記樹脂は、カチオン性官能基当量が43〜430である、請求項1に記載の半導体用シール組成物。
- 前記カチオン性官能基は、1級アミノ基および2級アミノ基から選択された少なくとも1種である、請求項1または請求項2に記載の半導体用シール組成物。
- 前記樹脂は、ポリエチレンイミンまたはポリエチレンイミン誘導体である、請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の半導体用シール組成物。
- 請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載の半導体用シール組成物を、基板上に形成された層間絶縁層に付与するシール組成物付与工程を含む、半導体装置の製造方法。
- 前記層間絶縁層は、多孔質シリカを含み、その表面に前記多孔質シリカに由来するシラノール残基を有する、請求項5に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記層間絶縁層に10nm〜32nm幅の凹状の溝が形成される工程をさらに含み、
前記シール組成物付与工程は、少なくとも前記凹状の溝の側面の層間絶縁層に、前記半導体用シール組成物を接触させる、請求項5または請求項6に記載の半導体装置の製造方法。 - 多孔質の層間絶縁層と;
2以上のカチオン性官能基を有する重量平均分子量が2000〜100000の樹脂を含み、厚さが0.3nm〜5nmである樹脂層と;
銅からなる層と;
がこの順で配置された構造を備える、半導体装置。 - 前記樹脂層と前記銅からなる層との間に、銅バリア層がさらに配置された、請求項8に記載の半導体装置。
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JP2004018608A (ja) * | 2002-06-14 | 2004-01-22 | Asahi Kasei Corp | 絶縁性薄膜 |
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TWI273090B (en) | 2002-09-09 | 2007-02-11 | Mitsui Chemicals Inc | Method for modifying porous film, modified porous film and use of same |
US6953827B2 (en) * | 2003-05-20 | 2005-10-11 | Kuraray Co., Ltd. | Resin composition and method for producing the same |
US7018939B2 (en) * | 2003-07-11 | 2006-03-28 | Motorola, Inc. | Micellar technology for post-etch residues |
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US7345000B2 (en) * | 2003-10-10 | 2008-03-18 | Tokyo Electron Limited | Method and system for treating a dielectric film |
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EP1615260A3 (en) | 2004-07-09 | 2009-09-16 | JSR Corporation | Organic silicon-oxide-based film, composition and method for forming the same, and semiconductor device |
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WO2006054668A1 (ja) * | 2004-11-18 | 2006-05-26 | Mitsui Chemicals, Inc. | 水素結合により結合した多層膜を含む積層体、該積層体から得られる自立した薄膜、ならびにそれらの製造方法及び用途 |
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