JPWO2010100699A1 - 窒化物半導体の結晶成長方法および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
まず、+c面GaN基板およびm面GaN基板を用意し、これらの基板に対して硫酸および過酸化水素の混合液中で10分間の洗浄を行った。次に、バッファードフッ酸による表面処理を10分間行い、さらに10分間の水洗を行った。その後、これらのGaN基板をMOCVD装置の反応室内に搬入し、アンモニア(窒素原料ガス)、水素、窒素の混合ガス雰囲気中で基板温度850℃、10分間のサーマルクリーニングを行った。
m面GaN基板をMOCVD装置内に配置し、アンモニア、水素、窒素の混合ガス雰囲気中で、基板温度850℃、10分間の熱処理を行った。
m面GaN基板をMOCVD装置内に配置し、アンモニア、水素、窒素の混合ガス雰囲気中で、基板温度850℃、10分間の熱処理を行った。次に、アンモニア、水素、窒素、トリメチルガリウムの雰囲気中で基板温度を850℃から1090℃まで昇温させた。昇温中のV族原料とIII族原料の供給比(V/III比)は4600程度である。昇温中に結晶成長したGaN層の厚さは、計算上、100nm程度である。
図19を参照しながら、本発明の方法を用いてm面GaN基板上に製作した発光素子の例を説明する。
以下、実施例3と同様の方法で発光素子を製造し、そのI−V特性を測定した結果を説明する。本実施例の発光素子は、実施例3と同様の方法によって作製した。すなわち、本実施形態の製造方法では、n型GaN層23を形成する前の昇温工程、および、発光層24を形成した後第1のp−GaN層26を形成する前の昇温工程においてGaの原料ガスの供給を行った。本実施例では、n型電極30としてTi/Alの積層からなる電極、およびp型電極29としてPd/Ptの積層からなる電極を用いた。
以下、実施例3とは異なる方法で発光素子を製造し、そのI−V特性を測定した結果を説明する。本実施例では、n型GaN層23を形成する前の昇温工程においてGaの原料ガスの供給を行わず、発光層24を形成した後第1のp−GaN層26を形成する前の昇温工程においてGaの原料ガスの供給を行った。
本実施例では、m面GaN基板にかえて、m面から1°以上の角度で傾斜させた面を主面とするGaN基板(オフ基板)を用いている。図24または図25に示すGaN基板110は、図15、16のGaN基板11にかえて、その表面がm面から1°以上の角度で傾斜したGaN基板を用いている。このようなGaN基板110は、一般に「オフ基板」と称される。オフ基板は、単結晶インゴットから基板をスライスし、基板の表面を研磨する工程で、意図的にm面から特定方位に傾斜した面を主面とするように作製され得る。
11 m面GaN基板
12 昇温中に成長した窒化物半導体層
13 窒化物半導体層
21 m面GaN基板
22 昇温中に成長したn型GaN層
23 n型GaN層
24 InGaN発光層
25 昇温中に成長したアンドープGaN層
26 第1のp−GaN層
27 p−AlGaN層
28 第2のp−GaN層
29 p型電極
30 n型電極
110 GaN基板(オフカット基板)
120 昇温中に成長した窒化物半導体層
130 窒化物半導体層
まず、+c面GaN基板およびm面GaN基板を用意し、これらの基板に対して硫酸および過酸化水素の混合液中で10分間の洗浄を行った。次に、バッファードフッ酸による表面処理を10分間行い、さらに10分間の水洗を行った。その後、これらのGaN基板をMOCVD装置の反応室内に搬入し、アンモニア(窒素原料ガス)、水素、窒素の混合ガス雰囲気中で基板温度850℃、10分間のサーマルクリーニングを行った。
m面GaN基板をMOCVD装置内に配置し、アンモニア、水素、窒素の混合ガス雰囲気中で、基板温度850℃、10分間の熱処理を行った。
m面GaN基板をMOCVD装置内に配置し、アンモニア、水素、窒素の混合ガス雰囲気中で、基板温度850℃、10分間の熱処理を行った。次に、アンモニア、水素、窒素、トリメチルガリウムの雰囲気中で基板温度を850℃から1090℃まで昇温させた。昇温中のV族原料とIII族原料の供給比(V/III比)は4600程度である。昇温中に結晶成長したGaN層の厚さは、計算上、100nm程度である。
図19を参照しながら、本発明の方法を用いてm面GaN基板上に製作した発光素子の例を説明する。
以下、実施例3と同様の方法で発光素子を製造し、そのI−V特性を測定した結果を説明する。本実施例の発光素子は、実施例3と同様の方法によって作製した。すなわち、本実施形態の製造方法では、n型GaN層23を形成する前の昇温工程、および、発光層24を形成した後第1のp−GaN層26を形成する前の昇温工程においてGaの原料ガスの供給を行った。本実施例では、n型電極30としてTi/Alの積層からなる電極、およびp型電極29としてPd/Ptの積層からなる電極を用いた。
以下、実施例3とは異なる方法で発光素子を製造し、そのI−V特性を測定した結果を説明する。本実施例では、n型GaN層23を形成する前の昇温工程においてGaの原料ガスの供給を行わず、発光層24を形成した後第1のp−GaN層26を形成する前の昇温工程においてGaの原料ガスの供給を行った。
本実施例では、m面GaN基板にかえて、m面から1°以上の角度で傾斜させた面を主面とするGaN基板(オフ基板)を用いている。図24または図25に示すGaN基板110は、図15、16のGaN基板11にかえて、その表面がm面から1°以上の角度で傾斜したGaN基板を用いている。このようなGaN基板110は、一般に「オフ基板」と称される。オフ基板は、単結晶インゴットから基板をスライスし、基板の表面を研磨する工程で、意図的にm面から特定方位に傾斜した面を主面とするように作製され得る。
11 m面GaN基板
12 昇温中に成長した窒化物半導体層
13 窒化物半導体層
21 m面GaN基板
22 昇温中に成長したn型GaN層
23 n型GaN層
24 InGaN発光層
25 昇温中に成長したアンドープGaN層
26 第1のp−GaN層
27 p−AlGaN層
28 第2のp−GaN層
29 p型電極
30 n型電極
110 GaN基板(オフカット基板)
120 昇温中に成長した窒化物半導体層
130 窒化物半導体層
Claims (21)
- 有機金属気相成長法によって窒化物半導体層を成長させる窒化物半導体層の形成方法であって、
表面がm面である窒化物半導体結晶を少なくとも上面に有する基板を反応室内に配置する工程(S1)と、
前記反応室内の前記基板を加熱し、前記基板の温度を上昇させる昇温工程(S2)と、
前記昇温工程(S2)の後、前記基板上に窒化物半導体層を成長させる成長工程(S3)と、
を含み、
前記昇温工程(S2)は、窒素原料ガスおよびIII族元素原料ガスを前記反応室内に供給する工程を含む窒化物半導体層の形成方法。 - 前記昇温工程(S2)は、昇温中において、窒化物半導体からなる連続した初期成長層を前記基板上に形成する工程を含む請求項1に記載の窒化物半導体層の形成方法。
- 前記昇温工程(S2)と前記成長工程(S3)との間において、前記窒化物半導体結晶の表面は平滑に維持される請求項1に記載の窒化物半導体層の形成方法。
- 前記III族元素原料ガスの供給レートに対する前記窒素原料ガスの供給レートの比率によってV/III比を定義するとき、
前記昇温工程(S2)におけるV/III比を、前記成長工程(S3)におけるV/III比よりも大きくする請求項1に記載の窒化物半導体層の形成方法。 - 前記昇温工程(S2)におけるV/III比を、4000以上に設定する請求項1に記載の窒化物半導体層の形成方法。
- 前記昇温工程(S2)において前記反応室に供給する前記III族元素原料ガスの供給レートを前記成長工程(S3)において前記反応室に供給する前記III族元素原料ガスの供給レートよりも小さく設定する請求項1に記載の窒化物半導体層の形成方法。
- 前記窒素原料ガスはアンモニアガスである請求項1に記載の窒化物半導体層の形成方法。
- 前記III族元素原料ガスはGa原料ガスである請求項1に記載の窒化物半導体層の形成方法。
- 前記昇温工程(S2)は、前記基板の温度を、950℃よりも低い温度から950℃以上の温度に上昇させる工程を含む請求項1に記載の窒化物半導体層の形成方法。
- 前記III族元素原料ガスの前記反応室への供給は、前記基板の温度が950℃に達する前に開始する請求項9に記載の窒化物半導体層の形成方法。
- 前記昇温工程(S2)の昇温の途中において、前記窒素原料ガスおよびIII族元素原料ガスの前記反応室への供給を開始する請求項1に記載の窒化物半導体層の形成方法。
- 前記昇温工程(S2)は、サーマルクリーニング時の温度からn型窒化物半導体層の成長温度まで温度を上昇させる工程である請求項1に記載の窒化物半導体層の形成方法。
- 前記昇温工程(S2)は、InGaN層の成長温度からp−GaN層の成長温度まで温度を上昇させる工程である請求項1に記載の窒化物半導体層の形成方法。
- 前記昇温工程(S2)は、サーマルクリーニング時の温度からn型窒化物半導体層の成長温度まで温度を上昇させる工程、およびInGaN活性層の成長温度からp−GaN層の成長温度まで温度を上昇させる工程を含む請求項1に記載の窒化物半導体層の形成方法。
- 前記成長工程(S3)は、前記基板の温度を990℃以上に保持した状態で前記窒化物半導体層を成長させる請求項1に記載の窒化物半導体層の形成方法。
- 前記成長工程(S3)は、前記窒化物半導体層を5μm以下の厚さに成長させる請求項1に記載の窒化物半導体層の形成方法。
- 表面がm面である窒化物半導体結晶を少なくとも上面に有する基板を用意する工程と、
前記基板上に半導体積層構造を形成する工程と、
を含む半導体装置の製造方法であって、
前記半導体積層構造を形成する工程は、
請求項1から16の何れかに記載の窒化物半導体層の形成方法によって窒化物半導体層を形成する工程を含む半導体装置の製造方法。 - 前記基板の少なくとも一部を除去する工程を更に含む請求項17に記載の半導体装置の製造方法。
- 表面がm面である窒化物半導体結晶を少なくとも上面に有する基板を用意する工程と、
請求項1から16の何れかに記載の窒化物半導体層の形成方法によって窒化物半導体層を前記基板上に形成する工程と、
を含むエピ付基板の製造方法。 - 有機金属気相成長法によって窒化物半導体層を成長させる窒化物半導体層の形成方法であって、
窒化物半導体結晶を少なくとも上面に有し、前記上面の法線とm面の法線とが形成する角度が1°以上5°以下である基板を反応室内に配置する工程(S1)と、
前記反応室内の前記基板を加熱し、前記基板の温度を上昇させる昇温工程(S2)と、
前記昇温工程(S2)の後、前記基板上に窒化物半導体層を成長させる成長工程(S3)と、
を含み、
前記昇温工程(S2)は、窒素原料ガスおよびIII族元素原料ガスを前記反応室内に供給する工程を含む窒化物半導体層の形成方法。 - 前記基板は、c軸方向またはa軸方向に傾斜している請求項20に記載の窒化物半導体層の形成方法。
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