JPWO2010061824A1 - 芳香族アミン誘導体及び有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

芳香族アミン誘導体及び有機エレクトロルミネッセンス素子 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2010061824A1
JPWO2010061824A1 JP2010540480A JP2010540480A JPWO2010061824A1 JP WO2010061824 A1 JPWO2010061824 A1 JP WO2010061824A1 JP 2010540480 A JP2010540480 A JP 2010540480A JP 2010540480 A JP2010540480 A JP 2010540480A JP WO2010061824 A1 JPWO2010061824 A1 JP WO2010061824A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
general formula
represented
carbon atoms
aromatic amine
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2010540480A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5608095B2 (ja
Inventor
伸浩 藪ノ内
伸浩 藪ノ内
河村　昌宏
昌宏 河村
加藤　朋希
朋希 加藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Idemitsu Kosan Co Ltd
Original Assignee
Idemitsu Kosan Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Idemitsu Kosan Co Ltd filed Critical Idemitsu Kosan Co Ltd
Priority to JP2010540480A priority Critical patent/JP5608095B2/ja
Publication of JPWO2010061824A1 publication Critical patent/JPWO2010061824A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5608095B2 publication Critical patent/JP5608095B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D209/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings, condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom
    • C07D209/56—Ring systems containing three or more rings
    • C07D209/80—[b, c]- or [b, d]-condensed
    • C07D209/82—Carbazoles; Hydrogenated carbazoles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D307/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atom
    • C07D307/77—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atom ortho- or peri-condensed with carbocyclic rings or ring systems
    • C07D307/91—Dibenzofurans; Hydrogenated dibenzofurans
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D405/00—Heterocyclic compounds containing both one or more hetero rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, and one or more rings having nitrogen as the only ring hetero atom
    • C07D405/02—Heterocyclic compounds containing both one or more hetero rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, and one or more rings having nitrogen as the only ring hetero atom containing two hetero rings
    • C07D405/12—Heterocyclic compounds containing both one or more hetero rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, and one or more rings having nitrogen as the only ring hetero atom containing two hetero rings linked by a chain containing hetero atoms as chain links
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D405/00—Heterocyclic compounds containing both one or more hetero rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, and one or more rings having nitrogen as the only ring hetero atom
    • C07D405/14—Heterocyclic compounds containing both one or more hetero rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, and one or more rings having nitrogen as the only ring hetero atom containing three or more hetero rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D407/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D405/00
    • C07D407/02—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D405/00 containing two hetero rings
    • C07D407/12—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D405/00 containing two hetero rings linked by a chain containing hetero atoms as chain links
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D407/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D405/00
    • C07D407/14—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D405/00 containing three or more hetero rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/633—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising polycyclic condensed aromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/636—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising heteroaromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6574—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only oxygen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. cumarine dyes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1003—Carbocyclic compounds
    • C09K2211/1011—Condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1003—Carbocyclic compounds
    • C09K2211/1014—Carbocyclic compounds bridged by heteroatoms, e.g. N, P, Si or B
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1022—Heterocyclic compounds bridged by heteroatoms, e.g. N, P, Si or B
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H10K50/156—Hole transporting layers comprising a multilayered structure
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Plural Heterocyclic Compounds (AREA)
  • Furan Compounds (AREA)

Abstract

分子中に、少なくとも１つのジベンゾフランを有する置換基Ａと、少なくとも１つのジベンゾフラン又はカルバゾールを有する基から選択される置換基Ｂとを有し、置換基Ａ及び置換基Ｂは互いに異なる基であり、また、置換基Ａ及び置換基Ｂは分子中の同一又は異なる窒素原子に結合することを特徴とする芳香族アミン誘導体を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子により、分子が結晶化しにくく、有機エレクトロルミネッセンス素子を製造する際の歩留りが向上し、効率が高く、寿命が長い有機エレクトロルミネッセンス素子及びそれを実現する芳香族アミン誘導体を提供する。当該芳香族アミン誘導体を、陰極と陽極間に少なくとも発行層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が狭持されている有機エレクトロルミネッセンス素子の有機薄膜層の少なくとも１層、特に正孔輸送層に含有する。

Description

本発明は、芳香族アミン誘導体及びそれらを用いた有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）素子に関し、特に、特定の構造を有する芳香族アミン誘導体を正孔輸送材料に用いることにより、高温時においても高い効率が得られ、有機ＥＬ素子の寿命を改善することができる芳香族アミン誘導体に関するものである。
有機ＥＬ素子は、電界を印加することより、陽極より注入された正孔と陰極より注入された電子の再結合エネルギーにより蛍光性物質が発光する原理を利用した自発光素子である。イーストマン・コダック社のＣ．Ｗ．Ｔａｎｇらによる積層型素子による低電圧駆動有機ＥＬ素子の報告（C.W. Tang, S.A. Vanslyke, アプライドフィジックスレターズ(Applied Physics Letters),５１巻、９１３頁、１９８７年等）がなされて以来、有機材料を構成材料とする有機ＥＬ素子に関する研究が盛んに行われている。Ｔａｎｇらは、トリス（８−キノリノラト）アルミニウムを発光層に、トリフェニルジアミン誘導体を正孔輸送層に用いている。積層構造の利点としては、発光層への正孔の注入効率を高めること、陰極より注入された電子をブロックして再結合により生成する励起子の生成効率を高めること、発光層内で生成した励起子を閉じ込めること等が挙げられる。この例のように有機ＥＬ素子の素子構造としては、正孔輸送（注入）層、電子輸送発光層の２層型、又は正孔輸送（注入）層、発光層、電子輸送（注入）層の３層型等がよく知られている。こうした積層型構造素子では注入された正孔と電子の再結合効率を高めるため、素子構造や形成方法の工夫がなされている。
通常、高温環境下で有機ＥＬ素子を駆動させたり、保管すると、発光色の変化、発光効率の低下、駆動電圧の上昇、発光寿命の短時間化等の悪影響が生じる。これを防ぐためには正孔輸送材料のガラス転移温度（Ｔｇ）を高くする必要があった。そのために正孔輸送材料の分子内に多くの芳香族基を有する必要があり（例えば、特許文献１の芳香族ジアミン誘導体、特許文献２の芳香族縮合環ジアミン誘導体）、通常８〜１２個のベンゼン環を有する構造が好ましく用いられている。
しかしながら、分子内に多くの芳香族基を有する対称性の高い化合物や平面性の高い化合物においては、これらの正孔輸送材料を用いて薄膜を形成して有機ＥＬ素子を作製する際に結晶化が起こりやすく、蒸着に用いるるつぼの出口を塞いだり、結晶化に起因する薄膜の欠陥が発生し、有機ＥＬ素子の歩留り低下を招くなどの問題が生じていた。また、分子内に多くの芳香族基を有する化合物は、一般的にガラス転移温度（Ｔｇ）は高いものの、昇華温度が高く、蒸着時の分解や蒸着が不均一に形成される等の現象が起こると考えられるために寿命が短いという問題があった。
一方、ジベンゾフランを有するアミン化合物の報告としては、特許文献３〜５があるが、これらはジアミン化合物の中心骨格にジベンゾフランを有する構造である。モノアミンにアリール基を介してジベンゾフランを有する化合物の報告としては、特許文献６〜９があるが、有機ＥＬ素子としての性能は十分ではない。
また、Ｎ−カルバゾールがアリール基を介してアミンに結合したアミン化合物の報告は多数有り、その一例としては特許文献１０〜１２があるが、有機ＥＬ素子としての性能は十分ではない。
さらに、３−カルバゾールが直接アミンに結合したアミン化合物の報告としては、特許文献１３〜１４があるが、有機ＥＬ素子としての性能は十分ではない。また３−カルバゾールがアリール基を介してアミンに結合したアミン化合物の報告としては、特許文献１５〜１６があるが、有機ＥＬ素子としての性能は十分ではない。
以上のように、高効率、長寿命の有機ＥＬ素子の報告はあるものの、十分な性能ではなく、より優れた性能を有する有機ＥＬ素子の開発が強く望まれていた。
米国特許第４，７２０，４３２号明細書 米国特許第５，０６１，５６９号明細書 特開２００５−１１２７６５号公報 特開平１１−１１１４６０号公報 ＷＯ２００６／１２２６３０号公報 ＷＯ２００６／１２８８００号公報 特開２００６−１５１８４４号公報 特開２００８−０２１６８７号公報 ＷＯ２００７／１２５７１４号公報 米国特許第６，２４２，１１５号明細書 特開２００７−２８４４３１号公報 特開２００３−０３１３７１号公報 特開２００７−３１８１０１号公報 特開２００６−１５１９７９号公報 特開２００５−２９００００号公報 ＷＯ２００８／０６２６３６号公報
本発明は、前記の課題を解決するためになされたもので、高温においても高い効率が得られるとともに、寿命が長い有機エレクトロルミネッセンス素子及びそれを実現する芳香族アミン誘導体を提供することを目的とする。
本発明者らは、前記目的を達成するために、鋭意研究を重ねた結果、特定の２種類の置換基を有する新規な芳香族アミン誘導体を有機ＥＬ素子用材料として用い、特に正孔注入材料又は正孔輸送材料として用いると、前記の課題を解決できることを見出した。
特定の置換基として、ジベンゾフラン構造を有する基と、ジベンゾフラン構造又はカルバゾール構造を有する基が好適であり、ジベンゾフラン構造を有する基を少なくとも１つと、ジベンゾフラン構造及び／又はカルバゾール構造を有する基を少なくとも１つ有し、これらが互いに異なる基であるアミン誘導体は、分子の対称性を低下することができることから、分子間の相互作用が小さく、結晶化が抑制され、有機ＥＬ素子を製造する歩留を向上させることができる。また、上記アミン誘導体はＥｇが大きく、発光層からの電子を効果的にブロックすることが可能なため、効率を向上するとともに、正孔輸送層への電子の注入を抑制するため寿命を長くする効果があり、特に青色発光素子と組み合わせることにより、顕著な長寿命効果が得られることが見出された。本発明者らは、これらの知見に基づいて本発明を完成させるに至った。
すなわち、本発明は、
１．分子中に、少なくとも１つの下記一般式（１）で表される置換基Ａと、少なくとも１つの下記一般式（２）又は（３）で表される置換基Ｂとを有し、置換基Ａ及び置換基Ｂは互いに異なる基であり、また、置換基Ａ及び置換基Ｂは分子中の同一又は異なる窒素原子に結合することを特徴とする芳香族アミン誘導体、
Figure 2010061824
 ［式中、Ｌ1及びＬ2は、それぞれ独立に、単結合、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリーレン基を表し、Ｌ3は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリーレン基を表す。但し、Ｌ1〜Ｌ3が有してもよい置換基は、炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数３〜１０のトリアルキルシリル基、環形成炭素数１８〜３０のトリアリールシリル基、炭素数８〜１５のアルキルアリールシリル基（アリール部分の環形成炭素数は６〜１４）、環形成炭素数６〜１４のアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基である。
Ｘは、酸素原子又は−Ｎ（Ａｒ1）−基を表す。
Ａｒ1は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１４のアリール基を表し、Ａｒ1が有してもよい置換基は、炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数３〜１０のトリアルキルシリル基、環形成炭素数１８〜３０のトリアリールシリル基、炭素数８〜１５のアルキルアリールシリル基（アリール部分の環形成炭素数は６〜１４）、環形成炭素数６〜１４のアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基である。
ａ、ｃ、ｅおよびｆは、それぞれ独立に、０〜４の整数を表す。
ｂおよびｄは、それぞれ独立に、０〜３の整数を表す。
Ｒ1〜Ｒ6は、それぞれ独立に、炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数３〜１０のトリアルキルシリル基、環形成炭素数１８〜３０のトリアリールシリル基、炭素数８〜１５のアルキルアリールシリル基（アリール部分の環形成炭素数は６〜１４）、環形成炭素数６〜１４のアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基を表す。隣接した複数のＲ1〜Ｒ6は、互いに結合して、環を形成する飽和もしくは不飽和の２価の基を形成してもよい。
但し、芳香族アミン誘導体における水素原子は重水素原子を含む。］
２．前記一般式（２）におけるＸが−Ｎ（Ａｒ1）−基を表す場合、Ｌ2が下記一般式（４）で表される上記１記載の芳香族アミン誘導体、
Figure 2010061824
 [Ｒ7及びＲ8は、それぞれ独立に、炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数３〜１０のトリアルキルシリル基、環形成炭素数１８〜３０のトリアリールシリル基、炭素数８〜１５のアルキルアリールシリル基（アリール部分の環形成炭素数は６〜１４）、環形成炭素数６〜１６のアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基である。隣接した複数のＲ7及びＲ8は結合し、飽和もしくは不飽和の環を形成してもよい。
ｇおよびｈは、それぞれ独立に、０〜４の整数である。]
３．前記置換基Ｂが、前記一般式（３）で表される上記１記載の芳香族アミン誘導体、
４．前記一般式（３）におけるＬ3が下記一般式（４）で表される上記１記載の芳香族アミン誘導体、
Figure 2010061824
 [Ｒ7及びＲ8は、それぞれ独立に、炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数３〜１０のトリアルキルシリル基、環形成炭素数１８〜３０のトリアリールシリル基、炭素数８〜１５のアルキルアリールシリル基（アリール部分の環形成炭素数は６〜１４）、環形成炭素数６〜１６のアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基である。隣接した複数のＲ7及びＲ8は結合し、飽和もしくは不飽和の環を形成してもよい。
ｇおよびｈは、それぞれ独立に、０〜４の整数である。]
５．前記置換基Ａが下記一般式（１）で表され、さらに前記置換基Ｂが下記一般式（２−１）又は下記一般式（３）で表される上記１記載の芳香族アミン誘導体、
Figure 2010061824
 ［式中、Ｌ1及びＬ2は、それぞれ独立に、単結合、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリーレン基を表し、Ｌ3は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリーレン基を表す。但し、Ｌ1〜Ｌ3が有してもよい置換基は、炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数３〜１０のトリアルキルシリル基、環形成炭素数１８〜３０のトリアリールシリル基、炭素数８〜１５のアルキルアリールシリル基（アリール部分の環形成炭素数は６〜１４）、環形成炭素数６〜１４のアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基である。
Ａｒ1は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１４のアリール基を表し、Ａｒ1が有してもよい置換基は、炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数３〜１０のトリアルキルシリル基、環形成炭素数１８〜３０のトリアリールシリル基、炭素数８〜１５のアルキルアリールシリル基（アリール部分の環形成炭素数は６〜１４）、環形成炭素数６〜１４のアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基である。
ａ、ｃ、ｅおよびｆは、それぞれ独立に、０〜４の整数を表す。
ｂおよびｄは、それぞれ独立に、０〜３の整数を表す。
Ｒ1〜Ｒ6は、それぞれ独立に、炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数３〜１０のトリアルキルシリル基、環形成炭素数１８〜３０のトリアリールシリル基、炭素数８〜１５のアルキルアリールシリル基（アリール部分の環形成炭素数は６〜１４）、環形成炭素数６〜１４のアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基を表す。隣接した複数のＲ1〜Ｒ6は、互いに結合して、環を形成する飽和もしくは不飽和の２価の基を形成してもよい。］
６．前記置換基Ａが下記一般式（１−１）又は（１−２）で表される上記５記載の芳香族アミン誘導体、
Figure 2010061824
 ７．前記置換基Ａ及び置換基Ｂが、それぞれ独立に、下記一般式（１）で表される上記１に記載の芳香族アミン誘導体、
Figure 2010061824
 ［式中、Ｌ1は、単結合、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリーレン基を表し、Ｌ1が有してもよい置換基は、炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数３〜１０のトリアルキルシリル基、環形成炭素数１８〜３０のトリアリールシリル基、炭素数８〜１５のアルキルアリールシリル基（アリール部分の環形成炭素数は６〜１４）、環形成炭素数６〜１４のアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基である。
ａは、０〜４の整数を表す。
ｂは、０〜３の整数を表す。
Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立に、炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数３〜１０のトリアルキルシリル基、環形成炭素数１８〜３０のトリアリールシリル基、炭素数８〜１５のアルキルアリールシリル基（アリール部分の環形成炭素数は６〜１４）、環形成炭素数６〜１４のアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基を表す。隣接した複数のＲ1及びＲ2は、互いに結合して、環を形成する飽和もしくは不飽和の２価の基を形成してもよい。］
８．前記置換基Ａ及び置換基Ｂが、それぞれ独立に、下記一般式（１−１）〜（１−３）のいずれかで表される上記７記載の芳香族アミン誘導体、
Figure 2010061824
 ９．前記置換基Ａが前記一般式（１−１）で表され、前記置換基Ｂが前記一般式（１−２）で表される上記８記載の芳香族アミン誘導体、
１０．少なくとも１つのターフェニル基を有する上記１記載の芳香族アミン誘導体、
１１．下記一般式（５）〜（９）のいずれかで表される上記１記載の芳香族アミン誘導体、
Figure 2010061824
 ｛Ａｒ2〜Ａｒ4のうち少なくとも１つは前記一般式（１）で表される置換基Ａであり、少なくとも１つは前記一般式（２）又は（３）で表される置換基Ｂであり、置換基Ａと置換基Ｂは互いに異なる基である。
Ａｒ5〜Ａｒ8のうち少なくとも１つは前記一般式（１）で表される置換基Ａであり、少なくとも１つは前記一般式（２）又は（３）で表される置換基Ｂであり、置換基Ａと置換基Ｂは互いに異なる基である。
Ａｒ9〜Ａｒ13のうち少なくとも１つは前記一般式（１）で表される置換基Ａであり、少なくとも１つは前記一般式（２）又は（３）で表される置換基Ｂであり、置換基Ａと置換基Ｂは互いに異なる基である。
Ａｒ14〜Ａｒ19のうち少なくとも１つは前記一般式（１）で表される置換基Ａであり、少なくとも１つは前記一般式（２）又は（３）で表される置換基Ｂであり、置換基Ａと置換基Ｂは互いに異なる基である。
Ａｒ20〜Ａｒ25のうち少なくとも１つは前記一般式（１）で表される置換基Ａであり、少なくとも１つは前記一般式（２）又は（３）で表される置換基Ｂであり、置換基Ａと置換基Ｂは互いに異なる基である。
Ａｒ2〜Ａｒ25のうち、前記置換基Ａ又は置換基Ｂでない基は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基である。
Ｌ4〜Ｌ12は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリーレン基を表す。
Ａｒ2〜Ａｒ25及びＬ4〜Ｌ12が有してもよい置換基は、それぞれ独立に、炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数３〜１０のトリアルキルシリル基、環形成炭素数１８〜３０のトリアリールシリル基、炭素数８〜１５のアルキルアリールシリル基（アリール部分の環形成炭素数は６〜１４）、環形成炭素数６〜１４のアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基である。
１２．前記一般式（５）で表される上記１１に記載の芳香族アミン誘導体、
１３．前記Ｌ1〜Ｌ12が、それぞれ独立に、フェニレン基、ナフチレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、フルオレニレン基又は９，９−ジメチルフルオレニレン基である上記１１記載の芳香族アミン誘導体、
１４．前記Ｌ1〜Ｌ12が、それぞれ独立に、下記一般式（４）、（１０）及び（１１）のいずれかで表される上記１１記載の芳香族アミン誘導体、
Figure 2010061824
 [Ｒ7〜Ｒ11は、それぞれ独立に、炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数３〜１０のトリアルキルシリル基、環形成炭素数１８〜３０のトリアリールシリル基、炭素数８〜１５のアルキルアリールシリル基（アリール部分の環形成炭素数は６〜１４）、環形成炭素数６〜１６のアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基である。隣接した複数のＲ7〜Ｒ11は結合し、飽和もしくは不飽和の環を形成してもよい。Ｒ12およびＲ13は、それぞれ独立に、炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、あるいは、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基である。
ｇ、ｈおよびｉは、それぞれ独立に、０〜４の整数である。ｊおよびｋは、それぞれ独立に、０〜３の整数である]
１５．前記一般式（５）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ2が前記一般式（１）で表され、Ａｒ3とＡｒ4がそれぞれ独立に前記一般式（３）または（２−１）で表される上記１１記載の芳香族アミン誘導体、
１６．前記一般式（５）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ2とＡｒ3が前記一般式（１）で表され、Ａｒ4が前記一般式（３）または（２−１）で表される上記１１記載の芳香族アミン誘導体、
１７．前記一般式（５）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ2が前記一般式（１）で表され、Ａｒ3が前記一般式（３）または（２−１）で表され、Ａｒ4が置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基である［但し、Ａｒ4の置換基は、それぞれ独立に環形成炭素数６〜５０のアリール基、炭素数１〜５０の分岐もしくは直鎖のアルキル基、ハロゲン原子およびシアノ基のいずれかである］上記１１記載の芳香族アミン誘導体、
１８．前記一般式（６）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ5とＡｒ6が前記一般式（１）で表され、Ａｒ7とＡｒ8がそれぞれ独立に前記一般式（３）または（２−１）で表される上記１１記載の芳香族アミン誘導体、
１９．前記一般式（６）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ5とＡｒ7が前記一般式（１）で表され、Ａｒ6とＡｒ8がそれぞれ独立に前記一般式（３）または（２−１）で表される上記１１記載の芳香族アミン誘導体、
２０．前記一般式（７）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ9が前記一般式（１）で表され、Ａｒ11とＡｒ12がそれぞれ独立に前記一般式（３）または（２−１）で表される上記１１記載の芳香族アミン誘導体、
２１．前記一般式（７）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ11とＡｒ12が前記一般式（１）で表され、Ａｒ9が前記一般式（３）または（２−１）で表される上記１１記載の芳香族アミン誘導体、
２２．前記一般式（８）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ14とＡｒ19が前記一般式（１）で表され、Ａｒ16とＡｒ17がそれぞれ独立に前記一般式（３）または（１）で表される上記１１記載の芳香族アミン誘導体、
２３．前記一般式（８）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ16とＡｒ17が前記一般式（１）で表され、Ａｒ14とＡｒ19がそれぞれ独立に前記一般式（３）または（２−１）で表される上記１１記載の芳香族アミン誘導体、
２４．前記一般式（９）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ20、Ａｒ22及びＡｒ24が前記一般式（１）で表され、Ａｒ21、Ａｒ23及びＡｒ25がそれぞれ独立に前記一般式（３）または（２−１）で表される上記１１記載の芳香族アミン誘導体、
２５．前記一般式（５）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ2〜Ａｒ4が前記一般式（１−２）で表される上記１１記載の芳香族アミン誘導体、
２６．前記一般式（５）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ2〜Ａｒ4が前記一般式（１−１）で表される上記１１記載の芳香族アミン誘導体、
２７．前記一般式（５）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ2〜Ａｒ4のうち２つが前記一般式（１−２）で表され、１つが置換、または無置換の環形成炭素数が６〜１６のアリール基である上記１１記載の芳香族アミン誘導体、
２８．前記一般式（５）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ2〜Ａｒ4のうち２つが前記一般式（１−１）で表され、１つが置換、または無置換の環形成炭素数が６〜１６のアリール基である上記１１記載の芳香族アミン誘導体、
２９．前記一般式（５）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ2〜Ａｒ4のうち少なくとも１つが前記一般式（１−２）で表され、少なくとも一つが前記一般式（１−１）で表される上記１１記載の芳香族アミン誘導体、
３０．前記一般式（５）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ2が前記一般式（１−２）で表され、Ａｒ3及びＡｒ4が、それぞれ独立に、前記一般式（１−１）で表される上記１１記載の芳香族アミン誘導体、
３１．前記一般式（５）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ2及びＡｒ3が前記一般式（１−２）で表され、Ａｒ4が前記一般式（１−１）で表される上記１１記載の芳香族アミン誘導体、
３２．Ａｒ5〜Ａｒ8のうち少なくとも２つ、Ａｒ9〜Ａｒ13のうち少なくとも２つ、Ａｒ14〜Ａｒ19のうち少なくとも１つ、またはＡｒ20〜Ａｒ25のうち少なくとも１つが前記一般式（１−２）または前記一般式（１−１）で表される上記１１記載の芳香族アミン誘導体、
３３．前記Ａｒ5〜Ａｒ8のうち少なくとも１つは前記一般式（１−２）で表され、一般式（１−２）ではないＡｒ5〜Ａｒ8のうち少なくとも１つは前記一般式（１−１）で表される前記一般式（６）の芳香族アミン誘導体、前記Ａｒ9〜Ａｒ13のうち少なくとも１つは前記一般式（１−２）で表され、一般式（１−２）ではないＡｒ9〜Ａｒ13のうち少なくとも１つは前記一般式（１−１）で表される前記一般式（７）の芳香族アミン誘導体、前記Ａｒ14〜Ａｒ19のうち少なくとも１つは前記一般式（１−２）で表され、一般式（１−２）ではないＡｒ14〜Ａｒ19のうち少なくとも１つは前記一般式（１−１）で表される前記一般式（８）の芳香族アミン誘導体および前記Ａｒ20〜Ａｒ25のうち少なくとも１つは下記一般式（１−２）で表され、一般式（１−２）ではないＡｒ20〜Ａｒ25のうち少なくとも１つは下記一般式（１−１）で表される前記一般式（９）の芳香族アミン誘導体のいずれかである上記１１記載の芳香族アミン誘導体、
３４．前記Ａｒ5が前記一般式（１−２）で表され、Ａｒ6が前記一般式（１−１）で表される前記一般式（５）の芳香族アミン誘導体である上記１１記載の芳香族アミン誘導体、
３５．前記Ａｒ5とＡｒ7が前記一般式（１−２）で表され、Ａｒ6とＡｒ8が前記一般式（１−１）で表される前記一般式（５）の芳香族アミン誘導体である上記１１記載の芳香族アミン誘導体、
３６．前記Ａｒ9が前記一般式（１−２）で表され、Ａｒ11とＡｒ12が前記一般式（１−１）で表される前記一般式（６）の芳香族アミン誘導体である上記１１記載の芳香族アミン誘導体、
３７．前記Ａｒ10とＡｒ13が前記一般式（１−２）で表され、Ａｒ11とＡｒ12が前記一般式（１−１）で表される前記一般式（６）の芳香族アミン誘導体である上記１１記載の芳香族アミン誘導体、
３８．前記Ａｒ14とＡｒ19が前記一般式（１−２）で表され、Ａｒ16とＡｒ17が前記一般式（１−１）で表される前記一般式（８）の芳香族アミン誘導体である上記１１記載の芳香族アミン誘導体、
３９．前記Ａｒ15とＡｒ18が前記一般式（１−２）で表され、Ａｒ16とＡｒ17が前記一般式（１−１）で表される前記一般式（８）の芳香族アミン誘導体である上記１１記載の芳香族アミン誘導体、
４０．前記Ａｒ20、Ａｒ22及びＡｒ24が前記一般式（１−２）で表され、Ａｒ21、Ａｒ23及びＡｒ25が前記一般式（１−１）で表される前記一般式（９）の芳香族アミン誘導体である上記１１記載の芳香族アミン誘導体、
４１．前記Ａｒ2〜Ａｒ25のうち置換基Ａ又は置換基Ｂでない基が、それぞれ独立に、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、ターフェニル基又はフルオレニル基である上記１１に記載の芳香族アミン誘導体、
４２．有機エレクトロルミネッセンス素子用材料である上記１記載の芳香族アミン誘導体、
４３．有機エレクトロルミネッセンス素子用正孔輸送材料である上記１記載の芳香族アミン誘導体、
４４．陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機薄膜層の少なくとも１層が、上記１記載の芳香族アミン誘導体を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子、
４５．前記有機薄膜層が正孔輸送層及び／又は正孔注入層を有し、上記１記載の芳香族アミン誘導体が該正孔輸送層及び／又は正孔注入層に含有されている上記４４記載の有機エレクトロルミネッセンス素子、
４６．前記有機薄膜層が、少なくとも正孔輸送層及び正孔注入層を含む正孔輸送帯域を有し、該正孔輸送帯域のうち、発光層に直接接しない層に上記１記載の芳香族アミン誘導体が含有されている上記４４記載の有機エレクトロルミネッセンス素子、
４７．上記１〜４１のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体が主成分として正孔輸送層及び／又は正孔注入層に含有されている上記４４記載の有機エレクトロルミネッセンス素子、
４８．発光層にスチリルアミン化合物及び／又はアリールアミン化合物を含有する上記４４記載の有機エレクトロルミネッセンス素子、
４９．前記正孔注入層及び／又は正孔輸送層を構成する各層のうち陽極に接する層が、アクセプター材料を含有する層である上記４４記載の有機エレクトロルミネッセンス素子、及び
５０．青色系発光する上記４４記載の有機エレクトロルミネッセンス素子、
を提供する。
本発明の芳香族アミン誘導体は結晶化しにくく、これを有機ＥＬ素子材料として用いると、高温においても効率が高く、寿命が長いものが得られる。
本発明の芳香族アミン誘導体は、分子中に、少なくとも１つの前記一般式（１）で表される置換基Ａと、少なくとも１つの前記一般式（２）又は（３）で表される置換基Ｂとを有し、置換基Ａ及び置換基Ｂは互いに異なる基であり、また、置換基Ａ及び置換基Ｂは分子中の同一又は異なる窒素原子に結合する化合物である。
本発明において、「芳香族アミン誘導体」とは、分子量３００〜２０００である芳香族からなる置換基を有するアミン化合物が好ましく、当該分子量は４００〜１５００であることがさらに好ましく、５００〜１２００であることが特に好ましい。分子量が３００〜２０００であると、昇華による精製が可能であり、その結果、化合物の高純度化が可能となり、これを用いて得られる素子の性能が向上する。また、分子量が３００〜２０００であると、蒸着法により素子の作成ができるため好ましい。
「芳香族アミン誘導体」は特に限定されるものでないが、一般式（５）〜（９）で表されることが好ましく、一般式（５）又は（６）がさらに好ましく、一般式（５）が特に好ましい。一般式（５）で表されるモノアミン誘導体及び一般式（６）で表されるジアミン誘導体は合成が比較的容易なため、低コストにより製造することが期待できる。また、モノアミン誘導体及びジアミン誘導体はイオン化ポテンシャル（以下「ＩＰ」と略記することがある。）が大きいため、正孔輸送材料として用いた場合、発光層への正孔注入性が向上し、素子の電圧低下が期待できる。特にモノアミン誘導体は、エネルギーギャップが大きく、正孔輸送層への電子の注入を抑制できるため、素子の発光効率向上及び長寿命化が期待できる。
前記一般式（１）〜（３）、（１−１）〜（１−３）及び（２−１）におけるＲ1〜Ｒ6は、それぞれ独立に、炭素数１〜１０、好ましくは１〜６の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数３〜１０、好ましくは５〜７のシクロアルキル基、炭素数３〜１０、好ましくは３〜６のトリアルキルシリル基、環形成炭素数１８〜３０、好ましくは１８〜２４のトリアリールシリル基、炭素数８〜１５、好ましくは８〜１２のアルキルアリールシリル基（アリール部分の環形成炭素数は６〜１４、好ましくは６〜１０）、環形成炭素数６〜１６、好ましくは６〜１０のアリール基、ハロゲン原子（フッ素原子が好ましい）又はシアノ基である。隣接した複数のＲ1〜Ｒ6はそれら自身およびＲ1とＲ2、Ｒ3とＲ4、Ｒ5とＲ6は結合して飽和もしくは不飽和の環を形成してもよい。
アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ヒドロキシメチル基、１−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシイソブチル基、１，２−ジヒドロキシエチル基、１，３−ジヒドロキシイソプロピル基、２，３−ジヒドロキシ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヒドロキシプロピル基等が挙げられ、好ましくは、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基である。
シクロアルキル基の具体例としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチルメチル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基、４−フルオロシクロヘキシル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、１−ノルボルニル基、２−ノルボルニル基等が挙げられ、好ましくは、シクロペンチル基、シクロヘキシル基である。
トリアルキルシリル基の具体例としては、例えば、トリメチルシリル基、ビニルジメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、プロピルジメチルシリル基、トリブチルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、トリペンチルシリル基、トリヘプチルシリル基、トリヘキシルシリル基等が挙げられ、好ましくは、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基である。シリル基に置換したアルキル基は同一でも異なっていても良い。
トリアリールシリル基の具体例としては、例えば、トリフェニルシリル基、トリナフチルシリル基、トリアントリルシリル基等が挙げられ、好ましくは、トリフェニルシリル基である。シリル基に置換したアリール基は同一でも異なっていても良い。
アルキルアリールシリル基の具体例としては、例えば、ジメチルフェニルシリル基、ジエチルフェニルシリル基、ジプロピルフェニルシリル基、ジブチルフェニルシリル基、ジペンチルフェニルシリル基、ジヘプチルフェニルシリル基、ジヘキシルフェニルシリル基、ジメチルナフチルシリル基、ジプロピルナフチルシリル基、ジブチルナフチルシリル基、ジペンチルナフチルシリル基、ジヘプチルナフチルシリル基、ジヘキシルナフチルシリル基、ジメチルアントリルシリル基、ジエチルアントリルシリル基、ジプロピルアントリルシリル基、ジブチルアントリルシリル基、ジペンチルアントリルシリル基、ジヘプチルアントリルシリル基、ジヘキシルアントリルシリル基、ジフェニルメチル基等が挙げられ、好ましくは、ジメチルフェニルシリル基、ジエチルフェニルシリル基、ジフェニルメチル基である。
アリール基の具体例としては、例えば、フェニル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、４−エチルフェニル基、ビフェニリル基、４−メチルビフェニリル基、４−エチルビフェニリル基、４−シクロヘキシルビフェニリル基、アントラセニル基、ナフタセニル基、ターフェニル基、トリフェニリル基、３，５−ジクロロフェニリル基、ナフチル基、５−メチルナフチル基、フェナントリル基、クリセニル基、ベンズフェナントリル基、ターフェニル基、ベンズアントラニル基、ベンゾクリセニル基、ペンタセニル基、ピセニル基、ペンタフェニル基、ピレニル基、クリセニル基、フルオレニル基、インデニル基、アセナフチレニル基、フルオランテニル基、ペリレニル基等が挙げられ、好ましくは、フェニル基、ビフェニリル基、ナフチル基である。ハロゲン原子の具体例はフッ素、塩素、臭素である。
複数のＲ1〜Ｒ6はそれら自身およびＲ1とＲ2、Ｒ3とＲ4、Ｒ5とＲ6が結合して形成される飽和もしくは不飽和の環の具体例としては、前記アリール基やシクロアルキル基ならびに後で述べるヘテロアリール基等が上げられる。
一般式（１）のうち、Ｌ1、Ｒ1及びＲ2を除いた置換基Ａの骨格構造や、一般式（２）のうち、Ｌ2、Ｒ3及びＲ4を除いた置換基Ｂの骨格構造であって、Ｘが酸素原子を表すものの具体例としては、下記に示す骨格構造が挙げられる。
Figure 2010061824
前記一般式（１）〜（３）、（１−１）〜（１−３）及び（２−１）におけるａ、ｃ、ｅ及びｆは、それぞれ独立に、０〜３の整数である。ｂ及びｄは、それぞれ独立に、０〜４の整数である。
Ｌ1及びＬ2は、それぞれ独立に、単結合、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０、好ましくは６〜２１、より好ましくは６〜１５のアリーレン基を表し、Ｌ3は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０、好ましくは６〜２１、より好ましくは６〜１５のアリーレン基を表す。但し、Ｌ1〜Ｌ3が有していてもよい置換基は炭素数１〜１０、好ましくは１〜６の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数３〜１０、好ましくは５〜７のシクロアルキル基、炭素数３〜１０、好ましくは３〜６のトリアルキルシリル基、環形成炭素数１８〜３０、好ましくは１８〜２４のトリアリールシリル基、炭素数８〜１５、好ましくは８〜１２のアルキルアリールシリル基（アリール部分の環形成炭素数は６〜１４、好ましくは６〜１２）、環形成炭素数６〜１６、好ましくは６〜１０のアリール基、ハロゲン原子（好ましくはフッ素原子）又はシアノ基である。
連結基Ｌ1、Ｌ2が単結合であり、ジベンゾフラン構造又はカルバゾール構造が直接に窒素原子と結合する場合、アミン化合物の電子密度が上昇し、ＩＰを小さくすることができる。一方、置換もしくは無置換のアリーレン基である連結基Ｌ1、Ｌ2を介して窒素原子と結合した場合、アミン化合物の電子密度の向上を抑制し、ＩＰを大きくすることができる。
芳香族アミン誘導体が後述の一般式（５）で表わされるものである場合、Ｌ1及びＬ2は、置換もしくは無置換のアリーレン基であることが好ましい。
即ち、連結基Ｌ1、Ｌ2の選択によりアミン化合物のＩＰを調節することが可能であり、正孔注入材料、あるいは正孔輸送材料として好適な値にすることで、発光層への正孔注入性が向上し、素子の電圧低下が期待できる。
Ｌ1〜Ｌ3で表されるアリーレン基の具体例としては、フェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、テトラフルオロフェニレン基、ジメチルフェニレン基、ナフチレン基、アントラニレン基、フェナントリレン基、ピレニレン基、ナフタセニレン基、クゥーターフェニレン、ペンタセニレン基、ペリレニレン基、ピレニレン基、コロニレン基、フルオレニレン基、アセナフトフルオレニレン基、９，９−ジメチルフルオレニレン基等のアリーレン基が挙げられる。
前記一般式（１）〜（３）、（１−１）〜（１−３）及び（２−１）において、Ｌ1〜Ｌ3のアリーレン基としては、下記一般式（４）、（１０）及び（１１）のいずれかで表わされるものが好ましい。
Ｘが−Ｎ（Ａｒ1）−基である場合の一般式（２）及び（２−１）においては、Ｌ2のアリーレン基が一般式（４）で表される場合、アミン化合物の電子密度の向上を抑制し、その結果、ＩＰが大きくなり、正孔輸送材料として用いた場合、発光層への正孔注入性が向上し、素子の電圧低下が期待できる。特に、本発明の芳香族アミン誘導体が、ジベンゾフラン構造含有基と、カルバゾール構造含有基とを有するものである場合、具体的には、前記一般式（１）で表される置換基Ａと、前記一般式（２−１）又は（３）で表される置換基Ｂとを有する場合、該置換基ＢにおいてＬ2及びＬ3で表されるアリーレン基が、前記一般式（４）で表されることが好ましい。
置換基Ｂが一般式（３）で表される場合、芳香族アミン誘導体のエネルギーギャップが大きくなり、正孔輸送層への電子の注入を抑制できるため、素子の発光効率向上及び長寿命化が期待できる。特に、芳香族アミン誘導体がジベンゾフラン構造を有する置換基Ａ及びカルバゾール構造を有する置換基Ｂを有するアミンである場合、置換基Ｂが一般式（３）で表されることが好ましい。
本発明の芳香族アミン誘導体が複数の置換基Ａを有する場合、当該複数の置換基Ａが、それぞれ互いに異なる基であることが好ましい。また、本発明の芳香族アミン誘導体が複数の置換基Ｂを有する場合、当該複数の置換基Ｂが、それぞれ互いに異なる基であることが好ましい。置換基Ａ同士および／または置換基Ｂ同士が互いに異なる基であると、分子の対象性をさらに低下させることができ、結晶化をさらに抑制することが期待できる。
また、ジベンゾフラン構造を有する置換基は（１−１）、（１−２）、（１−３）、のうち、合成及び精製の容易性の観点から、（１−１）、（１−２）が好ましい。
Figure 2010061824
一般式（４）、（１０）及び（１１）において、Ｒ7〜Ｒ11は、それぞれ独立に、炭素数１〜１０、好ましくは１〜６の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数３〜１０、好ましくは５〜７のシクロアルキル基、炭素数３〜１０、好ましくは３〜６のトリアルキルシリル基、環形成炭素数１８〜３０、好ましくは１８〜２４のトリアリールシリル基、炭素数８〜１５、好ましくは８〜１２のアルキルアリールシリル基（アリール部分の環形成炭素数は６〜１４、好ましくは６〜１０）、環形成炭素数６〜１４、好ましくは６〜１０のアリール基、ハロゲン原子（好ましくはフッ素原子）又はシアノ基である。隣接した複数のＲ7〜Ｒ11は結合し、飽和もしくは不飽和の環を形成してもよい。
一般式（４）、（１０）及び（１１）におけるＲ7〜Ｒ11のアルキル基、シクロアルキル基、トリアルキルシリル基、トリアリールシリル基、アルキルアリールシリル基、アリール基、ハロゲン原子の具体例および好ましい例は前記Ｒ1〜Ｒ16の説明において列挙したものと同じである。Ｒ7〜Ｒ11は、好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基である。
一般式（１１）におけるＲ12およびＲ13は、それぞれ独立に、炭素数１〜１０、好ましくは１〜６の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、あるいは、環形成炭素数３〜１０、好ましくは５〜７のシクロアルキル基である。アルキル基およびシクロアルキル基の具体例および好ましい例は前記Ｒ1〜Ｒ6の説明において列挙したものと同じである。
一般式（４）、（１０）及び（１１）におけるｇ、ｈおよびｉはそれぞれ独立に０〜４の整数、好ましくは０〜１の整数である。ｊおよびｋはそれぞれ独立に０〜３の整数、好ましくは０〜１の整数である。
前記一般式（１）〜（３）、（１−１）〜（１−３）及び（２−１）におけるＬ1〜Ｌ6の置換基は炭素数１〜１０、好ましくは１〜６の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数３〜１０、好ましくは５〜７のシクロアルキル基、環形成炭素数３〜１０、好ましくは３〜６のトリアルキルシリル基、環形成炭素数１８〜３０、好ましくは１８〜２４のトリアリールシリル基、炭素数８〜１５、好ましくは８〜１２のアルキルアリールシリル基（アリール部分の環形成炭素数は６〜１４、好ましくは６〜１０）、環形成炭素数６〜１４、好ましくは６〜１０のアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基である。
アルキル基、シクロアルキル基、トリアルキルシリル基、トリアリールシリル基、アルキルアリールシリル基、アリール基、ハロゲン原子の具体例および好ましい例は前記Ｒ1〜Ｒ6の説明において列挙したものと同じである。
一般式（８）〜（１０）の好ましい具体例としては、置換または無置換のフェニレン基、ビフェニレン基、９，９−ジメチルフルオレニレン基が挙げられる。
前記一般式（２）におけるＡｒ1は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１４、好ましくは６〜１０のアリール基である。アリール基の具体例および好ましい例は前記Ｒ1〜Ｒ6の説明において列挙したものと同じである。
アリール基の置換基は、それぞれ独立に炭素数１〜１０、好ましくは１〜６の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数３〜１０、好ましくは５〜７のシクロアルキル基、炭素数３〜１０、好ましくは３〜６のトリアルキルシリル基、環形成炭素数１８〜３０、好ましくは１８〜２４のトリアリールシリル基、炭素数８〜１５、好ましくは８〜１２のアルキルアリールシリル基（アリール部分の環形成炭素数は６〜１４）、環形成炭素数６〜１６、好ましくは６〜１０のアリール基、ハロゲン原子（好ましくフッ素原子）、シアノ基である。
アルキル基、シクロアルキル基、トリアルキルシリル基、トリアリールシリル基、アルキルアリールシリル基、アリール基の具体例および好ましい例は前記Ｒ1〜Ｒ6の説明において列挙したものと同じである。
次に、前記一般式（５）〜（９）で表される化合物について説明する。
前記一般式（５）において、Ａｒ2〜Ａｒ4のうち少なくとも１つは前記一般式（１）で表される置換基Ａであり、少なくとも１つは前記一般式（２）又は（３）で表される置換基Ｂであり、置換基Ａと置換基Ｂは互いに異なる基である。
前記一般式（６）において、Ａｒ5〜Ａｒ8のうち少なくとも１つは前記一般式（１）で表される置換基Ａであり、少なくとも１つは前記一般式（２）又は（３）で表される置換基Ｂであり、置換基Ａと置換基Ｂは互いに異なる基である。
前記一般式（７）において、Ａｒ9〜Ａｒ13のうち少なくとも１つは前記一般式（１）で表される置換基Ａであり、少なくとも１つは前記一般式（２）又は（３）で表される置換基Ｂであり、置換基Ａと置換基Ｂは互いに異なる基である。
前記一般式（８）において、Ａｒ14〜Ａｒ19のうち少なくとも１つは前記一般式（１）で表される置換基Ａであり、少なくとも１つは前記一般式（２）又は（３）で表される置換基Ｂであり、置換基Ａと置換基Ｂは互いに異なる基である。
前記一般式（９）において、Ａｒ20〜Ａｒ25のうち少なくとも１つは前記一般式（１）で表される置換基Ａであり、少なくとも１つは前記一般式（２）又は（３）で表される置換基Ｂであり、置換基Ａと置換基Ｂは互いに異なる基である。
前記一般式（３）〜（７）において、Ａｒ2〜Ａｒ25のうち、前記置換基Ａ又は置換基Ｂでない基は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０、好ましくは６〜２１、より好ましくは６〜１４のアリール基であり、アリール基の具体例および好ましい例は前記Ｒ1〜Ｒ6の説明において列挙したものと同じであるが、特にターフェニル基であると好ましい。還元安定性に優れるターフェニル基を有することで分子の還元安定性が向上し、得られる有機ＥＬ素子の寿命を長くする効果があり、特に青色発光素子と組み合わせることにより、顕著な長寿命効果が得られる。
Ａｒ2〜Ａｒ25の置換基の具体例および好ましい例は前記Ｒ1〜Ｒ6の説明において列挙したものと同じである。
前記一般式（５）〜（９）におけるＬ4〜Ｌ12は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０、好ましくは６〜２１、より好ましくは６〜１５のアリーレン基を表す。Ｌ4〜Ｌ12のアリーレン基の具体例および好ましい例は、前記一般式（１）〜（３）、（１−１）〜（１−３）及び（２−１）について説明したＬ1〜Ｌ3において列挙したものと同じである。
前記一般式（５）〜（９）におけるＡｒ2〜Ａｒ25が前記置換基Ａ又は置換基Ｂである場合、前記一般式（１）〜（３）、（１−１）〜（１−３）及び（２−１）におけるＲ1〜Ｒ6、Ｌ1〜Ｌ3およびa〜ｆは前記一般式（１）で表わされる芳香族アミン誘導体について説明した通りである。
前記一般式（５）〜（９）のいずれかで表される芳香族アミン誘導体において、好ましいものは下記の組み合わせの化合物である。
（Ｉ）前記一般式（５）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ2が前記一般式（１）で表され、Ａｒ3とＡｒ4がそれぞれ独立に前記一般式（３）または（２−１）で表される芳香族アミン誘導体。
（ＩＩ）前記一般式（５）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ2とＡｒ3が前記一般式（１）で表され、Ａｒ4が前記一般式（３）または（２−１）で表される芳香族アミン誘導体。
（ＩＩＩ）前記一般式（５）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ2が前記一般式（１）で表され、Ａｒ3が前記一般式（３）または（２−１）で表され、Ａｒ4が置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基である［但し、Ａｒ4の置換基は、それぞれ独立に環形成炭素数６〜５０のアリール基、炭素数１〜５０の分岐もしくは直鎖のアルキル基、ハロゲン原子およびシアノ基のいずれかである］芳香族アミン誘導体。
（ＩＶ）前記一般式（６）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ5とＡｒ6が前記一般式（１）で表され、Ａｒ7とＡｒ8がそれぞれ独立に前記一般式（３）または（２−１）で表される芳香族アミン誘導体。
（Ｖ）前記一般式（６）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ5とＡｒ7が前記一般式（１）で表され、Ａｒ6とＡｒ8がそれぞれ独立に前記一般式（３）または（２−１）で表される芳香族アミン誘導体。
（ＶＩ）前記一般式（７）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ9が前記一般式（１）で表され、Ａｒ11とＡｒ12がそれぞれ独立に前記一般式（３）または（２−１）で表される芳香族アミン誘導体。
（ＶＩＩ）前記一般式（７）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ11とＡｒ12が前記一般式（１）で表され、Ａｒ9が前記一般式（３）または（２−１）で表される芳香族アミン誘導体。
（ＶＩＩＩ）前記一般式（８）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ14とＡｒ19が前記一般式（１）で表され、Ａｒ16とＡｒ17がそれぞれ独立に前記一般式（３）または（１）で表される芳香族アミン誘導体。
（ＩＸ）前記一般式（８）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ16とＡｒ17が前記一般式（１−１）で表され、Ａｒ14とＡｒ19がそれぞれ独立に前記一般式（３）または（２−１）で表される芳香族アミン誘導体。
（Ｘ）前記一般式（９）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ20、Ａｒ22及びＡｒ24が前記一般式（１）で表され、Ａｒ21、Ａｒ23及びＡｒ25がそれぞれ独立に前記一般式（３）または（２−１）で表される芳香族アミン誘導体。
（ＸＩ）前記一般式（５）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ2〜Ａｒ4が前記一般式（１−３）で表される芳香族アミン誘導体。
（ＸＩＩ）前記一般式（５）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ2〜Ａｒ4が前記一般式（１−１）で表される芳香族アミン誘導体。
（ＸＩＩＩ）前記一般式（５）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ2〜Ａｒ4のうち２つが前記一般式（１−３）で表され、１つが置換、または無置換の環形成炭素数が６〜１６のアリール基である芳香族アミン誘導体。
（ＸＩＶ）前記一般式（５）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ2〜Ａｒ4のうち２つが前記一般式（１−１）で表され、１つが置換、または無置換の環形成炭素数が６〜１６のアリール基である芳香族アミン誘導体。
（ＸＶ）前記一般式（５）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ2〜Ａｒ4のうち少なくとも１つが前記一般式（１−３）で表され、少なくとも一つが前記一般式（１−１）で表される芳香族アミン誘導体。
（ＸＶＩ）前記一般式（５）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ2が前記一般式（１−３）で表され、Ａｒ3及びＡｒ4が、それぞれ独立に、前記一般式（１−１）で表される芳香族アミン誘導体。
（ＸＶＩＩ）前記一般式（５）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ2及びＡｒ3が前記一般式（１−３）で表され、Ａｒ4が前記一般式（１−１）で表される芳香族アミン誘導体。
（ＸＶＩＩＩ）Ａｒ5〜Ａｒ8のうち少なくとも２つ、Ａｒ9〜Ａｒ13のうち少なくとも２つ、Ａｒ14〜Ａｒ19のうち少なくとも１つ、またはＡｒ20〜Ａｒ25のうち少なくとも１つが前記一般式（１−３）または前記一般式（１−１）で表される芳香族アミン誘導体。
（ＸＩＸ）前記Ａｒ5〜Ａｒ8のうち少なくとも１つは前記一般式（１−３）で表され、一般式（１−３）ではないＡｒ5〜Ａｒ8のうち少なくとも１つは前記一般式（１−１）で表される前記一般式（６）の芳香族アミン誘導体、前記Ａｒ9〜Ａｒ13のうち少なくとも１つは前記一般式（１−３）で表され、一般式（１−３）ではないＡｒ9〜Ａｒ13のうち少なくとも１つは前記一般式（１−１）で表される前記一般式（７）の芳香族アミン誘導体、前記Ａｒ14〜Ａｒ19のうち少なくとも１つは前記一般式（１−３）で表され、一般式（１−３）ではないＡｒ14〜Ａｒ19のうち少なくとも１つは前記一般式（１−１）で表される前記一般式（８）の芳香族アミン誘導体および前記Ａｒ20〜Ａｒ25のうち少なくとも１つは下記一般式（１−３）で表され、一般式（１−３）ではないＡｒ20〜Ａｒ25のうち少なくとも１つは下記一般式（１−１）で表される前記一般式（９）の芳香族アミン誘導体のいずれかである芳香族アミン誘導体。
（ＸＸ）前記Ａｒ5が前記一般式（１−３）で表され、Ａｒ6が前記一般式（１−１）で表される前記一般式（５）の芳香族アミン誘導体である芳香族アミン誘導体。
（ＸＸＩ）前記Ａｒ5とＡｒ7が前記一般式（１−３）で表され、Ａｒ6とＡｒ8が前記一般式（１−１）で表される前記一般式（５）の芳香族アミン誘導体である芳香族アミン誘導体。
（ＸＸＩＩ）前記Ａｒ9が前記一般式（１−３）で表され、Ａｒ11とＡｒ12が前記一般式（１−１）で表される前記一般式（６）の芳香族アミン誘導体である芳香族アミン誘導体。
（ＸＸＩＩＩ）前記Ａｒ10とＡｒ13が前記一般式（１−３）で表され、Ａｒ11とＡｒ12が前記一般式（１−１）で表される前記一般式（６）の芳香族アミン誘導体である芳香族アミン誘導体。
（ＸＸＩＶ）前記Ａｒ14とＡｒ19が前記一般式（１−３）で表され、Ａｒ16とＡｒ17が前記一般式（１−１）で表される前記一般式（８）の芳香族アミン誘導体である芳香族アミン誘導体。
（ＸＸＶ）前記Ａｒ15とＡｒ18が前記一般式（１−３）で表され、Ａｒ16とＡｒ17が前記一般式（１−１）で表される前記一般式（８）の芳香族アミン誘導体である芳香族アミン誘導体。
（ＸＸＶＩ）前記Ａｒ20、Ａｒ22及びＡｒ24が前記一般式（１−３）で表され、Ａｒ21、Ａｒ23及びＡｒ25が前記一般式（１−１）で表される前記一般式（９）の芳香族アミン誘導体である芳香族アミン誘導体。
（ＸＸＶＩＩ）前記Ａｒ2〜Ａｒ25のうち置換基Ａ又は置換基Ｂでない基が、それぞれ独立に、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、ターフェニル基又はフルオレニル基である芳香族アミン誘導体。
前記一般式（５）〜（９）のいずれかで表わされる芳香族アミン誘導体の具体例としては下記のものが挙げられる。
Figure 2010061824
Figure 2010061824
Figure 2010061824
Figure 2010061824
Figure 2010061824
Figure 2010061824
Figure 2010061824
Figure 2010061824
Figure 2010061824
Figure 2010061824
Figure 2010061824
Figure 2010061824
Figure 2010061824
Figure 2010061824
Figure 2010061824
Figure 2010061824
Figure 2010061824
Figure 2010061824
Figure 2010061824
Figure 2010061824
Figure 2010061824
Figure 2010061824
Figure 2010061824
Figure 2010061824
Figure 2010061824
Figure 2010061824
Figure 2010061824
Figure 2010061824
Figure 2010061824
Figure 2010061824
Figure 2010061824
Figure 2010061824
Figure 2010061824
本発明の芳香族アミン誘導体は、結晶化しにくく、有機ＥＬ素子用発光材料、中でも、有機ＥＬ素子用正孔輸送材料として好ましく用いられる。本発明の芳香族アミン誘導体を用いた有機ＥＬ素子は高温においても効率が高く、寿命が長いものとなる。
次に、本発明の芳香族アミン誘導体の製造方法について説明する。
本発明の芳香族アミン誘導体の製造方法は、特に限定されず、例えば、下記の通りである。
（製造方法１）
一般式（５）によって表される本発明の芳香族アミン誘導体は例えば以下の反応により合成することができる。
（ａ）Ａｒ2〜Ａｒ4の全てが置換基Ａ又は置換基Ｂである芳香族アミン誘導体の合成
まず、一般式（１）で表される構造を生成させる化合物〔例えば、ジベンゾフラン−４−ボロン酸と４−ヨードブロモベンゼン〕を触媒〔例えば、テトラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウム（０）〕の存在下、溶媒〔例えば、トルエン〕とアルカリ性化合物〔例えば、炭酸ナトリウム〕水溶液中、５０〜１５０℃で反応させることにより、ハロゲン化物を得る。更に、上記ハロゲン化物、アミノ基を生成させる化合物〔例えば、アセトアミド〕を触媒（ヨウ化銅のような金属ハロゲン化物およびＮ，Ｎ‘−ジメチルエチレンジアミンのようなアミン〕およびアルカリ性物質〔例えば、炭酸カリウム〕の存在下、溶媒〔例えば、キシレン〕中、５０〜２５０℃で反応させた後、アルカリ性物質〔例えば、水酸化カリウム〕と水の存在下、溶媒〔例えば、キシレン〕中、５０〜２５０℃で反応させることにより、中間体Ｘを合成する。反応はアルゴンのような不活性ガス雰囲気下で行なうのが好ましい。
別途、一般式（３）で表わされる構造を生成させるハロゲン化物〔例えば、カルバゾールと４−ヨードブロモベンゼン〕を触媒〔例えば、ヨウ化銅（ＣｕＩ）およびｔｒａｎｓ−１，２−シクロヘキサンジアミンのようなアミン〕の存在下、溶媒〔例えば、１，４−ジオキサンン〕とアルカリ性化合物〔例えば、燐酸三カリウム〕中、５０〜１５０℃で反応させることにより、中間体Ｙを合成する。反応はアルゴンのような不活性ガス雰囲気下で行なうのが好ましい。
次に、中間体Ｘおよび中間体Ｙを触媒〔例えば、ｔ−ブトキシナトリウムおよびトリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）〕存在下、溶媒〔例えば、脱水トルエン〕中、０〜１５０℃で反応させることにより本発明の芳香族アミン誘導体を合成することができる。反応はアルゴンのような不活性ガス雰囲気下で行なうのが好ましい。
反応終了後、室温まで冷却し、水を加えて反応生成物を濾過し、濾液をトルエンのような溶媒で抽出し、無水硫酸マグネシウムのような乾燥剤で乾燥させ、これを減圧下で脱溶媒して濃縮し、得られた粗生成物をカラム精製し、トルエンのような溶媒で再結晶し、それを濾別して乾燥することにより精製された本発明の芳香族アミン誘導体が得られる。
一般式（５）で表わされる芳香族アミン誘導体中に一般式（１）および一般式（２−１）を導入するには、上記中間体Ｙを合成する際に一般式（２−１）で表わされる構造を生成させるハロゲン化物〔例えば、９−フェニルカルバゾールとヨウ素〕を触媒〔例えば、過ヨウ素酸２水和物、酢酸および硫酸〕の存在下、溶媒〔例えば、水〕中、５０〜１００℃で反応させることにより、一般式（２−１）を導入することができる中間体Ｙを合成する。次に、中間体Ｘおよび中間体Ｙを上記と同様に反応させることにより一般式（１）および一般式（２−１）を導入した本発明の芳香族アミン誘導体を合成することができる。反応はアルゴンのような不活性ガス雰囲気下で行なうのが好ましい。
（ｂ）Ａｒ2〜Ａｒ4のうちの一つが一般式（１）、（２−１）又は（３）以外の基を有する芳香族アミン誘導体の合成
一般式（５）で表わされる芳香族アミン誘導体中に一般式（１）、（２−１）又は（３）以外の置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基を導入するには、中間体Ｘを合成する際、または中間体Ｘと中間体Ｙを反応させる際に反応量比を制御し、一般式（１）および一般式（３）以外の置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基のハロゲン化物〔例えば、４−ブロモ−ｐ−テルフェニル〕を同様に順次反応し、導入すればよい〔例えば、アセトアミドに４−（４−ヨードフェニル）−ジベンゾフランを１：１で反応させた後、４−ブロモ−ｐ−テルフェニルを１当量投入して反応した後、加水分解することで一般式（１−１）と「一般式（１−１）、（１−２）及び（２）以外のアリール基」を導入した中間体Ｘが得られる〕。
一般式（１）のハロゲン化物と一般式（３）のハロゲン化物と一般式（１）および一般式（３）以外の置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基のハロゲン化物は任意に中間体Ｘに導入することが可能である。また、アリール基は１つもしくは２つ導入することが可能であり、さらに任意の組み合わせで導入することが可能である。その導入の結果得られたアミン化合物（中間体Ｘ）と任意のハロゲン化物（中間体Ｙ）を反応させることで目的物を得ることができる。これらの反応順序や組み合わせ方は、反応性や精製の容易さ等を考慮して行うことができる。
次に、前記一般式（６）で表される芳香族アミン誘導体の製造方法について述べる。
（ａ）Ａｒ5〜Ａｒ8の全てが一般式（１）、（２−１）又は（３）の基を有する芳香族アミン誘導体の合成
上記と同様に一般式（１）と一般式（３）を含むアミン化合物を中間体Ｘとして合成する〔例えば、アセトアミドに４−（４−ヨードフェニル）-ジベンゾフランを１：１で反応させた後、９−（４−ブロモ−フェニル）カルバゾールを1当量投入して反応させ、次いで加水分解することで一般式（１）と一般式（３）を導入した中間体Ｘが得られる〕。
ハロゲン化物としてジハロゲン化物〔例えば、４，４’−ジブロモビフェニル〕を中間体Ｙとする。上記と同様に中間体Ｘと中間体Ｙを０〜１５０℃で反応させることにより、一般式（６）におけるＡｒ5〜Ａｒ8の全てが一般式（１）、（２−１）又は（３）で表わされる芳香族アミン誘導体を合成することができる。
（ｂ）Ａｒ5〜Ａｒ8のうちの少なくとも一つが一般式（１）、（２−１）又は（３）以外の基を有する芳香族アミン誘導体の合成
上記と同様に一般式（１）と一般式（３）を含むアミン化合物を中間体Ｘとして合成する〔例えば、アセトアミドに４−（４−ヨードフェニル）-ジベンゾフランを１：１で反応させた後、９−（４−ブロモ−フェニル）カルバゾールを1当量投入して反応した後、加水分解することで一般式（１）と一般式（３）を導入した中間体Ｘが得られる〕。
ハロゲン化物としてアミノ基含有化合物〔例えば、4−ブロモフェニル−ジフェニルアミン〕を中間体Ｙとする。上記と同様に中間体Ｘと中間体Ｙを０〜１５０℃で反応させることにより、一般式（６）におけるＡｒ5〜Ａｒ8のうちの少なくとも一つが一般式（１）、（２−１）又は（３）以外の基で表わされる芳香族アミン誘導体を合成することができる。
次に、前記一般式（７）で表される芳香族アミン誘導体の製造方法について述べる。
上記と同様の方法で一般式（１）を含むアミン化合物を中間体Ｘとして合成する〔例えば、アセトアミドに４−（４−ヨードフェニル）−ジベンゾフランを１：１で反応させた後、加水分解することで一般式（１）を導入した中間体Ｘが得られる〕。ハロゲン化物としてアミノ基含有化合物を中間体Ｙとして合成する〔例えば、アニリンとカルバゾールを１：１反応させた後、さらに４‘−ヨードブロモビフェニルを１：１で反応させることで一般式（３）を導入した中間体Ｙが得られる〕。上記と同様に中間体Ｘと中間体Ｙを０〜１５０℃で反応させることにより、一般式（７）で表わされる芳香族アミン誘導体を合成することができる。出発原料や反応中間体を代えることでＡｒ11〜Ａｒ15の置換基の種類や数を代えることができる。また、全てが一般式（１）、（２−１）又は（３）の基を有する芳香族アミン誘導体の合成が可能である。
次に、前記一般式（８）で表される芳香族アミン誘導体の製造方法について述べる。
上記と同様の方法で一般式（１）を含むアミン化合物を中間体Ｘとして合成する〔例えば、アセトアミドに４−（４−ヨードフェニル）−ジベンゾフランを１：１で反応させた後、４，４‘−ジヨードビフェニルと２：１で反応させた後、加水分解することで一般式（１）を導入したジアミン化合物の中間体Ｘが得られる〕。
ハロゲン化物としてアミノ基含有化合物を中間体Ｙとして合成する〔例えば、アニリンとカルバゾールを１：１反応させた後、さらに４‘−ヨードブロモベンゼンを１：１で反応させることで一般式（３）を導入した中間体Ｙが得られる〕。上記と同様に中間体Ｘと中間体Ｙを０〜１５０℃で反応させることにより、一般式（８）で表わされる芳香族アミン誘導体を合成することができる。出発原料や反応中間体を代えることでＡｒ14〜Ａｒ19の置換基の種類や数を代えることができる。また、全てが一般式（１）、（２−１）又は（３）の基を有する芳香族アミン誘導体の合成が可能である。
次に、前記一般式（９）で表される芳香族アミン誘導体の製造方法について述べる。
上記と同様の方法で一般式（１）を含むアミン化合物を中間体Ｘとして合成する〔例えば、アセトアミドに４−（４−ヨードフェニル）−ジベンゾフランを１：１で反応させた後、９−（４−ブロモ−フェニル）カルバゾールを１当量投入して反応した後、加水分解することで一般式（１）と一般式（３）を導入した中間体Ｘが得られる〕。
ハロゲン化物としてアミノ基含有化合物を中間体Ｙとする〔例えば市販のトリス（４−ブロモフェニル）アミン〕。上記と同様に中間体Ｘと中間体Ｙを０〜１５０℃で反応させることにより、一般式（９）で表わされる芳香族アミン誘導体を合成することができる。出発原料や反応中間体を代えることでＡｒ22〜Ａｒ27の置換基の種類や数を代えることができる。また、全てが一般式（１）、（２−１）又は（３）の基を有する芳香族アミン誘導体の合成が可能である。
また、上記の合成については公知技術（特開２００３−１７１３６６号公報、ＷＯ２００６／１１４９２１号公報、ＷＯ２００６／０７３０５４号公報、ＷＯ２００７／１２５７１４号公報、ＷＯ２００８／０６２６３６号公報）中に記載された個別の類似合成法を用いてもよい。
（製造方法２）
一般式（５）によって表される本発明の芳香族アミン誘導体は例えば以下の反応により合成することができる。
まず、一般式（１−２）で表される構造を生成させる化合物〔例えば、ジベンゾフラン−４−ボロン酸と４−ヨードブロモベンゼン〕を触媒〔例えば、テトラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウム（０）〕の存在下、溶媒〔例えば、トルエン〕とアルカリ性化合物〔例えば、炭酸ナトリウム〕水溶液中、５０〜１５０℃で反応させることにより、ハロゲン化物を得る。更に、上記ハロゲン化物、アミノ基を生成させる化合物〔例えば、アセトアミド〕を触媒（ヨウ化銅のような金属ハロゲン化物およびＮ，Ｎ‘−ジメチルエチレンジアミンのようなアミン〕およびアルカリ性物質〔例えば、炭酸カリウム〕の存在下、溶媒〔例えば、キシレン〕中、５０〜２５０℃で反応させた後、アルカリ性物質〔例えば、水酸化カリウム〕と水の存在下、溶媒〔例えば、キシレン〕中、５０〜２５０℃で反応させることにより、中間体Ｘを合成する。反応はアルゴンのような不活性ガス雰囲気下で行なうのが好ましい。
別途、一般式（１−１）で表わされる構造を生成させるハロゲン化物〔例えば、ジベンゾフラン−２−ボロン酸と４−ヨードブロモベンゼン〕を触媒〔例えば、テトラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウム（０）〕の存在下、溶媒〔例えば、トルエン〕とアルカリ性化合物〔例えば、炭酸ナトリウム〕水溶液中、５０〜１５０℃で反応させることにより、中間体Ｙを合成する。反応はアルゴンのような不活性ガス雰囲気下で行なうのが好ましい。
次に、中間体Ｘおよび中間体Ｙを触媒〔例えば、ｔ−ブトキシナトリウムおよびトリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）〕存在下、溶媒〔例えば、脱水トルエン〕中、０〜１５０℃で反応させることにより本発明の芳香族アミン誘導体を合成することができる。反応はアルゴンのような不活性ガス雰囲気下で行なうのが好ましい。
反応終了後、室温まで冷却し、水を加えて反応生成物を濾過し、濾液をトルエンのような溶媒で抽出し、無水硫酸マグネシウムのような乾燥剤で乾燥させ、これを減圧下で脱溶媒して濃縮し、得られた粗生成物をカラム精製し、トルエンのような溶媒で再結晶し、それを濾別して乾燥することにより精製された本発明の芳香族アミン誘導体が得られる。
上記ではＡｒ2とＡｒ3が一般式（１−２）であり、Ａｒ4が一般式（１−１）で表わされる芳香族アミン誘導体の製造方法を示したが、Ａｒ2が一般式（１−２）であり、Ａｒ3とＡｒ4が一般式（１−１）で表わされる芳香族アミン誘導体も同様の方法で製造できる。この場合は上記に製造において、一般式（１−２）を用いて中間体Ｘを合成し、一般式（１−１）を用いて中間体Ｙを合成した後、中間体Ｘと中間体Ｙを反応することで製造できる。
また、一般式（１−２）および／または一般式（１−１）で表されるＡｒ2〜Ａｒ4が全て異なる場合も同様に合成することができる。異なるＡｒ2〜Ａｒ4を導入するには、中間体Ｘを合成する際、または中間体Ｘと中間体Ｙを反応させる際に反応量比を制御し、ハロゲン化物を同様に順次反応し、導入すればよい〔例えば、アセトアミドに４−（４−ブロモフェニル）−ジベンゾフランを１：１で反応させた後、２−（４−ブロモフェニル）−ジベンゾフランを１当量投入して反応させた後、加水分解することで一般式（１−２）と一般式（１−１）を導入した中間体Ｘが得られる〕。その後、中間体Ｘと既に導入した置換基とは異なるハロゲン化物の中間体Ｙ［例えば、４−（４−ブロモビフェニル）−ジベンゾフラン］と反応することで合成することができる。
一般式（１−２）のハロゲン化物と一般式（１−１）のハロゲン化物は任意に中間体Ｘに導入することが可能である。その導入の結果得られたアミン化合物（中間体Ｘ）と任意のハロゲン化物（中間体Ｙ）を反応させることで目的物を得ることができる。これらの反応順序や組み合わせ方は、反応性や精製の容易さ等を考慮して行うことができる。
次に、前記一般式（６）で表される芳香族アミン誘導体の製造方法について述べる。
上記と同様に一般式（１−２）と一般式（１−１）を含むアミン化合物を中間体Ｘとして合成する〔例えば、アセトアミドに４−（４−ブロモフェニル）−ジベンゾフランを１：１で反応させた後、２−（４−ブロモフェニル）−ジベンゾフランを１当量投入して反応させ、次いで加水分解することで一般式（１−２）と一般式（１−１）を導入した中間体Ｘが得られる〕。
ハロゲン化物としてジハロゲン化物〔例えば、４，４’−ジブロモビフェニル〕を中間体Ｙとする。上記と同様に中間体Ｘと中間体Ｙを０〜１５０℃で反応させることにより、一般式（６）におけるＡｒ7〜Ａｒ10の全てが一般式（１−２）または（１−１）で表わされる芳香族アミン誘導体を合成することができる。
また、ハロゲン化物としてアミノ基含有化合物〔例えば、４−ブロモフェニル−ジフェニルアミン〕を中間体Ｙとして、上記と同様に中間体Ｘと中間体Ｙを０〜１５０℃で反応させることにより、一般式（６）におけるＡｒ7〜Ａｒ10のうちの少なくとも一つが一般式（１−２）または（１−１）以外の基で表わされる芳香族アミン誘導体を合成することができる。
次に、前記一般式（７）で表される芳香族アミン誘導体の製造方法について述べる。
アミン化合物（例えば市販のアニリン）を中間体Ｘとする。
また、上記と同様の方法で一般式（１−２）と一般式（１−１）を含むアミン化合物を含むハロゲン化合物を中間体Ｙとして合成する〔例えば、アセトアミドに４−（４−ブロモフェニル）−ジベンゾフランを１：１で反応させた後、２−（４−ブロモフェニル）−ジベンゾフランを１当量投入して反応させ、次いで加水分解することで一般式（１−２）と一般式（１−１）を導入したアミン化合物が得られる。さらに４‘−ヨードブロモビフェニルを１：１で反応させることで一般式（１−２）と一般式（１−１）を導入した中間体Ｙが得られる〕。上記と同様に中間体Ｘと中間体Ｙを０〜１５０℃で反応させることにより、一般式（７）で表わされる芳香族アミン誘導体を合成することができる。出発原料や反応中間体を代えることでＡｒ9〜Ａｒ13の置換基の種類や数を代えることができる。また、全てが一般式（１−２）または（１−１）の基を有する芳香族アミン誘導体の合成が可能である。
次に、前記一般式（８）で表される芳香族アミン誘導体の製造方法について述べる。
アミン化合物（例えば市販のＮ，Ｎ‘−ジフェニルベンジジン）を中間体Ｘとする。
また、上記と同様の方法で一般式（１−２）と一般式（１−１）を含むアミン化合物を含むハロゲン化合物を中間体Ｙとして合成する〔例えば、アセトアミドに４−（４−ブロモフェニル）−ジベンゾフランを１：１で反応させた後、２−（４−ブロモフェニル）−ジベンゾフランを1当量投入して反応させ、次いで加水分解することで一般式（１−１−３）と一般式（１−１−１）を導入したアミン化合物が得られる。さらに４‘−ヨードブロモベンゼンを１：１で反応させることで一般式（１−２）と一般式（１−１）を導入した中間体Ｙが得られる〕。上記と同様に中間体Ｘと中間体Ｙを０〜１５０℃で反応させることにより、一般式（８）で表わされる芳香族アミン誘導体を合成することができる。出発原料や反応中間体を代えることでＡｒ14〜Ａｒ19の置換基の種類や数を代えることができる。また、全てが一般式（１−２）または（１−１）の基を有する芳香族アミン誘導体の合成が可能である。
次に、前記一般式（９）で表される芳香族アミン誘導体の製造方法について述べる。
上記と同様に一般式（１−２）および一般式（１−１）を含むアミン化合物を中間体Ｘとして合成する〔例えば、アセトアミドに４−（４−ブロモフェニル）−ジベンゾフランを１：１で反応させた後、２−（４−ブロモフェニル）−ジベンゾフランを1当量投入して反応させ、次いで加水分解することで一般式（１−２）および一般式（１−１）を導入した中間体Ｘが得られる〕。
ハロゲン化物としてアミノ基含有化合物を中間体Ｙとする〔例えば市販のトリス（４−ブロモフェニル）アミン〕。上記と同様に中間体Ｘと中間体Ｙを０〜１５０℃で反応させることにより、一般式（９）で表わされる芳香族アミン誘導体を合成することができる。出発原料や反応中間体を代えることでＡｒ20〜Ａｒ25の置換基の種類や数を代えることができる。また、全てが一般式（１−２）または（１−１）の基を有する芳香族アミン誘導体の合成が可能である。
また、上記の合成については公知技術（特開２００３−１７１３６６号公報、ＷＯ２００６／１１４９２１号公報、ＷＯ２００６／０７３０５４号公報、ＷＯ２００７／１２５７１４号公報、ＷＯ２００８／０６２６３６号公報）中に記載された個別の類似合成法を用いてもよい。
以下、本発明の有機ＥＬ素子構成について説明する。
本発明の有機ＥＬ素子の代表的な構成としては、以下の構造を挙げることができる。
（１）陽極／発光層／陰極
（２）陽極／正孔注入層／発光層／陰極
（３）陽極／発光層／電子注入層／陰極
（４）陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極
（５）陽極／有機半導体層／発光層／陰極
（６）陽極／有機半導体層／電子障壁層／発光層／陰極
（７）陽極／有機半導体層／発光層／付着改善層／陰極
（８）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極
（９）陽極／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
（１０）陽極／無機半導体層／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
（１１）陽極／有機半導体層／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
（１２）陽極／絶縁層／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／絶縁層／陰極
（１３）陽極／絶縁層／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極
これらの中で通常（８）の構成が好ましく用いられるが、これらに限定されるものではない。
また、本発明の有機ＥＬ素子において、本発明の一般式（１）で表される芳香族アミン誘導体は、上記有機薄膜層のうちどの層に用いられてもよいが、正孔注入層や正孔輸送層に含有されていることが好ましい。一般式（１）で表される芳香族アミン誘導体の含有量は、３０〜１００モル％から選ばれる。
本発明の芳香族アミン誘導体は正孔注入層又は正孔輸送層用の材料として好ましく用いられる。
正孔注入層および正孔輸送層は、発光層への正孔の注入を助け、発光領域まで輸送する層であって、正孔移動度が大きく、イオン化エネルギーが通常５．５ｅＶ以下と小さい。
このような正孔注入層および正孔輸送層としては、より低い電界強度で正孔を発光層に輸送する材料が好ましい。また、正孔の移動度が、例えば１０4〜１０6Ｖ／ｃｍの電界印加時に、少なくとも１０-4ｃｍ2／Ｖ・ｓ以上であることが好ましい。
本発明の芳香族アミン誘導体は、イオン化エネルギーが小さく、正孔移動度が大きいため正孔輸送材料として好ましい。また、本発明の芳香族アミン誘導体は、分子内に極性基を含有するため陽極との接着性が良く、基板の洗浄条件等の影響を受けにくいため、正孔注入材料として好ましい。これらの要因により、本発明の芳香族アミン誘導体を用いた有機ＥＬ素子は長寿命化すると考えられる。
正孔注入層または正孔輸送層は、本発明の芳香族アミン誘導体を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法等の公知の方法により薄膜を形成することにより得ることができる。正孔注入層または正孔輸送層としての膜厚は、特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍである。
この正孔注入層または正孔輸送層は、正孔輸送帯域に本発明の芳香族アミン誘導体を含有していれば、上記芳香族アミン誘導体の一種又は二種以上からなる一層で構成されてもよいし、正孔注入層および正孔輸送層が、別種の化合物を含む正孔注入層および正孔輸送層を積層したものであってもよい。
また、有機半導体層は、発光層への正孔注入又は電子注入を助ける層であって、１０-10Ｓ／ｃｍ以上の導電率を有するものが好適である。このような有機半導体層の材料としては、含チオフェンオリゴマーや含アリールアミンオリゴマー等の導電性オリゴマー、含アリールアミンデンドリマー等の導電性デンドリマー等を用いることができる。
有機ＥＬ素子は、通常、透光性の基板（透光性基板）上に作製する。この透光性基板は、有機ＥＬ素子を支持する基板であり、その透光性は、波長４００〜７００ｎｍの可視領域の光の透過率が５０％以上であるものが好ましく、さらに平滑な基板を用いるのが好ましい。
このような透光性基板の好ましい例には、ガラス板、合成樹脂板などが含まれる。ガラス板の例には、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英などで成形された板が含まれる。また、合成樹脂板の例には、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエーテルスルフィド樹脂、ポリスルホン樹脂などの板が含まれる。
陽極は、正孔を正孔輸送層又は発光層に注入する機能を有しており、４．５ｅＶ以上の仕事関数を有することが効果的である。本発明に用いられる陽極材料の具体例には、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウムと酸化亜鉛の混合物（ＩＺＯ）、ＩＴＯと酸化セリウムの混合物（ＩＴＣＯ）、ＩＺＯと酸化セリウムの混合物（ＩＺＣＯ）、酸化インジウムと酸化セリウムの混合物（ＩＣＯ）、酸化亜鉛と酸化アルミニウムの混合物（ＡＺＯ）、酸化錫（ＮＥＳＡ）、金、銀、白金、銅等が含まれる。
陽極は、これらの電極物質を蒸着法やスパッタリング法等により薄膜を形成することで得ることができる。
このように、発光層からの光を陽極から取り出す場合、陽極の光の透過率が１０％より大きくすることが好ましい。また陽極のシート抵抗は、数百Ω／ｃｍ以下が好ましい。陽極の膜厚は、材料にもよるが、通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲で選択される。
陰極としては、仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例には、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、セシウム、マグネシウム・銀合金、アルミニウム／酸化アルミニウム、Ａｌ／Ｌｉ2Ｏ、Ａｌ／ＬｉＯ、Ａｌ／ＬｉＦ、アルミニウム・リチウム合金、インジウム、希土類金属などが含まれる。
陰極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリング等により薄膜を形成させることで、得ることができる。
ここで、発光層からの光を陰極から取り出す場合、陰極の光の透過率は１０％より大きくすることが好ましい。また、陰極のシート抵抗は数百Ω／ｃｍ以下が好ましい。陰極の膜厚は、通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍである。
一般に、有機ＥＬ素子は、超薄膜に電界を印加するために、リークやショートによる画素の欠陥が生じやすい。これを防止するために、一対の電極間に絶縁性の薄膜層からなる絶縁層を挿入してもよい。絶縁層に用いられる材料の例には、酸化アルミニウム、弗化リチウム、酸化リチウム、弗化セシウム、酸化セシウム、酸化マグネシウム、弗化マグネシウム、酸化カルシウム、弗化カルシウム、窒化アルミニウム、酸化チタン、酸化珪素、酸化ゲルマニウム、窒化珪素、窒化ホウ素、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化バナジウム等が含まれる。これらの２種以上の化合物の混合物や、該２種以上の化合物ごとに層を形成した積層物を、絶縁層としてもよい。
本発明の有機ＥＬ素子においては、発光層は、
（ｉ）注入機能；電界印加時に陽極又は正孔注入層から正孔が注入され、陰極又は電子注入層から電子が注入される機能、
（ii）輸送機能；注入された電荷（電子と正孔）を電界の力で移動させる機能、
（iii）発光機能；電子と正孔の再結合の場を提供し、これにより発光する機能、を有する。
発光層を形成する方法の例には、蒸着法、スピンコート法、ＬＢ法等の公知の方法が含まれる。発光層は、特に分子堆積膜であることが好ましい。分子堆積膜とは、気相状態の材料化合物から沈着され形成された薄膜や、溶液状態又は液相状態の材料化合物から固体化されることで形成された膜のことである。この分子堆積膜は、通常、ＬＢ法により形成された薄膜（分子累積膜）とは、凝集構造、高次構造の相違や、それに起因する機能の相違により区別される。
また、樹脂等の結着剤と、材料となる化合物とを溶剤に溶かして溶液とした後、これをスピンコート法等により薄膜を形成することによっても、発光層を形成することができる。
本発明においては、発光層に、ピレン系誘導体及びアミン化合物からなる発光材料や他の公知の金属錯体化合物を含有させてもよい。
金属錯体化合物としては、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｏｓ及びＲｅの中から選ばれる少なくとも一つの金属を含む金属錯体化合物であることが好ましい。配位子は、フェニルピリジン骨格、ビピリジル骨格及びフェナントロリン骨格から選ばれる少なくとも一つの骨格を有することが好ましい。
このような金属錯体化合物の具体例には、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム、トリス（２−フェニルピリジン）ルテニウム、トリス（２−フェニルピリジン）パラジウム、ビス（２−フェニルピリジン）白金、トリス（２−フェニルピリジン）オスミウム、トリス（２−フェニルピリジン）レニウム、オクタエチル白金ポルフィリン、オクタフェニル白金ポルフィリン、オクタエチルパラジウムポルフィリン、オクタフェニルパラジウムポルフィリン等が含まれるが、これらに限定されるものではない。要求される発光色、素子性能、ホスト化合物に応じて、適切な金属錯体化合物が選ばれる。
また、本発明の有機ＥＬ素子の発光層には、りん光発光性のドーパントや蛍光性ドーパントが用いられてもよい。
りん光発光性のドーパントは、三重項励起子から発光することのできる化合物である。三重項励起子から発光するものである限り、特に限定されないが、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、ＯｓおよびＲｅからなる群から選択される少なくとも一つの金属を含む金属錯体であることが好ましく、ポルフィリン金属錯体またはオルトメタル化金属錯体がより好ましい。ポルフィリン金属錯体としては、ポルフィリン白金錯体が好ましい。りん光発光性のドーパントは、単独で用いられてもよいし、２種以上を組み合わせて用いられてもよい。
オルトメタル化金属錯体を形成する配位子には種々のものがあるが、好ましい配位子には、２−フェニルピリジン誘導体、７，８−ベンゾキノリン誘導体、２−（２−チエニル）ピリジン誘導体、２−（1−ナフチル）ピリジン誘導体、２−フェニルキノリン誘導体等が含まれる。これらの誘導体は、必要に応じて置換基を有してもよい。特に、フッ素化物、トリフルオロメチル基を有する上記誘導体が、青色系ドーパントとして好ましい。さらに、補助配位子として、アセチルアセトナート、ピクリン酸等の、上記配位子以外の配位子を有していてもよい。
りん光発光性のドーパントの発光層における含有量は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、０．１〜７０質量％であり、好ましくは１〜３０質量％である。りん光発光性のドーパントの含有量が０．１質量％未満では、発光が微弱であり、その含有効果が十分に発揮されず、７０質量％を超えると、濃度消光と言われる現象が顕著になり、素子性能が低下する。また、発光層は、必要に応じて正孔輸送材、電子輸送材、ポリマーバインダーを含有しても良い。
さらに、発光層の膜厚は、好ましくは５〜５０ｎｍ、より好ましくは７〜５０ｎｍ、最も好ましくは１０〜５０ｎｍである。５ｎｍ未満では、発光層の形成が困難であり、色度の調整が困難となる虞があり、５０ｎｍを超えると駆動電圧が上昇する虞がある。
蛍光性ドーパントは、アミン系化合物、芳香族化合物、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム錯体等のキレート錯体、クマリン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ビススチリルアリーレン誘導体、オキサジアゾール誘導体等から、要求される発光色に合わせて選ばれる化合物であることが好ましい。特に、アリールアミン化合物、アリールジアミン化合物が好ましく、その中でもスチリルアミン化合物、スチリルジアミン化合物、芳香族アミン化合物、芳香族ジアミン化合物がより好ましく、縮合多環アミン誘導体がさらに好ましい。これらの蛍光性ドーパントは、単独でもまた複数の蛍光ドーパントが組み合わせて使用されてもよい。
本発明の有機ＥＬ素子においては、蛍光性ドーパントとしてスチリルアミン及び／又はアリールアミンを含有することが好ましい。スチリルアミン化合物及びまたはアリールアミンは、下記一般式（５０）で表されるものが好ましい。
Figure 2010061824
一般式（５０）において、Ａｒ27〜Ａｒ29は、置換もしくは無置換の、環形成炭素数が６〜４０である芳香族基である。ｕは１〜４の整数であり、その中でも、ｕは１〜２の整数であることが好ましい。Ａｒ27〜Ａｒ29のいずれか一つは、スチリル基を含有する基であってもよい。Ａｒ27〜Ａｒ28のいずれか一つがスチリル基を有する場合、Ａｒ28またはＡｒ29の少なくとも一方は、スチリル基で置換されていることが好ましい。
ここで、環形成炭素数が６〜４０である芳香族基の例には、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、フェナンスリル基、ピレニル基、コロニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ピローリル基、フラニル基、チオフェニル基、ベンゾチオフェニル基、オキサジアゾリル基、ジフェニルアントラニル基、インドリル基、カルバゾリル基、ピリジル基、ベンゾキノリル基、フルオランテニル基、アセナフトフルオランテニル基、スチルベン基、ペリレニル基、クリセニル基、ピセニル基、トリフェニレニル基、ルビセニル基、ベンゾアントラセニル基、フェニルアントラセニル基、ビスアントラセニル基又は下記一般式（Ｃ）および（Ｄ）で示されるアリーレン基等が含まれる。中でも、ナフチル基、アントラニル基、クリセニル基、ピレニル基または一般式（Ｄ）で示されるアリーレン基が好ましい。
Figure 2010061824
一般式（Ｃ）において、ｒは１〜３の整数である。
なお、前記アリール基およびアリーレン基に置換する好ましい置換基の例には、炭素数１〜６のアルキル基（エチル基、メチル基、ｉ−プロピル基、ｎ−プロピル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、炭素数１〜６のアルコキシ基（エトキシ基、メトキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ペントキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロペントキシ基、シクロヘキシルオキシ基等）、炭素数５〜４０のアリール基、炭素数５〜４０のアリール基で置換されたアミノ基、炭素数５〜４０のアリール基を有するエステル基、炭素数１〜６のアルキル基を有するエステル基、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子等が含まれる。
発光層に含まれる発光材料は、特に制限されず、ホスト材料としては、アントラセン化合物、フェナンスレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、トリフェニレン化合物、クリセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、ペリレン化合物、フタロペリレン化合物、ナフタロペリレン化合物、ナフタセン化合物、ペンタセン化合物のような多環芳香族化合物、オキサジアゾール、ビスベンゾキサゾリン、ビススチリル、シクロペンタジエン、キノリン金属錯体、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム錯体、トリス（４−メチル−８−キノリナート）アルミニウム錯体、トリス（５−フェニル−８−キノリナート）アルミニウム錯体、アミノキノリン金属錯体、ベンゾキノリン金属錯体、トリ−（ｐ−ターフェニル−４−イル）アミン、１−アリール−２，５−ジ（２−チエニル）ピロール誘導体、ピラン、キナクリドン、ルブレン、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、ポルフィリン誘導体、スチルベン誘導体、ピラゾリン誘導体、クマリン系色素、ピラン系色素、フタロシアニン系色素、ナフタロシアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素、又は希土類錯体系蛍光体、希土類系燐光発光性錯体（例えば、Ｉｒ錯体）及びポリビニルカルバゾール、ポリシラン、ポリエチレンジオキサイドチオフェン（ＰＥＤＯＴ）等の導電性高分子のような高分子材料等が挙げられ、これらは単独でも２種類以上の混合物として用いてもよい。
本発明の化合物と組み合わせて用いられるホスト材料は、下記式（１１）〜（１７）で表される化合物が好ましい。
下記一般式（５１）で表されるアントラセン誘導体。
Figure 2010061824
一般式（５１）において、Ａ21およびＡ22は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数６〜６０の芳香族環基である。Ｒ21〜Ｒ28は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０の芳香族環基、置換もしくは無置換の原子数５〜５０の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の原子数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の原子数５〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基またはヒドロキシ基である。
下記一般式（５２）で表されるピレン誘導体である。
Figure 2010061824
一般式（５２）において、Ｒ30〜Ｒ39は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０の芳香族環基、置換もしくは無置換の原子数５〜５０の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の原子数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の原子数５〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基又はヒドロキシ基である。
下記一般式（５３）で表されるアントラセン誘導体。
Figure 2010061824
一般式（５３）において、Ｒ40〜Ｒ49は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、置換してもよいアリール基、アルコキシル基、アリーロキシ基、アルキルアミノ基、アルケニル基、アリールアミノ基または置換してもよい複素環式基を示す。
ｉおよびｊは、それぞれ１〜５の整数を示し、それらが２以上の場合、Ｒ40同士又はＲ41同士は、それぞれにおいて、同一でも異なっていてもよい。また、Ｒ40同士またはＲ41同士が結合して環を形成していてもよいし、Ｒ42とＲ43、Ｒ44とＲ45、Ｒ46とＲ47、Ｒ48とＲ49が、互いに結合して環を形成していてもよい。
Ｌ1は、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｎ（Ｒ）−（Ｒはアルキル基または置換してもよいアリール基である）、アルキレン基またはアリーレン基を示す。
下記一般式（５４）で表されるアントラセン誘導体。
Figure 2010061824
一般式（５４）において、Ｒ50〜Ｒ59は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシル基、アリーロキシ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基または置換してもよい複数環式基を示す。
ｋ，ｌ，ｍおよびｎは、それぞれ１〜５の整数を示し、それらが２以上の場合、Ｒ50同士，Ｒ51同士，Ｒ55同士またはＲ56同士は、それぞれにおいて、同一でも異なっていてもよい。また、Ｒ52同士，Ｒ53同士，Ｒ54同士またはＲ55同士が結合して環を形成していてもよいし、Ｒ52とＲ53，Ｒ57とＲ58が、互いに結合して環を形成していてもよい。
Ｌ2は、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｎ（Ｒ）−（Ｒはアルキル基又は置換しても良いアリール基である）、アルキレン基またはアリーレン基を示す。
下記一般式（５５）で表されるスピロフルオレン誘導体。
Figure 2010061824
一般式（５５）において、Ａ31〜Ａ34は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のビフェニリル基または置換もしくは無置換のナフチル基である。
下記一般式（５６）で表される化合物。
Figure 2010061824
一般式（５６）において、Ａｒ41〜Ａｒ43はそれぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数６〜６０のアリーレン基、Ａｒ44〜Ａｒ46はそれぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数６〜６０のアリール基を示す。
Ｒ61〜Ｒ63は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシル基、炭素数５〜１８のアリールオキシ基、炭素数７〜１８のアラルキルオキシ基、炭素数５〜１６のアリールアミノ基、ニトロ基、シアノ基、炭素数１〜６のエステル基またはハロゲン原子を示す。
下記一般式（５７）で表されるフルオレン化合物。
Figure 2010061824
一般式（５７）において、Ｒ73およびＲ74は、水素原子、置換あるいは無置換のアルキル基、置換あるいは無置換のアラルキル基、置換あるいは無置換のアリール基，置換あるいは無置換の複素環基、置換アミノ基、シアノ基またはハロゲン原子を表わす。異なるフルオレン基に結合するＲ71同士、Ｒ72同士は、同じであっても異なっていてもよく、同じフルオレン基に結合するＲ71およびＲ72は、同じであっても異なっていてもよい。
Ｒ93およびＲ94は、水素原子、置換あるいは無置換のアルキル基、置換あるいは無置換のアラルキル基、置換あるいは無置換のアリール基または置換あるいは無置換の複素環基を表わす。異なるフルオレン基に結合するＲ73同士、Ｒ74同士は、同じであっても異なっていてもよく、同じフルオレン基に結合するＲ73およびＲ74は、同じであっても異なっていてもよい。
Ａｒ71およびＡｒ72は、ベンゼン環の合計が３個以上の置換あるいは無置換の縮合多環芳香族基またはベンゼン環と複素環の合計が３個以上の置換あるいは無置換の炭素でフルオレン基に結合する縮合多環複素環基を表わす。Ａｒ71およびＡｒ72は、同じであっても異なっていてもよい。ｖは、１乃至１０の整数を表す。
以上のホスト材料の中でも、好ましくはアントラセン誘導体、さらに好ましくはモノアントラセン誘導体、特に好ましくは非対称アントラセンである。
カルバゾール環を含む化合物からなるりん光発光に好適なホストは、その励起状態からりん光発光性化合物へエネルギー移動が起こる結果、りん光発光性化合物を発光させる機能を有する化合物である。ホスト化合物としては励起子エネルギーをりん光発光性化合物にエネルギー移動できる化合物ならば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。カルバゾール環以外に任意の複素環などを有していてもよい。
このようなホスト化合物の具体例には、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリデン系化合物、ポルフィリン系化合物、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）誘導体、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、ポリチオフェン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体等の高分子化合物等が含まれる。ホスト化合物は単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
具体例には、以下のような化合物が含まれる。
Figure 2010061824
次に、電子注入層および電子輸送層は、発光層への電子の注入を助け、発光領域まで輸送する層であって、電子移動度が大きい層である。また、付着改善層は、この電子注入層の中で特に陰極との付着がよい材料からなる層である。
また、有機ＥＬ素子は、発光した光が電極（この場合は陰極）により反射するため、直接陽極から取り出される発光と、電極による反射を経由して取り出される発光とが干渉することが知られている。この干渉効果を効率的に利用するため、電子輸送層の膜厚は、数ｎｍ〜数μｍの範囲で適宜選ばれる。特に、電子輸送層の膜厚が厚いとき、電圧上昇を避けるために、１０4〜１０6Ｖ／ｃｍの電界印加時に電子移動度が少なくとも１０-5ｃｍ2／Ｖ・ｓ以上であることが好ましい。
電子注入層に用いられる材料としては、８−ヒドロキシキノリンまたはその誘導体の金属錯体やオキサジアゾール誘導体が好適である。上記８−ヒドロキシキノリンまたはその誘導体の金属錯体の具体例としては、オキシン（一般に、８−キノリノール又は８−ヒドロキシキノリン）のキレートを含む金属キレートオキシノイド化合物、例えばトリス（８−キノリノール）アルミニウムを電子注入材料として用いることができる。
一方、オキサジアゾール誘導体としては、以下の一般式で表される電子伝達化合物が挙げられる。
Figure 2010061824
式中、Ａｒ81，Ａｒ82，Ａｒ83，Ａｒ85，Ａｒ86，Ａｒ89はそれぞれ置換または無置換のアリール基を示し、それぞれ互いに同一であっても異なっていてもよい。また、Ａｒ84，Ａｒ87，Ａｒ88は置換または無置換のアリーレン基を示し、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。
アリール基としては、フェニル基、ビフェニリル基、アントリル基、ペリレニル基、ピレニル基が挙げられる。また、アリーレン基としてはフェニレン基、ナフチレン基、ビフェニリレン基、アントリレン基、ペリレニレン基、ピレニレン基などが挙げられる。また、置換基としては炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基またはシアノ基等が挙げられる。この電子伝達化合物は、薄膜を形成することができる性質を有するものが好ましい。
正孔注入層および正孔輸送層は、発光層への正孔注入を助け、発光領域まで輸送する層であって、正孔移動度が大きく、イオン化エネルギーが通常５．５ｅＶ以下と小さい。
このような正孔注入層および正孔輸送層としては、より低い電界強度で正孔を発光層に輸送する材料が好ましく、さらに正孔の移動度が、例えば１０4〜１０6Ｖ／ｃｍの電界印加時に、少なくとも１０-4ｃｍ2／Ｖ・ｓであれば好ましい。
本発明の芳香族アミン誘導体を正孔輸送帯域に用いる場合、本発明の芳香族アミン誘導体単独で正孔注入層または正孔輸送層を形成してもよく、他の材料と混合して用いてもよい。
本発明の芳香族アミン誘導体と混合して正孔注入層および正孔輸送層を形成する材料としては、前記の好ましい性質を有するものであれば特に制限はなく、従来、光導伝材料において正孔の電荷輸送材料として慣用されているものや、有機ＥＬ素子の正孔注入層および正孔輸送層に使用される公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。本発明においては、正孔輸送能を有し、正孔輸送帯域に用いることが可能な材料を正孔輸送材料と呼ぶ。
正孔注入層および正孔輸送層に使用される芳香族アミン誘導体としては、下記式に示される化合物があげられる。
Figure 2010061824
Ａｒ211〜Ａｒ213、Ａｒ221〜Ａｒ223及びＡｒ203〜Ａｒ208は、それぞれ置換もしくは無置換の炭素数６〜５０の芳香族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の原子数５〜５０の芳香族複素環基である。ｐ、ｑ、ｓ、ｔ、ｗおよびｙはそれぞれ０〜３の整数である。
置換もしくは無置換の炭素数６〜５０の芳香族炭化水素基の具体例としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ｐ−テルフェニル−４−イル基、ｐ−テルフェニル−３−イル基、ｐ−テルフェニル−２−イル基、ｍ−テルフェニル−４−イル基、ｍ−テルフェニル−３−イル基、ｍ−テルフェニル−２−イル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基、ｐ−（２−フェニルプロピル）フェニル基、３−メチル−２−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、４−メチル−１−アントリル基、４’−メチルビフェニルイル基、４”−ｔ−ブチル−ｐ−テルフェニル４−イル基が挙げられる。
置換もしくは無置換の原子数５〜５０の芳香族複素環基の具体例としては、１−ピロリル基、２−ピロリル基、３−ピロリル基、ピラジニル基、２−ピリジニル基、３−ピリジニル基、４−ピリジニル基、１−インドリル基、２−インドリル基、３−インドリル基、４−インドリル基、５−インドリル基、６−インドリル基、７−インドリル基、１−イソインドリル基、２−イソインドリル基、３−イソインドリル基、４−イソインドリル基、５−イソインドリル基、６−イソインドリル基、７−イソインドリル基、２−フリル基、３−フリル基、２−ベンゾフリル基、３−ベンゾフリル基、４−ベンゾフリル基、５−ベンゾフリル基、６−ベンゾフリル基、７−ベンゾフリル基、１−イソベンゾフリル基、３−イソベンゾフリル基、４−イソベンゾフリル基、５−イソベンゾフリル基、６−イソベンゾフリル基、７−イソベンゾフリル基、キノリル基、３−キノリル基、４−キノリル基、５−キノリル基、６−キノリル基、７−キノリル基、８−キノリル基、１−イソキノリル基、３−イソキノリル基、４−イソキノリル基、５−イソキノリル基、６−イソキノリル基、７−イソキノリル基、８−イソキノリル基、２−キノキサリニル基、５−キノキサリニル基、６−キノキサリニル基、１−フェナントリジニル基、２−フェナントリジニル基、３−フェナントリジニル基、４−フェナントリジニル基、６−フェナントリジニル基、７−フェナントリジニル基、８−フェナントリジニル基、９−フェナントリジニル基、１０−フェナントリジニル基、１−アクリジニル基、２−アクリジニル基、３−アクリジニル基、４−アクリジニル基、９−アクリジニル基、１，７−フェナントロリン−２−イル基、１，７−フェナントロリン−３−イル基、１，７−フェナントロリン−４−イル基、１，７−フェナントロリン−５−イル基、１，７−フェナントロリン−６−イル基、１，７−フェナントロリン−８−イル基、１，７−フェナントロリン−９−イル基、１，７−フェナントロリン−１０−イル基、１，８−フェナントロリン−２−イル基、１，８−フェナントロリン−３−イル基、１，８−フェナントロリン−４−イル基、１，８−フェナントロリン−５−イル基、１，８−フェナントロリン−６−イル基、１，８−フェナントロリン−７−イル基、１，８−フェナントロリン−９−イル基、１，８−フェナントロリン−１０−イル基、１，９−フェナントロリン−２−イル基、１，９−フェナントロリン−３−イル基、１，９−フェナントロリン−４−イル基、１，９−フェナントロリン−５−イル基、１，９−フェナントロリン−６−イル基、１，９−フェナントロリン−７−イル基、１，９−フェナントロリン−８−イル基、１，９−フェナントロリン−１０−イル基、１，１０−フェナントロリン−２−イル基、１，１０−フェナントロリン−３−イル基、１，１０−フェナントロリン−４−イル基、１，１０−フェナントロリン−５−イル基、２，９−フェナントロリン−１−イル基、２，９−フェナントロリン−３−イル基、２，９−フェナントロリン−４−イル基、２，９−フェナントロリン−５−イル基、２，９−フェナントロリン−６−イル基、２，９−フェナントロリン−７−イル基、２，９−フェナントロリン−８−イル基、２，９−フェナントロリン−１０−イル基、２，８−フェナントロリン−１−イル基、２，８−フェナントロリン−３−イル基、２，８−フェナントロリン−４−イル基、２，８−フェナントロリン−５−イル基、２，８−フェナントロリン−６−イル基、２，８−フェナントロリン−７−イル基、２，８−フェナントロリン−９−イル基、２，８−フェナントロリン−１０−イル基、２，７−フェナントロリン−１−イル基、２，７−フェナントロリン−３−イル基、２，７−フェナントロリン−４−イル基、２，７−フェナントロリン−５−イル基、２，７−フェナントロリン−６−イル基、２，７−フェナントロリン−８−イル基、２，７−フェナントロリン−９−イル基、２，７−フェナントロリン−１０−イル基、１−フェナジニル基、２−フェナジニル基、１−フェノチアジニル基、２−フェノチアジニル基、３−フェノチアジニル基、４−フェノチアジニル基、１０−フェノチアジニル基、１−フェノキサジニル基、２−フェノキサジニル基、３−フェノキサジニル基、４−フェノキサジニル基、１０−フェノキサジニル基、２−オキサゾリル基、４−オキサゾリル基、５−オキサゾリル基、２−オキサジアゾリル基、５−オキサジアゾリル基、３−フラザニル基、２−チエニル基、３−チエニル基、２−メチルピロール−１−イル基、２−メチルピロール−３−イル基、２−メチルピロール−４−イル基、２−メチルピロール−５−イル基、３−メチルピロール−１−イル基、３−メチルピロール−２−イル基、３−メチルピロール−４−イル基、３−メチルピロール−５−イル基、２−ｔ−ブチルピロール−４−イル基、３−（２−フェニルプロピル）ピロール−１−イル基、２−メチル−１−インドリル基、４−メチル−１−インドリル基、２−メチル−３−インドリル基、４−メチル−３−インドリル基、２−ｔ−ブチル１−インドリル基、４−ｔ−ブチル１−インドリル基、２−ｔ−ブチル３−インドリル基、４−ｔ−ブチル３−インドリル基が挙げられる。
さらに、正孔注入層及び正孔輸送層に、下記式で表される化合物が使用できる。
Figure 2010061824
Ａｒ231〜Ａｒ234は、それぞれ置換もしくは無置換の炭素数６〜５０の芳香族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の原子数５〜５０の芳香族複素環基である。
Ｌは、連結基であり、単結合、もしくは置換もしくは無置換の炭素数６〜５０の芳香族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の原子数５〜５０の芳香族複素環基である。ｘは、０〜５の整数である。
ここで置換もしくは無置換の炭素数６〜５０の芳香族炭化水素基、及び置換もしくは無置換の原子数５〜５０の芳香族複素環基の具体例としては、前記と同様のものがあげられる。
さらに、正孔注入層及び正孔輸送層の材料の具体例としては、例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、ポリシラン系、アニリン系共重合体、導電性高分子オリゴマー（特にチオフェンオリゴマー）等を挙げることができる。
正孔注入層および正孔輸送層の材料としては上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第三級アミン化合物を用いることが好ましい。
また、２個の縮合芳香族環を分子内に有する、例えば、４,４'-ビス（Ｎ-（１-ナフチル）-Ｎ-フェニルアミノ）ビフェニル（以下ＮＰＤと略記する）、またトリフェニルアミンユニットが３つスターバースト型に連結された４,４',４"-トリス（Ｎ-（３-メチルフェニル）-Ｎ-フェニルアミノ）トリフェニルアミン（以下ＭＴＤＡＴＡと略記する）等を挙げることができる。
この他に、下記式で表される含窒素複素環誘導体も用いることができる。
Figure 2010061824
上記式中、Ｒ121〜Ｒ126は、それぞれ置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアリール基、置換又は無置換のアラルキル基、置換又は無置換の複素環基のいずれかを示す。但し、Ｒ121〜Ｒ126は同じでも異なっていてもよい。また、Ｒ121とＲ122、Ｒ123とＲ124、Ｒ125とＲ126、Ｒ121とＲ126、Ｒ122とＲ123、Ｒ124とＲ125が縮合環を形成していてもよい。
さらに、下記式の化合物も用いることができる。
Figure 2010061824
上記式中、Ｒ131〜Ｒ136は置換基であり、好ましくはシアノ基、ニトロ基、スルホニル基、カルボニル基、トリフルオロメチル基、ハロゲン等の電子吸引基である。
これらの材料に代表されるように、アクセプター性材料も正孔注入材料として用いることができる。これらの具体例は上述した通りである。
さらに、発光層の材料として示した前述の芳香族ジメチリディン系化合物の他、ｐ型Ｓｉ、ｐ型ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入層および正孔輸送層の材料として使用することができる。
正孔注入層および正孔輸送層は、本発明の芳香族アミン誘導体を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法等の公知の方法により薄膜を形成することにより得ることができる。
正孔注入層および正孔輸送層としての膜厚は、特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍである。この正孔注入層および正孔輸送層は、正孔輸送帯域に本発明の芳香族アミン誘導体を含有していれば、上述した材料の一種又は二種以上からなる一層で構成されてもよく、正孔注入層および正孔輸送層は、別種の化合物からなる正孔注入層および正孔輸送層を積層したものであってもよい。
また、発光層への正孔注入を助ける層として有機半導体層を設けてもよく、１０-10Ｓ／ｃｍ以上の導電率を有するものが好適である。このような有機半導体層の材料としては、含チオフェンオリゴマーや、含アリールアミンオリゴマー等の導電性オリゴマー、含アリールアミンデンドリマー等の導電性デンドリマー等を用いることができる。
本発明の有機ＥＬ素子を作製する方法については、例えば上記の材料及び方法により陽極、発光層、正孔注入層、及び電子注入層を形成し、最後に陰極を形成すればよい。また、陰極から陽極へ、前記と逆の順序で有機ＥＬ素子を作製することもできる。
以下、透光性基板上に、陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極が順次設けられた構成の有機ＥＬ素子の作製例について説明する。
まず、適当な透光性基板上に、陽極材料からなる薄膜を１μｍ以下、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲の膜厚になるように、蒸着法あるいはスパッタリング法により形成し、陽極とする。
次に、この陽極上に正孔注入層を設ける。正孔注入層は、前述したように真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法等の方法により形成することができる。均質な膜が得られやすく、かつピンホールが発生しにくい等の点から真空蒸着法により形成することが好ましい。
真空蒸着法により正孔注入層を形成する場合、その蒸着条件は使用する化合物（正孔注入層の材料）、目的とする正孔注入層の結晶構造や再結合構造等により異なるが、一般に蒸着源温度５０〜４５０℃、真空度１０-7〜１０-3Ｔｏｒｒ、蒸着速度０．０１〜５０ｎｍ／ｓ、基板温度−５０〜３００℃、膜厚５ｎｍ〜５μｍの範囲で適宜選択することが好ましい。
次に、この正孔注入層上に発光層を設ける。この発光層の形成も、本発明に係る発光材料を用いて真空蒸着法、スパッタリング、スピンコート法、キャスト法等の方法により、発光材料の薄膜を形成することにより得られる。均質な膜が得られやすく、かつピンホールが発生しにくい等の点から、真空蒸着法により形成することが好ましい。
真空蒸着法により発光層を形成する場合、その蒸着条件は使用する化合物により異なるが、一般的に正孔注入層の形成と同様な条件範囲の中から選択することができる。膜厚は１０〜４０ｎｍの範囲が好ましい。
次に、この発光層上に電子注入層を設ける。この場合にも正孔注入層、発光層と同様、均質な膜を得る必要から真空蒸着法により形成することが好ましい。蒸着条件は正孔注入層、発光層と同様の条件範囲から選択することができる。
その後、陰極を積層して有機ＥＬ素子を得ることができる。陰極は、金属から構成されるもので、蒸着法、スパッタリング等により形成することができる。下地の有機薄膜層を製膜時の損傷から守る観点では、真空蒸着法が好ましい。
以上の有機ＥＬ素子の作製は、一回の真空引きで、一貫して陽極から陰極まで作製することが好ましい。
本発明の有機ＥＬ素子の各層の形成方法は特に限定されない。従来公知の真空蒸着法、スピンコーティング法等による方法を用いることができる。本発明の有機ＥＬ素子に用いる、前記一般式（１）で示される化合物を含有する有機薄膜層は、真空蒸着法、分子線蒸着法（ＭＢＥ法）あるいは溶媒に解かした溶液のディッピング法、スピンコーティング法、キャスティング法、バーコート法、ロールコート法等の塗布法による公知の方法で形成することができる。
本発明の有機ＥＬ素子の各有機薄膜層の膜厚は、特に制限されないが、ピンホール等の欠陥や、効率を良くするため、通常は数ｎｍから１μｍの範囲が好ましい。
なお、有機ＥＬ素子に直流電圧を印加する場合、陽極をプラス（＋）、陰極をマイナス（−）の極性にして、５〜４０Ｖの電圧を印加すると発光を観測できる。また、逆の極性で電圧を印加しても電流は流れず、発光は全く生じない。さらに、交流電圧を印加した場合には、陽極がプラス（＋）、陰極がマイナス（−）の極性になった時のみ均一な発光を観測できる。印加する交流の波形は、任意でよい。
本発明の有機ＥＬ素子は、壁掛けテレビのフラットパネルディスプレイ等の平面発光体、複写機、プリンター、液晶ディスプレイのバックライト又は計器類等の光源、表示板、標識灯等に利用できる。また、本発明の材料は、有機ＥＬ素子だけでなく、電子写真感光体、光電変換素子、太陽電池、イメージセンサー等の分野においても使用できる。
＜合成例１−１（中間体１−１の合成）＞
アルゴン気流下、１０００ミリリットルの三つ口フラスコに４−ブロモビフェニルを４７ｇ、ヨウ素を２３ｇ、過ヨウ素酸２水和物を９．４ｇ、水を４２ミリリットル、酢酸を３６０ミリリットル、硫酸を１１ミリリットル入れ６５℃で３０分撹拌後、９０℃で６時間反応した。反応物を氷水に注入し、ろ過した。水で洗浄後、メタノールで洗浄することにより６７ｇの白色粉末を得た。フィールドディソープションマススペクトル（以下、ＦＤ−ＭＳ）の分析により、Ｃ12Ｈ8ＢｒＩ＝３５９に対し、ｍ／ｚ＝３５８と３６０の主ピークが得られたので、中間体１−１と同定した。
＜合成例１−２（中間体１−２の合成）＞
合成例１−１において４−ブロモビフェニルのかわりに2−ブロモ−9，9−ジメチルフルオレンを用いる以外は同様に反応を行ったところ、６１ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、Ｃ15Ｈ12ＢｒＩ＝３９９に対し、ｍ／ｚ＝３９８と４００の主ピークが得られたので、中間体１−２と同定した。
＜合成例１−３（中間体１−３の合成）＞
ジベンゾフラン１５０ｇ（８９２ミリモル）と酢酸１リットルをフラスコに仕込み、窒素置換し、加熱溶解させた。臭素１８８ｇ（１．１８モル）を時々水冷しながら滴下した後、空冷下２０時間撹拌した。析出した結晶を濾別し、酢酸、水で順次洗浄し、減圧下乾燥させた。得られた結晶を、減圧蒸留にて精製しした後、メタノールで数回再結晶を繰り返し、２−ブロモジベンゾフラン６６．８ｇ（収率３１％）を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１−３と同定した。
＜合成例１−４（中間体１−４の合成）＞
アルゴン雰囲気下、２−ブロモジベンゾフラン（中間体１−３）２４．７ｇ（１００ミリモル）に無水ＴＨＦ４００ミリリットルを加え、−４０℃で撹拌中に、１．６Ｍ濃度のｎ−ブチルリチウムのヘキサン溶液６３ミリリットル(１００ミリモル)を加えた。反応溶液を０℃まで加温しながら１時間攪拌した。反応溶液を再び−７８℃まで冷却し、ホウ酸トリメチル２６．０ｇ（２５０ミリモル）の乾燥ＴＨＦの５０ミリリットル溶液を滴下した。反応溶液を室温で５時間攪拌した。１Ｎ塩酸２００ミリリットルを加え、1時間攪拌後、水層を除去した。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させ、溶媒を減圧留去した。得られた固体をトルエンで洗浄し、ジベンゾフラン−２−ボロン酸１５．２ｇ（収率７２％）を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、Ｃ12Ｈ9ＢＯ3＝２１２に対し、ｍ／ｚ＝２１２の主ピークが得られたので、中間体１−４と同定した。
＜合成例１−５（中間体１−５の合成）＞
アルゴン雰囲気下、４−ヨードブロモベンゼン２８．３ｇ（１００ミリモル）、ジベンゾフラン−２−ボロン酸（中間体１−４）を２２．３ｇ（１０５ミリモル）、テトラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウム（０）２．３１ｇ（２．００ミリモル）にトルエン３００ミリリットル、２Ｍ濃度の炭酸ナトリウム水溶液１５０ミリリットルを加え、１０時間還流させながら加熱した。
反応終了後、直ちにろ過した後、水層を除去した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させた後、濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、４−（４−ブロモフェニル）ジベンゾフランの白色結晶２６．２ｇを得た(収率８１％)。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１−５と同定した。
＜合成例１−６（中間体１−６の合成）＞
合成例１−５において、ジベンゾフラン−２−ボロン酸の代わりにジベンゾフラン−４−ボロン酸を２２．３ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、２３．１ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１−６と同定した。
＜合成例１−７（中間体１−７の合成）＞
合成例１−６において、４−ヨードブロムベンゼンの代わりに中間体１−１を３６ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、２８．１ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１−６と同定した。
＜合成例１−８（中間体１−８の合成）＞
合成例１−６において、４−ヨードブロムベンゼンの代わりに中間体１−２を４０ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、３０．２ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１−８と同定した。
＜合成例１−９（中間体１−９の合成）＞
アルゴン雰囲気下、４−ヨードブロモベンゼン２８．３ｇ（１００ミリモル）、カルバゾールを１６．７ｇ（１００ミリモル）、ヨウ化銅（ＣｕＩ） ０．２ｇ（１．００ミリモル）、燐酸三カリウムを４２．４ｇ（２１０ミリモル）にｔｒａｎｓ−１，２−シクロヘキサンジアミンを２ｍｌ、１，４−ジオキサンを３００ミリリットル入れ、１００℃にて２０時間撹拌した。
反応終了後、水３００ｍｌを加えた後分液し、水層を除去した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させた後、濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、白色結晶１８．３ｇを得た(収率５７％)。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１−９と同定した。
＜合成例１−１０（中間体１−１０の合成）＞
合成例１−９において、４−ヨードブロムベンゼンの代わりに中間体１−１を３６ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、２３．１ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１−１０と同定した。
＜合成例１−１１（中間体１−１１の合成）＞
アルゴン気流下、カルバゾールを６７０ｇ、ヨードベンゼンを８５０ｋｇ、キシレンを２０Ｌ、ｔ−ＢｕＯＮａを４６０ｇ、酢酸パラジウム（Ｐｄ（ＯＡｃ）2）を入れ、８時間還流した。不純物を濾過し、濾液を減圧下で濃縮し、ヘキサンで洗浄後、乾燥したところ、フェニルカルバゾールを８２０ｇの白色粉末として得た。中間体１−１の合成において４−ブロモビフェニルの代わりにフェニルカルバゾールを用いた以外は同様に反応を行ったところ、６５０ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１−１１と同定した。
＜合成例１−１２（中間体１−１２の合成）＞
合成例１−４および１−５において、中間体１−３の代わりに中間体１−１１を用いた以外は同様に反応を行ったところ、２５０ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１−１２と同定した。
＜合成例１−１３（中間体１−１３の合成＞）
アルゴン気流下、ジフェニルアミンを１６．８ｇ、中間体１−１を３６．０ｇ、ｔ−ブトキシナトリウム１０ｇ（広島和光社製）、ビス（トリフェニルホスフィン）塩化パラジウム（ＩＩ）１．６ｇ（東京化成社製）及びキシレン５００ｍＬを入れ、１３０℃にて２４時間反応した。
冷却後、水１０００ｍＬを加え、混合物をセライト濾過し、濾液をトルエンで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。これを減圧下で濃縮し、得られた粗生成物をカラム精製し、トルエンで再結晶し、それを濾取した後、乾燥したところ、１２．４ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１−１３と同定した。
＜合成例１−１４（中間体１−１４の合成）＞
合成例１−１３において、中間体１−１の代わりに４−ヨードブロモベンゼンを用いた以外は同様に反応を行ったところ、９．３ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１−１４と同定した。
＜合成例１−１５（中間体１−１５の合成＞）
アルゴン気流下、１−アセトアミド１８５ｇ（東京化成社製）、中間体１−６を３２３ｇ（和光純薬社製）、炭酸カリウム５４４ｇ（和光純薬社製）、銅粉１２．５ｇ（和光純薬社製）及びデカリン２Ｌを仕込み、１９０℃にて４日間反応した。反応後冷却し、トルエン２Ｌを添加し、不溶分を濾取した。濾取物をクロロホルム４．５Ｌに溶解し、不溶分を除去後、活性炭処理し、濃縮した。これにアセトン３Ｌを加え、析出晶を１８１ｇ濾取した。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１−１５と同定した。
＜合成例１−１６（中間体１−１６の合成）＞
アルゴン気流下、中間体１−１５をエチレングリコール５Ｌ（和光純薬社製）、水５０ｍＬに懸濁し、８５％水酸化カリウム水溶液２１０gを添加後、１２０℃で８時間反応した。反応後、水１０Ｌ中に反応液を注加し、析出晶を濾取し、水、メタノールで洗浄した。得られた結晶をテトラヒドロフラン３Ｌに加熱溶解し、活性炭処理後濃縮し、アセトンを加えて結晶を析出させた。これを濾取し、１５１ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１−１６と同定した。
＜合成例１−１７（中間体１−１７の合成）＞
合成例１−１５および１−１６において、中間体１−６の代わりに中間体１−７を用いた以外は同様に反応を行ったところ、１７２ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１−１７と同定した。
＜合成例１−１８（中間体１−１８の合成）＞
合成例１−１５および１−１６において、中間体１−６の代わりに中間体１−８を用いた以外は同様に反応を行ったところ、１６８ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１−１８と同定した。
＜合成例１−１９（中間体１−１９の合成）＞
合成例１−１５および１−１６において、中間体１−６の代わりに中間体１−５を用いた以外は同様に反応を行ったところ、１５３ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１−１９と同定した。
＜合成例１−２０（中間体１−２０の合成）＞
合成例１−１５および１−１６において、中間体１−６の使用量を３２３ｇから６７８ｇに変えた以外は同様に反応を行ったところ、２８０ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１−２０と同定した。
＜合成例１−２１（中間体１−２１の合成）＞
合成例１−１５および１−１６において、１−アセトアミドの代わりに中間体１−１５を用い、中間体１−６の代わりに４−ブロモ−ｐ−ターフェニルを用いた以外は同様に反応を行ったところ、２８０ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１−２１と同定した。
＜合成例１−２２（中間体１−２２の合成）＞
合成例１−１５および１−１６において、中間体１−６の代わりに中間体１−５を用いた以外は同様に反応を行ったところ、２４５ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１−２２と同定した。
＜合成例１−２３（中間体１−２３の合成）＞
合成例１−１５および１−１６において、１−アセトアミドの代わりに中間体１−１５を用い、中間体１−６の代わりに中間体１−９を用いた以外は同様に反応を行ったところ、２５５ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体２３と同定した。
＜合成例１−２４（中間体１−２４の合成）＞
アルゴン気流下、アニリンを１１．０ｇ、中間体１−９を３２．３ｇ、ｔ−ブトキシナトリウム１３．６ｇ（広島和光社製）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）０．９２ｇ （アルドリッチ社製）及び脱水トルエン６００ｍＬを入れ、８０℃にて８時間反応した。
冷却後、水５００ｍＬ を加え、混合物をセライト濾過し、濾液をトルエンで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。これを減圧下で濃縮し、得られた粗生成物をカラム精製し、トルエンで再結晶し、それを濾取した後、乾燥したところ、２３．８ｇのアミン誘導体（淡黄色粉末）を得た。更に合成例１−１３において、ジフェニルアミンの代わりに上記得られたアミン誘導体（淡黄色粉末）を用いた以外は同様に反応を行ったところ、２８．４ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１−２４と同定した。
＜合成例１−２５（中間体１−２５の合成）＞
合成例１−２４において、２段階目の反応で中間体１−１の代わりに４−ヨードブロモベンゼンを用いた以外は同様に反応を行ったところ、２２．５ｇのアミン中間体（白色粉末）を得た。更に合成例１−１３において、ジフェニルアミンの代わりに上記得られたアミン中間体（白色粉末）を用いた以外は同様に反応を行ったところ、２３．４ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１−２５と同定した。
＜合成例１−２６（中間体１−２６の合成）＞
アルゴン気流下、１−アセトアミド１８５ｇ（東京化成社製）、中間体１−６を３２３ｇ（和光純薬社製）、炭酸カリウム５４４ｇ（和光純薬社製）、銅粉１２．５ｇ（和光純薬社製）及びデカリン２Ｌを仕込み、１９０℃にて４日間反応した。反応後冷却し、トルエン２Ｌを添加し、不溶分を濾取した。濾取物をクロロホルム４．５Ｌに溶解し、不溶分を除去後、活性炭処理し、濃縮した。これにアセトン３Ｌを加え、析出晶を１７５ｇ濾取した。
これに４，４’−ジヨードビフェニル１２０ｇ（和光純薬社製）、炭酸カリウム１６３ｇ（和光純薬社製）、銅粉３．８ｇ（和光純薬社製）及びデカリン６００ｍＬを仕込み、１９０℃にて４日間反応した。
反応後冷却し、トルエン６００ｍＬを添加し、不溶分を濾取した。濾取物をクロロホルム１．４Ｌに溶解し、不溶分を除去後、活性炭処理し、濃縮した。これにアセトン１Ｌを加え、析出晶を３９１ｇ濾取した。
これをエチレングリコール１．５Ｌ（和光純薬社製）、水１５ｍＬに懸濁し、８５％水酸化カリウム水溶液４４gを添加後、１２０℃で８時間反応した。反応後、水１０Ｌ中に反応液を注加し、析出晶を濾取し、水、メタノールで洗浄した。得られた結晶をテトラヒドロフラン１Ｌに加熱溶解し、活性炭処理後濃縮し、アセトンを加えて結晶を析出させた。これを濾取し、１４０ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１−２６と同定した。
＜合成例１−２７（中間体１−２７の合成）＞
合成例１−１５および１−１６において、中間体１−６の代わりに中間体１−９を用いた以外は同様に反応を行ったところ、２２１ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１−２７と同定した。
＜合成例１−２８（中間体１−２８の合成）＞
合成例１−１５および１−１６において、中間体１−６を３２３ｇ反応後、その反応液に中間体１−５を３２３ｇ添加し、引き続き反応した以外は同様に反応を行ったところ、２３２ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１−２８と同定した。
＜合成例１−２９（中間体１−２９の合成）＞
合成例１−９において、４−ヨードブロムベンゼンの代わりに中間体１−２を４０ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、２５．４ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１−２９と同定した。
＜合成例１−３０（中間体１−３０の合成）＞
合成例１−１５および１−１６において、１−アセトアミドの代わりにアセトアニリドを用い、中間体１−６の代わりに中間体１−２９を用いた以外は同様に反応を行ったところ、２０．５ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１−３０と同定した。
＜合成例１−３１（中間体１−３１の合成）＞
合成例１−４および１−５において、中間体１−３の代わりに中間体１−１１を用い、４−ヨードブロムベンゼンの代わりに中間体１−２を用いた以外は同様に反応を行ったところ、２６ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１−３１と同定した。
＜合成例１−３２（中間体１−３２の合成）＞
合成例１−１５および１−１６において、１−アセトアミドの代わりにアセトアニリドを用い、中間体１−６の代わりに中間体１−３１を用いた以外は同様に反応を行ったところ、１９．５ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１−３２と同定した。
＜合成例１−３３（中間体１−３３の合成）＞
合成例１−１５および１−１６において、１−アセトアミドの代わりにアセトアニリドを用い、中間体１−６の代わりに中間体１−８を用いた以外は同様に反応を行ったところ、１９．８ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１−３３と同定した。
＜合成例１−３４（中間体１−３４の合成）＞
合成例１−４および１−５において、４−ヨードブロムベンゼンの代わりに中間体１−２を用いた以外は同様に反応を行ったところ、３０ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１−３４と同定した。
＜合成例１−３５（中間体１−３５の合成）＞
合成例１−１５および１−１６において、１−アセトアミドの代わりにアセトアニリドを用い、中間体１−６の代わりに中間体１−３４を用いた以外は同様に反応を行ったところ、２３．２ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１−３５と同定した。
＜合成例１−３６（中間体１−３６の合成）＞
アルゴン雰囲気下、ジベンゾフラン７８．０ｇに脱水テトラヒドロフラン６００ｍLを加え、−３０℃に冷却し、ｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液（１．６５Ｍ）３００ｍLを滴下して、攪拌しながら１時間かけて室温まで昇温した。室温で５時間撹拌後、−６０℃まで冷却し、１，２−ジブロモエタン６０ｍLを１時間かけて滴下した。
室温で１５時間撹拌した後、氷水１０００ｍLに注ぎ、有機層をジクロロメタンで抽出した。飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、ろ別後、濃縮した。得られた固体を、シリカゲルクロマトグラフィー（トルエン）で精製し、テトラヒドロフラン／メタノールで洗浄し、減圧乾燥したところ、７０ｇの固体を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１−３６と同定した。
＜合成例１−３７（中間体１−３７の合成）＞
アルゴン雰囲気下、１−ブロモ−３−フルオロ−４−ヨードベンゼン１２０．０ｇ（３９９ミリモル）、２−メトキシフェニルボロン酸７２．７ｇ（４７９ミリモル）、テトラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウム（０） ９．２ｇ（７．９６ミリモル）にトルエン１０００ミリリットル、２Ｍ濃度の炭酸ナトリウム水溶液５００ミリリットルを加え、１０時間還流させながら加熱した。
反応終了後、直ちにろ過した後、水層を除去した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させた後、濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、４−ブロモ−２−フルオロ−２’−メトキシビフェニルの白色結晶８９．６ｇを得た（収率８０％）。
アルゴン雰囲気下、４−ブロモ−２−フルオロ−２’−メトキシビフェニル８９．６ｇ（３１９ミリモル）にジクロロメタン９００ミリリットルを加え、氷冷下撹拌した。三臭化ホウ素９５．９ｇ（３８２ミリモル）を滴下して加え、その後、室温で１２時間撹拌した。反応終了後、水２００ミリリットルを加え、１時間攪拌後、水層を除去した。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、４−ブロモ−２−フルオロ−２’−ヒドロキシビフェニルの白色結晶６８．１ｇを得た（収率７０％）。
４−ブロモ−２−フルオロ−２’−ヒドロキシビフェニル６８．１ｇ（２５５ミリモル）、炭酸カリウム７０．４ｇ（５１０ミリモル）にＮ−メチルピロリドン１５００ミリリットルを加え、１８０℃で３時間撹拌した。反応終了後、水を加え、トルエンで抽出した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させた後、濃縮した。残渣をトルエンから再結晶して精製し、３−ブロモジベンゾフランの白色結晶４４．２ｇを得た（収率６０％）。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１−３７と同定した。
〔合成実施例１−１（化合物１−Ｈ１の合成）〕
アルゴン気流下、中間体１−２０を５．０ｇ、中間体１−９を３．２ｇ、ｔ−ブトキシナトリウム１．３ｇ（広島和光社製）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）４６ｍｇ （アルドリッチ社製）、トリ−ｔ−ブチルホスフィン２１ｍｇ及び脱水トルエン５０ｍＬ を入れ、８０℃にて８時間反応させた。
冷却後、水５００ｍＬ を加え、混合物をセライト濾過し、濾液をトルエンで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。これを減圧下で濃縮し、得られた粗生成物をカラム精製し、トルエンで再結晶し、それを濾取した後、乾燥したところ、４．４ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物１−Ｈ１（前記例示化合物ＡＤ−２）と同定した。
〔合成実施例１−２（化合物１−Ｈ２の合成）〕
合成実施例１−１において、中間体１−９の代わりに中間体１−１０を４．０ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、５．６ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物１−Ｈ２（前記例示化合物ＡＤ−１４）と同定した。
〔合成実施例１−３（化合物１−Ｈ３の合成）〕
合成実施例１−１において、中間体１−２０の代わりに中間体１−２１を４．９ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、４．４ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物１−Ｈ３（前記例示化合物ＡＤ−４）と同定した。
〔合成実施例１−４（化合物１−Ｈ４の合成）〕
合成実施例１−２において、中間体１−２０の代わりに中間体１−２１を４．９ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、４．８ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物１−Ｈ４（前記例示化合物ＡＤ−１６）と同定した。
〔合成実施例１−５（化合物１−Ｈ５の合成）〕
合成実施例１−１において、中間体１−２０の代わりに中間体１−２２を５．０ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、５．２ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物１−Ｈ５（前記例示化合物ＡＤ−３４）と同定した。
〔合成実施例１−６（化合物１−Ｈ６の合成）〕
合成実施例１−２において、中間体１−２０の代わりに中間体１−２２を５．０ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、５．６ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物１−Ｈ６（前記例示化合物ＡＤ−４６）と同定した。
実施例化合物変更に伴い合成法を変更しています（中間体２２→２８）
〔合成実施例１−７（化合物１−Ｈ７の合成）〕
合成実施例１−１において、中間体１−２０の代わりに中間体１−２８を５．０ｇ、中間体１−９の代わりに中間体１−１２を４．０ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、５．２ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物１−Ｈ７と同定した。
〔合成実施例１−８（化合物１−Ｈ８の合成）〕
合成実施例１−１において、中間体１−２０の代わりに中間体１−１６を１．３ｇ、中間体１−９を６．４ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、２．２ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物１−Ｈ８（前記例示化合物ＡＤ−１９０）と同定した。
〔合成実施例１−９（化合物１−Ｈ９の合成）〕
合成実施例１−１において、中間体１−２０の代わりに中間体１−１７を１．７ｇ、中間体１−９を６．４ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、２．３ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物１−Ｈ９（前記例示化合物ＡＤ−１９２）と同定した。
〔合成実施例１−１０（化合物１−Ｈ１０の合成）〕
合成実施例１−１において、中間体１−２０の代わりに中間体１−１８を１．９ｇ、中間体１−９を６．４ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、２．４ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物１−Ｈ１０（前記例示化合物ＡＤ−１９４）と同定した。
〔合成実施例１−１１（化合物１−Ｈ１１の合成）〕
合成実施例１−１において、中間体１−２０の代わりに中間体１−１９を１．３ｇ、中間体１−９を６．４ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、１．９ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物１−Ｈ１１（前記例示化合物ＡＤ−１９６）と同定した。
〔合成実施例１−１２（化合物１−Ｈ１２の合成）〕
合成実施例１−１において、中間体１−９の代わりに中間体１−１１を３．７ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、４．６ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物１−Ｈ１２（前記例示化合物ＡＤ−１）と同定した。
〔合成実施例１−１３（化合物１−Ｈ１３の合成）〕
合成実施例１−１において、中間体１−２０の代わりに中間体１−２２を５．０ｇ用い、中間体１−９の代わりに中間体１−１１を３．７ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、４．３ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物１−Ｈ１３（前記例示化合物ＡＤ−３３）と同定した。
〔合成実施例１−１４（化合物１−Ｈ１４の合成）〕
合成実施例１−１において、中間体１−２０の代わりに中間体１−２７を５．０ｇ用い、中間体１−９の代わりに中間体１−３を２．５ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、３．８ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物１−Ｈ１４（前記例示化合物ＡＤ−１９１）と同定した。
〔合成実施例１−１５（化合物１−Ｈ１５の合成）〕
合成実施例１−１において、中間体１−２０の代わりに中間体１−１６を１．３ｇ、中間体１−９の代わりに中間体１−１１を７．４ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、２．６ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物１−Ｈ１５（前記例示化合物ＡＤ−１９３）と同定した。
〔合成実施例１−１６（化合物１−Ｈ１６の合成）〕
合成実施例１−１において、中間体１−２０の代わりに中間体１−１９を１．３ｇ、中間体１−９の代わりに中間体１−１１を７．４ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、２．４ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物１−Ｈ１６（前記例示化合物ＡＤ−２４）と同定した。
〔合成実施例１−１７（化合物１−Ｈ１７の合成）〕
合成実施例１−１において、中間体１−２０の代わりに中間体１−２３を５．０ｇ、中間体１−９の代わりに中間体１−３を２．５ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、４．３ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物１−Ｈ１７（前記例示化合物ＡＤ−１９５）と同定した。
〔合成実施例１−１８（化合物１−Ｈ１８の合成）〕
合成実施例１−１において、中間体１−２０の代わりに中間体１−２３を５．０ｇ、中間体１−９の代わりに中間体１−１３を４．０ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、５．３ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物１−Ｈ１８（前記例示化合物ＡＤ−１２０）と同定した。
〔合成実施例１−１９（化合物１−Ｈ１９の合成）〕
合成実施例１−１において、中間体１−２０の代わりに中間体１−２３を５．０ｇ、中間体１−９の代わりに中間体１−１４を３．２ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、４．９ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物１−Ｈ１９（前記例示化合物ＡＤ−１９７）と同定した。
〔合成実施例１−２０（化合物１−Ｈ２０の合成）〕
合成実施例１−１において、中間体１−２０の代わりに中間体１−２６を３．３ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、３．９ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物１−Ｈ２０（前記例示化合物ＡＤ−１２９）と同定した。
〔合成実施例１−２１（化合物１−Ｈ２１の合成）〕
合成実施例１−１において、中間体１−２０の代わりに中間体１−１６を１．３ｇ、中間体１−９の代わりに中間体１−２４を１３．２ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、４．３ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物１−Ｈ２１（前記例示化合物ＡＤ−１５１）と同定した。
〔合成実施例１−２２（化合物１−Ｈ２２の合成）〕
合成実施例１−１において、中間体１−２０の代わりに中間体１−２６を３．３ｇ、中間体１−９の代わりに中間体１−２５を９．８ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、５．６ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物１−Ｈ２２（前記例示化合物ＡＤ−１７１）と同定した。
〔合成実施例１−２３（化合物１−Ｈ２３の合成）〕
合成実施例１−１において、中間体１−２０の代わりに中間体１−２３を５．０ｇ、中間体１−９の代わりトリス（4−ブロモフェニル）アミンを９．８ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、３．８ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物１−Ｈ２３（前記例示化合物ＡＤ−１８７）と同定した。
〔合成実施例１−２４（化合物１−Ｈ２４の合成）〕
合成実施例１−１において、中間体１−９の代わりに中間体１−１２を４．０ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、５．４ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物１−Ｈ２４と同定した。
〔合成実施例１−２５（化合物１−Ｈ２５の合成）〕
合成実施例１−１において、中間体１−２０の代わりに中間体１−３０を４．５ｇ、中間体１−９の代わりに中間体１−３６を２．５ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、３．３ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物１−Ｈ２５と同定した。
〔合成実施例１−２６（化合物１−Ｈ２６の合成）〕
合成実施例１−１において、中間体１−２０の代わりに中間体１−３０を４．５ｇ、中間体１−９の代わりに中間体１−３を２．５ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、３．５ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物１−Ｈ２６と同定した。
〔合成実施例１−２７（化合物１−Ｈ２７の合成）〕
合成実施例１−１において、中間体１−２０の代わりに中間体１−３０を４．５ｇ、中間体１−９の代わりに中間体１−３７を２．５ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、３．９ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物１−Ｈ２７と同定した。
〔合成実施例１−２８（化合物１−Ｈ２８の合成）〕
合成実施例１−１において、中間体１−２０の代わりに中間体１−３２を５．３ｇ、中間体１−９の代わりに中間体１−３７を２．５ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、４．０ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物１−Ｈ２８と同定した。
〔合成実施例１−２９（化合物１−Ｈ２９の合成）〕
合成実施例１−１において、中間体１−２０の代わりに中間体１−３２を５．３ｇ、中間体１−９の代わりに中間体１−３を２．５ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、３．８ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物１−Ｈ２９と同定した。
〔合成実施例１−３０（化合物１−Ｈ３０の合成）〕
合成実施例１−１において、中間体１−２０の代わりに中間体１−３２を５．３ｇ、中間体１−９の代わりに中間体１−３７を２．５ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、４．３ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物１−Ｈ３０と同定した。
〔合成実施例１−３１（化合物１−Ｈ３１の合成）〕
合成実施例１−１において、中間体１−２０の代わりに中間体１−３３を４．５ｇ、中間体１−９の代わりに中間体１−１１を３．７ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、４．２ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物１−Ｈ３１と同定した。
〔合成実施例１−３２（化合物１−Ｈ３２の合成）〕
合成実施例１−１において、中間体１−２０の代わりに中間体１−３５を４．５ｇ、中間体１−９の代わりに中間体１−１１を３．７ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、４．３ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物１−Ｈ３２と同定した。
前記合成例１−１〜１−３７で合成された中間体１−１〜１−３７および合成実施例１−１〜１−３２で合成された本発明の芳香族アミン誘導体である化合物１−Ｈ１〜１−Ｈ３２ならびに比較化合物１−１〜１−６の構造式は下記の通りである。
Figure 2010061824
Figure 2010061824
Figure 2010061824
Figure 2010061824
Figure 2010061824
Figure 2010061824
Figure 2010061824
［実施例１−１（有機ＥＬ素子の製造）］
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のＩＴＯ透明電極付きガラス基板（ジオマティック社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。
洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に前記透明電極を覆うようにして下記化合物Ｈ２３２を蒸着し、膜厚６０ｎｍのＨ２３２膜を正孔注入層として膜を成膜した。このＨ２３２膜上に上記化合物１−Ｈ１を蒸着し、膜厚２０ｎｍの正孔輸送層を成膜した。さらに下記化合物ＥＭ１を蒸着し膜厚４０ｎｍの発光層を成膜した。同時に発光分子として、下記のスチリル基を有するアミン化合物Ｄ１を、ＥＭ１とＤ１の重量比が４０：２になるように蒸着した。
この膜上に下記Ａｌｑを膜厚１０ｎｍに成膜した。この層は、電子注入層として機能する。この後、還元性ドーパントであるＬｉ（Ｌｉ源：サエスゲッター社製）とＡｌｑを二元蒸着させ、電子注入層（陰極）としてＡｌｑ：Ｌｉ膜（膜厚１０ｎｍ）を形成した。このＡｌｑ：Ｌｉ膜上に金属Ａｌを蒸着させ金属陰極を形成し有機ＥＬ素子を形成した。
次に、得られた有機ＥＬ素子を１０５℃で８ｈ保存した後、発光効率を測定し、発光色を観察した。発光効率はミノルタ製ＣＳ１０００を用いて輝度を測定し、１０ｍＡ／ｃｍ2における発光効率を算出した。さらに、初期輝度５０００ｃｄ／ｍ2、室温、ＤＣ定電流駆動での発光の半減寿命を測定した結果を表１に示す。
Figure 2010061824
［実施例１−２〜１−１１（有機ＥＬ素子の製造）］
実施例１−１において、正孔輸送材料として化合物１−Ｈ１の代わりに表１に記載の各化合物を用いた以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
得られた有機ＥＬ素子について、実施例１−１と同様にして、発光効率を測定し、発光色を観察し、さらに、初期輝度５０００ｃｄ／ｍ2、室温、ＤＣ定電流駆動での発光の半減寿命を測定した結果を表１に示す。
［比較例１−１〜１−６］
実施例１−１において、正孔輸送材料として化合物１−Ｈ１の代わりに前記各比較化合物１−１〜１−６を用いた以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
また、得られた有機ＥＬ素子について、実施例１−１と同様にして、発光効率を測定し、発光色を観察し、さらに、初期輝度５０００ｃｄ／ｍ2、室温、ＤＣ定電流駆動での発光の半減寿命を測定した結果を表１に示す。
［実施例１−１２（有機ＥＬ素子の製造）］
実施例１−１において、スチリル基を有するアミン化合物Ｄ１の代わりに下記アリールアミン化合物Ｄ２を用いた以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製した。Ｍｅはメチル基である。
また、得られた有機ＥＬ素子について、実施例１−１と同様にして、発光効率を測定し、発光色を観察し、さらに、初期輝度５０００ｃｄ／ｍ2、室温、ＤＣ定電流駆動での発光の半減寿命を測定した結果を表１に示す。
Figure 2010061824
［比較例１−７］
実施例１−１２において、正孔輸送材料として化合物１−Ｈ１の代わりに上記比較化合物１−４を用いた以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
また、得られた有機ＥＬ素子について、実施例１−１と同様にして、発光効率を測定し、発光色を観察し、さらに、初期輝度５０００ｃｄ／ｍ2、室温、ＤＣ定電流駆動での発光の半減寿命を測定した結果を表１に示す。
Figure 2010061824
表１の結果より、本発明の芳香族アミン誘導体を用いた有機ＥＬ素子は、比較用の芳香族アミン誘導体を用いた有機ＥＬ素子と比べて高温時においても高い発光効率が得られ、半減寿命が長いことが明らかである。
＜合成例２−１（中間体２−１の合成）＞
アルゴン気流下、１０００ミリリットルの三つ口フラスコに４−ブロモビフェニルを４７ｇ、ヨウ素を２３ｇ、過ヨウ素酸２水和物を９．４ｇ、水を４２ミリリットル、酢酸を３６０ミリリットル、硫酸を１１ミリリットル入れ６５℃で３０分撹拌後、９０℃で６時間反応させた。反応物を氷水に注入し、ろ過した。水で洗浄後、メタノールで洗浄することにより６７ｇの白色粉末を得た。フィールドディソープションマススペクトル（以下、ＦＤ−ＭＳ）の分析により、Ｃ12Ｈ8ＢｒＩ＝３５９に対し、ｍ／ｚ＝３５８と３６０の主ピークが得られたので、中間体２−１と同定した。
＜合成例２−２（中間体２−２の合成）＞
合成例２−１において４−ブロモビフェニルのかわりに２−ブロモ−９，９−ジメチルフルオレンを用いる以外は同様に反応を行ったところ、６１ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、Ｃ15Ｈ12ＢｒＩ＝３９９に対し、ｍ／ｚ＝３９８と４００の主ピークが得られたので、中間体２−２と同定した。
＜合成例２−３（中間体２−３の合成）＞
ジベンゾフラン１５０ｇ（８９２ミリモル）と酢酸１リットルをフラスコに仕込み、窒素置換し、加熱溶解させた。臭素１８８ｇ（１．１８モル）を時々水冷しながら滴下した後、空冷下２０時間撹拌した。析出した結晶を濾別し、酢酸、水で順次洗浄し、減圧下乾燥させた。得られた結晶を、減圧蒸留にて精製しした後、メタノールで数回再結晶を繰り返し、２−ブロモジベンゾフラン６６．８ｇ（収率３１％）を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体２−３と同定した。
＜合成例２−４（中間体２−４の合成）＞
アルゴン雰囲気下、２−ブロモジベンゾフラン２４．７ｇ（１００ミリモル）に無水ＴＨＦ４００ミリリットルを加え、−４０℃で撹拌中に、１．６Ｍ濃度のｎ-ブチルリチウムのヘキサン溶液６３ミリリットル(１００ミリモル)を加えた。反応溶液を０℃まで加温しながら１時間攪拌した。反応溶液を再び−７８℃まで冷却し、ホウ酸トリメチル２６．０ｇ（２５０ミリモル）の乾燥ＴＨＦの５０ミリリットル溶液を滴下した。反応溶液を室温で５時間攪拌した。１Ｎ塩酸２００ミリリットルを加え、１時間攪拌後、水層を除去した。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させ、溶媒を減圧留去した。得られた固体をトルエンで洗浄し、ジベンゾフラン−２−ボロン酸１５．２ｇ（収率７２％）を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、Ｃ12Ｈ9ＢＯ3＝２１２に対し、ｍ／ｚ＝２１２の主ピークが得られたので、中間体２−４と同定した。
＜合成例２−５（中間体２−５の合成）＞
アルゴン雰囲気下、４−ヨードブロモベンゼン２８．３ｇ（１００ミリモル）、ジベンゾフラン−２−ボロン酸（中間体２−４）を２２．３ｇ（１０５ミリモル）、テトラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウム（０）２．３１ｇ（２．００ミリモル）にトルエン３００ミリリットル、２Ｍ濃度の炭酸ナトリウム水溶液１５０ミリリットルを加え、１０時間還流させながら加熱した。
反応終了後、直ちにろ過した後、水層を除去した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させた後、濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、４−（４−ブロモフェニル)ジベンゾフランの白色結晶２６．２ｇを得た(収率８１％)。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体２−５と同定した。
＜合成例２−６（中間体２−６の合成）＞
合成例２−５において、４−ヨードブロモベンゼンの代わりに中間体２−１を３５．９ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、２８．１ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体２−６と同定した。
＜合成例２−７（中間体２−７の合成）＞
合成例２−５において、４−ヨードブロモベンゼンの代わりに中間体２−２を３９．９ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、２７．５ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体２−７と同定した。
＜合成例２−８（中間体２−８の合成）＞
合成例２−５において、ジベンゾフラン−２−ボロン酸の代わりにジベンゾフラン−４−ボロン酸を２２．３ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、２３．１ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体２−８と同定した。
＜合成例２−９（中間体２−９の合成）＞
合成例２−８において、４−ヨードブロムベンゼンの代わりに中間体２−１を３６ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、２８．１ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体２−９と同定した。
＜合成例２−１０（中間体２−１０の合成）＞
合成例２−８において、４−ヨードブロムベンゼンの代わりに中間体２−２を４０ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、３０．２ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体２−１０と同定した。
＜合成例２−１１（中間体２−１１の合成）＞
アルゴン気流下、ジフェニルアミンを１６．８ｇ、中間体２−１を３６．０ｇ、ｔ−ブトキシナトリウム１０ｇ（広島和光社製）、ビス（トリフェニルホスフィン）塩化パラジウム（ＩＩ）１．６ｇ（東京化成社製）及びキシレン５００ｍＬを入れ、１３０℃にて２４時間反応させた。
冷却後、水１０００ｍＬを加え、混合物をセライト濾過し、濾液をトルエンで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。これを減圧下で濃縮し、得られた粗生成物をカラム精製し、トルエンで再結晶し、それを濾取した後、乾燥したところ、１２．４ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体２−１１と同定した。
＜合成例２−１２（中間体２−１２の合成）＞
合成例２−１１において、中間体２−１の代わりに４−ヨードブロモベンゼンを用いた以外は同様に反応を行ったところ、９．３ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体２−１２と同定した。
＜合成例２−１３（中間体２−１３の合成＞）
アルゴン気流下、１−アセトアミド１８５ｇ（東京化成社製）、中間体２−８を３２３ｇ（和光純薬社製）、炭酸カリウム５４４ｇ（和光純薬社製）、銅粉１２．５ｇ（和光純薬社製）及びデカリン２Ｌを仕込み、１９０℃にて４日間反応させた。反応後冷却し、トルエン２Ｌを添加し、不溶分を濾取した。濾取物をクロロホルム４．５Ｌに溶解し、不溶分を除去後、活性炭処理し、濃縮した。これにアセトン３Ｌを加え、析出晶を１８１ｇ濾取した。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体２−１３と同定した。
＜合成例２−１４（中間体２−１４の合成）＞
合成例２−１３において、中間体２−８の使用量を３２３ｇから６７８ｇに変えた以外は同様に反応を行ったところ、３３０ｇの白色粉末を得た。さらに、アルゴン気流下、得られた白色粉末をエチレングリコール５Ｌ（和光純薬社製）、水５０ｍＬに懸濁し、８５％水酸化カリウム水溶液２１０gを添加後、１２０℃で８時間反応させた。反応後、水１０Ｌ中に反応液を注加し、析出晶を濾取し、水、メタノールで洗浄した。得られた結晶をテトラヒドロフラン３Ｌに加熱溶解し、活性炭処理後濃縮し、アセトンを加えて結晶を析出させた。これを濾取し、１９８ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体２−１４と同定した。
＜合成例２−１５（中間体２−１５の合成＞）
合成例２−１４において、中間体２−８の代わりに中間体２−５を用いた以外は同様に反応を行ったところ、２２１ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体２−１５と同定した。
＜合成例２−１６（中間体２−１６の合成）＞
合成例２−１３において、１−アセトアミドの代わりに中間体２−１３を用い、中間体２−８の代わりに中間体２−５を用いた以外は同様に反応を行ったところ、１９０ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体２−１６と同定した。
＜合成例２−１７（中間体２−１７の合成）＞
合成例２−１１において、ジフェニルアミンの代わりに中間体２−１６を用い、中間体２−１の代わりに４−ヨードブロモベンゼンを用いた以外は同様に反応を行ったところ、４５ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体２−１７と同定した。
＜合成例２−１８（中間体２−１８の合成）＞
合成例２−１１において、ジフェニルアミンの代わりに中間体２−１６を用いた以外は同様に反応を行ったところ、５６ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体２−１８と同定した。
＜合成例２−１９（中間体２−１９の合成）＞
アルゴン雰囲気下、ジベンゾフラン７８．０ｇに脱水テトラヒドロフラン６００ｍLを加え、−３０℃に冷却し、ｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液（１．６５Ｍ）３００ｍLを滴下して、攪拌しながら１時間かけて室温まで昇温した。室温で５時間撹拌後、−６０℃まで冷却し、１，２−ジブロモエタン６０ｍLを１時間かけて滴下した。
室温で１５時間撹拌した後、氷水１０００ｍLに注ぎ、有機層をジクロロメタンで抽出した。飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、ろ別後、濃縮した。得られた固体を、シリカゲルクロマトグラフィー（トルエン）で精製し、テトラヒドロフラン／メタノールで洗浄し、減圧乾燥したところ、７０ｇの固体を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体２−１９と同定した。
＜合成例２−２０（中間体２−２０の合成）＞
アルゴン雰囲気下、１−ブロモ−３−フルオロ−４−ヨードベンゼン１２０．０ｇ（３９９ミリモル）、２−メトキシフェニルボロン酸７２．７ｇ（４７９ミリモル）、テトラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウム（０） ９．２ｇ（７．９６ミリモル）にトルエン１０００ミリリットル、２Ｍ濃度の炭酸ナトリウム水溶液５００ミリリットルを加え、１０時間還流させながら加熱した。
反応終了後、直ちにろ過した後、水層を除去した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させた後、濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、４−ブロモ−２−フルオロ−２’−メトキシビフェニルの白色結晶８９．６ｇを得た（収率８０％）。
アルゴン雰囲気下、４−ブロモ−２−フルオロ−２’−メトキシビフェニル８９．６ｇ（３１９ミリモル）にジクロロメタン９００ミリリットルを加え、氷冷下撹拌した。三臭化ホウ素９５．９ｇ（３８２ミリモル）を滴下して加え、その後、室温で１２時間撹拌した。反応終了後、水２００ミリリットルを加え、１時間攪拌後、水層を除去した。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、４−ブロモ−２−フルオロ−２’−ヒドロキシビフェニルの白色結晶６８．１ｇを得た（収率７０％）。
４−ブロモ−２−フルオロ−２’−ヒドロキシビフェニル６８．１ｇ（２５５ミリモル）、炭酸カリウム７０．４ｇ（５１０ミリモル）にＮ−メチルピロリドン１５００ミリリットルを加え、１８０℃で３時間撹拌した。反応終了後、水を加え、トルエンで抽出した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させた後、濃縮した。残渣をトルエンから再結晶して精製し、白色結晶４４．２ｇを得た（収率６０％）。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体２−２０と同定した。
＜合成例２−２１（中間体２−２１の合成）＞
アルゴン雰囲気下、中間体２−２０を３４．２ｇ（１３８ミリモル）、４−クロロフェニルボロン酸２６．０ｇ（１６６ミリモル）、テトラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウム（０） ３．２ｇ（２．７７ミリモル）にトルエン３５０ミリリットル、２Ｍ濃度の炭酸ナトリウム水溶液１７０ミリリットルを加え、１２時間還流させながら加熱した。
反応終了後、直ちにろ過した後、水層を除去した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させた後、濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、２３．１ｇの白色結晶を得た（収率６０％）。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体２−２１と同定した。
＜合成例２−２２（中間体２−２２の合成＞）
合成例２−１４において、中間体２−８の代わりに中間体２−２１を用いた以外は同様に反応を行ったところ、３５ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体２−２２と同定した。
〔合成実施例２−１（化合物２−Ｈ１の合成）〕
アルゴン気流下、中間体２−１４を５．０ｇ、中間体２−５を３．２ｇ、ｔ−ブトキシナトリウム１．３ｇ（広島和光社製）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）４６ｍｇ（アルドリッチ社製）、トリ−ｔ−ブチルホスフィン２１ｍｇ及び脱水トルエン５０ｍＬを入れ、８０℃にて８時間反応させた。
冷却後、水５００ｍＬを加え、混合物をセライト濾過し、濾液をトルエンで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。これを減圧下で濃縮し、得られた粗生成物をカラム精製し、トルエンで再結晶し、それを濾取した後、乾燥したところ、４．３ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物２−Ｈ１と同定した。
〔合成実施例２−２（化合物２−Ｈ２の合成）〕
合成実施例２−１において、中間体２−５の代わりに中間体２−６を４．０ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、５．３ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物２−Ｈ２と同定した。
〔合成実施例２−３（化合物２−Ｈ３の合成）〕
合成実施例２−１において、中間体２−５の代わりに中間体２−７を４．９ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、４．４ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物２−Ｈ３と同定した。
〔合成実施例２−４（化合物２−Ｈ４の合成）〕
合成実施例２−１において、中間体２−１４の代わりに中間体２−１５を５．０ｇ用い、中間体２−５の代わりに中間体２−８を３．２ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、３．８ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物２−Ｈ４と同定した。
〔合成実施例２−５（化合物２−Ｈ５の合成）〕
合成実施例２−５（化合物２−Ｈ５の合成）
合成実施例２−４において、中間体２−８の代わりに中間体２−９を４．０ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、４．２ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物２−Ｈ５と同定した。
〔合成実施例２−６（化合物２−Ｈ６の合成）〕
合成実施例２−４において、中間体２−８の代わりに中間体２−１０を４．４ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、５．１ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物２−Ｈ６と同定した。
〔合成実施例２−７（化合物２−Ｈ７の合成）〕
合成実施例２−１において、中間体２−５の代わりに中間体２−９を４．０ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、４．５ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物２−Ｈ７と同定した。
〔合成実施例２−８（化合物２−Ｈ８の合成）〕
合成実施例２−４において、中間体２−８の代わりに中間体２−６を４．０ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、４．２ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物２−Ｈ８と同定した。
〔合成実施例２−９（化合物２−Ｈ９の合成）〕
合成実施例２−１において、中間体２−１４の代わりに中間体２−１６を５．０ｇ、中間体２−５の代わりに中間体２−１２を３．２ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、３．８ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物２−Ｈ９と同定した。
〔合成実施例２−１０（化合物２−Ｈ１０の合成）〕
合成実施例２−１において、中間体２−１４の代わりに中間体２−１６を１．９ｇ、中間体２−５の代わりに中間体２−１１を４．０ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、４．５ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物２−Ｈ１０と同定した。
〔合成実施例２−１１（化合物２−Ｈ１１の合成）〕
合成実施例２−１において、中間体２−１４の代わりに中間体２−１６を５．０ｇ、中間体２−５の代わりに４，４’−ジブロモビフェニルを１．６ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、２．８ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物２−Ｈ１１と同定した。
〔合成実施例２−１２（化合物２−Ｈ１２の合成）〕
合成実施例２−１において、中間体２−１４の代わりにアニリンを０．４ｇ用い、中間体２−５の代わりに中間体２−１８を７．３ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、２．１ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物２−Ｈ１２と同定した。
〔合成実施例２−１３（化合物２−Ｈ１３の合成）〕
合成実施例２−１において、中間体２−１４の代わりにＮ，Ｎ‘-ジフェニルベンジジンを０．９ｇ用い、中間体２−５の代わりに中間体２−１７を６．６ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、２．４ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物２−Ｈ１３と同定した。
〔合成実施例２−１４（化合物２−Ｈ１４の合成）〕
合成実施例２−１において、中間体２−１４の代わりに中間体２−１６を５．０ｇ用い、中間体２−５の代わりにトリス（４−ブロモフェニル）アミンを１．６ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、１．８ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物２−Ｈ１４と同定した。
〔合成実施例２−１５（化合物２−Ｈ１５の合成）〕
合成実施例２−１において、中間体２−１４の代わりに中間体２−１６を５．０ｇ用い、中間体２−５の代わりに４−ブロモ−ｐ−ターフェニルを３．０ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、３．５ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物２−Ｈ１５と同定した。
〔合成実施例２−１６（化合物２−Ｈ１６の合成）〕
合成実施例２−１において、中間体２−５の代わりに中間体２−３を２．５ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、４．１ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物２−Ｈ１６と同定した。
〔合成実施例２−１７（化合物２−Ｈ１７の合成）〕
合成実施例２−１において、中間体２−５の代わりに中間体２−２０を２．５ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、３．９ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物２−Ｈ１７と同定した。
〔合成実施例２−１８（化合物２−Ｈ１８の合成）〕
合成実施例２−１において、中間体２−１４の代わりに中間体２−１５を５．０ｇ用い、中間体２−５の代わりに中間体２−１９を２．５ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、３．８ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物２−Ｈ１８と同定した。
〔合成実施例２−１９（化合物２−Ｈ１９の合成）〕
合成実施例２−１において、中間体２−１４の代わりに中間体２−１５を５．０ｇ用い、中間体２−５の代わりに中間体２−２０を２．５ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、３．６ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物２−Ｈ１９と同定した。
〔合成実施例２−２０（化合物２−Ｈ２０の合成）〕
合成実施例２−１において、中間体２−１４の代わりに中間体２−２２を５．０ｇ用い、中間体２−５の代わりに中間体２−１９を２．５ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、４．０ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物２−Ｈ２０と同定した。
〔合成実施例２−２１（化合物２−Ｈ２１の合成）〕
合成実施例２−１において、中間体２−１４の代わりに中間体２−２２を５．０ｇ用い、中間体２−５の代わりに中間体２−３を２．５ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、４．１ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物２−Ｈ２１と同定した。
前記合成例２−１〜２−２２で合成された中間体２−１〜２−２２および合成実施例２−１〜２−２１で合成された本発明の芳香族アミン誘導体である化合物２−Ｈ１〜２−Ｈ２１ならびに比較化合物２−１〜２−７の構造式は下記の通りである。
Figure 2010061824
Figure 2010061824
Figure 2010061824
Figure 2010061824
Figure 2010061824
［実施例２−１（有機ＥＬ素子の製造）］
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のＩＴＯ透明電極付きガラス基板（ジオマティック社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。
洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に前記透明電極を覆うようにして下記化合物Ｈ２３２を蒸着し、膜厚６０ｎｍのＨ２３２膜を正孔注入層として膜を成膜した。このＨ２３２膜上に上記化合物２−Ｈ１を蒸着し、膜厚２０ｎｍの正孔輸送層を成膜した。さらに下記化合物ＥＭ１を蒸着し膜厚４０ｎｍの発光層を成膜した。同時に発光分子として、下記のスチリル基を有するアミン化合物Ｄ１を、ＥＭ１とＤ１の重量比が４０：２になるように蒸着した。
この膜上に下記Ａｌｑを膜厚１０ｎｍに成膜した。この層は、電子注入層として機能する。この後、還元性ドーパントであるＬｉ（Ｌｉ源：サエスゲッター社製）とＡｌｑを二元蒸着させ、電子注入層（陰極）としてＡｌｑ：Ｌｉ膜（膜厚１０ｎｍ）を形成した。このＡｌｑ：Ｌｉ膜上に金属Ａｌを蒸着させ金属陰極を形成し有機ＥＬ素子を形成した。
次に、得られた有機ＥＬ素子を１０５℃で８ｈ保存した後、発光効率を測定し、発光色を観察した。発光効率はミノルタ製ＣＳ１０００を用いて輝度を測定し、１０ｍＡ／ｃｍ2における発光効率を算出した。さらに、初期輝度５０００ｃｄ／ｍ2、室温、ＤＣ定電流駆動での発光の半減寿命を測定した結果を表２−１に示す。
Figure 2010061824
［実施例２−２〜２−８（有機ＥＬ素子の製造）］
実施例２−１において、正孔輸送材料として化合物２−Ｈ１の代わりに表２に記載の各化合物を用いた以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
得られた有機ＥＬ素子について、実施例２−１と同様にして、発光効率を測定し、発光色を観察し、さらに、初期輝度５０００ｃｄ／ｍ2、室温、ＤＣ定電流駆動での発光の半減寿命を測定した結果を表２に示す。
［比較例２−１〜２−７］
実施例２−１において、正孔輸送材料として化合物２−Ｈ１の代わりに前記各比較化合物２−１〜２−７を用いた以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
また、得られた有機ＥＬ素子について、実施例２−１と同様にして、発光効率を測定し、発光色を観察し、さらに、初期輝度５０００ｃｄ／ｍ2、室温、ＤＣ定電流駆動での発光の半減寿命を測定した結果を表２に示す。
［実施例２−９（有機ＥＬ素子の製造）］
実施例２−１において、スチリル基を有するアミン化合物Ｄ１の代わりに下記アリールアミン化合物Ｄ２を用いた以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製した。Ｍｅはメチル基である。
また、得られた有機ＥＬ素子について、実施例２−１と同様にして、発光効率を測定し、発光色を観察し、さらに、初期輝度５０００ｃｄ／ｍ2、室温、ＤＣ定電流駆動での発光の半減寿命を測定した結果を表２に示す。
Figure 2010061824
［比較例２−８］
実施例２−９において、正孔輸送材料として化合物２−Ｈ１の代わりに上記比較化合物２−１を用いた以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
また、得られた有機ＥＬ素子について、実施例２−１と同様にして、発光効率を測定し、発光色を観察し、さらに、初期輝度５０００ｃｄ／ｍ2、室温、ＤＣ定電流駆動での発光の半減寿命を測定した結果を表２−１に示す。
Figure 2010061824
表２の結果より、本発明の芳香族アミン誘導体を用いた有機ＥＬ素子は、比較用の芳香族アミン誘導体を用いた有機ＥＬ素子と比べて高温時においても高い発光効率が得られ、半減寿命が長いことが明らかである。
以上詳細に説明したように、本発明の芳香族アミン誘導体は分子が結晶化しにくく、これを有機薄膜層に含有させることによって、有機ＥＬ素子を製造する際の歩留りが向上し、効率が高く、寿命が長い有機ＥＬ素子を実現できる。このため、実用性の高い有機ＥＬ素子として極めて有用である。

Claims (50)

  1. 分子中に、少なくとも１つの下記一般式（１）で表される置換基Ａと、少なくとも１つの下記一般式（２）又は（３）で表される置換基Ｂとを有し、置換基Ａ及び置換基Ｂは互いに異なる基であり、また、置換基Ａ及び置換基Ｂは分子中の同一又は異なる窒素原子に結合することを特徴とする芳香族アミン誘導体。
    Figure 2010061824
     ［式中、Ｌ1及びＬ2は、それぞれ独立に、単結合、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリーレン基を表し、Ｌ3は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリーレン基を表す。但し、Ｌ1〜Ｌ3が有してもよい置換基は、炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数３〜１０のトリアルキルシリル基、環形成炭素数１８〜３０のトリアリールシリル基、炭素数８〜１５のアルキルアリールシリル基（アリール部分の環形成炭素数は６〜１４）、環形成炭素数６〜１４のアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基である。
    Ｘは、酸素原子又は−Ｎ（Ａｒ1）−基を表す。
    Ａｒ1は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１４のアリール基を表し、Ａｒ1が有してもよい置換基は、炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数３〜１０のトリアルキルシリル基、環形成炭素数１８〜３０のトリアリールシリル基、炭素数８〜１５のアルキルアリールシリル基（アリール部分の環形成炭素数は６〜１４）、環形成炭素数６〜１４のアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基である。
    ａ、ｃ、ｅおよびｆは、それぞれ独立に、０〜４の整数を表す。
    ｂおよびｄは、それぞれ独立に、０〜３の整数を表す。
    Ｒ1〜Ｒ6は、それぞれ独立に、炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数３〜１０のトリアルキルシリル基、環形成炭素数１８〜３０のトリアリールシリル基、炭素数８〜１５のアルキルアリールシリル基（アリール部分の環形成炭素数は６〜１４）、環形成炭素数６〜１４のアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基を表す。隣接した複数のＲ1〜Ｒ6は、互いに結合して、環を形成する飽和もしくは不飽和の２価の基を形成してもよい。
    但し、芳香族アミン誘導体における水素原子は重水素原子を含む。］
  2. 前記一般式（２）におけるＸが−Ｎ（Ａｒ1）−基を表す場合、Ｌ2が下記一般式（４）で表される請求項１記載の芳香族アミン誘導体。
    Figure 2010061824
     [Ｒ7及びＲ8は、それぞれ独立に、炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数３〜１０のトリアルキルシリル基、環形成炭素数１８〜３０のトリアリールシリル基、炭素数８〜１５のアルキルアリールシリル基（アリール部分の環形成炭素数は６〜１４）、環形成炭素数６〜１６のアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基である。隣接した複数のＲ7及びＲ8は結合し、飽和もしくは不飽和の環を形成してもよい。
    ｇおよびｈは、それぞれ独立に、０〜４の整数である。]
  3. 前記置換基Ｂが、前記一般式（３）で表される請求項１記載の芳香族アミン誘導体。
  4. 前記一般式（３）におけるＬ3が下記一般式（４）で表される請求項１記載の芳香族アミン誘導体。
    Figure 2010061824
     [Ｒ7及びＲ8は、それぞれ独立に、炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数３〜１０のトリアルキルシリル基、環形成炭素数１８〜３０のトリアリールシリル基、炭素数８〜１５のアルキルアリールシリル基（アリール部分の環形成炭素数は６〜１４）、環形成炭素数６〜１６のアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基である。隣接した複数のＲ7及びＲ8は結合し、飽和もしくは不飽和の環を形成してもよい。
    ｇおよびｈは、それぞれ独立に、０〜４の整数である。]
  5. 前記置換基Ａが下記一般式（１）で表され、さらに前記置換基Ｂが下記一般式（２−１）又は下記一般式（３）で表される請求項１記載の芳香族アミン誘導体。
    Figure 2010061824
     ［式中、Ｌ1及びＬ2は、それぞれ独立に、単結合、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリーレン基を表し、Ｌ3は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリーレン基を表す。但し、Ｌ1〜Ｌ3が有してもよい置換基は、炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数３〜１０のトリアルキルシリル基、環形成炭素数１８〜３０のトリアリールシリル基、炭素数８〜１５のアルキルアリールシリル基（アリール部分の環形成炭素数は６〜１４）、環形成炭素数６〜１４のアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基である。
    Ａｒ1は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１４のアリール基を表し、Ａｒ1が有してもよい置換基は、炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数３〜１０のトリアルキルシリル基、環形成炭素数１８〜３０のトリアリールシリル基、炭素数８〜１５のアルキルアリールシリル基（アリール部分の環形成炭素数は６〜１４）、環形成炭素数６〜１４のアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基である。
    ａ、ｃ、ｅおよびｆは、それぞれ独立に、０〜４の整数を表す。
    ｂおよびｄは、それぞれ独立に、０〜３の整数を表す。
    Ｒ1〜Ｒ6は、それぞれ独立に、炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数３〜１０のトリアルキルシリル基、環形成炭素数１８〜３０のトリアリールシリル基、炭素数８〜１５のアルキルアリールシリル基（アリール部分の環形成炭素数は６〜１４）、環形成炭素数６〜１４のアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基を表す。隣接した複数のＲ1〜Ｒ6は、互いに結合して、環を形成する飽和もしくは不飽和の２価の基を形成してもよい。］
  6. 前記置換基Ａが下記一般式（１−１）又は（１−２）で表される請求項５記載の芳香族アミン誘導体。
    Figure 2010061824
  7. 前記置換基Ａ及び置換基Ｂが、それぞれ独立に、下記一般式（１）で表される請求項１に記載の芳香族アミン誘導体。
    Figure 2010061824
     ［式中、Ｌ1は、単結合、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリーレン基を表し、Ｌ1が有してもよい置換基は、炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数３〜１０のトリアルキルシリル基、環形成炭素数１８〜３０のトリアリールシリル基、炭素数８〜１５のアルキルアリールシリル基（アリール部分の環形成炭素数は６〜１４）、環形成炭素数６〜１４のアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基である。
    ａは、０〜４の整数を表す。
    ｂは、０〜３の整数を表す。
    Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立に、炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数３〜１０のトリアルキルシリル基、環形成炭素数１８〜３０のトリアリールシリル基、炭素数８〜１５のアルキルアリールシリル基（アリール部分の環形成炭素数は６〜１４）、環形成炭素数６〜１４のアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基を表す。隣接した複数のＲ1及びＲ2は、互いに結合して、環を形成する飽和もしくは不飽和の２価の基を形成してもよい。］
  8. 前記置換基Ａ及び置換基Ｂが、それぞれ独立に、下記一般式（１−１）〜（１−３）のいずれかで表される請求項７記載の芳香族アミン誘導体。
    Figure 2010061824
  9. 前記置換基Ａが前記一般式（１−１）で表され、前記置換基Ｂが前記一般式（１−２）で表される請求項８記載の芳香族アミン誘導体。
  10. 少なくとも１つのターフェニル基を有する請求項１記載の芳香族アミン誘導体。
  11. 下記一般式（５）〜（９）のいずれかで表される請求項１記載の芳香族アミン誘導体。
    Figure 2010061824
     ｛Ａｒ2〜Ａｒ4のうち少なくとも１つは前記一般式（１）で表される置換基Ａであり、少なくとも１つは前記一般式（２）又は（３）で表される置換基Ｂであり、置換基Ａと置換基Ｂは互いに異なる基である。
    Ａｒ5〜Ａｒ8のうち少なくとも１つは前記一般式（１）で表される置換基Ａであり、少なくとも１つは前記一般式（２）又は（３）で表される置換基Ｂであり、置換基Ａと置換基Ｂは互いに異なる基である。
    Ａｒ9〜Ａｒ13のうち少なくとも１つは前記一般式（１）で表される置換基Ａであり、少なくとも１つは前記一般式（２）又は（３）で表される置換基Ｂであり、置換基Ａと置換基Ｂは互いに異なる基である。
    Ａｒ14〜Ａｒ19のうち少なくとも１つは前記一般式（１）で表される置換基Ａであり、少なくとも１つは前記一般式（２）又は（３）で表される置換基Ｂであり、置換基Ａと置換基Ｂは互いに異なる基である。
    Ａｒ20〜Ａｒ25のうち少なくとも１つは前記一般式（１）で表される置換基Ａであり、少なくとも１つは前記一般式（２）又は（３）で表される置換基Ｂであり、置換基Ａと置換基Ｂは互いに異なる基である。
    Ａｒ2〜Ａｒ25のうち、前記置換基Ａ又は置換基Ｂでない基は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基である。
    Ｌ4〜Ｌ12は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリーレン基を表す。
    Ａｒ2〜Ａｒ25及びＬ4〜Ｌ12が有してもよい置換基は、それぞれ独立に、炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数３〜１０のトリアルキルシリル基、環形成炭素数１８〜３０のトリアリールシリル基、炭素数８〜１５のアルキルアリールシリル基（アリール部分の環形成炭素数は６〜１４）、環形成炭素数６〜１４のアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基である。
  12. 前記一般式（５）で表される請求項１１に記載の芳香族アミン誘導体。
  13. 前記Ｌ1〜Ｌ12が、それぞれ独立に、フェニレン基、ナフチレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、フルオレニレン基又は９，９−ジメチルフルオレニレン基である請求項１１記載の芳香族アミン誘導体。
  14. 前記Ｌ1〜Ｌ12が、それぞれ独立に、下記一般式（４）、（１０）及び（１１）のいずれかで表される請求項１１のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体。
    Figure 2010061824
     [Ｒ7〜Ｒ11は、それぞれ独立に、炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数３〜１０のトリアルキルシリル基、環形成炭素数１８〜３０のトリアリールシリル基、炭素数８〜１５のアルキルアリールシリル基（アリール部分の環形成炭素数は６〜１４）、環形成炭素数６〜１６のアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基である。隣接した複数のＲ7〜Ｒ11は結合し、飽和もしくは不飽和の環を形成してもよい。Ｒ12およびＲ13は、それぞれ独立に、炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、あるいは、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基である。
    ｇ、ｈおよびｉは、それぞれ独立に、０〜４の整数である。ｊおよびｋは、それぞれ独立に、０〜３の整数である]
  15. 前記一般式（５）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ2が前記一般式（１）で表され、Ａｒ3とＡｒ4がそれぞれ独立に前記一般式（３）または（２−１）で表される請求項１１記載の芳香族アミン誘導体。
  16. 前記一般式（５）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ2とＡｒ3が前記一般式（１）で表され、Ａｒ4が前記一般式（３）または（２−１）で表される請求項１１記載の芳香族アミン誘導体。
  17. 前記一般式（５）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ2が前記一般式（１）で表され、Ａｒ3が前記一般式（３）または（２−１）で表され、Ａｒ4が置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基である［但し、Ａｒ4の置換基は、それぞれ独立に環形成炭素数６〜５０のアリール基、炭素数１〜５０の分岐もしくは直鎖のアルキル基、ハロゲン原子およびシアノ基のいずれかである］請求項１１記載の芳香族アミン誘導体。
  18. 前記一般式（６）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ5とＡｒ6が前記一般式（１）で表され、Ａｒ7とＡｒ8がそれぞれ独立に前記一般式（３）または（２−１）で表される請求項１１記載の芳香族アミン誘導体。
  19. 前記一般式（６）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ5とＡｒ7が前記一般式（１）で表され、Ａｒ6とＡｒ8がそれぞれ独立に前記一般式（３）または（２−１）で表される請求項１１記載の芳香族アミン誘導体。
  20. 前記一般式（７）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ9が前記一般式（１）で表され、Ａｒ11とＡｒ12がそれぞれ独立に前記一般式（３）または（２−１）で表される請求項１１記載の芳香族アミン誘導体。
  21. 前記一般式（７）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ11とＡｒ12が前記一般式（１）で表され、Ａｒ9が前記一般式（３）または（２−１）で表される請求項１１記載の芳香族アミン誘導体。
  22. 前記一般式（８）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ14とＡｒ19が前記一般式（１）で表され、Ａｒ16とＡｒ17がそれぞれ独立に前記一般式（３）または（１）で表される請求項１１記載の芳香族アミン誘導体。
  23. 前記一般式（８）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ16とＡｒ17が前記一般式（１）で表され、Ａｒ14とＡｒ19がそれぞれ独立に前記一般式（３）または（２−１）で表される請求項１１記載の芳香族アミン誘導体。
  24. 前記一般式（９）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ20、Ａｒ22及びＡｒ24が前記一般式（１）で表され、Ａｒ21、Ａｒ23及びＡｒ25がそれぞれ独立に前記一般式（３）または（２−１）で表される請求項１１記載の芳香族アミン誘導体。
  25. 前記一般式（５）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ2〜Ａｒ4が前記一般式（１−２）で表される請求項１１記載の芳香族アミン誘導体。
  26. 前記一般式（５）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ2〜Ａｒ4が前記一般式（１−１）で表される請求項１１記載の芳香族アミン誘導体。
  27. 前記一般式（５）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ2〜Ａｒ4のうち２つが前記一般式（１−２）で表され、１つが置換、または無置換の環形成炭素数が６〜１６のアリール基である請求項１１記載の芳香族アミン誘導体。
  28. 前記一般式（５）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ2〜Ａｒ4のうち２つが前記一般式（１−１）で表され、１つが置換、または無置換の環形成炭素数が６〜１６のアリール基である請求項１１記載の芳香族アミン誘導体。
  29. 前記一般式（５）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ2〜Ａｒ4のうち少なくとも１つが前記一般式（１−２）で表され、少なくとも一つが前記一般式（１−１）で表される請求項１１記載の芳香族アミン誘導体。
  30. 前記一般式（５）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ2が前記一般式（１−２）で表され、Ａｒ3及びＡｒ4が、それぞれ独立に、前記一般式（１−１）で表される請求項１１記載の芳香族アミン誘導体。
  31. 前記一般式（５）で表される芳香族アミン誘導体であって、前記Ａｒ2及びＡｒ3が前記一般式（１−３）で表され、Ａｒ4が前記一般式（１−１）で表される請求項１１記載の芳香族アミン誘導体。
  32. Ａｒ5〜Ａｒ8のうち少なくとも２つ、Ａｒ9〜Ａｒ13のうち少なくとも２つ、Ａｒ14〜Ａｒ19のうち少なくとも１つ、またはＡｒ20〜Ａｒ25のうち少なくとも１つが前記一般式（１−２）または前記一般式（１−１）で表される請求項１１記載の芳香族アミン誘導体。
  33. 前記Ａｒ5〜Ａｒ8のうち少なくとも１つは前記一般式（１−２）で表され、一般式（１−２）ではないＡｒ5〜Ａｒ8のうち少なくとも１つは前記一般式（１−１）で表される前記一般式（６）の芳香族アミン誘導体、前記Ａｒ9〜Ａｒ13のうち少なくとも１つは前記一般式（１−２）で表され、一般式（１−２）ではないＡｒ9〜Ａｒ13のうち少なくとも１つは前記一般式（１−１）で表される前記一般式（７）の芳香族アミン誘導体、前記Ａｒ14〜Ａｒ19のうち少なくとも１つは前記一般式（１−２）で表され、一般式（１−２）ではないＡｒ14〜Ａｒ19のうち少なくとも１つは前記一般式（１−１）で表される前記一般式（８）の芳香族アミン誘導体および前記Ａｒ20〜Ａｒ25のうち少なくとも１つは下記一般式（１−２）で表され、一般式（１−２）ではないＡｒ20〜Ａｒ25のうち少なくとも１つは下記一般式（１−１）で表される前記一般式（９）の芳香族アミン誘導体のいずれかである請求項１１記載の芳香族アミン誘導体。
  34. 前記Ａｒ5が前記一般式（１−２）で表され、Ａｒ6が前記一般式（１−１）で表される前記一般式（５）の芳香族アミン誘導体である請求項１１記載の芳香族アミン誘導体。
  35. 前記Ａｒ5とＡｒ7が前記一般式（１−２）で表され、Ａｒ6とＡｒ8が前記一般式（１−１）で表される前記一般式（５）の芳香族アミン誘導体である請求項１１記載の芳香族アミン誘導体。
  36. 前記Ａｒ9が前記一般式（１−２）で表され、Ａｒ11とＡｒ12が前記一般式（１−１）で表される前記一般式（６）の芳香族アミン誘導体である請求項１１記載の芳香族アミン誘導体。
  37. 前記Ａｒ10とＡｒ13が前記一般式（１−２）で表され、Ａｒ11とＡｒ12が前記一般式（１−１）で表される前記一般式（６）の芳香族アミン誘導体である請求項１１記載の芳香族アミン誘導体。
  38. 前記Ａｒ14とＡｒ19が前記一般式（１−２）で表され、Ａｒ16とＡｒ17が前記一般式（１−１）で表される前記一般式（８）の芳香族アミン誘導体である請求項１１記載の芳香族アミン誘導体。
  39. 前記Ａｒ15とＡｒ18が前記一般式（１−２）で表され、Ａｒ16とＡｒ17が前記一般式（１−１）で表される前記一般式（８）の芳香族アミン誘導体である請求項１１記載の芳香族アミン誘導体。
  40. 前記Ａｒ20、Ａｒ22及びＡｒ24が前記一般式（１−２）で表され、Ａｒ21、Ａｒ23及びＡｒ25が前記一般式（１−１）で表される前記一般式（９）の芳香族アミン誘導体である請求項１１記載の芳香族アミン誘導体。
  41. 前記Ａｒ2〜Ａｒ25のうち置換基Ａ又は置換基Ｂでない基が、それぞれ独立に、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、ターフェニル基又はフルオレニル基である請求項１１に記載の芳香族アミン誘導体。
  42. 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料である請求項１記載の芳香族アミン誘導体。
  43. 有機エレクトロルミネッセンス素子用正孔輸送材料である請求項１記載の芳香族アミン誘導体。
  44. 陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機薄膜層の少なくとも１層が、請求項１記載の芳香族アミン誘導体を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
  45. 前記有機薄膜層が正孔輸送層及び／又は正孔注入層を有し、請求項１記載の芳香族アミン誘導体が該正孔輸送層及び／又は正孔注入層に含有されている請求項４４記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  46. 前記有機薄膜層が、少なくとも正孔輸送層及び正孔注入層を含む正孔輸送帯域を有し、該正孔輸送帯域のうち、発光層に直接接しない層に請求項１記載の芳香族アミン誘導体が含有されている請求項４４記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  47. 請求項１記載の芳香族アミン誘導体が主成分として正孔輸送層及び／又は正孔注入層に含有されている請求項４４記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  48. 発光層にスチリルアミン化合物及び／又はアリールアミン化合物を含有する請求項４４記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  49. 前記正孔注入層及び／又は正孔輸送層を構成する各層のうち陽極に接する層が、アクセプター材料を含有する層である請求項４４記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  50. 青色系発光する請求項４４記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
JP2010540480A 2008-11-25 2009-11-24 芳香族アミン誘導体及び有機エレクトロルミネッセンス素子 Active JP5608095B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010540480A JP5608095B2 (ja) 2008-11-25 2009-11-24 芳香族アミン誘導体及び有機エレクトロルミネッセンス素子

Applications Claiming Priority (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008299983 2008-11-25
JP2008299983 2008-11-25
JP2009003660 2009-01-09
JP2009003660 2009-01-09
JP2009086441 2009-03-31
JP2009086441 2009-03-31
PCT/JP2009/069808 WO2010061824A1 (ja) 2008-11-25 2009-11-24 芳香族アミン誘導体及び有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2010540480A JP5608095B2 (ja) 2008-11-25 2009-11-24 芳香族アミン誘導体及び有機エレクトロルミネッセンス素子

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2010061824A1 true JPWO2010061824A1 (ja) 2012-04-26
JP5608095B2 JP5608095B2 (ja) 2014-10-15

Family

ID=42225697

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010540480A Active JP5608095B2 (ja) 2008-11-25 2009-11-24 芳香族アミン誘導体及び有機エレクトロルミネッセンス素子

Country Status (7)

Country Link
US (3) US8614010B2 (ja)
EP (2) EP3156403B1 (ja)
JP (1) JP5608095B2 (ja)
KR (4) KR20170127068A (ja)
CN (2) CN105061371B (ja)
TW (1) TWI498313B (ja)
WO (1) WO2010061824A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10944061B2 (en) * 2010-09-08 2021-03-09 Udc Ireland Limited Organic electroluminescent element and compound

Families Citing this family (127)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8614010B2 (en) * 2008-11-25 2013-12-24 Idemitsu Kosan, Co., Ltd. Aromatic amine derivative, and organic electroluminescent element
KR20120022859A (ko) * 2009-04-01 2012-03-12 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 유기 전기발광 소자
DE202010018533U1 (de) 2009-08-19 2017-06-08 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Aromatische Amin-Derivate und diese verwendende organische Elektrolumineszenzelemente
JP5742092B2 (ja) * 2009-09-02 2015-07-01 三菱化学株式会社 有機化合物、電荷輸送材料、有機電界発光素子用組成物、有機電界発光素子、有機ｅｌディスプレイ及び有機ｅｌ照明
EP2484665A4 (en) * 2009-10-02 2013-03-20 Idemitsu Kosan Co AROMATIC AMINE DERIVATIVE AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENE ELEMENT
KR101311935B1 (ko) 2010-04-23 2013-09-26 제일모직주식회사 유기광전소자용 화합물 및 이를 포함하는 유기광전소자
KR20120009761A (ko) * 2010-07-21 2012-02-02 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR20120042633A (ko) * 2010-08-27 2012-05-03 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
WO2012177006A2 (ko) * 2011-06-22 2012-12-27 덕산하이메탈(주) 유기전기소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
EP2755254B1 (en) 2011-09-09 2018-02-21 LG Chem, Ltd. Material for organic light-emitting device, and organic light-emitting device using same
CN104105777B (zh) * 2011-10-27 2016-08-24 默克专利有限公司 用于电子器件的材料
TWI475092B (zh) * 2012-01-05 2015-03-01 E Ray Optoelectronics Tech Co 咔唑衍生物及其有機電激發光裝置及製造方法
EP2816025B1 (en) 2012-02-10 2018-12-26 Idemitsu Kosan Co., Ltd Aromatic amine derivative, organic electroluminescent element and electronic device
US9985232B2 (en) 2012-05-17 2018-05-29 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Biscarbazole derivative host materials for OLED emissive region
JP6060530B2 (ja) 2012-06-12 2017-01-18 ソニー株式会社 有機電界発光素子及び表示装置
JP6088161B2 (ja) * 2012-06-29 2017-03-01 出光興産株式会社 芳香族アミン誘導体及び有機エレクトロルミネッセンス素子
US20150228899A1 (en) * 2012-08-31 2015-08-13 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescent element
WO2014034795A1 (ja) 2012-08-31 2014-03-06 出光興産株式会社 芳香族アミン誘導体およびこれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2014110313A (ja) 2012-11-30 2014-06-12 Samsung Display Co Ltd 有機電界発光素子用正孔輸送材料及びそれを用いた有機電界発光素子
KR101684979B1 (ko) 2012-12-31 2016-12-09 제일모직 주식회사 유기광전자소자 및 이를 포함하는 표시장치
KR101627755B1 (ko) 2013-06-13 2016-06-07 제일모직 주식회사 유기 화합물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
US10840454B2 (en) 2013-06-14 2020-11-17 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting devices
KR102231935B1 (ko) 2013-08-05 2021-03-25 덕산네오룩스 주식회사 유기전기 소자용 화합물을 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
WO2015020348A1 (ko) * 2013-08-05 2015-02-12 덕산하이메탈(주) 유기전기 소자용 화합물을 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
JP6516407B2 (ja) 2013-12-20 2019-05-22 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
KR102543271B1 (ko) 2014-02-28 2023-06-14 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 화합물, 유기 전기발광 소자용 재료, 유기 전기발광 소자 및 전자 기기
KR102203102B1 (ko) * 2014-03-05 2021-01-15 삼성디스플레이 주식회사 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
KR101837565B1 (ko) 2014-08-06 2018-03-12 삼성에스디아이 주식회사 유기 화합물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
JP6788335B2 (ja) 2014-08-11 2020-11-25 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 有機エレクトロルミネッセンス素子用モノアミン材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
KR20160030435A (ko) * 2014-09-09 2016-03-18 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 소자
JP5848480B1 (ja) 2014-10-28 2016-01-27 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP6556995B2 (ja) * 2014-10-28 2019-08-07 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP6468800B2 (ja) 2014-10-29 2019-02-13 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． アミン誘導体、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP6674734B2 (ja) 2014-10-29 2020-04-01 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
KR102401598B1 (ko) 2014-11-07 2022-05-25 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 소자
JP6506534B2 (ja) 2014-11-07 2019-04-24 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 有機電界発光素子用材料及びこれを用いた有機電界発光素子
JP2016100364A (ja) 2014-11-18 2016-05-30 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
KR101796288B1 (ko) * 2014-12-02 2017-11-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 소자
CN104505464B (zh) * 2014-12-31 2016-08-31 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种有机电致发光器件
US9929361B2 (en) 2015-02-16 2018-03-27 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11056657B2 (en) 2015-02-27 2021-07-06 University Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9859510B2 (en) 2015-05-15 2018-01-02 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10418568B2 (en) 2015-06-01 2019-09-17 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
JP6600495B2 (ja) 2015-06-17 2019-10-30 三星ディスプレイ株式會社 有機電界発光素子用材料及びこれを用いた有機電界発光素子
KR102560940B1 (ko) 2015-06-17 2023-08-01 삼성디스플레이 주식회사 모노 아민 유도체 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
JP6661289B2 (ja) 2015-07-08 2020-03-11 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
US11127905B2 (en) 2015-07-29 2021-09-21 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10672996B2 (en) 2015-09-03 2020-06-02 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
JP6827421B2 (ja) * 2015-10-06 2021-02-10 出光興産株式会社 化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子機器
US20170229663A1 (en) 2016-02-09 2017-08-10 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
MY188668A (en) * 2016-03-25 2021-12-22 Toray Industries Light source unit, laminated member, and display and lighting apparatus including them
US10236456B2 (en) 2016-04-11 2019-03-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10672997B2 (en) 2016-06-20 2020-06-02 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11482683B2 (en) 2016-06-20 2022-10-25 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10862054B2 (en) 2016-06-20 2020-12-08 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10608186B2 (en) 2016-09-14 2020-03-31 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10680187B2 (en) 2016-09-23 2020-06-09 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11196010B2 (en) 2016-10-03 2021-12-07 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11011709B2 (en) 2016-10-07 2021-05-18 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
JP6795728B2 (ja) * 2016-11-02 2020-12-02 コニカミノルタ株式会社 電子輸送材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置および照明装置
US20180130956A1 (en) 2016-11-09 2018-05-10 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10680188B2 (en) 2016-11-11 2020-06-09 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11780865B2 (en) 2017-01-09 2023-10-10 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
KR102557516B1 (ko) * 2017-03-02 2023-07-20 메르크 파텐트 게엠베하 유기 전자 디바이스용 재료
CN106946865B (zh) * 2017-03-04 2019-04-05 长春海谱润斯科技有限公司 一种芳香胺衍生物及其制备方法和应用
JP2020093979A (ja) 2017-03-08 2020-06-18 出光興産株式会社 化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、及び電子機器
CN110382488B (zh) 2017-03-08 2023-11-03 出光兴产株式会社 化合物、有机电致发光元件用材料、有机电致发光元件和电子设备
US10844085B2 (en) 2017-03-29 2020-11-24 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10944060B2 (en) 2017-05-11 2021-03-09 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US12098157B2 (en) 2017-06-23 2024-09-24 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11228010B2 (en) 2017-07-26 2022-01-18 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11744142B2 (en) 2017-08-10 2023-08-29 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20190161504A1 (en) 2017-11-28 2019-05-30 University Of Southern California Carbene compounds and organic electroluminescent devices
EP3492480B1 (en) 2017-11-29 2021-10-20 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11937503B2 (en) 2017-11-30 2024-03-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11542289B2 (en) 2018-01-26 2023-01-03 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
CN111902409A (zh) 2018-03-28 2020-11-06 出光兴产株式会社 化合物、有机电致发光元件用材料、有机电致发光元件和电子设备
US20200075870A1 (en) 2018-08-22 2020-03-05 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
KR102714929B1 (ko) * 2018-09-27 2024-10-10 삼성디스플레이 주식회사 아민계 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
KR102308281B1 (ko) 2018-11-06 2021-10-01 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자
CN113227083A (zh) 2018-11-30 2021-08-06 出光兴产株式会社 化合物、有机电致发光元件用材料、有机电致发光元件和电子设备
US11737349B2 (en) 2018-12-12 2023-08-22 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11780829B2 (en) 2019-01-30 2023-10-10 The University Of Southern California Organic electroluminescent materials and devices
KR102179928B1 (ko) * 2019-01-30 2020-11-17 엘티소재주식회사 화합물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
US20200251664A1 (en) 2019-02-01 2020-08-06 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
JP2020158491A (ja) 2019-03-26 2020-10-01 ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション 有機エレクトロルミネセンス材料及びデバイス
WO2020218451A1 (ja) * 2019-04-26 2020-10-29 国立大学法人北海道大学 希土類錯体、希土類錯体溶液、発光性成形体、発光性物品を製造する方法、発光性シート、及び農業用ビニールハウス
US20210032278A1 (en) 2019-07-30 2021-02-04 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20210047354A1 (en) 2019-08-16 2021-02-18 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
CN110702746B (zh) * 2019-10-28 2021-12-10 苏州大学 稠环方酰胺聚合物、基于稠环方酰胺聚合物的湿敏传感器及其制备方法
CN110702747B (zh) * 2019-10-28 2021-12-10 苏州大学 二氨基蒽醌方酰胺聚合物、基于该方酰胺聚合物的湿敏传感器及其制备方法
US20210135130A1 (en) 2019-11-04 2021-05-06 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
CN111007116B (zh) * 2020-01-06 2021-11-09 苏州大学 稠环方酰胺聚合物二氧化氮传感器及其制备方法和用途
US20210217969A1 (en) 2020-01-06 2021-07-15 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20220336759A1 (en) 2020-01-28 2022-10-20 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3937268A1 (en) 2020-07-10 2022-01-12 Universal Display Corporation Plasmonic oleds and vertical dipole emitters
US20220158096A1 (en) 2020-11-16 2022-05-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20220165967A1 (en) 2020-11-24 2022-05-26 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20220162243A1 (en) 2020-11-24 2022-05-26 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20220271241A1 (en) 2021-02-03 2022-08-25 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4060758A3 (en) 2021-02-26 2023-03-29 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4059915A3 (en) 2021-02-26 2022-12-28 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20220298192A1 (en) 2021-03-05 2022-09-22 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20220298190A1 (en) 2021-03-12 2022-09-22 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20220298193A1 (en) 2021-03-15 2022-09-22 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20220340607A1 (en) 2021-04-05 2022-10-27 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4075531A1 (en) 2021-04-13 2022-10-19 Universal Display Corporation Plasmonic oleds and vertical dipole emitters
US20220352478A1 (en) 2021-04-14 2022-11-03 Universal Display Corporation Organic eletroluminescent materials and devices
US20230006149A1 (en) 2021-04-23 2023-01-05 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20220407020A1 (en) 2021-04-23 2022-12-22 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20230133787A1 (en) 2021-06-08 2023-05-04 University Of Southern California Molecular Alignment of Homoleptic Iridium Phosphors
EP4151699A1 (en) 2021-09-17 2023-03-22 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
CN117343078A (zh) 2021-11-25 2024-01-05 北京夏禾科技有限公司 有机电致发光材料和器件
US20240343970A1 (en) 2021-12-16 2024-10-17 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4231804A3 (en) 2022-02-16 2023-09-20 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20230292592A1 (en) 2022-03-09 2023-09-14 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20230337516A1 (en) 2022-04-18 2023-10-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20230389421A1 (en) 2022-05-24 2023-11-30 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4293001A1 (en) 2022-06-08 2023-12-20 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20240016051A1 (en) 2022-06-28 2024-01-11 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20240107880A1 (en) 2022-08-17 2024-03-28 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20240188316A1 (en) 2022-10-27 2024-06-06 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20240196730A1 (en) 2022-10-27 2024-06-13 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20240180025A1 (en) 2022-10-27 2024-05-30 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20240188419A1 (en) 2022-10-27 2024-06-06 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20240188319A1 (en) 2022-10-27 2024-06-06 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20240247017A1 (en) 2022-12-14 2024-07-25 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004536134A (ja) * 2001-07-17 2004-12-02 シーディーティー オックスフォード リミテッド 複素環基を含む第３級ジアミン及び有機電子冷光放射装置におけるその使用
WO2006073054A1 (ja) * 2005-01-05 2006-07-13 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2007125714A1 (ja) * 2006-04-26 2007-11-08 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 芳香族アミン誘導体及びそれらを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2007148660A1 (ja) * 2006-06-22 2007-12-27 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 複素環含有アリールアミン誘導体を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2008023549A1 (fr) * 2006-08-23 2008-02-28 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Dérivés d'amines aromatiques et dispositifs électroluminescents organiques fabriqués à l'aide de ces dérivés
JP2008078362A (ja) * 2006-09-21 2008-04-03 Toray Ind Inc 発光素子材料および発光素子
WO2008062636A1 (en) * 2006-11-24 2008-05-29 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Aromatic amine derivative and organic electroluminescent element using the same
JP2008195841A (ja) * 2007-02-14 2008-08-28 Toray Ind Inc 発光素子材料および発光素子
WO2009008099A1 (ja) * 2007-07-10 2009-01-15 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子

Family Cites Families (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2501198B2 (ja) 1986-05-30 1996-05-29 キヤノン株式会社 電子写真感光体
US4720432A (en) 1987-02-11 1988-01-19 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with organic luminescent medium
US5021687A (en) 1990-02-01 1991-06-04 National Semiconductor Corporation High speed inverting hysteresis TTL buffer circuit
US5061569A (en) 1990-07-26 1991-10-29 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with organic electroluminescent medium
JP3674133B2 (ja) 1996-03-18 2005-07-20 東レ株式会社 発光素子
US6242115B1 (en) 1997-09-08 2001-06-05 The University Of Southern California OLEDs containing thermally stable asymmetric charge carrier materials
JP3633236B2 (ja) 1997-10-06 2005-03-30 東洋インキ製造株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子
US6579630B2 (en) * 2000-12-07 2003-06-17 Canon Kabushiki Kaisha Deuterated semiconducting organic compounds used for opto-electronic devices
JP2003031371A (ja) 2001-07-17 2003-01-31 Mitsubishi Chemicals Corp 有機電界発光素子及び青色発光素子
JP4276398B2 (ja) 2001-12-10 2009-06-10 三井化学株式会社 非対称アリールアミン化合物の製造方法、該製造方法により製造された非対称アリールアミン化合物、および、該非対称アリールアミン化合物を使用した有機電界発光素子。
DE10203328A1 (de) 2002-01-28 2003-08-07 Syntec Ges Fuer Chemie Und Tec Neue Triarylamin-Derivate mit raumfüllenden Flügelgruppen und ihre Einsatz in elektro-fotografischen und organischen elektrolumineszenten Vorrichtungen
JP4427947B2 (ja) 2002-11-18 2010-03-10 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置
US6830834B2 (en) 2003-04-29 2004-12-14 Canon Kabushiki Kaisha Organic light emitting devices with host-guest bonding
JP5112601B2 (ja) 2003-10-07 2013-01-09 三井化学株式会社 複素環化合物および該化合物を含有する有機電界発光素子
JP4992183B2 (ja) 2004-02-10 2012-08-08 三菱化学株式会社 発光層形成材料及び有機電界発光素子
KR100787425B1 (ko) 2004-11-29 2007-12-26 삼성에스디아이 주식회사 페닐카바졸계 화합물 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자
KR100573137B1 (ko) 2004-04-02 2006-04-24 삼성에스디아이 주식회사 플루오렌계 화합물 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자
KR100846586B1 (ko) 2006-05-29 2008-07-16 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 구비한 평판 표시 장치
TWI373506B (en) * 2004-05-21 2012-10-01 Toray Industries Light-emitting element material and light-emitting material
JP4677221B2 (ja) 2004-11-26 2011-04-27 キヤノン株式会社 有機発光素子
US8778507B2 (en) 2005-04-14 2014-07-15 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescent device, display and illuminating device
KR101267114B1 (ko) 2005-04-18 2013-05-23 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 방향족 트라이아민 화합물 및 그것을 이용한 유기 전기발광소자
KR100739498B1 (ko) 2005-05-07 2007-07-19 주식회사 두산 중수소화된 신규 아릴아민 유도체, 그 제조 방법 및 이를이용한 유기 전계 발광 소자
DE102005023437A1 (de) 2005-05-20 2006-11-30 Merck Patent Gmbh Verbindungen für organische elektronische Vorrichtungen
ATE455162T1 (de) 2005-05-30 2010-01-15 Basf Se Elektrolumineszenz-gerät
CN101243038A (zh) 2005-08-12 2008-08-13 株式会社半导体能源研究所 芳胺化合物及其合成方法
JP5708426B2 (ja) 2005-09-13 2015-04-30 三菱化学株式会社 有機電界発光素子用組成物及び有機電界発光素子
JP4893173B2 (ja) 2005-09-13 2012-03-07 三菱化学株式会社 有機電界発光素子用組成物及び有機電界発光素子
JP4963248B2 (ja) 2006-03-20 2012-06-27 株式会社半導体エネルギー研究所 芳香族アミン化合物
US8623522B2 (en) 2006-04-26 2014-01-07 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Aromatic amine derivative and electroluminescence device using the same
JP2008021687A (ja) 2006-07-10 2008-01-31 Mitsubishi Chemicals Corp 有機電界発光素子用材料、有機電界発光素子用組成物及び有機電界発光素子
JP5125480B2 (ja) 2007-01-15 2013-01-23 三菱化学株式会社 正孔輸送材料、該正孔輸送材料を重合させてなる高分子化合物、有機電界発光素子用組成物および有機電界発光素子
JP5194456B2 (ja) * 2007-01-23 2013-05-08 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び照明装置の製造方法
EP2177516A4 (en) * 2007-08-06 2013-03-27 Idemitsu Kosan Co AROMATIC AMINE DERIVATIVE AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE USING THE SAME
US8106391B2 (en) * 2007-09-28 2012-01-31 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic EL device
JP5593696B2 (ja) 2007-11-08 2014-09-24 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
KR20090048299A (ko) 2007-11-08 2009-05-13 주식회사 엘지화학 새로운 유기 발광 소자 재료 및 이를 이용한 유기 발광소자
KR102563248B1 (ko) 2007-12-03 2023-08-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 카바졸 유도체, 및 카바졸 유도체를 사용하는 발광 소자, 발광 장치 및 전자 기기
EP2239259B1 (en) 2007-12-28 2016-04-13 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Aromatic amine derivative and use of the same in an organic electroluminescent device
JP4825816B2 (ja) 2008-01-18 2011-11-30 三井化学株式会社 化合物、およびそれを含む有機電界発光素子
KR100966885B1 (ko) 2008-02-29 2010-06-30 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고있는 유기 전계 발광 소자
GB0804469D0 (en) 2008-03-11 2008-04-16 Oled T Ltd Compounds having electroluminescent or electron transport properties
KR100946409B1 (ko) 2008-03-19 2010-03-09 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고있는 유기 전계 발광 소자
JP5193295B2 (ja) * 2008-05-29 2013-05-08 出光興産株式会社 芳香族アミン誘導体及びそれらを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2010092940A (ja) 2008-10-03 2010-04-22 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
US8614010B2 (en) * 2008-11-25 2013-12-24 Idemitsu Kosan, Co., Ltd. Aromatic amine derivative, and organic electroluminescent element

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004536134A (ja) * 2001-07-17 2004-12-02 シーディーティー オックスフォード リミテッド 複素環基を含む第３級ジアミン及び有機電子冷光放射装置におけるその使用
WO2006073054A1 (ja) * 2005-01-05 2006-07-13 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2007125714A1 (ja) * 2006-04-26 2007-11-08 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 芳香族アミン誘導体及びそれらを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2007148660A1 (ja) * 2006-06-22 2007-12-27 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 複素環含有アリールアミン誘導体を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2008023549A1 (fr) * 2006-08-23 2008-02-28 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Dérivés d'amines aromatiques et dispositifs électroluminescents organiques fabriqués à l'aide de ces dérivés
JP2008078362A (ja) * 2006-09-21 2008-04-03 Toray Ind Inc 発光素子材料および発光素子
WO2008062636A1 (en) * 2006-11-24 2008-05-29 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Aromatic amine derivative and organic electroluminescent element using the same
JP2008195841A (ja) * 2007-02-14 2008-08-28 Toray Ind Inc 発光素子材料および発光素子
WO2009008099A1 (ja) * 2007-07-10 2009-01-15 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2009008100A1 (ja) * 2007-07-10 2009-01-15 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10944061B2 (en) * 2010-09-08 2021-03-09 Udc Ireland Limited Organic electroluminescent element and compound

Also Published As

Publication number Publication date
CN105061371B (zh) 2019-02-15
CN102224150A (zh) 2011-10-19
KR20140146045A (ko) 2014-12-24
EP2364980B1 (en) 2017-01-04
CN102224150B (zh) 2015-08-12
KR20110097784A (ko) 2011-08-31
EP2364980A4 (en) 2012-06-13
US20110278551A1 (en) 2011-11-17
CN105061371A (zh) 2015-11-18
EP2364980A1 (en) 2011-09-14
US8614010B2 (en) 2013-12-24
KR101571986B1 (ko) 2015-11-25
KR20170127068A (ko) 2017-11-20
EP3156403B1 (en) 2019-08-28
TWI498313B (zh) 2015-09-01
US20120175600A1 (en) 2012-07-12
KR101600127B1 (ko) 2016-03-04
JP5608095B2 (ja) 2014-10-15
US9054322B2 (en) 2015-06-09
US20150255729A1 (en) 2015-09-10
KR20160028507A (ko) 2016-03-11
EP3156403A1 (en) 2017-04-19
WO2010061824A1 (ja) 2010-06-03
US9972786B2 (en) 2018-05-15
TW201029956A (en) 2010-08-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5608095B2 (ja) 芳香族アミン誘導体及び有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5429673B2 (ja) 芳香族アミン誘導体、及びそれらを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5473600B2 (ja) クリセン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5631451B2 (ja) アントラセン誘導体及びそれを利用した有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5847354B2 (ja) アントラセン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5193295B2 (ja) 芳香族アミン誘導体及びそれらを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5399920B2 (ja) 縮合芳香族誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
KR20100088612A (ko) 벤조크리센 유도체 및 이것을 사용한 유기 전계 발광 소자
WO2010098458A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2009154207A1 (ja) アントラセン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2009133917A1 (ja) アントラセン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2009142230A1 (ja) アントラセン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120227

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20131112

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140110

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140212

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140212

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140408

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140805

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140829

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5608095

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150