JPWO2009144978A1 - 放射線画像変換パネルの製造方法、及び放射線画像変換パネル - Google Patents

Abstract

画像欠陥、長期保存後の画像ムラの劣化がない放射線画像変換パネルの製造方法、及び該製造方法で製造された放射線画像変換パネルを提供することが課題であり、製造方法は、支持体上に蛍光体層を蒸着し、その上に保護層によりラミネートし、その後に所定のサイズに断裁することを特徴とする。

Description

本発明は、放射線画像変換パネルの製造方法、及び該製造方法で製造された放射線画像変換パネルに関する。

蒸着による柱状結晶を持つ蛍光体プレートは従来の塗布型プレートに比べ、発光の取り出し効率が高く、良好な画像特性が得られることが知られている。しかし、柱状結晶を持つ蛍光体プレートは通常蒸着法で作製するため、バインダー樹脂を含む塗布型の蛍光体プレートと違い非常にもろく、打ち抜き断裁を行った場合、プレートに亀裂が生じる、欠けた結晶のカスが蛍光体の上に乗って画像故障の原因になるなどの問題が生じている（例えば、特許文献１、２参照）。
特開２００４−１５４９１３号公報 特開平２−５８０００号公報

特に結晶の特性を向上させるため、蒸着及びその後工程に加熱が行われるが、この熱により基板にひずみが生じ、更に断裁適性を劣化させている。このような問題を解決するため、レーザ断裁によるプレート加工も検討されているが、断裁時に発生するカスが蛍光体の上に乗り画像故障の原因となっている。

従って、本発明の目的は、画像欠陥、長期保存後の画像ムラの劣化がない放射線画像変換パネルの製造方法、及び該製造方法で製造された放射線画像変換パネルを提供することである。

本発明の上記目的は、下記構成により達成される。

１．支持体上に蛍光体層を蒸着し、その上に保護層をラミネートし、その後に所定のサイズに断裁することを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。

２．前記所定のサイズに断裁することがレーザ光により行われることを特徴とする前記１に記載の放射線画像変換パネルの製造方法。

３．前記ラミネートが保護層と離型層を持つラミネートフィルムを該保護層が前記蛍光体層と接着するように行い、所定のサイズに断裁した後、該離型層より外側を剥離することを特徴とする前記１または２に記載の放射線画像変換パネルの製造方法。

４．前記支持体の温度が１００℃以上になる工程が１時間以上存在することを特徴とする前記１〜３のいずれか１項に記載の放射線画像変換パネルの製造方法。

５．前記支持体が少なくとも蒸着開始時に９．８×１０^５〜９．８×１０^６Ｐａの張力を受けていることを特徴とする前記１〜４のいずれか１項に記載の放射線画像変換パネルの製造方法。

６．前記１〜５のいずれか１項に記載の放射線画像変換パネルの製造方法によって製造されたことを特徴とする放射線画像変換パネル。

７．蛍光体層の表面に保護層が形成されていない領域が蛍光体層の端部より０．５ｍｍ以内であることを特徴とする前記６に記載の放射線画像変換パネル。

８．前記蛍光体層の表面に保護層が形成されていない領域に防湿層を有することを特徴とする前記７に記載の放射線画像変換パネル。

本発明の製造方法によって、画像欠陥、長期保存後の画像ムラの劣化がない放射線画像変換パネルを提供することができた。

本発明に係る蛍光体プレートをレーザ光で断裁する一例を示す概略図ある。

符号の説明

１ レーザ光源
２ エキスパンダ
３ マスク
４ 制御部
５ 反射ミラー
６ ガルバナノスキャナ
７ ｆθレンズ
８ 蛍光体プレート
９ ステージ

以下、本発明について詳述する。

本発明は、支持体上に蛍光体層を蒸着し、その上に保護層と離型層を持つラミネートフィルムによりラミネートし、その後に所定のサイズに断裁することを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法である。本発明によって、蛍光体にダメージを与えることなくプレートを断裁することができ、更に蛍光体上の保護層ラミネートがより十分となる。

支持体に用いるポリマーフィルムとしては特に制限はなく、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、セルロースアセテート、ポリアミド、ポリイミド、エポキシ、ポリアミドイミド、ビスマレイイミド、フッ素樹脂、アクリル、ポリウレタン、ナイロン１２、ナイロン６、ポリカーボネート、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルサルフォン、ポリサルフォン、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン等用いることができるが、気相成長法によって蛍光体を形成する際、熱によって変形が生じないようにするため、ガラス転移移点は１００℃以下でないことが好ましい。

本発明に係る支持体に用いるポリマーフィルムとしては、耐熱性の観点よりポリイミド、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテルサルフォン、ポリサルフォンが好ましく、更にポリイミドが最も好ましい。

本発明は前記支持体が金属を被覆したポリマーフィルムを含有することが、本発明の効果をより奏する点で好ましい。

特開２００４−２５１８８３号公報に、アルミニウム層で被覆された非晶質炭素（アモルファスカーボン）支持体を用いたプレートに関する技術が開示されているが、可とう性のない非晶質炭素とは異なり、ポリマーフィルムに金属を被覆する場合、ロールの状態で連続的に加工することが可能なことから生産性を飛躍的に向上させることができる。

金属をポリマーフィルムに被覆する方法としては、蒸着、スパッタ、あるいは金属箔の貼り合わせ等、特に制約はないが、ポリマーフィルムとの密着性の観点からスパッタが最も好ましい。

本発明において、金属を被覆したポリマーフィルムの表面反射率は好ましくは８０％以上、更に好ましくは９０％以上である。支持体表面の反射率を９０％以上にすると、蛍光体の発光を非常に効率よく取り出すことができるため、輝度が飛躍的に向上する。被覆金属種はアルミニウム、銀、白金、金、銅、鉄、ニッケル、クロム、コバルト等、特に制約はないが、反射率、耐食性の観点からアルミニウムが最も好ましい。

また、このような金属薄膜を２層以上形成するようにしてもよい。金属薄膜を２層以上とする場合は、下層をＣｒを含む層とすることが基板との接着性を向上させる点から好ましい。また、金属薄膜上にＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２等の金属酸化物からなる層をこの順に設けて、更に反射率を向上させてもよい。

（支持体の取り付け）
本発明における支持体は蒸着の前に一定の張力を受け、蒸着装置内で固定される。固定の方法はテープ、接着剤などを用いてもよいが、ネジ、クリップ、挟みこみ治具、パンチ穴固定など、機械的に固定する方法が好ましい。例えば、下記のようにフレーム上の構造物で支持体を挟み込み、一定の張力をかける方法をとることができる。

本発明においてフレーム状の構造物は、可とう性の支持体の取り扱い性を改善するために用いることを特徴としている。そのため、支持体よりも剛性の高い部材を用いることが必要である。本発明において、支持体よりも剛性の高い部材とは、例えば、１０ｍｍ×１００ｍｍの長方形にカットした部材の短辺を固定し、自重による撓みを測定したとき、同じ大きさにカットした支持体の撓み量よりも小さい部材を指す。

フレームを構成する材料としては、支持体よりもヤング率が大きいものが好ましいが、ヤング率が同程度の材料であっても、板厚を厚くすることで剛性を高くすることもできる。フレームの形状には特に制約はないが、中央部がくり抜かれた四角形、あるいは中央部がくり抜かれた円形であることが好ましい。

支持体をフレームに固定する方法としては、テープ、接着剤などを用いて接着してもよいし、ネジ、クリップなどで機械的に固定してもよい。フレームは一つの部材で構成されていても、２つ以上の部材で構成されていてもよい。複数の部材で構成される場合、各フレーム部材で支持体を挟んだ状態で機械的に固定することができる。

蛍光体を蒸着する工程において、支持体の温度制御は結晶成長及び画像特性に大きな影響を及ぼすため、支持体の背面（非蛍光体側）が直接接触する部材（以下、背面板とも言う）は温度制御可能な構造であることが好ましい。温度制御の方法には特に制約はなく、背面板の内部に温度制御された液体を循環させてもよいし、ヒーターを内蔵して制御してもよい。また、背面板自体に温度制御機能がなくても、温度制御可能な別の板に背面板を接触させてもよい。

蛍光体の蒸着工程では、支持体を固定したフレームを背面板に固定する必要があるが、温度制御の観点から支持体は背面板に接触していることが好ましい。フレームを背面板に固定する方法には特に制約はないが、蛍光体蒸着後に取り外しやすいようにネジ、クリップ等、機械的固定であることが好ましい。両面テープ、接着剤などを用いて支持体を直接背面板に接着することは、取り扱い性の観点より好ましくない。

背面版の形状については支持体の背面が接触可能な形状であれば特に制約はなく、平面であっても、凸状であってもよい。また、支持体との密着性を改善するために曲面であってもよい。

蛍光体の蒸着工程において、支持体の温度制御を可能にするため、支持体は背面板に対して撓まないように固定されている必要である。そのためには、支持体が弾性限界内で延伸された状態で固定されていることが好ましい。延伸方向は少なくとも一軸方向であり、好ましくは二軸方向である。支持体の延伸率（長さの延伸率）としては、好ましくは０．００５〜５％、より好ましくは０．００５〜１％、更に好ましくは０．００５〜０．５％である。

支持体の延伸率が０．００５％未満では蛍光体蒸着中に撓みが発生しやすく、支持体にシワが発生する場合がある。また、支持体の延伸率が５％を超えると、支持体が破断、もしくは蛍光体蒸着中に支持体が塑性変形し、シワが発生する場合がある。また、支持体を保持するフレームが変形する恐れがあり好ましくない。支持体を延伸した状態でフレームに固定する方法としては特に制約はないが、例えば、支持体に予め所望のテンションをかけた状態でフレームに固定する方法や、フレームに取り付けたバネによって支持体を延伸する方法などがある。また、２つのフレーム部材で支持体を挟んだときに、支持体が延伸されるような構造にしてもよい。

フレームを構成する材料としては、金属材料、ポリマー材料、無機材料、あるいは有機無機複合材料など特に制約はないが、剛性、加工性の観点より金属材料を用いることが好ましい。

蛍光体蒸着による支持体の温度上昇により支持体が撓まないために、フレームの熱膨張係数は支持体の熱膨張係数よりも大きいことが好ましい。中でも、比較的熱膨張係数の大きいアルミニウム、マグネシウム及び亜鉛から選ばれる少なくとも１種の金属を主成分とすることが特に好ましい。

（蛍光体）
本発明に用いられる蛍光体はＸ線により励起され、その緩和過程で直ちに、または赤外光等の刺激を受けて可視光を放出するものを言う。例えば、下記のような蛍光体を用いることができる。

一般式（１） Ｍ_１Ｘ・ａＭ_２Ｘ′・ｂＭ_３Ｘ″：ｅＡ
前記一般式（１）で表される蛍光体において、Ｍ_１は、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓ等の各原子から選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属原子を表し、中でもＲｂ及びＣｓの各原子から選ばれる少なくとも１種のアルカリ土類金属原子が好ましく、更に好ましくはＣｓ原子である。

Ｍ_２はＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｕ及びＮｉ等の各原子から選ばれる少なくとも１種の２価の金属原子を表すが、中でも好ましく用いられるのは、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ及びＢａ等の各原子から選ばれる２価の金属原子である。

Ｍ_３はＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎ等の各原子から選ばれる少なくとも１種の３価の金属原子を表すが、中でも好ましく用いられるのは、Ｙ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ａｌ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｇａ及びＩｎ等の各原子から選ばれる３価の金属原子である。

ＡはＥｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇの各原子から選ばれる少なくとも１種の金属原子である。

一般式（１）で表される化合物において、ａは０≦ａ＜０．５、好ましくは０≦ａ＜０．０１、ｂは０≦ｂ＜０．５、好ましくは０≦ｂ≦０．０１、ｅは０＜ｅ≦０．２、好ましくは０＜ｅ≦０．１である。

この際、乳鉢、ボールミル、ミキサーミル等を用いて充分に混合してもよい。

次に、得られた水溶液のｐＨ値Ｃを０＜Ｃ＜７に調整するように所定の酸を加えた後、水分を蒸発気化させる。

次に、得られた原料混合物を石英ルツボ、あるいはアルミナルツボ等の耐熱性容器に充填して電気炉中で焼成を行う。焼成温度は５００〜１０００℃が好ましい。焼成時間は原料混合物の充填量、焼成温度等によって異なるが、０．５〜６時間が好ましい。

焼成雰囲気としては、少量の水素ガスを含む窒素ガス雰囲気、少量の一酸化炭素を含む炭酸ガス雰囲気等の弱還元性雰囲気、窒素ガス雰囲気、アルゴンガス雰囲気等の中性雰囲気、あるいは少量の酸素ガスを含む弱酸化性雰囲気が好ましい。

なお、前記の焼成条件で一度焼成した後、焼成物を電気炉から取り出して粉砕し、しかる後、焼成物粉末を再び耐熱性容器に充填して電気炉に入れ、前記と同じ焼成条件で再焼成を行えば蛍光体の発光輝度を更に高めることができる。また、焼成物を焼成温度より室温に冷却する際、焼成物を電気炉から取り出して空気中で放冷することによっても所望の蛍光体を得ることができるが、焼成時と同じ弱還元性雰囲気、もしくは中性雰囲気のままで冷却してもよい。また、焼成物を電気炉内で加熱部より冷却部へ移動させて、弱還元性雰囲気、中性雰囲気もしくは弱酸化性雰囲気で急冷することにより、発光輝度をより一層高めることができる。

また、本発明に係る蛍光体層は気相成長法によって形成される。蛍光体の気相成長法としては、蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、その他を用いることができる。本発明においては、例えば、以下の方法が挙げられる。

第１の方法の蒸着法は、まず支持体を蒸着装置内に設置した後、装置内を排気して１．３３３×１０^−４Ｐａ程度の真空度とする。次いで、前記蛍光体の少なくとも一つを抵抗加熱法、エレクトロンビーム法等の方法で加熱蒸発させて、前記支持体表面に蛍光体を所望の厚さに成長させる。

この結果、結着剤を含有しない蛍光体層が形成されるが、前記蒸着工程では複数回に分けて蛍光体層を形成することも可能である。

また、前記蒸着工程では複数の抵抗加熱器、あるいはエレクトロンビームを用いて共蒸着し、支持体上で目的とする蛍光体を合成すると同時に蛍光体層を形成することも可能である。

更に前記蒸着法においては、蒸着時、必要に応じて被蒸着体（支持体、保護層または中間層）を冷却あるいは加熱してもよい。また、蒸着終了後蛍光体層を加熱処理してもよい。また、前記蒸着法においては、必要に応じてＯ_２、Ｈ_２等のガスを導入して蒸着する反応性蒸着を行ってもよい。

第２の方法としてのスパッタリング法は、蒸着法と同様、保護層または中間層を有する支持体をスパッタリング装置内に設置した後、装置内を一旦排気して１．３３３×１０^−４Ｐａ程度の真空度とし、次いでスパッタリング用のガスとして、Ａｒ、Ｎｅ等の不活性ガスをスパッタリング装置内に導入して、１．３３３×１０^−１Ｐａ程度のガス圧とする。次に、前記蛍光体をターゲットとして、スパッタリングすることにより前記支持体上に蛍光体層を所望の厚さに成長させる。前記スパッタリング工程では、蒸着法と同様に各種の応用処理を用いることができる。

第３の方法としてＣＶＤ法があり、また第４の方法としてイオンプレーティング法がある。

また、前記気相成長における蛍光体層の成長速度は、０．０５〜３００μｍ／分であることが好ましい。成長速度が０．０５μｍ／分未満の場合には、本発明の放射線像変換パネルの生産性が悪く好ましくない。また、成長速度が３００μｍ／分を越える場合には、成長速度のコントロールが難しく好ましくない。

放射線像変換パネルを前記の真空蒸着法、スパッタリング法などにより得る場合には、結着剤が存在しないので蛍光体の充填密度を増大でき、感度、解像力の上で好ましい放射線像変換パネルが得られ好ましい。

前記蛍光体層の膜厚は、放射線像変換パネルの使用目的によって、また蛍光体の種類により異なるが、本発明の効果を得る観点から５０μｍ〜２ｍｍであり、好ましくは１００〜１５００μｍであり、更に好ましくは１００〜１１００μｍである。

上記の気相成長法による蛍光体層の作製にあたり、蛍光体層が形成される支持体の温度は、５０℃以上に設定することが好ましく、更に好ましくは８０℃以上であり、特に好ましくは１００〜４００℃である。

また、高鮮鋭性を示す放射線像変換パネルを得る観点から、本発明に係る蛍光体層の反射率は２０％以上であることが好ましく、より好ましくは３０％以上であり、更に好ましくは４０％以上である。なお、上限は１００％である。

このようにして支持体上に形成した蛍光体層は、結着剤を含有していないので指向性に優れており、励起光及び発光の指向性が高く、蛍光体を結着剤中に分散した分散型の蛍光体層を有する放射線像変換パネルより層厚を厚くすることができる。

また、柱状結晶間の間隙に結着剤等充填物を充填してもよい。

（保護層）
また、本発明に係る蛍光体層は下記に記載する保護層を有する。

保護層の材料としては、酢酸セルロース、ニトロセルロース、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリ塩化ビニリデン、ナイロン、ポリ四フッ化エチレン、ポリ三フッ化−塩化エチレン、四フッ化エチレン−六フッ化プロピレン共重合体、塩化ビニリデン−塩化ビニル共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体等の通常の保護層用材料が用いられる。他に透明なガラス基板を保護層として用いることもできる。

また、この保護層は蒸着法、スパッタリング法等により、ＳｉＣ、ＳｉＯ_２、ＳｉＮ、Ａｌ_２Ｏ_３等の無機物質を積層して形成してもよい。これらの保護層の層厚は０．１〜２００μｍが好ましく、０．５〜６０μｍが更に好ましく、最も好ましいのは０．５〜２０μｍである。

本発明においては、薄膜の保護層のみを蛍光体に接着するのは難しいため、保護層と離型層を持つラミネートフィルムを用いて保護層側を蛍光体と接着し、断裁後に離型層を剥離して保護層を形成している。

なお、本発明においては、上記保護層の形成によって、蛍光体層の表面に保護層が形成されていない領域が蛍光体層の端部より０．５ｍｍ以内となっている。

本発明に係る蛍光体プレートは、断裁後プレート側面及び蛍光体層表面の保護層で覆われていない部分に防湿層を付与することができる。防湿層は吸湿性のない各種樹脂を用いることができる。溶融、あるいは溶媒溶液にした樹脂をディスペンサーにて塗布し、乾燥、硬化する。開始材とバインダーを合わせて塗布し、その後、光、熱などのエネルギーで硬化させてもよい。

（断裁）
本発明においては、所定のサイズに断裁することがレーザ光によって行われることが好ましい。

支持体上に蛍光体層を蒸着して得られる蛍光体プレートを所定のサイズに断裁する方法として、特開平２−５８０００号公報に開示されている装置を用いての打ち抜き断裁、更にはレーザ光による断裁がある。

レーザ光による断裁において、用いることのできるレーザには特に制限はなく、例えば、Ｎｄ：ＹＡＧ、Ｎｄ：ガラス、Ｎｄ：ＹＬＦ、Ｎｄ：ＢＥＬ、Ｎｄ：ＹＶＯ_４、ＬＮＰ、Ｔｉ：サファイヤ、アレキサンドライト、Ｃｏ−ＭｇＦ_２、Ｃｒ−ＧＳＧＧ、エメラルド、プロフスカイト、Ｅｒ−ＹＬＦ、Ｅｒ−ガラス等の赤外線レーザ、ルビー、Ｈｅ−Ｎｅ、ＣＯ_２、Ａｒイオン、Ｈｅ−Ｃｄ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｓｒ、Ｋｒイオン、Ｎｅイオン、Ｘｅイオン、ＣＯ、ハロゲン化水素、Ｏ_２−Ｉ、Ｄｙｅ、Ｎｄ：ＹＡＧの第二次高調波及び第三次高調波等の可視光レーザ、ＡｒＦエキシマ、ＫｒＦエキシマ、ＸｅＦエキシマ、ＡｒＣｌエキシマ、ＫｒＣｌエキシマ、ＸｅＣｌエキシマ、Ｎ_２、Ａｕ、Ｎｄ：ＹＡＧの第四次高調波等の紫外線レーザ等を用いることができるが、中でも紫外線レーザが好ましい。

図１は、本発明に係る蛍光体プレートをレーザ光で断裁する一例を示す概略図である。

レーザ光源１、例えば、波長変換ユニットを含むＮｄ：ＹＡＧレーザ発振器から、Ｎｄ：ＹＡＧレーザの４倍高調波（波長２６６ｎｍ）がパルスエネルギー０．１ｍＪ／パルス、パルス幅５０ｎｓで出射する。なお、加工材料の種類に応じて、ＹＡＧ、ＹＬＦ、ＹＶＯ_４等の固体レーザの基本波及びその高調波、またはＣＯ_２レーザ等のレーザ光を用いることができる。

レーザビームはビーム径を拡大し、平行光として出射するエキスパンダ２を経て、反射ミラー５で反射され、ガルバノスキャナ６に入射する。ガルバノスキャナ６は２枚の揺動可能な反射鏡を含んで構成され、レーザビームを２次元方向に高速で走査する。ガルバノスキャナ６を出射したレーザビームは、ｆθレンズ７を経て、ＸＹステージ９上に載置された加工対象物である蛍光体プレート８に入射して断裁することができる。

本発明において支持体には、断裁性の観点よりポリマーフィルムを用いることが好ましい。

以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明の実施態様はこれらに限定されるものではない。

実施例１
（支持体の作製）
宇部興産製ポリイミドフィルム（ユーピレックス１２５Ｓ）上に、必要に応じて膜厚が７００ÅとなるようにＡｌスパッタ層を被覆した後、メチルエチルケトンに溶解した東洋紡製バイロン２００を塗布、乾燥することにより下引き層（乾燥膜厚１．０μｍ）を塗設し、更に７００ｍｍ角に断裁し、４辺に５個ずつのパンチ穴を設けることにより支持体を作製した。

更に支持体の４辺をアルミニウム製のフレームに固定した。フレームには支持体に設けたパンチ穴の位置にあったピンが設けてあり、ピンにあわせて支持体を装着し、ピンをネジ止めし、更に端部をポリイミドテープでフレームに固定することで支持体に固定した。その時、支持体が受けている張力は４．９×１０^６Ｐａであった。

（蛍光体の蒸着）
次に、上記作製した支持体上に、輝尽性蛍光体（ＣｓＢｒ：Ｅｕ）を用いて大型の蛍光体プレートを作製した。

蛍光体層を形成するにあたって、真空チャンバー内は一旦排気した後、Ａｒガスを導入して１．０×１０^−２Ｐａとなるように真空度を調整し、支持体の表面温度を１１０℃となるように保持しながら、蛍光体層の膜厚が１５０μｍとなるまで蒸着を行った。

なお、通常使用する蒸着装置において、支持体中心と直交する法線上に蒸着源を配置することとし、支持体と蒸着源との距離ｄ１は６０ｃｍとした。蒸着中は支持体を回転させながら蒸着操作を行った。

（保護層の形成）
耐熱性の再剥離フィルム（離型層、厚み：約５１μｍ、ＣＴ５０、パナック（株）製）に、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（保護層、厚み：６μｍ、ルミラー、東レ（株）製）を貼り合わせた。次いで、この貼り合わせフィルムの保護層表面に順に、スパッタ法によりＳｉＯ_２層（層厚：１００ｎｍ）、ゾルゲル法によりＳｉＯ_２／ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）ハイブリッド層（ＳｉＯ_２：ＰＶＡ＝１：１（質量比）、層厚：６００ｎｍ）、及びスパッタ法によりＳｉＯ_２層（層厚：１００ｎｍ）を形成して、三層構成の防湿層を設けた。ポリエステル系樹脂（バイロン３００、東洋紡（株）製）をメチルエチルケトンに加え、混合して接着層用塗布液を調製した。

この塗布液を上記貼り合わせフィルムの防湿層表面に機械塗布し乾燥して、接着層（層厚：０．３μｍ）を形成した。次に、この貼り合わせフィルムを接着層が蛍光体層に接するように基板上の蛍光体層に重ね合わせた後、これを熱圧縮した。それにより、貼り合わせフィルムは接着層を介して蛍光体層に完全に融着した。次いで、再剥離フィルムのみを剥離した。

（蛍光体プレートの断裁）
図１に示す７００ｍｍ角の大型蛍光体プレートの４辺を張力４．９×１０^６Ｐａで張り、固定した。固定したプレートをレーザ断裁し、１７０ｍｍ×２３０ｍｍのプレートを４枚切り出した。レーザには、Ｎｄ：ＹＡＧレーザの４倍高調波（波長２６６ｎｍ）を用い、パルスエネルギー０．１ｍＪ／パルス、パルス幅５０ｎｓで断裁を行った。

（エッジ樹脂の塗布）
メチルエチルケトンに溶解した東洋紡製バイロン２００を、ディスペンサーにてプレート断裁側面に塗布、乾燥して放射線画像変換パネルを得た。

実施例２
断裁方法を下記にした他は、実施例１と同様にして放射線画像変換パネルを作製した。

（赤外線レーザ）
レーザ波長１０６０ｎｍのＣＯ_２レーザを用いて、大型蛍光体プレートから１７０ｍｍ×２３０ｍｍのプレートを４枚切り出した。なお、アシストガスとして酸素を用い、ガス圧３ｋｇ／ｃｍ^２、出力１００Ｗ、周波数１００Ｈｚの条件で実施した。

実施例３
断裁方法を下記にした他は、実施例１と同様にして放射線画像変換パネルを作製した。

（打ち抜き）
特開平１１−２２３８９１号公報記載の方法により、打ち抜き刃を用いて、大型蛍光体プレートから１７０ｍｍ×２３０ｍｍのプレートを４枚切り出した。

比較例１
実施例１において、蛍光体層を形成した後、保護層を形成せずにプレートを所定サイズに断裁した。その後、断裁済みプレートをエアサクション台でサクションにより固定し、実施例と同じ方法で保護層を形成し、放射線画像変換パネルを作製した。

評価方法
（画像欠陥）
得られた放射線画像変換パネルを１ｍｍ厚さのカーボントレイに貼り付け、８０ｋＶ・２００ｍＡｓの撮影条件でＸ線を曝射し、レジウス１７０（コニカミノルタ製）にて読み取り、画像の状態を観察した。得られた画像上に大きさ１００μ以上／深さ２ステップ以上の欠陥が存在した場合、その数を記録した。

（耐湿試験）
輝度：上記カーボントレイに貼り付けた放射線画像変換パネルについて、温度４０℃で湿度９０％の高温環境下に３ヶ月間放置し、初期の輝度と３ヶ月後の輝度との比を算出した。値は１に近いほど輝度の劣化が少ないことを示しており、０．８以上であれば、実用上、問題ないレベルである。

ムラ：上記カーボントレイに貼り付けた放射線画像変換パネルについて、蛍光体プレートについて、まず蒸着直後のムラの発生を確認し、画像でムラが確認できない○レベルであることを確認した。次に、温度４０℃で湿度９０％の高温環境下に３ヶ月間放置したときの画像のムラについて目視評価を行った。この時の評価が良好な試料は、湿度による劣化が少ない良好な試料であるということができる。なお、ムラ評価用の画像は、封止後の放射線画像変換パネルを８０ｋＶ・２００ｍＡｓの撮影条件でＸ線を曝射し、レジウス１７０（コニカミノルタ製）で読み取ることにより得た。評価は下記基準に従って行った。総合評価が×でなければ、実用可能と判断した。

○：目視でムラが全く観察されない
○△：目視でムラがわずかに観察される
△：目視でムラが観察されるが許容レベル
×：ムラの発生により実用上問題が生じるレベル。

反り：断裁後の放射線画像変換パネルを水平な台に静置し、４角の先端と、台の間の隙間の距離をノギスにて測定し、４角の測定値の最大の値を反り量として測定した。測定の単位はｍｍ。反り量０〜０．１５ｍｍ未満を○、０．１５〜０．４ｍｍ未満を△、０．４ｍｍ以上を×と判定した。

（保護層が形成されていない部分）
作製した試料の４辺の中点から、保護層の端部までの距離をノギスにて計測し、保護層が形成されていない部分の大きさとした。測定は４辺すべて行い、その最大値を表に記録した。単位はｍｍとした。

また、以上の結果から明らかなように、大型蛍光体プレートから切り出した本発明の試料は、比較の試料に比して優れていることが分かる。

本発明により、１枚の大型蛍光体プレートから複数の所望サイズのパネルを切り出すことが可能となったため、蒸着型蛍光体パネルの課題であった生産性を飛躍的に向上させることができた。

Claims (8)

1. 支持体上に蛍光体層を蒸着し、その上に保護層をラミネートし、その後に所定のサイズに断裁することを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。
2. 前記所定のサイズに断裁することがレーザ光により行われることを特徴とする請求の範囲第１項に記載の放射線画像変換パネルの製造方法。
3. 前記ラミネートが保護層と離型層を持つラミネートフィルムを該保護層が前記蛍光体層と接着するように行い、所定のサイズに断裁した後、該離型層より外側を剥離することを特徴とする請求の範囲第１項または第２項に記載の放射線画像変換パネルの製造方法。
4. 前記支持体の温度が１００℃以上になる工程が１時間以上存在することを特徴とする請求の範囲第１項〜第３項のいずれか１項に記載の放射線画像変換パネルの製造方法。
5. 前記支持体が少なくとも蒸着開始時に９．８×１０^５〜９．８×１０^６Ｐａの張力を受けていることを特徴とする請求の範囲第１項〜第４項のいずれか１項に記載の放射線画像変換パネルの製造方法。
6. 請求の範囲第１項〜第５項のいずれか１項に記載の放射線画像変換パネルの製造方法によって製造されたことを特徴とする放射線画像変換パネル。
7. 蛍光体層の表面に保護層が形成されていない領域が蛍光体層の端部より０．５ｍｍ以内であることを特徴とする請求の範囲第６項に記載の放射線画像変換パネル。
8. 前記蛍光体層の表面に保護層が形成されていない領域に防湿層を有することを特徴とする請求の範囲第７項に記載の放射線画像変換パネル。