JP2007225587A - 蛍光体パネルの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】蛍光体パネルから読み取った放射線画像の濃度ムラや、鮮鋭度の低下の無い、高画質な放射線画像の読み取りを安定して行うことが可能な蛍光体パネルの製造方法を提供することにある。
【解決手段】基板の表面に気相堆積法によって蛍光体層を形成して、蛍光体パネルを製造するに際し、前記蛍光体層の形成装置に保持した際における前記基板の平面度を、±５０μｍ以下とすることにより、前記課題を解決する。
【選択図】図２

Description

本発明は、蛍光体パネルの製造方法の技術分野に属し、詳しくは、蛍光体層を形成する形成装置に保持される基板の平面度を規定する蛍光体パネルの製造方法に関する。

放射線（Ｘ線、α線、β線、γ線、電子線、紫外線等）の照射を受けると、この放射線エネルギーの一部を蓄積し、その後、可視光等の励起光の照射を受けると、蓄積されたエネルギーに応じた輝尽発光を示す蛍光体が知られている。この蛍光体は、輝尽性蛍光体（蓄積性蛍光体）と呼ばれ、医療用途などの各種の用途に利用されている。

一例として、この輝尽性蛍光体の膜（以下、単に蛍光体層とする）を有する輝尽性蛍光体パネル（以下、単に蛍光体パネルとする（放射線像変換シートとも呼ばれている））を利用する、放射線画像情報記録再生システムが知られており、例えば、富士写真フイルム社製のＦＣＲ（Fuji Computed Radiography)等として実用化されている。
このシステムでは、人体などの被写体を介してＸ線等を照射することにより、蛍光体パネル（蛍光体層）に被写体の放射線画像情報を記録する。記録後に、蛍光体パネルをレーザ光等の励起光で２次元的に走査して輝尽発光を生ぜしめ、この輝尽発光光を光電的に読み取って画像信号を得る。そして、この画像信号に基づいて再生した画像を、ＣＲＴなどの表示装置や、写真感光材料などの記録材料等に、被写体の放射線画像として出力する。

蛍光体パネルは、通常、輝尽性蛍光体の粉末をバインダ等を含む溶媒に分散してなる塗料を調製して、この塗料をガラスや樹脂製のパネル状の支持体に塗布し、乾燥することによって、作成される。
これに対し、真空蒸着やスパッタリング等の真空成膜法（気相堆積法）によって、基板（支持体）に蛍光体層を形成してなる蛍光体パネルも知られている（特許文献１、特許文献２参照）。真空成膜法によって形成される蛍光体層は、真空中で形成されるので不純物が少なく、また、輝尽性蛍光体以外のバインダなどの成分が殆ど含まれないので、性能のバラツキが少なく、しかも発光効率が非常に良好であるという、優れた特性を有している。

ただし、塗料をガラスや樹脂製のパネル状の支持体に塗布して作成される塗布型の蛍光体パネルにおいても、気相堆積法によって、基板に蛍光体層を形成してなる蛍光体パネルにおいても、蛍光体パネルに撓みがあると、後に詳述するが、蛍光体パネルから読み取った放射線画像に、濃度ムラや鮮鋭度の低下等の画質低下が生じてしまう。すなわち、一般的に、撓みを有さない蛍光体パネルが、高画質な放射線画像の読取を安定して行うことができることが知られている。

そこで、例えば、支持体トレー（支持体）の反りの範囲を規定した塗布型の放射線画像変換パネル（蛍光体パネル）として、特許文献３には、支持体トレー上に、支持体と輝尽性蛍光体層とをこの順で有する輝尽性蛍光体シートと該輝尽性蛍光体シート全体を封止する封止フィルムとからなる輝尽性蛍光体プレートを有する蛍光体パネルにおいて、該支持体トレーの反りが０．５ｍｍ以下であることを特徴とする蛍光体パネルが開示されている。
特許第２７８９１９４号公報 特開平５−２４９２９９号公報 特開２００３−２０７５９９号公報

しかしながら、上述の特許文献３に開示される蛍光体パネルは、支持体の反りの範囲を規定しているものの、蛍光体パネルの製造方法に関しては、塗布法によって蛍光体層を形成する塗布型の蛍光体パネルを製造する方法しか記載されておらず、気相体積法によって蛍光体層を形成し、撓みの無い蛍光体パネルを製造することについては一切言及されていない。
実際、気相堆積法によって蛍光体層を形成し、撓みの無い蛍光体パネルを製造するのは、後に詳述するように容易ではない。

例えば、気相堆積法の一つである真空蒸着によって蛍光体パネルを製造する際には、蛍光体層が形成される基板は、蛍光体層の形成面（以下、単に被蒸着面とする）を下方に向けて、真空蒸着装置のチャンバ内の上方に保持される。
基板の保持方法としては、基板ホルダと呼ばれる専用の取付部材を用いて、所定の基板取付部に固定するのが通常である。

ここで、基板取付部の形状や、基板ホルダによる固定方法によっては、基板を所定の位置に保持した際に、基板ホルダによる締め付けのため、無負荷状態に対して基板が撓んだ状態で保持されてしまう場合がある。
また、蛍光体層の形成部は、下方から支持することができないので、例えば胸部撮影用のような大型の蛍光体パネルを製造する場合には、基板が自重で撓んでしまい、同様に、基板が撓んだ状態で保持されてしまう場合がある。

また、真空蒸着等の気相堆積法による蛍光体層の成膜では、成膜中の基板の温度は、例えば、２５０℃程度の温度まで達する。基板の種類は、アルミニウム合金等の金属製である場合が多いため、蛍光体層を形成する際に、基板の温度がある程度以上に達すると、金属性の基板が焼き鈍し（アニーリング）されたのと同様の状態となってしまう。
そのため、蛍光体層の形成中に基板が撓んでおり、かつ、基板の温度が有る程度以上に達してしまうと、基板の形状すなわち蛍光体パネルの形状が、撓んだ状態で固定されてしまい、元に戻らなくなってしまう場合がある。すなわち、基板の平面度が、蒸着前の状態から変化してしまう可能性がある。

このような蛍光体パネルの撓みが大きいと、蛍光体パネルに撮影した放射線画像の読み取り時に、部分的に、蛍光体パネルと輝尽発光光の読取光学系との距離が不適正になってしまい、励起光の照射によって発生した輝尽発光光が、適正に、輝尽発光光の読取センサに結像しなくなってしまう。
その結果、蛍光体パネルから読み取った放射線画像に、濃度ムラや鮮鋭度の低下等の画質低下が生じてしまう。医療用の用途においては、このような放射線画像の画質低下は、誤診の原因に成る可能性もあり、問題となる。

本発明の目的は、前記従来技術の問題点を解決することにあり、蛍光体パネルから読み取った放射線画像の濃度ムラや、鮮鋭度の低下の無い、高画質な放射線画像の読み取りを安定して行うことが可能な蛍光体パネルの製造方法を提供することにある。

上記目的を達成するために、本発明は、基板の表面に気相堆積法によって蛍光体層を形成して、蛍光体パネルを製造するに際し、前記蛍光体層の形成装置に保持した際における前記基板の平面度を、±５０μｍ以下とすることを特徴とする蛍光体パネルの製造方法を提供するものである。

本発明においては、前記基板が、厚さ１〜２０ｍｍの金属製であるのが好ましい。

また、本発明においては、前記基板がアルミニウム合金製であるのが好ましい。

また、本発明においては、前記蛍光体層の形成装置の内部に配置された、前記基板平面の基準となる部材を用いることにより、前記基板の平面度を±５０μｍ以下とするのが好ましい。

また、本発明においては、前記基板平面の基準となる部材が、前記蛍光体層の形成時に基板の四辺を下方から支持する支持部材であるのが好ましい。

また、本発明においては、前記基板を支持した際における前記支持部材の撓み量が、８０μｍ以下であるのが好ましい。

また、本発明においては、前記基板平面の基準となる部材が、前記蛍光体層の形成時に前記基板の裏面が押圧される支持面を有する基板の保持部材であるのが好ましい。

また、本発明においては、前記支持面の平面度が±４０μｍ以下であるのが好ましい。

また、本発明においては、前記気相堆積法が、０．１〜５Ｐａの真空度で行う蒸着であるのが好ましい。

また、本発明においては、前記基板が、焼き鈍し処理を施した金属製の基板であるのが好ましい。

また、上記目的を達成するために、本発明は、基板の表面に気相堆積法によって蛍光体層を形成して、蛍光体パネルを製造するに際し、前記基板として、焼き鈍し処理を施した金属製の基板を用いることを特徴とする蛍光体パネルの製造方法を提供するものである。

また、本発明においては、前記基板が、アルミニウム製、または、アルミニウム合金製であるのが好ましい。

また、本発明においては、前記焼き鈍し処理の温度が、T_１℃〜T₂℃であるのが好ましい。なお、T_１は、基板の形成材料の溶解温度範囲の中心温度（絶対温度）に０．５を掛けた値を示し、T_２は、基板の形成材料の溶解温度範囲の下限値を示す。

このような本発明の蛍光体パネルの製造方法によれば、真空蒸着等の気相堆積法によって蛍光体層を形成する蛍光体パネルの製造において、蛍光体層を形成する形成装置に取り付けた際の基板の平面度を規定することにより、蛍光体パネルの撓みを、蛍光体パネルの性能すなわち画像ムラや部分的な画質低下を生じることのない範囲に抑えることができ、安定して高品質な蛍光体パネルを製造することができる。

以下、添付の図面に基づいて、本発明の第１の実施形態を詳細に説明する。
図１は、本発明の第１の実施形態を実施する真空蒸着装置の概略構成を示す模式側面図である。本発明の第１の実施形態を実施する真空蒸着装置１０（以下、単に装置１０という）は、基板Ｓの表面に輝尽性蛍光体層（以下、単に蛍光体層という）を二元の真空蒸着によって形成し、輝尽性蛍光体パネル（以下、単に蛍光体パネルという）を製造するものである。

図示例の装置１０は、真空チャンバ１２と、蛍光体層を形成する側の基板表面（以下、単に蒸着面とする）を図中下向きにして基板Ｓを保持し、直線的に搬送（好ましくは往復搬送）する基板保持搬送機構１４と、蒸発部としての加熱蒸発部１６とを有して構成される、直線搬送型の真空蒸着装置である。
また、図示例の装置１０は、これ以外にも、真空チャンバ１２内を排気して所定の真空度にするための図示されていない真空ポンプ（真空引きする手段）等を有しており、さらに、真空チャンバ１２内に後述するようなガスを導入するためのガス導入手段が接続されている。
さらに、図示例の装置１０は、真空チャンバ１２内に、加熱蒸発部１６からの基板方向への輻射熱を遮蔽するための熱遮蔽板（図示省略）を備えていてもよい。

真空チャンバ１２は、鉄，ステンレス，アルミニウム等で形成される、真空蒸着装置で利用される公知の真空チャンバ（ベルジャー、真空槽）である。図示例において、真空チャンバ１２内には、上方に基板保持搬送機構１４が、また、下方に加熱蒸発部１６がそれぞれ配設されている。

基板保持搬送機構１４は、図１に示すように、真空チャンバ１２の上方に配置され、蒸着面を図中下向きにして基板Ｓを保持する基板保持手段２０と、基板保持手段２０を図中矢印方向（以下、搬送方向とする）に直線的に移動させるための直線搬送手段２２とで構成されている。

直線搬送手段２２は、図１においては、ネジ軸８４ａおよびナット部８４ｂで成るボールネジ８４とモータ８６とを用いて構成されている。
ボールネジ８４のネジ軸８４ａをモータ８６によって回転させることにより、ボールネジ８４のナット部８４ｂが固定された基板保持手段２０（基板固定部２４）がガイドレールによって案内されつつ直線的に搬送される。
なお、ここでは、直線搬送手段としてボールネジ８４を用いたが、本発明においては、これに限定されず、リニアモータを利用したリニア搬送装置や、シリンダを利用する搬送装置、ラックアンドピニオン式の搬送装置、モータによって回転されるリング状のチェーンを利用した搬送装置を利用することができる。

図示例の装置１０において、基板保持手段２０は、基板Ｓを保持するものである。
本発明は、蛍光体層の形成のために基板Ｓを装置１０に取り付ける際に、基板Ｓの平面度を±５０μｍ以下とするものであり、基板保持手段２０は、これを実現するために、図１および図２に示すように、基板固定部２４と、基板載置部２６ａを有し、基板固定部２４に固定される基板ホルダ２６と、基板ホルダ２６を基板固定部２４に固定するネジ２８とで構成されている。なお、図２（ａ）は、図１に示す基板保持手段２０を拡大して示した図であり、図２（ｂ）は、（ａ）に示す基板保持手段２０を下方から見た図である。
この、基板保持手段２０による基板保持時の平面度、および、基板保持手段２０については、後に述べる。

加熱蒸発部１６は、真空チャンバ１２内の下方に配置され、抵抗加熱によって成膜材料の加熱／蒸発を行うものである。
図示例の装置１０は、母体成分（蛍光体）と付活剤成分（賦活剤（activator）とを別々に加熱蒸発させる、２元の真空蒸着によって蛍光体層を形成する。そのため、加熱蒸発部１６は、母体成分の成膜材料を収容／加熱するための母体成分用ルツボ３４と、付活剤成分の成膜材料を収容／加熱するための付活剤成分用ルツボ３６とを有する。また、図示は省略するが、各ルツボには、抵抗加熱電源が接続され、さらに、この抵抗加熱電源には、加熱制御手段が接続される。

母体成分用ルツボ３４および付活剤成分用ルツボ３６は、共に、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）などの高融点金属で形成され、電極（図示省略）から通電されることにより自身が発熱し、充填された成膜材料を過熱／溶融して蒸発させる、抵抗加熱による真空蒸着に用いられる抵抗加熱用のルツボである。

図示例においては、加熱蒸発部１６には、母体成分用ルツボ３４および付活剤成分用ルツボ３６が、共に、前記基板Ｓの搬送方向と直交する方向（以下、直交方向とする）に、複数、（例えば、６個）のルツボが配列される。また、この直交方向のルツボの列は、この直交方向の基板Ｓ全域を包含するように、形成される。
このように、基板Ｓを直線搬送（好ましくは直線状の往復搬送）とし、直交方向の基板Ｓを越える領域で直交方向に複数のルツボを配列して、真空蒸着を行うことにより、ルツボ上方における基板Ｓの蒸着面の搬送速度（移動速度）を全面的に均一とし、かつ、直交方向における基板Ｓへの成膜材料蒸気の曝露量を均一にでき、その結果、より膜厚が均一な蛍光体層を形成することができる。

また、前述のように、真空チャンバ１２には、真空引きする手段として、図示されていない真空ポンプが接続されている。
真空ポンプにも特に制限はなく、必要な到達真空度を達成できるものであれば、真空蒸着装置で利用されている各種のものが利用可能である。一例として、油拡散ポンプ，クライオポンプ，ターボモレキュラーポンプ等を利用すればよく、また、補助として、クライオコイル等を併用してもよい。なお、前述の蛍光体層を成膜する装置１０においては、真空チャンバ１２内の到達真空度は、８．０×１０^-4Ｐａ以下であるのが好ましい。

次に、上述の装置１０の作用を説明することにより、本発明の蛍光体パネルの製造方法をより詳細に説明する。

まず、装置１０の加熱蒸発部１６の各ルツボに所定量の成膜材料を収容し、さらに、基板保持手段２０に基板Ｓを保持する。
前述のように、図示例の装置１０は母体成分と付活剤成分とを別々に加熱蒸発させる、２元の真空蒸着によって蛍光体層を形成する。従って、例えば、ＣｓＢｒ：Ｅｕからなる蛍光体層を形成する場合には、母体成分となる臭化セシウム（ＣｓＢｒ）を母体成分用ルツボ３４に、付活剤成分となる臭化ユーロピウム（ＥｕＢｒ_ｘ（Ｘは、通常、２〜３であり、特に２が好ましい））を付活剤成分用ルツボ３６に、それぞれ収容する。

なお、本発明の第１の実施形態において、基板Ｓには特に限定はなく、蛍光体パネルの製造で用いられる各種の基板が利用可能であるが、本発明の効果が好適に得られる等の点で、鉄、銅、クロム、アルミニウム、これらの合金等の金属製の基板が好適に利用される。中でも特に、アルミニウム合金製の基板は、好適である。
また、本発明の第１の実施形態においては、焼き鈍し処理を施された金属製の基板Ｓも好適に利用される。中でも、特に、焼き鈍し処理を施されたアルミニウム製の基板Ｓまたはアルミニウム合金製の基板Ｓが、好適である。
ここで、基板Ｓの焼き鈍し処理の温度は、T_１℃〜T_２℃であるのが好ましい。なお、T_１は、基板Ｓの形成材料の溶解温度範囲の中心温度（絶対温度）に０．５を掛けた値を示し、T_ｓは基板Ｓの形成材料の溶解温度範囲の下限値を示す。
また、基板Ｓの表面粗さが、０．１μｍ以下であることが好ましい。基板Ｓの表面粗さを０．１μｍ以下とすることにより、基板面の光学反射率の微細なムラが低減でき、蛍光体パネルとして良好な画像の粒状性が得られる点で好ましい。
また、基板Ｓの表面を少なくとも１層の無機酸化物層または耐熱性樹脂層で被覆するのが、耐食性の点で好ましい。無機酸化物層としては、特に、ＳｉＯ_２層または陽極酸化処理されたアルミニウム層が好適に例示される。

また、蛍光体層を形成する蛍光体には、特に限定はなく、各種のものが利用可能である。好ましくは、波長が４００ｎｍ〜９００ｎｍの範囲の励起光により、３００ｎｍ〜５００ｎｍの波長範囲に輝尽発光を示す輝尽性蛍光体が利用される。
好ましい一例として、特開昭６１−７２０８７号公報に開示される、一般式「Ｍ^I Ｘ・ａＭ^IIＸ’₂ ・ｂＭ^III Ｘ₃’’ ：ｃＡ」で示されるアルカリハライド系蓄積性蛍光体が例示される。
（上記式において、Ｍ^Iは、Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，ＲｂおよびＣｓからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｍ^IIは、Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｚｎ，Ｃｄ，ＣｕおよびＮｉからなる群より選択される少なくとも一種の二価の金属であり、Ｍ^IIIは、Ｓｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ａｌ，ＧａおよびＩｎからなる群より選択される少なくとも一種の三価の金属であり、Ｘ、Ｘ’およびＸ''は、Ｆ，Ｃｌ，ＢｒおよびＩからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、Ｅｕ，Ｔｂ，Ｃｅ，Ｔｍ，Ｄｙ，Ｐｒ，Ｈｏ，Ｎｄ，Ｙｂ，Ｅｒ，Ｇｄ，Ｌｕ，Ｓｍ，Ｙ，Ｔｌ，Ｎａ，Ａｇ，Ｃｕ，ＢｉおよびＭｇからなる群より選択される少なくとも一種である。また、０≦ａ＜０．５であり、０≦ｂ＜０．５であり、０≦ｃ＜０．２である。）

特に、優れた輝尽発光特性を有し、且つ、本発明の効果が良好に得られる等の点で、Ｍ^Iが、少なくともＣｓを含み、Ｘが、少なくともＢｒを含み、さらに、Ａが、ＥｕまたはＢｉであるアルカリハライド系蓄積性蛍光体は好ましく、中でも特に、一般式「ＣｓＢｒ：Ｅｕ」で示される蓄積性蛍光体が好ましい。

また、これ以外にも、米国特許３，８５９，５２７号明細書や、特開昭５５−１２１４２号、同５５−１２１４４号、同５５−１２１４５号、同５７−１４８２８５号、同５６−１１６７７７号、同５８−６９２８１号、同５９−７５２００号、同５９−３８２７８号等の各公報に開示される蓄積性蛍光体も、好ましく例示される。

ここで、本発明の第１の実施形態においては、前述のように、平面度が±５０μｍ以下になるように、基板Ｓを装置１０（基板保持手段２０）に取り付ける。
従来技術でも述べたように、気相堆積法、特に、真空蒸着による成膜では、基板Ｓが自重等で撓んだ状態のまま装置１０に保持されてしまうことがある。また、気相堆積法による成膜では、基板Ｓが非常に高温になり、基板Ｓをアニーリングしたのと同様の状態となってしまう場合が有る。そのため、基板Ｓが撓んだままで蛍光体層の成膜を実施すると、基板Ｓの温度がある程度以上に達すると、基板Ｓが撓んだままアニーリングされたのと同様の状態になり、その結果、基板Ｓの形状すなわち蛍光体パネルの形状が、撓んだ状態で固定されてしまい、基に戻らなくなってしまう場合がある。すなわち、基板Ｓの平面度が、蒸着前の状態から変化してしまう場合がある。

蛍光体パネルが撓んでいると、放射線画像読取装置において、輝尽発光光を読み取る光学系と蛍光体パネルとの間隔が部分的に不適正になる。
その結果、輝尽発光光が、輝尽発光光の読取用センサの受光面に適正に結像せず、濃度ムラや鮮鋭度の低下等、診断上問題とも成り得るとなる画質劣化を生じる可能性が有る。

本発明者は、このような不都合を解消するために鋭意検討を重ねた結果、気相堆積法、中でも特に真空蒸着によって蛍光体層を形成するにおいて、基板Ｓを蛍光体層の形成装置（成膜装置）に保持した際の平面度を±５０μｍ以下という厳しい範囲に設定することにより、気相堆積法、中でも特に真空蒸着によって蛍光体層を形成する蛍光体パネルの撓みに起因する画質劣化を防止できることを見いだした。
すなわち、平面度を±５０μｍ以下とした状態で蛍光体層の形成装置に基板を保持して、蛍光体層を形成することにより、基板Ｓの温度が上がってアニーリングされたのと同様の状態となり、基板（すなわち蛍光体パネル）がその状態で固定されてしまっても、読取光学系との間隔が不適正になるほどの撓みが生じてしまうことを防止できる。その結果、この撓みに起因する画質劣化の無い、高品位な蛍光体パネルを安定して製造することができる。

なお、本発明において、平面度とは、基板表面（蒸着領域）などの対象となる平面の最高位置（最も高い位置）と同平面の最小自乗平面との高さの差（最大値）、および、同平面の最低位置（最も低い位置）と同平面の最小自乗平面との高さの差（最小値）を求め、この最大値と最小値の差を半分にした値である。すなわち、
平面度＝（最大値−最小値）／２
例えば、装置１０の基板保持手段２０に基板Ｓを保持した状態で、基板表面の高さ（表面に対して垂直方向の位置）を、例えばレーザ変位計や触針計等で計測して、得られた高さデータから基板Ｓの最小自乗平面を求め、また、この最小自乗平面に対する基板Ｓの最大高さ（最大値）および最小高さ（最小値）を求めて、さらに、最大高さと最小高さの差を求め、この差を半分にすることにより、装置１０に基板を保持した状態の基板Ｓの平面度を求めればよい。

この平面度の測定において、高さの測定点数には、特に限定はなく、蛍光体パネルに要求される画質、基板のサイズ、基板の撓みの状態等に応じて、基板の撓みの状態を適正に把握できる点数を、適宜、決定すればよい。また、高さの測定は点に限定はされず、例えば、装置１０における基板Ｓの直線での搬送方向と直交する方向の複数点において、搬送方向に連続的に高さを測定して、その測定結果を用いて平面度を測定してもよい。

本発明の第１の実施形態において、蛍光体層の形成のために装置１０に保持した状態における基板Ｓの平面度は、小さい（すなわち平面性が高い）ほど好適であるが、好ましくは、基板Ｓの平面度が±５０μｍ以下、さらに好ましくは、基板Ｓの平面度が±３０μｍ以下になるように、基板Ｓを装置１０に取り付ける。
基板Ｓの平面度を上記範囲とすることにより、より撓みの小さい平面性の良好な蛍光体パネルを、より安定して確実に製造することが可能になる。

本発明の第１の実施形態において、蛍光体層の形成のために基板Ｓを装置１０に保持した際に、基板Ｓの平面度を±５０μｍとする方法には、特に限定はなく、上記平面度を達成できる方法が、全て利用可能である。
好ましい方法として、装置１０内に基板平面の基準となる部材を設け、この基準となる部材によって基板を保持することにより、基板Ｓの平面度を±５０μｍとする方法が例示され、その一例として、図示例の装置１０においては、基板保持手段２０を用いて、基板Ｓの４辺を下方から支持する方法を利用している。

上述の通り、基板保持手段２０は、基板固定部２４と、基板載置部２６ａを有する基板ホルダ２６と、基板ホルダ２６を基板固定部２４に固定するネジ２８とで構成される。
基板ホルダ２６は、中央に基板Ｓに応じた貫通部を有する枠体（図示例では正方形状の枠体）であり、枠の内側には、全周にわたって内方に向けて突出するように、基板Ｓの端部近傍の全周を載置する基板載置部２６ａが形成される。一方、基板固定部２４は、この基板ホルダ２６を取り付けるための直方体状の部材であり、この基板固定部２４が、前述の直線搬送手段２２（ナット部８４等）に係合することにより、この基板保持手段２０が直線搬送手段２２によって直線状に搬送（往復搬送）される。
また、基板ホルダ２６の４隅には、ネジ２８を挿通するための貫通孔が形成され、基板固定部２４には、この貫通孔に対応してネジ２８が螺合するネジ孔が形成される。

この基板保持手段２０で基板Ｓを保持する際には、基板Ｓの４辺を基板ホルダ２６の載置部２６ａに載置した状態で、下方から基板固定部２４の所定位置に基板ホルダ２６を当接し、４本のネジ２８によって、基板ホルダ２６を基板固定部２４に固定する。すなわち、本例においては、この載置部２６ａが、基板平面の基準となる。
このように、基板Ｓの４辺（端部近傍の全周）を基板平面の基準となる部材で下方から支持することにより、基板Ｓが撓むことを好適に防止して、保持した基板Ｓの平面度を±５０μｍ以下にできる。

このような基板Ｓの４辺を下方から支持する基板ホルダ２６を用いる基板保持手段２０においては、基板Ｓを保持した状態で、基板Ｓを載置する載置部２６ａの撓み量が８０μｍ以下であるのが好ましい。
このような構成とすることにより、より安定して、平面度を±５０μｍ以下として基板Ｓを保持することができる。

前述のように、気相堆積法による蛍光体層の形成では、成膜中に基板Ｓの温度が非常に高くなる。そのため、成膜中に、基板Ｓが膨張する。
ここで、基板Ｓの周辺端部と基板ホルダ２６の内面（枠体の内面）とが密着していると、膨張によって基板Ｓが撓んでしまい、成膜中に、基板の平面度が±５０μｍよりも大きくなってしまい、基板が撓んだ状態で固定されてしまう可能性がある。

そのため、図示例の基板保持手段２０においては、図２（ａ）に示すように、基板Ｓを基板保持手段２０に保持した状態で、基板Ｓと基板ホルダ２６の内面との間に、基板Ｓの膨張を逃がすための間隙ｂを有するように、基板ホルダ２６を形成するのが好ましい。すなわち、基板保持手段２０は、基板ホルダ２６と基板Ｓとの間で、基板Ｓの平面方向に間隙を有する状態で、基板Ｓを保持するのが好ましい。
この間隙ｂの大きさには、特に限定はなく、基板Ｓの熱膨張の大きさ等に応じて、適宜、決定すればよい。

また、この間隙に変えて、基板ホルダ２６を、基板Ｓよりも熱膨張係数の大きな材料で形成することにより、基板Ｓの熱膨張を逃がす方法も利用可能である。

本発明の第１の実施形態において、基板固定部２４が成膜中に基板を加熱するためのヒータ等を内蔵する場合には、図３に示すように、基板固定部２４と基板Ｓとの間に、基板Ｓの熱伝導性を高めるための熱電導性シートＴを挿入して、基板Ｓを基板保持手段２０で保持してもよい。この点に関しては、後述する図４に示す例でも、同様である。
但し、この際には、基板固定部２４と基板Ｓとで熱電導性シートＴを強く挟むようにしてしまうと、この力で基板Ｓが撓んで、平面度が±５０μｍを超えてしまう場合があるので、注意が必要である。

また、基板Ｓの取り付け時の平面度が±５０μｍ以下になるように、装置１０に基板Ｓを取り付ける別の方法として、図４に示すような基板保持手段４０を用いて、基板Ｓを保持する方法も好適に利用可能である。
図４（ａ）は、基板保持手段の一実施形態を示し、図４（ｂ）は、図４（ａ）に示す基板保持手段に保持される基板の一例を示した図である。なお、図４（ａ）は、図４（ｂ）におけるａ−ａ線断面で示す。

図４に示す基板保持手段４０は、基板固定部４２と、基板固定部４２に基板Ｓを固定するネジ４６とで構成される。また、この保持方法では、基板Ｓに図４（ｂ）に示すようなネジ孔４６ｂを形成する。
基板固定部４２は、基板Ｓが固定される平面板状の部材であり、基板Ｓを保持した際における基板Ｓの四隅および中央に対応する位置に、ネジ４６を挿通するための貫通孔４６ａが形成される。他方、基板Ｓにも、この貫通孔４６ａに対応する位置に、ネジ４６が螺合するネジ孔４６ｂが形成される。

この基板保持手段４０は、基板固定部４２に基板Ｓを当接した状態で、ネジ４６を貫通孔４６ａに挿通して基板Ｓのネジ孔４６ｂに螺合し、ネジ４６を締めることにより、平面状の基板固定部４２に基板Ｓを全面的に押圧して、基板Ｓを保持する。従って、基板保持手段４０においては、基板固定部４２の基板Ｓとの当接面（基板固定部４２の下面）が、基板平面の基準となる。
このように、平面状の基板固定部４０に基板Ｓを全面的に押圧することにより、先の例と同様に、基板Ｓの平面度を５０μｍ以下として、基板Ｓを蛍光体層の形成装置に保持することができる。

図４に示す基板保持手段４０において、基板平面の基準となる、基板固定部４２の基板Ｓとの当接面は平面状であればよいが、平面度を±４０μｍ以下とするのが好ましい。
このような構成とすることにより、より安定して、平面度を±５０μｍ以下として基板Ｓを保持することができる。

また、先の基板保持手段２０と同様に、基板固定部４２に形成する貫通孔４６ａは、蒸着時の加熱により基板Ｓが膨張した場合に、基板Ｓが変形または破損することがないように、ネジ４６の外径よりも大きな径を有し、基板Ｓを保持した際に、ネジ４６と貫通孔４６ａとの間に間隙を有するようにするのが好ましい。なお、この間隙の大きさに関しては、先の例と同様、基板Ｓの膨張率等に応じて、適宜、決定すればよい。
なお、上記ネジ孔４６ｂの深さは、基板固定部４２に基板Ｓを強固に固定することができ、且つ、ネジ４６が蒸着面まで貫通しない深さであれば、特に限定は無い。

このようにして、蛍光体用ルツボ３４および付活剤用ルツボ３６に成膜材料を充填し、平面度が±５０μｍ以下になるように、基板Ｓを装置１０に取り付けたら、真空チャンバ１２を閉塞して、真空チャンバ１２内を排気する。
真空チャンバ１２内が所定の圧力となった時点で、直線搬送手段２２のモータ８６を駆動して基板Ｓの搬送（直線での往復搬送）を開始すると共に、抵抗加熱電源を駆動して、各ルツボに充填した成膜材料を加熱／溶融して、基板Ｓの表面に、真空蒸着によって蛍光体層を形成する。

ここで、本発明の製造方法では、排気を開始した後、一度、真空チャンバ１２内を高真空度（例えば８×１０^-4Ｐａ程度）とし、その後、排気を維持した状態で真空チャンバ１２内にアルゴンガスや窒素ガス等の不活性ガスを導入して０．１〜５Ｐａ程度（好ましくは、０．１〜３Ｐａ程度）の真空度（以下、中真空とする）とし、この中真空下で真空蒸着を行なって、蛍光体層を形成するのが好ましい。

このような、ガス導入を行った中真空下で蛍光体層を形成することにより、蛍光体層が良好な柱状結晶構造を有する、画像鮮鋭性や輝尽発光特性に優れた蛍光体パネルを製造することができる。
また、このような中真空での真空蒸着では、通常の高真空での真空蒸着に比して、基板Ｓと蒸発源（ルツボ）とを近接する必要がある。そのため、中真空での真空蒸着では、基板Ｓが蒸発源からの輻射熱を受け易く、アニーリングされた状態に成り易い。しかしながら、本発明の製造方法によれば、平面度を±５０μｍ以下として装置１０（基板保持手段２０）に基板Ｓを保持して、真空蒸着を行なうので、基板Ｓがアニーリングされた状態となって、固定してしまっても、画質に影響が出るような撓みを生じることが無い。すなわち、本発明の製造方法は、このような中真空での真空蒸着による蛍光体パネルの製造には、特に好適である。

形成する蛍光体層の膜厚等に応じて設定された所定回数の直線搬送の往復動が終了したら、基板Ｓの直線搬送および真空チャンバ１２内の排気を停止し、抵抗加熱用の電源を切り、不活性ガスを導入して真空チャンバ１２内を大気圧とし、次いで真空チャンバ１２を開放して、蛍光体層を形成した基板Ｓすなわち作製した蛍光体パネルを取り出す。
なお、この蛍光体パネルは、平面度を±５０μｍ以下として装置１０に基板Ｓを保持して、真空蒸着を行なって蛍光体層を形成したものであるので、画質に悪影響を与える撓みの無い、高品質な蛍光体パネルである。

以上の本発明の蛍光体パネルの第１の実施形態では、上述の通り、真空蒸着装置１０に保持した際における基板Sの平面度を、±５０μｍ以下とすることにより、画質に悪影響を与える撓みの無い、高品質な蛍光体パネルを得るものであるが、本発明の蛍光体パネルの第２の実施形態では、焼き鈍し処理を施した金属製の基板Sを用いることにより、従来公知の製造装置を用い、従来公知の方法で蛍光体層を形成しても、完成した蛍光体パネルの基板Sの平面度を撓み無く保つことができる。
なお、本発明の蛍光体パネルの第２の実施形態は、焼き鈍し処理を施した基板Ｓを用い、かつ、ホルダに保持した際の基板Ｓの平面度に規定が無い以外は、本発明の蛍光体パネルの第１の実施形態と同様のものである。

本発明の第２の実施形態においては、上述のように、焼き鈍し処理を施した金属製の基板Sを用いることにより、気相堆積法、特に、真空蒸着によって蛍光体層を形成する際に、の蒸着によって、例えば、基板Ｓの温度が２５０℃以上に加熱されて撓みが生じても、基板Ｓは、一度熱履歴を受けているため、冷却されると元にもどるので、この金属製の基板Sの平面度の変化を５０μｍ以下とすることができる。すなわち、本発明の第２の実施形態においては、気相堆積法、特に、真空蒸着によって蛍光体層を形成する際に、この基板Sの温度が上昇したとしても、この基板Sの平面度の変化を５０μｍ以下という厳しい範囲に設定することができる。これにより、第２の実施形態においても、画質に悪影響を与える撓みの無い、高品質な蛍光体パネルを得ることができる。
なお、本発明の第２の実施形態においても、平面度は、先に述べた第１の実施形態と同様に定義される。

また、本発明の第２の実施形態においては、この焼き鈍し処理を施した金属製の基板Sが、アルミニウム製の基板、または、アルミニウム合金製の基板であることが好ましい。
さらに、本発明の第２の実施形態においては、焼き鈍し処理を施した金属製の基板Sの焼き鈍し処理の温度が、T_１℃〜T₂℃であるのが好ましい。なお、T_１は、基板Ｓの形成材料の溶解温度範囲の中心温度（絶対温度）に０．５を掛けた値を示し、T_２は、基板Ｓの形成材料の溶解温度範囲の下限値を示す。

また、本発明の第２の実施形態においては、焼き鈍し処理を施した金属製の基板Sの表面粗さが０．１μｍ以下であることが好ましい。焼き鈍し処理を施した金属製の基板Ｓの表面粗さを０．１μｍ以下とすることにより、基板面の光学反射率の微細なムラが低減でき、蛍光体パネルとして良好な画像の粒状性が得られる点で好ましい。
さらに、本発明の第２の実施形態においては、焼き鈍し処理を施した金属製の基板Sの表面を少なくとも１層の無機酸化物層または耐熱性樹脂層で被覆するのが、耐食性の点で好ましい。無機酸化物層としては、特に、SiO₂層または陽極酸化処理された酸化アルミニウム層が好適に例示される。

なお、本発明の蛍光体パネルの製造方法においては、基板の加熱等によって、成膜中に、成膜された蛍光体層を５０℃〜４００℃で加熱してもよい。また、形成する蛍光体層の厚さにも、限定はないが、１０μｍ〜１０００μｍ、特に、２０μｍ〜８００μｍが好ましい。

以上の例では、抵抗加熱による真空蒸着を行なっているが、本発明は、これに限定はされず、電子線加熱や誘導加熱等の、真空蒸着で利用される各種の加熱方法が、全て利用可能である。
また、装置１０では、基板Ｓを直線搬送しながら蛍光体層を形成しているが、本発明は、これに限定はされず、基板を自転、あるいは公転、あるいは自公転させながら真空蒸着によって蛍光体層を形成してもよい。
さらに、本発明において、蛍光体層の形成方法は、真空蒸着に限定はされず、スパッタリング、ＣＶＤ等の公知の成膜手段が利用可能であるが、成膜速度等の点で、真空蒸着が好適に利用され、特に、前記中真空の真空蒸着は、好適である。

以上、本発明の蛍光体パネルの製造方法ついて説明したが、本発明は上述の例に限定はされず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良や変更を行ってもよいのは、もちろんである。

例えば、上述の例は、本発明を輝尽性蛍光体からなる蛍光体層を有する蛍光体パネルの製造に利用した例であるが、本発明は、これに限定はされず、例えば、沃化セシウムなどの蛍光体の柱状結晶からなる蛍光体層を有する放射線シンチレータパネル等、蛍光体の柱状結晶からなる蛍光体層を有する蛍光体パネルにも、好適に利用可能である。
中でも、前述のように、高精度な膜厚均一性が要求され、しかも、成膜材料も高価であることが多い等の点で、図示例のように、輝尽性蛍光体からなる蛍光体層を有する蛍光体パネルの製造には、好適である。

以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明をより詳細に説明する。なお、本発明は、以下の実施例に限定されないのは言うまでもない。

［実施例１−１］
Ｚ７０７５‐Ｔ６（ＪＩＳ規格）のアルミニウム合金で形成された縦４５０ｍｍ×横４５０ｍｍ、厚み１０ｍｍの平面板に、２５０℃で２時間の熱処理を行った後、表面研磨を行い、基板Ｓとした。
三次元測定器を用いて、蒸着領域（中央の４３０×４３０ｍｍ）において等間隔の１０×１０点で高さを測定し、この基板Ｓの蒸着面の平面度（以下、初期平面度とする）を算出した。その結果、この基板Ｓの平面度は、±１３μｍであった。
この基板Ｓに、図１に示す装置１０を用いて蛍光体層を形成した。なお、基板Ｓの蒸着領域以外には、耐熱性カプトン粘着テープによってマスキングを施した。

基板ホルダ２６は、ＳＵＳ４３０で作製した。なお、基板ホルダ２６の基板載置部２６ａの自重による撓み量を測定した結果、４辺共に約２０μｍであった。
この基板ホルダ２６の基板載置部２６ａに、準備した基板Ｓを載置し、上記実施形態と同様、基板ホルダ２６を基板固定部２４にネジ２８を用いて固定した。なお、上記のようにして基板載置部２６ａに基板Ｓを載置した際に、基板Ｓが熱膨張し、基板Ｓの平面度が基板Ｓの側面と基板ホルダ２６とが接触することにより変化または破損することがないように、基板Ｓの側面と基板ホルダ２６との間に、全辺２ｍｍのすき間を設けた。
真空チャンバ１２内の基板Ｓ（蒸着領域）の搬送領域の下部に、幅方向に等間隔で５箇所、高さを揃えてレーザ変位計を配置して、基板面までの距離を測定し、その状態で基板Ｓを直線搬送して、基板Ｓの全体の高さを測定して、この５ラインの高さの測定結果から、基板Ｓを装置１０に保持した状態における、基板Ｓの平面度を算出した。その結果、平面度は±１４μｍであった。

また、蛍光体用ルツボ３４に臭化セシウム（ＣｓＢｒ）を、付活剤用ルツボ３６に臭化ユーロピウム（ＥｕＢｒ₂）を、それぞれ所定量、充填して、真空チャンバ１２を閉塞して、排気を開始した。真空度が１×１０^-3Ｐａとなった時点で、排気を継続しつつ真空チャンバ１２内にＡｒガスを導入して、１Ｐａの真空度とした。
次いで、抵抗加熱電源を駆動して成膜材料の加熱／溶融を開始し、モータ８６を駆動して基板Ｓの搬送を開始して、蛍光体層（ＣｓＢｒ：Ｅｕ）の蒸着を実施し、蒸着領域に約７００μｍの蛍光体層を形成した。
なお、蛍光体層形成中の基板Ｓの到達温度は、２４０℃であった。
上記のようにして、基板Ｓに蛍光体層を形成した後、２００℃の温度条件下で５０分間熱処理を実施し、蛍光体パネルを得た。

［実施例１−２］
前記実施例１−１と同様の基板Ｓを準備した。なお、実施例１と同様に平面度を測定した所、±１５μｍであった。

基板保持手段２０に変えて、図４に示す基板保持手段４０を用いて前記基板Ｓを保持した以外は、実施例１−１と全く同様にして、装置１０によって基板Ｓに蛍光体層を形成して、蛍光体パネルを作製した。
なお、基板保持手段４０の基板固定部４２の基板Ｓの当接面の平面度は、±２０μｍであった。また、基板Ｓのネジ孔４６ｂは、中心に１つと、基板Ｓの対角線上に、夫々、基板Ｓの中心から２８０ｍｍ離れた基板Ｓ角部の４箇所に形成した。また、基板Ｓが熱膨張した際に、基板Ｓが撓むことがないように、基板Ｓが加熱によって貫通孔４６ａの直径を、基板Ｓのネジ孔４６ｂの直径より３ｍｍ大きく形成した。
装置１０の基板保持手段４０に基板Ｓを保持した状態の平面度を、実施例１と同様に測定した結果、±４５μｍであった。また、蛍光体層形成中の基板到達温度は、２５０℃であった。

［実施例１−３］
前記実施例１−１と同様の基板Ｓを準備した。なお、実施例１と同様に平面度を測定した所、±１５μｍであった。
この基板Ｓを用い、図３に示すように、基板Ｓと基板固定部２４との間に、熱伝導性シートＴを設けた以外は、実施例１と全く同様にして、蛍光体パネルを作製した。
基板Ｓを装置１０の基板保持手段２０に保持した状態の平面度を、実施例１−１と同様に測定した結果、±３２μｍであった。また、成膜中は、基板固定部２４内に設けたヒータによって、基板Ｓを２３０℃に加熱した。さらに、蛍光体層形成中の基板到達温度は、２４５℃であった。

［比較例１−１］
前記実施例１と同様の基板Ｓを準備した。なお、実施例１−１と同様に平面度を測定した所、±１３μｍであった。
この基板Ｓを用い、基板保持手段２０における基板の保持を４辺全周を保持する基板ホルダ２６から、搬送方向両端の２辺全域のみを載置する基板ホルダに変更した以外は、実施例１−１と全く同様にして、蛍光体パネルを作製した。なお、基板ホルダの載置部の自重撓み量は、±２５μｍであった。
また、基板Ｓを装置１０の基板保持手段２０に保持した状態の平面度を、実施例１と同様に測定した結果、±６３μｍであった。さらに、蛍光体層形成中の基板到達温度は、２５５℃であった。

［比較例１−２］
前記実施例１−１と同様の基板Ｓを準備した。なお、実施例１−１と同様に平面度を測定した所、±１６μｍであった。
この基板Ｓを用い、基板保持手段４０における基板の保持を、中央のネジ４６を用いず、基板角部の４箇所のみとした以外は、実施例２と全く同様にして、蛍光体パネルを作製した。
基板Ｓを装置１０の基板保持手段４０に保持した状態の平面度を、実施例１−１と同様に測定した結果、±７０μｍであった。また、蛍光体層形成中の基板到達温度は、２６０℃であった。

このような実施例１−１〜１−３、ならびに比較例１−１および１−２で作製した蛍光体パネルについて、画像評価および蛍光体層形成後の基板Ｓの平面度を測定した。測定方法は、以下のとおりである。

［画像評価］
作製した蛍光体パネルにＸ線（８０ｋｖｐ、１０ｍＲ）照射し、画像読取装置（富士写真フイルム（株）製：velocity-u）で読み取って、画像をフィルム上に再生して、画像を目視で評価した。

［蛍光体層形成後の基板の平面度］
上記画像評価を行った後、基板Ｓに蒸着によって形成されたＣｓＢｒ：Ｅｕ蛍光体層を水洗いによって除去し、基板Ｓの平面度を初期平面度と同様に測定した。
結果を下記表に示す。また、表１には、基板の初期平面度、装置１０に保持した際の平面度も併記する。

表１に示される結果より明らかなように、装置１０に基板を取り付けた際の平面度が±５０μｍ以下の本発明によれば、蛍光体層を形成した後の基板の平面度も良好であり、撓みに起因する画質劣化も生じていない。
これに対し、装置１０に基板を取り付けた際の平面度が±５０μｍを超える比較例では、蛍光体層を形成した後に基板が撓んでしまい、この撓みに起因する減感等による画質劣化を生じている。

［実施例２−１］
Ａ５０８３−０（ＪＩＳ規格）（予め３４５℃で約１時間時間焼き鈍し処理されている）のアルミニウム合金で形成された縦４５０ｍｍ×横４５０ｍｍ、厚み１０ｍｍの平面板の表面を機械研削および砥石研磨により加工し、平面度は、±１６μｍとして、基板Ｓとした。
次いで、この基板Ｓの表面を、アルミニウム洗浄剤（日本パーカライジング社製：ファインクリーナ２％溶液）中で超音波洗浄した後、流水にて洗浄した。

洗浄した基板Ｓの表面に、幅５ｍｍ、外サイズの縦４３０ｍｍ×横４３０ｍｍ、深さ１．３ｍｍの溝を形成し、次いで、基板Ｓの表面をラッピングにより研磨し、基板Ｓの表面粗さＲａを０．０５とした。
次いで、基板Ｓの表面から上記の研磨の際に使用した研磨剤を取り除くために、基板Ｓの表面を流水で洗浄した後、アルミニウム洗浄剤（日本パーカライジング社製：ファインクリーナ２％溶液）中で超音波洗浄した。

研磨処理を施した基板Ｓの表面に、イオンアシスト蒸着により約３μｍのＳｉＯ_２層を形成した。
次いで、基板Ｓの表面に形成した溝に、予め用意していたＡ５０５２（ＪＩＳ規格）のアルミニウムで形成された厚さ２ｍｍ、外形４２９．９ｍ×４２９．９ｍｍ、幅４．８ｍｍの枠を、耐熱エポキシ接着剤（アレムコプロダクツ社製：アレムコボンド５２６Ｎ）を用いて接着した。
三次元測定器を用いて、蒸着領域（中央の４２５×４２５ｍｍ）において等間隔の１０×１０点で高さを測定し、この基板Ｓの蒸着面の平面度（以下、初期平面度とする）を算出した。その結果、この基板Ｓの平面度は、±１８μｍであった。

基板Ｓの表面に固定された枠の上面に耐熱アルミニウムテープを貼付け、枠の内辺から０．２ｍｍの位置で余剰部分を切除し、マスクとした。

実施例１−１と同様の基板ホルダ２６の基板載置部２６ａに、準備した基板Ｓを載置し、上記実施形態と同様、図５に示すように、基板ホルダ２６を基板固定部２４にネジ２８を用いて固定した。

また、蛍光体用ルツボ３４に臭化セシウム（ＣｓＢｒ）を、付活剤用ルツボ３６に臭化ユーロピウム（ＥｕＢｒ₂）を、それぞれ所定量、充填して、真空チャンバ１２を閉塞して、排気を開始した。真空度が１×１０^-3Ｐａとなった時点で、排気を継続しつつ真空チャンバ１２内にＡｒガスを導入して、１Ｐａの真空度とした。
次いで、抵抗加熱電源を駆動して成膜材料の加熱／溶融を開始し、モータ８６を駆動して基板Ｓの搬送を開始して、蛍光体層（ＣｓＢｒ：Ｅｕ）の蒸着を実施し、蒸着領域に約７１０μｍの蛍光体層を形成した。
なお、蛍光体層形成中の基板Ｓの到達温度は、２５０℃であった。
基板Ｓに蛍光体層を形成した後、枠１６の耐熱アルミテープを除去し、約２００℃の温度条件下で２時間熱処理を実施した。

他方、６μｍ厚みのＰＥＴフィルム上に、スパッタリング法を用いて、ＳｉＯ_２膜をｌ００ｎｍ形成し、その上に、ＰＶＡとＳｉＯ_２との比率が１：１となるように、ゾル・ゲル法を用いてＰＶＡとＳｉＯ_２とのハイブリット層を６００ｎｍ形成し、ハイブリット層上に、スパッタリング法を用いてＳｉＯ_２膜を１００ｎｍ形成し、このＳｉＯ_２膜の全面に、ポリエステル系樹脂（東洋防：バイロン３００）を塗布し、乾燥させて、厚み１．２μｍの防湿保護層１８を形成した。

蛍光体層を形成した基板Ｓを１００℃に予熱し、４２９．９ｍｍ×４２９．９ｍｍサイズに裁断した防湿保護層１８を、ポリエステル系樹脂を塗布した側が蛍光体層と対向するように、蛍光体層に被せ、熱ラミネーションにより、防湿保護層と、枠の上面及び蛍光体層の表面を封止接着した。

蛍光体層を防湿保護層で封止接着した後、厚さ０．６ｍｍ、外形４２９．９ｍｍ×４２９．９ｍｍ、幅６ｍｍの基板１２とＡ５０５２（ＪＩＳ規格）のアルミニウム製の補強枠を準備し、この補強枠の片面に薄層両面テープ（日東電工製：ＣＳ９６２１）を貼り付け、防湿保護層を介して、枠と補強枠とが一致して重なるように、防湿保護層の表面に貼り付け、蛍光体パネルを得た。
完成した蛍光体パネルの蛍光体層面（防湿保護層表面）の平面度（以下、完成品平面度とする）を、初期平面度を算出したのと同様にして算出した。その結果、この基板Ｓの平面度は、±２４μｍであった。

［実施例２−２］
基板Ｓとして、Ａ７０７５（ＪＩＳ規格）のアルミニウム合金で形成された平面板に、３２０℃で８時間焼き鈍し処理を施した物を用いた以外は、実施例２−１と全く同様にして、蛍光体パネルを得た。
なお、実施例２−１と全く同様にして、基板Ｓの初期平面度を測定したところ、±２０μｍであり、完成品平面度を測定したところ、±２５μｍであった。

［実施例２−３］
基板Ｓの表面にイオンアシスト蒸着により約３μｍのＳｉＯ_２層を形成する代わりに、ラッピングにより研磨した基板Ｓの表面にアルマイト処理（陽極酸化処理）により約５μｍの酸化アルミニウム層を形成した以外は、実施例２−１と全く同様にして、蛍光体パネルを得た。
なお、実施例２−１と全く同様にして、基板Ｓの初期平面度を測定したところ、±１６μｍであり、完成品平面度を測定したところ、±３２μｍであった。

［実施例２−４］
基板Ｓの表面にイオンアシスト蒸着により約３μｍのＳｉＯ_２層を形成する代わりに、基板Ｓの表面に５０μｍのポリイミドフィルムを貼り付けた以外は、実施例２−１と全く同様にして、蛍光体パネルを得た。
なお、実施例２−１と全く同様にして、基板Ｓの初期平面度を測定したところ、±２２μｍであり、完成品平面度を測定したところ、±３２μｍであった。

［実施例２−５］
基板Ｓの表面にイオンアシスト蒸着により約３μｍのＳｉＯ_２層を形成する前に、基板Ｓの表面に約５０μｍのポリイミドフィルムを貼り付けた以外は、実施例２−１と全く同様にして、蛍光体パネルを得た。
なお、実施例２−１と全く同様にして、基板Ｓの初期平面度を測定したところ、±１８μｍであり、完成品平面度を測定したところ、±２２μｍであった。

このような実施例２−１〜２−５において作製した蛍光体パネルについて、画像評価を行った。なお、評価方法は、上述の実施例１と全く同様の評価方法である。

結果を下記表に示す。また、表２には、各々の基板の初期平面度、完成品平面度も併記する。

表２に示される結果より明らかなように、焼き鈍し処理を施した基板Ｓを用いた本発明によれば、蛍光体層を形成した後の基板の平面度も良好であり、撓みに起因する画質劣化も生じていない。

以上の結果より、本発明の効果は、明らかである。

本発明を実施する真空蒸着装置の一実施形態の構成概略図である。 （ａ）および（ｂ）は、本発明における基板の保持方法の一例を説明するための模式図である。 本発明における基板の保持方法の別の例を説明するための模式図である。本発明に係る真空蒸着装置の基板保持機の別の一実施形態の概略構成図である。 （ａ）および（ｂ）は、本発明における基板の保持方法の一例を説明するための模式図である。 本発明における枠を有する基板を保持した一例を示す模式図である。

符号の説明

１０ 真空蒸着装置
１２ 真空チャンバ
１４ 基板保持搬送機構
１６ 加熱蒸発部
２０，４０ 基板保持手段
２２， 直線搬送手段
２４，４２ 基板固定部
２６，基板ホルダ
２８，４６ ネジ
４６ａ 貫通孔
４６ｂ ネジ孔
３１ 蒸着部
３４ 蛍光体用ルツボ
３６ 付活剤用ルツボ
Ｓ 基板
Ｔ 熱伝導性シート

Claims (13)

1. 基板の表面に気相堆積法によって蛍光体層を形成して、蛍光体パネルを製造するに際し、
   前記蛍光体層の形成装置に保持した際における前記基板の平面度を、±５０μｍ以下とすることを特徴とする蛍光体パネルの製造方法。
2. 前記基板が、厚さ１〜２０ｍｍの金属製である請求項１に記載の蛍光体パネルの製造方法。
3. 前記基板がアルミニウム合金製である請求項１または２に記載の蛍光体パネルの製造方法。
4. 前記蛍光体層の形成装置の内部に配置された、前記基板平面の基準となる部材を用いることにより、前記基板の平面度を±５０μｍ以下とする請求項１〜３のいずれかに記載の蛍光体パネルの製造方法。
5. 前記基板平面の基準となる部材が、前記蛍光体層の形成時に基板の四辺を下方から支持する支持部材である請求項４に記載の蛍光体パネルの製造方法。
6. 前記基板を支持した際における前記支持部材の撓み量が、８０μｍ以下である請求項５に記載の蛍光体パネルの製造方法。
7. 前記基板平面の基準となる部材が、前記蛍光体層の形成時に前記基板の裏面が押圧される支持面を有する基板の保持部材である請求項４に記載の蛍光体パネルの製造方法。
8. 前記支持面の平面度が±４０μｍ以下である請求項７に記載の蛍光体パネルの製造方法。
9. 前記気相堆積法が、０．１〜５Ｐａの真空度で行う蒸着である請求項１〜８のいずれかに記載の蛍光体パネルの製造方法。
10. 前記基板が、焼き鈍し処理を施した金属製の基板である請求項１〜９のいずれかに記載の蛍光体パネルの製造方法。
11. 基板の表面に気相堆積法によって蛍光体層を形成して、蛍光体パネルを製造するに際し、
    前記基板として、焼き鈍し処理を施した金属製の基板を用いることを特徴とする蛍光体パネルの製造方法。
12. 前記基板が、アルミニウム製、または、アルミニウム合金製である請求項１１に記載の蛍光体パネル。
13. 前記焼き鈍し処理の温度が、T_１℃〜T₂℃である請求項１１または１２に記載の蛍光体パネルの製造方法。
    （ただし、T_１は、基板の形成材料の溶解温度範囲の中心温度（絶対温度）に０．５を掛けた値を示し、T_２は、基板の形成材料の溶解温度範囲の下限値を示す。）

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