JP2003232895A

JP2003232895A - 放射線画像変換パネル及びその製造方法

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Publication number: JP2003232895A
Application number: JP2002035201A
Authority: JP
Inventors: Yasushi Nakano; 寧中野; Osamu Morikawa; 修森川; Akihiro Maezawa; 明弘前澤
Original assignee: Konica Minolta Inc
Current assignee: Konica Minolta Inc
Priority date: 2002-02-13
Filing date: 2002-02-13
Publication date: 2003-08-22

Abstract

(57)【要約】【課題】輝度の高い放射線画像変換パネル及びその製
造方法を提供すること。【解決手段】支持体上に輝尽性蛍光体層を有する放射
線画像変換パネルにおいて、少なくとも一層の該輝尽性
蛍光体層が下記一般式（１）で表される輝尽性蛍光体か
ら構成され、該輝尽性蛍光体１ｋｇ中に含まれるＳｉが
１０ｍｇ未満であること特徴とする放射線画像変換パネ
ル。一般式（１）Ｍ１Ｘ・ｅＡ式中、Ｍ１はＲｂまたはＣｓ、ＸはＢｒまたはＩ、Ａは
Ｅｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｓ、Ｇａ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐ
ｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、
Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、ＣｕまたはＭｇを表し、ｅは０＜ｅ
≦０．２の数値を表す。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、放射線画像変換パ
ネル及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、放射線画像を得るために銀塩を使
用した、いわゆる放射線写真法が利用されているが、銀
塩を使用しないで放射線像を画像化する方法が開発され
ている。即ち、被写体を透過した放射線を蛍光体に吸収
せしめ、しかる後この蛍光体をある種のエネルギーで励
起してこの蛍光体が蓄積している放射線エネルギーを蛍
光として放射せしめ、この蛍光を検出して画像化する方
法が開示されている。

【０００３】具体的な方法としては、支持体上に輝尽性
蛍光体層を設けたパネルを用い、励起エネルギーとして
可視光線及び赤外線の一方または両方を用いる放射線画
像変換方法が知られている（米国特許第３，８５９，５
２７号参照）。

【０００４】より高輝度、高感度の輝尽性蛍光体を用い
た放射線画像変換方法として、例えば、特開昭５９−７
５２００号等に記載のＢａＦＸ：Ｅｕ²⁺系（Ｘ：Ｃｌ、
Ｂｒ、Ｉ）蛍光体を用いた放射線画像変換方法、同６１
−７２０８７号等に記載のアルカリハライド蛍光体を用
いた放射線画像変換方法、同６１−７３７８６号、同６
１−７３７８７号等に記載の賦活剤としてＴｌ⁺、Ｃｅ
³⁺、Ｓｍ³⁺、Ｅｕ³⁺、Ｙ³⁺、Ａｇ⁺、Ｍｇ²⁺、Ｐｂ²⁺、
Ｉｎ³⁺の金属を含有するアルカリハライド蛍光体が開発
されている。

【０００５】特開平２−５８０００号においては、気相
成長法によって支持体上に、支持体の法線方向に対し一
定の傾きをもった細長い柱状結晶を形成した輝尽性蛍光
体層を有する放射線像変換パネルが提案されている。

【０００６】これらの輝尽性蛍光体層の形状をコントロ
ールする試みにおいては、いずれも輝尽性蛍光体層を柱
状とすることで、輝尽励起光（または輝尽発光）の横方
向への拡散を抑え、柱状結晶界面において反射を繰り返
しながら蛍光体層表面まで到達することができるため、
輝尽発光による画像の輝度を著しく増大させることがで
きるという特徴がある。

【０００７】しかしながら、これらの気相成長法により
形成した輝尽性蛍光体層を有する放射線像変換パネルに
おいても、市場から要求される輝度に対しては十分では
なく、更なる改良が求められていた。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、輝度
の高い放射線画像変換パネル及びその製造方法を提供す
ることである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明の上記目的は、下
記手段により達成される。

【００１０】１．支持体上に輝尽性蛍光体層を有する放
射線画像変換パネルにおいて、少なくとも一層の該輝尽
性蛍光体層が上記一般式（１）で表される輝尽性蛍光体
から構成され、該輝尽性蛍光体１ｋｇ中に含まれるＳｉ
が１０ｍｇ未満であること特徴とする放射線画像変換パ
ネル。

【００１１】２．支持体上に輝尽性蛍光体層を有する放
射線画像変換パネルにおいて、少なくとも一層の該輝尽
性蛍光体層が上記一般式（１）で表される輝尽性蛍光体
から構成され、該輝尽性蛍光体１ｋｇ中に含まれるＳｒ
またはＢａが５ｍｇ未満であること特徴とする放射線画
像変換パネル。

【００１２】３．上記１または２に記載の放射線画像変
換パネルを、支持体上に輝尽性蛍光体層を気相成長させ
製造することを特徴とする放射線画像変換パネルの製造
方法。

【００１３】以下、本発明を詳細に説明する。本発明者
は鋭意研究の結果、支持体上に輝尽性蛍光体層を有する
放射線画像変換パネルにおいて、少なくとも一層の該輝
尽性蛍光体層が上記一般式（１）で表される輝尽性蛍光
体から構成され、該輝尽性蛍光体１ｋｇ中に含まれるＳ
ｉを１０ｍｇ未満とすることにより、または該輝尽性蛍
光体１ｋｇ中に含まれるＳｒまたはＢａを５ｍｇ未満と
することにより、輝度の高い放射線画像変換パネルが得
られることを見出した。また、この放射線画像変換パネ
ルを気相成長法により製造することにより、輝度の高い
放射線画像変換パネルが得られることを見出した。

【００１４】一般式（１）で表される輝尽性蛍光体は、
例えば、以下に述べる製造方法により製造することがで
きる。

【００１５】まず、蛍光体原料として、ＲｂＦ、ＲｂＣ
ｌ、ＲｂＢｒ、ＲｂＩ、ＣｓＦ、ＣｓＣｌ、ＣｓＢｒ、
ＣｓＩのうちの１種もしくは２種以上、賦活剤原料とし
て、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｓ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐ
ｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、
Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇからなる群から選ばれ
る金属を有する化合物を用いる。このとき、蛍光体原料
と賦活剤原料からなる原料混合物から輝尽性蛍光体を製
造する過程で、Ｓｉ、Ｓｒ、Ｂａは濃縮、またはルツボ
や蒸着チャンバー装置から不純物として付加されること
があるので、原料混合物、特に混合比率の高い蛍光体原
料１ｋｇ中に含まれるＳｉ、Ｓｒ、Ｂａはそれぞれ３ｍ
ｇ未満程度にすることが必要である。ルツボは材質やグ
レードにより不純物の種類、濃度が異なり、材質は石
英、グレードは特に鉄分が少ないものが好ましい。ま
た、蛍光体原料と賦活剤原料の混合比率は、ｅが０＜ｅ
≦０．２、好ましくは０＜ｅ≦０．１となるように蛍光
体原料及び賦活剤原料を秤量し、乳鉢、ボールミル、ミ
キサーミル等を用いて充分に混合する。

【００１６】次に、得られた原料混合物を高純度石英ル
ツボ（９９．９９％）の耐熱性容器に充填して電気炉中
で焼成を行う。焼成温度は５００〜１０００℃が適当で
ある。焼成時間は原料混合物の充填量、焼成温度等によ
って異なるが、一般には０．５〜６時間が適当である。
焼成雰囲気としては少量の水素ガスを含む窒素ガス雰囲
気、少量の一酸化炭素を含む炭酸ガス雰囲気等の弱還元
性雰囲気、窒素ガス雰囲気、アルゴンガス雰囲気等の中
性雰囲気または少量の酸素ガスを含む弱酸化性雰囲気が
好ましい。なお、前記の焼成条件で一度焼成した後、焼
成物を電気炉から取り出して粉砕し、しかる後、焼成物
粉末を再び耐熱性容器に充填して電気炉に入れ、前記と
同じ焼成条件で再焼成を行えば蛍光体の発光輝度を更に
高めることができる。また、焼成物を焼成温度より室温
に冷却する際、焼成物を電気炉から取り出して空気中で
放冷することによっても所望の蛍光体を得ることができ
るが、焼成時と同じ弱還元性雰囲気もしくは中性雰囲気
のままで冷却してもよい。また、焼成物を電気炉内で加
熱部より冷却部へ移動させて、弱還元性雰囲気、中性雰
囲気もしくは弱酸化性雰囲気で急冷することにより、得
られた蛍光体の輝尽による発光輝度をより一層高めるこ
とができる。

【００１７】一般式（１）で表される輝尽性蛍光体の別
の製造方法として、気相成長法（気相堆積法ともいう）
がある。本発明では気相成長法が好ましい。

【００１８】気相成長法としては、蒸着法、スパッタリ
ング法、イオンプレーティング法等の方法を用いること
ができる。

【００１９】第１の方法としての蒸着法においては、ま
ず支持体を蒸着装置内に設置した後装置内を排気して
１．３３３×１０^-4Ｐａ程度の真空度とする。次いで、
輝尽性蛍光体原料の少なくとも一つを抵抗加熱法、エレ
クトロンビーム法等の方法で加熱蒸発させて支持体表面
に輝尽性蛍光体を所望の厚さに成長させる。このとき、
蒸着チャンバー内に不純物元素として、Ｓｉ、Ｓｒ、Ｂ
ａを混入させないようにする。

【００２０】この結果、結着剤を含有しない輝尽性蛍光
体層が形成されるが、蒸着工程では複数回に分けて輝尽
性蛍光体層を形成することも可能である。また、蒸着工
程では複数の抵抗加熱器あるいはエレクトロンビームを
用いて共蒸着し、支持体上で目的とする輝尽性蛍光体を
合成すると同時に輝尽性蛍光体層を形成することも可能
である。

【００２１】蒸着終了後、必要に応じて輝尽性蛍光体層
の支持体側とは反対の側に保護層を設けることにより、
本発明の放射線画像変換パネルが製造される。なお、保
護層上に輝尽性蛍光体層を形成した後、支持体を設ける
手順を採ってもよい。

【００２２】さらに蒸着法においては、蒸着時、必要に
応じて被蒸着物（支持体あるいは保護層）を冷却あるい
は加熱してもよい。また、蒸着終了後、輝尽性蛍光体層
を加熱処理してもよい。また、蒸着法においては必要に
応じてＯ₂、Ｈ₂等のガスを導入して反応性蒸着を行って
もよい。

【００２３】第２の方法としてのスパッタリング法にお
いては、蒸着法と同様に支持体をスパッタリング装置内
に設置した後、装置内を一旦排気して１．３３３×１０
^-4Ｐａ程度の真空度とし、次いでスパッタリング用のガ
スとしてＡｒ、Ｎｅ等の不活性ガスをスパッタリング装
置内に導入して１．３３３×１０^-1Ｐａ程度のガス圧と
する。次に、輝尽性蛍光体原料をターゲットとして、ス
パッタリングすることにより、支持体表面に輝尽性蛍光
体層を所望の厚さに成長させる。スパッタリング工程で
は蒸着法と同様に各種の応用処理を用いることができ
る。

【００２４】第３の方法としてＣＶＤ法がある。また、
第４の方法としてイオンプレーティング法がある。

【００２５】気相成長における輝尽性蛍光体層の成長速
度は０．０５〜３００μｍ／分であることが好ましい。
成長速度が０．０５μｍ／分未満の場合には放射線画像
変換パネルの生産性が低く好ましくない。また成長速度
が３００μｍ／分を越える場合には成長速度のコントロ
ールがむずかしい。放射線画像変換パネルを、真空蒸着
法、スパッタリイング法等により得る場合には、結着剤
が存在しないので輝尽性蛍光体の充填密度を増大でき、
感度、解像力の上で好ましい放射線画像変換パネルが得
られる。

【００２６】輝尽性蛍光体層の乾燥膜厚は、放射線画像
変換パネルの使用目的によって、また輝尽性蛍光体の種
類により変化するが、本発明に記載の効果を得る観点か
ら５０μｍ以上の膜厚が必要であり、好ましくは５０〜
１０００μｍであり、更に好ましくは１００〜７００μ
ｍであり、特に好ましくは２００〜６００μｍである。

【００２７】上記の気相成長法による輝尽性蛍光体層の
作製にあたり、輝尽性蛍光体層が形成される支持体の温
度は、１００℃以上に設定することが好ましく、更に好
ましくは１５０℃以上であり、特に好ましくは１５０〜
４００℃である。

【００２８】また、高輝度を示す放射線画像変換パネル
を得る観点から、本発明に係る輝尽性蛍光体層の透過率
または反射率は２０％以上であることが必要であるが、
好ましくは３０％以上であり、更に好ましくは４０％以
上である。本発明においては、支持体がガラス基板等の
ような透明支持体の場合は、輝尽性蛍光体層の透過率を
測定する。基板上にアルミニウム等の光を反射するよう
な鏡面処理（例えば、蒸着等）が行われている場合は、
輝尽性蛍光体層の反射率を測定する。

【００２９】本発明の放射線画像変換パネルに係る輝尽
性蛍光体層は、支持体上に前記一般式（１）で表される
輝尽性蛍光体を気相成長させて形成されることが好まし
いが、層形成時に輝尽性蛍光体が柱状結晶を形成するこ
とが好ましい。

【００３０】蒸着、スパッタリング等の方法で柱状の輝
尽性蛍光体層を形成するために、一般式（１）で表され
るような輝尽性蛍光体材料が用いられるが、中でもＣｓ
Ｂｒ系蛍光体が特に好ましく用いられる。

【００３１】次に、本発明に係る輝尽性蛍光体層の形成
を図１、図２を用いて説明する。図１は、気相成長法を
用いて、支持体上に形成した柱状結晶からなる輝尽性蛍
光体層の一例を示す断面図である。１１は支持体、１２
は輝尽性蛍光体層、１３は該輝尽性蛍光体層を構成する
柱状結晶を示している。なお、１４は柱状結晶間に形成
された間隙を示している。

【００３２】図２は、支持体上に輝尽性蛍光体層が蒸着
により形成される様子を示す図である。輝尽性蛍光体蒸
気流Ｖの支持体面の法線方向（Ｒ）に対する入射角度を
θ２とすると、形成される柱状結晶の支持体面の法線方
向（Ｒ）に対する角度はθ１で表され、この角度で柱状
結晶が形成される。

【００３３】この様にして支持体上に形成した輝尽性蛍
光体層は結着剤を含有していないので、指向性に優れて
おり、輝尽励起光及び輝尽発光の指向性が高く、輝尽性
蛍光体を結着剤中に分散した分散型の輝尽性蛍光体層を
有する放射線像変換パネルより層厚を厚くすることがで
きる。更に輝尽励起光の輝尽性蛍光体層中での散乱が減
少することで像の鮮鋭性が向上する。

【００３４】また、柱状結晶間の間隙に結着剤等充填物
を充填して、輝尽性蛍光体層の補強としてもよく、高光
吸収の物質、高光反射率の物質等を充填してもよい。こ
れにより前記補強効果を持たせるほか、輝尽性蛍光体層
に入射した輝尽励起光の横方向への光拡散の低減に有効
である。

【００３５】高光吸収の物質としては、有機若しくは無
機系色剤のいずれも用いることができるが、有機系色剤
としては、ザボンファーストブルー３Ｇ（ヘキスト
製）、エストロールブリルブルーＮ−３ＲＬ（住友化学
製）、Ｄ＆ＣブルーＮｏ．１（ナショナルアニリン
製）、チロンブルーＧＬＨ（保土ヶ谷化学製）、スピリ
ットブルー（保土谷化学製）、オイルブルーＮｏ．６０
３（オリエント製）、キトンブルーＡ（チバガイギー
製）、アイゼンカチロンブルーＧＬＨ（保土ヶ谷化学
製）、レイクブルーＡＦＨ（協和産業製）、プリモシア
ニン６ＧＸ（稲畑産業製）、ブリルアシッドグリーン６
ＢＨ（保土谷化学製）、シアンブルーＢＮＲＣＳ（東洋
インク製）、ライオノイルブルーＳＬ（東洋インク製）
等が用いられる。またカラーインデクスＮｏ．２４４１
１、２３１６０、７４１８０、７４２００、２２８０
０、２３１５４、２３１５５、２４４０１、１４８３
０、１５０５０、１５７６０、１５７０７、１７９４
１、７４２２０、１３４２５、１３３６１、１３４２
０、１１８３６、７４１４０、７４３８０、７４３５
０、７４４６０等の有機系金属錯塩染料または顔料も挙
げられる。特に金属フタロシアニン系顔料が好ましい。
無機系色剤としては群青、コバルトブルー、セルリアン
ブルー、酸化クロム、ＴｉＯ２−ＺｎＯ−Ｃｏ−ＮｉＯ
系顔料が挙げられる。中でも、チロンブルーＧＬＨ（保
土ヶ谷化学製）、レイクブルーＡＦＨ（協和産業製）が
好ましい。

【００３６】本発明の放射線像変換パネルに用いられる
支持体としては、各種のガラス、高分子材料、金属等が
用いられるが、例えば石英、ホウ珪酸ガラス、化学的強
化ガラス等の板ガラス、また、セルロースアセテートフ
ィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタ
レートフィルム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィ
ルム、トリアセテートフィルム、ポリカーボネートフィ
ルム等のプラスチックフィルム、アルミニウムシート、
鉄シート、銅シート等の金属シートまたは金属酸化物の
被覆層を有する金属シートが好ましい。

【００３７】これら支持体の表面は滑面であってもよい
し、輝尽性蛍光体層との接着性を向上させる目的でマッ
ト面としてもよい。

【００３８】また、本発明においては、支持体と輝尽性
蛍光体層の接着性を向上させるために、必要に応じて支
持体の表面に予め接着層を設けてもよい。これら支持体
の厚みは用いる支持体の材質等によって異なるが、一般
的には８０〜２０００μｍであり、取り扱い上の観点か
ら、更に好ましいのは８０〜１０００μｍである。

【００３９】また、本発明に係る輝尽性蛍光体層は、保
護層を有していてもよい。保護層は、保護層用塗布液を
輝尽性蛍光体層上に直接塗布して形成してもよいし、あ
らかじめ別途形成した保護層を輝尽性蛍光体層上に接着
してもよい。あるいは、別途形成した保護層上に輝尽性
蛍光体層を形成する手順を採ってもよい。保護層の材料
としては、酢酸セルロース、ニトロセルロース、ポリメ
チルメタクリレート、ポリビニルブチラール、ポリビニ
ルホルマール、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリ
エチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリ塩化ビニ
リデン、ナイロン、ポリ四フッ化エチレン、ポリ三フッ
化塩化エチレン、四フッ化エチレン／六フッ化プロピレ
ン共重合体、塩化ビニリデン／塩化ビニル共重合体、塩
化ビニリデン／アクリロニトリル共重合体等の通常の保
護層用材料が用いられる。他に透明なガラス基板を保護
層として用いることもできる。また、この保護層は蒸着
法、スパッタリング法等により、ＳｉＣ、ＳｉＯ₂、Ｓ
ｉＮ、Ａｌ₂Ｏ₃等の無機物質を積層して形成してもよ
い。これらの保護層の層厚は一般的には０．１〜２００
０μｍ程度が好ましい。

【００４０】図３は、本発明の放射線画像変換パネルを
用いた放射線画像変換方法を示す概略図である。

【００４１】図３において２１は放射線発生装置、２２
は被写体、２３は本発明に係わる放射線画像変換パネ
ル、２４は放射線画像変換パネル２３の放射線潜像を輝
尽発光として放出させるための輝尽励起光源、２５は放
射線画像変換パネル２３より放出された輝尽発光を検出
する光電変換装置、２６は光電変換装置２５で検出され
た光電変換信号を画像として再生する装置、２７は再生
された画像を表示する装置、２８は光源２４からの反射
光をカットし、放射線画像変換パネル２３より放出され
た光のみを透過させるためのフィルタである。なお、図
３は被写体の放射線透過像を得る場合の例であるが、被
写体自体が放射線を放射する場合には、前記放射線発生
装置２１は特に必要ない。また、光電変換装置２５以降
は放射線画像変換パネル２３からの光情報を何らかの形
で画像として再生できるものであればよく、前記に限定
されない。

【００４２】図３に示されるように、放射線発生装置２
１と放射線画像変換パネル２３の間に被写体２２を配置
し放射線Ｒを照射すると、放射線Ｒは被写体２２の各部
の放射線透過率の変化に従って透過し、その透過像ＲＩ
（すなわち放射線の強弱の像）が放射線画像変換パネル
２３に入射する。この入射した透過像ＲＩは放射線画像
変換パネル２３の輝尽性蛍光体層に吸収され、これによ
って輝尽性蛍光体層中に吸収された放射線量に比例した
数の電子及び／または正孔が発生し、これが輝尽性蛍光
体のトラップレベルに蓄積される。すなわち放射線透過
像のエネルギーを蓄積した潜像が形成される。次にこの
潜像を光エネルギーで励起して顕在化する。すなわち、
光源２４によって可視あるいは赤外域の光を輝尽性蛍光
体層に照射して、トラップレベルに蓄積された電子及び
／または正孔を追い出し、蓄積されたエネルギーを輝尽
発光として放出せしめる。この放出された輝尽発光の強
弱は蓄積された電子及び／または正孔の数、すなわち放
射線画像変換パネル２３の輝尽性蛍光体層に吸収された
放射線エネルギーの強弱に比例しており、この光信号
を、例えば光電子増倍管等の光電変換装置２５で電気信
号に変換し、画像処理装置２６によって画像として再生
し、画像表示装置２７によってこの画像を表示する。画
像処理装置２６は単に電気信号を画像信号として再生す
るのみでなく、いわゆる画像処理や画像の演算、画像の
記憶、保存等ができるものを使用するとより有効であ
る。

【００４３】また、光エネルギーで励起する際、輝尽励
起光の反射光と輝尽性蛍光体層から放出される輝尽発光
とを分離する必要があることと、輝尽性蛍光体層から放
出される発光を受光する光電変換器は一般に６００ｎｍ
以下の短波長の光エネルギーに対して感度が高くなると
いう理由から、輝尽性蛍光体層から放射される輝尽発光
はできるだけ短波長領域にスペクトル分布を持ったもの
が望ましい。本発明に係わる輝尽性蛍光体の発光波長域
は３００〜５００ｎｍであり、一方輝尽励起波長域は５
００〜９００ｎｍであるので前記の条件を同時に満たす
が、最近、診断装置のダウンサイジング化が進み、放射
画像変換パネルの画像読み取りに用いられる励起波長は
高出力で且つ、コンパクト化が容易な半導体レーザが好
まれ、そのレーザ光の波長は６８０ｎｍであり、本発明
の放射線画像変換パネルに組み込まれた輝尽性蛍光体
は、６８０ｎｍの励起波長を用いた時に、極めて良好な
鮮鋭性を示すものである。

【００４４】すなわち、本発明に係わる輝尽性蛍光体は
いずれも５５０ｎｍ以下に主ピークを有する発光を示
し、輝尽励起光の分離が容易でしかも受光器の分光感度
とよく一致するため、効率よく受光できる結果、受像系
の感度を高めることができる。

【００４５】輝尽励起光源２４としては、放射線画像変
換パネル２３に使用される輝尽性蛍光体の輝尽励起波長
を含む光源が使用される。特にレーザ光を用いると光学
系が簡単になり、また、輝尽励起光強度を大きくして輝
尽発光効率を上げることができ、より好ましい結果が得
られる。

【００４６】レーザとしては、Ｈｅ／Ｎｅレーザ、Ｈｅ
／Ｃｄレーザ、Ａｒイオンレーザ、Ｋｒイオンレーザ、
Ｎ₂レーザ、ＹＡＧレーザ及びその第２高調波、ルビー
レーザ、半導体レーザ、各種の色素レーザ、銅蒸気レー
ザ等の金属蒸気レーザ等がある。通常はＨｅ／Ｎｅレー
ザやＡｒイオンレーザのような連続発振のレーザが望ま
しいが、パネル１画素の走査時間とパルスを同期させれ
ばパルス発振のレーザを用いることもできる。また、フ
ィルタ２８を用いずに特開昭５９−２２０４６号に示さ
れるような、発光の遅延を利用して分離する方法による
ときは、連続発振レーザを用いて変調するよりもパルス
発振のレーザを用いる方が好ましい。

【００４７】上記の各種レーザ光源の中でも、半導体レ
ーザは小型で安価であり、しかも変調器が不要であるの
で特に好ましく用いられる。

【００４８】フィルタ２８は、放射線画像変換パネル２
３から放射される輝尽発光を透過し、輝尽励起光をカッ
トするものであるから、これは放射線画像変換パネル２
３に含有される輝尽性蛍光体の輝尽発光波長と輝尽励起
光源２４の波長の組合わせによって決定される。

【００４９】

【実施例】以下本発明を実施例により具体的に説明する
が、本発明はこれらに限定されない。

【００５０】実施例１《放射線画像変換パネル１〜１２の作製》図４は蒸着に
より支持体上に輝尽性蛍光体層を作製する方法を示す概
略図である。１ｍｍ厚の結晶化ガラス（日本電気ガラス
社製）支持体の表面に、図４に示した蒸着装置を用いて
輝尽性蛍光体（ＣｓＢｒ：Ｅｕ）を有する輝尽性蛍光体
層を形成した。

【００５１】図４に示した蒸着装置で、アルミニウム製
のスリットを用い、支持体とスリットとの距離を６０ｃ
ｍとして、支持体と平行な方向に支持体を搬送しながら
蒸着を行ない、輝尽性蛍光体層の厚みが４５０μｍにな
るように調整した。

【００５２】なお、蒸着にあたっては、支持体を蒸着器
内に設置し、次いで、蛍光体原料としてＣｓＢｒ、賦活
剤原料としてＥｕを有する化合物を蒸着源としてプレス
成形し、水冷した高純度石英ルツボにいれた。その後、
蒸着器内を一旦排気し、Ｎ₂ガスを導入し０．１３３Ｐ
ａに真空度を調整した後、支持体の温度（基板温度とも
いう）を約２５０℃に保持しながら蒸着した。輝尽性蛍
光体層の膜厚が３００μｍとなったところで蒸着を終了
させ、次いでこの蛍光体層を温度４００℃で加熱処理し
た。乾燥空気の雰囲気内で、支持体及び硼珪酸ガラスか
らなる保護層周縁部を接着剤で封入して、蛍光体層が密
閉された構造の放射線画像変換パネル１を得た。

【００５３】放射線画像変換パネル１の作製において、
蛍光体原料及び蒸着ルツボを表１に記載のように換えた
以外は同様にして蛍光体を作製し、この蛍光体を用い
て、放射線画像変換パネル２〜１２を作製した。

【００５４】なお、ＩＣＰ法で測定した蛍光体原料の不
純物含量を表１に示す。また、用いたルツボの不純物
は、高純度石英ルツボではＡｌ：０．１ｐｐｍ、Ｆｅ：
０．４ｐｐｍ、Ｎａ：０．８ｐｐｍ、Ｋ：０．８ｐｐ
ｍ、アルミナルツボではＦｅ：３００ｐｐｍ、Ｎａ：３
５ｐｐｍ、Ｋ：２３ｐｐｍ、Ｃｕ：１ｐｐｍであった。

【００５５】ＩＣＰ法で測定した蛍光体の不純物含量を
表１に示す。また得られた放射線画像変換パネルについ
て、下記のように輝度を評価した。その結果を表１に示
す。

【００５６】輝度の測定は、管電圧８０ｋＶｐのＸ線を
放射線画像変換パネルの裏面側から照射した後、Ｈｅ／
Ｎｅレーザー光（６３３ｎｍ）を照射して励起し、蛍光
体層から放射される輝尽発光を受光器（分光感度Ｓ−５
の光電子像倍管）で受光して、その強度を測定して、こ
れを輝度と定義し、放射線画像変換パネル１の輝度を
１．０とする相対値で表示した。

【００５７】

【表１】

【００５８】表１から、比較の試料に比べて本発明の試
料は、輝度が高いことが明らかである。

【００５９】

【発明の効果】本発明により、輝度の高い放射線画像変
換パネル及びその製造方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】支持体上に形成した柱状結晶からなる輝尽性蛍
光体層の一例を示す断面図。

【図２】支持体上に輝尽性蛍光体層が蒸着により形成さ
れる様子を示す図。

【図３】本発明の放射線画像変換パネルを用いた放射線
画像変換方法を示す概略図。

【図４】蒸着により支持体上に輝尽性蛍光体層を作製す
る方法を示す概略図。

【符号の説明】

１１支持体１２輝尽性蛍光体層１３柱状結晶１４柱状結晶間に形成された間隙２１放射線発生装置２２被写体２３放射線画像変換パネル２４輝尽励起光源２５光電変換装置２６画像再生装置２７画像表示装置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 2G083 AA03 BB01 CC03 DD02 DD12 EE03 4H001 CA08 XA35 XA37 XA53 XA55 YA11 YA12 YA29 YA31 YA39 YA47 YA49 YA55 YA58 YA59 YA60 YA62 YA63 YA64 YA65 YA66 YA67 YA68 YA69 YA70 YA71 YA81

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】支持体上に輝尽性蛍光体層を有する放射
線画像変換パネルにおいて、少なくとも一層の該輝尽性
蛍光体層が下記一般式（１）で表される輝尽性蛍光体か
ら構成され、該輝尽性蛍光体１ｋｇ中に含まれるＳｉが
１０ｍｇ未満であること特徴とする放射線画像変換パネ
ル。一般式（１）Ｍ１Ｘ・ｅＡ式中、Ｍ１はＲｂ及びＣｓから選ばれるアルカリ金属、
ＸはＢｒ及びＩから選ばれるハロゲン、ＡはＥｕ、Ｔ
ｂ、Ｉｎ、Ｃｓ、Ｇａ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈ
ｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、
Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇからなる群から選ばれる少な
くとも１種の金属、ｅは０＜ｅ≦０．２の数値を表す。
【請求項２】支持体上に輝尽性蛍光体層を有する放射
線画像変換パネルにおいて、少なくとも一層の該輝尽性
蛍光体層が上記一般式（１）で表される輝尽性蛍光体か
ら構成され、該輝尽性蛍光体１ｋｇ中に含まれるＳｒま
たはＢａが５ｍｇ未満であること特徴とする放射線画像
変換パネル。
【請求項３】請求項１または２に記載の放射線画像変
換パネルを、支持体上に輝尽性蛍光体層を気相成長させ
製造することを特徴とする放射線画像変換パネルの製造
方法。